CN101136447A - 半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光器件，包括：具有凹陷的主体，在凹陷侧壁上提供有台阶；安装于凹陷内的半导体发光元件；以及树脂层。该树脂层覆盖主体凹陷内表面的至少一部分。该树脂层具有高于主体凹陷内表面反射率。

Description

半导体发光器件
交叉引用相关申请
本专利申请基于并要求于2006年8月31日提交的现有日本专利申请第2006-235744号的优先权；在此以提及方式并入其全部内容。
背景技术
半导体发光器件的应用正在快速地拓展到车载或其他灯、液晶显示器背光以及各种指示器。为了响应上述应用，基于用于发射蓝色或紫外光线的半导体发光元件的半导体发光器件在光输出方面已经取得了巨大的进步。出于减小尺寸的目的，用于上述应用的半导体发光器件通常被实施为表面安装器件(SMD)。
SMD型半导体发光器件包括由热塑树脂制成的模塑主体、引脚、密封树脂以及半导体发光元件。
然而，随着发光元件不断增加的输出，结果由上述半导体发光器件产生的光输出往往随着时间而降低。
JP2005-136379披露了具有涂层部件的半导体器件，该涂层部件不与半导体发光元件直接接触，以防止反射率和光输出的降低，同时防止半导体元件和模塑封装组件的剥离。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：引脚；包封引脚至少一部分的主体、具有凹陷的主体、提供于凹陷侧壁上的台阶；在暴露于凹陷内部的引脚上安装的半导体发光元件；覆盖主体凹陷内表面至少一部分并比主体凹陷内表面具有更高反射率的树脂层；以及提供于凹陷内的用于包封树脂层和半导体发光元件的密封树脂。
根据本发明的另一方面，提供了一种半导体发光器件，包括：具有凹陷的主体、提供于凹陷侧壁上的台阶；安装于凹陷内的半导体发光元件；以及覆盖主体凹陷内表面的至少一部分并比主体凹陷内表面具有更高反射率的树脂层。
附图说明
图1显示了根据第一个实例的半导体发光器件。
图2是说明含反射性填料的树脂层52功能的示意横切面图。
图3显示了根据第二个实例的半导体发光器件。
图4显示了在施用混有反射性填料的树脂后获得的状态。
图5是第二个实例的示意横切面图。
图6是显示比较实例中树脂变化的图片。
图7显示了根据第三个实例的半导体发光器件。
图8是显示外引脚变化的部分示意横切面图。
具体实施方式
现在将参照附图对本发明的实施例进行描述。
图1A是根据本发明第一个实例的半导体发光器件的示意平面图，图1B是沿着点划线AA剖切的示意横切面图。
半导体发光器件包括至少一个半导体发光元件10、主体50以及含反射性填料的树脂层52。更具体而言，半导体发光器件可以包括第一引脚22、第二引脚27、由热塑树脂或诸如此类制成的模塑主体50、含反射性填料的树脂层52以及密封树脂54。为便于描述，图1A中未显示含反射性填料的树脂层52和密封树脂54。
第一引脚22与由热塑树脂制成的模塑主体50被整体模压，且包括内引脚21和其外部的外引脚20。以相同方式被整体模压的第二引脚27也包括内引脚26和外引脚25。利用导电粘合剂或共晶焊料，诸如AuSn，将半导体发光元件10安装在第一引脚22的内引脚21的尖部。半导体发光元件10的电极(未显示)通过键合引线14与第二引脚27的内引脚26的尖部相连。如果半导体发光元件10的背面不需要电连接，可以使用非导电粘合剂代替导电粘合剂安装半导体发光元件10。
热塑树脂可以是耐热树脂，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)或其他尼龙树脂、聚苯硫醚(PPS)、或者液晶聚合物。从夹入模压、注塑、挤塑或诸如此类中选择合适的模压方法，取决于上述热塑树脂的类型。在本实例中，利用PPA材料通过夹入模压形成模塑主体50。如图1B所示，凹陷形成于模塑主体50的背面(图1B中的下面)。凹陷与用于对模塑主体50进行模压的树脂注入端口(门)对应。通过在凹陷底部提供一个门并将其从被注入的部分切除，有可能防止被切除部分处的毛头从后面突出出来，从而防止在将半导体发光器件安装到封装部件上时毛头短接封装部件。
除了半导体发光元件10的邻近区域外，由热塑树脂制成的模塑主体50的凹陷51的侧壁和底表面，以及暴露于凹陷51的内引脚21和26被含反射性填料的树脂层52所覆盖。含反射性填料的树脂层52可以由树脂制成，诸如硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、或丙烯酸酯树脂。
反射性填料可以由，例如，在蓝色波段具有高反射率的钛酸钾或氧化钛制成。此时，如果反射性填料重量上占25％或更多，由于其黏度太高，液态树脂的施用会很困难。如果反射性填料重量上占5％或更少，树脂太软，施用后会过分漫流。此外，光透射率变得太高，进入由热塑树脂制成的模塑主体50的透射光会大大增加。因此，反射性填料的量优选在占含反射性填料的树脂52的重量的5％到25％范围内。
可以将反射性填料形成，例如球形或纤维状。在纤维的情况下，长度可以是大约5到30μm。纤维反射填料可以具有相对较小的比重，因而可以降低含反射性填料的树脂层52中反射性填料的沉降。
用密封树脂54填充凹陷51以包封含反射性填料的树脂层52、半导体发光元件10以及键合引线14。密封树脂54可以由，例如硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或丙烯酸酯树脂制成。在填充后，通过热固化在100℃或更高温度下将密封树脂54成形。
