JP5192214B2 - ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
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Description
また、本発明は、基板の最外周の特性を有効に補正して基板の面内で均一な処理を行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、処理ガスの他に付加ガスを供給可能であって、付加ガスを供給しない場合にデポや異常放電が生じ難いガス供給装置、ならびに基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
まず、ゲートバルブ24を開にして搬送アームにてウエハWをチャンバ1内に搬入し、支持テーブル2上に載置した後、搬送アームを退避させてゲートバルブ24を閉にし、排気装置20の真空ポンプにより排気管19を介してチャンバ1内を所定の真空度にする。
なお、付加ガスとしては、処理ガスの一部を用いることもできるし、処理ガスとは全く異なるガスを用いることもできる。
ここでは、Si基板上にSiN膜を200nm、その上にポリビニルアルコール系の樹脂膜(OPL)を287nm、さらにその上に反射防止膜(Si−ARC)を80nm形成し、さらにその上にフォトレジスト膜(PR)を形成した後、フォトレジスト膜をフォトリソグラフィー工程によりCD(ライン幅)80nmにパターン化した300mmウエハを用い、シャワーヘッド16の最外側のガス吐出孔がウエハ配置領域内(中心から140mm)である以外は図1と同様の装置を用いて、SiN膜までエッチングした。このとき、処理ガスとしてCHF3ガス、CF4ガス、Arガス、およびO2ガスを用い、これらの流量をCHF3/CF4/Ar/O2=30/90/600/15mL/min(sccm)とし、処理ガスの比率をセンター:エッジ=45:55とし、チャンバ内圧力:16.6Pa(125mTorr)、高周波パワー:600Wの条件でエッチングを行った。なお、その結果、図5の走査型電子顕微鏡(SEM)写真で示すように、パターンが密(Dense)の部分および疎(Isolation)の部分のいずれも、中心領域に比べて周辺領域のライン部分が細くなることが確認された。なお、図中の数字は、左側がトップのCD値(nm)を示し、右側がボトムのCD値(nm)を示す。
図10に示すような、Si基板101上にハードマスクとしてSiN膜102を形成し、その上に反射防止膜(BARC)103を形成し、その上にフォトレジスト膜104を形成した後、フォトレジスト膜(PR)104をフォトリソグラフィー工程によりパターン化したウエハサンプルを作成し、図1の装置によりBARC103およびSiN膜102にエッチング処理を施した。
2;支持テーブル(電極)
10;高周波電源
16;シャワーヘッド
16a;シャワーヘッド本体
17;ガス吐出孔
20;排気装置
40;ガス拡散空間
40a;第1ガス拡散空間
40b;第2ガス拡散空間
40c;第3ガス拡散空間
51;第1ガス導入部
52;第2ガス導入部
53;第3ガス導入部
60;ガス供給装置
64;ガス供給管
64a,64b;分流管
66;処理ガス供給部
67a,67b,67c;処理ガス供給源
71;分流量調整機構
75;付加ガス供給部
76;ガス供給配管
77;付加ガス供給源
80;バイパス配管
81;切換バルブ
W;半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (16)
- 被処理基板が配置された処理室内にガスを供給するガス供給装置であって、
前記処理室内において、その中に配置された被処理基板に対向して設けられ、前記処理室内にガスを導入する複数のガス導入部を有するガス導入部材と、
被処理基板を処理する処理ガスを前記ガス導入部材に向けて供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部からの処理ガスを流す処理ガス供給流路と、
前記処理ガス供給流路から分岐し、前記ガス導入部材に接続され、所定の分流割合で前記処理ガスを供給する複数の分岐流路と、
前記処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記ガス導入部材に向けて供給する付加ガス供給部と、
前記付加ガス供給部からの付加ガスを流し、前記ガス導入部材に接続された付加ガス供給流路とを具備し、
前記複数のガス導入部は、前記被処理基板の配置領域にガスを供給する複数の内側ガス導入部と、前記被処理基板の外縁よりも外側の領域にガスを導入する外側ガス導入部を有し、前記複数の分岐流路は前記複数の内側ガス導入部に接続され、前記付加ガス供給流路は前記外側ガス導入部に接続されており、
前記外側ガス導入部に前記付加ガスと前記処理ガスを選択的に供給可能な切換機構を有することを特徴とするガス供給装置。 - 前記ガス導入部材は、複数のガス導入部が同心状に設けられ、最外側が前記外側ガス導入部であり、その内側に複数の内側ガス導入部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載のガス供給装置。
- 前記ガス導入部材は、内部にガス拡散空間を有し、下壁に複数のガス吐出孔を有するシャワーヘッドを構成し、前記ガス拡散空間が前記複数のガス導入部に対応して複数のガス拡散室に区画されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガス供給装置。
- 前記ガス導入部材の前記複数のガス導入部は、前記内側ガス導入部として、前記被処理基板の中心領域に前記処理ガスを導入する第1ガス導入部と、前記被処理基板の周辺領域に前記処理ガスを導入する第2ガス導入部とを有し、前記第2ガス導入部の外側に前記外側ガス導入部として第3ガス導入部を有し、
前記複数の分岐流路は、第1分岐流路と第2分岐流路とを有し、これらはそれぞれ前記第1ガス導入部および前記第2ガス導入部に接続されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のガス供給装置。 - 前記切換機構は、前記付加ガス供給流路と前記処理ガス供給流路またはいずれかの前記分岐流路とを繋ぐバイパス配管と、前記付加ガス供給流路側および前記バイパス配管側の接続を選択的に切り換えるバイパスバルブとを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- 被処理基板が配置された処理室内にガスを供給するガス供給装置であって、
被処理基板を処理する処理ガスを前記処理室に向けて供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理ガス供給部からの処理ガスを前記処理ガス導入部へ供給する処理ガス供給路と、
前記処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記処理室に向けて供給する付加ガス供給部と、
前記処理室に付加ガスを導入する付加ガス導入部と、
前記付加ガス供給部からの付加ガスを前記付加ガス導入部へ供給する付加ガス供給路と、
前記付加ガスを処理容器内に導入しない場合に、前記付加ガス導入部へ処理ガスが流れるように切り換える切換機構と
を具備し、
前記処理ガス供給路は、前記処理ガス導入部から延びる主流路と、主流路から分岐した複数の分岐流路とを有し、前記処理ガス導入部は前記分岐流路に対応して複数設けられ、
前記処理室内において、その中に配置された被処理基板に対向して設けられ、前記処理室内にガスを導入するガス導入部材をさらに具備し、前記ガス導入部材は、前記複数の処理ガス導入部および前記付加ガス導入部を有しており、
前記ガス導入部材は、内部にガス拡散空間を有し、下壁に複数のガス吐出孔を有するシャワーヘッドを構成し、前記ガス拡散空間が前記複数の処理ガス導入部および前記付加ガス導入部に対応して複数のガス拡散室に区画され、
前記ガス導入部材の前記複数の処理ガス導入部は、前記被処理基板の中心領域に前記処理ガスを導入する第1ガス導入部と、前記被処理基板の周辺領域に前記処理ガスを導入する第2ガス導入部とを有し、前記付加ガス導入部は前記第2ガス導入部の外側に設けられ、前記被処理基板の外縁よりも外側の領域に付加ガスを供給することを特徴とするガス供給装置。 - 前記切換機構は、前記付加ガス供給流路と前記処理ガス供給流路とを繋ぐバイパス配管と、前記付加ガス供給流路側および前記バイパス配管側の接続を選択的に切り換えるバイパスバルブとを有することを特徴とする請求項6に記載のガス供給装置。
- 前記付加ガスは、前記処理ガスとは異なるガスであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- 前記処理ガスは複数のガスを含み、前記付加ガスは、これら複数のガスと異なるガス、または前記処理ガスを構成するガスの一部であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- その中に被処理基板が配置される処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給装置と
を具備し、
前記ガス供給装置から被処理基板を処理するための処理ガスを前記処理室内に供給して被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記ガス供給装置は、
前記処理室内において、その中に配置された被処理基板に対向して設けられ、前記処理室内にガスを導入する複数のガス導入部を有するガス導入部材と、
被処理基板を処理する処理ガスを前記ガス導入部材に向けて供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部からの処理ガスを流す処理ガス供給流路と、
前記処理ガス供給流路から分岐し、前記ガス導入部材の前記複数のガス導入部に接続され、所定の分流割合で前記処理ガスを供給する複数の分岐流路と、
前記処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記ガス導入部材に向けて供給する付加ガス供給部と、
前記付加ガス供給部からの付加ガスを流し、前記ガス導入部材に接続された付加ガス供給流路とを備え、
前記ガス導入部材は、前記処理室に配置された被処理基板の外縁よりも外側の領域にガスを導入する外側ガス導入部を有し、前記付加ガス供給流路は、前記外側ガス導入部に接続されており、
前記外側ガス導入部に前記付加ガスと前記処理ガスを選択的に供給可能な切換機構を有することを特徴とする基板処理装置。 - その中に被処理基板が配置される処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給装置と
を具備し、
前記ガス供給装置から被処理基板を処理するための処理ガスを前記処理室内に供給して被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記ガス供給装置は、
被処理基板を処理する処理ガスを前記処理室に向けて供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理ガス供給部からの処理ガスを前記処理ガス導入部へ供給する処理ガス供給路と、
前記処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記処理室に向けて供給する付加ガス供給部と、
前記処理室に付加ガスを導入する付加ガス導入部と、
前記付加ガス供給部からの付加ガスを前記付加ガス導入部へ供給する付加ガス供給路と、
前記付加ガスを処理容器内に導入しない場合に、前記付加ガス導入部へ処理ガスが流れるように切り換える切換機構と
を備え、
前記処理ガス供給路は、前記処理ガス導入部から延びる主流路と、主流路から分岐した複数の分岐流路とを有し、前記処理ガス導入部は前記分岐流路に対応して複数設けられ、
前記処理室内において、その中に配置された被処理基板に対向して設けられ、前記処理室内にガスを導入するガス導入部材をさらに具備し、前記ガス導入部材は、前記複数の処理ガス導入部および前記付加ガス導入部を有しており、
前記ガス導入部材は、内部にガス拡散空間を有し、下壁に複数のガス吐出孔を有するシャワーヘッドを構成し、前記ガス拡散空間が前記複数の処理ガス導入部および前記付加ガス導入部に対応して複数のガス拡散室に区画され、
前記ガス導入部材の前記複数の処理ガス導入部は、前記被処理基板の中心領域に前記処理ガスを導入する第1ガス導入部と、前記被処理基板の周辺領域に前記処理ガスを導入する第2ガス導入部とを有し、前記付加ガス導入部は前記第2ガス導入部の外側に設けられ、前記被処理基板の外縁よりも外側の領域に付加ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガスと前記付加ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構をさらに具備し、生成したプラズマにより被処理基板を処理することを特徴とする請求項10または請求項11に記載の基板処理装置。
- 被処理基板が配置された処理容器内に処理ガスを導入して被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の配置領域に所定の分流割合で処理ガスを複数部位から供給し、
処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記複数部位よりも外側の外側部位から前記被処理基板の外縁よりも外側の領域に供給して、被処理基板に被処理基板の所定の膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング処理を施し、
前記付加ガスは、前記処理室内の被処理基板の周縁部分において反応生成物が低下する場合に、反応生成物を生成する成分を含むガスであることを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板が配置された処理容器内に処理ガスを導入して被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記被処理基板の配置領域に所定の分流割合で処理ガスを複数部位から供給し、
処理ガスによる処理特性を調整するための付加ガスを前記複数部位よりも外側の外側部位から前記被処理基板の外縁よりも外側の領域に供給して、被処理基板に被処理基板の所定の膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング処理を施し、
前記付加ガスは、前記処理室内の被処理基板の周縁部分において被エッチング膜の膜中成分が低下する場合に、膜中成分を生成するガスであることを特徴とする基板処理方法。 - 前記複数部位は同心状に設けられ、前記外側部位は前記複数部位の外側に同心状に設けられていることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記複数部位は、前記被処理基板の中心領域に対応する第1の部位と、前記被処理基板の周辺領域に対応する第2の部位とを有することを特徴とする請求項15に記載の基板処理方法。
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