CN102822948B - 区域温度控制结构体 - Google Patents
区域温度控制结构体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102822948B CN102822948B CN201180015563.2A CN201180015563A CN102822948B CN 102822948 B CN102822948 B CN 102822948B CN 201180015563 A CN201180015563 A CN 201180015563A CN 102822948 B CN102822948 B CN 102822948B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- ring
- region
- mentioned
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[C] Chemical compound [AlH3].[C] RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N [C].[Ti] Chemical compound [C].[Ti] CYKMNKXPYXUVPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021386 carbon form Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个区域彼此之间的各向异性导热材料层。该各向异性导热材料层沿着两个以上的区域的排列方向的热导率小于与两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有表面温度被控制为各自不同的温度的区域的区域温度控制结构体。
背景技术
在对作为基板的半导体晶圆（以下，简称为“晶圆”。）实施等离子体处理的基板处理装置中，作为载置晶圆的载置台（基座），公知有将载置面分割成多个环状温度区域来控制并利用各环状温度区域支承晶圆的基座。
如利用各环状温度区域支承晶圆的基座那样，在表面被多个温度区域控制的区域温度控制结构体或者具有被调整为不同的温度的多个组合温度区域构件的组合结构体中，存在以下的问题：在分别调节各区域的温度时，热在相邻的不同的环状温度区域的交界面或者连结面中发生移动，热效率降低。并且，存在不能确保区域彼此之间的温度差这样的另一问题。
因此，为了防止调节该区域温度控制结构体或者组合结构体的温度时的热效率的降低，并且确保区域彼此之间的温度差，开发出有在相邻的区域彼此之间配置绝热件或者利用热导率不同的原材料构成相邻的区域的技术（例如，参照专利文献1）。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－292297号公报
但是，在区域温度控制结构体中在被控制为不同的温度的区域彼此之间配置有绝热件的情况下，虽然能够防止热在隔着绝热件的区域彼此之间传导，但存以下的问题：对于从与各区域的排列方向交叉的方向输入热，绝热件的正上部的温度变得高于周围的温度，形成温度的异常点（以下称作“热点（hotspot）”。）。热点不仅阻碍被调整、控制为规定的温度的该区域的温度均匀性，而且也成为使热效率降低的原因。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种区域温度控制结构体，其是具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，能够抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热能够确保顺畅地导热来抑制产生热点。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的区域温度控制结构体的特征在于，该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，上述各向异性导热材料层沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率小于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
采用本发明的技术方案，区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在该两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，各向异性导热材料层沿着该两个以上的区域的排列方向的热导率小于与该两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率，因此，能够抑制热沿着两个以上的区域的排列方向移动来保持温度差，并且对于来自与两个以上的区域的排列方向交叉的方向的输入热能够确保顺畅地传导热来抑制产生热点。
在本发明的技术方案中，优选的是，在沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热和与排列方向交叉的方向上的导热之间的相对关系中，上述各向异性导热材料层对于沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热作为绝热层发挥作用，对于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的导热作为导热层发挥作用。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述各向异性导热材料层的与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率与沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率之比是7以上。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述各向异性导热材料层由从钛－碳、铝－碳纤维、钛－铝及玻碳－碳之中选择的复合材料构成。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述两个以上的区域由各向同性导热材料形成。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述区域温度控制结构体是上述两个以上的区域在规定方向上排列而成的板状体，上述各向异性导热材料层在上述板状体的厚度方向上贯穿上述板状体。
在本发明的技术方案中，优选的是，在上述两个以上的区域中分别设有温度调整部件，上述各向异性导热材料层配置在相邻的温度调整部件彼此之间。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述温度调整部件是供换热介质流通的环状介质流路、帕尔贴元件或者电阻加热体。