沿凹陷51的周边提供有台阶53。树脂层52覆盖位于台阶53下方的凹陷51的整个内表面。台阶53便于将含反射性填料的树脂层52留在凹陷51侧壁的上部。台阶53可以减轻在回流安装工艺和温度循环过程中可能造成热塑树脂和密封树脂之间剥离的热应力。
图2是说明含反射性填料的树脂层52功能的示意横切面图。
由氮化物半导体，例如BxInyGazAl1-x-y-zN(其中0≤x<1，0≤y<l，0<z≤1，x+y+z≤1)制成的半导体发光元件10发出从紫外到绿色波段范围内的光线。
在上述光线中，Gl，、G2和G3被向密封树脂54的上方发射。另一方面，绝大多数横向发射的以G4表示的光线被覆盖凹陷51侧壁的含反射性填料的树脂层52反射并被指向上方。绝大多数以G5表示的指向凹陷51底表面的发射光线是进入到含反射性填料的树脂层52的入射光线，并被指向斜上方或上方。绝大多数G4和G5在反射后被向外发射，因而可以增加光提取效率。
可以将荧光粉分散在密封树脂54内以吸收从半导体发光元件10发射出来的紫外光到蓝光，并且可以从受激的荧光粉获得波长被转换的光。因此，从半导体发光元件10获得混合颜色的蓝光以及被例如黄色荧光粉转换波长的黄光。此时，在图2中，部分G4和G5在被从含反射性填料的树脂层52反射后，通过荧光粉被转换波长。如果蓝光波长为450nm，从受激黄色荧光粉发出发射光谱的具有580nm附近的峰，则获得作为混合颜色的白光。
黄色荧光粉的一个实例为硅酸盐荧光粉，用化学成分分子式表示为(Me1-yEuy)2SiO4(其中Me包括Ba，、Sr，、Ca和Mg中至少一种，且0<y≤l)。除利用黄色荧光粉之外，使用桔黄色或红色荧光粉可获得具有更加丰富的颜色再现的白光。因此，通过适当地选择荧光粉发射光谱和半导体发光元件10的发射波长，可以实现根据CIE(国际照明委员会)色品图上的各种颜色。
在本实例中，含反射性填料的树脂层52降低了照射到构成模塑主体50的热塑树脂上的蓝光的量。通常，蓝光可以很好地被热塑树脂所吸收。随着光输出的增加，被热塑树脂所吸收的能量增加，并导致热塑树脂的变化。近来的半导体发光元件10可以在超过几百mA的电流下运行，这增加了对降低蓝光吸收的需要。在本实例中，随着光提取效率的增加，含反射性填料的树脂层52充当降低热塑树脂中光能量吸收的作用。
接下来，描述引脚框。在本实例中，在其上安装有半导体发光元件10的内引脚21部分，向上突出并形成突出体23。也就是说，半导体发光元件10被安装在内引脚21的突出体23之上。这可以防止含反射性填料的树脂层52与半导体发光元件10接触。
例如，当在半导体发光元件10被安装到内引脚21上之前施用含反射性填料的树脂层52时，含反射性填料的树脂层52可以在半导体发光元件10的安装部分上漫流，并且与半导体发光元件10的安装干涉(如果没有提供突出体23)。在上述情况下，当半导体发光元件10在其背面也具有电极时，在上述电极和内引脚21之间也会***含反射性填料的树脂层52，使电连接不充分。因此，在键合引线14被键合的内引脚26的键合区内也需要避免含反射性填料的树脂层52的侵扰。
另一方面，当在安装半导体发光元件10后施用含反射性填料的树脂层52时，含反射性填料的树脂层52可以被入侵式地贴附在半导体发光元件10的侧壁或上部，并阻碍光从半导体发光元件10发射(如果不提供突出体23的话)。
在本实例中，内引脚21具有突出体23，且半导体发光元件10被安装在突出体23上。这可以防止半导体发光元件10与含反射性填料的树脂层52接触。突出体23的平面形状通常可以是图1A中所说明的圆形，或者可以是椭园形、多边形或其他形状。
当包括第一引脚22和第二引脚27在内的引线框是由例如铜(Cu)合金制成时，可以有利地获得高热导率。通过电镀或其他方法在其表面上获得的涂层可以提高反射率和焊料键合强度。涂层材料的一个实例是按镍(Ni)、钯(Pd)和金(Au)这一顺序的层压体。在这种情况下，镍、钯和金的大致厚度分别可以为1μm、0.03μm、和0.008μm。
第一引脚22和第二引脚27厚度为大约0.25mm，突出体23的高度为大约0.1mm，直径为1mm，凹陷51的深度为大约0.9mm。包括突出体23在内的这一引线框结构可以通过压力加工而形成。
图3A是根据第二实例的半导体发光器件的示意平面图。图3B是沿点划线BB剖切的示意横切面图，图3C显示了等效电路。与图1中所示相似的组件被标以相同的参考数字，而没有详细描述。
在本实例中，利用导电或非导电粘合剂或共晶焊料诸如AuSn，将半导体发光元件10安装在构成引脚30的内引脚29的突出体31之上。引脚37和引脚40被平行于引脚30放置，使得尖部彼此相对。
在构成引脚37的内引脚36的尖部安装了齐纳二极管12。齐纳二极管12的电极之一通过键合引线16与引脚40的内引脚39的尖部相连。半导体发光元件10的电极之一通过键合引线15与引脚37的内引脚36相连，其他电极通过键合引线14与引脚40的内引脚39相连。正如在图3C中所说明的，引脚37和引脚40分别充当半导体发光元件10的阳电极和阴电极。
齐纳二极管12保护半导体发光元件10不受静电击穿。也就是说，当将过量的前向冲击电流施加到半导体发光元件10时，超过齐纳二极管12反向耐压的冲击电流被吸收以保护半导体发光元件10。
在本实例中，由热塑树脂制成的模塑主体50的凹陷51的侧壁和底表面，除了半导体发光元件10邻近区域外，被含反射性填料的树脂层52所覆盖。此时，内引脚36的尖部和内引脚39的尖部暴露于凹陷51的底表面，内引脚29内的半导体发光元件10的非安装区域被含反射性填料的树脂层52所覆盖。同样在本实例中，随着光提取效率的提高，含反射性填料的树脂层52充当降低热塑树脂内光能量吸收的作用。
在本实例中，从沿平行于点划线BB剖切并包括半导体发光元件10的中心的横切面图可以看出，半导体发光元件10具有几乎双边对称的结构。因此，由热收缩导致的应力以及引脚30和密封树脂54相对于半导体发光元件10的膨胀变成双边相等。这充当了降低芯片剥离和破裂以及提高可靠性的作用。
图4A是在施用取自上述混有反射性填料的树脂后获得的状态的图片，图4B是取景凹陷51的横切面的图片。
混有反射性填料的树脂被施用到除半导体发光元件10以外的凹陷51内的区域。此时，就内引脚29具有直径为1mm的突出体31的结构而言，半导体发光元件10如图3所示被安装到突出体31上，防止含填料的液态树脂与如上所述的半导体发光元件10直接接触是可能的，并且可以如图4A所示可靠地施用树脂。
此外，凹陷51被填充以树脂以包封半导体发光元件10、齐纳二极管12、键合引线14、15、16和含反射性填料的树脂52，树脂经热固化形成密封树脂54。至于第一个实例，将荧光粉分散在密封树脂54中也是可行的。
图5是沿图3A的点划线CC剖切的示意横切面图。
当混有填料的树脂层52被施用到半导体发光器件的凹陷51的内表面时，液态树脂会向下流动。那么含反射性填料的树脂层52很难存留在凹陷51侧壁的上部分，且热塑树脂很可能被发射的光照射。为了防止因上述照射导致的树脂退化，含反射性填料的树脂层52也需要被留在侧壁的上部。
为此目的，如图5所示，在离模塑主体50的上部0.2mm处沿凹陷51上部的圆周提供了台阶53。则含反射性填料的树脂层52不仅在凹陷底部的转角处而且在台阶53的转角处以及台阶53上方的凹陷51的侧壁上被汇集起来。这便于将含反射性填料的树脂层52留在甚至是凹陷51侧壁的上部。此外，台阶53可以减轻在回流安装工艺和热循环中可能造成热塑树脂和密封树脂之间剥离的热应力。台阶53不限于凹陷51侧面上的单一台阶，而是可以提供多个台阶。也就是说，通过在凹陷51侧面上提供多个台阶53，可以将含反射性填料的树脂层52更可靠地保留在凹陷51的侧面上，而且可以获得减轻热应力的上述效果。
台阶53的位置可以高于例如引线14的最高位置，如图1B所示，或者可以被放置于引线14的最高位置与图1B中半导体发光元件10的上部之间。在仅提供单一台阶53的情况下，通过在凹陷51侧壁垂直中间处的周围提供台阶53，可以将含反射性填料的树脂层52有效地留在凹陷51的侧壁上。在提供两个台阶53的情况下，可以适当地提供上述台阶53以将凹陷51的侧面垂直地分成三份。图5中所示部分的尺寸仅用于说明。更大或较小的尺寸也是可以接受的。
接下来，详细描述因蓝光的直接照射而造成的热塑树脂的退化。
首先，在85℃的高温条件下，操作电流为150mA时，在激发被持续1000小时后，本实例具有含反射性填料的树脂层52的半导体发光器件产生出99％的残余亮度比。另一方面，在相同条件下，不具有含反射性填料的树脂层的比较实例的半导体发光器件的残余亮度比低至90％。
此外，在60℃/90％的高温高湿条件下，操作电流为150mA时，在激发被持续1000小时后，本实例的半导体发光器件产生出97％的残余亮度比。另一方面，在相同条件下，比较实例的半导体发光器件的残余亮度比低至75％。也就是说，可以肯定的是在本实例中，运行寿命可以被延长。
图6显示了说明热塑树脂退化的比较实例的图片及示意图，其中图6A是取景密封树脂上方的图片，图6B是经高温激发1000小时后退化的半导体发光器件的凹陷侧壁的图片，图6C和6D是部分放大的图片，图6E是显示于图6D中的表示位置的示意横切面图。
如图6D中所说明的，在比较实例中，经蓝光照射的热塑树脂的表面被退化，造成裂纹和变色。这导致光反射率的降低。此外，更加可能发生热塑树脂与密封树脂之间的剥离。相反，在本实例中，由于含反射性填料的树脂层52反射蓝光，可以防止对热塑树脂的照射。此外，鉴于含反射性填料的树脂层52稳定的反射率，可以限制光输出的降低。也可以防止热塑树脂和密封树脂之间的剥离。
为增加凹陷51内部的光反射率，增加暴露的内引脚的光反射率也是可能的。
也就是说，内引脚的表面可以镀以银(Ag)或金(Au)，以增加凹陷内部的光反射率。然而，当银在400到500nm波长范围内具有高达85％至92％的反射率时，Ag会因蓝光的照射而再结晶，而反射率降低。随着运行时间的推移，这造成光输出的降低。此外，具有暴露的Ag的外引脚需要外部电镀以焊料或Au涂层以防止氧化，从而增加了元件的成本。而且，尽管对于抵抗蓝光来说，Au比Ag更稳定，Au在400到500nm波长范围内具有低至39到58％的反射率。
与分别增加如上所述的热塑树脂和内引脚的光反射率的方法形成对比，本实例允许热塑树脂和内引脚共同被覆盖以含反射性填料的树脂，从而可以简化工艺。此外，随着光提取效率的增加，通过延长运行寿命可以确保高的可靠性。
图7A是根据第三个实例的半导体发光器件的示意平面图，图7B是沿点划线AA剖切的示意横切面图。对于图7，与如上参照图1到6所描述的元件相似的元件被标以相同的参照数字，而没有详细描述。
本实例是基于所谓的倒装焊结构。更具体而言，在半导体发光元件10的背面形成一对电极，金属凸点11分别与上述电极相连。金属凸点11分别与内引脚21、26相连。也就是说，金属凸点11充当安装半导体发光元件10并同时确保电连接的作用。同样，在倒装焊结构中，如上参照图1到6所述，可以在凹陷51内部提供含反射性填料的树脂层52以防止热塑树脂的退化和改变，并长期获得稳定的光输出。
