CN204206596U - 用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环 - Google Patents

用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环 Download PDF

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CN204206596U CN201290001108.7U CN201290001108U CN204206596U CN 204206596 U CN204206596 U CN 204206596U CN 201290001108 U CN201290001108 U CN 201290001108U CN 204206596 U CN204206596 U CN 204206596U
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Abstract

兹提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度；以及多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。

Description

用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环
技术领域
本案的实施例总体涉及基板处理设备。 
背景技术
基板处理***(如等离子体反应器)可用于在基板上沉积、蚀刻或形成层，或是以其它方式处理基板的表面。一个可用于控制这样的基板处理的各态样的技术使用射频(RF)能量来控制基板附近的等离子体，例如藉由将RF能量耦合到基板下方的电极，该基板位于基板支撑件上。 
发明人在本文中提供了基板处理***的实施例，该等基板处理***可提供对基板处理***的改进的RF能量控制以及对在晶圆边缘附近的等离子体鞘层的灵活控制。 
实用新型内容
本文中提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度；以及多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。 
在一些实施例中，一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约11.752英寸至约11.757英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.510英寸至约0.520英寸的厚度；形成于该环形主体中且介于该外缘与该内缘之间的该第一步阶及该第二步阶，其中该第一步阶具有约12.077英寸至约12.087英寸的外径，及其中该第二步阶具有约11.884英寸至约11.889英寸的外径；以及从该环形主体的该底部在该环形主体的该外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。 
在一些实施例中，一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约12.245英寸至约12.250英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.520英寸至约0.530英寸的厚度；多个对称地位于该环形主体之该内缘周围的凸部，该多个凸部从该内缘往该环形主体的中心向内延伸；以及从该环形主体的该底部在该主体的该外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。 
以下描述本实用新型的其它与进一步的实施例。 
附图说明
藉由参照本申请案绘示于随附图示中的说明性实施例，可以了解本申请案于以上概述并于以下更加详细讨论的实施例。然而，应注意的是，附图仅说明本申请案的典型实施例，因此不应将该等附图视为限制本申请的范围，因本申请可认可其它等同有效的实施例。 
图1绘示依据本实用新型的一些实施例的等离子体反应器的示意图。 
图2绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的示意图。 
图3绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的部分示意图。 
图4绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件的部分示意图。 
图5A与图5B分别绘示依据本实用新型的一些实施例的用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图与侧剖视图。 