在本发明的技术方案中，优选的是，上述区域温度控制结构体是基板处理装置的载置台、上部电极板及沉积屏蔽件之中的任一个。
附图说明
图1是表示将本发明的实施方式的区域温度控制结构体用作构成构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。
图2是表示本发明的实施方式的区域温度控制结构体的一例的概略结构的剖视图。
图3A是表示配置在图2中的第1环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。
图3B是表示配置在图2中的第1环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。
图3C是表示配置在图2中的第1环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。
图3D是表示配置在图2中的第1环状温度区域与第2环状温度区域之间的环状交界构件的截面切片的立体图。
图4是表示图3A～图3D所示的环状交界构件的水平半径方向上的导热特性的图。
图5是表示图3A～图3D所示的环状交界构件的铅垂方向上的导热特性的图。
图6是表示作为本发明的第1实施方式的区域温度控制结构体的基座的概略结构的剖视图。
图7是表示图6的基座的变形例的剖视图。
图8是表示作为本发明的第2实施方式的区域温度控制结构体的沉积屏蔽件的概略结构的剖视图。
图9是表示作为本发明的第3实施方式的区域温度控制结构体的上部电极板的概略结构的剖视图。
具体实施方式
以下使用附图详细说明本发明的实施方式。
图1是表示将本发明的实施方式的区域温度控制结构体用作构成构件的基板处理装置的概略结构的剖视图。
在图1中，该基板处理装置用于对晶圆实施规定的等离子体蚀刻处理。
基板处理装置10具有用于容纳晶圆W的腔室11，在腔室11内配置有用于载置晶圆W的圆板状的基座12。由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成了侧方排气通路13。在侧方排气通路13的中途配置有排气板14。
排气板14是具有多个通孔的板状构件，作为将腔室11的内部分隔成上部和下部的分隔板发挥作用。在由排气板14分隔开的腔室11内部的上部（以下称作“处理室”。）15中如后述那样产生等离子体。另外，在腔室11的内部的下部（以下称作“排气室（歧管）”。）16上连接有用于排出腔室11内的气体的排气管17。排气板14捕捉或者反射在处理室15内产生的等离子体，防止等离子体向歧管16泄漏。
在排气管17上连接有TMP（TurboMolecularPump：涡轮分子泵）及DP（DryPump：干式泵）（都省略图示），上述的泵对腔室11内进行抽真空而减压至规定压力。另外，腔室11内的压力由APC阀（省略图示）控制。
在腔室11内的基座12上经由第1整合器19连接有第1高频电源18，并且经由第2整合器21连接有第2高频电源20，第1高频电源18用于对基座12施加较低的频率、例如2MHz的偏压用的高频电力，第2高频电源20用于对基座12施加较高的高频、例如60MHz的等离子体生成用的高频电力。由此，基座12作为电极发挥作用。另外，第1整合器19及第2整合器21减少来自基座12的高频电力的反射来使向基座12施加高频电力的施加效率最大。
在基座12的上部配置有静电吸盘23，该静电吸盘23在其内部具有静电电极板22。静电吸盘23具有台阶，由陶瓷等构成。
在静电电极板22上连接有直流电源24，若向静电电极板22施加正的直流电压，则在晶圆W的靠静电吸盘23侧的表面（以下称作“背面”。）产生负电位，在静电电极板22和晶圆W的背面之间产生电位差，利用因该电位差产生的库仑力或者约翰逊·拉别克力将晶圆W吸附保持于静电吸盘23。
另外，在静电吸盘23上，聚焦环25以包围被吸附保持的晶圆W的方式载置于静电吸盘23的台阶的水平部。聚焦环25由例如硅（Si）、碳化硅（SiC）构成。
在基座12的内部设有例如在后述的在圆周方向上延伸的环状的环状介质流路。从冷却单元（省略图示）经由介质用配管向环状介质流路循环供给低温的换热介质、例如冷却水、ガルデン（galden，注册商标）。被换热介质冷却的基座12经由静电吸盘23冷却晶圆W及聚焦环25。另外，环状介质流路的用途不限于冷却，有时也能够以常温进行保持或者进行加热。因而，在环状介质流路中流动的流通介质是通常用作换热介质的介质即可，将环状介质流路用作换热环状介质流路。
在静电吸盘23的吸附保持有晶圆W的部分（以下称作“吸附面”。）开设有多个导热气体供给孔28。导热气体供给孔28经由导热气体供给管线29连接于导热气体供给部（省略图示），导热气体供给部将作为导热气体的He（氦）气体经由导热气体供给孔28向吸附面与晶圆W的背面之间的间隙供给。被供给到吸附面与晶圆W的背面之间的间隙中的He气体将晶圆W的热有效地传导到静电吸盘23。
在腔室11的顶部，隔着处理室15的处理空间S与基座12相对地配置有簇射头30。簇射头30具有上部电极板31、用于将该上部电极板31能够装卸地悬吊的冷却板32以及覆盖冷却板32的盖体33。上部电极板31由圆板状构件构成，该圆板状构件具有在其厚度方向上将其贯穿的多个气体孔34，由作为半导体的Si或SiC构成。另外，在冷却板32的内部设有缓冲室35，在缓冲室35上连接有处理气体导入管36。
另外，簇射头30的上部电极板31接地。
在这样的结构的基板处理装置10中，从处理气体导入管36向缓冲室35供给的处理气体被经由上部电极板31的气体孔34向处理室15内部导入，所导入的处理气体被从第2高频电源20经由基座12向处理室15的内部施加的等离子体生成用的高频电力激发而成为等离子体。等离子体中的离子由于第1高频电源18向基座12实施的偏压用的高频电源而被朝向晶圆W吸引，对晶圆W实施等离子体蚀刻处理。
基板处理装置10所具有的控制部（省略图示）的CPU根据与等离子体蚀刻处理相对应的程序对基板处理装置10的各构成构件的动作进行控制。
在这样的基板处理装置中，为了谋求处理空间S中的自由基密度的均匀化，将基座12的表面分割成中心区和包围该中心区的边缘区，边缘区的温度调整得低于中心区的温度。此时，为了防止因在基座12的中心区与边缘区之间的环状交界部发生的导热导致的热效率降低，可考虑在中心区与边缘区之间的交界部配置绝热件。绝热件能够防止热在中心区和边缘区之间移动，但是存在以下的问题：该绝热件对于处理空间S内的伴随等离子体的产生而来自上方输入热也作为绝热件发挥作用，因此在该绝热件的上部形成热点，由此处理空间S内的自由基密度不均匀，而且不能提高热效率。
本发明人对表面被控制为多个区域温度的区域温度控制结构体中的、相邻的区域彼此之间的沿着各区域的排列方向的导热和与各区域的排列方向交叉的方向上的导热进行了专心研究，结果发现：通过在多个区域彼此之间配置各向异性导热材料层，能够抑制多个区域彼此之间的导热而维持温度差，并且能够促进与多个区域的排列方向交叉的方向上的导热而避免形成热点，从而达成了本发明。
即，本发明的实施方式的区域温度控制结构体的特征在于，该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在该两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，各向异性导热材料层沿着该两个以上的区域的排列方向的热导率小于与该两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
接着使用附图对本发明的原理进行说明。
图2是表示本发明的实施方式的区域温度控制结构体的一例的概略结构的剖视图。
在图2中，构成基座12的一部分的区域温度控制结构体40主要包括图2中的：结构体主体45，其具有在水平半径方向上相邻地配置的第1环状温度区域41及第2环状温度区域42；作为第1温度调整部件的第1环状介质流路43，其设在第1环状温度区域41内；作为第2温度调整部件的第2环状介质流路44，其设在第2环状温度区域42内；以及环状交界构件46（各向异性导热材料层），其配置在第1环状温度区域41及第2环状温度区域42之间。结构体主体45由各向同性导热材料、例如碳构成。另外，以下，为了方便，将表面温度被调整为不同的温度的区域的排列方向称作水平半径方向，将与区域的排列方向交叉的方向称作铅垂方向。
环状交界构件46的与环状介质流路43、44中的换热介质的流通方向正交的截面呈T字型（在图3A～图3D中表示为切片），截面T字型的铅垂部分（以下称作“分隔部分”。）配置在第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间，截面T字型的水平部分的两端部以架设在第1环状介质流路43及第2环状介质流路44的上部的方式配置。
在这样的结构的区域温度控制结构体40中，作为环状交界构件46，设想分别应用了图3A～图3D所示的四个环状交界构件46a～46d（切片）的模拟模型。
图3A～图3D是表示配置在图2的第1环状温度区域41及第2环状温度区域42之间的环状交界构件的立体图。
在图3A的环状交界构件46a中，例如，截面T字型的水平部分的长度是10mm，宽度是5mm，分隔部分的全长是10mm，宽度是1.7mm。环状交界构件46a的截面T字型的整体由各向同性地显示出导热性的各向同性导热材料、例如碳构成。
在图3B的环状交界构件46b中，例如，截面T字型的水平部分的长度是10mm，宽度是5mm，分隔部分的全长是10mm，宽度是0.5mm。环状交界构件46b的水平部分由碳构成并且分隔部分全部由绝热材料、例如钛构成。
图3C的环状交界构件46c的截面T字型的各尺寸与图3A的环状交界构件46a相同，水平部分由碳构成并且分隔部分全部由绝热材料、例如钛构成。该环状交界构件46c与图3A的环状交界构件46a的不同之处在于，在分隔部分在分隔部分的宽度方向（水平半径方向）上以规定间隔、例如0.3mm的间隔设有例如5层规定宽度、例如0.1mm的宽度的绝热材料层。作为绝热材料，使用图3B的分隔部分所应用的钛。该环状交界构件46c的分隔部分具有作为各向异性导热件（以下称作“倾斜件”。）的性质，对于水平半径方向上的导热例如作为绝热件发挥作用，对于铅垂方向上的导热例如作为导热件发挥作用。
图3D的环状交界构件46d的截面T字型的各尺寸与图3A的环状交界构件46a相同，截面丁字形的整体由碳构成。该环状交界构件46d与图3A的环状交界构件46a的不同点在于，在水平部分及分隔部分的整体上在水平半径方向上以规定间隔、例如0.3mm的间隔设有多个规定宽度、例如0.1mm的宽度的绝热材料层。该环状交界构件46d的截面T字型的整体具有作为倾斜件的性质，对于水平半径方向上的导热例如作为绝热件发挥作用，对于铅垂方向上的导热例如作为导热件发挥作用。
作为图2的区域温度控制结构体40的环状交界构件46，设想分别应用了图3A～图3D的各环状交界构件46a～46d的模拟模型，在第1环状温度区域41的第1环状介质流路43中流通达到308（K）（开尔文）的换热介质、并且在第2环状温度区域42的第2环状介质流路44中流通达到323（K）的换热介质的情况下，求出了第1环状温度区域41及第2环状温度区域42的表面的图2中的水平半径方向上的温度分布，在图4中表示其结果。
另外，在第1环状介质流路43及第2环状介质流路44中一同流动达到308（K）的换热介质的状态下，从上部照射通过施加28000（W／m2）的电力而生成的等离子体所产生的热，求出第1环状温度区域41及第2环状温度区域42的表面的图2中的水平半径方向上的温度分布，在图5中表示其结果。
图4是表示图3A～图3D所示的环状交界构件的水平半径方向上的导热特性的图。
在图4中，纵轴表示区域的温度（K），横轴表示距第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的交界面（0）的距离。
在图4中，如虚线所示，在使用了图3A的环状交界构件46a的结构体中，第1环状温度区域41的表面温度被第2环状温度区域42的表面温度带动而上升，而第2环状温度区域42的表面温度被第1环状温度区域41的表面温度带动而降低，第1环状温度区域41的表面温度与第2环状温度区域42的表面温度之间的交界不清晰。另外，第1环状温度区域41和第2环状温度区域42如上所述地都是由各向同性导热材料构成的，所以可以认为各区域的表面温度和内部温度是均匀的。因而，以下，有时不特意地区分各区域的表面温度和内部温度而简称为区域的温度。
如单点划线所示，在使用了图3B的环状交界构件46b的结构体中，第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度的交界清晰，可知：对于沿着第1环状温度区域41和第2环状温度区域42的排列方向的导热，环状交界构件46b作为绝热件发挥了作用。
另外，如实线所示，在使用了图3C的环状交界构件46c的结构体中，与使用了图3B的环状交界构件46b的结构体同样，第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度的交界清晰，可知：对于沿着区域排列方向的导热，环状交界构件46c作为绝热件发挥了作用。
另一方面，如双点划线所示，在使用了图3D的环状交界构件46d的结构体中，第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度差大于使用了环状交界构件46b、46c的结构体中的第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度差，可知：对于沿着区域排列方向的导热，环状交界构件46d的作为绝热件的作用增大。由此，在使用了环状交界构件46d的情况下，有效地显现出在第1环状介质流路43中流动的第1换热介质及在第2环状介质流路44中流动的第2换热介质的冷却作用。
从图4的结果可知：作为维持第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度差的环状交界构件，优选环状交界构件46b、环状交界构件46c及环状交界构件46d。
另一方面，图5是表示图3A～图3D的环状交界构件的铅垂方向上的导热特性的图。
在图5中，纵轴表示区域的温度（K），横轴表示距第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的交界面（0）的距离。
在图5中，如虚线所示，在应用了环状交界构件46a的结构体中，铅垂方向上的热的移动变得顺畅，结构体主体45的表面温度为309（K），大致均匀。这是因为，环状交界构件46a整体由各向同性导热材料构成，各向同性地显现出导热性。
而如单点划线所示，在应用了环状交界构件46b的结构体中，环状交界构件46b的上部成为温度高于周围的温度的热点。这是因为，配置在分隔部分的绝热材料层对于铅垂方向上的导热也作为绝热件发挥作用，在环状交界构件46b的上部形成温度的异常点。
另外，如实线所示，在应用了环状交界构件46c的结构体中，在环状交界构件46c的上部可看到温度比周围部分的温度高一些的部分，但可以说与环状交界构件46b的相应的部位的温度相比足够低。因而可知：在应用了环状交界构件46c的结构体中，对于铅垂方向上的导热，构成分隔部分的倾斜件不是作为绝热件而是作为导热件发挥了作用。
另一方面，如双点划线所示，在应用了环状交界构件46d的结构体中，看不到产生热点，但铅垂方向上的热的扩散被整体地阻碍，与应用了其他的环状交界构件的结构体相比，结构体主体45的表面整体的温度上升。由此可知：环状交界构件46d作为不能经受铅垂方向上的导热的绝热件发挥了作用。
在下表1中汇总表示图4及图5的结果的评价。
表1汇总表示图3A～图3D的环状交界构件46a～46d的水平半径方向上的绝热性及铅垂方向上的导热性的评价。这里，“○”表示其性质良好，“△”表示既非良好但也非不良；“×”表示不良。另外，本实施方式的绝热性的意思是热难以传导，不是热完全不传导的意思。
[表1]
| 环状交界构件 | 46a | 46b | 46c | 46d |
| 水平半径方向上的绝热性 | × | ○ | ○ | ○ |
| 铅垂方向上的绝热性 | ○ | × | ○ | △ |
从表1可知：作为对于水平半径方向上的导热作为绝热件发挥作用、并对于铅垂方向上的导热作为导热件发挥作用的环状交界构件，在分隔部分应用了倾斜件的图3C的环状交界构件46c是有效的。
即，可知：在具有第1环状温度区域41及第2环状温度区域42的图2的区域温度控制结构体40中，为了一边维持第1环状温度区域41与第2环状温度区域42之间的温度差一边针对来自上部的输入热抑制产生热点，只要在第1环状温度区域41和第2环状温度区域42之间配置沿着水平半径方向的热导率小于铅垂方向上的热导率的倾斜件、换言之、对于水平半径方向上的导热作为绝热件发挥作用、并且对于铅垂方向上的导热作为导热件发挥作用的倾斜件即可。
因而，在本发明中，在具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域的区域温度控制结构体中，在各区域彼此之间配置有沿着水平半径方向的热导率小于沿着铅垂方向的热导率的倾斜件。
以下，对本发明的第1实施方式的区域温度控制结构体进行说明。
图6是表示作为本发明的第1实施方式的区域温度控制结构体的基座的概略结构的剖视图。
在图6中，该基座12主要包括：基座主体55，其具有作为第1环状温度区域的中心区51和作为第2环状温度区域的边缘区52；设在基座主体55的中心区51内的第1环状介质流路53和设在基座主体55的边缘区52内的第2环状介质流路54；倾斜件56，其配置在第1环状介质流路53与第2环状介质流路54之间，由各向异性导热材料构成。另外，基座主体55由作为各向同性导热材料的例如金属铝构成。
基座12呈圆板状，其直径例如是320mm～400mm，厚度是20mm～50mm，但不言而喻，上述的数值与载置于基座12的晶圆W的尺寸相应地变化。在基座12的上部表面上借助静电吸盘57载置有晶圆W，以包围被静电吸盘57吸附保持的晶圆W的方式配置有聚焦环58。基座12的中心区51被在第1环状介质流路53中流动的较高温的换热介质冷却，边缘区52被在第2环状介质流路54中流动的较低温的换热介质冷却。
倾斜件56在第1环状介质流路53与第2环状介质流路54之间、即中心区51与边缘部52之间的交界部以在基座主体55的厚度方向上贯穿基座主体55的方式配置。因而，倾斜件56呈配置在圆板状的中心区51与圆环状的边缘区52之间的圆环状。
载置于这样的结构的基座12的晶圆W的温度由基座12的表面的中心区51及边缘区52的温度、进一步来说为在中心区51内的第1环状介质流路53中流通的介质温度及在边缘区52内的第2环状介质流路54中流通的介质温度决定。
将图6的基座12配置在图1的基板处理装置10的腔室11内，使例如323（K）的换热介质在第1环状介质流路53中流通，使例如308（K）的换热介质在第2环状介质流路54中流通，向处理室15内导入处理气体，并且从第2高频电源20经由基座12施加等离子体生成用的高频电力，激发处理气体，从而产生等离子体，在此情况下，基座12的中心区51的表面变得略高于323（K）、例如为324（K），边缘区52的表面变得略高于308（K）、例如为309（K）。另外，此时，起因于等离子体的、来自处理空间S的输入热向基座12的整个表面均等地传递，不会在倾斜件56的上部形成热点。晶圆W的上方的箭头表示伴随等离子体的产生的输入热。
采用本实施方式，能够对具有被调整、控制为不同的温度的中心区51和边缘区52的基座12的沿着水平半径方向的导热进行抑制来保持两区的温度差，并且能够针对来自铅垂方向的输入热确保热顺畅地移动来防止产生热点，而且能够提高热效率。
另外，采用本实施方式，将倾斜件56形成为在基座主体55的厚度方向上贯穿基座主体55的倾斜件，因此对于水平半径方向上的导热能够获得较大的绝热效果，由此，能够使换热介质的相互干涉最小，因此能够抑制能量的损失。本实施方式的基座12在欲维持基座表面的中心区51与边缘区52之间的温度差、并且欲提高基座整体的热效率的情况下有效。
在本实施方式中，倾斜件56的水平半径方向的厚度根据在中心区51和边缘区52之间所需要的绝热的程度来决定。即，在需要较强的绝热性的情况下，使倾斜件56的厚度较厚，在只要获得较弱的绝热性就足够的情况下，使倾斜件56的厚度较薄。作为使倾斜件56的厚度较厚的结果，也能够形成为使倾斜件56的侧面抵接于第1环状介质流路53的侧面及第2环状介质流路54的侧面的状态。在由于使倾斜件56抵接于第1环状介质流路53及第2环状介质流路54这双方或者任一方而导致基座整体上难以保持物理性强度的情况下，优选对第1环状介质流路53的侧面及第2环状介质流路54的侧面这双方或者任一方、或者基座主体55自身进行强化。另外，倾斜件56优选由热膨胀率与基座主体55的热膨胀率同等的材料或者能够吸收其与相邻构件之间的热膨胀差的材料形成。
在本实施方式中，被调整、控制为不同的温度的环状温度区域设为中心区51和边缘区52这两个，但不同的环状温度区并不限定于两个，也可以是3个以上。
在本实施方式中，倾斜件56对于水平半径方向上的导热作为绝热件发挥作用，对于铅垂方向上的导热作为导热件发挥作用，优选由从例如钛（Ti）和碳（C）、铝（Al）和碳纤维、钛－铝及玻碳－碳之中选择的复合材料构成。
