JP3170894B2 - 空間光変調素子評価装置 - Google Patents
空間光変調素子評価装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ロボット等の視覚認識
装置において、画像処理あるいは画像認識を光学的に実
行する光情報処理装置に用いられる空間光変調素子の評
価装置に関するものである。
装置において、画像処理あるいは画像認識を光学的に実
行する光情報処理装置に用いられる空間光変調素子の評
価装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】画像処理あるいは画像認識技術に対し
て、近年、より大画素数をより高速処理することが要求
されてきている。そこで、光の高速並列演算機能を活用
することで上記の要求に答える光情報処理装置の開発が
盛んになってきている。これらの光情報処理装置におい
ては、例えば、特願昭６３−２８７０１６号に記載の光
情報処理装置のごとく液晶ディスプレイなどの空間光変
調素子が用いられている。
て、近年、より大画素数をより高速処理することが要求
されてきている。そこで、光の高速並列演算機能を活用
することで上記の要求に答える光情報処理装置の開発が
盛んになってきている。これらの光情報処理装置におい
ては、例えば、特願昭６３−２８７０１６号に記載の光
情報処理装置のごとく液晶ディスプレイなどの空間光変
調素子が用いられている。
【０００３】これらの空間光変調素子はディスプレイ等
に用いられる場合と異なり、その透過光あるいは反射光
の振幅と位相の両特性が良好であることが求められる。
そこで、一般に振幅特性は分光光度計等を用いて測定し
た光強度特性から評価し、一方、位相特性は干渉計を用
いて測定されていた。
に用いられる場合と異なり、その透過光あるいは反射光
の振幅と位相の両特性が良好であることが求められる。
そこで、一般に振幅特性は分光光度計等を用いて測定し
た光強度特性から評価し、一方、位相特性は干渉計を用
いて測定されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レン
ズ、プリズム等の光学部品の波面収差測定用として市販
されている干渉計では、例えば、空間光変調素子の画素
単位での位相特性など微小領域での測定は不可能であっ
た。
ズ、プリズム等の光学部品の波面収差測定用として市販
されている干渉計では、例えば、空間光変調素子の画素
単位での位相特性など微小領域での測定は不可能であっ
た。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、空間光変調素
子、特に、ＴＮ型液晶素子の画素単位での位相特性など
微小領域での測定を可能とする空間光変調素子評価装置
を提供することを目的とする。
子、特に、ＴＮ型液晶素子の画素単位での位相特性など
微小領域での測定を可能とする空間光変調素子評価装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の空間光変調素子評価装置は、位相と振幅が
同時に変化する空間光変調素子を保持する空間光変調素
子保持手段と、この空間光変調素子保持手段に保持され
た前記空間光変調素子を照射する光源と、この空間光変
調素子保持手段の後方に光軸に対して傾斜させて配置さ
れた平行平板と、この平行平板の透過光路中に配置され
た偏光分離手段と、この偏光分離手段の後方に前記空間
光変調素子を構成する画素のうち互いに隣接する一対の
画素の透過光量を各々検出する第１の光検出器を配置
し、前記平行平板の反射光路中の前記隣接画素からの透
過光が前記平行平板の表裏面から反射されて干渉する位
置に第２の光検出器を配置するとともに、前記第１の光
検出器の出力から前記隣接画素を透過した光の振幅比を
求め、前記第２の光検出器の出力から前記隣接画素を透
過した光の位相差を検出することで、前記空間光変調素
子の画素単位で、振幅と位相の両特性を同時に測定する
ことを特徴とする空間光変調素子評価装置である。
めに本発明の空間光変調素子評価装置は、位相と振幅が
同時に変化する空間光変調素子を保持する空間光変調素
子保持手段と、この空間光変調素子保持手段に保持され
た前記空間光変調素子を照射する光源と、この空間光変
調素子保持手段の後方に光軸に対して傾斜させて配置さ
れた平行平板と、この平行平板の透過光路中に配置され
た偏光分離手段と、この偏光分離手段の後方に前記空間
光変調素子を構成する画素のうち互いに隣接する一対の
画素の透過光量を各々検出する第１の光検出器を配置
し、前記平行平板の反射光路中の前記隣接画素からの透
過光が前記平行平板の表裏面から反射されて干渉する位
置に第２の光検出器を配置するとともに、前記第１の光
検出器の出力から前記隣接画素を透過した光の振幅比を
求め、前記第２の光検出器の出力から前記隣接画素を透
過した光の位相差を検出することで、前記空間光変調素
子の画素単位で、振幅と位相の両特性を同時に測定する
ことを特徴とする空間光変調素子評価装置である。
【０００７】
【作用】上記構成の評価装置によれば、空間光変調素子
の画素単位での位相特性など微小領域での測定を可能と
する空間光変調素子評価装置を提供できる。
の画素単位での位相特性など微小領域での測定を可能と
する空間光変調素子評価装置を提供できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の請求項１記載の空間光変調素
子評価装置について、図面を参照しながら説明する。図
１は本発明の請求項１記載の空間光変調素子評価装置の
一実施例の側面図である。
子評価装置について、図面を参照しながら説明する。図
１は本発明の請求項１記載の空間光変調素子評価装置の
一実施例の側面図である。
【０００９】図１において、１は半導体レ−ザ、２はコ
リメ−タレンズ、３は位相差板、４は第１のレンズ、５
は第２のレンズ、６は空間光変調素子ホルダ−、７は空
間光変調素子、８は表面の反射率をＲ１、裏面の反射率
をＲ２に構成された厚みｄの平行平板であり光軸に対し
てθ１傾けて配置されている。９は偏光ビ−ムスプリッ
タ、１０は第３のレンズ、１１は第４のレンズ、１２は
ダブルピンホ−ル、１３は２分割光検出器、１４はミラ
−、１５は第５のレンズ、１６は第６のレンズ、１７は
ピンホ−ル、１８は光検出器である。
リメ−タレンズ、３は位相差板、４は第１のレンズ、５
は第２のレンズ、６は空間光変調素子ホルダ−、７は空
間光変調素子、８は表面の反射率をＲ１、裏面の反射率
をＲ２に構成された厚みｄの平行平板であり光軸に対し
てθ１傾けて配置されている。９は偏光ビ−ムスプリッ
タ、１０は第３のレンズ、１１は第４のレンズ、１２は
ダブルピンホ−ル、１３は２分割光検出器、１４はミラ
−、１５は第５のレンズ、１６は第６のレンズ、１７は
ピンホ−ル、１８は光検出器である。
【００１０】ここで、第１のレンズ４と第２のレンズ５
は縮小光学系を構成しており、コリメ−タレンズ２によ
り平行光化された半導体レ−ザ１からの出射光を縮小し
て空間光変調素子７を照射する構成とされている。ま
た、位相差板３は半導体レ−ザ１からの射出光の偏光状
態を測定に適した状態に設定する。すなわち、楕円偏光
あるいは直線偏光を空間光変調素子７に対して所定の角
度を持った直線偏光に変換する。また、第３のレンズ１
０と第４のレンズ１１および、第５のレンズと第６のレ
ンズは拡大光学系を構成している。
は縮小光学系を構成しており、コリメ−タレンズ２によ
り平行光化された半導体レ−ザ１からの出射光を縮小し
て空間光変調素子７を照射する構成とされている。ま
た、位相差板３は半導体レ−ザ１からの射出光の偏光状
態を測定に適した状態に設定する。すなわち、楕円偏光
あるいは直線偏光を空間光変調素子７に対して所定の角
度を持った直線偏光に変換する。また、第３のレンズ１
０と第４のレンズ１１および、第５のレンズと第６のレ
ンズは拡大光学系を構成している。
【００１１】次に、本実施例装置における平行平板８の
構成を図２と図３を用いて説明する。図２は空間光変調
素子７と平行平板８との関係を示す構成図であり、図３
は平行平板に於ける光の反射と屈折を示す図である。図
２において７は本実施例ではＴＮ型液晶で構成された空
間光変調素子、７ａおよび７ｂは空間光変調素子７を構
成する画素を各々示しており、８は平行平板を示してい
る。
構成を図２と図３を用いて説明する。図２は空間光変調
素子７と平行平板８との関係を示す構成図であり、図３
は平行平板に於ける光の反射と屈折を示す図である。図
２において７は本実施例ではＴＮ型液晶で構成された空
間光変調素子、７ａおよび７ｂは空間光変調素子７を構
成する画素を各々示しており、８は平行平板を示してい
る。
【００１２】また、図中のＰは空間光変調素子７を構成
する画素ピッチをＬ１は画素７ａを透過する光線の光軸
を示し、Ｌ２は画素７ｂを透過する透過する光線の光軸
を各々示している。また、Ｌ１’とＬ２’は各々、光線
Ｌ１とＬ２の平行平板８からの反射光を示している。
する画素ピッチをＬ１は画素７ａを透過する光線の光軸
を示し、Ｌ２は画素７ｂを透過する透過する光線の光軸
を各々示している。また、Ｌ１’とＬ２’は各々、光線
Ｌ１とＬ２の平行平板８からの反射光を示している。
【００１３】また、図３に於て、８は厚みｄ、屈折率
ｎ、表面反射率Ｒ１、裏面反射率Ｒ２の平行平板を示し
ており、光線Ｌ１およびＬ２に対してθ１傾けて配置さ
れている。
ｎ、表面反射率Ｒ１、裏面反射率Ｒ２の平行平板を示し
ており、光線Ｌ１およびＬ２に対してθ１傾けて配置さ
れている。
【００１４】まず、光線Ｌ１とＬ２の反射光Ｌ１’とＬ
２’が一致する、すなわち、光線を１画素分だけ横ずら
しするための平行平板８の構成条件を以下に示す。この
条件を位置条件とよぶ。位置条件を満足するためにはＬ
１が平行平板８の表面で屈折し、裏面で反射し再び表面
に到達する点と初めの入射点との距離ａが、ａ＝Ｐ／ｃ
ｏｓθ１なる条件を満足する必要がある。
２’が一致する、すなわち、光線を１画素分だけ横ずら
しするための平行平板８の構成条件を以下に示す。この
条件を位置条件とよぶ。位置条件を満足するためにはＬ
１が平行平板８の表面で屈折し、裏面で反射し再び表面
に到達する点と初めの入射点との距離ａが、ａ＝Ｐ／ｃ
ｏｓθ１なる条件を満足する必要がある。
【００１５】一方、このａはＬ１の屈折角をθ２とする
と図３中でａを底辺とする２等辺三角形を考えると、ａ
＝２ｄｔａｎθ２なる関係が成立する。従って、Ｐ＝２
ｄｔａｎθ２ｃｏｓθ１となる。ここでｓｉｎθ１＝ｎ
ｓｉｎθ２なる屈折則を適用すると、位置条件は以下の
（１）式で表すことができる。
と図３中でａを底辺とする２等辺三角形を考えると、ａ
＝２ｄｔａｎθ２なる関係が成立する。従って、Ｐ＝２
ｄｔａｎθ２ｃｏｓθ１となる。ここでｓｉｎθ１＝ｎ
ｓｉｎθ２なる屈折則を適用すると、位置条件は以下の
（１）式で表すことができる。
【００１６】
【数１】
【００１７】この位置条件（１）式を満足するように平
行平板８の厚みｄ、屈折率ｎおよび光軸に対する傾斜角
θ１が決められている。
行平板８の厚みｄ、屈折率ｎおよび光軸に対する傾斜角
θ１が決められている。
【００１８】次に、このように重なった光線Ｌ１’と光
線Ｌ２’の干渉縞のビジビリティを決める振幅条件を以
下に述べる。光線Ｌ１と光線Ｌ２の振幅が等しくそれを
１とすると、光線Ｌ１’の振幅は平行平板８の表面での
１回の反射だけなのでＲ１で与えられる。一方、光線Ｌ
２’の振幅は（１−Ｒ１）2Ｒ２で与えられる。従っ
て、画素７ａの透過率をＲａ、画素７ｂの透過率をＲｂ
とおくと振幅条件は（２）式で与えられる。
線Ｌ２’の干渉縞のビジビリティを決める振幅条件を以
下に述べる。光線Ｌ１と光線Ｌ２の振幅が等しくそれを
１とすると、光線Ｌ１’の振幅は平行平板８の表面での
１回の反射だけなのでＲ１で与えられる。一方、光線Ｌ
２’の振幅は（１−Ｒ１）2Ｒ２で与えられる。従っ
て、画素７ａの透過率をＲａ、画素７ｂの透過率をＲｂ
とおくと振幅条件は（２）式で与えられる。
【００１９】
【数２】
【００２０】この振幅条件を満足するように平行平板８
の表面反射率Ｒ１と裏面反射率Ｒ２が決められる。
の表面反射率Ｒ１と裏面反射率Ｒ２が決められる。
【００２１】また、光線Ｌ１’と光線Ｌ２’の干渉縞が
発生するための光線Ｌ１’と光線Ｌ２’の位相差を決め
る位相条件は以下のように求められる。光線Ｌ１’と光
線Ｌ２’の光路長差は平行平板８へ入射するまでの空気
中での光路長差、これを図３ではｂで示した、と平行平
板８中での裏面反射の光路長差である。すなわちｂ＝Ｐ
ｔａｎθ１とｎ（２ｄ／ｃｏｓθ２）である。ここで、
スネル則をθ２に用いると、位相条件は（３）式で表す
ことができる。
発生するための光線Ｌ１’と光線Ｌ２’の位相差を決め
る位相条件は以下のように求められる。光線Ｌ１’と光
線Ｌ２’の光路長差は平行平板８へ入射するまでの空気
中での光路長差、これを図３ではｂで示した、と平行平
板８中での裏面反射の光路長差である。すなわちｂ＝Ｐ
ｔａｎθ１とｎ（２ｄ／ｃｏｓθ２）である。ここで、
スネル則をθ２に用いると、位相条件は（３）式で表す
ことができる。
【００２２】
【数３】
【００２３】上記した位置条件（１）を満足するいくつ
かの平行平板８の厚みｄ、屈折率ｎおよび光軸に対する
傾斜角θ１のうち、位相条件（３）式を満足するものを
設定する。
かの平行平板８の厚みｄ、屈折率ｎおよび光軸に対する
傾斜角θ１のうち、位相条件（３）式を満足するものを
設定する。
【００２４】以上のように構成された本実施例装置の動
作を以下に説明する。まず、空間光変調素子ホルダ−６
に設置された空間光変調素子７を構成する画素の内、互
いに隣接する一対の画素である画素７ａと画素７ｂのう
ち画素７ａを基準とし、すなわち、画素７ａには電圧を
印加せず、画素７ｂに所定の駆動電圧を印加する。この
状態で、第２のレンズ５，第１のレンズ４，位相差板
３，コリメ−タレンズ２を介して半導体レ−ザ１からの
出射光で空間光変調素子７を構成する画素７ａ及び画素
７ｂを照射する。
作を以下に説明する。まず、空間光変調素子ホルダ−６
に設置された空間光変調素子７を構成する画素の内、互
いに隣接する一対の画素である画素７ａと画素７ｂのう
ち画素７ａを基準とし、すなわち、画素７ａには電圧を
印加せず、画素７ｂに所定の駆動電圧を印加する。この
状態で、第２のレンズ５，第１のレンズ４，位相差板
３，コリメ−タレンズ２を介して半導体レ−ザ１からの
出射光で空間光変調素子７を構成する画素７ａ及び画素
７ｂを照射する。
【００２５】その結果、画素７ａを透過する光線Ｌ１と
画素７ｂを透過する光線は、平行平板８により各々の反
射光Ｌ１’とＬ２’が重なるよう部分反射される。この
反射光Ｌ１’とＬ２’の重畳された領域では干渉が発生
する。この干渉強度は駆動電圧が印加された画素７ｂで
の透過光の位相変化により変化する。すなわち、画素７
ａと画素７ｂの透過光の位相差が０の時に最大値を取
り、位相差がπの時０となる。
画素７ｂを透過する光線は、平行平板８により各々の反
射光Ｌ１’とＬ２’が重なるよう部分反射される。この
反射光Ｌ１’とＬ２’の重畳された領域では干渉が発生
する。この干渉強度は駆動電圧が印加された画素７ｂで
の透過光の位相変化により変化する。すなわち、画素７
ａと画素７ｂの透過光の位相差が０の時に最大値を取
り、位相差がπの時０となる。
【００２６】さて、この干渉光はミラ−１４により反射
され、第５のレンズ１５と第６のレンズ１６により拡大
されピンホ−ル１７を介して光検出器１８に入射する。
この時、ピンホ−ル１７は対象とする干渉領域以外の光
を遮蔽する。一方、平行平板８を透過した光線Ｌ１と光
線Ｌ２は、ピッチＰを維持したまま平行光として偏光ビ
−ムスプリッタ９に入射し、その偏光成分のうちＰ波成
分のみが偏光ビ−ムスプリッタ９を透過し、第３のレン
ズ１０と第４のレンズ１１により拡大されダブルピンホ
−ル１２を介して２分割光検出器１３に入射する。この
時、ダブルピンホ−ル１２は画素７ａを透過した光線と
画素７ｂを透過した光線を分離し、かつ、その他の光線
を遮蔽する。
され、第５のレンズ１５と第６のレンズ１６により拡大
されピンホ−ル１７を介して光検出器１８に入射する。
この時、ピンホ−ル１７は対象とする干渉領域以外の光
を遮蔽する。一方、平行平板８を透過した光線Ｌ１と光
線Ｌ２は、ピッチＰを維持したまま平行光として偏光ビ
−ムスプリッタ９に入射し、その偏光成分のうちＰ波成
分のみが偏光ビ−ムスプリッタ９を透過し、第３のレン
ズ１０と第４のレンズ１１により拡大されダブルピンホ
−ル１２を介して２分割光検出器１３に入射する。この
時、ダブルピンホ−ル１２は画素７ａを透過した光線と
画素７ｂを透過した光線を分離し、かつ、その他の光線
を遮蔽する。
【００２７】従って、２分割光検出器１３の２つの検出
部には各々、画素７ａを透過した光線と画素７ｂを透過
した光線とが入射することになる。そこで、２分割光検
出器１３の２つの検出部の出力を比較することで、隣接
画素を基準として、印加電圧に対する任意の画素からの
透過光の検光子（本実施例では偏光ビ−ムスプリッタ）
透過後の強度の変化を評価できる。
部には各々、画素７ａを透過した光線と画素７ｂを透過
した光線とが入射することになる。そこで、２分割光検
出器１３の２つの検出部の出力を比較することで、隣接
画素を基準として、印加電圧に対する任意の画素からの
透過光の検光子（本実施例では偏光ビ−ムスプリッタ）
透過後の強度の変化を評価できる。
【００２８】さて、本実施例に用いられているＴＮ型液
晶ディスプレイの場合、例えば特開平３−２７４５８６
号公報に記載されているように画素への電圧印加によ
り、該当画素の入射光の位相に対する透過光の位相変化
のみならず、入射光の偏光方向に対する透過光の偏光方
向も変化する。従って、反射光Ｌ１’とＬ２’の干渉強
度については以下のように考える必要がある。まず、簡
単化のために１次元で考えると、Ｌ１’の複素振幅をＥ
１とし、Ｌ２’の複素振幅をＥ２とすると各々、以下の
（４）式と（５）式で書ける。
晶ディスプレイの場合、例えば特開平３−２７４５８６
号公報に記載されているように画素への電圧印加によ
り、該当画素の入射光の位相に対する透過光の位相変化
のみならず、入射光の偏光方向に対する透過光の偏光方
向も変化する。従って、反射光Ｌ１’とＬ２’の干渉強
度については以下のように考える必要がある。まず、簡
単化のために１次元で考えると、Ｌ１’の複素振幅をＥ
１とし、Ｌ２’の複素振幅をＥ２とすると各々、以下の
（４）式と（５）式で書ける。
【００２９】
【数４】
【００３０】
【数５】
【００３１】本実施例では、同一コヒ−レント光源で照
射されているので、ω１＝ω２，ｋ１＝ｋ２＝ｋと置く
ことができる。また、２つの光の位相差のみを扱えばよ
いので、φ１＝０，φ２＝φとしてよい。
射されているので、ω１＝ω２，ｋ１＝ｋ２＝ｋと置く
ことができる。また、２つの光の位相差のみを扱えばよ
いので、φ１＝０，φ２＝φとしてよい。
【００３２】従って、（４）式および（５）式は各々、
以下の（６）式と（７）式に簡略化できる。
以下の（６）式と（７）式に簡略化できる。
【００３３】
【数６】
【００３４】
【数７】
【００３５】以上から、干渉に寄与する複素振幅Ｅは
（８）式で表される。
（８）式で表される。
【００３６】
【数８】
【００３７】従って、干渉強度は（９）式で与えられ
る。
る。
【００３８】
【数９】
【００３９】この（９）式で表される干渉強度が光検出
器１８により検出される。いま、求めたいのは（９）式
中の位相差φである。従って、（９）式の振幅項Ａ１と
Ａ２を求めれば、光検出器１８の出力と（９）とから所
望の位相差φを算出できる。そこで、以下に振幅項Ａ１
とＡ２を求める方法について述べる。
器１８により検出される。いま、求めたいのは（９）式
中の位相差φである。従って、（９）式の振幅項Ａ１と
Ａ２を求めれば、光検出器１８の出力と（９）とから所
望の位相差φを算出できる。そこで、以下に振幅項Ａ１
とＡ２を求める方法について述べる。
【００４０】まず、Ａ１は以下のようにして求めること
ができる。画素７ａと画素７ｂの両方に電圧を印加して
いないを考えるとφ＝０である。また偏光状態はＡ１と
Ａ２とで等しく、ただ平行平板８での反射条件が異なる
のみである。従って、振幅項Ａ１とＡ２の比率は、（１
０）式で書け、
ができる。画素７ａと画素７ｂの両方に電圧を印加して
いないを考えるとφ＝０である。また偏光状態はＡ１と
Ａ２とで等しく、ただ平行平板８での反射条件が異なる
のみである。従って、振幅項Ａ１とＡ２の比率は、（１
０）式で書け、
【００４１】
【数１０】
【００４２】Ａ２は式（１１）のように書ける。
【００４３】
【数１１】
【００４４】従って、（９）式は以下の（１２）式の形
で書ける。
で書ける。
【００４５】
【数１２】
【００４６】この（１２）式を用いれば、画素７ａと画
素７ｂの両方に電圧を印加していない時の光検出器１８
の出力から振幅項Ａ１を求めることができる。
素７ｂの両方に電圧を印加していない時の光検出器１８
の出力から振幅項Ａ１を求めることができる。
【００４７】次に、Ａ２であるがこれは画素７ａには電
圧を印加せず、画素７ｂにのみ電圧を印加した時、すな
わち、実際に振幅と位相を測定する時を考える。この
時、２分割光検出器１３の２つの検出部には各々、画素
７ａを透過した光線と画素７ｂを透過した光線とが入射
することになる。そこで、２分割光検出器１３の２つの
検出部の出力を比較すると、Ａ２2とＡ１2の比率が求め
られる。これと（１２）式の結果からＡ１とＡ２の値が
決まるので、（９）式から位相差φが求められる。な
お、隣接画素間の距離Ｐ程度では印加電圧による位相変
化以外の例えば、基板の歪みに起因するような収差、す
なわち静的な位相差は実質的に無視できる。
圧を印加せず、画素７ｂにのみ電圧を印加した時、すな
わち、実際に振幅と位相を測定する時を考える。この
時、２分割光検出器１３の２つの検出部には各々、画素
７ａを透過した光線と画素７ｂを透過した光線とが入射
することになる。そこで、２分割光検出器１３の２つの
検出部の出力を比較すると、Ａ２2とＡ１2の比率が求め
られる。これと（１２）式の結果からＡ１とＡ２の値が
決まるので、（９）式から位相差φが求められる。な
お、隣接画素間の距離Ｐ程度では印加電圧による位相変
化以外の例えば、基板の歪みに起因するような収差、す
なわち静的な位相差は実質的に無視できる。
【００４８】このようにして、本実施例の空間光変調素
子評価装置によれば、ＴＮ型液晶のように振幅と位相が
同時に変化する空間光変調素子に対しても、隣接画素を
基準として少なくとも１画素単位という微小領域での空
間光変調素子の振幅と位相の両特性の同時測定を可能と
できる。
子評価装置によれば、ＴＮ型液晶のように振幅と位相が
同時に変化する空間光変調素子に対しても、隣接画素を
基準として少なくとも１画素単位という微小領域での空
間光変調素子の振幅と位相の両特性の同時測定を可能と
できる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本発明の空間光変調素子評
価装置によれば、空間光変調素子の画素単位での位相特
性など微小領域での測定を可能とすることができる。
価装置によれば、空間光変調素子の画素単位での位相特
性など微小領域での測定を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の空間光変調素子評価装置の一実施例の
構成図
構成図
【図２】同実施例装置における空間光変調素子と平行平
板との関係図
板との関係図
【図３】同実施例装置における平行平板での光の反射と
屈折を示す図
屈折を示す図
１ 半導体レ−ザ ２ コリメ−タレンズ ３ 位相差板 ４ 第１のレンズ ５ 第２のレンズ ６ 空間光変調素子ホルダ− ７ 空間光変調素子 ８ 平行平板 ９ 偏光ビ−ムスプリッタ １０ 第３のレンズ １１ 第４のレンズ １２ ダブルピンホ−ル １３ ２分割光検出器 １４ ミラ− １５ 第５のレンズ １６ 第６のレンズ １７ ピンホ−ル １８ 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−212304（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−274586（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132412（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01M 11/00 - 11/02 G02F 1/13 - 1/141
Claims (1)
- 【請求項１】位相と振幅が同時に変化する空間光変調素
子を保持する空間光変調素子保持手段と、この空間光変
調素子保持手段に保持された前記空間光変調素子を照射
する光源と、この空間光変調素子保持手段の後方に光軸
に対して傾斜させて配置された平行平板と、この平行平
板の透過光路中に配置された偏光分離手段と、この偏光
分離手段の後方に前記空間光変調素子を構成する画素の
うち互いに隣接する一対の画素の透過光量を各々検出す
る第１の光検出器を配置し、前記平行平板の反射光路中
の前記隣接画素からの透過光が前記平行平板の表裏面か
ら反射されて干渉する位置に第２の光検出器を配置する
とともに、前記第１の光検出器の出力から前記隣接画素
を透過した光の振幅比を求め、前記第２の光検出器の出
力から前記隣接画素を透過した光の位相差を検出するこ
とで、前記空間光変調素子の画素単位で、振幅と位相の
両特性を同時に測定することを特徴とする空間光変調素
子評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26597992A JP3170894B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 空間光変調素子評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26597992A JP3170894B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 空間光変調素子評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06117963A JPH06117963A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3170894B2 true JP3170894B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17424685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26597992A Expired - Fee Related JP3170894B2 (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 空間光変調素子評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170894B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101695034B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
| US8153987B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-04-10 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Automated calibration methodology for VUV metrology system |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26597992A patent/JP3170894B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06117963A (ja) | 1994-04-28 |
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