图6A至图6C分别绘示依据本实用新型的一些实施例的用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图以及侧剖视图细节。 
图7A至图7E分别绘示依据本实用新型的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图、侧剖视图细节、俯视图细节以及顶部细节的侧剖视图。 
为了便于理解，已在可能处使用相同的组件符号来指称对于图式为相同的组件。这些图式不按比例绘制，并且为了清楚起见可以被简化。亦考虑到可以将一个实施例的组件与特征有益地集成于其它实施例中而无需进一步详述。 
具体实施方式
本文中揭示处理基板的方法及装置。本实用新型的方法及装置与现有的等离子体处理装置相比可以有利地便于更均匀地等离子体处理基板。例如，本申请案的实施例可以减少在基板边缘的边缘卷离或边缘卷起，从而提供更均匀的基板。本案申请人已经观察到边缘卷离或边缘卷起的原因除了其它的因素的外可能是由于基板边缘附近的RF功率耦合中有不连续。本实用新型的方法及装置通过提供电极或提供一或多个额外的电极来改善基板边缘附近的RF功率耦合以解决基板边缘处的不连续问题。 
图1绘示依据本实用新型的一些实施例的感应耦合等离子体反应器(反应器100)的示意侧视图。可以单独使用反应器100，或反应器100可作为集成半导体基板处理***或群集工具的处理模块，该群集工具如集成半导体晶圆处理***，可购自美国加州圣大克劳拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.of Santa Clara,California)。可以有利地受益于依据本实用新型的实施例的合适修改的等离子体反应器的实例包括感应耦合等离子体蚀刻反应器，如半导体设备线，或其它感应耦合等离子体反应器，如也可从应用材料公司取得的MESATM或类似者。上述所列的半导体设备只是说明性的，而且其它的蚀刻反应器以及非蚀刻设备(如CVD反应器或其它半导体处理设备)也可以依据本教示而被适当地修改。例如，可用于本文中揭示的方法的合适的例示性等离子体反应器可在V.Todorow等人于2010年6月23日提出申请的美国专利申请号12/821,609、且标题为“感应耦合的等离子体装置(INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS)”或是S.Banna等人于2010年6月23日提出申请的美国专利申请号12/821,636、且标题为“具可调相位线圈组配件的双模式感应耦合等离子体反应器(DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY.)”中找到。 
反应器100通常包括处理腔室104、基板支撑件116、感应耦合等离子体装置102以及控制器140。处理腔室104具有导电主体(壁)130与盖120(例如顶壁)，导电主体(壁)130与盖120一起界定了内部容积，基板支撑件116位于该内部容积内(图示为支撑基板115)。壁130通常耦接到电性接地(electrical ground)134。在反应器100被配置为感应耦合等离子体反应器的实施例中，盖120可以包含面向反应器100的内部容积的介电材料。 
基板支撑件116通常包括用于支撑基板115的支撑表面。支撑表面可以由介电材料形成。在一些实施例中，基板支撑件116可包括通过匹配网络124耦接到偏置电源122的阴极。说明性的偏置电源122可以是高达约1000W(但不限于约1000W)的 RF能量且频率为例如约13.56MHz的来源，虽然视特定应用所需也可以提供其它的频率与功率。偏置电源122可为能够产生连续或脉冲功率中的任一者或两者。在一些实施例中，偏置电源122可以是DC或脉冲DC源。在一些实施例中，偏置电源122可为能够提供多个频率，或者可将一或多个第二偏置源(如图2中所图示)经由相同的匹配网络124或经由一或多个额外的匹配网络(如图2中所图示)耦接到基板支撑件116，以提供多个频率。 
图2绘示依据本实用新型的一些实施例的基板支撑件116的进一步细节。如图2中所图示，基板支撑件116可包括位于基板支撑件116内的第一电极200。在一些实施例中，可以将第一电极200置中配置在基板支撑件116的支撑表面216下方。第一电极200可以由导电材料形成，该导电材料如铝(Al)、掺杂的碳化硅(SiC)或其它与制程环境兼容的适合导电材料中的一或多者。在一些实施例中，第一电极200可以位于主体205中或者可以是主体205，主体205支撑基板支撑件116的介电质支撑表面。主体205可以具有周缘202与第一表面204。在一些实施例中，主体205可以包括多个信道207，信道207设置为穿过主体205，以使热传介质流经通道207。热传介质源209可与该多个通道207耦接，以提供热传介质至该多个通道207。例如，可以使用通过该多个通道207的热传介质流动来调节位于基板支撑件116上的基板的温度。 
第二电极206可以位于基板支撑件116内。第二电极206可以具有第二表面208，第二表面208位于第一电极200的第一表面204周围与上方。第二电极206可以从第一电极204径向延伸，例如越过如下面所讨论的第一电极200的周缘202。第二电极206可以由任何适合的导电材料形成，如Al、掺杂的SiC、掺杂的钻石或其它与制程环境兼容的适合导电材料中的一或多者。在一些实施例中，第二电极206可被电耦接到第一电极200，使得第一与第二电极200、206可被耦接到共享的RF电源(例如偏置电源122)。在一些实施例中，第一与第二电极200、206可以是单一集成电极，该集成电极被形成为适合提供本文中所教示的功能的形状。或者，在一些实施例中，第二电极206可以与第一电极200电隔离，使得该第一与第二电极200、206可以被相同的或分开的RF电源分别控制。 
例如，在一些实施例中，偏置电源122(例如第一RF电源)可被耦接到每个第一与第二电极200、206，以提供射频(RF)能量至第一与第二电极200、206。在这样的实施例中，该第一与第二电极200、206可被电耦接(无论是作为单一集成电极或作为分开的电极)或者可以被电隔离。或者，偏置电源122可被耦接到第一电极200， 以提供RF能量到第一电极200，而且第二电源210(以虚线图示)可以经由匹配网络211(以虚线图示)被耦接到第二电极206，以提供RF能量到第二电极206。例如，为了电隔离第一与第二电极200、206，可以将介电层213(以虚线图标)配置于第一与第二电极200、206之间，如图2中所图示。或者，可以使用基部212(下面讨论)的一些实施例来电隔离第一与第二电极200、206。 
在一些实施例中，基部212可以位于第一电极200上。在第一与第二电极200、206被电耦接的实施例中，基部212可以是位于至少一部分的第一电极200周围的导电环或类似者，如图2中所图示。或者，基部212可以具有位于第一电极200周围的导电通路。 
基部212的全部或一部分可由介电材料制造，该介电材料适于防止第一与第二电极200、206之间起弧。第二电极206包括径向延伸部分214，径向延伸部分214位于基部212的顶部且延伸越过第一电极200的周缘202。基部212与径向延伸部分214可以是单一的集成组件或分开的组件，该等分开的组件可以被组装在一起形成第二电极206。可定位第二电极206的第二表面208的位置，以在处理过程中控制位于基板支撑件116上的基板周围附近的RF能量耦合。此外，可以调整径向延伸部分214延伸越过第一电极200的周缘202的长度，以实现在位于基板支撑件116上的基板周围附近所需的RF能量耦合。在一些实施例中，基部212的高度及/或径向延伸部分214的厚度可以一起界定第二表面208相对于该第一表面204的位置。 
基板支撑件可以包括位于第一电极200的第一表面204上方的基板支撑表面216。例如，基板支撑表面216可以是静电吸盘218的一部分。静电吸盘218可位于第一电极200上方，而且基板支撑表面216可以是静电吸盘218的上表面。静电吸盘218可以包括介电质板，如陶瓷圆盘220，如图2中所图示。陶瓷圆盘220可包括电极222，电极222位于陶瓷圆盘220内，以提供将基板115吸到静电吸盘218的直流能量。电极222可以被耦接到直流电源226。 
边缘环228可以位于静电吸盘218的周围。例如，边缘环228可以是处理套组或类似者，边缘环228设以改善基板224周缘附近的处理及/或在处理过程中保护基板支撑件免于不需要的等离子体曝露。边缘环228可以是介电质或可具有外部介电层，该外部介电层例如包含石英、氧化钇(Y2O3)、氮化铝(AlN)、涂覆钻石的碳化硅(SiC)或类似者中的一或多者。在一些实施例中，如图2中所图示，当基板115位于静电吸盘218上之时，边缘环228的高度可与基板115的处理表面大约相同。或者，边缘环 相对于静电吸盘218上的基板的处理表面的高度可以有所不同。例如，在一些实施例中，如图3中所图示，边缘环300可以具有比基板115的处理表面更高的高度。边缘环可以是由一种材料构成的单一片体，如边缘环300。或者，可以使用额外的环来将边缘环的高度延伸到基板115的处理表面上方，如可以置于及/或接合/堆栈于边缘环300上的环302。例如，边缘环300与环302可以包含相同的材料。或者，边缘环300与环302可以包含不同的材料，例如边缘环300可包含石英，而环302可以包含SiC。可以最佳化基板115的处理表面上方的边缘环高度(例如边缘环300或边缘环300与环302的组合)，以改善基板115的周缘附近的等离子体均匀度。 
回到图2，边缘环228可以位于第二电极206的径向延伸部分214上方与邻近处，使得边缘环228可位于延伸部分214与接地层230(例如RF接地层)之间。例如，边缘环228可以由单一片体形成，使得边缘环228将延伸部分214与接地层230分离。或者，如图2中所图示，可将环232(如介电质间隔物或类似者)配置于边缘环228下方且在第二电极206的延伸部分214与接地层230之间。在任一实施例中，即有或无环232的实施例中，可能需要使延伸部分214与接地层230充分隔离，以限制及/或防止在延伸部分214与接地层230之间起弧。 