同样在本实例中，可以在内引脚21、26上提供突出体23、28，以防止含反射性填料的树脂层52与半导体发光元件10接触。当在安装半导体发光元件10后形成厚的金属凸点11并且进行施用含反射性填料的树脂层52的工艺时，不必用突出体23、28来避免问题，诸如因含反射性填料的树脂层52和半导体发光元件10之间的接触而造成光提取的降低，以及因含反射性填料的树脂层52的干涉而造成半导体发光元件10与引脚之间接触失效。
接下来，描述外引脚的变型。
图8是外引脚邻近区域的示意部分横切面图，其中图8A显示上述的实例，图8B和8C显示其变型。
图8A显示第一个实例的被称作鸥翼或Z形弯角的外引脚25。图8B和8C中所示的外引脚分别被称作J形弯角和多弯角。希望的是，依照应用及安装基片，从中选择合适的外引脚构型。
在安装半导体发光器件的工艺中，组合引线框被用来进行半导体元件的安装、引线键合、夹入模压以及树脂密封。然后引线框被切割并按需要弯曲成上述构形。从而，完成图1或3的半导体发光器件。
在本实例中，描述了半导体发光器件，该半导体发光器件配有基于氮化物半导体的半导体发光元件。然而，该半导体发光器件可以基于其他材料。例如，基于InGaAlP或AlGaAs，半导体发光器件可以配有500到700nm频带内的半导体发光元件，即，由绿色到红色频带。
参照附图已经描述了本发明的实施例。然而，本发明不限于此。例如，从不同方面适用于本领域技术人员的半导体发光元件的材料、形状和尺寸、构成半导体发光器件的模塑主体、树脂、填料、荧光粉以及引脚，也被包括在本发明的范畴内，只要它们不偏离本发明的精神实质。

Claims (12)

1.一种半导体发光器件，包括：
引脚；
包封引脚至少一部分的主体，该主体具有凹陷，在凹陷侧壁上提供有台阶；
安装于暴露在凹陷内部的引脚上的半导体发光元件；
树脂层，其覆盖主体的凹陷的内表面至少一部分，并且具有的反射率高于主体的凹陷的内表面的反射率；以及
提供于凹陷内以包封树脂层和半导体发光元件的密封树脂。
2.根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述引脚具有突出体，且半导体发光元件被安装在引脚的突出体上。
3.根据权利要求2的半导体发光器件，其中树脂层不与半导体发光元件接触。
4.根据权利要求1的半导体发光器件，其中树脂层在台阶上延伸。
5.根据权利要求1的半导体发光器件，其中树脂层含有球形反射性填料和纤维反射性填料中的至少一个。
6.一种半导体发光器件，包括：
具有凹陷的主体，在凹陷侧壁上提供有台阶；
安装于凹陷内的半导体发光元件；以及
树脂层，其覆盖主体的凹陷的内表面至少一部分，并且其具有的反射率高于主体的凹陷的内表面的反射率。
7.根据权利要求6的半导体发光器件，其中半导体发光元件被安装在提供于凹陷底表面上的突出体上。
8.根据权利要求1、3、6、7中任一项的半导体发光器件，其中台阶提供在侧壁的垂直中间处。
9.根据权利要求1、6中任一项的半导体发光器件，其中树脂层含有钛酸钾和氧化钛中的至少之一。
10.根据权利要求1、6中任一项的半导体发光器件，其中在侧壁上提供有多个台阶。
11.根据权利要求9的半导体发光器件，其中，树脂含有反射性填料的量按重量为5％-25％。
12.根据权利要求1、6中任一项的半导体发光器件，其中树脂层覆盖位于台阶下方的凹陷的整个内表面。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101867008A (zh) * 2010-05-17 2010-10-20 中山大学佛山研究院 一种可自释放应力的led封装模块
CN102280532A (zh) * 2010-12-08 2011-12-14 连得科技股份有限公司 一种发光二极管的smd双色导线架制造方法
CN102290497A (zh) * 2010-10-13 2011-12-21 连得科技股份有限公司 一种发光二极管的smd导线架制造方法
CN102315207A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN102630346A (zh) * 2009-11-25 2012-08-08 欧司朗光电半导体有限公司 用于光电子构件的壳体和用于制造壳体的方法
CN102754229A (zh) * 2010-02-09 2012-10-24 日亚化学工业株式会社 发光装置、及发光装置的制造方法
CN101752355B (zh) * 2008-11-28 2012-10-31 夏普株式会社 发光装置
CN102760816A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2012149698A1 (zh) * 2011-05-03 2012-11-08 深圳市华星光电技术有限公司 Led封装结构及液晶显示器
CN102804361A (zh) * 2010-03-15 2012-11-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于其的制造方法
CN102891241A (zh) * 2012-06-21 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架、贴片式led及其制作方法
CN102956796A (zh) * 2011-07-15 2013-03-06 财团法人成大研究发展基金会 发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具
CN103199178A (zh) * 2009-01-30 2013-07-10 日亚化学工业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
CN103219447A (zh) * 2013-03-20 2013-07-24 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Top-led封装器件及其制备方法
CN103762292A (zh) * 2014-01-17 2014-04-30 桂林电子科技大学 一种使用低反光的黑色emc塑封材料达到高反光效果的led封装工艺
CN103460413B (zh) * 2011-04-08 2016-06-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法和这样制造的器件
CN106449621A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 一种led封装方法及其结构
CN110289341A (zh) * 2019-06-12 2019-09-27 浙江英特来光电科技有限公司 一种与印刷线路板增加结合力的全彩smd led及其安装方法

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20100037163A (ko) * 2007-07-30 2010-04-08 샤프 가부시키가이샤 발광 장치, 조명 장치 및 조명 장치를 구비한 클린룸
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
KR101226777B1 (ko) * 2008-03-25 2013-01-25 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와, 그 제조 방법 및 장치
KR101209759B1 (ko) * 2008-03-26 2012-12-06 가부시키가이샤 시마네 덴시 이마후쿠 세이사쿠쇼 반도체 발광모듈 및 그 제조방법
JP2009272369A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Nec Lighting Ltd 発光装置およびその製造方法
KR20100003320A (ko) * 2008-06-24 2010-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
DE102008048259A1 (de) * 2008-09-22 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil
JP4897981B2 (ja) 2008-12-26 2012-03-14 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置
KR20100080423A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2010161139A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Toshiba Corp 発光装置
JP2010177443A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置及び発光モジュール
JP2014158052A (ja) * 2009-01-30 2014-08-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR101117616B1 (ko) 2009-10-15 2012-03-09 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 패키지
CN106449937B (zh) * 2009-10-29 2020-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2011096793A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Nichia Corp 発光装置
CN102714267B (zh) * 2009-11-19 2015-05-20 住友化学株式会社 半导体用封装以及散热形引线框架
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
TWI509838B (zh) * 2010-04-14 2015-11-21 Pang Ming Huang 具氟化聚合物之表面塗層的發光二極體外殼及其發光二極體結構
JP5535750B2 (ja) 2010-04-30 2014-07-02 ローム株式会社 発光素子モジュール
WO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US20130043502A1 (en) * 2010-05-31 2013-02-21 Panasonic Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
DE102010024864B4 (de) 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5861636B2 (ja) * 2010-08-31 2016-02-16 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP5644352B2 (ja) * 2010-10-15 2014-12-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5886584B2 (ja) * 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101230622B1 (ko) * 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP5724573B2 (ja) * 2011-04-19 2015-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014011029A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
CN102881800A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JPWO2013011628A1 (ja) * 2011-07-19 2015-02-23 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5848114B2 (ja) * 2011-12-20 2016-01-27 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6078948B2 (ja) 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
EP2879195A4 (en) * 2012-07-27 2016-01-20 Konica Minolta Inc LED DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP6001956B2 (ja) * 2012-08-10 2016-10-05 株式会社東芝 半導体装置
JP6171295B2 (ja) * 2012-09-27 2017-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6056336B2 (ja) * 2012-09-28 2017-01-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2014184757A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with an optical element and a reflector
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6232792B2 (ja) * 2013-07-17 2017-11-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9142745B2 (en) * 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US9257616B2 (en) 2013-08-27 2016-02-09 Glo Ab Molded LED package and method of making same
JP6237174B2 (ja) * 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6621990B2 (ja) * 2014-01-16 2019-12-18 スタンレー電気株式会社 紫外発光ダイオード
JP2015225942A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
JP6369266B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101888608B1 (ko) * 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
JP5949875B2 (ja) * 2014-11-06 2016-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2016100385A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 パイオニア株式会社 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法
JP6206442B2 (ja) * 2015-04-30 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
JP6332342B2 (ja) * 2015-08-20 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9859480B2 (en) 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US9865779B2 (en) 2015-09-30 2018-01-09 Nichia Corporation Methods of manufacturing the package and light-emitting device
JP6536325B2 (ja) * 2015-09-30 2019-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3174088B1 (en) * 2015-11-26 2020-12-30 Siyang Grande Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a plastic packaged smd diode
JP6728676B2 (ja) * 2015-12-26 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6213582B2 (ja) 2016-01-22 2017-10-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10403792B2 (en) 2016-03-07 2019-09-03 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP6533766B2 (ja) * 2016-09-07 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6555243B2 (ja) 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6555242B2 (ja) 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
US10854787B2 (en) * 2017-08-03 2020-12-01 Osam Oled Gmbh Component having boundary element
JP7139111B2 (ja) * 2017-12-22 2022-09-20 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2020003789A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP7453553B2 (ja) 2018-12-28 2024-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2019087763A (ja) * 2019-03-01 2019-06-06 パイオニア株式会社 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法
DE102019211550A1 (de) * 2019-08-01 2021-02-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein strahlungsemittierendes bauelement, verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements und strahlungsemittierendes bauelement
CN115720685A (zh) * 2021-06-24 2023-02-28 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制作方法、背光模组、显示装置
JP7469722B2 (ja) 2022-07-08 2024-04-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP2003282935A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sharp Corp 光結合素子、その製造方法、及び電子機器
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
US20040156195A1 (en) * 2002-10-16 2004-08-12 Robertson Jonas J. Illuminated acrylic flashlight and tool chest light utility light
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
JP4493013B2 (ja) 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP3895362B2 (ja) * 2004-01-29 2007-03-22 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源
JP4574248B2 (ja) * 2004-06-28 2010-11-04 京セラ株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752355B (zh) * 2008-11-28 2012-10-31 夏普株式会社 发光装置
CN103199178B (zh) * 2009-01-30 2016-12-28 日亚化学工业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
CN103199178A (zh) * 2009-01-30 2013-07-10 日亚化学工业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
CN102630346A (zh) * 2009-11-25 2012-08-08 欧司朗光电半导体有限公司 用于光电子构件的壳体和用于制造壳体的方法
US9006773B2 (en) 2009-11-25 2015-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component and method for producing a housing
CN102754229A (zh) * 2010-02-09 2012-10-24 日亚化学工业株式会社 发光装置、及发光装置的制造方法
CN102804361A (zh) * 2010-03-15 2012-11-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于其的制造方法
CN102804361B (zh) * 2010-03-15 2016-02-24 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于其的制造方法
CN101867008A (zh) * 2010-05-17 2010-10-20 中山大学佛山研究院 一种可自释放应力的led封装模块
CN101867008B (zh) * 2010-05-17 2012-11-21 中山大学佛山研究院 一种可自释放应力的led封装模块
CN102315207B (zh) * 2010-07-01 2015-11-25 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN102315207A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN102290497A (zh) * 2010-10-13 2011-12-21 连得科技股份有限公司 一种发光二极管的smd导线架制造方法
CN102280532A (zh) * 2010-12-08 2011-12-14 连得科技股份有限公司 一种发光二极管的smd双色导线架制造方法
CN103460413B (zh) * 2011-04-08 2016-06-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子器件的方法和这样制造的器件
CN102760816A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2012149698A1 (zh) * 2011-05-03 2012-11-08 深圳市华星光电技术有限公司 Led封装结构及液晶显示器
CN102956796A (zh) * 2011-07-15 2013-03-06 财团法人成大研究发展基金会 发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具
CN102891241A (zh) * 2012-06-21 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架、贴片式led及其制作方法
CN102891241B (zh) * 2012-06-21 2015-07-08 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架、贴片式led及其制作方法
CN103219447A (zh) * 2013-03-20 2013-07-24 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Top-led封装器件及其制备方法
CN103219447B (zh) * 2013-03-20 2016-05-25 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Top-led封装器件及其制备方法
CN103762292A (zh) * 2014-01-17 2014-04-30 桂林电子科技大学 一种使用低反光的黑色emc塑封材料达到高反光效果的led封装工艺
CN106449621A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 一种led封装方法及其结构
CN110289341A (zh) * 2019-06-12 2019-09-27 浙江英特来光电科技有限公司 一种与印刷线路板增加结合力的全彩smd led及其安装方法

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