KR20000011739U - 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조 - Google Patents

배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20000011739U
KR20000011739U KR2019980024427U KR19980024427U KR20000011739U KR 20000011739 U KR20000011739 U KR 20000011739U KR 2019980024427 U KR2019980024427 U KR 2019980024427U KR 19980024427 U KR19980024427 U KR 19980024427U KR 20000011739 U KR20000011739 U KR 20000011739U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
focus ring
electrostatic chuck
focus
wiring process
Prior art date
Application number
KR2019980024427U
Other languages
English (en)
Inventor
한동훈
Original Assignee
김영환
현대반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019980024427U priority Critical patent/KR20000011739U/ko
Publication of KR20000011739U publication Critical patent/KR20000011739U/ko

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 고안은 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조에 관한 것으로 각 포커스 링이 높이를 낮춤과 함께 상기 각 포커스 링의 상단면을 일정각도로 경사지도록 형성하여 웨이퍼 식각시 상기 웨이퍼로 플라즈마가 많이 보내져 웨이퍼의 식각 처리속도가 빨라지고, 식각후 발생되는 부산물의 배출이 용이하도록 한 것이다.
이를 위해, 본 고안은 웨이퍼(3)가 얹혀지는 정전척(1)과, 상기 정전척(1)의 외측에 복수개가 설치되어 상기 웨이퍼(3) 식각시 웨이퍼(3)의 상면으로 플라즈마를 모아주는 복수개의 포커스 링(2)을 구비한 배선 공정 식각장치에 있어서, 상기 각 포커스 링(2)의 상단면은 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 절취된 것이다.

Description

배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조
본 고안은 배선 공정 식각장치에 관한 것으로써, 좀 더 구체적으로는 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조에 관한 것이다.
종래 배선 공정 식각장치는 도 1과 도 2에서 도시한 바와 같이, 로봇 핸드에 의해 이송된 웨이퍼(wafer)(3)가 얹혀지는 정전척(ESC)(1)과, 상기 정전척(1)의 외측에 설치되어 웨이퍼(3)의 유동을 방지하도록 고정지지함과 함께 상기 웨이퍼(3) 식각시 웨이퍼(3)의 상면으로 분사되는 플라즈마(a)의 양을 모아주는 복수개의 포커스 링(focus ring)(2)으로 구성되어 있다.
상기 정전척(1) 상면과 포커스 링(2) 측면간의 각도(θ)는 90˚∼100˚사이로 형성되어 있다.
이러한 구조의 배선 공정 식각장치는 로봇 핸드에 의해 배선 공정 식각장치로 웨이퍼(3)가 이송되고, 상기 이송된 웨이퍼(3)는 배선 공정 식각장치의 정전척(1) 상면에 얹혀지게 된다.
상기 정전척(1)의 상면에 얹혀진 웨이퍼(3)는 정전척(1)의 외측에 설치된 복수개의 포커스 링(2)에 접촉되어 유동되지 못하도록 고정지지된 상태로 식각되는데, 즉 상기 정전척(1)에 얹혀진 웨이퍼(3)의 상면으로 플라즈마(a)가 분사되고, 상기 분사되는 플라즈마(a)는 각 포커스 링(2)에 의해 웨이퍼(3) 측으로 모아지게 되므로 상기 플라즈마(a)에 의해 웨이퍼(3)는 식각된다.
상기와 같이, 플라즈마(a)에 의해 웨이퍼(3)가 식각될 때 발생되는 부산물(이물질)(b)은 상기 각 포커스 링(2)의 외부에 설치된 펌프(미도시)에서 발생되는 펌핑력에 의해 상기 포커스 링(2)의 외부로 배출된다.
그러나, 이러한 종래 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조는 각 포커스 링(2)의 높이(h)가 높고, 상기 각 포커스 링(2) 측면과 정전척(1) 상면간의 각도(θ)가 90˚∼100˚로 상기 각도(θ)가 작으므로 인하여 상기 각 포커스 링(2)에 의해 분사되는 플라즈마(a)에 의해 웨이퍼(3)가 식각될 때 발생되는 부산물(b)은 상기 각 포커스 링(2)의 외부로 배출되기 힘들 뿐만 아니라 상기 각 포커스 링(2)의 상부에 부산물(b)이 계속해서 증착된다.
또한, 각 포커스 링(2)의 측면은 정전축(1)의 상면과 거의 직각상태로 형성되어 있으므로 상기 각 포커스 링(2)이 플라즈마(a)를 충분하게 모아주지 못하므로 인하여 웨이퍼(3)로 보내지는 플라즈마(a)의 량이 줄어들어 상기 웨이퍼(3)의 식각 처리속도가 늦어지게 된다.
그래서, 도 3과 같이 각 포커스 링(2)의 상부를 정전축(1)과 평행하도록 일정부분 절취하여 상기 각 포커스 링(2)의 높이(h)를 줄였으나 웨이퍼(3)를 식각할 때 발생되는 부산물(b)은 상기 각 포커스 링(2)의 외부로 배출되는 것이 전에 보다는 잘 이루어지나 이 또한, 상기 절취된 포커스 링(2)의 상부에 부산물(b)이 증착되면서 쌓일 뿐만 아니라 상기 포커스 링(2) 측면과 정전척(1) 상면간의 각도(θ)가 작아 식각후 발생되는 부산물(b)의 배출이 용이하지 않은 문제점도 있었다.
본 고안은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 각 포커스 링이 높이를 낮춤과 함께 상기 각 포커스 링의 상단면을 일정각도로 경사지도록 형성하여 웨이퍼 식각시 상기 웨이퍼로 플라즈마가 많이 보내져 웨이퍼의 식각 처리속도가 빨라지고, 식각후 발생되는 부산물의 배출이 용이하도록 하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 웨이퍼가 얹혀지는 정전척과, 상기 정전척의 외측에 복수개가 설치되어 상기 웨이퍼 식각시 웨이퍼의 상면으로 플라즈마를 모아주는 복수개의 포커스 링을 구비한 배선 공정 식각장치에 있어서, 상기 각 포커스 링의 상단면은 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 절취된 것을 특징으로 하는 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조가 제공된다.
도 1은 종래 배선 공정 식각장치의 구조를 나타낸 구조도.
도 2는 종래 배선 공정 식각장치에서 웨이퍼에 플라즈마가 식각되는 상태를 나타낸 정면도.
도 3은 종래 배선 공정 식각장치의 포커스 링의 상단부를 절취한 상태를 나타낸 다른 실시예.
도 4는 본 고안 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조를 나타낸 구조도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 정전척 2: 포커스 링
3: 웨이퍼
이하, 본 고안의 일 실시예를 첨부도면 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
배선 공정 식각장치는 종래의 구성에서 언급한 바 있으므로 중복되는 부분은 그 설명을 생략하고, 동일한 구조에 한해서는 종래와 동일한 부호를 부여키로 한다.
도 4는 본 고안 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조를 나타낸 구조도로써, 본 고안은 로봇 핸드에 의해 이송된 웨이퍼(3)가 얹혀지는 정전척(1)이 설치되어 있고, 상기 정전척(1)의 외측에는 웨이퍼(3)의 유동을 방지하도록 웨이퍼(3)를 고정지지함과 함께 상기 웨이퍼(3) 식각시 웨이퍼(3)의 상면으로 분사되는 플라즈마(a)의 양을 모아주는 복수개의 포커스 링(2)이 설치되어 있다.
상기 각 포커스 링(2)의 높이를 낮춤과 함께 상기 각 포커스 링(2)의 상단면은 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 절취되어 있고, 상기 하향경사진 각 포커스 링(2) 상단면과 정전척(1) 상면간의 각도(θ)는 120˚∼180˚로 형성되어 있다.
상기 각 포커스 링(2) 상단면과 정전척(1) 상면간의 각도(θ)가 120˚이하가 되면 웨이퍼(3) 식각시 발생되는 부산물(b)이 각 포커스 링(2) 외부로 용이하게 배출되지 못하는 문제가 있고, 상기 각 포커스 링(2) 상단면과 정전척(1) 상면간의 각도(θ)가 180˚이상이 되면 각 포커스 링(2)이 웨이퍼(3)로 분사되는 플라즈마(a)를 상기 웨이퍼(3) 측으로 충분하게 모아주지 못하므로 인하여 상기 웨이퍼(3)의 식각 처리속도가 늦어지는 문제가 있다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.
먼저, 로봇 핸드에 의해 배선 공정 식각장치로 웨이퍼(3)가 이송되고, 상기 이송된 웨이퍼(3)는 배선 공정 식각장치의 정전척(1) 상면에 얹혀지게 되며, 상기 정전척(1)의 상면에 얹혀진 웨이퍼(3)는 정전척(1)의 외측에 설치된 복수개의 포커스 링(2)에 의해 고정지지된 상태로 식각된다.
즉, 상기 정전척(1)에 얹혀져 각 포커스 링(2)에 의해 고정지지된 웨이퍼(3)의 상면으로 플라즈마(a)가 분사되고, 상기 분사되는 플라즈마(a)는 각 포커스 링(2)에 의해 웨이퍼(3) 측으로 모아지게 된다.
이 때, 각 포커스 링(2)의 높이(h)를 낮춤과 함께 상기 각 포커스 링(2)의 상단면이 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 형성하고, 상기 각 포커스 링(2) 상단면과 정전척(1) 상면과의 각도(θ)를 일정하게 즉, 120˚∼180˚로 형성함으로써, 상기 분사되는 플라즈마(a)는 각 포커스 링(2)에 의해 웨이퍼(3) 측으로 용이하게 모아짐에 따라 웨이퍼(3)가 원활하게 식각되므로 인해 상기 웨이퍼(3)의 식각 처리시간이 줄어든다.
그리고, 상기 웨이퍼(3)를 식각할 때 발생되는 부산물(b)은 포커스 링(2)의 외부에 설치된 펌프(미도시)의 펌핑력에 의해 상기 일정각도로 외측에서 내측으로 하향경사진 각 포커스 링(2)의 상단면을 따라 이동되면서 상기 각 포커스 링(2)의 외부로 원활하게 배출된다.
이상에서와 같이, 본 고안은 각 포커스 링의 높이(h)를 낮춤과 함께 상기 각 포커스 링의 상단면이 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 형성하고, 상기 각 포커스 링 상단면과 정전척 상면과의 각도(θ)를 120˚∼180˚로 형성함으로써, 상기 웨이퍼를 식각 후 발생되는 부산물(b)은 펌프의 펌핑력에 따라 상기 경사진 각 포커스 링의 상단면을 따라 각 포커스 링의 외부로 원활하게 배출될 뿐만 아니라 상기 각 포커스 링에 의해 분사되는 플라즈마(a)를 웨이퍼 측으로 용이하게 모아줌에 따라 상기 웨이퍼의 식각이 원활하게 이루어지고 상기 웨이퍼의 식각 처리속도가 줄어드는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼가 얹혀지는 정전척과, 상기 정전척의 외측에 복수개가 설치되어 상기 웨이퍼 식각시 웨이퍼의 상면으로 플라즈마를 모아주는 복수개의 포커스 링을 구비한 배선 공정 식각장치에 있어서,
    상기 각 포커스 링의 상단면은 외측에서 내측으로 갈수록 하향경사지도록 절취된 것을 특징으로 하는 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    포커스 링 상단면과 정전척 상면간의 각도(θ)는 120˚∼180˚인 것을 특징으로 하는 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조.
KR2019980024427U 1998-12-08 1998-12-08 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조 KR20000011739U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019980024427U KR20000011739U (ko) 1998-12-08 1998-12-08 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019980024427U KR20000011739U (ko) 1998-12-08 1998-12-08 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000011739U true KR20000011739U (ko) 2000-07-05

Family

ID=69504551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019980024427U KR20000011739U (ko) 1998-12-08 1998-12-08 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000011739U (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397891B1 (ko) * 2001-07-25 2003-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 식각설비의 척 조립체
KR20160140450A (ko) * 2015-05-27 2016-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397891B1 (ko) * 2001-07-25 2003-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 식각설비의 척 조립체
KR20160140450A (ko) * 2015-05-27 2016-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100481338C (zh) 接近式弯月面集流管
US9768014B2 (en) Wafer coating
JP5554617B2 (ja) 保持テーブル
US7560362B2 (en) Cutting method for substrate
CN2708497Y (zh) 用于静电吸盘的防护装置
WO2015108252A1 (ko) 웨이퍼 그라인딩 장치
CN115424974B (zh) 半导体清洗设备的卡盘结构、半导体清洗设备及方法
US20010002613A1 (en) Birm and gas escape for non-contact wafer holder
KR20010030090A (ko) 플라즈마 처리 장치
US20120142196A1 (en) Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
KR20000011739U (ko) 배선 공정 식각장치의 포커스 링 구조
US10593569B2 (en) Substrate processing method
US7201808B2 (en) Method and apparatus for rotating a semiconductor substrate
CN213752622U (zh) 等离子体处理晶圆用载具及晶圆处理设备
CN112466740A (zh) 等离子体处理晶圆用载具及晶圆处理设备
GB2605315A (en) Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
KR100667675B1 (ko) 기판 식각에 사용되는 상압 플라즈마 장치
KR100574915B1 (ko) 포커스 링의 이상 마모를 제거한 플라즈마 챔버
CN219677221U (zh) 防喷溅液体供应装置及单晶片处理设备
KR100268436B1 (ko) 반도체장치 제조용 에칭설비의 고주파캐처어셈블리
JP2006302974A (ja) 半導体ウエハ枚葉洗浄装置
KR100904553B1 (ko) 플라즈마 식각 장치 및 방법
KR100479302B1 (ko) 반도체장치이송용캐리어
KR100741284B1 (ko) 반도체기판의 세정장치
US6561204B2 (en) Apparatus and method for cleaning wafers with contact holes or via holes

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination