CN102315207B - 发光器件封装 - Google Patents

发光器件封装 Download PDF

Info

Publication number
CN102315207B
CN102315207B CN201110191007.2A CN201110191007A CN102315207B CN 102315207 B CN102315207 B CN 102315207B CN 201110191007 A CN201110191007 A CN 201110191007A CN 102315207 B CN102315207 B CN 102315207B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
light emitting
emitting device
extension
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110191007.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102315207A (zh
Inventor
尹载畯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102315207A publication Critical patent/CN102315207A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102315207B publication Critical patent/CN102315207B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供了一种发光器件封装，该发光器件封装包括：发光器件，该发光器件包括至少一个发光二极管；以及本体，该本体包括第一引线框架和第二引线框架，所述发光器件安装在该第一引线框架上，该第二引线框架与第一引线框架间隔开，其中，第一引线框架和第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域，然后沿着与第一方向交叉的第二方向弯曲。

Description

发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年7月1日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2010-0063563的优先权，该韩国专利申请的公开内容在此通过引用的方式并入。
技术领域
本发明涉及一种发光器件封装。
背景技术
发光器件例如可以包括发光二极管(LED)，发光二极管(LED)是能够将电能转换成光的半导体器件。
包括发光器件的侧视型发光器件封装具有紧凑而纤细的本体。这种发光器件封装已经应用在膝上型计算机、监视器、电视机和各种其它显示装置中。
然而，侧视型发光器件封装的纤细本体存在一定问题，限制了能够安装的发光器件的尺寸和数目。
此外，由于其本体的尺寸很紧凑，所以该发光器件封装的本体或者在该本体中填充的树脂材料易于因为热和光而发生热分解。
此外，当减少该发光器件封装的尺寸时，其本体的尺寸以及引线框架的尺寸和厚度受到限制。
近年来，对于在引线框架朝向本体的外表面弯曲时防止对发光器件封装的本体造成损坏方面的研究已经取得了进展。
发明内容
实施例提供一种发光器件封装，其能够在引线框架弯曲时有效防止对发光器件封装造成的损坏。
根据一个实施例，提供了一种发光器件封装，包括：发光器件，该发光器件包括至少一个发光二极管；以及本体，该本体包括第一引线框架和第二引线框架，所述发光器件安装在该第一引线框架上，该第二引线框架与第一引线框架间隔开，其中，所述第一引线框架和第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域，然后沿着与该第一方向交叉的第二方向弯曲。
根据另一实施例，提供了一种发光器件封装，包括：发光器件，该发光器件包括至少一个发光二极管；以及本体，该本体包括第一引线框架和第二引线框架，所述发光器件安装在该第一引线框架上，该第二引线框架与第一引线框架间隔开，
其中，所述第一引线框架和第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域，然后沿着与该第一方向交叉的第二方向弯曲，并且其中，所述本体具有与所述发光器件邻近的多个内表面，并且所述多个内表面中的第一内表面和第二内表面中的至少一个设置有延伸部，该延伸部在朝向发光器件的方向上延伸并且与所述第一引线框架及第二引线框架中的至少一个引线框架的上部接触。
根据实施例，以如下方式来执行在该发光器件封装处设置的引线框架的弯曲：即，引线框架超出封装本体的外表面地向外延伸，然后经受弯曲而与本体的外表面齐平，有利地，这可以使引线框架弯曲时对本体造成的损害最小。
此外，根据实施例，这些发光器件设置在引线框架上从而在本体的纵向中心轴线上对准，这可以提高从小型发光器件封装发射的光的亮度均匀性。
附图说明
将参考以下附图来详细描述实施例，其中相同的附图标记表示相同的元件，其中：
图1是图示了根据第一实施例的发光器件封装的顶部透视图；
图2是图示了在图1所示的发光器件封装中包括的引线框架的构造的平面图；
图3是图示了引线框架被朝向图1所示的发光器件封装的本体的外表面弯曲的状态的平面图；
图4是图示了图1所示的第一引线框架的构造的视图；
图5是图示了图1所示的第二引线框架的构造的视图；
图6是图示了本体和上电极之间的布置关系的参考图；
图7是图示了本体和下电极之间的布置关系的参考图；
图8是图示了当下电极在从本体向内的位置处弯曲时发生破裂的可能性的构想图；
图9是图示了发光器件和静电放电(ESD)器件之间的连接的参考图；