在本实施方式中，倾斜件56的水平半径方向上的热导率和铅垂方向上的热导率由彼此的相对关系决定。具体地讲，在用作倾斜件的材料是钛－碳的情况下，难导热方向上的热导率为10（W／（m·K）），易导热方向上的热导率为200（W／（m·K）），在用作倾斜件的材料是铝－碳纤维的情况下，难导热方向上的热导率和易导热方向上的热导率同样地分别为150（W／（m·K））和1000（W／（m·K）），在用作倾斜件的材料是玻碳和碳的情况下，难导热方向上的热导率和易导热方向上的热导率分别为10（W／（m·K））和200（W／（m·K）），在用作倾斜件的材料是钛和铝的情况下，难导热方向上的热导率和易导热方向上的热导率分别为10（W／（m·K））和150（W／（m·K））。由此，只要选择使得倾斜件56的铅垂方向上的热导率与水平半径方向上的热导率之比大致在7以上即可。
在本实施方式中，说明了设于中心区51和边缘区52内的温度调整部件是供换热介质流通的环状介质流路的情况，但在本实施方式中，温度调整部件不限定于环状介质流路，也可以是热电元件（例如帕尔贴（peltier）元件）、其他加热器、例如电阻加热体。作为温度调节部件，通过采用环状介质流路、热电元件、电阻加热体等，易于控制，并且能够确保长寿命。
以下，对第1实施方式的变形例进行说明。
图7是表示图6的基座的变形例的剖视图。
在图7中，该基座62与图6的基座12的不同点在于，代替在基座主体55的厚度方向上贯穿基座主体55的倾斜件56，而设有从基座主体55的上部表面延伸到该基座主体55的厚度方向的中间点的倾斜件66。
采用该变形例，与图6的基座同样，能够抑制中心区51与边缘区52之间的交界面处的沿着水平半径方向的导热来保持温度差，并且对于起因于等离子体的、来自基座62的上方的输入热能够确保热顺畅地移动来防止在倾斜件66的上部产生热点。
本变形例的基座62在即使基座整体的热效率一定程度降低、也想确保基座表面的中心区51与边缘区52之间的温度差的情况下有效。
以下，对本发明的第2实施方式的区域温度控制结构体进行说明。
图8是表示作为本发明的第2实施方式的区域温度控制结构体的沉积屏蔽件（depositshield）（以下称作“环状沉积屏蔽件”。）的剖视图。
环状沉积屏蔽件设在基板处理装置的腔室内，用于通过在一定程度上较高地设定其表面温度来防止沉积物附着，通常，表面温度被设定为400（K）～450（K）。但是，有时例如为了保护被设置于环状沉积屏蔽件的传感器等而想使沉积物以仅覆盖与传感器的设置位置对应的部分的方式附着。在该情况下，控制成仅有与传感器的设置位置对应的部分的温度低于周围的温度来促进沉积物附着。这样应用的环状沉积屏蔽件是区域温度控制结构体。
在图8中，在基板处理装置10的腔室11的侧壁上设有环状沉积屏蔽件75。环状沉积屏蔽件75由显示出各向同性的导热性的例如铝材构成。环状沉积屏蔽件75被划分成低温区71和高温区72，在低温区71中设有低温用的环状介质流路73，在高温区72中设有高温用的环状介质流路72。在低温区71与高温区72之间的交界部分配置有在环状沉积屏蔽件75的厚度方向上贯穿环状沉积屏蔽件75的倾斜件76。
若使用具有这样的结构的环状沉积屏蔽件75的基板处理装置10对借助静电吸盘23载置于基座12的上部表面的晶圆W实施规定的等离子体处理，并使例如308（K）的换热介质在环状沉积屏蔽件75的低温用的环状介质流路73中流通，且使例如400（K）的换热介质在高温用的环状介质流路74中流通，则低温区71的表面温度达到例如310（K），高温区72的表面温度达到例如398（K），良好地保持两者的温度差。另外，此时，对于起因于等离子体的、来自处理空间S的输入热也不会在倾斜件76的上部形成热点。
采用本实施方式，能够确保低温区71与高温区72之间的温度差，并且，对于起因于等离子体的、来自处理空间S的输入热也不会形成热点，能够使热在整个区域均匀地传导。
接着，对本发明的第3实施方式的区域温度控制结构体进行说明。
图9是表示作为本发明的第3实施方式的区域温度控制结构体的上部电极板的剖视图。
上部电极板是向处理空间S供给处理气体的簇射头的构成构件，是向处理空间S内施加高频电力、激发处理气体而使等离子体产生时的电极，在中心部分和边缘部分之间设有温度差的情况下，成为区域温度控制结构体。
在图9中，设在基板处理装置10的腔室11内的作为簇射头30的构成构件的上部电极板85是由各向同性导热材料、例如Si构成的，呈直径φ300mm～φ500mm、厚5mm～10mm的圆板状，隔着处理空间S与借助静电吸盘23载置于基座12的上部表面的晶圆W相对。上部电极板85具有与基座12的图6所示的中心区51相对的电极板中心区81、及与基座12的图6所示的边缘区52相对的电极板边缘区82，倾斜件86以在电极板中心区81与电极板边缘区82之间的交界部的厚度方向上贯穿该交界部的方式配置在电极板中心区81与电极板边缘区82之间的交界部。
这种结构的上部电极板85的电极板中心区81和电极板边缘区82与图6的基座12的中心区51和边缘区52同样被调整为各自不同的温度，并且伴随在处理空间S中产生等离子体而接受图9中的来自下方的输入热，但因为在电极板中心区81与电极板边缘区82之间配置有倾斜件86，所以能够保持电极板中心区81的温度和电极板边缘区82的温度为各自不同的温度，并且能够由上部电极板85的图9中的下方表面均匀地接收伴随在处理空间S中产生等离子体的输入热，由此，能够避免形成热点。
以上，使用实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。
Claims (8)
1.一种基板处理装置，用于对容纳在所述基板处理装置的腔室内的基板进行等离子体刻蚀处理，其特征在于，包括：
载置台，设置于所述腔室的内部，用于载置所述基板；
上部电极板，设置于所述腔室的内部，并与载置于所述载置台上的所述基板相对地配置；
区域温度控制结构体，具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个以上的区域彼此之间的各向异性导热材料层，上述区域温度控制结构体是基板处理装置的载置台、上部电极板及沉积屏蔽件之中的任一个，
上述各向异性导热材料层沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率小于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热和与排列方向交叉的方向上的导热之间的相对关系中，上述各向异性导热材料层对于沿着上述两个以上的区域的排列方向的导热作为绝热层发挥作用，对于与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的导热作为导热层发挥作用。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述各向异性导热材料层的与上述两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率与沿着上述两个以上的区域的排列方向的热导率之比是7以上。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述各向异性导热材料层由从钛－碳、铝－碳纤维、钛－铝及玻碳－碳之中选择的复合材料构成。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述两个以上的区域由各向同性导热材料形成。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述区域温度控制结构体是上述两个以上的区域在规定方向上排列而成的板状体，上述各向异性导热材料层在上述板状体的厚度方向上贯穿上述板状体。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述两个以上的区域中分别设有温度调整部件，上述各向异性导热材料层配置在相邻的温度调整部件彼此之间。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
上述温度调整部件是供换热介质流通的环状介质流路、帕尔贴元件或者电阻加热体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-069083 | 2010-03-25 | ||
| JP2010069083A JP5675138B2 (ja) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | プラズマ処理装置 |
| PCT/JP2011/058155 WO2011118847A1 (ja) | 2010-03-25 | 2011-03-24 | 領域温度制御構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102822948A CN102822948A (zh) | 2012-12-12 |
| CN102822948B true CN102822948B (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=44655027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180015563.2A Active CN102822948B (zh) | 2010-03-25 | 2011-03-24 | 区域温度控制结构体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9484232B2 (zh) |
| EP (1) | EP2551894B1 (zh) |
| JP (1) | JP5675138B2 (zh) |
| KR (1) | KR101790103B1 (zh) |
| CN (1) | CN102822948B (zh) |
| TW (1) | TWI509685B (zh) |
| WO (1) | WO2011118847A1 (zh) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9396908B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling a plasma edge region |
| US9263240B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
| US10586686B2 (en) | 2011-11-22 | 2020-03-10 | Law Research Corporation | Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery |
| US9115922B2 (en) * | 2012-12-03 | 2015-08-25 | Whirlpool Corporation | Fresh ice |
| US9714784B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-07-25 | Whirlpool Corporation | Refrigerator with icemaker chilled by thermoelectric device cooled by fresh food compartment air |
| US9766005B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-09-19 | Whirlpool Corporation | Refrigerator with ice mold chilled by fluid exchange from thermoelectric device with cooling from fresh food compartment or freezer compartment |
| US9863685B2 (en) | 2012-12-03 | 2018-01-09 | Whirlpool Corporation | Modular cooling and low energy ice |
| US9587872B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-03-07 | Whirlpool Corporation | Refrigerator with thermoelectric device control process for an icemaker |
| US9593870B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-03-14 | Whirlpool Corporation | Refrigerator with thermoelectric device for ice making |
| US9182157B2 (en) | 2012-12-03 | 2015-11-10 | Whirlpool Corporation | On-door ice maker cooling |
| US9175888B2 (en) | 2012-12-03 | 2015-11-03 | Whirlpool Corporation | Low energy refrigerator heat source |
| US9383128B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-07-05 | Whirlpool Corporation | Refrigerator with ice mold chilled by air exchange cooled by fluid from freezer |
| US20140209242A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber components incorporating anisotropic materials |
| US10209016B2 (en) | 2013-03-22 | 2019-02-19 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Thermal energy guiding systems including anisotropic thermal guiding coatings and methods for fabricating the same |
| US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
| US9335231B2 (en) * | 2014-03-25 | 2016-05-10 | Mks Instruments, Inc. | Micro-Pirani vacuum gauges |
| US11302520B2 (en) * | 2014-06-28 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber apparatus for chemical etching of dielectric materials |
| EP3691408A1 (en) | 2015-01-12 | 2020-08-05 | LaminaHeat Holding Ltd. | Fabric heating element |
| JP6655310B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2020-02-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| CA3001643A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Laminaheat Holding Ltd. | Laminar heating elements with customized or non-uniform resistance and/or irregular shapes, and processes for manufacture |
| JP6584286B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-10-02 | 日本発條株式会社 | ヒータユニット |
| US20170211185A1 (en) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerhead with embedded conductive layers |
| US9953843B2 (en) * | 2016-02-05 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Chamber for patterning non-volatile metals |
| GB2557592A (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-27 | Evonetix Ltd | Temperature control device |
| KR101985751B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2019-06-05 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 |
| JP6882040B2 (ja) * | 2017-04-03 | 2021-06-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
| KR102161537B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-10-05 | (주)엠크래프츠 | 전자현미경용 시료대 |
| USD911038S1 (en) | 2019-10-11 | 2021-02-23 | Laminaheat Holding Ltd. | Heating element sheet having perforations |
| JP2021150178A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 本田技研工業株式会社 | 発熱装置、及び発熱装置の制御方法 |
| JP2024051933A (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-11 | 日本発條株式会社 | ステージ |
| JP2024051768A (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-11 | 日本発條株式会社 | ステージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044601A (zh) * | 2004-08-06 | 2007-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 用于对衬底温度分布进行控制的方法和*** |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873942A (en) * | 1988-06-08 | 1989-10-17 | The Stackpole Corporation | Plasma enhanced chemical vapor deposition wafer holding fixture |
| JPH09255474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-09-30 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶成長装置 |
| JP4609817B2 (ja) * | 1999-02-04 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
| JP4158573B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-10-01 | 株式会社デンソー | 加熱装置およびｃｖｄ装置 |
| JP2005005434A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Kawamura Inst Of Chem Res | 温度伝達装置、温度伝達方法、および温度伝達装置用ブロック本体の製造方法 |
| US7544251B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
| JP2006261541A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法 |