环232可以是单一片体或包含堆栈或相互连接在一起的多个片体，如图2中的虚线所图示。在使用多个堆栈片体的实施例中，该片体可以包含相同的或不同的材料。在一些实施例中，可以使用其它的环或可以移除一或多个片体，以容纳第二电极206的更大的延伸部分。如图4中所图示，可以使用环400来容纳较大的延伸部分402(例如比延伸部分214更大)。如图所示，延伸部分402可以延伸越过第一介电层234(以下讨论)。与环232类似，可以使用环400来充分地将延伸部分402与接地层230隔离。延伸部分(例如214或402)的长度可以在范围内变化，例如，以最佳化基板115的周缘附近的等离子体均匀度。在一些实施例中，延伸部分的长度与边缘环的高度可以皆被最佳化，以在基板115的周缘附近的等离子体中实现所需的均匀度。 
图5A与图5B分别绘示依据本实用新型的一些实施例可以用于作为环232或环400的环502的俯视图与侧剖视图。以下描述的环502的尺寸可有利地允许环502适用于上述的基板支撑件116。在一些实施例中，环502是由碳化硅(SiC)所制成。藉由使用碳化硅来制造环502，当曝露于处理腔室内的处理环境时，环502可以有利地耐降解。 
在一些实施例中，环502通常可以包含具有外缘511、内缘513、顶表面515以及底表面517的环形主体504。在一些实施例中，主体504可以包含多个从顶表面515向上延伸的凸部506(图示三个凸部506)。 
在一些实施例中，外缘511的直径可以为约12.473英寸至约12.479英寸。在一些实施例中，内缘513的直径可以为约11.726英寸至约11.728英寸。在一些实施例中，环502的内缘513包含平坦部509，平坦部509靠近该多个凸部506中的一者。平坦部509与一部分的基板支撑件接合，以当安装环502于基板支撑件上时方便环502的适当定向。在一些实施例中，从平坦部509到环502的中心510的距离512可以为约5.826英寸至约5.831英寸。在一些实施例中，平坦部509可具有约1.310英寸至约1.320英寸的长度508。 
当存在时，该多个凸部506(图示三个凸部506)将基板支撑件的部件(例如上述基板支撑件116的边缘环228)支撑于环502的顶部，并提供基板支撑件与环502之间的间隙。在其中存在三个凸部506的实施例中，可以将凸部506对称地配置于主体504周围。例如，三个凸部506中的每一者可以位于主体504周围以约120度的角度519互相分开。此外，可以将每个凸部506配置在主体504周围，使得凸部506的外缘527与主体504的中心510之间的距离525为约6.995英寸至约6.105英寸。在一些实施例中，从凸部506的内缘529到主体504的中心510的距离523为约5.937英寸至约5.947英寸。 
参照图5B，在一些实施例中，主体504可以具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度H1。凸部506可以从主体504的表面515延伸约0.049英寸至约0.059英寸的高度H2。在一些实施例中，凸部506可以具有倾斜面531，倾斜面531与垂直于主体504的表面515的轴线533成约9度至约11度的角度。 
图6A至图6C分别绘示处理套组环602的俯视图、侧剖视图以及侧剖视图细节，处理套组环602可用来作为边缘环228或边缘环300，边缘环228或边缘环300用于依据本实用新型的一些实施例的等离子体反应器中。以下描述的处理套组环602的尺寸可有利地允许处理套组环602适合使用于上述的基板支撑件116。在一些实施例中，处理套组环602是由石英(SiO2)所制造。藉由以石英制造处理套组环602，当曝露于处理腔室内的处理环境时，处理套组环602可以有利地为介电质并且耐降解。 
处理套组环602通常包含环形主体601，环形主体601具有外缘615、内缘616、顶表面604以及底部613。可在外缘615与内缘616之间形成第一步阶607及第二步阶608。 
在一些实施例中，外缘615的直径可为约15.115英寸至约15.125英寸。在一些实施例中，内缘616的直径可为约11.752英寸至约11.757英寸。在一些实施例中，主体601的内缘616包含平坦部617，平坦部617设以与一部分的基板支撑件接合，以当安装处理套组环602于基板支撑件上时方便处理套组环602的适当定向。在一些实施例中，平坦部617与处理套组环602的中心轴之间的距离605可为约5.825英寸至约5.830英寸。 
参照图6B，当基板位于处理套组环602上进行处理时，第一步阶607在基板周围的上方与附近提供开放区域634。开放区域634可允许处理及/或可减少从基板传到处理套组环602的热量。在一些实施例中，第一步阶607可以具有约12.077英寸至约12.087英寸的外径614并延伸到第二步阶608的外径612。在一些实施例中，从第一步阶607的表面609到处理套组环602的顶表面604的过渡611可具有约99度至约101度的角度629，如图6C中所图示。再回到参照图6B，在这样的实施例中，顶表面604的内径610可为约12.132英寸至约12.142英寸。 
当基板位于处理套组环602上进行处理时，第二步阶608提供用于支撑基板的表面。第二步阶608可以具有约11.884英寸至约11.889英寸的外径612并延伸至处理套组环602的内缘616。 
在一些实施例中，处理套组环602可以包含环632，环632从处理套组环602的底部613以及在处理套组环602的外缘630周围向下延伸。环632允许处理套组环602稳固地放置于基板支撑件顶部并且使基板支撑件的其它部件适配于处理套组环602下方(例如上述的环502)。在一些实施例中，环632可具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径633。参照图6C，在一些实施例中，处理套组环602的总厚度620可为约0.510英寸至约0.520英寸。 
图7A至图7E分别绘示用于依据本实用新型的一些实施例的等离子体反应器中的处理套组环的俯视图、侧剖视图、侧剖视图细节、俯视图细节以及顶部细节的侧剖视图。以下描述的处理套组环702的尺寸可有利地允许处理套组环702适用于上述的基板支撑件116。在一些实施例中，处理套组环702是由石英(SiO2)所制造。藉由以 石英制造处理套组环702，当曝露于处理腔室内的处理环境时，处理套组环702可以有利地为介电质并且耐降解。 
处理套组环702通常包含环形主体704以及多个凸部(图示为三个凸部716)，环形主体704具有外缘705、内缘706、顶表面707以及底部709，该等凸部从内缘706朝向处理套组环702的中心711向内延伸。 
在一些实施例中，外缘705的直径708可为约15.115英寸至约15.125英寸。在一些实施例中，内缘706的直径可为约12.245英寸至约12.250英寸。 
当基板位于处理套组环702上进行处理时，该多个凸部716提供用于支撑基板的表面。在一些实施例中，可以将该多个凸部716对称地配置于处理套组环702的内缘706上，例如配置为彼此相距约120度。在一些实施例中，该多个凸部716中的每一者朝向处理套组环702的中心711延伸，使得从中心711到该多个凸部716中的每一者的端部719的距离710可为约5.937英寸至约5.947英寸。 
参照图7D，在一些实施例中，该多个凸部716中的每一者可以具有约0.205英寸至约0.216英寸的宽度731。在一些实施例中，该多个凸部716中的每一者可以包含圆形端部741。 
参照图7E，在一些实施例中，该多个凸部716中的每一者的基板支撑表面737可位于处理套组环702的顶表面707下方。在一些实施例中，基板支撑表面737与处理套组环702的顶表面707之间的过渡735可以是弯曲的。 
参照图7B，在一些实施例中，可以在内缘706的下方形成凹槽726。当凹槽726存在时，凹槽726可以与基板支撑件的另一个部件接合，以便于在该部件上将处理套组环702置中。在一些实施例中，可以将凹槽726形成于处理套组环702中具有约12.405英寸至约12.505英寸的直径720。在一些实施例中，处理套组环702可以包含从处理套组环702的底部709在处理套组环702的外缘705周围向下延伸的环724。环724允许处理套组环702稳固地放置于基板支撑件顶部并且使基板支撑件的其它部件适配于处理套组环702下方(例如上述的环502)。在一些实施例中，环724的内径722可为约14.905英寸至约14.915英寸。在一些实施例中，内缘706可以包含锥形部739，锥形部739从内缘706延伸到顶表面707，从而在处理套组环702的顶表面707附近提供约12.295英寸至约12.305英寸的内径718。参照图7C，在这样的实施例中，锥形部735与该表面之间的角度743可为约99度至约101度。在一些实施例中，处理套组环702的总厚度729可为约0.520英寸至约0.530英寸。 
回到图2，环232(或环400)可置于第一介电层234上。第一介电层234可以位于第一电极200的周缘202周围。例如，第一介电层234可将第一电极200及/或第二电极206的至少一部分与接地层230电隔离。如图示，接地层230可以位于第一介电层234周围。在一些实施例中，第二电极206的径向延伸部分214可以至少部分地位于第一介电层234上方，如图2中所图示。第一介电层234可包含任何适当的介电材料，诸如石英、氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、涂覆钻石的石英或类似者中的一或多者。接地层230可以包含任何适当的导电材料，如铝、掺杂的SiC、掺杂的钻石或其它与制程环境兼容的适当导电材料中的一或多者。如图1与图2中所图示，接地层230可耦接至等离子体屏蔽件236，等离子体屏蔽件236可以位于基板支撑件116周围，例如在第一介电层234周围。 
回到图1，在一些实施例中，盖120可以大体上为平的。腔室104的其它修改可以具有其它类型的盖，例如圆顶形的盖或其它的形状。感应耦合等离子体装置102通常位于盖120的上方，并且被配置为以感应方式耦合RF功率进入处理腔室104。感应耦合等离子体装置102包括位于盖120上方的第一与第二线圈110、112。可以视需要调整每个线圈的相对位置、直径的比率及/或圈数中的各者，以控制例如经由控制每个线圈上的电感所形成的等离子体的分布或密度。第一与第二线圈110、112中的每一者经由RF反馈结构106通过匹配网络114被耦合到RF电源108。说明性地，RF电源108在50kHz至13.56MHz范围中的可调频率下能够产生高达约4000W(但不限于约4000W)，虽然对于特定的应用可以视需要提供其它的频率与功率。 
在一些实施例中，可在RF反馈结构106与RF电源108之间提供功分器(power devider)105，如分压电容器(dividing capacitor)，以控制提供给相应的第一与第二线圈的RF功率的相对数量。例如，如图1中所图示，功分器105可以位于耦接RF反馈结构106与RF电源108的线中，用于控制提供给每个线圈的RF功率量(从而便于控制与第一及第二线圈对应的区域中的等离子体特性)。在一些实施例中，可将功分器105并入匹配网络114。在一些实施例中，在功分器105之后，RF电流流至RF反馈结构106，在RF反馈结构106RF电流被分配到第一与第二RF线圈110、112。或者，可以将分流的RF电流直接馈送到每个相应的第一与第二RF线圈。 
加热器元件121可以位于盖120的顶部上，以便利加热处理腔室104的内部体积。加热器元件121可以位于盖120及第一与第二线圈110、112之间。在一些实施例中，加热器元件121可包括电阻加热元件，并且可以耦接到电源123，如交流电源，交流 电源设以提供足够的能量来控制加热器元件121的温度为介于约50摄氏度至约100摄氏度之间。在一些实施例中，加热器元件121可以是开断加热器(open break heater)。在一些实施例中，加热器元件121可以包含非断加热器(no break heater)，如环形元件，从而便于在处理腔室104内形成均匀的等离子体。 
在操作过程中，可将基板115(如适用于等离子体处理的半导体晶圆或其它基板)放置在基板支撑件116上，并且可以从气体控制板(gas panel)138通过进入埠126供应制程气体，以在处理腔室104内形成气态混合物150。例如，在引入制程气体之前，可以控制腔室内的表面温度，例如，藉由上面讨论的加热器121，而使内部容积面对的表面处于约100摄氏度至200摄氏度之间或约150摄氏度的温度。藉由从等离子体源108施加功率至第一与第二线圈110、112，气态混合物150可以被点燃进入处理腔室104中的等离子体155。在一些实施例中，也可以将来自偏置电源122的功率提供给基板支撑件116。可以使用节流阀(throttle valve)127与真空泵136控制腔室104的内部体积内的压力。可以使用通过壁130的含液体导管(未图示)来控制腔室壁130的温度。 
控制器140包含中央处理单元(CPU)144、内存142以及用于CPU 144的支持电路146，而且控制器140便于控制反应器100的部件以及因而便于控制如本文中所讨论的形成等离子体的方法。控制器140可以是任何形式的通用计算机处理器中的一者，该等通用计算机处理器可以用于工业设定中，以控制各种腔室与子处理器。CPU 144的内存或计算机可读媒体142可以是一或多个容易买到的内存，例如随机存取内存(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其它形式的、位于本地或远程的数字储存器。支持电路146被耦合到CPU 144，用于以常规的方式支持处理器。该等电路包括缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路及子***以及类似者。内存142储存软件(源或目标编码)，可以执行或调用该等软件，而以本文中描述的方式控制反应器100的操作。也可以第二CPU(未图示)储存及/或执行软件例程，该第二CPU位于由CPU 144控制的硬件的远处。 
虽然前述针对本实用新型的各实施例，但在不偏离本申请案的基本范围下仍可以设计本实用新型的其它与进一步的实施例。 

Claims (15)

1.一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环，包含：
环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的厚度；以及
多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。
2.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该多个凸部包含仅三个凸部，以及其中该仅三个凸部位于该环形主体周围相互间隔约120度。
3.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该多个凸部中的每一者具有约0.049英寸至约0.059英寸的高度。
4.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该多个凸部中的每一者包含倾斜面，其中该倾斜面与垂直于该环形主体的表面的轴线成约9度至约11度的角度。
5.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该处理套组环由碳化硅(SiC)所制造。
6.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该内缘包含平坦部，该平坦部位于该多个凸部中的一者附近，该平坦部具有约1.310英寸至约1.320英寸的长度。
7.如权利要求1所述的处理套组环，其特征在于，该环形主体的中心与该多个凸部中的每一者的外缘之间的一距离为约6.995英寸至约6.105英寸，以及其中该环形主体的该中心与该多个凸部中的每一者的内缘之间的距离为约5.937英寸至约5.947英寸。
8.一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环，包含：
环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约11.752英寸至约11.757英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.510英寸至约0.520英寸的厚度；
第一步阶及第二步阶，该第一步阶及该第二步阶形成于该环形主体中且介于该外缘与该内缘之间，其中该第一步阶具有约12.077英寸至约12.087英寸的外径，及其中该第二步阶具有约11.884英寸至约11.889英寸的外径；以及
从该环形主体的该底部在该环形主体的该外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。
9.如权利要求8所述的处理套组环，其特征在于，从该第二步阶的顶表面到该环形主体的该顶表面的过渡具有相对于该环形主体的该顶表面约99度至约101度的角度。
10.如权利要求8所述的处理套组环，其特征在于，该内缘包含平坦部，该平坦部设以接合该基板支撑件的一部分。
11.如权利要求8所述的处理套组环，其特征在于，该处理套组环由石英(SiO2)所制造。
12.一种用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环，包含：
环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约15.115英寸至约15.125英寸的直径，且其中该内缘具有约12.245英寸至约12.250英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.520英寸至约0.530英寸的厚度；以及
多个凸部，该多个凸部对称地位于该环形主体之该内缘周围，该多个凸部从该内缘往该环形主体的中心向内延伸。
13.如权利要求12所述的处理套组环，其特征在于，该处理套组环由石英(SiO2)所制造。
14.如权利要求12所述的处理套组环，其特征在于，该多个凸部包含以下至少一者：
仅三个凸部，其中该仅三个凸部位于该环形主体的该内缘周围相互间隔约120度；
从该多个凸部中的每一者的终端到该环形主体的中心的距离，该距离为约5.937英寸至约5.947英寸；
弯曲过渡，该弯曲过渡介于该多个凸部中的每一者的基板支撑表面与该环形主体的该顶表面之间；或者
该多个凸部中的每一者的一基板支撑表面，该基板支撑表面位于该环形主体的该顶表面下方。
15.如权利要求12所述的处理套组环，其特征在于，该处理套组环进一步包含以下至少一者：
凹槽，该凹槽位于该环形主体中且在该环形主体的该内缘下方，该凹槽具有约12.405英寸至约12.505英寸的外径；
锥形部，该锥形部从该环形主体的该内缘延伸到该环形主体的该顶表面，其中该锥形部与该环形主体的该顶表面之间的角度为约99度至约101度；或者
从该环形主体的该底部在该环形主体的外缘附近向下延伸的环，该环具有约14.905英寸至约14.915英寸的内径。
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