图10是图示了包括在根据实施例的发光器件封装中的发光器件之间的布线的参考图；
图11是图示了图1所示的发光器件封装的第二实施例的平面图；
图12是图示了图11所示的发光器件封装的本体的内表面的局部透视图；
图13是图示了包括根据实施例的发光器件封装的背光单元的第一实施例的透视图；
图14是图示了包括根据实施例的发光器件封装的、背光单元的第二实施例的透视图；并且
图15是图示了包括根据实施例的发光器件封装的、照明设备的透视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图来详细描述示例性实施例，其中，在说明书和附图的所有地方均使用相同的附图标记来表示相同或基本相同的器件。应当理解，在这些图中，当一个层(或者膜、区域、图案或基板)被称为在另一个层(或者膜、区域、图案或基板)“上”或“下”时，它可以直接位于另一个层(或者膜、区域、图案或基板)上或下，或者也可以存在有中间层。
在这些图中，为了图示的清楚起见，各个层或膜的尺寸(例如大小或厚度)可以被夸大、省略或示意性地示出。因此，这些图中的器件的尺寸并不完全反映各个器件的真实尺寸。
在此描述的角度和方向是以图中示出的那些角度和方向为基础的。未在这里清楚描述的LED阵列结构的角度和位置的基准点是以图中示出的那些基准点为基础的。
图1是图示了根据第一实施例的发光器件封装的顶部透视图，图2是图示了在图1所示的发光器件封装中包括的引线框架的构造的平面图，而图3是图示了引线框架被朝向图1所示的发光器件封装的本体的外表面弯曲的状态的平面图。
参考图1至图3，该发光器件封装包括发光器件30、40、50以及本体10，该本体10包括第一引线框架92和第二引线框架91，发光器件30、40和50设置在第一引线框架92上，该第二引线框架91与第一引线框架92分隔开，本体10在内部、在第一引线框架92和第二引线框架91之上限定有空腔20。
所述多个发光器件30、40和50可以设置在第一引线框架92上并且在本体10的纵向中心轴线R上对准。
可以设置有耐受外部ESD冲击的静电放电(ESD)器件60，以防止对发光器件30、40和50造成损坏。
在此情形中，ESD器件60可以与发光器件30、40和50中的至少一个并联。
与第一引线框架92设有单个发光器件(未示出)时相比，当设有多个发光器件30、40和50时，能够减小每个发光器件的尺寸、发光量和发热量。
例如，如果第一引线框架92设有单个0.3W级发光器件，则0.3W级发光器件的尺寸、发光量和发热量必然大于0.1W级发光器件的尺寸、发光量和发热量。
当利用三个0.1W级发光器件来代替单个0.3W级发光器件时，每个0.1W级发光器件的发光量和发热量大致为0.3W级发光器件的发光量和发热量的三分之一。
在假定同一制造商使用同一技术制造出不同种类的发光器件封装的情况下，将能清楚地理解以上描述。
因此，在该实施例中，每个均具有较低功率的多个发光器件30、40和50可以设置在第一引线框架92上，并沿着中心轴线R以预定的间隔布置。
利用这种构造，由发光器件30、40和50产生的光和热能够以遍布在整个空腔20内的方式均匀分布，这能够使本体10、空腔20或者在空腔20中填充的树脂材料(未示出)的热分解最小化。
空腔20具有开口，从发光器件30、40和50发射的光通过该开口，被引导到外部。可以将树脂材料填充到空腔20中，以将发光器件30、40和50与外界隔离或者改变从发光器件30、40和50发出的光的属性。
该树脂材料可以包括磷光体和光漫射材料中的至少一种。
根据从发光器件30、40和50发射的光的波长，该树脂材料可以含有一种磷光体或者含有两种或更多种磷光体。
可替代地，该树脂材料可以包括含有磷光体的第一树脂材料(未示出)和不含磷光体的第二树脂材料，所述第一树脂材料和第二树脂材料彼此叠置在空腔20内。
例如，如果发光器件30、40和50适于发射蓝色光并且根据实施例的发光器件封装要求发射白光，则该树脂材料可以包含黄色磷光体。当然，可以根据从发光器件封装发射的光的期望波长来确定该树脂材料中含有的磷光体。
发光器件30、40和50可以共同连接到单个ESD器件60。
该ESD器件60可以保护根据实施例的发光器件免于过压、电涌、静电和其它噪声。
ESD器件60可以是齐纳(Zener)二极管、压敏电阻(Varistor)或者瞬态电压抑制(TVS)二极管。在本实施例中，在第二引线框架91上设有单个ESD器件60。
发光器件30、40和50具有连接在一起的阳极端子和连接在一起的阴极端子。
具体地，发光器件30的阳极端子、发光器件40的阳极端子、和发光器件50的阳极端子具有共同连接点。类似地，发光器件30、40和50的阴极端子也具有共同连接点。
ESD器件60连接到发光器件30、40和50的共阳极端子，例如连接到第二引线框架91，并且还连接到发光器件30、40和50的共阴极端子，例如连接到第一引线框架92。利用这种连接，与ESD器件连接到多个发光器件中的每一个发光器件的传统ESD器件连接方法相比，能够最小化该ESD器件60的面积。
如上所述，在根据实施例的发光器件封装中，三个发光器件30、40和50可以设置在第一引线框架92上，并且单一ESD器件60可以设置在第二引线框架91上。
第一引线框架92可以包括暴露于本体10的外部并且与发光器件30、40和50的共阴极端子相对应的下电极80。第二引线框架91可以包括暴露于本体10的外部并且与发光器件30、40和50的共阳极端子相对应的上电极70。
上电极70从本体10的纵向上表面处暴露，从而把由发光器件30、40和50产生的热量的一部分散发到空气中。下电极80适于通过印刷电路板(未示出)来发出热量，当根据该实施例的发光器件封装被焊接到该印刷电路板(未示出)时，该印刷电路板电连接到下电极80。
上电极70的部分区域嵌入在空腔20中并且连接到各个发光器件30、40和50的阳极端子或阴极端子中的任一个。暴露于本体10外部的上电极70的其余区域朝向本体10的纵向外表面15弯曲。
在此情形中，如果上电极70的弯曲区域BD没有足够地支承本体10，例如，如果上电极70未能支承本体10，则使得本体10变得与上电极70分离，则本体10可能由于在本体10和上电极70之间的间隙而破裂。
另外，因为上电极70的弯曲区域BD被围绕用作支点的本体10弯曲，所以本体10的与弯曲区域BD接触的部分可能会损坏或凹陷，或者可能在上电极70弯曲时破裂。
为了防止本体10在上电极70的弯曲区域BD处凹陷或破裂，优选在使上电极70朝向本体10的外表面15弯曲之前，先使上电极70超过本体10的外表面15地向外延伸。
并且，第一引线框架92和第二引线框架91中的至少一个引线框架相对于本体10的外表面15以一定的弯曲角度(未示出)弯曲，并且该弯曲角度在30度到90度的范围内。
在图2中，上电极70被图示为超出本体10的外表面15地向外延伸一段预定长度t1。此后，如图3所示，上电极70可以朝向外表面15弯曲。
在上电极70朝向本体10的外表面15弯曲的状态下，上电极70的内表面优选与本体10的外表面15齐平，并且上电极70的外表面优选向外高于本体10的外表面15。
可以基于上电极70的厚度来确定上电极70超出本体10的外表面15的预定长度t1。
在该实施例中，上电极70超出外表面15的预定长度t1可以是上电极70的厚度的0.7倍至0.9倍。
例如，如果假设上电极70的厚度是1mm，则上电极70以0.7mm至0.9mm的预定长度t1从外表面15延伸，然后朝向外表面15弯曲，从而如图3所示地与外表面15形成紧密接触。
采用上电极70的厚度的0.7倍至0.9倍的比率是为了允许上电极70以与上电极70的厚度成比例的方式从外表面15延伸。
即，考虑到以下事实来确定该预定长度t1：即，上电极70的厚度越大，则上电极70的弯曲区域BD的内表面和外表面之间的距离越大。
因此，在该实施例中，考虑到该弯曲区域BD的内表面和外表面之间的、增加的距离，作为使上电极70在本体10的外表面15处直接弯曲的替代，在上电极70朝向本体10的外表面15弯曲之前，先使上电极70以其厚度的0.7倍至0.9倍的预定长度t1从上电极70及本体10之间的界面处延伸。这允许上电极70的内表面与本体10无间隙地形成紧密接触，防止了当上电极70向本体10施加过大的力时而对本体10造成的损坏。
图1到图3图示了朝向本体10弯曲该上电极70的操作。然而，当然应该理解，也能够使下电极80以与上电极70相同的方式朝向本体10弯曲。
类似地，下电极80能够以其厚度的0.7倍至0.9倍的长度从下电极80和本体10之间的界面处延伸，然后朝向本体10的相应外表面弯曲。下电极80的描述将由上电极70的弯曲操作代替。
再次参考图2，三个发光器件30、40和50可以布置在第一引线框架92的中心轴线R上，第二引线框架91可以布置在发光器件30、40和50的上侧，而第一引线框架92可以布置在发光器件30、40和50的下侧。
第二引线框架91可以是发光器件30、40和50的共阳极端子和共阴极端子中的任一个，而第一引线框架92可以是发光器件30、40和50的共阳极端子和共阴极端子中的另一个。
假设发光器件30、40和50分别具有阳极端子和阴极端子，则发光器件30、40和50的阳极端子和阴极端子可以分别共同连接到第一引线框架92和第二引线框架91。
可以在第二引线框架91和第一引线框架92之间设置有绝缘坝(insulatingdam)100，以使引线框架91和92电绝缘。
虽然图中未示出，但其间***有绝缘坝100的第二引线框架91和第一引线框架92可以分别设有用于发光器件30、40、50与ESD器件60(例如齐纳二极管)的电连接的多个焊盘(未示出)。稍后将参考附图来详细描述这一点。
图4是图示了图1所示的第一引线框架的构造的视图，而图5是图示了图1所示的第二引线框架的构造的视图。
首先参考图4，当发光器件封装被焊接到印刷电路板(未示出)时，下电极80可以用来散发热量。
参考图5，上电极70和第二引线框架91可以采取金属板的形式。暴露于本体10外部的上电极70可以具有适合于实现增强的散热特性的U形形状。
优选地，当图4所示的第一引线框架92和图5所示的第二引线框架91彼此邻近地布置时，它们相互接合。
具体地，第二引线框架91和第一引线框架92可以彼此叠置地布置，从而第二引线框架91的向下突出的凸出区域91a和91b接合到第一引线框架92的凹部区域92a和92b中。
图6是图示了本体和上电极之间的布置关系的参考图，而图7是图示了本体和下电极之间的布置关系的参考图。
首先，参考图6，上电极70能够以上电极70的厚度t的0.8倍的预定长度从外表面15沿第一方向A向外延伸，之后可以弯曲成与外表面15齐平。
该图示出了上电极70，该上电极70以其厚度0.8倍的预定长度沿第一方向A延伸，似乎应从外表面15向外极大地凸升。然而，因为上电极70或下电极80的厚度在0.1mm至0.3mm的范围内，所以当上电极70以其厚度0.8倍(即80％)的长度延伸时，弯曲的上电极70看起来与外表面15基本齐平。
下面，参考图7，下电极80能够以与其厚度d2相等的长度沿第一方向A延伸，之后可以沿第二方向B弯曲，从而平行于本体10的外表面15。当下电极80在本体10的弯曲区域DB处开始沿第二方向B弯曲时，优选该下电极80的内表面的弯曲开始位置C1与本体10的边缘竖直对准。
但是，下电极80的外表面的弯曲开始位置C2不与本体10的边缘竖直对准。
下电极80的外表面的弯曲开始位置C2可以随着厚度d2而改变。
或者，该弯曲开始位置C2处设置有凹槽(未示出)，并且该凹槽具有V形或U形形状。
这允许下电极80在其弯曲期间向本体10施加最小的冲击并且足以支承该本体10。
如果弯曲开始位置C1以距离d1从本体10的边缘向内移位，则在本体10和下电极80之间的界面处出现间隙，从而在下电极80的相应位置处引起破裂。
并且，上电极70与外表面15之间的距离(未示出)是上电极70和下电极80中的至少一个电极的厚度的0.1倍至0.9倍。
或者，该距离等于所述预定长度。
现在将参考图8来描述当下电极80在从本体10向内移位的位置处开始弯曲时而引起的破裂。
图8概念性地图示了当下本体80在从本体10向内移位的位置处弯曲时破裂的可能性。
参考图8，当下电极80在从本体10向内移位的位置处开始弯曲时，在下电极80和本体10的弯曲区域DB之间出现了间隙D，这防止了下电极80支承所述本体10的弯曲区域DB。
因此，本体10的未受到下电极80支承的弯曲区域DB较不能抵抗外部冲击。随着间隙D的增大，弯曲区域DB越来越脱离于下电极80，由此更不能抵抗外部冲击。
因此，下电极80有必要被构造为：在弯曲区域DB和下电极80之间无间隙D的情况下支承该本体10的弯曲区域DB。
图9图示了根据实施例的、发光器件封装的发光器件和ESD器件之间的连接。这里，优选参考以前侧透视图示出了根据实施例的发光器件的图1来阅读以下对图9的描述。
参考图9，该发光器件封装包括发光器件30、40和50的共阳极端子和共阴极端子，从而仅这两个端子暴露于本体10的外部。
因为ESD器件60的两个端子连接到发光器件30、40和50的阴极端子和阳极端子，所以能够保护所有的发光器件30、40和50免于静电放电冲击。
虽然ESD器件60被图示为齐纳二极管，但当然也可以使用压敏电阻或TVS二极管。
这三个发光器件30、40、50以及单个ESD器件60、即这四个器件散布在本体10的整个底表面11上。在此情形中，发光器件30、40和50之间的距离可以大于图9所示的发光器件之间的距离，这使得发光器件30、40和50之间的热干扰较小。
图10是图示了包括在根据实施例的发光器件封装中的各个发光器件之间的布线的参考图。优选参考图1来阅读以下对图10的描述。
参考图10，第二引线框架91、第一引线框架92和绝缘坝100设置在底表面11上，该绝缘坝100使第一引线框架92和第二引线框架91相互电绝缘。
第二引线框架91和第一引线框架92由薄的金属膜或导电材料制成，以将发光器件30、40、50和ESD器件60相互电连接。
第二引线框架91和第一引线框架92彼此通过绝缘坝100隔开。第二引线框架91连接到上电极70，而第一引线框架92连接到下电极80。
第二引线框架91和第一引线框架92设置有多个焊盘102至108，以将发光器件30、40、50及ESD器件60焊接到第一引线框架92和第二引线框架91。
焊盘102、105和107电连接到第二引线框架91，而焊盘103、104、106和108电连接到第一引线框架92。
第二引线框架91和第一引线框架92彼此经由ESD器件60而连接。ESD器件60用于保护所有的发光器件30、40和50免受静电放电冲击。
焊盘102和焊盘104分别连接到发光二极管50的端子51和52，以便能够向发光二极管50的阳极端子和阴极端子供应电力。
焊盘105和焊盘106分别连接到发光二极管40的端子41和42，以便能够向发光二极管40的阳极端子和阴极端子供应电力。
焊盘107和焊盘108分别连接到发光二极管30的端子31和32，以便能够向发光二极管30的阳极端子和阴极端子供应电力。
这里，虽然可以将正电压和负电压分别施加到第二引线框架91和第一引线框架92，但也可与此相反，即，可把负电压和正电压分别施加到第二引线框架91和第一引线框架92。可以基于施加到第二引线框架91和第一引线框架92的电压的极性来改变发光器件30、40和50的极性。
例如，如果正电压被施加到第二引线框架91而负电压被施加到第一引线框架92，则发光器件50的端子51用作阳极端子而端子52用作阴极端子。类似地，发光器件40的端子41和42分别用作阳极端子和阴极端子。
绝缘坝100由硅树脂、环氧树脂或其它非导电材料制成。然而，如果第二引线框架91和第一引线框架92由金属制成，则绝缘坝100可以用于使第二引线框架91和第一引线框架92彼此绝缘。
图11是图示了图1所示的发光器件封装的第二实施例的平面图，而图12是图示了图11所示的发光器件封装的本体的内表面的局部透视图。
将不再描述或者将简要地描述图11中的与图1至图3重复的构造。
参考图11，本体10的多个相互交叉的内表面中的第一内表面和第二内表面(未示出)中的至少一个可以设置有从空腔20向内延伸的第一延伸部111和第二延伸部112，所述多个相互交叉的内表面形成了本体10的空腔20。
在本实施例中，第一延伸部111、第二延伸部112与第二引线框架91的上部接触。虽然本实施例中仅描述了两个延伸部，但延伸部的数目和位置不限于此。
第二引线框架91的上部附接到本体10的第一延伸部111和第二延伸部112，这允许第二引线框架91牢固地固定到本体10。
第一延伸部111和第二延伸部112可以通过注射成型而与本体10一体地形成，或者它们可以被分开地预制并然后联接到本体10，但本发明不限于此。
与本体10一体地形成的第一延伸部111和第二延伸部112可以为第二引线框架91提供更牢固的固定。
当尝试结合该第一延伸部111和第二延伸部112时，优选将第一延伸部111和第二延伸部112结合到本体10和第二引线框架91这两者，从而将第二引线框架91固定到本体10。
在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112彼此能够以100μm至400μm的距离分隔开。
第一延伸部111和第二延伸部112可以分别朝向发光器件50和发光器件40进一步延伸，以提高本体10的气密性。
第一延伸部111和第二延伸部112分别布置于在第二引线框架91上设置的焊盘105的左侧和右侧，并且第一延伸部111和第二延伸部112彼此以距离d3分隔开。
即，焊盘105位于第一延伸部111和第二延伸部112之间。为此，距离d3可以等于电极的宽度，例如可以设定为300μm。当然，距离d3可以根据该电极的尺寸而变化，并不限于上述值。
当存在位于焊盘105的左侧和右侧的第一延伸部111和第二延伸部112的情况下，第二引线框架91能够与本体10牢固地形成紧密接触。
另外，第一延伸部111和第二延伸部112允许第二引线框架91在无扭曲的情况下固定到本体10。
在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112可以与本体10一体地注射成型，或者可以结合到本体10。
虽然本实施例将第一延伸部111和第二延伸部112描述为嵌入在第二引线框架91的上部区域中，但第一延伸部111和第二延伸部112也可延伸到第二引线框架91的下部区域，从而甚至嵌入在第二引线框架91的下端区域中。
在第一延伸部111和第二延伸部112嵌入在第二引线框架91的局部区域中之后，可以将密封材料填充到空腔20中，以将第二引线框架91、第一引线框架92、绝缘坝100与外界隔离。填充到空腔20中的密封材料可以含有磷光体。
参考图12，第一延伸部111与本体10一体地形成，从而限定空腔20的局部外周表面，并且第一延伸部111嵌入在第二引线框架91的局部区域中。
第一延伸部111的纵向端部、即第一延伸部111的朝向第二引线框架91突出的远侧部分被图示为垂直于底表面11，第一延伸部111的纵向端部也可相对于底表面11倾斜或呈阶状。
优选的是，第一延伸部111和第二延伸部112的宽度比用于发光器件30、40和50的连接的焊盘(例如，焊盘105)的宽度大。而且，重要的是，焊盘105布置在第一延伸部111和第二延伸部112之间。
假设第二引线框架91的宽度是“d1”并且嵌入在第二引线框架91中的第一延伸部111的宽度是“d2”，则当d2/d1的值增大时，第二引线框架91能够更牢固地固定到本体10。然而，因为增大d2/d1的值可能会限制底表面11的电极布置区域，所以优选适当地设定d2/d1的值。如果d2/d1的值对电极的布置没有影响，则它可以设定为1。
第一延伸部111和第二延伸部112分别可以具有宽度t11和宽度t13，并且彼此能够以布置该焊盘105所需的距离t12分隔开。
第一延伸部111和第二延伸部112能够以长度d2从本体10突出。该长度d2可以在10μm至100μm的范围内。当然，如果能够保证发光器件30、40和50的足够大的安装区域，则第一延伸部111和第二延伸部112可以突出超过上述值。
另外，考虑到焊盘105的布置，第一延伸部111和第二延伸部112彼此能够以距离t12间隔开。
如果焊盘105具有圆形形状，则距离t12优选大于焊盘105的直径。如果焊盘105具有矩形形状，则距离t12优选大于焊盘105的长轴的长度。
第一延伸部111和第二延伸部112嵌入在第二引线框架91的上端区域中，由此将第二引线框架91固定到本体10。虽然在图中未示出，但第一延伸部111和第二延伸部112也可以形成在第一引线框架92处。在此情形中，第一延伸部111和第二延伸部112可以形成在第一引线框架92的下端。
图13是图示了包括根据上述实施例的发光器件封装的背光单元的第一实施例的透视图。
参考图13，该背光单元可以包括下部容纳构件300、用于输出光的发光器件模块310、邻近该发光器件模块310布置的导光板320、以及多个光学片(未示出)。所述多个光学片(未示出)可以位于导光板320之上。
发光器件模块310可以包括多个发光器件314，这些发光器件314设置在印刷电路板312上而形成阵列。印刷电路板312可以选自金属芯印刷电路板(MCPCB)、阻燃剂成分4(FR-4)PCB和各种其它PCB。另外，根据背光组件的构造，印刷电路板312可以具有矩形板形状，或者具有各种其它形状。
导光板320将从发光器件314发射的光转换成平面光，由此将光引导到液晶显示面板(未示出)。多个光学膜(未示出)和反射片(未示出)可以位于导光板320的后表面处，所述多个光学膜用于实现均匀的亮度分布和从导光板320引导的光的增强的竖直入射，所述反射片把已经穿过导光板320的后表面的光朝向导光板320反射。
图14是图示了包括根据上述实施例的发光器件封装的背光单元的第二实施例的透视图。
图14图示了竖直型背光单元。参考图14，该背光单元包括下部容纳构件450、反射板420、多个发光器件模块440和多个光学片430。
在此情形中，每一个发光器件模块440均可以包括印刷电路板442，在该印刷电路板442上可以容易地设有形成阵列的多个发光器件444。
每个发光器件444均可以在其底表面处设置有多个凸部，当发光器件444包括用于分别发射红色(R)光、绿色(G)光和蓝色(B)光从而产生白光的发光器件时，所述多个凸部可以提高红色光、绿色光和蓝色光的颜色混合效果。当然，即使当发光器件444适于仅发射白光时，在各个发光器件444的底表面处形成的凸部也可以确保均匀的光分布和光发射。
反射板420可以由具有高反射率的材料制成以减少光损失。光学片430可以包括亮度增强片432、棱镜片434和漫射片435中的至少一种。
漫射片435可以用于漫射从发光器件444发射的光，以在朝向液晶显示面板(未示出)引导光的同时在大范围上为光提供均匀的亮度分布。棱镜片434用于竖直地引导其上倾斜入射的光。具体地，为了竖直地引导已经经过漫射片435的光，可以在液晶显示面板(未示出)下方设置至少一个棱镜片434。亮度增强片432用于在反射与透射轴线垂直的光的同时使光平行于其透射轴线地透射。
图15是图示了包括根据上述实施例的发光器件封装的照明设备的透视图。
参考图15，照明设备500包括灯罩502和布置在灯罩502的表面处的发光器件封装501a至501n。虽然在图中未示出，但还设置有电源装置，以向各个发光器件封装501至501n供应电力。
虽然图15图示了荧光灯类型的灯罩，但根据实施例的发光器件当然也可适用于普通的螺旋灯泡类型、平行荧光灯(FPL)类型、卤素灯类型、金属灯类型及各种其它类型和插座标准，但本发明不限于此。
在该实施例中，照明***中可以包括图13至图15所示的照明设备和背光单元，并且该照明***中可以包括具有上述发光器件阵列的其它定向照明的设备，但本发明不限于此。
上文已经参考其特征说明了各个实施例。对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不偏离实施例的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改。此外，虽然已经在上下文中就它在具体环境中和用于具体应用的实施方面描述了实施例，但本领域技术人员将会认识到，本实施例的用途不限于此，而是能够在任何数目的环境和实施中有益地应用该实施例。因此，应该在示意性而非限制性的意义上理解上文的描述和附图。

Claims (22)

1.一种发光器件封装，包括：
发光器件，所述发光器件包括至少一个发光二极管；以及
本体，所述本体包括第一引线框架和第二引线框架，所述发光器件安装在所述第一引线框架上，所述第二引线框架与所述第一引线框架间隔开，
其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架沿着第一方向从所述本体的外表面以预定长度延伸到弯曲区域，然后沿着与所述第一方向交叉的第二方向弯曲，并且
其中，所述本体具有与所述发光器件邻近的多个内表面，并且所述多个内表面中的第一内表面和第二内表面中的至少一个设置有延伸部，所述延伸部在朝向所述发光器件的方向上延伸并且与所述第一引线框架及所述第二引线框架中的至少一个引线框架的上部接触，
其中，所述延伸部与所述本体一体地形成，并且
其中，所述延伸部包括：
第一延伸部；以及
第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一延伸部间隔开。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述预定长度是所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度的0.7倍至0.9倍。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架包括：
与所述外表面邻近的第一表面；以及
与所述第一表面相反的第二表面，
其中，所述第一表面与所述外表面之间的距离是所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度的0.1倍至0.9倍。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架包括：
与所述外表面邻近的第一表面；以及
与所述第一表面相反的第二表面，
其中，所述第一表面的至少一部分与所述外表面接触。
5.根据权利要求3或4所述的发光器件封装，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面在所述弯曲区域处设置有凹槽。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装，其中，所述凹槽具有V形或U形形状。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的厚度在0.1mm至0.3mm的范围内。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的弯曲区域具有在30度至90度范围内的弯曲角度。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中：
所述第一引线框架包括凹部区域；并且
所述第二引线框架包括朝向所述凹部区域的凸出区域。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装，还包括：
至少一个第一焊盘，所述至少一个第一焊盘邻近于所述凹部区域定位并且连接到所述发光器件的第一端子；以及
至少一个第二焊盘，所述至少一个第二焊盘位于所述凸出区域中并且连接到所述发光器件的第二端子，其中，所述第二焊盘的至少一部分与所述第一焊盘重叠。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中：
所述至少一个第一焊盘和所述至少一个第二焊盘分别包括多个第一焊盘和多个第二焊盘；并且
所述多个第一焊盘中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘中的至少一个第二焊盘至少部分重叠。
12.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘、所述凹部区域以及所述凸出区域被设置成数目相等。
13.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体在所述第一引线框架和所述第二引线框架之上具有空腔，并且
所述发光器件封装还包括：
在所述空腔中形成的树脂材料。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述树脂材料包括磷光体和光漫射材料中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述树脂材料包括至少两种磷光体。
16.根据权利要求13所述的发光器件封装，其中，所述树脂材料具有包括至少两个层的成型结构。
17.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一延伸部的长度等于或大于所述第二延伸部的长度。
18.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一延伸部与所述第二延伸部之间的距离在100μm至400μm的范围内。
19.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的至少一个延伸部的宽度在10μm至100μm的范围内。
20.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部的长度小于所述第一引线框架和所述第二引线框架中的至少一个引线框架的宽度。
21.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别与所述第一内表面及所述第二内表面中的至少一个内表面一体地形成。
22.一种照明***，其包括根据权利要求1至21中的任一项所述的发光器件封装。
CN201110191007.2A 2010-07-01 2011-07-01 发光器件封装 Active CN102315207B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100063563A KR101705700B1 (ko) 2010-07-01 2010-07-01 발광 소자
KR10-2010-0063563 2010-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102315207A CN102315207A (zh) 2012-01-11
CN102315207B true CN102315207B (zh) 2015-11-25

Family

ID=44802546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110191007.2A Active CN102315207B (zh) 2010-07-01 2011-07-01 发光器件封装

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9059385B2 (zh)
EP (1) EP2402993B1 (zh)
JP (1) JP5864147B2 (zh)
KR (1) KR101705700B1 (zh)
CN (1) CN102315207B (zh)
TW (1) TWI527269B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130019929A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 International Business Machines Reduction of light induced degradation by minimizing band offset
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101430602B1 (ko) 2013-03-14 2014-08-18 미래정보산업(주) 발광 소자 모듈
TWI506812B (zh) * 2013-04-22 2015-11-01 Lextar Electronics Corp 具有側邊固晶結構之發光二極體元件及具有其之固定結構
TW201500687A (zh) 2013-06-24 2015-01-01 Beautiful Light Technology Corp 發光二極體燈泡
KR102486035B1 (ko) * 2016-01-28 2023-01-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
CN106287336B (zh) * 2016-08-31 2018-10-23 四川柯西澳光电科技有限公司 空气净化灯
JP2020092155A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
KR20200115769A (ko) * 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101136447A (zh) * 2006-08-31 2008-03-05 株式会社东芝 半导体发光器件

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63199447A (ja) 1987-02-16 1988-08-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置のリ−ド
JP3117828B2 (ja) 1992-12-28 2000-12-18 ローム株式会社 合成樹脂封止型電子部品及びそのリード端子の曲げ加工方法
US5629239A (en) * 1995-03-21 1997-05-13 Tessera, Inc. Manufacture of semiconductor connection components with frangible lead sections
EP2267798B1 (de) * 1997-07-29 2015-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
EP1089335A4 (en) * 1998-05-20 2002-02-06 Rohm Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
TW561636B (en) * 2002-10-11 2003-11-11 Highlink Technology Corp Optoelectronic device
JP4789433B2 (ja) * 2004-06-30 2011-10-12 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ表示器用筺体及びｌｅｄ表示器
JP4473674B2 (ja) * 2004-08-06 2010-06-02 パナソニック株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
KR100659173B1 (ko) 2005-02-02 2006-12-19 럭스피아 주식회사 측면발광형 발광다이오드 패캐지
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4952215B2 (ja) * 2006-08-17 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008198807A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Nichia Corp 半導体装置
US7993038B2 (en) 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
JP2008218764A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2009099771A (ja) 2007-10-17 2009-05-07 Rohm Co Ltd 半導体発光モジュール
JP5349811B2 (ja) * 2008-02-06 2013-11-20 シャープ株式会社 半導体発光装置
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
KR101101134B1 (ko) * 2008-07-03 2012-01-05 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 ｌｅｄ 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
KR101013976B1 (ko) 2008-12-03 2011-02-14 현대자동차주식회사 액티브 지오메트리 컨트롤 서스펜션의 진동 저감장치
US8901583B2 (en) * 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101136447A (zh) * 2006-08-31 2008-03-05 株式会社东芝 半导体发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20120001216A1 (en) 2012-01-05
JP2012015522A (ja) 2012-01-19
EP2402993B1 (en) 2019-09-18
JP5864147B2 (ja) 2016-02-17
KR20120002849A (ko) 2012-01-09
CN102315207A (zh) 2012-01-11
US9059385B2 (en) 2015-06-16
KR101705700B1 (ko) 2017-02-10
EP2402993A2 (en) 2012-01-04
TW201205893A (en) 2012-02-01
TWI527269B (zh) 2016-03-21
EP2402993A3 (en) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102315207B (zh) 发光器件封装
US8668352B2 (en) Light emitting module
JP5197874B2 (ja) 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
US7677899B2 (en) LED light source module and LED backlight module using the same
JP2007279480A (ja) 液晶表示装置
CN103682071A (zh) 发光器件
CN102954401B (zh) Led单元以及使用该led单元的照明装置
EP2779238A1 (en) Luminous element, bar-type luminous element and applications thereof
JP2008131027A (ja) ハイパワーダイオードホルダー構造とパッケージ組合わせ
US8492912B2 (en) Light emitting diode package
US8791482B2 (en) Light emitting device package
CN102005527B (zh) 发光二极管模块
KR101390374B1 (ko) 조명 장치
KR101676670B1 (ko) 발광 소자
US20130341652A1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
KR101390377B1 (ko) 조명 장치
KR101655462B1 (ko) 발광 소자 및 이를 이용한 조명 장치
WO2013009081A2 (ko) 제너 다이오드를 갖는 광 디바이스용 기판

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210816

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.