| US7815740B2 (en) * | 2005-03-18 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8475625B2 (en) * | 2006-05-03 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for etching high aspect ratio features |
| US20090173334A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-07-09 | Sunrgi | Composite material compositions, arrangements and methods having enhanced thermal conductivity behavior |
| SG187387A1 (en) * | 2007-12-19 | 2013-02-28 | Lam Res Corp | Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus |
-
2010
- 2010-03-25 JP JP2010069083A patent/JP5675138B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-24 EP EP11759647.8A patent/EP2551894B1/en active Active
- 2011-03-24 WO PCT/JP2011/058155 patent/WO2011118847A1/ja active Application Filing
- 2011-03-24 KR KR1020127027654A patent/KR101790103B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-24 TW TW100110120A patent/TWI509685B/zh active
- 2011-03-24 CN CN201180015563.2A patent/CN102822948B/zh active Active
- 2011-03-24 US US13/070,929 patent/US9484232B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044601A (zh) * | 2004-08-06 | 2007-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 用于对衬底温度分布进行控制的方法和*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011204812A (ja) | 2011-10-13 |
| EP2551894A4 (en) | 2016-12-07 |
| CN102822948A (zh) | 2012-12-12 |
| EP2551894B1 (en) | 2018-09-26 |
| TWI509685B (zh) | 2015-11-21 |
| TW201205668A (en) | 2012-02-01 |
| KR101790103B1 (ko) | 2017-10-25 |
| KR20130016313A (ko) | 2013-02-14 |
| EP2551894A1 (en) | 2013-01-30 |
| US20110232888A1 (en) | 2011-09-29 |
| JP5675138B2 (ja) | 2015-02-25 |
| US9484232B2 (en) | 2016-11-01 |
| WO2011118847A1 (ja) | 2011-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102822948B (zh) | 区域温度控制结构体 | |
| JP4869610B2 (ja) | 基板保持部材及び基板処理装置 | |
| US8282769B2 (en) | Shower head and plasma processing apparatus having same | |
| JP5198226B2 (ja) | 基板載置台および基板処理装置 | |
| TW202137281A (zh) | 具有氣孔中之減少孔徑之插塞的高功率靜電夾具以及與其相關的方法和腔室 | |
| TW201718928A (zh) | 承載器及基板處理裝置 | |
| TW201519359A (zh) | 可調溫度控制靜電夾組件 | |
| JP5630667B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2011009351A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP6165452B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10223621A (ja) | 真空処理装置 | |
| TWI536495B (zh) | A plasma reaction chamber and an electrostatic chuck thereof | |
| JP5430192B2 (ja) | 温度調節装置、温度調節方法、基板処理装置及び対向電極 | |
| WO2015194675A1 (ja) | 加熱装置、加熱方法、温度調整機構及び半導体製造装置 | |
| JP5696183B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005347400A (ja) | 静電吸着装置およびプラズマ処理装置 | |
| TW201532185A (zh) | 等離子體處理裝置及其靜電卡盤 | |
| US20140209242A1 (en) | Substrate processing chamber components incorporating anisotropic materials | |
| KR20110083979A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JP7316179B2 (ja) | 基板支持台、及びプラズマ処理装置 | |
| KR20080076432A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| TW202303675A (zh) | 上部電極組件 | |
| KR20230073992A (ko) | 기판 지지체 및 기판 처리 장치 | |
| JP2019533311A (ja) | 基板処理装置に設けられる基板着座部 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |