JP5535750B2 - 発光素子モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子を内蔵する発光素子モジュールに関する。
図7には、従来の発光素子モジュールの一例を示している(たとえば特許文献1参照)。図7に示す発光素子モジュールXは、リード91,92と、LEDチップ93と、支持部材94と、透光部材95とを備えている。LEDチップ93は、リード91に図示しないボンディング材を用いて固定されている。LEDチップ93は、図中上面に1対の電極が設けられており、各電極がワイヤ96,97を介してリード91,92と接続されている。支持部材94は、たとえば樹脂製であり、金型を用いたいわゆるインサート成形の手法によってリード91,92の一部を覆うように形成される。透光部材95は、LEDチップ93からの光を透過させる樹脂で形成されており、LEDチップ93およびワイヤ96,97を保護している。さらに、透光部材95に各種の添加物を加えることで、発光素子モジュールXから出射される光の色や明るさなどの特性は調整されている。支持部材94は、図7に示すようにLEDチップ93の図中側方に出射した光を上方へ反射する反射面94aを備えている。
このような発光素子モジュールXにおいては、リード91,92の熱伝導性や電気伝導性を高めるために、その表面にたとえば銀メッキが施される場合がある。しかしながら、銀メッキを設けた場合、経年変化によって表面が暗黒色に変色することがあった。このようにリード91,92の表面が変色すると、発光素子モジュールXから出射される光の特性が劣化してしまうため、発光素子モジュールXを良好な状態で使用できる期間が短くなることがあった。
一方で上述したような変色による弊害を防ぐために、たとえば図7に仮想線で示すように、リード91,92を覆うように保護部94bを設けた場合、ワイヤ96,97を設ける際に保護部94bとの接触によりワイヤ96,97が断線してしまうことがあった。
特開2004−127988号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、信頼性を損なうことなく長寿命化を図ることが可能な発光素子モジュールを提供することをその課題とする。
本発明によって提供される発光素子モジュールは、厚み方向における一方側に搭載面を具備するダイボンディング部を有する第1のリードと、ボンディング部を有し、上記第1のリードから離間し、かつ、上記第1のリードと同じ厚み方向となるように配置された第2のリードと、上記搭載面に搭載されており、上記第1のリードと導通する第1の電極端子および上記第2のリードと導通する第2の電極端子を有する発光素子と、上記第1のリードと上記第2のリードとを支持する支持部材と、を備えており、上記第2の電極端子は、上記厚み方向における上記発光素子の一方側の端面に形成されており、かつ、上記ボンディング部とワイヤにより接続されている発光素子モジュールであって、上記支持部材は、上記第1のリードの厚み方向における一方側の面を覆うとともに、上記搭載面を露出させるように形成された保護部を有しており、上記保護部は、上記ワイヤが延びる方向において、上記ダイボンディング部から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる傾斜部を有していることを特徴とする。
好ましい実施の形態においては、上記傾斜部が、上記厚み方向視において上記第2のリードの一部と重なるように形成されている。
より好ましい実施の形態においては、上記ボンディング部の上記厚み方向における一方側に金属メッキが施されている。
より好ましい実施の形態においては、上記第1の電極端子が上記ダイボンディング部に接合されている。
別の好ましい実施の形態においては、上記第1の電極端子が上記厚み方向における上記発光素子の一方側に形成されており、上記第1のリードは、上記第1の電極端子と追加のワイヤを介してワイヤボンディングされるワイヤボンディング部を有しており、上記保護部は、上記ワイヤボンディング部を露出させるように形成されている。
より好ましくは、上記保護部は、上記追加のワイヤが延びる方向において、上記ダイボンディング部から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる追加の傾斜部を有している。
さらにより好ましくは、上記ワイヤボンディング部の上記厚み方向における一方側に金属メッキが施されている。
好ましい実施の形態においては、上記支持部材は、上記発光素子が発光する光を反射する樹脂により形成されており、かつ、上記厚み方向と直交する方向において上記発光素子から遠ざかるにつれて上記厚み方向において上記発光素子から遠ざかるように傾斜する反射面を備えている。
より好ましい実施の形態においては、上記反射面は、上記厚み方向視において上記発光素子を囲む枠状に形成されており、上記保護部は、上記反射面と繋がるように形成されている。
より好ましい実施の形態においては、上記厚み方向視における上記反射面の内周は長矩形状であり、その短手方向における中央に上記ダイボンディング部が配置されている。
より好ましい実施の形態においては、上記厚み方向視における上記反射面の内周は長矩形状であり、その長手方向における中央に上記ダイボンディング部が配置されている。
好ましい実施の形態においては、上記ダイボンディング部が、上記厚み方向において、上記第1のリードの上記保護部に覆われている部分よりも一方側に膨出している。
このような構成によれば、上記第1のリードおよび上記第2のリードが上記保護部に覆われているため、上記第1のリードおよび上記第2のリードの変色が出射される光の性質に与える影響を抑えることができる。さらに、上記ワイヤが接着される上記ボンディング部の近くにおいて上記保護部の厚みが薄くなるように上記傾斜部が設けられているため、上記ワイヤを上記ボンディング部に接着する際に上記保護部が上記ワイヤに接触しにくくなっている。したがって、本発明の発光素子モジュールは、信頼性を損なうことなく長寿命化を図ることが可能である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第1実施形態における発光素子モジュールを示す平面図である。 図1のII−II線に沿う断面図である。 本発明の第2実施形態における発光素子モジュールを示す平面図である。 図3のIV−IV線に沿う断面図である。 本発明の第3実施形態における発光素子モジュールを示す平面図である。 図5のVI−VI線に沿う断面図である。 従来の発光素子モジュールの一例を示す断面図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1および図2は、本発明の第1実施形態における発光素子モジュールを示している。本実施形態の発光素子モジュールA1は、互いに電気的に絶縁されたリード1,2と、LEDチップ3と、リード1,2を支持する支持部材4と、LEDチップ3を覆う透光部材5と、ワイヤ61とを備えている。発光素子モジュールA1は、リード1,2を外部の電気回路と接続させることでLEDチップ3が発光するように構成されている。なお、図1では透光部材5を省略している。発光素子モジュールA1は、z方向視において、x方向を長辺方向とし、y方向を短辺方向とする長矩形状に形成されている。
リード1は、図1および図2に示すように、支持部材4のx方向左側から外部に露出する端子部11と、LEDチップ3を搭載するためのダイボンディング部12とを備えている。リード1は、たとえば厚さが0.15〜0.20mmの銅板の表面に銀メッキを施すことにより形成される。端子部11は、リード1を外部の電気回路と接続させるのに用いられる。この端子部11は、リード1の支持部材4から突出する部分を折り曲げることにより形成される。ダイボンディング部12は、リード1のx方向右端付近に設けられており、z方向上面が搭載面12aとなっている。
リード2は、図1および図2に示すように、支持部材4のx方向右側から外部に露出する端子部21と、x方向においてダイボンディング部12から離間するボンディング部22とを備えている。リード2は、たとえば厚さが0.15〜0.20mmの銅板の表面に銀メッキを施すことにより形成される。端子部21は、リード2を外部の電気回路と接続させるのに用いられる。この端子部21は、リード2の支持部材4から突出する部分を折り曲げることにより形成される。ボンディング部22は、リード2のx方向左端部分に設けられたワイヤ61をボンディングするための部分である。
LEDチップ3は、本発明における発光素子であり、チッ化ガリウムなどの半導体材料を積層することで形成されている。LEDチップ3は、n型半導体層とp型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光、緑色光、赤色光などを発する。LEDチップ3は、n型半導体層と導通する電極端子31と、p型半導体層と導通する電極端子32とを備えている。図2に示すように、電極端子31はLEDチップ3のz方向下端面に設けられており、電極端子32は上端面に設けられている。LEDチップ3は、たとえば、x方向寸法が0.3mm、y方向寸法が0.3mm、z方向寸法が0.15mmである略直方体状に形成されている。このようなLEDチップ3は、z方向下方を除くほぼ全方位に向けて光を出射する。
LEDチップ3は、電極端子31がダイボンディング部12と導通するように図示しない導電性のボンディング材を用いて搭載面12aに固定されている。電極端子32はワイヤ61を介してボンディング部22と接続されている。より具体的には、ワイヤ61は、たとえば金線であり、x方向に沿って延び、x方向左端が電極端子32に接着され、右端がボンディング部22に接着されている。
支持部材4は、たとえば酸化チタンが添加された白色のエポキシ樹脂からなり、図1に示すように平面視略矩形状に形成されている。支持部材4は、リード1,2の一部を覆って両者を固定させている。支持部材4は中央部が凹むように形成されており、図2に示すようにz方向上方ほどx方向にLEDチップ3から遠ざかる方向に傾斜する反射面41を有している。反射面41は、LEDチップ3を囲むz方向視枠状に形成されている。この反射面41が成す枠はx方向を長手方向とする長矩形状となっており、その中央にダイボンディング部12が配置されている。この反射面41は、LEDチップ3がz方向と直交する方向に出射した光をz方向上方に向けて反射するためのものである。
さらに支持部材4は、反射面41が成す枠の内周から延出し、リード1のz方向上面を覆う厚さ0.05mm程度の保護部42を備えている。この保護部42には、ダイボンディング部12の搭載面12aを露出させるための開口部42Aが形成されている。この開口部42Aは、たとえばz方向視矩形状であり、x方向寸法が0.4mm程度であり、y方向寸法は0.4mm程度である。図2に示すように、保護部42のz方向上面は、LEDチップ3のz方向上端部よりも下方に位置にしている。さらに、保護部42は、開口部42Aのx方向右側に、x方向右方ほどz方向における厚みが薄くなる傾斜部42aを有している。傾斜部42aは、y方向においては反射面41が成す枠の内周の全幅に渡って設けられており、x方向においては、たとえば1.0mm程度の長さに渡って設けられている。この傾斜部42aのx方向右端部分は、リード2のx方向左端部分を覆っている。保護部42は、傾斜部42aのx方向右端で途切れており、ワイヤ61のx方向右端を接着するのに必要なボンディング部22の上面が露出するようになっている。
このような支持部材4は、金型を用いたいわゆるインサート成形の手法によって形成される。具体的には、リード1,2を金型に設置して液状化した状態のエポキシ樹脂を金型に流し込んで硬化させることにより支持部材4は形成される。
透光部材5は、反射面41に囲まれた領域を埋めるように形成されており、ダイボンディング部12、ボンディング部22、LEDチップ3、および、ワイヤ61を覆い保護している。この透光部材5は、たとえば透明なエポキシ樹脂製である。
次に、発光素子モジュールA1の作用について説明する。
本実施形態によれば、LEDチップ3を設置するために不可避な領域を除いてリード1,2が白色の保護部42に覆われているため、リード1,2に施された銀メッキの表面が暗黒色に変化してもその影響が出にくくなっている。このため、より長い期間、使用開始時と同様の色調の光を出射可能となっており、長寿命化を図ることができる。さらに、傾斜部42aが形成されていることにより、ボンディング部22の間近において保護部42の厚みは薄くなっている。このため、ワイヤ61が保護部42と接触する可能性が小さくなっている。従って、発光素子モジュールA1は、ワイヤ61が保護部42に接触して断線する事態が生じにくくなっており、信頼性を損ないにくくなっている。
さらに、LEDチップ3のz方向上端部が保護部42のz方向上面よりも上側にくるようになっているため、LEDチップ3の上端部から側方に出る光が保護部42に遮られることなく反射面41によってz方向上方へ出射される。このため、発光素子モジュールA1は、光量の増加を図ることができる。
以下に、本発明の他の実施形態について説明する。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。
図3および図4には、本発明の第2実施形態における発光素子モジュールA2を示している。発光素子モジュールA2では、LEDチップ3がz方向上端面に2つの電極端子31,32を備えた構成となっており、それに伴ってリード1にワイヤボンディング部13が設けられている。さらに、保護部42には傾斜部42bが設けられており、ワイヤボンディング部13を露出させるようになっている。発光素子モジュールA2のその他の構成は発光素子モジュールA1と同様である。
LEDチップ3の主たる構成は発光素子モジュールA1のものと同様であるが、n型半導体層と導通する電極端子31がz方向上端面のx方向左寄りに、p型半導体層と導通する電極端子32がz方向上端面のx方向右寄りに配置されている。電極端子31は、ワイヤ62によってワイヤボンディング部13と接続されている。
傾斜部42bは、x方向におけるダイボンディング部12とワイヤボンディング部13との間に設けられており、x方向左方ほど薄くなるように形成されている。傾斜部42bはx方向に1.0mm程度の長さに渡って設けられている。このような傾斜部42bが設けられていることにより、保護部42がワイヤ62に接触するのを防ぐことができる。
このような発光素子モジュールA2においても、LEDチップ3を設置するために不可避な領域を除いてリード1,2が保護部42に覆われた構成となっており、リード1,2に施された銀メッキの変色による影響を受けにくくなっている。このため、より長い期間、使用開始時と同様の色調の光を出射可能となっており、長寿命化を図ることができる。さらに、保護部42に傾斜部42a,42bが設けられているため、ワイヤ61,62が断線するのを防ぐことができ、信頼性を損ないにくくなっている。
また、このような発光素子モジュールA2では、LEDチップ3を搭載面12aに固定するためのボンディング材として非導電性の樹脂を用いることができる。
図5および図6には、本発明の第3実施形態における発光素子モジュールA3を示している。発光素子モジュールA3においては、ダイボンディング部12の形状が発光素子モジュールA1のものと異なっており、その他の構成は発光素子モジュールA1と同様となっている。
本実施形態では、リード1のx方向右端付近がz方向上方に向けて屈曲されていることにより、ダイボンディング部12の搭載面12aが保護部42の上側に突出している。リード1の屈曲されていない部分の上面と搭載面12aとの段差はたとえば0.1mm程度である。
このような構成によれば、LEDチップ3はその全体が保護部42よりもz方向上側に位置することになり、ワイヤ61を設置する際に保護部42にワイヤ61が接触する可能性をより低くすることができる。このため、さらに信頼性を高めることが可能である。
さらに、このような発光素子モジュールA3では、LEDチップ3からz方向と直交する側方に出射された光が保護部42によって遮られることがなくなる。このため、発光素子モジュールA3ではより一層の光量増加を図ることが可能である。
本発明に係る発光素子モジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る発光素子モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、上述した実施形態では、傾斜部42a,42bは、保護部42のy方向全幅に渡って設けられているが、ワイヤ61,62を回避するために必要な領域のみに傾斜部42a,42bを設けても構わない。
上記実施形態では、x方向に延びる長板状のリード1に設けられたダイボンディング部12にLEDチップ3が搭載されているが、リード1の形状は適宜選択可能である。また、支持部材4の外形も選択可能であり、併せて反射面41のz方向視の形状も変更可能である。たとえば、反射面41をz方向視において環状となるような構成としても構わない。その場合には、反射面41が成す環の中心にダイボンディング部12を配置するのが望ましい。
またさらに、上記実施形態では、反射面41は平坦な面であるが、曲面であっても構わない。反射面41を曲面とする場合には、反射面41をLEDチップ3の位置を焦点とする凹面鏡の一部を成すように形成するのが望ましい。
またさらに、上記実施形態では、支持部材4は白色樹脂であるが、LEDチップ3が出射する光を反射する樹脂であれば特に白色に限定されない。
また、さらに発光素子モジュールA1,A2では、n型半導体層と導通する電極端子31がリード1に、p型半導体層と導通する電極端子32がリード2と接続されているが、逆に接続される構成としても構わない。
なお、上述した実施形態では、リード1,2の表面に銀メッキを施しているが、このときz方向上下面の両方に銀メッキを施してもよく、リード1,2のz方向上面のみに銀メッキを施しても構わない。
A1,A2,A3 発光素子モジュール
1,2 リード
11,21 端子部
12 ダイボンディング部
12a 搭載面
13 ワイヤボンディング部
22 ボンディング部
3 LEDチップ(発光素子)
31,32 電極端子
4 支持部材
41 反射面
42 保護部
42A 開口部
42a,42b 傾斜部
5 透光部材
61,62 ワイヤ

Claims (11)

  1. 厚み方向における一方側に搭載面を具備するダイボンディング部を有する第1のリードと、
    ボンディング部を有し、上記第1のリードから離間し、かつ、上記第1のリードと同じ厚み方向となるように配置された第2のリードと、
    上記搭載面に搭載されており、上記第1のリードと導通する第1の電極端子および上記第2のリードと導通する第2の電極端子を有する発光素子と、
    上記第1のリードと上記第2のリードとを支持する支持部材と、
    を備えており、
    上記第2の電極端子は、上記厚み方向における上記発光素子の一方側の端面に形成されており、かつ、上記ボンディング部とワイヤにより接続されている発光素子モジュールであって、
    上記支持部材は、上記第1のリードの厚み方向における一方側の面を覆うとともに、上記搭載面を露出させるように形成された保護部を有しており、
    上記保護部は、上記ワイヤが延びる方向において、上記ダイボンディング部から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる傾斜部を有しているとともに、
    上記ダイボンディング部が、上記厚み方向において、上記第1のリードの上記保護部に覆われている部分よりも一方側に膨出しており、
    上記第2リードの上記ボンディング部の表面は上記厚み方向において上記第1リードの上記ダイボンディング部の表面よりも他方側に位置しており、
    上記傾斜部は、上記ダイボンディング部の表面よりも上記厚み方向において他方側に位置していることを特徴とする、発光素子モジュール。
  2. 上記傾斜部が、上記厚み方向視において上記第2のリードの一部と重なるように形成されている、請求項1に記載の発光素子モジュール。
  3. 上記ボンディング部の上記厚み方向における一方側に金属メッキが施されている、請求項1または2に記載の発光素子モジュール。
  4. 上記第1の電極端子が上記ダイボンディング部に接合されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子モジュール。
  5. 上記第1の電極端子が上記厚み方向における上記発光素子の一方側に形成されており、
    上記第1のリードは、上記第1の電極端子と追加のワイヤを介してワイヤボンディングされるワイヤボンディング部を有しており、
    上記保護部は、上記ワイヤボンディング部を露出させるように形成されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子モジュール。
  6. 上記保護部は、上記追加のワイヤが延びる方向において、上記ダイボンディング部から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる追加の傾斜部を有している、請求項5に記載の発光素子モジュール。
  7. 上記ワイヤボンディング部の上記厚み方向における一方側に金属メッキが施されている、請求項5または6に記載の発光素子モジュール。
  8. 上記支持部材は、上記発光素子が発光する光を反射する樹脂により形成されており、かつ、上記厚み方向と直交する方向において上記発光素子から遠ざかるにつれて上記厚み方向において上記発光素子から遠ざかるように傾斜する反射面を備えている、請求項1ないし7のいずれかに記載の発光素子モジュール。
  9. 上記反射面は、上記厚み方向視において上記発光素子を囲む枠状に形成されており、
    上記保護部は、上記反射面と繋がるように形成されている、請求項8に記載の発光素子モジュール。
  10. 上記厚み方向視における上記反射面の内周は長矩形状であり、その短手方向における中央に上記ダイボンディング部が配置されている、請求項9に記載の発光素子モジュール。
  11. 上記厚み方向視における上記反射面の内周は長矩形状であり、その長手方向における中央に上記ダイボンディング部が配置されている、請求項9または10に記載の発光素子モジュール
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103392242B (zh) 2011-02-28 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN103178191B (zh) * 2011-12-24 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
JP2013251422A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Apic Yamada Corp Ledチップ実装用基板、ledパッケージ、金型、並びに、ledチップ実装用基板及びledパッケージの製造方法
KR102019499B1 (ko) * 2012-11-05 2019-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP6532200B2 (ja) * 2014-09-04 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
CN106384775B (zh) * 2016-10-27 2019-06-14 广东工业大学 一种led倒装结构
JP6669217B2 (ja) * 2018-08-30 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device
KR20210143452A (ko) 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US20030141563A1 (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Bily Wang Light emitting diode package with fluorescent cover
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
TWI237546B (en) * 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US20050253159A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-17 Creswick Steven B Semiconductor (LED) chip attachment
KR100665117B1 (ko) * 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
JP4739842B2 (ja) * 2005-07-25 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
US20070040182A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Julian Lee Light emitting diode packaging structure
TWM295339U (en) * 2005-10-28 2006-08-01 Turning Prec Ind Co Ltd Multilayer LED package structure
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2008060344A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5380774B2 (ja) * 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
WO2008081794A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置およびその製造方法
JP2009099771A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Rohm Co Ltd 半導体発光モジュール
KR101104034B1 (ko) * 2007-12-06 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
DE102007060206A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US8115218B2 (en) * 2008-03-12 2012-02-14 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
JP5493553B2 (ja) * 2009-07-31 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法

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