KR100849179B1 - 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비 - Google Patents

갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비 Download PDF

Info

Publication number
KR100849179B1
KR100849179B1 KR1020070002959A KR20070002959A KR100849179B1 KR 100849179 B1 KR100849179 B1 KR 100849179B1 KR 1020070002959 A KR1020070002959 A KR 1020070002959A KR 20070002959 A KR20070002959 A KR 20070002959A KR 100849179 B1 KR100849179 B1 KR 100849179B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
space
chuck
electrostatic chuck
outside
Prior art date
Application number
KR1020070002959A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080065828A (ko
Inventor
박의진
최윤호
박인영
정환일
최성석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070002959A priority Critical patent/KR100849179B1/ko
Priority to DE102008004289A priority patent/DE102008004289A1/de
Priority to JP2008002005A priority patent/JP2008172240A/ja
Priority to US11/971,568 priority patent/US7727354B2/en
Priority to CNA2008101092448A priority patent/CN101286469A/zh
Publication of KR20080065828A publication Critical patent/KR20080065828A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100849179B1 publication Critical patent/KR100849179B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공한다. 상기 플라즈마 처리설비는 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버와, 상기 챔버의 상단에 설치되는 상부전극과, 상기 챔버의 하단에 설치되며 하부전극을 갖고 그 상면에 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 외측부에 배치되는 링과, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 구비한다.
Figure R1020070002959
포커스링, 정전척

Description

갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비{STRUCTURE FOR PROTECTING GAP FORMATION AND PLASMA PROCESSING EQUIPMENT HAVING THE SAME}
도 1은 종래의 건식식각공정에 사용되는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 갭발생방지구조를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 표시부호 A에 대한 확대단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 갭발생방지구조의 다른 실시예를 보여주는 단도면이다.
도 6은 본 발명에 따르는 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100 : 챔버
200 : 정전척
300 : 포커스링
400 : 갭방지부
410 : 제 1연장부
420 : 제 2연장부
430 : 제 3연장부
500 : 홀더링
본 발명은 플라즈마 처리설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 척과 링과의 사이 공간에 폴리머증착을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정이 선택적으로 반복 수행됨으로써 제조된다.
상기와 같은 반도체소자를 제조하기 위한 공정들 중에서 식각공정은 습식식각공정과 건식식각공정으로 구분될 수 있다.
여기서, 상기 건식식각공정은 챔버의 내부에 반응성 가스를 공급 상기 챔버 의 내부에 플라즈마 상태를 형성하고, 반응성 이온의 화학적 물리적 반응을 이용하여 웨이퍼에 형성된 막질을 식각하는 공정이다.
도 1은 종래의 건식식각공정에 사용되는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 식각설비는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치되며, 막질이 상부에 형성된 웨이퍼가 안착되며, 하부전극을 갖는 정전척과, 상기 정전척의 상부에 위치되도록 상기 챔버에 설치되는 상부전극과, 상기 챔버의 내부에 반응성 가스를 공급하는 가스공급부를 갖는다.
따라서, 상기 챔버는 그 내부에 상기 가스공급부로부터 반응성 가스가 공급되고, 상기 상부 및 하부전극에 외부의 전원으로부터 RF전원이 가해지면, 그 내부에는 플라즈마 분위기가 형성된다.
특히, 종래의 플라즈마 처리설비의 정전척의 외측부에는 포커스링이 구비된다. 상기 포커스링은 Si 재질로 이루어지고, 상기 정전척의 외측부를 에워싼다. 따라서, 상기 포커스링은 상기 정전척에 안착된 웨이퍼 상에 플라즈마의 발생 영역이 균일하게 형성되도록 한다.
한편, 상기 포커스링의 주변에는 다수개의 링들이 더 설치된다. 이를 좀 더 상세하게 설명하도록 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 정전척(20)은 그 외측둘레에 단차부를 갖는다. 상기 포커스링(30)은 상기 단차부에 설치된다. 상기 포커스링(30)의 외측부에는 다수개의 링들이 배치된다. 상기 다수개의 링들은 상기 정전척(20)의 외측둘레에 배치 되되, 상기 포커스링(30)의 저면부에 배치되는 홀더링(50)과, 상기 홀더링(50)의 외측부에 배치되는 아우터 링과, 상기 아우터 링의 상부에 배치되되, 상기 포커스링의 외측부를 감싸는 커버링으로 구성된다.
여기서, 상기 홀더링(50)과 상기 포커스링(30)의 외주면의 사이와 링들의 사이 공간에는 화살표를 따르는 유로가 형성되는 갭이 형성된다. 상기 갭은 챔버의 내부에서의 공정 진행 이후의 가스가 배기되는 배기유로이다.
이에 더하여, 상기 플라즈마 처리설비 중에, TEL사의 Me_SCCM 설비는 상기 포커스링(30)의 열전도율을 향상시키도록 상기 정전척(20)과 상기 포커스링(30)의 사이에 개재되는 Si 재질의 러버(31)를 갖는다.
상기 러버(31)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 포커스링(30)의 저면과 정전척(20)의 단차부에 개재된다.
이와 같은 구성을 갖는 종래의 플라즈마 처리설비의 작용을 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 도면에 도시되지는 않았지만, 외부전원은 상/하부전극으로 RF전원을 인가한다. 가스공급부는 반응성 가스를 챔버의 내부로 공급한다. 따라서, 상기 챔버의 내부에 공급된 반응성 가스는 챔버의 내부에서 플라즈마로 형성된다. 상기 플라즈마의 반응 이온들은 웨이퍼의 자기 바이어스 전위에 의하여 웨이퍼(W)로 당겨지고, 상기 당겨지는 반응 이온들은 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 막질을 식각한다.
이때, 상기 반응 이온들은 서로 접하고 있는 포커스링(30)의 내주면과 정전 척(20)의 외주면을 식각하여, 상기 포커스링(30)의 내주면과 상기 정전척(20)의 외주면의 사이에 틈(B)을 발생시킨다. 따라서, 종래에는 상기 틈(B)으로 유입되는 반응 이온들은 도 1에 도시된 화살표 방향을 따르는 유로를 따라 유입되어, 정전척(20)의 단차부에 설치된 러버(31)를 버닝시키는 문제점이 있다.
또한, 식각된 이후의 반응 이온들은 상기 화살표를 따르는 유로를 경유하여 챔버의 외부로 배기된다. 이때, 종래에는 고온이 형성된 상기 반응 이후의 반응 이온들은 상기와 같이 러버(31)를 버닝시키는 문제점이 있다.
이에 더하여, 종래에는 상기 반응 이온들에 의하여 웨이퍼(W)의 막질이 식각될 때에 발생되는 폴리머(P) 또는 부산물이 상기 틈(B)에 쌓이거나, 상기 화살표를 따르는 유로의 내부로 유입되어 쌓이는 문제점도 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 정전척과 포커스링과의 사이에 개재되는 실링부재의 버닝을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
본 발명의 제 2목적은 정전척과 포커스링과의 사이에 형성되는 공간에 식각후의 폴리머 또는 부산물이 쌓이는 것을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여 갭발생방지구조를 제공한다.
상기 갭 발생방지구조는 척과, 상기 척의 외측부에 배치되는 링과, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함한다.
여기서, 상기 척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되고, 상기 링은 상기 단차부에 배치되고, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 척의 제 1외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와, 상기 척의 제 2외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 척의 제 1외면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이고, 상기 척의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈일 수도 있다.
한편, 상기 갭방지부는 상기 링의 제 1외면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와, 상기 링의 제 2외면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 가질 수도 있다.
여기서, 상기 링의 제 1외면은 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이고, 상기 링의 제 2 면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈일 수도 있다.
또 한편, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 실링부재는 상기 링의 내주면과 상기 링의 저면 각각에 형성되는 제 1홈에 끼워져 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면과 상기 척의 제 2단차면 각각에 형성되는 제 2홈에 끼워져 배치될 수도 있다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공한다.
상기 플라즈마 처리설비는 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버와, 상기 챔버의 상단에 설치되는 상부전극과, 상기 챔버의 하단에 설치되며 하부전극을 갖고 그 상면에 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 외측부에 배치되는 링과, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함한다.
여기서, 상기 정전척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부를 갖고, 상기 링은 상기 단차부에 배치되고, 상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 링은 그 외측부가 상기 정전척의 외경보다 큰 외경을 갖으며 상기 단차부에 배치되는 포커스링인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 정전척의 외측부에는 상기 포커스링의 저부에 위치되는 홀더링을 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 정전척의 제 1외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와, 상기 정전척의 제 2외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 홀더링의 상면과 상기 정전척의 제 3면과 밀착되도록 상기 포커스링의 저부로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 3연장부를 갖을 수도 있다.
이에 더하여, 상기 정전척의 제 1외면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이고, 상기 정전척의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈일 수 있다.
한편, 상기 갭방지부는 상기 링의 제 1외면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와, 상기 링의 제 2외면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖을 수도 있다.
여기서, 상기 갭방지부는 상기 포커스링의 저면과 상기 정전척의 제 3면과 밀착되도록 상기 홀더링의 상단으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부 로부터 밀폐하는 제 3'연장부를 가질 수도 있다.
또한, 상기 링의 제 1외면은 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이고, 상기 링의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈일 수 있다.
그리고, 상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 실링부재는 상기 링의 내주면과 상기 링의 저면 각각에 형성되는 제 1홈에 끼워져 배치될 수 있다.
또한, 상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면과 상기 척의 제 2단차면 각각에 형성되는 제 2홈에 끼워져 배치될 수도 있다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비는 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버(100)를 구비한다. 상기 챔버(100)는 그 내부에 상부전극(110)과 정전척(200)을 구비한다. 상기 상부전극(110)은 상기 챔버(100)의 내부 상단에 설치된다. 상기 정전척(200)은 그 내부에 하부전극(120)과 외부로부터 전원을 인가받아 일정 온도로 가열되는 히터(130)를 구비한다. 막질 이 형성된 웨이퍼(W)는 상기 정전척(200)의 상면에 안착된다.
그리고, 도 3을 참조하면, 상기 정전척(200)은 그 외측부에 배치되는 포커스링(300)을 구비한다. 상기 포커스링(300)은 상기 정전척(200)의 외측둘레에 형성된 단차부(210)에 배치된다.
도 4를 참조하면, 상기 정전척(200)의 단차부(210)는 상기 포커스링(300)의 내주면(301)을 마주보는 제 1단차면(211)과, 상기 제 1단차면(211)과 수직을 이루고 상기 포커스링(300)의 저면(302)을 마주보는 제 2단차면(212)을 갖는다. 상기 제 1단차면(211)과 상기 제 2단차면(212)은 서로 수직을 이룬다.
따라서, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)은 상기 제 1단차면(211)과 마주보도록 위치되고, 그 저면(302)은 상기 제 2단차면(212)과 마주보도록 위치된다. 이때, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)과 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 사이에는 제 1공간(S1)이 형성된다. 상기 포커스링(300)의 저면(302)과 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)의 사이에는 제 2공간(S2)이 형성된다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 포커스링(300)의 최외곽의 외경은 상기 정전척(200)의 최외곽의 외경보다 큰 외경을 갖는다. 따라서, 상기 포커스링(300)의 외측부는 상기 정전척(200)의 외측둘레로부터 돌출된다.
다음, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)를 설명하도록 한다.
도 3을 참조로 하면, 상기 갭방지부(400)는 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 밀착되도록 상기 포커스링(300)의 내주면(301)으로부터 일정 길이 돌출된 제 1연장부(410)와, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)과 밀착되도록 상기 포 커스링(300)의 저면(302)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2연장부(420)를 갖는다. 따라서, 상기 제 1연장부(410)와 상기 제 2연장부(420)는 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐시킬 수 있다.
또한, 도 4를 참조하면, 상기 정전척(200)은 상기 제 1연장부(410)가 끼워지는 제 1결합홈(211a)과 상기 제 2연장부(420)가 끼워지는 제 2결합홈(212a)을 가질 수 있다. 상기 제 1결합홈(211a)은 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 상단에 형성되고, 상기 제 2결합홈(212a)은 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성된다.
한편, 도 6을 참조로 하면, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 상기 포커스링(300)의 내주면(301)에 밀착되도록 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)으로부터 일정 길이 돌출된 제 1'연장부(410')와, 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착되도록 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2'연장부(420')를 가질 수도 있다. 따라서, 상기 제 1'연장부(410')와 상기 제 2'연장부(420')는 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐시킬 수 있는 구조이다.
도 7을 참조하면, 상기 포커스링(300)은 상기 제 1'연장부(410')가 끼워지는 제 1'결합홈(311a)과 상기 제 2'연장부(420')가 끼워지는 제 2'결합홈(312a)을 가질 수도 있다. 상기 제 1'결합홈(311a)은 상기 포커스링(300)의 내주면(301)의 상단에 형성되고, 상기 제 2'결합홈(312a)은 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 형성될 수 있다.
또 한편, 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 포커스링(300)과 정전척(200)의 사이 공간, 즉 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)에는 제 1,2실링부재(351,352)가 각각 개재될 수 있다. 또한, 상기 실링부재는 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이 오링 타잎의 제 1',2'실링부재(351',352')일 수도 있다. 상기 실링부재들(351,352,351',352')은 러버로 이루어질 수도 있고 금속으로 이루어질 수도 있다.
먼저, 도 5를 참조하면, 포커스링(300)은 상기 실링부재들(351,352)이 각각 끼워지는 홈을 갖는다. 상기 홈은 제 1홈(301a)과 제 2홈(302a)을 갖는다. 상기 제 1홈(301a)은 상기 포커스링(300)의 내주면(301)에 형성되고, 상기 제 2홈(302a)은 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 형성될 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 정전척(200)은 상기 실링부재들(351',352')이 각각 끼워지는 홈을 갖는다. 상기 홈은 제 1'홈(201a)과 제 2'홈(202a)을 갖는다. 상기 제 1'홈(201a)은 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)에 형성되고, 상기 제 2'홈(202a)은 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성될 수 있다.
또 한편, 도 2에 도시된 포커스링(300)의 저부에는 홀더링(500)이 더 배치된다. 상기 홀더링(500)의 내주면은 상기 정전척(200)의 외주면과 밀착될 수 있다.
그리고, 상기 포커스링(300)은 그 저면(302)으로부터 일정길이 연장되어 상기 홀더링(500)의 상면에 밀착되는 제 3연장부(430)를 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 상기 제 3연장부(430)를 더 구비할 수 있다. 그리고, 제 2공간(S2)은 상기 제 3연장부(430)와 상기 홀더링(500)의 상면이 서로 밀착 되기 때문에 외부로부터 밀폐될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 홀더링(500)의 외측부에는 쿼츠로 이루어진 아우터 링(530)이 배치된다. 상기 아우터 링(530)의 내주면과 상기 홀더링(500)의 외주면의 사이에는 일정 간격의 제 1갭(G1)이 형성될 수 있다.
그리고, 상기 아우터 링(530)의 상단에는 상기 포커스링(300)의 외측부를 감싸는 이너 커버링(510)이 배치된다. 상기 아우터 링(530)의 내주면과 상기 포커스링(300)의 외주면의 사이에는 일정 간격의 제 2갭(G2)이 형성된다.
상기 제 1갭(G1)과 상기 제 2갭(G2)은 서로 연결되는 유로일 수 있다. 상기 유로는 상기 포커스링(300)의 외부 즉, 챔버(100)의 내부공간에 노출될 수 있다. 상기 유로는 상기 챔버(100)의 내부공간에 잔존될 수 있는 반응이후의 이온들이 챔버(100)의 외부로 배기되는 배기유로일 수 있다.
이에 더하여, 상기 아우터 링(530)의 상단부에는 상기 이너 커버링(510)의 외측부를 감싸는 아우터 커버링(520)이 배치된다. 여기서, 상기 이너 커버링(510)의 외주면과 상기 아우터 링(530)의 상단면은 상기 아우터 커버링(520)의 내면과 서로 밀착될 수 있다.
다음은, 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비에 대한 작용 및 효과를 설명하도록 한다.
도 2를 참조하면, 도시되지 않은 가스공급부는 플라즈마 반응 가스를 일정량으로 챔버(100)의 내부로 공급한다. 이와 아울러, 외부의 전원공급부는 상부전 극(110)과 하부전극(120)으로 RF전원을 인가한다. 그리고, 정전척(200)의 내부에 내설된 히터(130)는 외부로부터 전원을 인가받아 일정 온도로 가열된다. 따라서, 상기 챔버(100)의 내부에는 플라즈마 분위기가 형성됨과 아울러 일정 온도로 가열된다.
이때, 상기 챔버(100)의 내부에 형성된 반응 이온들은 웨이퍼(W)상에 형성된 막질을 식각한다. 여기서, 포커스링(300)은 정전척(200)의 외측부에 배치되어, 상기 반응 이온들을 웨이퍼(W)의 상면으로 이동될 수 있도록 가이드할 수 있다.
또한, 상기와 같이 웨이퍼(W)의 막질이 식각된 이후에 상기 챔버(100)의 내부에는 폴리머 및 부산물이 생성된다. 이와 같은 폴리머 및 부산물은 아우터 커버링(520)의 외측부로 유동되어 챔버(100)의 외부로 배기될 수 있다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 포커스링(300)은 그 내주면(301)과 저면(302)에 일정 길이로 돌출된 제 1,2연장부(410,420)를 구비하고, 상기 제 1,2연장부(410,420)는 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 제 2단차면(212)의 표면에 밀착된다, 따라서, 웨이퍼(W) 상으로 이동되는 반응이온들은 제 1,2공간(S1, S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
좀 더 상세하게는, 포커스링(300)의 상단부와 정전척(200)의 상단부에 배치되는 제 1연장부(410)가 제 1공간(S1)을 외부로부터 밀폐한다. 따라서, 상기 반응 이온들이 제 1공간(S1)으로 유입되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 포커스링(300)의 상단부가 반응 이온들에 의하여 일부 식각됨에 의하여 발생되는 폴리머가 제 1공간(S1)으로 유입되어 증착되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 상기 제 1공간(S1)에는 제 1실링부재(351)가 개재되기 때문에 상기 제 1공간(S1)으로 미량의 상기 반응 이온들과 폴리머가 유입된다 할 지라도, 상기 유입된 반응이온들과 폴리머가 제 2공간(S2)으로 유동되는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1'실링부재(351')는 포커스링(300)의 내주면(301)에 형성된 제 1홈(301a)에 끼워져 고정되기 때문에, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)과 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 사이에서의 실링 포인트(sealing point)의 위치가변은 최소화 될 수 있다.
그리고, 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2연장부(420)는 정전척의 제 2단차면(212)과 밀착되기 때문에, 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐한다. 따라서, 상기 반응 이온들이 홀더링(500)과 제 3연장부(430)와의 접촉공간을 통하여 제 2공간(S2)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1공간(S2)에는 제 2실링부재(352)가 개재되기 때문에 상기 제 2공간(S2)으로 미량의 상기 반응 이온들과 폴리머가 유입된다 할 지라도, 상기 유입된 반응이온들과 폴리머가 제 1공간(S1)으로 유동되는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2'실링부재(352')는 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2홈(302a)에 끼워져 고정되기 때문에, 상기 포커스링(300)의 저면(301)과 정전척(200)의 제 2단차면(212)의 사이에서의 실링 포인트(sealing point)의 위치가변은 최소화 될 수 있다.
이에 더하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 포커스링(300)의 저면(301)에 형성된 제 3연장부(430)는 홀더링(500)의 상단부와 밀착된다. 또한, 상기 제 3연장 부(430)의 내측과 상기 홀더링(500)의 상단에는 러버 또는 금속재질로 이루어진 제 3실링부재(453)가 더 개재된다.
따라서, 챔버(100)의 내부에서 생성되고, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머 및 부산물은 상기 제 3연장부(430)와 상기 제 3실링부재(453)로 인하여 포커스링(300)의 저면(302)과 홀더링(500)의 상단의 사이가 밀폐되기 때문에 제 2공간(S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 3곳의 실링 포인트를 갖는다. 즉, 제 1실링 포인트는 제 1공간(S1)에 위치되는 제 1실링부재(351)의 설치위치이며, 제 2실링 포인트는 제 2공간(S2)에 위치되는 제 2실링부재(352)의 설치위치이며, 제 3실링 포인트는 포커스링(300)의 제 3연장부(430)와 홀더링(500)의 상단의 사이에 개재되는 제 3실링부재(353)의 설치위치이다.
이상, 상기에서는 포커스링(300)에 형성된 제 1,2,3연장부(410,420,430)가 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 제 2단차면(212)과, 홀더링(500)의 상단면과 각각 밀착되어, 제 1,2공간(S1,S2)이 외부로부터 밀폐되는 작용과, 3곳의 실링 포인트 즉, 제 1실링부재(351)와 제 2실링부재(352)와 제 3실링부재(353)가 마련되는 위치에서의 실링포인트 위치가변이 최소화되는 작용에 대하여 설명하였다.
그러나, 본 발명에 따르는 갭 방지부(400)의 제 1,2연장부(410,420)는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이 포커스링(300)에 형성될 수도 있지만, 정전척(200)에 형성될 수도 있다. 이에 대한 구체적인 실시예를 도 6 내지 도 8을 참조로 하여 설명하도록 한다.
도 6을 참조로 하면, 정전척(200)의 제 1단차면(211)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 1'연장부(410')는 단차부(210)에 배치된 포커스링(300)의 내주면(301)에 밀착될 수 있다. 따라서, 상기 포커스링(300)의 외부에서 형성된 반응 이온 및 폴리머는 제 1공간(S1)으로 용이하게 유입되지 않는다.
또한, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2'연장부(420')는 단차부(210)에 배치된 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착될 수 있다. 따라서, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2공간(S2)으로 용이하게 유입되지 않을 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 정전척(200)에 형성된 제 1'연장부(410')는 포커스링(300)의 내주면에 형성된 제 1'결합홈(311a)에 끼워진다. 또한, 상기 정전척(200)의 제 2'연장부(420')는 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2'결합홈(312a)에 끼워진다. 따라서, 제 1',2'결합홈(311a,312a)에 상기 제 1',2'연장부(410',420')가 끼워짐으로써, 제 1,2공간(S1,S2)은 외부로부터 용이하게 밀폐될 수 있다.
이에 더하여, 포커스링(300)은 정전척(200)의 외측부에 배치되어 정전척(200)의 상면을 기준으로 측방 또는 상하방으로 쉽게 유동되지 않을 수 있다.
도 7을 참조하면, 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 포커스링(300)의 내주면(301)의 사이에는 제 1실링부재(351)가 개재된다. 또한, 도 8을 참조하면, 제 1'실링부재(351')는 정전척(200)의 제 1단차면(211)에 형성된 제 1'홈(201a)에 끼워진다. 따라서, 챔버(100)의 내부에 형성된 반응 이온들은 제 1'연장부(410')에 의 하여 제 1공간(S1)으로 유입됨이 방지되지만, 미량의 반응 이온들이 제 1공간(S1)으로 유입되는 경우에, 상기 유입된 반응 이온들은 상기 제 1,1'실링부재(351,351')에 의하여 제 2공간(S2)으로 유동됨이 방지될 수 있다. 그리고, 제 1'실링부재(351')가 상기 제 1'홈(201a)에 끼워지기 때문에 제 1'실링부재(351')의 위치는 용이하게 고정될 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)과 포커스링(300)의 저면(302)의 사이에는 제 2실링부재(352)가 개재된다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2'실링부재(352')는 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성된 제 2'홈(202a)에 끼워진다. 따라서, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2'연장부(420')에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 방지되지만, 미량의 폴리머 제 2공간으로 유입되는 경우에, 상기 유입된 폴리머는 상기 제 2,2'실링부재(352,352')에 의하여 제 1공간(S1)으로 유동됨이 방지될 수 있다. 그리고, 제 2'실링부재(352')가 상기 제 2'홈(202a)에 끼워지기 때문에 제 2'실링부재(352')의 위치는 용이하게 고정될 수 있다.
또한, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 포커스링(300)의 저면(302)으로부터 일정 길이 연장되고 홀더링(500)의 상단과 밀착되는 제 3연장부(430)에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 방지될 수도 있다. 이에 더하여, 상기 폴리머는 상기 제 3연장부(430)의 내측에 위치되고 홀더링(500)의 상단에 배치되는 제 3실링부재(353)에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 더 용이하게 방지될 수도 있다.
한편, 도 3 및 도 6에 도시된 제 3연장부(430)는 도면에 도시되지는 않았지 만, 홀더링(500)의 상단부가 상방으로 일정길이로 연장되어 포커스링(300)의 저면(302)과 밀착되는 제 3'연장부일 수도 있다. 따라서, 상기 제 3'연장부가 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착되고, 제 3실링부재(353)가 제 3'연장부의 내측에 위치되도록 상기 홀더링(500)의 상단에 개재되기 때문에, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2공간(S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 정전척과 포커스링과의 사이에 개재되는 실링부재의 버닝을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 정전척과 포커스링과의 사이에 형성되는 공간에 다중의 실링 포인트를 형성함으로써, 챔버의 내부에서 형성되는 반응이온들과 폴리머등이 상기 공간에 침투되어 증착되는 것을 용이하게 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 정전척 또는 포커스링에 형성되는 연장부들을 정전척 또는 포커스링에 형성되는 결합홈들에 끼워져 고정되도록 함으로써, 정전척에서의 포커스링의 틀어짐을 방지할 수 있는 효과도 있다.

Claims (19)

  1. 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되는 척;
    상기 단차부에 배치되어 상기 척과의 사이 공간이 형성되되, 상기 사이 공간은 그 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 그 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 링;
    상기 척과 상기 링과의 상기 제 1공간과 상기 제 2공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함하는 갭발생방지구조.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 갭방지부는 상기 척의 제 1단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와,
    상기 척의 제 2단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 척의 제 1단차면에는 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이 형성되고,
    상기 척의 제 2단차면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 갭방지부는 상기 링의 내주면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와,
    상기 링의 저면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 링의 내주면에는 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이 형성되고,
    상기 링의 저면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 실링부재는 상기 링의 내주면에 형성되는 제 1홈에 끼워지는 제 1실링부재와, 상기 링의 저면에 형성되는 제 2홈에 끼워지는 제 2실링부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면에 형성되는 제 1'홈에 끼워지는 제 1실링부재와, 상기 척의 제 2단차면에 형성되는 제 2'홈에 끼워지는 제 2실링부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
  10. 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버;
    상기 챔버의 상단에 설치되는 상부전극;
    상기 챔버의 하단에 설치되며 하부전극을 갖고 그 상면에 웨이퍼가 안착되며, 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되는 정전척;
    상기 단차부에 배치되어 상기 정전척과의 사이 공간이 형성되되, 상기 사이 공간은 그 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 그 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 링;
    상기 정전척과 상기 링과의 상기 제 1공간과 상기 제 2공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  11. 삭제
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 링은 그 외경이 상기 정전척의 외경보다 크며, 상기 단차부에 배치되는 포커스링인 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 정전척의 외측부에는 상기 포커스링의 저부에 위치되는 홀더링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 갭방지부는 상기 정전척의 제 1단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와,
    상기 정전척의 제 2단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 갭방지부는 상기 홀더링의 상면에 밀착되도록 상기 포커스링의 저면으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐시키는 제 3연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 정전척의 제 1단차면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이 형성되고,
    상기 정전척의 제 2단차면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  17. 제 10항에 있어서,
    상기 갭방지부는 상기 링의 내주면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와,
    상기 링의 저면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 링의 내주면에는 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이 형성되고,
    상기 링의 저면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
  19. 제 10항에 있어서,
    상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
KR1020070002959A 2007-01-10 2007-01-10 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비 KR100849179B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070002959A KR100849179B1 (ko) 2007-01-10 2007-01-10 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비
DE102008004289A DE102008004289A1 (de) 2007-01-10 2008-01-07 Spaltbildungsverhinderungsstruktur und Plasmaprozessanlage mit derselben
JP2008002005A JP2008172240A (ja) 2007-01-10 2008-01-09 ギャップ発生防止構造及びこれを有するプラズマ処理装置
US11/971,568 US7727354B2 (en) 2007-01-10 2008-01-09 Structure for preventing gap formation and plasma processing equipment having the same
CNA2008101092448A CN101286469A (zh) 2007-01-10 2008-01-10 用于防止空隙形成的结构以及等离子体处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070002959A KR100849179B1 (ko) 2007-01-10 2007-01-10 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080065828A KR20080065828A (ko) 2008-07-15
KR100849179B1 true KR100849179B1 (ko) 2008-07-30

Family

ID=39646204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070002959A KR100849179B1 (ko) 2007-01-10 2007-01-10 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7727354B2 (ko)
JP (1) JP2008172240A (ko)
KR (1) KR100849179B1 (ko)
CN (1) CN101286469A (ko)
DE (1) DE102008004289A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146906B1 (ko) 2004-07-06 2012-05-22 주성엔지니어링(주) 정전척
CN106548959A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室以及半导体加工设备

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
US20090221150A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Applied Materials, Inc. Etch rate and critical dimension uniformity by selection of focus ring material
CN102124820B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8707705B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-29 General Electric Company Impingement cooled transition piece aft frame
US8270141B2 (en) * 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
US20120318455A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Andreas Fischer Passive compensation for temperature-dependent wafer gap changes in plasma processing systems
CN103094166B (zh) * 2011-10-31 2015-04-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备
KR20130086806A (ko) * 2012-01-26 2013-08-05 삼성전자주식회사 박막 증착 장치
KR102424818B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
JP6435247B2 (ja) * 2015-09-03 2018-12-05 新光電気工業株式会社 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法
JP6888007B2 (ja) * 2016-01-26 2021-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジリングの持ち上げに関する解決
DE102016206193A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Trumpf Gmbh + Co. Kg Elektroadhäsionsgreifer mit fraktalen Elektroden
US9966292B2 (en) * 2016-07-12 2018-05-08 Globalfoundries Inc. Centering fixture for electrostatic chuck system
US10504765B2 (en) 2017-04-24 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly having a dielectric filler
JP6839624B2 (ja) * 2017-07-19 2021-03-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法
JP6894000B2 (ja) * 2017-11-06 2021-06-23 日本碍子株式会社 静電チャックアセンブリ及び静電チャック
TWI780093B (zh) * 2017-12-15 2022-10-11 美商蘭姆研究公司 用於電漿腔室的環結構及系統
JP7055040B2 (ja) * 2018-03-07 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及び処理装置
KR102096985B1 (ko) * 2018-08-23 2020-04-03 세메스 주식회사 기판 처리장치
KR102370471B1 (ko) 2019-02-08 2022-03-03 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
JP7340938B2 (ja) * 2019-02-25 2023-09-08 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP7333712B2 (ja) * 2019-06-05 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置
JP2021068782A (ja) * 2019-10-21 2021-04-30 東京エレクトロン株式会社 載置台アセンブリ、基板処理装置、及びシール部材
JP7308767B2 (ja) * 2020-01-08 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 載置台およびプラズマ処理装置
JP7446176B2 (ja) 2020-07-31 2024-03-08 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
KR20220029103A (ko) * 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장비

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033376A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Tokyo Electron Ltd 被処理体の載置装置
JP2003152063A (ja) 2001-11-09 2003-05-23 Applied Materials Inc 静電チャック及び半導体製造装置
KR20060029359A (ko) * 2004-10-01 2006-04-06 삼성전자주식회사 반도체 건식 식각 장비
KR20070008980A (ko) * 2005-07-14 2007-01-18 삼성전자주식회사 반도체 식각 장비 및 반도체 식각장비의 척 조립체

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
KR20000011778U (ko) 1998-12-08 2000-07-05 윤종용 건식식각장치의 정전척 절연링
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
KR20050091854A (ko) 2004-03-11 2005-09-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링
KR20060005740A (ko) 2004-07-14 2006-01-18 삼성전자주식회사 건식 식각 장비의 프로세스 챔버 내부구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033376A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Tokyo Electron Ltd 被処理体の載置装置
JP2003152063A (ja) 2001-11-09 2003-05-23 Applied Materials Inc 静電チャック及び半導体製造装置
KR20060029359A (ko) * 2004-10-01 2006-04-06 삼성전자주식회사 반도체 건식 식각 장비
KR20070008980A (ko) * 2005-07-14 2007-01-18 삼성전자주식회사 반도체 식각 장비 및 반도체 식각장비의 척 조립체

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146906B1 (ko) 2004-07-06 2012-05-22 주성엔지니어링(주) 정전척
CN106548959A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室以及半导体加工设备
CN106548959B (zh) * 2015-09-23 2020-01-03 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室以及半导体加工设备

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008004289A1 (de) 2008-08-28
US7727354B2 (en) 2010-06-01
CN101286469A (zh) 2008-10-15
KR20080065828A (ko) 2008-07-15
JP2008172240A (ja) 2008-07-24
US20090044751A1 (en) 2009-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100849179B1 (ko) 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비
KR20070013118A (ko) 플라즈마 식각 장치
US8845816B2 (en) Method extending the service interval of a gas distribution plate
CN112136202B (zh) 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备
TWI479564B (zh) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
US20190198321A1 (en) Film forming method
JP2010182857A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20190214246A1 (en) Film forming method
US8992689B2 (en) Method for removing halogen-containing residues from substrate
KR20210068972A (ko) 포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치
US20090242520A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20070258075A1 (en) Apparatus for processing a semiconductor wafer and method of forming the same
KR20070054766A (ko) 기판 가공 장치
JP5808750B2 (ja) 傾斜側壁を備える静電チャック
KR20220119139A (ko) 반도체 애플리케이션들에 대해 재료 층을 에칭하기 위한 방법들
JP7427108B2 (ja) プラズマチャンバ内で使用するための低抵抗閉じ込めライナ
KR20050004995A (ko) 플라즈마를 이용하는 기판 가공 장치
US20150017811A1 (en) Method for processing base body to be processed
US7732009B2 (en) Method of cleaning reaction chamber, method of forming protection film and protection wafer
KR102175990B1 (ko) 포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치
KR20060131537A (ko) 챔버 어셈블리 및 이를 갖는 기판 가공 장치
KR100689810B1 (ko) 반도체장치 제조용 식각장치의 배플
JP2007042979A (ja) 半導体装置の製造方法
TW202343548A (zh) 用於cmos裝置的觸點形成處理
CN113811979A (zh) 用于基板工艺腔室的杂散等离子体预防设备

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120706

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee