CN105606344B - 照明光学***、照明方法、曝光装置以及曝光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种检查装置,其能够随时检查例如配置于照明光学***的光路中的空间光调制器的反射镜部件的反射率。本发明是对具有被二维排列且被独立控制的多个光学部件的空间光调制器进行检查的检查装置(10),其具备:共轭光学***(11、12),其配置于空间光调制器的光学上的下游侧,形成与多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面;光检测器(13),其具有配置于上述共轭面或其附近的检测面;***(14),其基于光检测器的检测结果检查多个光学部件的光学特性。
Description
本申请是申请日为2009年5月12日、申请号为200980101546.3、发明名称为“空间光变频器的检查装置及检查方法、照明光学***、照明光学***的调整方法、曝光装置、以及器件制造方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种空间光调制器的检查装置及检查方法、照明光学***、照明光学***的调整方法、曝光装置、以及器件制造方法。更具体来说,本发明涉及一种对适用于曝光装置的照明光学***中的空间光调制器的检查,上述曝光装置用于利用光刻工序来制造半导体元件、摄像元件、液晶显示元件、薄膜磁头等器件。
背景技术
在这种典型的曝光装置中,从光源射出的光束穿过作为光学积分器的蝇眼透镜,形成由多个光源构成的实质上作为面光源的二次光源(一般来说是照明光瞳的给定的光强度分布)。以下说明中,将照明光瞳中的光强度分布称作“光瞳强度分布”。另外,所谓照明光瞳,是被作为如下的位置定义的,即,利用照明光瞳与被照射面(在曝光装置的情况下是掩模或晶片)之间的光学***的作用,被照射面成为照明光瞳的傅立叶变换面的位置。
来自二次光源的光束在被利用聚光透镜聚光后,对形成有给定的图案的掩模重叠地进行照明。透过掩模的光穿过投影光学***在晶片上成像,向晶片上投影曝光(转印)掩模图案。形成于掩模上的图案被高集成化,为了将该微细图案向晶片上正确地转印,在晶片上获得均匀的照度分布是不可缺少的。
以往,人们提出过可以连续地变更光瞳强度分布(进而是照明条件)而不使用变焦光学***的照明光学***(参照专利文献1)。专利文献1中公开的照明光学***中,通过使用由以阵列状排列且可以被独立驱动控制倾斜角及倾斜方向的多个微小反射镜部件构成的可动多反射镜,将入射光束分割为每个反射面的微小单位地偏转,而将光束的截面变换为所需的形状或所需的大小,进而实现所需的光瞳强度分布。
专利文献1:日本特开2002-353105号公报
在专利文献1中记载的照明光学***中,由于使用具有被独立控制姿势的多个微小的反射镜部件的反射型的空间光调制器,因此就光瞳强度分布的形状及大小的变更相关的自由度高。但是,例如由铝制成的反射镜部件的反射面的反射率因光照射而随时间推移地降低,受该反射率降低的影响,有可能很难形成所需的光瞳强度分布。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而完成的,其目的在于,提供可以随时检查例如配置于照明光学***的光路中的空间光调制器的反射镜部件的反射率的检查装置及检查方法。另外,本发明的目的在于,提供一种照明光学***,其可以使用检查例如配置于光路中的空间光调制器的反射镜部件的反射率,来实现所需的光瞳强度分布。另外,目的还在于,提供一种曝光装置,其可以使用实现所需的光瞳强度分布的照明光学***,基于恰当的照明条件来进行良好的曝光。
为了解决上述问题,本发明的第一方式中,提供一种检查装置,是对具有被二维地排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器进行检查的检查装置,其特征在于,
具备:
共轭光学***,其配置于上述空间光调制器的光学上的下游侧,形成与上述多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面;
光检测器,其具有配置于上述共轭面或其附近的检测面;
***,其基于上述光检测器的检测结果,检查上述多个光学部件的光学特性。
本发明的第二方式中,提供一种检查装置,是对具有被二维地排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器进行检查的检查装置,其特征在于,
上述检查装置具备:
傅立叶变换光学***,其配置于上述空间光调制器的光学上的下游侧,形成与上述多个光学部件所被排列的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系的傅立叶变换面;
光检测器,其具有配置于上述傅立叶变换面或其附近的检测面;
***,其基于上述光检测器的检测结果,检查上述多个光学部件的光学特性。
本发明的第三方式中,提供一种检查方法,是对具有被二维地排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器进行检查的检查方法,其特征在于,
基于经过上述多个光学部件的光在与上述多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面上形成的光强度分布,检查上述多个光学部件的光学特性。
本发明的第四方式中,提供一种检查方法,是对具有被二维排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器进行检查的检查方法,其特征在于,
基于经过上述多个光学部件的光在与上述多个光学部件所被排列的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系的傅立叶变换面上形成的光强度分布,检查上述多个光学部件的光学特性。
本发明的第五方式中,提供一种照明光学***,是具备具有被二维地排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器,并基于来自光源的光将被照射面照明的照明光学***,其特征在于,
上述照明光学***具备:
第一方式或第二方式的检查装置,上述检查装置用于检查上述空间光调制器;
分布形成光学***,其基于穿过上述空间光调制器的光,在上述照明光学***的照明光瞳中形成给定的光强度分布。
本发明的第六方式中,提供一种调整方法,是具备具有被二维地排列且独立地控制的多个光学部件的空间光调制器,并基于来自光源的光将被照射面照明的照明光学***的调整方法,其特征在于,包括:
检查工序,使用第一方式或第二方式的检查装置或者第三方式或第四方式的检查方法,检查上述多个光学部件的光学特性;
光学调整工序,基于上述检查工序的检查结果,在光学上调整上述照明光学***。
本发明的第七方式中,提供一种曝光装置,其特征在于,具备用于将给定的图案照明的第五方式的照明光学***,将上述给定的图案向感光性基板上曝光。
本发明的第八方式中,提供一种器件制造方法,其特征在于,包括:
曝光工序,使用第七方式的曝光装置,将上述给定的图案向上述感光性基板上曝光;
显影工序,将转印有上述给定的图案的上述感光性基板显影,在上述感光性基板的表面形成与上述给定的图案对应的形状的掩模层;
加工工序,夹隔着上述掩模层对上述感光性基板的表面进行加工。
本发明的检查装置中,在例如配置于照明光学***的光路中的反射型的空间光调制器的光学上的下游侧设置共轭光学***,利用该共轭光学***,将空间光调制器的多个反射镜部件的排列面与光检测器的检测面在光学上大致共轭地配置。所以如参照实施方式地详细叙述所示,例如可以基于在反射镜部件的排列面的基准状态下由多个反射镜部件反射的光穿过共轭光学***在检测面上形成的光强度分布,来检查多个反射镜部件的反射率。
即,本发明的检查装置中,可以随时检查例如配置于照明光学***的光路中的空间光调制器的反射镜部件的反射率。所以,本发明的照明光学***中,可以使用检查例如配置于光路中的空间光调制器的反射镜部件的反射率,来实现所需的光瞳强度分布。另外,本发明的曝光装置中,可以使用实现所需的光瞳强度分布的照明光学***,基于恰当的照明条件来进行良好的曝光,进而可以制造良好的器件。
附图说明
图1是概略性地表示本发明的实施方式的曝光装置的构成的图。
图2是概略性地表示空间光调制组件的内部构成的图。
图3是空间光调制组件具备的空间光调制器的局部立体图。
图4是概略性地表示空间光调制器的多个反射镜部件中的1个反射镜部件的构成例的图。
图5是图4的AA’剖面图。
图6是概略性地表示本实施方式的检查装置的内部构成的图。
图7是概略性地表示本实施方式的变形例的检查装置的内部构成的图。
图8是说明图7的变形例的检查装置的第二检查***的作用的图。
图9是表示半导体器件的制造工序的流程图。
图10是表示液晶显示元件等液晶器件的制造工序的流程图。
附图标记说明:1-光源,2-光束送光部,3-空间光调制组件,3a-空间光调制器,3b-棱镜,3c-驱动部,4-棱镜光学***,5-蝇眼透镜,6-聚光光学***,7-照明视场光阑(掩模遮帘),8-视场光阑成像光学***,9-光束分离器,10-检查装置,13、24、26-CCD,14、25-信号处理部,IL-照明光学***,CR-控制部,M-掩模,PL-投影光学***,W-晶片。
具体实施方式
基于附图对本发明的实施方式进行说明。图1是概略性地表示本发明的实施方式的曝光装置的构成的图。图1中,沿着作为感光性基板的晶片W的曝光面的法线方向设定Z轴,沿着在晶片W的曝光面内平行于图1的纸面的方向设定X轴,沿着在晶片W的曝光面内垂直于图1的纸面的方向设定Y轴。
参照图1,本实施方式的曝光装置具备:沿着装置的光轴AX供应照明光(曝光光)的光源1、包含空间光调制组件3的照明光学***IL、支承掩模M的掩模载台MS、投影光学***PL、支承晶片W的晶片载台WS。在本实施方式的曝光装置中,来自光源1的光穿过照明光学***IL将掩模M照明。透过掩模M的光穿过投影光学***PL,在晶片W上形成掩模M的图案的像。
基于来自光源1的光将掩模M的图案面(被照射面)照明的照明光学***IL,利用空间光调制组件3的作用,进行多极照明(2极照明、4极照明等)、环形照明等变形照明。照明光学***IL沿着光轴AX从光源1侧开始顺次具备:光束送光部2、空间光调制组件3、变焦光学***4、蝇眼透镜5、聚光光学***6、照明视场光阑(掩模遮帘)7、视场光阑成像光学***8。
而且,在空间光调制组件3与变焦光学***4之间的光路中(空间光调制组件3与光学积分器(蝇眼透镜5)之间的光路中),配置将来自空间光调制组件3的照明光分支的光束分离器9,由该光束分离器9导向照明光路外的光射入检查装置10。对于检查装置10的构成及作用将在后面叙述。
空间光调制组件3基于穿过光束送光部2的来自光源1的光,在其远视场区域(夫琅和费衍射区域)形成所需的光强度分布(光瞳强度分布)。对于空间光调制组件3的构成及作用将在后面叙述。光束送光部2具有如下的功能,即,一边将来自光源1的入射光束变换为具有恰当的大小及形状的截面的光束,一边导向空间光调制组件3,并且主动地修正射入空间光调制组件3的光束的位置变动及角度变动。变焦光学***4将来自空间光调制组件3的光聚光,导向蝇眼透镜5。
蝇眼透镜5例如是由稠密地排列的多个透镜元件构成的波面分割型的光学积分器。蝇眼透镜5对入射的光束进行波面分割,在其后侧焦点面形成由与透镜元件相同数目的光源像构成的二次光源(实质上的面光源)。蝇眼透镜5的入射面配置于变焦光学***4的后侧焦点位置或其附近。作为蝇眼透镜5例如可以使用柱面微型蝇眼透镜。柱面微型蝇眼透镜的构成及作用例如公开于美国专利第6913373号公报中。
在本实施方式中,以由蝇眼透镜5形成的二次光源为光源,对配置于照明光学***IL的被照射面上的掩模M进行柯拉照明。由此,二次光源所形成的位置与投影光学***PL的孔径光阑AS的位置在光学上是共轭的,可以将二次光源的形成面称作照明光学***IL的照明光瞳面。典型地讲,相对于照明光瞳面,被照射面(是掩模M所被配置的面,或在包括投影光学***PL地看作照明光学***的情况下是晶片W所被配置的面)成为光学上的傅立叶变换面。
而且,所谓光瞳强度分布,是指照明光学***IL的照明光瞳面或与该照明光瞳面在光学上共轭的面中的光强度分布(亮度分布)。在利用蝇眼透镜5的波面分割数比较大的情况下,形成于蝇眼透镜5的入射面中的大局性的光强度分布、与二次光源整体的大局性的光强度分布(光瞳强度分布)显示出高相关性。由此,对于蝇眼透镜5的入射面及与该入射面在光学上共轭的面的光强度分布也可以称作光瞳强度分布。
聚光光学***6将从蝇眼透镜5中射出的光聚光,对照明视场光阑7重叠地进行照明。通过了照明视场光阑7的光穿过视场光阑成像光学***8,在掩模M的图案形成区域的至少一部分形成作为照明视场光阑7的开口部的像的照明区域。而且,图1中,虽然省略用于将光轴(进而是光路)折曲的光路折曲反射镜的设置,然而根据需要可以在照明光路中适当地配置光路折曲反射镜。
在掩模载台MS上沿着XY平面(例如水平面)载放着掩模M,在晶片载台WS上沿着XY平面载放着晶片W。投影光学***PL基于由照明光学***IL形成于掩模M的图案面上的来自照明区域的光,在晶片W的曝光面(投影面)上形成掩模M的图案的像。这样,通过一边在与投影光学***PL的光轴AX正交的平面(XY平面)内二维驱动控制晶片载台WS,进一步说是一边二维驱动控制晶片W,一边进行一次性曝光或扫描曝光,从而在晶片W的各曝光区域中将掩模M的图案顺次曝光。
下面,参照图2及图3对空间光调制组件3的构成及作用进行说明。图2是概略性地表示空间光调制组件3的内部构成的图。图3是空间光调制组件3中的空间光调制器3a的局部立体图。而且,图2中,为了图面的清楚化,省略了光束分离器9的图示。
如图2所示,空间光调制组件3具备:例如由萤石之类的光学材料形成的棱镜3b、与棱镜3b的平行于YZ平面的侧面3ba相邻地安装的反射型的空间光调制器3a。形成棱镜3b的光学材料并不限定于萤石,根据光源1所供应的光的波长等,既可以是石英,也可以是其他的光学材料。
棱镜3b具有通过将长方体的一个侧面(与相邻地安装空间光调制器3a的侧面3ba相面对的侧面)置换为以V字形凹陷的侧面3bb及3bc而得的形态,因沿着XZ平面的截面形状也被称作K棱镜。棱镜3b的以V字形凹陷的侧面3bb及3bc,由形成钝角地交叉的2个平面P1及P2规定。2个平面P1及P2都与XZ平面正交,沿着XZ平面呈现V字形。
在2个平面P1与P2的接线(沿Y方向延伸的直线)P3处相接的2个侧面3bb及3bc的内面作为反射面R1及R2发挥作用。即,反射面R1位于平面P1上,反射面R2位于平面P2上,反射面R1与R2的夹角为钝角。作为一例,可以将反射面R1与R2的夹角设为120度,将垂直于光轴AX的棱镜3b的入射面IP与反射面R1的夹角设为60度,将垂直于光轴AX的棱镜3b的射出面OP与反射面R2的夹角设为60度。
棱镜3b中,相邻地安装空间光调制器3a的侧面3ba与光轴AX平行,并且反射面R1位于光源1侧(曝光装置的上游侧:图2中左侧),反射面R2位于蝇眼透镜5侧(曝光装置的下游侧:图2中右侧)。具体来说,反射面R1被相对于光轴AX倾斜地设置,反射面R2就穿过接线P3并且平行于XY平面的面而言被与反射面R1对称地相对于光轴AX倾斜地设置。棱镜3b的侧面3ba如后所述,是与空间光调制器3a的多个反射镜部件SE所被排列的面相面对的光学面。
棱镜3b的反射面R1,将穿过入射面IP射入的光朝向空间光调制器3a反射。空间光调制器3a配置于反射面R1与反射面R2之间的光路中,将经过反射面R1入射的光反射。棱镜3b的反射面R2将经过空间光调制器3a入射的光反射,穿过射出面OP导向变焦光学***4。图2中给出用1个光学块一体化地形成棱镜3b的例子,然而也可以使用多个光学块来构成棱镜3b。
空间光调制器3a对于经过反射面R1入射的光,赋予与其入射位置对应的空间的调制而射出。如图3所示,空间光调制器3a具备被二维排列的多个微小的反射镜部件(光学部件)SE。为了将说明及图示简化,图2及图3中给出空间光调制器3a具备4×4=16个反射镜部件SE的构成例,然而实际上具备远多于16个的多个反射镜部件SE。
参照图2,沿着与光轴AX平行的方向射入空间光调制组件3的光线组当中,光线L1射入多个反射镜部件SE中的反射镜部件SEa,光线L2射入与反射镜部件SEa不同的反射镜部件SEb。同样地,光线L3射入与反射镜部件SEa、SEb不同的反射镜部件SEc,光线L4射入与反射镜部件SEa~SEc不同的反射镜部件SEd。反射镜部件SEa~SEd向光L1~L4赋予与其位置对应地设定的空间的调制。
空间光调制组件3中如下所示构成,即,在空间光调制器3a的所有反射镜部件SE的反射面被设定为平行于YZ平面的基准状态下,沿着与光轴AX平行的方向射入反射面R1的光线在经过空间光调制器3a后,由反射面R2朝向与光轴AX平行的方向反射。另外,空间光调制组件3被如下所示构成,即,从棱镜3b的入射面IP经过反射镜部件SEa~SEd直到射出面OP的空气换算长度、和在光路中没有配置棱镜3b时的从与入射面IP相当的位置直到与射出面OP相当的位置的空气换算长度相等。这里,所谓空气换算长度是将光学***中的光路长度换算为折射率为1的空气中的光路长度的值,折射率n的介质中的空气换算长度是在其光路长度上乘以1/n的值。
空间光调制器3a配置于变焦光学***4的前侧焦点位置或其附近。由空间光调制器3a的多个反射镜部件SEa~SEd反射而赋予了给定的角度分布的光,在变焦光学***4的后侧焦点面4a中形成给定的光强度分布SP1~SP4。即,变焦光学***4将空间光调制器3a的多个反射镜部件SEa~SEd对射出光赋予的角度变换为作为空间光调制器3a的远视场区域(夫琅和费衍射区域)的面4a上的位置。
再次参照图1,蝇眼透镜5的入射面被定位于作为聚光光学***发挥作用的变焦光学***4的后侧焦点面4a的位置或其附近。所以,蝇眼透镜5所形成的二次光源的光强度分布(亮度分布)为与空间光调制器3a及变焦光学***4所形成的光强度分布SP1~SP4对应的分布。如图3所示,空间光调制器3a是包含反射镜部件SE的可动多反射镜,上述反射镜部件SE是以将平面形状的反射面设为上面的状态沿着1个平面规则地并且二维地排列的多个微小的反射元件。
各反射镜部件SE是可动的,其反射面的倾斜,即,反射面的倾斜角及倾斜方向被利用遵照来自控制部CR(图3中未图示)的指令动作的驱动部3c(图3中未图示)的作用独立控制。各反射镜部件SE可以将作为平行于其反射面的两个方向的相互正交的两个方向(Y方向及Z方向)作为旋转轴,以所需的旋转角度连续地或离散地旋转。即,可以二维地控制各反射镜部件SE的反射面的倾斜。
图4是概略性地表示空间光调制器3a的多个反射镜部件SE中的1个反射镜部件SE的构成例的图。另外,图5是图4的AA’剖面图。参照图4及图5,反射镜部件SE具备:基座(底盘)30、设于基座30上的支柱31、在与基座30侧相反一侧与支柱31连接的板状构件32、由形成于板状构件32上的反射膜构成的反射面33、在基座30上将支柱31包围地配置的4个电极34a~34d。
板状构件32能够按照使与支柱31的连接部位成为支点的方式,在与基座30平行的面上绕着相互正交的2条轴线倾斜。电极34a~34d分别配置于与板状构件32的4个角部对应的基座30上的位置。这样,通过对电极34a~34d赋予电位,而使各电极34a~34d与板状构件32之间产生静电力,使各电极34a~34d与板状构件32的间隔变化。这样,板状构件32就会以支柱31的一端为支点倾斜,进而使形成于板状构件32上的反射面33倾斜。
而且,在使各反射镜部件SE的反射面离散地旋转的情况下,最好将旋转角以多个状态(例如…、-2.5度、-2.0度、…0度、+0.5度…+2.5度、…)切换控制。图3中给出外形为正方形的反射镜部件SE,然而反射镜部件SE的外形形状并不限定于正方形。但是,从光利用效率的观点考虑,优选能够使反射镜部件SE的间隙变少地排列的形状(可以最紧密填充的形状)。另外,从光利用效率的观点考虑,优选地将相邻的2个反射镜部件SE的间隔压缩为必需的最小限度。
本实施方式中,作为空间光调制器3a,使用使二维排列的多个反射镜部件SE的朝向分别连续地(或离散地)变化的空间光调制器。作为此种空间光调制器,例如可以使用日本特表平10-503300号公报及与之对应的欧洲专利公开第779530号公报、日本特开2004-78136号公报及与之对应的美国专利第6,900,915号公报、日本特表2006-524349号公报及与之对应的美国专利第7,095,546号公报、以及日本特开2006-113437号公报中公开的空间光调制器。
在空间光调制器3a中,通过与来自控制部CR的控制信号对应地动作的驱动部3c的作用,使多个反射镜部件SE的姿势分别变化,各反射镜部件SE分别被设定为给定的朝向。由空间光调制器3a的多个反射镜部件SE分别以给定的角度反射的光经由变焦光学***4,在蝇眼透镜5的后侧焦点位置或其附近的照明光瞳处,形成多极状(2极状、4极状等)、环形等光强度分布(光瞳强度分布)。该光瞳强度分布因变焦光学***4的作用,相似地(各向同性地)发生变化。
即,变焦光学***4及蝇眼透镜5构成如下的分布形成光学***,即,基于穿过空间光调制组件3中的空间光调制器3a的光束,在照明光学***IL的照明光瞳处形成给定的光强度分布。此外,在与蝇眼透镜5的后侧焦点位置或其附近的照明光瞳在光学上共轭的其他照明光瞳位置,即在视场光阑成像光学***8的光瞳位置及投影光学***PL的光瞳位置(孔径光阑AS的位置),也形成与光瞳强度分布对应的光强度分布。
在曝光装置中,为了将掩模M的图案高精度并且忠实地向晶片W上转印,例如,基于与掩模M的图案特性对应的恰当的照明条件来进行曝光十分重要。在本实施方式中,由于使用具备多个反射镜部件SE的姿势分别独立地变化的空间光调制器3a的空间光调制组件3,因此可以使利用空间光调制器3a的作用形成的光瞳强度分布自由并且迅速地变化。
但是,例如由铝形成的反射镜部件的反射面因光照射而氧化,由此使得反射镜部件的反射面的反射率随时间推移地降低,受该反射率降低的影响,有可能很难形成所需的光瞳强度分布。另外,反射镜部件会因某种理由而不能正常地动作,受该动作异常(或机械性劣化)的影响,有可能难以形成所需的光瞳强度分布。具体来说,在动作异常的反射镜部件中,即使对电极施加例如设计上的所需电压,也无法将对应的反射镜部件的反射面倾斜所需的角度。
所以,本实施方式的曝光装置具备用于检查配置于照明光学***IL的光路中的空间光调制器3a的反射镜部件SE的反射率降低及动作异常的检查装置10。如图6所示,本实施方式的检查装置10依照来自光束分离器9的光的入射顺序,具备一对透镜11、12和CCD13。另外,检查装置10具备与CCD13连接的信号处理部14。
在检查装置10中,由光束分离器9导向照明光路外的来自光源1的光穿过沿着1条光轴配置的一对透镜11、12,射入CCD13。这里,CCD13的检测面被按照与下述共轭面大致一致的方式,相对于YZ平面倾斜地配置,该共轭面利用一对透镜11、12与空间光调制器3a的多个反射镜部件SE所被排列的排列面在光学上共轭。换而言之,一对透镜11、12配置于空间光调制器3a的光学上的下游侧,构成与光学部件SE的排列面形成光学上共轭的共轭面的共轭光学***。
另外,CCD13构成光检测器,其具有配置于利用一对透镜11、12形成的光学部件SE的排列面的共轭面或其附近的检测面。换言之,在共轭光学***与检测面之间的光路中,未配置具有光学放大率的光学元件(具有有限的焦点距离的光学元件)。更具体来说,CCD12具有空间光调制器3a的反射镜部件SE的数目以上的像素数(pixel数),1个反射镜部件SE的反射面与CCD13的1个或多个像素对应。但是,对于CCD13的检测面的构成,更一般性地说是对于光检测器的构成,可以采用各种形态。CCD13的输出信号被向信号处理部14供应。
在本实施方式中,例如在空间光调制器3a的所有反射镜部件SE的反射面被设定为平行于YZ平面的基准状态(通常对应于施加在所有的电极上的电压的值为0的初期状态:以下也简称为“基准状态“)下,将具有相同的光强度分布的光束向所有的反射镜部件SE照射。在该情况下,如果只是某一个反射镜部件SE发生反射率降低,则与该反射镜部件SE对应的1个或多个像素的检测信号就会不同于与其他反射镜部件SE对应的像素的检测信号。
即,与反射率降低的反射镜部件SE对应的像素的检测信号会小于与反射率实质上没有降低的其他反射镜部件SE对应的像素的检测信号。这样,检测装置10的信号处理部14中,例如基于基准状态的CCD13的输出信号,即基于与各反射镜部件SE对应的像素的检测信号,检查各反射镜部件SE的反射率的降低的程度。
而且,在上述的说明中,为了使理解更容易,在基准状态下将具有相同的光强度分布的光束向所有的反射镜部件SE照射。但是,并不限定于此,也可以在基准状态以外的给定的状态下,将具有并不相同的给定的光强度分布的光束向一部分的多个反射镜部件SE照射。一般来说,信号处理部14中,例如在基准状态那样的第一状态下,将具有给定的光强度分布的光束向多个反射镜部件SE照射,基于由多个反射镜部件SE反射的光经由共轭光学***(11、12)在CCD13的检测面上形成的光强度分布,来检查多个反射镜部件SE的反射率。
另外,在本实施方式中,例如进行如下的控制,即,在基准状态下将具有相同的光强度分布的光束向所有的反射镜部件SE照射,从该状态起使所有反射镜部件SE的反射面相互以相同的角度相同的朝向统一地变化。在该情况下,如果只是某一个反射镜部件SE发生动作异常,则与该反射镜部件SE对应的像素的检测信号就会不同于与其他反射镜部件SE对应的像素的检测信号。
即,在动作异常的反射镜部件SE中,由于其反射面的倾斜角度小于其他反射镜部件SE,因此与动作异常的反射镜部件SE对应的像素的检测信号就会小于或大于与动作正常的反射镜部件SE对应的像素的检测信号。像这样,检查装置10的信号处理部14中,基于基准状态下的CCD13的输出信号、和从基准状态起使所有的反射镜部件SE的姿势统一变化后的状态下的CCD13的输出信号,来检查各反射镜部件SE的动作异常。
而且,在上述的说明中,为了使理解更容易,进行如下的控制,即,从基准状态起使所有反射镜部件SE的反射面相互以相同的角度相同的朝向统一变化。但是,并不限定于此,也可以进行如下的控制,即,从基准状态以外的给定的状态起,使至少一个反射镜部件SE的反射面的姿势变化。
一般来说,在信号处理部14中,例如在基准状态那样的第一状态下,将具有给定的光强度分布的光束向多个反射镜部件SE照射,基于由多个反射镜部件SE反射的光在CCD13的检测面上形成的光强度分布、和从第一状态起使至少一个反射镜部件SE的反射面的姿势变化后的第二状态下由多个反射镜部件SE反射的光在CCD13的检测面上形成的光强度分布,来检查上述至少一个反射镜部件SE的动作。这样信号处理部14就构成如下的***,即,基于作为光检测器的CCD13的检测结果,检查多个反射镜部件SE的反射率或动作之类的光学特性。
在本实施方式的检查装置10中,在配置于照明光学***IL的光路中的反射型的空间光调制器3a的下游侧,设有共轭光学***(11、12),利用该共轭光学***(11、12),将反射镜部件(光学部件)SE的排列面与作为光检测器的CCD13的检测面在光学上大致共轭地配置。所以,如上所述,例如可以基于在基准状态下由多个反射镜部件SE反射的光在CCD13的检测面上形成的光强度分布,来检查多个反射镜部件SE的反射率。
另外,如上所述,例如可以基于在基准状态那样的第一状态下由多个反射镜部件SE反射的光在CCD13的检测面上形成的光强度分布、和从基准状态起使至少一个反射镜部件SE的反射面的姿势变化后的第二状态下由多个反射镜部件SE反射的光在CCD13的检测面上形成的光强度分布,来检查上述至少一个反射镜部件SE的动作。即,本实施方式的检查装置10中,可以随时检查配置于照明光学***IL的光路中的反射型的空间光调制器3a的反射镜部件SE的反射率或动作之类的光学特性(或光学的状态)。
检查装置10的检测结果,即有关各反射镜部件SE的反射率降低的程度的信息、以及有关各反射镜部件SE的动作异常的信息被向控制部CR供应。在控制部CR中,参照有关各反射镜部件SE的反射率及动作的信息,按照可以在照明光学***IL的照明光瞳面中得到所需的光瞳强度分布的方式,借助驱动部3c分别控制空间光调制器3a的各反射镜部件SE的姿势。具体来说,控制部CR例如按照仅使用动作正常的反射镜部件SE,将反射率降低了的反射镜部件SE的部分用其他反射镜部件SE覆盖的方式,分别控制(或调整)各反射镜部件SE的姿势。
这样,在本实施方式中,通过基于检查装置10的检查结果,分别控制空间光调制器3a的各反射镜部件SE的姿势,进而对照明光学***IL进行光学上的调整,就可以抑制反射镜部件SE的反射率降低或动作异常的影响,实现所需的光瞳强度分布。其结果是,本实施方式的曝光装置中,可以使用实现所需的光瞳强度分布的照明光学***IL,基于例如与掩模M的图案的特性对应地实现的恰当的照明条件来进行良好的曝光。
图7是概略性地表示本实施方式的变形例的检查装置的内部构成的图。在图7的变形例的检查装置10中,由光束分离器9导向照明光路外的光,穿过透镜21射入光束分离器22。由光束分离器22反射的光,穿过透镜23射入CCD24。CCD24的输出信号被向信号处理部25供应。
CCD24的检测面与图6的实施方式的CCD13相同,被按照与下述的共轭面大致一致的方式,相对于XY平面倾斜地配置,该共轭面利用沿着折曲的1条光轴配置的一对透镜21、23与空间光调制器3a的多个反射镜部件SE所被排列的排列面在光学上共轭。与图6的实施方式的情况相同,CCD24被如下所示构成,即,具有空间光调制器3a的反射镜部件SE的数目以上的像素数,1个反射镜部件SE的反射面与CCD24的1个或多个像素对应。
另一方面,透过了光束分离器22的光,射入CCD26。CCD26的输出信号与CCD24的输出信号相同,被向信号处理部25供应。CCD26的检测面被按照与下述的傅立叶变换面大致一致的方式,相对于YZ平面倾斜地配置,该傅立叶变换面利用透镜21与空间光调制器3a的多个反射镜部件SE所被排列的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系。
换而言之,透镜21配置于空间光调制器3a的光学上的下游侧,构成形成与光学部件SE的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系的傅立叶变换面的傅立叶变换光学***。另外,CCD26构成具有配置于由透镜21形成的光学部件SE的排列面的傅立叶变换面或其附近的检测面的光检测器。
这样,在图7的变形例中,由一对透镜构成的共轭光学***(21、23)、CCD24和信号处理部25构成第一检查***,该第一检查***具有与图6的实施方式的检查装置相同的构成,进而具有相同的作用。即,第一检查***的信号处理部25中,可以基于CCD24的输出信号,检查配置于照明光学***IL的光路中的空间光调制器3a的反射镜部件SE的反射率降低的程度,可以根据需要随时检查反射镜部件SE的动作异常。
另一方面,透镜21、CCD26和信号处理部25构成第二检查***。第二检查***中,例如进行如下的控制,即,在基准状态下将具有相同的光强度分布的光束向所有的反射镜部件SE照射,从该状态起使某一个反射镜部件SE的反射面的角度变化。在该情况下,基准状态下,由所有的反射镜部件SE反射的光如图8所示,聚光在CCD26的检测面的一点(例如中心点)。
此外,如果通过使施加在某一个反射镜部件SE的电极上的电压V变化而使其反射面的角度变化,来自该反射镜部件SE的反射光就会在CCD26的检测面中与点P相距距离D的位置形成光分布27。这里,在距离D与反射面的角度变化α之间,例如成立比例关系。另外,在该反射镜部件SE的动作正常的情况下,在距离D与电压V之间,例如也成立比例关系。换而言之,一旦该反射镜部件SE发生动作异常,则距离D与电压V的关系就会脱离比例关系。
这样,在第二检查***中,基于基准状态下的CCD26的输出信号、和从基准状态起使某一个反射镜部件SE的姿势变化后的状态下的CCD26的输出信号,来检查该反射镜部件SE的距离D与电压V的关系,进而检查该反射镜部件SE的反射面的角度变化α与电压V的关系。这里,求出反射镜部件SE的反射面的角度变化α与电压V的关系即是求出反射镜部件SE的姿势的变化特性。
而且,在上述的说明中,为了使理解更容易,从基准状态起使某一个反射镜部件的姿势变化。但是,并不限定于此,也可以从基准状态以外的给定的状态起,使多个反射镜部件(例如形成一列的多个反射镜部件)的姿势同时变化,同时检查这些多个反射镜部件的姿势的变化特性。
一般来说,在第二检查***的信号处理部25中,基于CCD26的输出信号,例如在基准状态那样的第三状态下,将具有给定的光强度分布的光束向多个反射镜部件SE照射,基于由多个反射镜部件SE反射的光在CCD26的检测面上形成的光强度分布、和在从第三状态起使至少一个反射镜部件SE的反射面的姿势变化后的第四状态下由多个反射镜部件SE反射的光在CCD26的检测面上形成的光强度分布,来检查上述至少一个反射镜部件SE的姿势的变化特性。
图7的变形例中的检查装置10的检测结果,即,有关各反射镜部件SE的反射镜降低的程度的信息、以及有关各反射镜部件SE的姿势的变化特性的信息被向控制部CR供应。在控制部CR中,参照有关各反射镜部件SE的反射率及姿势变化特性的信息,按照可以得到所需的光瞳强度分布的方式,借助驱动部3c分别控制空间光调制器3a的各反射镜部件SE的姿势。具体来说,控制部CR按照将反射率降低了的反射镜部件SE的部分用其他反射镜部件SE覆盖,并且使各反射镜部件SE的反射面的倾斜角度达到所需的角度的方式,分别控制对各反射镜部件SE的电极施加的电压。
而且,在图7的变形例中,也可以利用第一检查***检查各反射镜部件SE的动作异常,仅使用动作正常的反射镜部件SE来形成光瞳强度分布。这样,在图7的变形例中,通过基于检查装置10的检查结果,分别控制对空间光调制器3a的各反射镜部件SE的电极施加的电压,进而对照明光学***IL进行光学上的调整,就可以抑制反射镜部件SE的反射率降低或姿势变化特性的影响,实现所需的光瞳强度分布。
另外,在图7的变形例中,可以利用向空间光调制器照射的光能的总量、有关各反射镜部件的反射率降低的程度的信息、有关各反射镜部件的姿势的变化特性的信息、根据需要使用的有关各反射镜部件的动作异常的信息,来判断空间光调制器的寿命。同样地,在图6的实施方式中,可以利用向空间光调制器照射的光能的总量、有关各反射镜部件的反射率降低的程度的信息、有关各反射镜部件的动作异常的信息,来判断空间光调制器的寿命。
另外,在图7的变形例中,构成第一检查***中的共轭光学***(21、23)的多个光学构件(透镜21、23)中的一部分(透镜21)属于傅立叶变换光学***。利用该构成,可以将第一及第二检查***的构成简化,还可以减少误差产生要因。
另外,虽然图7的变形例的检查装置具备:检查反射镜部件的反射率降低及动作异常的第一检查***、检查反射镜部件的姿势的变化特性的第二检查***,然而对于仅由第二检查***构成的检查装置,当然也属于本发明的范围内。
而且,在上述的说明中,作为具有与空间光调制器3a的多个反射镜部件所被排列的面相面对的光学面的棱镜构件,使用以1个光学块一体化形成的K棱镜3b。但是,并不限定于此,可以利用一对棱镜来构成具有与K棱镜3b相同的功能的棱镜构件。另外,可以利用1个平行平面板和一对三角棱镜,来构成具有与K棱镜3b相同的功能的棱镜构件。另外,可以利用1个平行平面板和一对平面反射镜,来构成具有与K棱镜3b相同的功能的组合光学构件。
另外,在上述的说明中,作为具有被二维排列且被独立控制的多个光学部件的空间光调制器,使用可以独立地控制被二维地排列的多个反射面的朝向(角度:倾斜)的空间光调制器。但是,并不限定于此,例如也可以使用可以独立地控制被二维地排列的多个反射面的高度(位置)的空间光调制器。作为此种空间光调制器,例如可以使用日本特开平6-281869号公报及与之对应的美国专利第5,312,513号公报、以及日本特表2004-520618号公报及与之对应的美国专利第6,885,493号公报的图1d中公开的空间光调制器。这些空间光调制器中,通过形成二维的高度分布,可以对入射光赋予与衍射面相同的作用。而且,对于上述的具有被二维地排列的多个反射面的空间光调制器,例如也可以依照日本特表2006-513442号公报及与之对应的美国专利第6,891,655号公报、日本特表2005-524112号公报及与之对应的美国专利公开第2005/0095749号公报的公开进行变形。
另外,虽然在上述的说明中使用具有多个反射镜部件的反射型的空间光调制器,然而并不限定于此,例如也可以使用美国专利第5,229,872号公报中公开的透过型的空间光调制器。
而且,在上述的实施方式中,在使用空间光调制组件形成光瞳强度分布时,可以一边用光瞳亮度分布计测装置计测光瞳强度分布,一边与该计测结果对应地控制空间光调制组件中的空间光调制器。此种技术例如公开于日本特开2006-54328号公报或日本特开2003-22967号公报及与之对应的美国专利公开第2003/0038225号公报中。
另外,上述的实施方式中,可以取代掩模,而使用基于给定的电子数据形成给定图案的可变图案形成装置。如果使用此种可变图案形成装置,则即使图案面是竖放的,也可以将对同步精度造成的影响设为最低限度。而且,作为可变图案形成装置,例如可以使用包含基于给定的电子数据驱动的多个反射元件的DMD(数字微镜器件)。使用了DMD的曝光装置例如公开于日本特开2004-304135号公报、国际专利公开第2006/080285号小册子中。另外,除了DMD之类的非发光型的反射型空间光调制器以外,还可以使用透过型空间光调制器,还可以使用自发光型的图像显示元件。而且,即使在图案面是横放的情况下,也可以使用可变图案形成装置。
上述的实施方式的曝光装置可以通过如下操作来制造,即,将包含本申请技术方案的范围中举出的各构成部件的各种子***按照保持给定的机械精度、电气性精度、光学精度的方式组装。为了确保这些各种精度,在该组装的前后,对各种光学***进行用于达成光学的精度的调整,对各种机械***进行用于达成机械的精度的调整,对各种电气***进行用于达成电气性精度的调整。从各种子***到曝光装置的组装工序包括各种子***相互的机械的连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。在该从各种子***到曝光装置的组装工序之前,当然也可以有各子***各自的组装工序。如果各种子***到曝光装置的组装工序结束,则进行综合调整,确保作为曝光装置整体的各种精度。而且,曝光装置的制造最好是在温度及洁净度等受到管理的无尘室中进行。
下面,对使用上述的实施方式的曝光装置的器件制造方法进行说明。图9是表示半导体器件的制造工序的流程图。如图9所示,在半导体器件的制造工序中,在成为半导体器件的基板的晶片W上蒸镀金属膜(步骤S40),在该蒸镀好的金属膜上涂布作为感光性材料的光刻胶(步骤S42)。然后,使用上述的实施方式的投影曝光装置,将形成于掩模(标线片)M上的图案向晶片W上的各拍摄区域转印(步骤S44:曝光工序),进行结束了该转印的晶片W的显影,也就是进行转印有图案的光刻胶的显影(步骤S46:显影工序)。其后,将利用步骤S46在晶片W的表面生成的抗蚀剂图案作为掩模,对晶片W的表面进行蚀刻等加工(步骤S48:加工工序)。
这里,所谓抗蚀剂图案是生成了与利用上述的实施方式的投影曝光装置转印的图案对应的形状的凹凸的光刻胶层,其凹部贯穿光刻胶层。在步骤S48中,夹隔着该抗蚀剂图案进行晶片W的表面的加工。在步骤S48中进行的加工中,例如包括晶片W的表面的蚀刻或金属膜等的成膜的至少一方。而且,在步骤S44中,上述的实施方式的投影曝光装置将涂布有光刻胶的晶片W作为感光性基板,也就是作为平板P来进行图案的转印。
图10是表示液晶显示元件等液晶器件的制造工序的流程图。如图10所示,在液晶器件的制造工序中,顺次进行图案形成工序(步骤S50)、滤色片形成工序(步骤S52)、单元组装工序(步骤S54)及模块组装工序(步骤S56)。
在步骤S50的图案形成工序中,作为平板P在涂布有光刻胶的玻璃基板上,使用上述的实施方式的投影曝光装置形成电路图案及电极图案等给定的图案。该图案形成工序中,包含:使用上述的实施方式的投影曝光装置向光刻胶层转印图案的曝光工序;进行转印有图案的平板P的显影,即玻璃基板上的光刻胶层的显影,生成与图案对应的形状的光刻胶层的显影工序;夹隔着该显影过的光刻胶层对玻璃基板的表面进行加工的加工工序。
在步骤S52的滤色片形成工序中,形成将与R(Red)、G(Green)、B(Blue)对应的3个点的组以矩阵状排列多个;或者将R、G、B的3条条纹的滤片沿水平扫描方向排列多列的滤色片。
在步骤S54的单元组装工序中,使用利用步骤S50形成了给定图案的玻璃基板、利用步骤S52形成的滤色片来组装液晶面板(液晶单元)。具体来说,例如通过向玻璃基板与滤色片之间注入液晶,来形成液晶面板。在步骤S56的模块组装工序中,针对利用步骤S54组装的液晶面板,安装进行该液晶面板的显示动作的电路及背光灯等各种部件。
另外,本发明并不限定于应用在半导体器件制造用的曝光装置中,例如也可以广泛地应用在例如以方形的玻璃板形成的液晶显示元件、或者等离子体显示器等显示器装置用的曝光装置;用于制造摄像元件(CCD等)、微型机器、薄膜磁头、以及DNA芯片等各种器件的曝光装置中。此外,本发明还可以应用在使用光刻工序制造形成有各种器件的掩模图案的掩模(光掩模、标线片等)时的曝光工序(曝光装置)中。
而且,在上述的实施方式中,作为曝光光可以使用ArF准分子激光(波长:193nm)或KrF准分子激光(波长:248nm)。另外,并不限定于此,也可以使用其他的适当的激光源,例如可以使用供应波长157nm的激光的F2激光源等。
另外,虽然在上述的实施方式中针对在曝光装置中将掩模照明的照明光学***应用本发明,然而并不限定于此,对于将掩模以外的被照射面照明的普通的照明光学***也可以应用本发明。
Claims (29)
1.一种照明光学***,其利用来自光源的光对被照射面进行照射,其特征在于,
所述照明光学***具备:
空间光调制器,其具有被二维排列且被独立控制的多个光学部件,
分布形成光学***,其基于穿过所述空间光调制器的光,来在照明光学***的照明光瞳中形成给定的强度分布,以及
检查装置,其对所述空间光调制器进行检查,
所述检查装置具备:
共轭光学***,其形成与所述多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面,
光检测器,其具有配置于所述共轭面或其附近的检测面,以及
***,其基于所述光检测器的检测结果,检查所述多个光学部件的光学特性。
2.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
所述光学部件是反射镜部件。
3.根据权利要求2所述的照明光学***,其特征在于,
所述***基于由多个所述反射镜部件反射的光穿过所述共轭光学***在所述检测面上形成的光强度分布,检查多个所述反射镜部件的反射率。
4.根据权利要求2或3所述的照明光学***,其特征在于,
所述***基于在多个所述反射镜部件的第一状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述检测面上形成的光强度分布、和在从所述第一状态起使至少一个反射镜部件的反射面的姿势变化后的多个所述反射镜部件的第二状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述检测面上形成的光强度分布,检查所述至少一个反射镜部件的动作。
5.根据权利要求2或3所述的照明光学***,其特征在于,
还具备:
傅立叶变换光学***,其配置于所述空间光调制器的光学上的下游侧,形成与所述多个光学部件所被排列的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系的傅立叶变换面,以及
第二光检测器,其具有配置于所述傅立叶变换面或其附近的第二检测面,
所述***基于所述第二光检测器的检测结果,检查所述多个光学部件的光学特性。
6.根据权利要求5所述的照明光学***,其特征在于,
所述***基于在多个所述反射镜部件的第三状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述第二检测面上形成的光强度分布、和在从所述第三状态起使至少一个反射镜部件的反射面的姿势变化后的多个所述反射镜部件的第四状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述第二检测面上形成的光强度分布,检查所述至少一个反射镜部件的姿势的变化特性。
7.根据权利要求6所述的照明光学***,其特征在于,
所述***基于在多个所述反射镜部件的第一状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述检测面上形成的光强度分布、和在从所述第一状态起使至少一个反射镜部件的反射面的姿势变化后的多个所述反射镜部件的第二状态下由多个所述反射镜部件反射的光在所述检测面上形成的光强度分布,检查所述至少一个反射镜部件的姿势的变化特性。
8.根据权利要求5所述的照明光学***,其特征在于,
构成所述共轭光学***的多个光学构件中的一部分属于所述傅立叶变换光学***。
9.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
在所述共轭光学***与所述检测面之间的光路中,未配置具有光学放大率的光学元件。
10.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
构成所述共轭光学***的光学构件被沿着1条光轴配置。
11.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
基于穿过所述空间光调制器的所述多个光学部件中的至少一部分的所述照明光,检查所述空间光调制器。
12.根据权利要求11所述的照明光学***,其特征在于,
还具备分支光学构件,其能够配置于所述空间光调制器与所述被照射面之间的光路中,将穿过所述空间光调制器的所述多个光学部件中的至少一部分的所述照明光分支。
13.根据权利要求12所述的照明光学***,其特征在于,
所述分支光学构件能够配置于所述分布形成光学***与所述空间光调制器之间的光路中。
14.根据权利要求13所述的照明光学***,其特征在于,
所述分布形成光学***具备积分器,
所述分支光学构件能够配置于所述积分器与所述空间光调制器之间的光路中。
15.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
还具备:配置于所述空间光调制器与所述共轭光学***之间并相对于所述照明光学***的光轴倾斜设置的反射面,
所述检查装置借助所述反射面检查所述空间光调制器。
16.根据权利要求15所述的照明光学***,其特征在于,
所述光检测器相对于所述共轭光学***的光轴倾斜设置。
17.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
所述光检测器具备多个像素,相对于所述空间光调制器的所述光学部件的1个对应多个像素。
18.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
基于向所述空间光调制器的所述多个光学部件供应的具有相同的光强度分布的光束,检查所述空间光调制器。
19.根据权利要求1所述的照明光学***,其特征在于,
基于向所述空间光调制器的所述多个光学部件的一部分供应的具有并不相同的光强度分布的光束,检查所述空间光调制器。
20.一种照明光学***,其利用来自光源的光对被照射面进行照射,其特征在于,
所述照明光学***具备:
空间光调制器,其具有被二维排列且被独立控制的多个光学部件,
分布形成光学***,其基于穿过所述空间光调制器的光,来在照明光学***的照明光瞳中形成给定的强度分布,以及
检查装置,其对所述空间光调制器进行检查,
所述检查装置具备:
光学***,其形成与所述多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面以及与所述共轭面在光学上处于傅立叶变换的关系的傅立叶变换面中的至少一方的面,
光检测器,其具有配置于所述至少一方的面或其附近的检测面,以及
***,其基于所述光检测器的检测结果,检查所述多个光学部件的光学特性,
所述光检测器的检测面相对于所述光学***的光轴倾斜设置。
21.一种照明方法,其利用来自光源的光来对被照射面进行照射,其特征在于,
所述照明方法具备:
向具有被二维排列且被独立控制的多个光学部件的空间光调制器照射来自所述光源的光,
基于穿过所述空间光调制器的光,来在照明光学***的照明光瞳中形成给定的强度分布,以及
检查所述空间光调制器,
所述检查包括:
检测与所述多个光学部件所被排列的排列面在光学上共轭的共轭面上的光,以及
基于由所述检测所得到的检测结果,检查所述多个光学部件的光学特性。
22.根据权利要求21所述的照明方法,其特征在于,
所述光学部件为反射镜部件。
23.根据权利要求22所述的照明方法,其特征在于,
所述检查包括基于在所述共轭面上形成的光强度分布,检查多个所述反射镜部件的反射率。
24.根据权利要求22或23所述的照明方法,其特征在于,
所述检查包括:
将多个所述反射镜部件设定为第一状态,
由所述第一状态的多个所述反射镜部件反射的光在所述共轭面形成第一光强度分布,
使至少一个反射镜部件的反射面的姿势变化而设定为第二状态,
由所述第二状态的反射镜部件反射的光在所述共轭面形成第二光强度分布,以及
基于所述第一光强度分布以及第二光强度分布的检测结果,检查所述至少一个反射镜部件的动作。
25.根据权利要求22或23所述的照明方法,其特征在于,
所述检查包括:
将多个所述反射镜部件设定为第三状态,
由所述第三状态的多个所述反射镜部件反射的光在所述共轭面形成第三光强度分布,
使至少一个反射镜部件的反射面的姿势变化而设定为第四状态,
由所述第四状态的反射镜部件反射的光在所述共轭面形成第四光强度分布,以及
基于所述第三光强度分布以及第四光强度分布,检查所述至少一个反射镜部件的姿势的变化特性。
26.根据权利要求21~23中任一项所述的照明方法,其特征在于,
所述检查包括:
检测与所述多个光学部件所被排列的排列面在光学上处于傅立叶变换的关系的第二检测面上的光,以及
基于所述共轭面上的检测结果、和所述第二检测面上的光的检测结果,来检查所述多个光学部件的光学特性。
27.一种曝光装置,其特征在于,
具备用于照明给定的图案的权利要求1至3中任一项所述的照明光学***,将所述给定的图案向感光性基板上曝光。
28.一种曝光方法,其特征在于,
包括:
基于权利要求21至23中任一项所述的照明方法来照明给定的图案,以及
将所述给定的图案向感光性基板上曝光。
29.一种器件制造方法,其特征在于,包括:
基于权利要求28所述的曝光方法,将所述给定的图案向所述感光性基板上曝光,
将转印有所述图案的所述感光性基板显影,在所述感光性基板的表面上形成与所述图案对应的形状的掩膜层,以及
隔着所述掩膜层对所述感光性基板的表面进行加工。
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EP2511765B1 (de) | 2007-02-06 | 2019-04-03 | Carl Zeiss SMT GmbH | Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP5549222B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-16 | 株式会社ニコン | 空間光変調器、露光装置およびそれらの製造方法 |
JP5481400B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | マイクロミラーデバイスの選別方法、マイクロミラーデバイス選別装置およびマスクレス露光装置 |
KR101774607B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2017-09-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치 |
US10120283B2 (en) * | 2011-06-06 | 2018-11-06 | Nikon Corporation | Illumination method, illumination optical device, and exposure device |
JP6120001B2 (ja) | 2011-10-24 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
KR101890754B1 (ko) * | 2012-01-25 | 2018-08-22 | 삼성전자 주식회사 | 공간 광변조기의 성능 측정 시스템 |
KR101338362B1 (ko) * | 2012-03-09 | 2013-12-06 | 삼성전기주식회사 | 디지털 마이크로 미러 장치용 미러 불량 검출장치 |
KR101887054B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2018-08-09 | 삼성전자주식회사 | 적외선 검출 장치 및 이를 포함하는 가열 조리 장치 |
KR101591155B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2016-02-02 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 |
DE102013214459B4 (de) * | 2013-07-24 | 2015-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
CN103454073B (zh) * | 2013-09-04 | 2016-01-13 | 上海大学 | 基于4f干涉***测试空间光调制器调制性能的测试装置及方法 |
CN103837332B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-05-25 | 电子科技大学 | 一种基于正交移相共轭干涉仪方法的液晶型光学器件相位检测方法 |
US10146134B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system |
CN111054920B (zh) * | 2014-11-14 | 2022-09-16 | 株式会社尼康 | 造形装置及造形方法 |
CN111687416A (zh) | 2014-11-14 | 2020-09-22 | 株式会社尼康 | 造型装置及造型方法 |
JP7014226B2 (ja) | 2017-05-01 | 2022-02-01 | 株式会社ニコン | 加工装置 |
JP6969163B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-11-24 | 株式会社ニコン | 検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP6985907B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-12-22 | 株式会社小糸製作所 | 灯具ユニット |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000121498A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 結像性能の評価方法及び装置 |
JP2005223328A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-18 | Asml Holding Nv | 空間光変調器を校正するためのシステム及び方法 |
CN1723384A (zh) * | 2003-01-15 | 2006-01-18 | 麦克罗尼克激光***公司 | 检测缺陷像素的方法 |
WO2007058188A1 (ja) * | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2008102134A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 光変調器の検査装置及び方法 |
Family Cites Families (214)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD242880A1 (de) | 1983-01-31 | 1987-02-11 | Kuch Karl Heinz | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4683420A (en) | 1985-07-10 | 1987-07-28 | Westinghouse Electric Corp. | Acousto-optic system for testing high speed circuits |
JP2527807B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1996-08-28 | 住友大阪セメント株式会社 | 光学的連想識別装置 |
US5153428A (en) | 1990-06-15 | 1992-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light |
US5251222A (en) * | 1991-04-01 | 1993-10-05 | Teledyne Industries, Inc. | Active multi-stage cavity sensor |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
JP3170894B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2001-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 空間光変調素子評価装置 |
US5383000A (en) * | 1992-11-24 | 1995-01-17 | General Signal Corporation | Partial coherence varier for microlithographic system |
US5461410A (en) * | 1993-03-29 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Gray scale printing using spatial light modulators |
US5815248A (en) * | 1993-04-22 | 1998-09-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator |
EP1209508B1 (en) | 1993-12-01 | 2004-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display for 3D images |
US5815247A (en) | 1995-09-21 | 1998-09-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
KR100505202B1 (ko) | 1995-09-27 | 2005-11-25 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 줌장치 |
RU2084941C1 (ru) | 1996-05-06 | 1997-07-20 | Йелстаун Корпорейшн Н.В. | Адаптивный оптический модуль |
JP3657392B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2005-06-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像露光装置における欠陥画素の特定方法 |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
AU1504799A (en) | 1997-12-16 | 1999-07-05 | Nikon Corporation | Aligner, exposure method and method of manufacturing device |
TW449672B (en) | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
WO1999049366A1 (fr) | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Photomasque et systeme d'exposition par projection |
WO1999050712A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO1999066370A1 (fr) | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede relatif a l'elaboration d'un masque |
AU4930099A (en) | 1998-08-18 | 2000-03-14 | Nikon Corporation | Illuminator and projection exposure apparatus |
US6406148B1 (en) * | 1998-12-31 | 2002-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Electronic color switching in field sequential video displays |
WO2000067303A1 (fr) | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition |
WO2001003170A1 (fr) | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
DE10029938A1 (de) | 1999-07-09 | 2001-07-05 | Zeiss Carl | Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett |
US6280034B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-08-28 | Philips Electronics North America Corporation | Efficient two-panel projection system employing complementary illumination |
AU5653699A (en) | 1999-09-20 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices |
KR100625625B1 (ko) | 1999-10-07 | 2006-09-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법 |
EP1109067B1 (en) | 1999-12-13 | 2006-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Illuminator |
JP2005233979A (ja) | 2000-02-09 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
KR100775796B1 (ko) | 2000-08-18 | 2007-11-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 유지장치 |
JP2002231619A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
SE0100336L (sv) | 2001-02-05 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område |
CN1491427A (zh) | 2001-02-06 | 2004-04-21 | ������������ʽ���� | 曝光装置、曝光法和器件制造法 |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
WO2002080185A1 (fr) | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Nikon Corporation | Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002084850A1 (fr) | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege |
JP2002353105A (ja) | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法 |
US7015491B2 (en) * | 2001-06-01 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system |
US6737662B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
JPWO2002101804A1 (ja) | 2001-06-11 | 2004-09-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置 |
WO2002103766A1 (fr) * | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe |
EP1280007B1 (en) | 2001-07-24 | 2008-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Imaging apparatus |
JPWO2003023832A1 (ja) | 2001-09-07 | 2004-12-24 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
SE0103006D0 (sv) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | Micronic Lasersystems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece |
US6819490B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-11-16 | Micronic Laser Systems Ab | Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece |
DE60227854D1 (de) * | 2001-10-01 | 2008-09-04 | Sony Corp | Polarisationsselektives Prisma für einen Projektor |
US6577379B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
JP4307813B2 (ja) | 2001-11-14 | 2009-08-05 | 株式会社リコー | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
US6900915B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-05-31 | Ricoh Company, Ltd. | Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror |
US6577429B1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Laser projection display system |
TW200302507A (en) | 2002-01-21 | 2003-08-01 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
JP4352458B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
WO2003085708A1 (fr) | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, dispositif d'exposition et procede de fabrication dudit dispositif |
US6960035B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-11-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method |
CN1659479A (zh) * | 2002-04-10 | 2005-08-24 | 富士胶片株式会社 | 曝光头及曝光装置和它的应用 |
EP1499560B1 (en) | 2002-04-29 | 2005-12-14 | Micronic Laser Systems Ab | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
US20050095749A1 (en) | 2002-04-29 | 2005-05-05 | Mathias Krellmann | Device for protecting a chip and method for operating a chip |
JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US20050141583A1 (en) * | 2002-09-02 | 2005-06-30 | Torbjorn Sandstrom | Method and device for coherence reduction |
EP1395049A1 (en) | 2002-09-02 | 2004-03-03 | Sony International (Europe) GmbH | Illumination unit for a projection system |
JP2004111579A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
KR100480620B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
US6958867B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method |
US6665119B1 (en) * | 2002-10-15 | 2003-12-16 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
AU2003291653A1 (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-13 | Lecroy Corporation | High bandwidth real time oscilloscope |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
TWI281099B (en) * | 2002-12-02 | 2007-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
US20040108973A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Kiser David K. | Apparatus for generating a number of color light components |
EP1571700A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-09-12 | Nikon Corp | OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
EP1571698A4 (en) | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US6891655B2 (en) | 2003-01-02 | 2005-05-10 | Micronic Laser Systems Ab | High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices |
JP4280509B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 |
EP3301511A1 (en) | 2003-02-26 | 2018-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
SE0300516D0 (sv) * | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
JP4353179B2 (ja) | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2004304135A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
WO2004091079A1 (ja) | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ |
ATE426914T1 (de) | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
WO2004094940A1 (ja) | 2003-04-23 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ |
US7095546B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-08-22 | Metconnex Canada Inc. | Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
CA2522790C (en) | 2003-04-24 | 2013-12-03 | Metconnex Canada Inc. | A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays |
TW200507055A (en) | 2003-05-21 | 2005-02-16 | Nikon Corp | Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TWI614794B (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-11 | Nikon Corp | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
EP1482371A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus |
KR20060009956A (ko) | 2003-05-28 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
TWI340406B (en) | 2003-06-04 | 2011-04-11 | Nikon Corp | Stage apparatus, fixing method , expose apparatus, exposing method and method for manufacturing device |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
CN101436003B (zh) | 2003-06-19 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
EP1646075B1 (en) | 2003-07-09 | 2011-06-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JPWO2005008754A1 (ja) | 2003-07-18 | 2007-09-20 | 株式会社ニコン | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク |
KR101477850B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
DE10343333A1 (de) | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
KR101159867B1 (ko) * | 2003-09-12 | 2012-06-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템 |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7064880B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projector and projection method |
JP2007506947A (ja) * | 2003-09-26 | 2007-03-22 | タイダール フォトニクス,インク. | 強化されたスペクトル測定システムに関する装置および方法 |
WO2005036619A1 (ja) | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
WO2005036620A1 (ja) | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4605014B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
JP4195434B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2008-12-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
TWI387855B (zh) | 2003-11-13 | 2013-03-01 | 尼康股份有限公司 | A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method |
KR20060109430A (ko) | 2003-11-17 | 2006-10-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 구동 방법, 스테이지 장치, 및 노광장치 |
KR101547037B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
DE602004027162D1 (de) | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
JP4319189B2 (ja) | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7557900B2 (en) | 2004-02-10 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method |
WO2005081291A1 (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101106497B1 (ko) | 2004-02-20 | 2012-01-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 공급 방법 및 회수 방법, 노광 방법, 및디바이스 제조 방법 |
US7551261B2 (en) * | 2004-02-26 | 2009-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
US6977718B1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography method and system with adjustable reflector |
JP2005309380A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光装置 |
JP2005302825A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
US8488099B2 (en) | 2004-04-19 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
US7116403B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7283209B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
US7259827B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2006054328A (ja) | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4599936B2 (ja) | 2004-08-17 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
WO2006030910A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP1640706A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Eldim Sa | Wavelength and incidence angle resolved ellipsometer or reflectometer |
JP4804358B2 (ja) | 2004-09-27 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法 |
GB2419208A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-19 | Qinetiq Ltd | Optical correlation employing an optical bit delay |
US7177012B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4335114B2 (ja) | 2004-10-18 | 2009-09-30 | 日本碍子株式会社 | マイクロミラーデバイス |
US8294873B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method, and substrate |
US7333177B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060138349A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006077145A2 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Hologram and method of manufacturing an optical element using a hologram |
TW200923418A (en) * | 2005-01-21 | 2009-06-01 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device |
JP2006208432A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光方法および装置 |
JP4858439B2 (ja) | 2005-01-25 | 2012-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
KR100664325B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치 |
JP2006216917A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
JPWO2006085626A1 (ja) | 2005-02-14 | 2008-06-26 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006085524A1 (ja) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Nikon Corporation | 露光装置 |
JP5125503B2 (ja) | 2005-03-23 | 2013-01-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP4561425B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法 |
US7400382B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form |
JP4230525B2 (ja) | 2005-05-12 | 2009-02-25 | 有限会社テクノドリーム二十一 | 3次元形状計測方法およびその装置 |
KR101267144B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2013-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 |
JP4771753B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-09-14 | 新光電気工業株式会社 | 面光源制御装置および面光源制御方法 |
DE102005030839A1 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven |
US7701555B2 (en) * | 2005-07-01 | 2010-04-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and system |
JP2007057297A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Nikon Corp | 光学特性測定装置、光学特性測定方法、露光装置、および露光方法 |
WO2007055237A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007150295A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
KR20080068013A (ko) | 2005-11-14 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법 |
EP1965414A4 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
KR101539517B1 (ko) | 2005-12-08 | 2015-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7626181B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7532378B2 (en) * | 2006-02-21 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device |
US7525642B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2007097198A1 (ja) | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | ダイクロイックフィルタ |
JP2007234110A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法 |
WO2007100081A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2007132862A1 (ja) | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4893112B2 (ja) | 2006-06-03 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 高周波回路コンポーネント |
CN101490538B (zh) * | 2006-08-02 | 2013-03-27 | 株式会社尼康 | 缺陷检测装置和缺陷检测方法 |
JP5141979B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-02-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
JP4924879B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | エンコーダ |
WO2008061681A2 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
WO2008065977A1 (fr) | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Nikon Corporation | Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
JP4910679B2 (ja) | 2006-12-21 | 2012-04-04 | 株式会社ニコン | 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路 |
KR20150036734A (ko) | 2006-12-27 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법 |
JPWO2008090975A1 (ja) | 2007-01-26 | 2010-05-20 | 株式会社ニコン | 支持構造体及び露光装置 |
EP2511765B1 (de) * | 2007-02-06 | 2019-04-03 | Carl Zeiss SMT GmbH | Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US9250536B2 (en) * | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8937706B2 (en) * | 2007-03-30 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP5304644B2 (ja) | 2007-05-09 | 2013-10-02 | 株式会社ニコン | フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法 |
US7573564B2 (en) | 2007-06-26 | 2009-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors |
US8451427B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US20090091730A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Nikon Corporation | Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP2179329A1 (en) * | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2179330A1 (en) * | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009153925A1 (ja) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
JP5467531B2 (ja) | 2008-06-26 | 2014-04-09 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置 |
JPWO2010001537A1 (ja) | 2008-06-30 | 2011-12-15 | 株式会社ニコン | 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置 |
-
2009
- 2009-05-12 KR KR1020107016847A patent/KR101695034B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-12 CN CN201610084052.0A patent/CN105606344B/zh active Active
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- 2009-05-12 JP JP2010514429A patent/JP5360057B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-22 US US12/952,197 patent/US8456624B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-15 HK HK11106093.0A patent/HK1152109A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-12 US US13/417,602 patent/US8446579B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-05 JP JP2013079679A patent/JP5464288B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-18 HK HK16111988.3A patent/HK1223680A1/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000121498A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 結像性能の評価方法及び装置 |
CN1723384A (zh) * | 2003-01-15 | 2006-01-18 | 麦克罗尼克激光***公司 | 检测缺陷像素的方法 |
JP2005223328A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-18 | Asml Holding Nv | 空間光変調器を校正するためのシステム及び方法 |
WO2007058188A1 (ja) * | 2005-11-15 | 2007-05-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2008102134A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 光変調器の検査装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1152109A1 (zh) | 2012-02-17 |
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US8446579B2 (en) | 2013-05-21 |
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