WO2011158445A1 - 弾性波素子 - Google Patents

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WO2011158445A1
WO2011158445A1 PCT/JP2011/003025 JP2011003025W WO2011158445A1 WO 2011158445 A1 WO2011158445 A1 WO 2011158445A1 JP 2011003025 W JP2011003025 W JP 2011003025W WO 2011158445 A1 WO2011158445 A1 WO 2011158445A1
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WO
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thickness
electrode layer
silicon oxide
oxide film
electrode
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PCT/JP2011/003025
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French (fr)
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庄司 岡本
令 後藤
中西　秀和
中村　弘幸
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パナソニック株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave element.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view of a conventional acoustic wave device.
  • means for improving the temperature characteristics of a filter using the acoustic wave element 1 means for forming a silicon oxide film 4 on the piezoelectric body 2 so as to cover the IDT electrode 7 has been proposed.
  • molybdenum (Mo) for the IDT electrode 7, it is possible to form an electrode pattern by dry etching and to improve the power durability of the acoustic wave device 1.
  • Patent Document 1 is known as a prior art document related to this application.
  • An object of the present invention is to suppress insertion loss of an acoustic wave element when Mo (molybdenum), W (tungsten), or Pt (platinum) that can be patterned by dry etching is used as an IDT electrode.
  • the acoustic wave device of the present invention is provided with a piezoelectric body, an IDT electrode that is provided on the piezoelectric body and excites a main acoustic wave having a wavelength ⁇ , and is provided on the piezoelectric body so as to cover the IDT electrode.
  • a film thickness of 1 ⁇ or more and 5 ⁇ or less comprising a silicon oxide (SiO 2 ) film of 20 ⁇ or more and less than 1 ⁇ , and a medium provided on the silicon oxide film and capable of propagating a transverse wave faster than the velocity of the transverse wave propagating through the silicon oxide film.
  • the IDT electrode includes, for example, a first electrode layer mainly containing Mo and a second electrode mainly containing Al provided on the first electrode layer in order from the piezoelectric body side.
  • the IDT electrode has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer has a film thickness of 0.05 ⁇ or more, and the second electrode layer is 0.025 ⁇ or more.
  • the film thickness is as follows.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode to 0.15 ⁇ or less.
  • the film thickness of the first electrode layer containing Mo as a main component is 0.05 ⁇ or more, the power durability of the acoustic wave device is improved.
  • the resistance of the IDT electrode is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer containing Al as a main component to 0.025 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in an elastic wave element can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 4 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 5 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 6 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 7 is a view showing one embodiment of a piezoelectric body and an IDT electrode of the acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of characteristics
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 9 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 10 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 12 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 13A is a diagram showing a method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13B is a view showing the method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13C is a diagram showing a method of manufacturing the same acoustic wave device.
  • FIG. 13A is a diagram showing a method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13B is a view showing the method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13D is a view showing a method of manufacturing the same acoustic wave device.
  • FIG. 13E is a view showing a method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13F is a view showing the method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 13G is a diagram showing a method of manufacturing the same acoustic wave device.
  • FIG. 13H is a view showing the method of manufacturing the acoustic wave device.
  • FIG. 14A is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14B is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14C is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14D is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14E is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14F is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 14G is a diagram showing conditions for suppressing unnecessary spurious in the acoustic wave device.
  • FIG. 15 is a schematic sectional view of an acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 17 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 18 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 19 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 20 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 21 is a view showing one embodiment of a piezoelectric body and an IDT electrode of the acoustic wave device.
  • FIG. 22 is a schematic sectional view of an acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 24 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 25 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 25 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 26 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 27 is a schematic sectional view of an acoustic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is an explanatory diagram of the characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 29 is an explanatory diagram of characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 30 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 31 is an explanatory diagram of the characteristics of the acoustic wave device.
  • FIG. 32 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 33 is a view showing one embodiment of a piezoelectric body and an IDT electrode of the same acoustic wave device.
  • FIG. 33 is a view showing one embodiment of a piezoelectric body and an IDT electrode of the same acoustic wave device.
  • FIG. 34 is a schematic sectional view of an acoustic wave device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 35 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 36 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 37 is a characteristic explanatory diagram of the acoustic wave device.
  • FIG. 38 is another schematic cross-sectional view of the acoustic wave device.
  • FIG. 39 is a schematic sectional view of a conventional acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of an IDT electrode finger) of an acoustic wave device in the first exemplary embodiment.
  • an acoustic wave element 5 includes a piezoelectric body 6, an IDT electrode 7 provided on the piezoelectric body 6 and exciting a major acoustic wave having a wavelength ⁇ (such as a shear horizontal wave), and a piezoelectric body 6.
  • the silicon oxide film 8 is provided so as to cover the IDT electrode 7 and has a film thickness of 0.20 ⁇ or more and less than 1 ⁇ .
  • the wavelength ⁇ of the main elastic wave is twice the electrode finger pitch.
  • the acoustic wave element 5 includes a dielectric thin film 9 that is provided on the silicon oxide film 8 and propagates a transverse wave faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8.
  • the acoustic wave element 5 is a boundary wave element that confines most of the energy in the boundary portion between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 and excites the main acoustic wave.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate (LiNbO 3 ) -based substrate, for example, other piezoelectric single crystals such as quartz, lithium tantalate (LiTaO 3 ) -based, or potassium niobate (KNbO 3 ) -based substrates or thin films. It may be a medium.
  • LiNbO 3 lithium niobate
  • other piezoelectric single crystals such as quartz, lithium tantalate (LiTaO 3 ) -based, or potassium niobate (KNbO 3 ) -based substrates or thin films. It may be a medium.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate substrate, it is desirable from the viewpoint of suppressing unnecessary spurious to use a substrate in the range of ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 60 ° in the Euler angle display ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ).
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric body 6 made of lithium niobate are ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ 60 °, 1.193 ⁇ 2. Desirably, ° ⁇ ⁇ ⁇ 1.193 ⁇ + 2 °, ⁇ ⁇ ⁇ 2 ⁇ 3 °, ⁇ 2 ⁇ + 3 ° ⁇ ⁇ are satisfied.
  • ⁇ and ⁇ are cut-out cut angles of the piezoelectric body 6, and ⁇ is a propagation angle of the main elastic wave in the IDT electrode 7 on the piezoelectric body 6.
  • the IDT electrode 7 is an interdigital transducer electrode having a comb shape as viewed from above the acoustic wave element 5, and the first electrode layer 10 mainly composed of Mo and the first electrode layer 10 are sequentially formed from the piezoelectric body 6 side. And a second electrode layer 11 containing Al as a main component.
  • the first electrode layer 10 may be mixed with a mixture such as Si, and the second electrode layer 11 may be mixed with a mixture such as Mg, Cu, and Si. Thereby, the power durability of the IDT electrode 7 can be improved.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.05 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.025 ⁇ or more.
  • the silicon oxide film 8 is a medium having a frequency temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric body 6, the frequency temperature characteristic of the acoustic wave element 5 can be improved.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the velocity of the main elastic wave is lower than the velocity of the slowest transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6. Thereby, reduction of leakage of the main elastic wave toward the piezoelectric body 6 can be expected.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (30 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.2 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 refers to the oxidation from the boundary surface between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 in the part where the IDT electrode 7 is not formed and the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 are in contact with each other.
  • the distance D to the upper surface of the silicon film 8 is said.
  • the dielectric thin film 9 is a medium in which a transverse wave that is faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8 propagates.
  • the dielectric thin film 9 is, for example, diamond, silicon, silicon nitride, aluminum nitride, or aluminum oxide.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 is larger than the film thickness of the silicon oxide film 8 and is not less than the wavelength ⁇ of the SH (Shear Horizontal) wave that is the main elastic wave. Thereby, the main elastic wave can be confined in the elastic wave element 5.
  • the thickness of the dielectric thin film 9 is desirably 5 ⁇ or less.
  • the relationship between ⁇ ) and the film thickness ( ⁇ ) of the second electrode layer 11 is shown.
  • the resistance of the IDT electrode 7 as a whole has an inflection point and is larger than 0.44 ⁇ / ⁇ . I understand. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.025 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the resistance of the IDT electrode 7 hardly depends on the film thickness of the first electrode layer 10. This is because most of the current flowing through the IDT electrode 7 flows through the second electrode layer 11 when the thickness of the second electrode layer 11 made of Al is 0.025 ⁇ or more.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less.
  • the power durability of the acoustic wave device is improved by setting the thickness of the first electrode layer 10 containing Mo as a main component to 0.05 ⁇ or more.
  • the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.025 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • a 25-degree rotated Y plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6
  • silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used as the dielectric thin film 9
  • the film thickness D of the silicon oxide film 8 is The relationship between the film thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 when changing from 0.2 ⁇ to 1 ⁇ is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.025 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave shown in FIG. 3 is the sound velocity at the anti-resonance frequency of the main elastic wave.
  • the sound velocity of the anti-resonance frequency of the main elastic wave is faster than the sound velocity of the resonance frequency. The sound speed at the resonance frequency is sufficient.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.093 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.068 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / sec) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more. )
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.093 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a thickness of 0.068 ⁇ or more.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇ or more and less than 1 ⁇
  • the first electrode layer 10 When the thickness of 10 is 0.05 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is ⁇ , the piezoelectric body 6 propagates when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of another acoustic wave device according to the first embodiment. 4 is different from FIG. 1 in that a convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • FIG. 5 shows that when the cross section of the convex portion 12 is the same shape as the cross section of the electrode finger of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6,
  • the silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used and the thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.2 ⁇ to 1 ⁇ , the thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the main propagating through the IDT electrode 7
  • the relationship with the acoustic velocity (m / sec) of an elastic wave is shown.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.025 ⁇ .
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.08 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.066 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.051 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / sec) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more. )
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st dielectric layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is suppressed.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.08 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0. When the thickness is 3 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ , the first electrode layer 10 has a thickness of 0.066 ⁇ or more.
  • the first electrode layer 10 When the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇ or more and less than 1 ⁇ , the first electrode layer 10 When the film thickness of 10 is 0.051 ⁇ or more, and when the film thickness of the silicon oxide film 8 is ⁇ , the piezoelectric material 6 propagates when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • the second electrode layer 11 is preferably formed so as to be part of the side surface of the first electrode layer 10.
  • the silicon oxide film 8 can be prevented from peeling from the piezoelectric body 6 due to the anchor effect.
  • the IDT electrode 7 is connected to the piezoelectric body 6. Can be prevented from peeling off.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • symbol is attached
  • the acoustic wave element 5 does not include the dielectric thin film 9 described in the first embodiment, and the main acoustic wave is excited by distributing energy to the surface portion of the piezoelectric body 6 or the silicon oxide film 8. It is a surface wave device.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.03 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.025 ⁇ or more. Have.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (10 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.2 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the resistance of the entire IDT electrode 7 is increased. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.025 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less.
  • the power durability of the acoustic wave device 5 is improved by setting the film thickness of the first electrode layer 10 containing Mo as a main component to 0.03 ⁇ or more.
  • the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.025 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • FIG. 9 shows the thickness of the first electrode layer when a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6 and the thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.2 ⁇ to 1 ⁇ .
  • the relationship between ( ⁇ ) and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.025 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.038 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the IDT electrode can be obtained from the sound velocity (4080 m / sec) of a slow transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 without the first electrode layer 10.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the wave 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the elastic wave element in this case is outside the present invention.
  • the IDT is determined from the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • FIG. 10 is a cross-sectional schematic diagram (cross-sectional schematic diagram perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) in another acoustic wave device according to the first exemplary embodiment. 10 differs from FIG. 8 in that a convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • FIG. 11 shows that when the cross section of the convex portion 12 has the same shape as the electrode finger cross section of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6, and the silicon oxide film 8 is formed.
  • the relationship between the film thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the sound velocity (m / second) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 when the thickness D is changed from 0.2 ⁇ to 1 ⁇ is shown.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.025 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.02 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.014 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the IDT electrode can be obtained from the sound velocity (4080 m / sec) of a slow transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 without the first electrode layer 10.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the wave 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the elastic wave element in this case is outside the present invention.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st dielectric layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is suppressed.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.02 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • FIGS. 13A to 13H are diagrams for explaining an example of a method for manufacturing the acoustic wave device 5 having, for example, the convex portion 12 in Embodiment 1 of the present invention.
  • an electrode film 22 serving as an IDT electrode or / and a reflector is formed on the upper surface of the piezoelectric body 21 by vapor deposition or sputtering.
  • a resist film 23 is formed on the upper surface of the electrode film 22.
  • the resist film 23 is processed using an exposure / development technique or the like so as to have a desired shape.
  • the resist film 23 is removed.
  • a silicon oxide film 24 is formed by a method such as vapor deposition or sputtering of silicon oxide (SiO 2 ) so as to cover the electrode film 22.
  • a so-called bias sputtering method in which a film was formed by sputtering while applying a bias to the piezoelectric body 21 side was used.
  • a silicon oxide film 24 is deposited on the piezoelectric body 21 by sputtering a silicon oxide target, and at the same time, a part of the silicon oxide film 24 on the piezoelectric body 21 is sputtered by a bias. That is, the shape of the silicon oxide film 24 is controlled by cutting a part while depositing the silicon oxide film 24.
  • the ratio of the bias applied to the piezoelectric body 21 and the sputtering power is changed during the deposition of the silicon oxide film 24, or the piezoelectric body 21 is initially formed.
  • the film may be formed without applying a bias, and a bias may be applied at the same time as the film formation. At this time, the temperature of the piezoelectric body 21 is also managed.
  • a resist film 25 is formed on the surface of the silicon oxide film 24.
  • the resist film 25 is processed into a desired shape using an exposure / development technique or the like.
  • the inventors confirmed that a desired shape can be obtained by forming the silicon oxide film 8 under an appropriate film forming condition using the bias sputtering method.
  • adhesion layers 15 and 16 described in the first embodiment can be applied to the IDT electrode of the second embodiment.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric body 6 satisfy ⁇ 10 ° ⁇ ⁇ ⁇ 10 °, 33 ° ⁇ ⁇ ⁇ 43 °, and ⁇ 10 ° ⁇ ⁇ ⁇ 10 °.
  • filling the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 turns into a Rayleigh wave.
  • the Euler angle of the substrate is used, there is a possibility that the frequency from the resonance frequency to the anti-resonance frequency does not enter the stop band in the short-circuit grating of the IDT electrode 7. As a result, unnecessary resonance spurious is generated between the resonance frequency of the IDT electrode 7 and the anti-resonance frequency.
  • the film thickness H of the silicon oxide film 8 and the film thickness h of the first electrode layer 10 made of Mo are used.
  • the electrode finger width ratio (duty ratio) ⁇ with respect to the electrode pitch of the IDT electrode 7 is found to be in the region shown in FIGS. 14A to 14G.
  • 14A to 14G show the duty ratio (vertical axis) of the first electrode layer 10 and the normalized film thickness h / ⁇ of the first electrode layer 10 at which the stop band in the short-circuit grating of the IDT electrode 7 is equal to or higher than the antiresonance frequency.
  • (%) (Horizontal axis) indicates a range of possible values.
  • 14A shows a case where H / h is 5.00
  • FIG. 14B shows a case where H / h is 5.62
  • FIG. 14C shows a case where H / h is 6.25
  • FIG. 14E shows a case where H / h is 7.50
  • FIG. 14F shows a case where H / h is 8.12
  • FIG. 14G shows a case where H / h is 8.75.
  • H / h is 5.00 or more and less than 6.25
  • the duty ratio of the first electrode layer 10 is 0.4 or more and less than 0.6
  • h / ⁇ is 3.5% or more
  • IDT The stop band in the short-circuit grating of the electrode 7 is equal to or higher than the antiresonance frequency. Unnecessary resonance spurious generated between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the IDT electrode 7 can be suppressed.
  • FIG. 15 is a cross-sectional schematic diagram (cross-sectional schematic diagram perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of the acoustic wave device according to the third exemplary embodiment.
  • the main difference from the first embodiment is that the main component of the first electrode layer 10 is W (tungsten).
  • the acoustic wave element 5 includes a piezoelectric body 6, an IDT electrode 7 that is provided on the piezoelectric body 6 and excites a main acoustic wave having a wavelength ⁇ (such as a Shear Horizontal wave), and the piezoelectric body 6.
  • the silicon oxide film 8 is provided so as to cover the IDT electrode 7 and has a thickness of 0.20 ⁇ to 0.50 ⁇ .
  • the acoustic wave device 5 includes a dielectric thin film 9 that is provided on the silicon oxide film 8 and propagates a transverse wave faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8.
  • the acoustic wave element 5 is a boundary wave element that confines most of the energy in the boundary portion between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 and excites the main acoustic wave.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate (LiNbO3) -based substrate, but is, for example, another piezoelectric single crystal medium such as a crystal, a lithium tantalate (LiTaO3) -based, or a potassium niobate (KNbO3) -based substrate or a thin film. It doesn't matter.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate substrate, it is desirable from the viewpoint of suppressing unnecessary spurious to use a substrate in the range of ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 60 ° in the Euler angle display ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ).
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric body 6 made of lithium niobate are ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ 60 °, 1.193 ⁇ 2. Desirably, ° ⁇ ⁇ ⁇ 1.193 ⁇ + 2 °, ⁇ ⁇ ⁇ 2 ⁇ 3 °, ⁇ 2 ⁇ + 3 ° ⁇ ⁇ are satisfied.
  • ⁇ and ⁇ are cut-out cut angles of the piezoelectric body 6, and ⁇ is a propagation angle of the main elastic wave in the IDT electrode 7 on the piezoelectric body 6.
  • the IDT electrode 7 is a comb-shaped interdigital transducer electrode as viewed from above the acoustic wave element 5.
  • a first electrode layer 10 mainly composed of W (tungsten) and a second electrode layer 11 mainly composed of Al (aluminum) provided on the first electrode layer 10 in order from the piezoelectric body 6 side.
  • the first electrode layer 10 may be mixed with a mixture such as Si, and the second electrode layer 11 may be mixed with a mixture such as Mg, Cu, and Si. Thereby, the power durability of the IDT electrode 7 can be improved.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.03 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.026 ⁇ or more.
  • the silicon oxide film 8 is a medium having a frequency temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric body 6, the frequency temperature characteristic of the acoustic wave element 5 can be improved.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the velocity of the main elastic wave is lower than the velocity of the slowest transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6. Thereby, reduction of leakage of the main elastic wave toward the piezoelectric body 6 can be expected.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (30 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.2 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 refers to the oxidation from the boundary surface between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 in the part where the IDT electrode 7 is not formed and the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 are in contact with each other.
  • the distance D to the upper surface of the silicon film 8 is said.
  • the dielectric thin film 9 is a medium in which a transverse wave that is faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8 propagates.
  • the dielectric thin film 9 is, for example, diamond, silicon, silicon nitride, aluminum nitride, or aluminum oxide.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 is larger than the film thickness of the silicon oxide film 8 and is not less than the wavelength ⁇ of the SH (Shear Horizontal) wave that is the main elastic wave. Thereby, the main elastic wave can be confined in the elastic wave element 5.
  • the thickness of the dielectric thin film 9 is desirably 5 ⁇ or less.
  • the first electrode layer 10 is a W layer having a thickness of 0.04 ⁇ , and the sheet resistance (unit ⁇ / unit) of the entire IDT electrode 7 in which the second electrode layer 11 of the Al layer is laminated on the W layer. ( ⁇ ) and the film thickness ( ⁇ ) of the second electrode layer 11.
  • the resistance of the entire IDT electrode 7 has an inflection point and becomes larger than 0.44 ⁇ / ⁇ . I understand. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the resistance of the IDT electrode 7 hardly depends on the film thickness of the first electrode layer 10. This is because most of the current flowing through the IDT electrode 7 flows through the second electrode layer 11 when the thickness of the second electrode layer 11 made of Al is 0.026 ⁇ or more.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less. Further, the power durability of the acoustic wave device is improved by setting the film thickness of the first electrode layer 10 containing W as a main component to 0.03 ⁇ or more. Furthermore, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • a 25 ° rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6
  • silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used as the dielectric thin film 9
  • the film thickness D of the silicon oxide film 8 is The relationship between the film thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the sound velocity (m / second) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 when changing from 0.2 ⁇ to 0.5 ⁇ is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave shown in FIG. 17 is the sound velocity at the antiresonance frequency of the main elastic wave.
  • the comparison target may be the acoustic velocity of the anti-resonance frequency of the main elastic wave.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.037 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇
  • the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.04 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a thickness of 0.037 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, the first
  • the film thickness of the electrode layer 10 is 0.03 ⁇ or more, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6.
  • the sound velocity of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) in another acoustic wave device according to the third embodiment. 18 is different from FIG. 15 in that convex portions 12 are provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • FIG. 19 shows that when the cross section of the convex portion 12 has the same shape as the electrode finger cross section of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6,
  • silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used and the thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.2 ⁇ to 0.5 ⁇ , the thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the IDT electrode 7 are propagated.
  • the relationship with the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave is shown.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ .
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.04 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.035 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.029 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇
  • the thickness of the first electrode layer 10 is 0.028 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st electrode layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is controlled.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.04 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.035 ⁇ or more, and when the silicon oxide film 8 has a film thickness of 0.4 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ ,
  • the piezoelectric material is used when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.028 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the wave 6, and the energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed. it can.
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • the second electrode layer 11 is preferably formed so as to be part of the side surface of the first electrode layer 10.
  • the silicon oxide film 8 can be prevented from peeling from the piezoelectric body 6 due to the anchor effect.
  • the IDT electrode 7 is peeled from the piezoelectric body 6 by providing an adhesion layer 15 made of a Ti layer, a Cr layer, or a NiCr layer between the piezoelectric body 6 and the first electrode layer 10. Can be prevented.
  • the power durability of the acoustic wave element 5 is achieved. Can be improved.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of the acoustic wave device according to Embodiment 4 (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode fingers).
  • symbol is attached
  • the main difference from the second embodiment is that the main component of the first electrode layer 10 is W (tungsten).
  • the acoustic wave element 5 does not include the dielectric thin film 9 described in the third embodiment, and the main acoustic wave is excited by distributing energy to the surface portion of the piezoelectric body 6 or the silicon oxide film 8. It is a surface wave device.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.004 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.026 ⁇ or more. Have.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (10 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.1 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the resistance of the entire IDT electrode 7 is increased. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less. Further, the power durability of the acoustic wave device 5 is improved by setting the film thickness of the first electrode layer 10 containing W as a main component to 0.004 ⁇ or more. Furthermore, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • FIG. 23 shows a first electrode layer when a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6 and the film thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.1 ⁇ to 0.5 ⁇ .
  • the relationship between the film thickness ( ⁇ ) and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.027 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇
  • the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.02 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.018 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇
  • the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.01 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇
  • the thickness of the first electrode layer 10 is 0.004 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.1 ⁇ or more and less than 0.2 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.027 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a thickness of 0.02 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.3 ⁇ or more and less than 0.4 ⁇ ,
  • the thickness of the electrode layer 10 is 0.018 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.01 ⁇ or more.
  • the speed of sound of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the speed of sound (4080 m / sec), and the main elastic wave generated by bulk wave radiation Energy loss can be suppressed.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of another acoustic wave device according to the fourth embodiment. 24 differs from FIG. 22 in that convex portions 12 are provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • FIG. 25 shows that when the cross section of the convex portion 12 is the same shape as the cross section of the electrode finger of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6.
  • the relationship between the film thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer 10 and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 when the thickness D is changed from 0.1 ⁇ to 0.5 ⁇ is shown.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave propagating through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.016 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.009 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.3 ⁇ , 0.4 ⁇ , and 0.5 ⁇ , the sound velocity of a slow transverse wave (bulk wave) that propagates through the piezoelectric body 6 even if the first electrode layer 10 is not present. (4080 m / sec), the acoustic velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st electrode layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is controlled.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.1 ⁇ or more and less than 0.2 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.016 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0. In the case of 2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the IDT is determined from the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.009 ⁇ or more. The sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • adhesion layers 15 and 16 described in the third embodiment can be applied to the IDT electrode of the fourth embodiment.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • the main difference from the first embodiment is that the main component of the first electrode layer 10 is Pt (platinum).
  • the acoustic wave element 5 includes a piezoelectric body 6, an IDT electrode 7 that is provided on the piezoelectric body 6 and excites a main acoustic wave having a wavelength ⁇ (such as a shear horizontal wave), and the piezoelectric body 6.
  • the silicon oxide film 8 is provided so as to cover the IDT electrode 7 and has a thickness of 0.20 ⁇ to 0.50 ⁇ .
  • the acoustic wave device 5 includes a dielectric thin film 9 that is provided on the silicon oxide film 8 and propagates a transverse wave faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8.
  • the acoustic wave element 5 is a boundary wave element that confines most of the energy in the boundary portion between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 and excites the main acoustic wave.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate (LiNbO3) -based substrate, but is, for example, another piezoelectric single crystal medium such as a crystal, a lithium tantalate (LiTaO3) -based, or a potassium niobate (KNbO3) -based substrate or a thin film. It doesn't matter.
  • the piezoelectric body 6 is a lithium niobate substrate, it is desirable from the viewpoint of suppressing unnecessary spurious to use a substrate in the range of ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 60 ° in the Euler angle display ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ).
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric body 6 made of lithium niobate are ⁇ 100 ° ⁇ ⁇ ⁇ 60 °, 1.193 ⁇ 2. Desirably, ° ⁇ ⁇ ⁇ 1.193 ⁇ + 2 °, ⁇ ⁇ ⁇ 2 ⁇ 3 °, ⁇ 2 ⁇ + 3 ° ⁇ ⁇ are satisfied.
  • ⁇ and ⁇ are cut-out cut angles of the piezoelectric body 6, and ⁇ is a propagation angle of the main elastic wave in the IDT electrode 7 on the piezoelectric body 6.
  • the IDT electrode 7 is an interdigital transducer electrode having a comb shape when viewed from above the acoustic wave element 5, and in order from the piezoelectric body 6 side, a first electrode layer 10 containing Pt (platinum) as a main component, and a first electrode layer 10 and a second electrode layer 11 mainly composed of Al (aluminum).
  • the first electrode layer 10 may be mixed with a mixture such as Si
  • the second electrode layer 11 may be mixed with a mixture such as Mg, Cu, and Si. Thereby, the power durability of the IDT electrode 7 can be improved.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.025 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.026 ⁇ or more.
  • the silicon oxide film 8 is a medium having a frequency temperature characteristic opposite to that of the piezoelectric body 6, the frequency temperature characteristic of the acoustic wave element 5 can be improved.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the velocity of the main elastic wave is lower than the velocity of the slowest transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6. Thereby, reduction of leakage of the main elastic wave toward the piezoelectric body 6 can be expected.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (30 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.2 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 refers to the oxidation from the boundary surface between the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 in the part where the IDT electrode 7 is not formed and the piezoelectric body 6 and the silicon oxide film 8 are in contact with each other.
  • the distance D to the upper surface of the silicon film 8 is said.
  • the dielectric thin film 9 is a medium in which a transverse wave that is faster than the velocity of the transverse wave that propagates through the silicon oxide film 8 propagates.
  • the dielectric thin film 9 is, for example, diamond, silicon, silicon nitride, aluminum nitride, or aluminum oxide.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 is larger than the film thickness of the silicon oxide film 8 and is not less than the wavelength ⁇ of the SH (Shear Horizontal) wave that is the main elastic wave. Thereby, the main elastic wave can be confined in the elastic wave element 5.
  • the thickness of the dielectric thin film 9 is desirably 5 ⁇ or less.
  • the first electrode layer 10 is a Pt layer having a film thickness of 0.03 ⁇ , and the sheet resistance (unit ⁇ / unit) of the entire IDT electrode 7 in which the second electrode layer 11 of the Al layer is laminated on the Pt layer. ( ⁇ ) and the film thickness ( ⁇ ) of the second electrode layer 11.
  • the resistance of the entire IDT electrode 7 has an inflection point and becomes larger than 0.44 ⁇ / ⁇ . I understand. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the resistance of the IDT electrode 7 hardly depends on the film thickness of the first electrode layer 10. This is because most of the current flowing through the IDT electrode 7 flows through the second electrode layer 11 when the thickness of the second electrode layer 11 made of Al is 0.026 ⁇ or more.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less. Further, the power durability of the acoustic wave device is improved by setting the film thickness of the first electrode layer 10 containing Pt as a main component to 0.025 ⁇ or more. Furthermore, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6
  • silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used as the dielectric thin film 9
  • the film thickness D of the silicon oxide film 8 is The thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer when changing from 0.2 ⁇ to 0.5 ⁇ propagates through the IDT electrode 7.
  • the relationship with the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave shown in FIG. 29 is the sound velocity at the anti-resonance frequency of the main elastic wave. The same applies to other drawings showing the speed of sound of the main elastic wave.
  • the comparison target may be the acoustic velocity of the anti-resonance frequency of the main elastic wave.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.035 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.029 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.027 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.025 ⁇ or more. / Second), the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.035 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a thickness of 0.029 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ ,
  • the piezoelectric body 6 is The sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) that propagates, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) in another acoustic wave device according to the fifth embodiment. 30 is different from FIG. 27 in that convex portions 12 are provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • the piezoelectric body 6 when the cross section of the convex portion 12 has the same shape as the cross section of the electrode finger of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6, and the dielectric thin film 9 is When silicon nitride (SiN) having a thickness of 1 ⁇ is used and the thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.2 ⁇ to 0.5 ⁇ , the thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer and the IDT electrode 7 are propagated. The relationship with the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave is shown. The film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ .
  • the film thickness of the dielectric thin film 9 hardly contributes to the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 if the film thickness is 1 ⁇ or more.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.034 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.028 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.027 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇
  • the thickness of the first electrode layer 10 is 0.025 ⁇ or more
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / Second)
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st electrode layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is controlled.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.034 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.028 ⁇ or more, and when the silicon oxide film 8 has a film thickness of 0.4 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ ,
  • the thickness of the electrode layer 10 is 0.027 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.5 ⁇ , the piezoelectric material is obtained when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.025 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the wave 6, thereby suppressing energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation. it can.
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • the second electrode layer 11 is preferably formed so as to be part of the side surface of the first electrode layer 10.
  • the silicon oxide film 8 can be prevented from peeling from the piezoelectric body 6 due to the anchor effect.
  • the IDT electrode 7 is peeled from the piezoelectric body 6 by providing an adhesion layer 15 made of a Ti layer, a Cr layer or a NiCr layer between the piezoelectric body 6 and the first electrode layer 10. Can be prevented.
  • the power durability of the acoustic wave element 5 is achieved. Can be improved.
  • FIG. 34 is a schematic cross-sectional view (cross-sectional schematic view perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of the acoustic wave device according to the sixth embodiment.
  • symbol is attached
  • the main difference from the second embodiment is that the main component of the first electrode layer 10 is Pt (platinum).
  • the acoustic wave element 5 does not include the dielectric thin film 9 described in the fifth embodiment, and the main acoustic wave is excited by distributing energy to the surface portion of the piezoelectric body 6 or the silicon oxide film 8. It is a surface wave device.
  • the IDT electrode 7 has a total film thickness of 0.15 ⁇ or less, the first electrode layer 10 has a film thickness of 0.009 ⁇ or more, and the second electrode layer 11 has a film thickness of 0.026 ⁇ or more. Have.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 is set so that the frequency temperature characteristic of the main elastic wave excited by the IDT electrode 7 is a predetermined value (10 ppm / ° C.) or less.
  • the film thickness of the silicon oxide film 8 satisfying the above is 0.1 ⁇ or more and 0.5 ⁇ or less, it is possible to particularly achieve both the effect of preventing leakage of the main acoustic wave and the improvement of the frequency temperature characteristics.
  • the resistance of the entire IDT electrode 7 is increased. That is, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • the film thickness variation of the silicon oxide film 8 is reduced by setting the total film thickness of the IDT electrode 7 to 0.15 ⁇ or less. Moreover, the power durability of the acoustic wave element 5 is improved by setting the film thickness of the first electrode layer 10 containing Pt as a main component to 0.009 ⁇ or more. Furthermore, the resistance of the IDT electrode 7 is suppressed by setting the thickness of the second electrode layer 11 containing Al as a main component to 0.026 ⁇ or more. Thereby, the insertion loss in the elastic wave element 5 can be suppressed.
  • FIG. 35 shows the first electrode layer when a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6 and the thickness D of the silicon oxide film 8 is changed from 0.1 ⁇ to 0.5 ⁇ .
  • the relationship between the film thickness ( ⁇ ) and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is shown. It is assumed that the upper surface of the silicon oxide film is flat.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.02 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the slow transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.018 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.016 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.009 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the IDT is generated from the sound velocity (4080 m / sec) of the slow transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 even if the first electrode layer 10 is not present.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and the energy loss of the main elastic wave due to the bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.1 ⁇ or more and less than 0.2 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.02 ⁇ or more, and the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.
  • the first electrode layer 10 has a thickness of 0.018 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.3 ⁇ or more and less than 0.4 ⁇ ,
  • the thickness of the electrode layer 10 is 0.016 ⁇ or more, and when the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.4 ⁇ or more and less than 0.5 ⁇ , the thickness of the first electrode layer 10 is 0.009 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation. Can be suppressed.
  • FIG. 36 is a cross-sectional schematic diagram (cross-sectional schematic diagram perpendicular to the extending direction of the IDT electrode finger) of another acoustic wave device according to the sixth embodiment. 36 differs from FIG. 34 in that convex portions 12 are provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7.
  • FIG. 37 shows that when the convex section 12 has the same shape as the electrode finger section of the IDT electrode 7, a 25-degree rotated Y-plate X-propagating lithium niobate substrate is used as the piezoelectric body 6, and the silicon oxide film 8 is formed.
  • the relationship between the film thickness ( ⁇ ) of the first electrode layer 10 and the sound velocity (m / sec) of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 when the thickness D is changed from 0.1 ⁇ to 0.5 ⁇ is shown.
  • the film thickness of the second electrode layer 11 is 0.026 ⁇ . The larger the film thickness of the second electrode layer 11 is, the smaller the sound velocity of the main elastic wave is.
  • a slow transverse wave that propagates through the piezoelectric body 6 when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.01 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower than the sound velocity (4080 m / sec), and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of slow transverse waves (bulk waves) propagating through the piezoelectric body 6 (4080 m / mm) when the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.007 ⁇ or more.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the thickness of the silicon oxide film 8 is 0.3 ⁇ , 0.4 ⁇ , and 0.5 ⁇ , the sound velocity of a slow transverse wave (bulk wave) that propagates through the piezoelectric body 6 even if the first electrode layer 10 is not present. (4080 m / sec), the acoustic velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 becomes slower, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode finger of the IDT electrode 7, the sound velocity of the main elastic wave propagating through the IDT electrode 7 is slightly slowed. Therefore, compared with the case where there is no convex part 12, even if the film thickness of the 1st electrode layer 10 is thin, the energy loss of the main elastic wave by bulk wave radiation is controlled.
  • the convex portion 12 when the convex portion 12 is provided on the upper surface of the silicon oxide film 8 above the electrode fingers of the IDT electrode 7, energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed under the following conditions. That is, when the film thickness of the silicon oxide film 8 is 0.1 ⁇ or more and less than 0.2 ⁇ , the film thickness of the first electrode layer 10 is 0.01 ⁇ or more, and the film thickness of the silicon oxide film 8 is 0.00. In the case of 2 ⁇ or more and less than 0.3 ⁇ , the IDT is determined from the sound velocity (4080 m / sec) of the slowest transverse wave (bulk wave) propagating through the piezoelectric body 6 when the thickness of the first electrode layer 10 is 0.007 ⁇ or more. The sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can be suppressed.
  • the sound velocity of the main elastic wave propagating through the electrode 7 becomes slow, and energy loss of the main elastic wave due to bulk wave radiation can
  • the convex portion 12 of the silicon oxide film 8 desirably has a curved shape that protrudes downward from the top to the bottom of the convex portion 12.
  • the width L of the top defined by the distance between the points where the downwardly convex curve or its extension and the straight line parallel to the top surface of the piezoelectric body 6 including the top intersect is the electrode of the IDT electrode 7. It is smaller than the width of the finger.
  • the width of the top of the convex portion 12 is 1 ⁇ 2 or less of the electrode finger width of the IDT electrode 7. Moreover, it is desirable that the center position of the top of the convex portion 12 substantially coincides with the center position of the electrode finger. Thereby, the reflectance at the electrode finger due to the mass addition effect is further increased, and the electrical characteristics of the acoustic wave device 5 are improved.
  • adhesion layers 15 and 16 described in the fifth embodiment can be applied to the IDT electrode of the sixth embodiment.
  • the elastic wave element 5 of the first to sixth embodiments may be applied to a filter (not shown) such as a ladder filter or a DMS filter. Furthermore, this filter may be applied to an antenna duplexer (not shown) having a transmission filter and a reception filter.
  • the acoustic wave element 5 includes the filter, a semiconductor integrated circuit element (not shown) connected to the filter, and a reproducing unit such as a speaker connected to the semiconductor integrated circuit element (not shown). You may apply to an electronic device.
  • the acoustic wave device according to the present invention has an effect of suppressing insertion loss, and can be applied to an electronic device such as a mobile phone.

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Abstract

　ＩＤＴ電極は、圧電体側から順に、Ｍｏを主成分とする第１電極層と、第１電極層の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層とを有し、ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層は、０．０５λ以上の膜厚を有し、第２電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する。

Description

弾性波素子
　本発明は、弾性波素子に関する。
　図３９は、従来の弾性波素子の断面模式図である。従来、弾性波素子１を用いたフィルタの温度特性の改善手段としては、圧電体２上にＩＤＴ電極７を覆うように酸化ケイ素膜４を形成する手段が提案されている。
　また、ＩＤＴ電極７にモリブデン（Ｍｏ）を用いることで、ドライエッチングによる電極パターン形成を可能とすると共に、弾性波素子１の耐電力性の向上を図っていた。
　また、Ｍｏはアルミニウム（Ａｌ）よりも比重が大きいので、Ａｌ電極よりも薄い膜厚３によるＩＤＴ電極形成を可能としていた。これにより、酸化ケイ素膜４の成膜バラツキを低減することができた。
　なお、この出願に関連する先行技術文献として特許文献１が知られている。
　しかしながら、このような従来の弾性波素子では、Ｍｏは導電性が悪く、弾性波素子１での挿入損失が大きくなるという課題がある。
特開２００９－２９０９１４号公報
　本発明は、ドライエッチングによりパターン形成可能なＭｏ（モリブデン）もしくはＷ（タングステン）もしくはＰｔ（白金）をＩＤＴ電極として用いた場合に弾性波素子の挿入損失を抑制することを目的とする。
　本発明の弾性波素子は、圧電体と、圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、圧電体の上にＩＤＴ電極を覆うように設けられて膜厚０．２０λ以上１λ未満の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜と、酸化ケイ素膜の上に設けられて酸化ケイ素膜を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質からなる１λ以上５λ以下の膜厚を有する誘電体薄膜とを備え、ＩＤＴ電極は、圧電体側から順に、例えば、Ｍｏを主成分とする第１電極層と、第１電極層の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層とを有し、ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層は、０．０５λ以上の膜厚を有し、第２電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する。
　上記構成により、弾性波素子において、ＩＤＴ電極の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜の成膜バラツキを低減する。また、例えば、Ｍｏを主成分とする第１電極層の膜厚を０．０５λ以上とした場合に、弾性波素子の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、ＩＤＴ電極の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子における挿入損失を抑制することができる。
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子の断面模式図である。 図２は同弾性波素子の特性説明図である。 図３は同弾性波素子の特性説明図である。 図４は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図５は同弾性波素子の特性説明図である。 図６は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図７は同弾性波素子の圧電体とＩＤＴ電極の一形態を示す図である。 図８は本発明の実施の形態２における弾性波素子の断面模式図である。 図９は同弾性波素子の特性説明図である。 図１０は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図１１は同弾性波素子の特性説明図である。 図１２は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図１３Ａは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｂは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｃは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｄは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｅは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｆは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｇは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１３Ｈは同弾性波素子の製造方法を示す図である。 図１４Ａは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｂは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｃは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｄは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｅは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｆは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１４Ｇは同弾性波素子において不要スプリアスを抑制する条件を示す図である。 図１５は本発明の実施の形態３における弾性波素子の断面模式図である。 図１６は同弾性波素子の特性説明図である。 図１７は同弾性波素子の特性説明図である。 図１８は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図１９は同弾性波素子の特性説明図である。 図２０は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図２１は同弾性波素子の圧電体とＩＤＴ電極の一形態を示す図である。 図２２は本発明の実施の形態４における弾性波素子の断面模式図である。 図２３は同弾性波素子の特性説明図である。 図２４は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図２５は同弾性波素子の特性説明図である。 図２６は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図２７は本発明の実施の形態５における弾性波素子の断面模式図である。 図２８は同弾性波素子の特性説明図である。 図２９は同弾性波素子の特性説明図である。 図３０は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図３１は同弾性波素子の特性説明図である。 図３２は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図３３は同弾性波素子の圧電体とＩＤＴ電極の一形態を示す図である。 図３４は本発明の実施の形態６における弾性波素子の断面模式図である。 図３５は同弾性波素子の特性説明図である。 図３６は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図３７は同弾性波素子の特性説明図である。 図３８は同弾性波素子の他の断面模式図である。 図３９は従来の弾性波素子の断面模式図である。
　（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。図１は、実施の形態１における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。
　図１において、弾性波素子５は、圧電体６と、圧電体６の上に設けられて波長λの主要弾性波（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ波等）を励振させるＩＤＴ電極７と、圧電体６の上にＩＤＴ電極７を覆うように設けられて膜厚０．２０λ以上１λ未満の酸化ケイ素膜８とを備える。なお、主要弾性波の波長λは電極指ピッチの２倍である。また、弾性波素子５は、酸化ケイ素膜８の上に設けられて酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する誘電体薄膜９を備えていている。この弾性波素子５は、圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界部分にエネルギーの大部分を閉じ込めて主要弾性波を励振させる境界波素子である。
　圧電体６は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）系基板であるが、例えば、水晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）系、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）系の基板又は薄膜など他の圧電単結晶媒質であっても構わない。
　圧電体６がニオブ酸リチウム系基板の場合、オイラー角表示（φ，θ，ψ）において－１００°≦θ≦－６０°の範囲の基板を用いるのが不要スプリアス抑制という観点で望ましい。さらに、特願２００９－２５１６９６にも記載のように、このニオブ酸リチウムからなる圧電体６のオイラー角（φ，θ，ψ）は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°、－２φ＋３°≦ψを満たすことが望ましい。尚、φ、θは、圧電体６の切出しカット角、ψは圧電体６上のＩＤＴ電極７における主要弾性波の伝搬角である。このオイラー角にすることで、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。
　ＩＤＴ電極７は、弾性波素子５の上方からみて櫛形形状のインターディジタルトランスデューサ電極であり、圧電体６側から順に、Ｍｏを主成分とする第１電極層１０と、第１電極層１０の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層１１とを有する。この第１電極層１０にはＳｉ等の混合物が混入されていても良いし、第２電極層１１にはＭｇ、Ｃｕ、Ｓｉ等の混合物が混入されていても良い。これにより、ＩＤＴ電極７の耐電力性を向上することができる。
　このＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．０５λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２５λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８は、圧電体６とは逆の周波数温度特性を有する媒質であるので、弾性波素子５の周波数温度特性を向上することができる。また、酸化ケイ素膜８の膜厚は、主要弾性波の速度が圧電体６を伝搬する最も遅い横波の速度よりも低速になるように設定されている。これにより主要弾性波の圧電体６方向への漏れの低減が期待できる。
　さらに、酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（３０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．２λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　尚、ここでいう酸化ケイ素膜８の膜厚とは、ＩＤＴ電極７が非形成で圧電体６と酸化ケイ素膜８とが接している部分における圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界面から酸化ケイ素膜８の上面までの距離Ｄをいう。
　誘電体薄膜９は、酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質である。この誘電体薄膜９は、例えば、ダイアモンド、シリコン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、または酸化アルミニウムである。また、誘電体薄膜９の膜厚は酸化ケイ素膜８の膜厚より大きく、主要弾性波であるＳＨ（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波の波長λ以上である。これにより、主要弾性波を、弾性波素子５の中に閉じ込めることができる。また、弾性波素子５の低背化を図る為、誘電体薄膜９の膜厚は、５λ以下であることが望ましい。
　以下、本発明の弾性波素子５について詳細を説明する。
　図２は、第１電極層１０が膜厚０．０５λのＭｏ層であり、このＭｏ層の上にＡｌ層の第２電極層１１が積層されたＩＤＴ電極７全体のシート抵抗（単位Ω／□）と第２電極層１１の膜厚（λ）との関係を示す。図２に示す様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２５λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が編曲点を持って０．４４Ω／□より大きくなるのが分かる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　尚、第２電極層１１の膜厚が０．０２５λ以上の場合において、ＩＤＴ電極７の抵抗は第１電極層１０の膜厚にほとんど依存しない。これは、Ａｌからなる第２電極層１１の膜厚を０．０２５λ以上とすると、ＩＤＴ電極７に流れる電流のほとんどは第２電極層１１を流れるからである。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｍｏを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．０５λ以上とすることで、弾性波素子の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図３は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから１λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２５λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。また、図３に示す主要弾性波の音速は、主要弾性波の***振周波数における音速である。このことは、主要弾性波の音速を示す他の図面でも同様である。主要弾性波のエネルギー損失に着眼する場合、主要弾性波の共振周波数と***振周波数におけるエネルギー損失に着眼することが肝要であると考えられ得る。しかし、主要弾性波の***振周波数の音速は共振周波数の音速よりも速いため、主要弾性波のエネルギー損失という観点でバルク波の音速に対し比較する場合は、その比較対象は主要弾性波の***振周波数の音速で良い。
　図３に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０９３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０６８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０５λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚がλの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０９３λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０６８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λ以上１λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０５λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚がλの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図４は、実施の形態１における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図４において、図１と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図５は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから１λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２５λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。
　図５に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０６６λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０５１λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚がλの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１誘電体層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０６６λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λ以上１λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０５１λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚がλの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図６に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図３に示す値と図５に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより高い値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、この酸化ケイ素膜８を作製する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。
　なお、第２電極層１１は、第１電極層１０の側面の一部に掛かるように形成されていることが望ましい。これによるアンカー効果により、酸化ケイ素膜８が圧電体６から剥離することを抑制することができる。
　また、図７に示すように、圧電体６と第１電極層１０との間に、Ｔｉ層又はＴｉＮ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層を設けることにより、ＩＤＴ電極７が圧電体６から剥離することを防止することができる。
　さらに、図７に示すように、第１電極層１０と第２電極層１１との間に、Ｔｉ層又はＴｉＮ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層を設けることにより、弾性波素子５の耐電力性を向上することができる。
　（実施の形態２）
　以下、本発明の実施の形態２について、図面を用いて説明する。図８は、実施の形態２における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。実施の形態１と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略する。
　図８において、弾性波素子５は、実施の形態１に記載の誘電体薄膜９を備えておらず、圧電体６の表面部分もしくは酸化ケイ素膜８にエネルギーを分布させて主要弾性波を励振させる表面波素子である。
　ＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．０３λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２５λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（１０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．２λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　また、実施の形態１と同様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２５λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が大きくなる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｍｏを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．０３λ以上とすることで、弾性波素子５の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図９は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから１λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２５λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図９に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λ以上の場合は、第１電極層１０がなくとも、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。この場合の弾性波素子は、本発明外である。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図１０は、実施の形態１における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図１０において、図８と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図１１は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから１λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２５λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図１１に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１４λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λ以上の場合は、第１電極層１０がなくとも、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。この場合の弾性波素子は、本発明外である。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１誘電体層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１４λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図１２に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図９に示す値と図１１に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより大きい値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、下記に示す製造方法にさらに、この酸化ケイ素膜８を作製する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。
　図１３Ａ～図１３Ｈは本発明の実施の形態１における例えば凸部１２を有する弾性波素子５の製造方法の一例を説明する図である。
　まず、図１３Ａに示すように、圧電体２１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法によりＩＤＴ電極または／および反射器となる電極膜２２を成膜する。
　そして、図１３Ｂに示すように、電極膜２２の上面にレジスト膜２３を形成する。
　さらに、図１３Ｃに示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜２３を加工する。
　さらにまた、図１３Ｄに示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２をＩＤＴ電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。
　次に、図１３Ｅに示すように、電極膜２２を覆うように酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を蒸着またはスパッタ等の方法により、酸化ケイ素膜２４を形成する。このとき、酸化ケイ素膜２４の上記凸部を得る方法として、圧電体２１側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるバイアススパッタリング法を用いた。
　酸化ケイ素のターゲットをスパッタリングすることにより圧電体２１上に酸化ケイ素膜２４を堆積させると同時に、バイアスにより圧電体２１上の酸化ケイ素膜２４の一部をスパッタリングする。つまり酸化ケイ素膜２４を堆積させながら一部を削ることにより、酸化ケイ素膜２４の形状をコントロールしたものである。その際、酸化ケイ素膜２４の形状をコントロールする手段としては、酸化ケイ素膜２４を堆積させる途中で圧電体２１に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変化させたり、成膜の初期は圧電体２１にバイアスをかけずに成膜し、途中から成膜と同時にバイアスを印加したりすればよい。この際、圧電体２１の温度についても管理を行う。
　さらに、図１３Ｆに示すように、酸化ケイ素膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する。
　さらにまた、図１３Ｇに示すように、露光・現像技術等を用いてレジスト膜２５を所望の形状に加工する。
　次に、図１３Ｈに示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド２６等、酸化ケイ素膜２４が不要な部分の誘電体薄膜を取り除き、その後レジスト膜２５を除去する。
　最後にダイシングにより個々に分割し、弾性波素子５を得る。
　以上のように、バイアススパッタリング法を用い、適当な成膜条件下で酸化ケイ素膜８を成膜することで、所望の形状を得ることができることを発明者らは確認した。
　なお、実施の形態１で説明した密着層１５、１６に関して、実施の形態２のＩＤＴ電極に適用可能なことは言うまでもない。
　また、本実施の形態２において、圧電体６のオイラー角（φ，θ，ψ）が、－１０°≦φ≦１０°、３３°≦θ≦４３°、－１０°≦ψ≦１０°を満たす場合、ＩＤＴ電極７によって励振される主要弾性波はレイリー波となる。この基板のオイラー角を使用する場合、ＩＤＴ電極７の短絡グレーティングにおけるストップバンド内に共振周波数から***振周波数までの周波数が入らない可能性が生じる。その結果、ＩＤＴ電極７の共振周波数から***振周波数の間に不要な共振スプリアスが発生する。即ち、このような状況にならないように、ＩＤＴ電極７の反射係数を十分大きくする必要があり、そのためには、酸化ケイ素膜８の膜厚ＨとＭｏからなる第１電極層１０の膜厚ｈとＩＤＴ電極７の電極ピッチに対する電極指幅比（デューティ比）ηとの関係が図１４Ａ～図１４Ｇに示す領域となる必要があることが判明した。
　図１４Ａ～図１４Ｇは、ＩＤＴ電極７の短絡グレーティングにおけるストップバンドが***振周波数以上となる、第１電極層１０のデューティ比（縦軸）と第１電極層１０の規格化膜厚ｈ／λ（％）（横軸）のとり得る値の領域を示す。また、図１４ＡはＨ／ｈが５．００の場合、図１４ＢはＨ／ｈが５．６２の場合、図１４ＣはＨ／ｈが６．２５の場合、図１４ＤはＨ／ｈが６．８７の場合、図１４ＥはＨ／ｈが７．５０の場合、図１４ＦはＨ／ｈが８．１２の場合、図１４ＧはＨ／ｈが８．７５の場合を示す。
　図１４Ａから図１４Ｃに示す様に、Ｈ／ｈが５．００以上６．２５未満の場合、第１電極層１０のデューティ比が０．３以上０．４未満のとき或は０．６以上０．７未満のときに、ｈ／λが４．５％以上で、ＩＤＴ電極７の短絡グレーティングにおけるストップバンドが***振周波数以上となる。ＩＤＴ電極７の共振周波数から***振周波数の間に発生する不要な共振スプリアスを抑制することができる。また、Ｈ／ｈが５．００以上６．２５未満の場合、第１電極層１０のデューティ比が０．４以上０．６未満のときに、ｈ／λが３．５％以上で、ＩＤＴ電極７の短絡グレーティングにおけるストップバンドが***振周波数以上となる。ＩＤＴ電極７の共振周波数から***振周波数の間に発生する不要な共振スプリアスを抑制することができる。
　さらに、図１４Ｃから図１４Ｇに示す様に、Ｈ／ｈが６．２５以上８．７５以下の場合、ｈ／λが３．５％以上で、ＩＤＴ電極７の短絡グレーティングにおけるストップバンドが***振周波数以上となる。ＩＤＴ電極７の共振周波数から***振周波数の間に発生する不要な共振スプリアスを抑制することができる。
　（実施の形態３）
　以下、本発明の実施の形態３について、図面を用いて説明する。図１５は、実施の形態３における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。
　実施の形態３において、実施の形態１との主な相違点は第１の電極層１０の主成分がＷ（タングステン）である点である。
　図１５において、弾性波素子５は、圧電体６と、圧電体６の上に設けられて波長λの主要弾性波（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ波等）を励振させるＩＤＴ電極７と、圧電体６の上にＩＤＴ電極７を覆うように設けられて膜厚０．２０λ以上０．５０λ以下の酸化ケイ素膜８とを備える。また、弾性波素子５は、酸化ケイ素膜８の上に設けられて酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する誘電体薄膜９を備えている。この弾性波素子５は、圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界部分にエネルギーの大部分を閉じ込めて主要弾性波を励振させる境界波素子である。
　圧電体６は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）系基板であるが、例えば、水晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）系、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）系の基板又は薄膜など他の圧電単結晶媒質であっても構わない。
　圧電体６がニオブ酸リチウム系基板の場合、オイラー角表示（φ，θ，ψ）において－１００°≦θ≦－６０°の範囲の基板を用いるのが不要スプリアス抑制という観点で望ましい。さらに、特願２００９－２５１６９６にも記載のように、このニオブ酸リチウムからなる圧電体６のオイラー角（φ，θ，ψ）は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψを満たすことが望ましい。尚、φ、θは、圧電体６の切出しカット角、ψは圧電体６上のＩＤＴ電極７における主要弾性波の伝搬角である。このオイラー角にすることで、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。
　ＩＤＴ電極７は、弾性波素子５の上方からみて櫛形形状のインターディジタルトランスデューサ電極である。圧電体６側から順に、Ｗ（タングステン）を主成分とする第１電極層１０と、第１電極層１０の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層１１とを有する。この第１電極層１０にはＳｉ等の混合物が混入されていても良いし、第２電極層１１にはＭｇ、Ｃｕ、Ｓｉ等の混合物が混入されていても良い。これにより、ＩＤＴ電極７の耐電力性を向上することができる。
　このＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．０３λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２６λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８は、圧電体６とは逆の周波数温度特性を有する媒質であるので、弾性波素子５の周波数温度特性を向上することができる。また、酸化ケイ素膜８の膜厚は、主要弾性波の速度が圧電体６を伝搬する最も遅い横波の速度よりも低速になるように設定されている。これにより主要弾性波の圧電体６方向への漏れの低減が期待できる。
　さらに、酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（３０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．２λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　尚、ここでいう酸化ケイ素膜８の膜厚とは、ＩＤＴ電極７が非形成で圧電体６と酸化ケイ素膜８とが接している部分における圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界面から酸化ケイ素膜８の上面までの距離Ｄをいう。
　誘電体薄膜９は、酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質である。この誘電体薄膜９は、例えば、ダイアモンド、シリコン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、または酸化アルミニウムである。また、誘電体薄膜９の膜厚は酸化ケイ素膜８の膜厚より大きく、主要弾性波であるＳＨ（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波の波長λ以上である。これにより、主要弾性波を、弾性波素子５の中に閉じ込めることができる。また、弾性波素子５の低背化を図る為、誘電体薄膜９の膜厚は、５λ以下であることが望ましい。
　以下、本発明の弾性波素子５について詳細を説明する。
　図１６は、第１電極層１０が膜厚０．０４λのＷ層であり、このＷ層の上にＡｌ層の第２電極層１１が積層されたＩＤＴ電極７全体のシート抵抗（単位Ω／□）と第２電極層１１の膜厚（λ）との関係を示した図である。図１６に示す様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が変曲点を持って０．４４Ω／□より大きくなるのが分かる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　尚、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λ以上の場合において、ＩＤＴ電極７の抵抗は第１電極層１０の膜厚にほとんど依存しない。これは、Ａｌからなる第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすると、ＩＤＴ電極７に流れる電流のほとんどは第２電極層１１を流れるからである。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｗを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．０３λ以上とすることで、弾性波素子の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図１７は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。また、図１７に示す主要弾性波の音速は、主要弾性波の***振周波数における音速である。このことは、主要弾性波の音速を示す他の図面でも同様である。主要弾性波のエネルギー損失に着眼する場合、主要弾性波の共振周波数と***振周波数におけるエネルギー損失に着眼することが肝要であると考えられ得るが、主要弾性波の***振周波数の音速は共振周波数の音速よりも速いため、主要弾性波のエネルギー損失という観点でバルク波の音速に対し比較する場合は、その比較対象は主要弾性波の***振周波数の音速で良い。
　図１７に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０４λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３７λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のとき、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０４λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３７λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ以下の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図１８は、実施の形態３における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図１８において、図１５と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図１９は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。
　図１９に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０４λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３５λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２９λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１電極層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０４λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３５λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２９λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２８λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図２０に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図１７に示す値と図１９に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより高い値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、この酸化ケイ素膜８を作成する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。
　なお、第２電極層１１は、第１電極層１０の側面の一部に掛かるように形成されていることが望ましい。これによるアンカー効果により、酸化ケイ素膜８が圧電体６から剥離することを抑制することができる。
　また、図２１に示すように、圧電体６と第１電極層１０との間に、Ｔｉ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層１５を設けることにより、ＩＤＴ電極７が圧電体６から剥離することを防止することができる。
　さらに、図２１に示すように、第１電極層１０と第２電極層１１との間に、Ｔｉ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層１６を設けることにより、弾性波素子５の耐電力性を向上することができる。
　（実施の形態４）
　以下、本発明の実施の形態４について、図面を用いて説明する。図２２は、実施の形態４における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。実施の形態３と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略する。
　実施の形態４において、実施の形態２との主な相違点は第１の電極層１０の主成分がＷ（タングステン）である点である。
　図２２において、弾性波素子５は、実施の形態３に記載の誘電体薄膜９を備えておらず、圧電体６の表面部分もしくは酸化ケイ素膜８にエネルギーを分布させて主要弾性波を励振させる表面波素子である。
　ＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．００４λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２６λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（１０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．１λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　また、実施の形態３と同様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が大きくなる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｗを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．００４λ以上とすることで、弾性波素子５の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図２３は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．１λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図２３に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００４λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００４λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図２４は、実施の形態４における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図２４において、図２２と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図２５は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．１λから０．５λに変化させた場合の第１電極層１０の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図２５に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１６λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００９λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ、０．４λ、０．５λの場合は、第１電極層１０が存在しなくとも、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１電極層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１６λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００９λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図２６に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図２３に示す値と図２５に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより大きい値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、実施の形態２に示す製造方法にさらに、この酸化ケイ素膜８を作成する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。尚、実施の形態４の弾性波素子５の製造方法は実施の形態２のそれと同様である。
　なお、実施の形態３で説明した密着層１５、１６に関して、実施の形態４のＩＤＴ電極に適用可能なことは言うまでもない。
　（実施の形態５）
　以下、本発明の実施の形態５について、図面を用いて説明する。図２７は、実施の形態５における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。
　実施の形態５において、実施の形態１との主な相違点は第１の電極層１０の主成分がＰｔ（白金）である点である。
　図２７において、弾性波素子５は、圧電体６と、圧電体６の上に設けられて波長λの主要弾性波（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ波等）を励振させるＩＤＴ電極７と、圧電体６の上にＩＤＴ電極７を覆うように設けられて膜厚０．２０λ以上０．５０λ以下の酸化ケイ素膜８とを備える。また、弾性波素子５は、酸化ケイ素膜８の上に設けられて酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する誘電体薄膜９を備えている。この弾性波素子５は、圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界部分にエネルギーの大部分を閉じ込めて主要弾性波を励振させる境界波素子である。
　圧電体６は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）系基板であるが、例えば、水晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）系、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）系の基板又は薄膜など他の圧電単結晶媒質であっても構わない。
　圧電体６がニオブ酸リチウム系基板の場合、オイラー角表示（φ，θ，ψ）において－１００°≦θ≦－６０°の範囲の基板を用いるのが不要スプリアス抑制という観点で望ましい。さらに、特願２００９－２５１６９６にも記載のように、このニオブ酸リチウムからなる圧電体６のオイラー角（φ，θ，ψ）は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψを満たすことが望ましい。尚、φ、θは、圧電体６の切出しカット角、ψは圧電体６上のＩＤＴ電極７における主要弾性波の伝搬角である。このオイラー角にすることで、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。
　ＩＤＴ電極７は、弾性波素子５の上方からみて櫛形形状のインターディジタルトランスデューサ電極であり、圧電体６側から順に、Ｐｔ（白金）を主成分とする第１電極層１０と、第１電極層１０の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層１１とを有する。この第１電極層１０にはＳｉ等の混合物が混入されていても良いし、第２電極層１１にはＭｇ、Ｃｕ、Ｓｉ等の混合物が混入されていても良い。これにより、ＩＤＴ電極７の耐電力性を向上することができる。
　このＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．０２５λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２６λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８は、圧電体６とは逆の周波数温度特性を有する媒質であるので、弾性波素子５の周波数温度特性を向上することができる。また、酸化ケイ素膜８の膜厚は、主要弾性波の速度が圧電体６を伝搬する最も遅い横波の速度よりも低速になるように設定されている。これにより主要弾性波の圧電体６方向への漏れの低減が期待できる。
　さらに、酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（３０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．２λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　尚、ここでいう酸化ケイ素膜８の膜厚とは、ＩＤＴ電極７が非形成で圧電体６と酸化ケイ素膜８とが接している部分における圧電体６と酸化ケイ素膜８の境界面から酸化ケイ素膜８の上面までの距離Ｄをいう。
　誘電体薄膜９は、酸化ケイ素膜８を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質である。この誘電体薄膜９は、例えば、ダイアモンド、シリコン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、または酸化アルミニウムである。また、誘電体薄膜９の膜厚は酸化ケイ素膜８の膜厚より大きく、主要弾性波であるＳＨ（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波の波長λ以上である。これにより、主要弾性波を、弾性波素子５の中に閉じ込めることができる。また、弾性波素子５の低背化を図る為、誘電体薄膜９の膜厚は、５λ以下であることが望ましい。
　以下、本発明の弾性波素子５について詳細を説明する。
　図２８は、第１電極層１０が膜厚０．０３λのＰｔ層であり、このＰｔ層の上にＡｌ層の第２電極層１１が積層されたＩＤＴ電極７全体のシート抵抗（単位Ω／□）と第２電極層１１の膜厚（λ）との関係を示した図である。図２８に示す様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が変曲点を持って０．４４Ω／□より大きくなるのが分かる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　尚、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λ以上の場合において、ＩＤＴ電極７の抵抗は第１電極層１０の膜厚にほとんど依存しない。これは、Ａｌからなる第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすると、ＩＤＴ電極７に流れる電流のほとんどは第２電極層１１を流れるからである。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｐｔを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．０２５λ以上とすることで、弾性波素子の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図２９は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する。
　主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。また、図２９に示す主要弾性波の音速は、主要弾性波の***振周波数における音速である。このことは、主要弾性波の音速を示す他の図面でも同様である。主要弾性波のエネルギー損失に着眼する場合、主要弾性波の共振周波数と***振周波数におけるエネルギー損失に着眼することが肝要であると考えられ得るが、主要弾性波の***振周波数の音速は共振周波数の音速よりも速いため、主要弾性波のエネルギー損失という観点でバルク波の音速に対し比較する場合は、その比較対象は主要弾性波の***振周波数の音速で良い。
　図２９に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３５λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２９λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２５λ以上のとき、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３５λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２９λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２５λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図３０は、実施の形態５における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図３０において、図２７と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図３１は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、誘電体薄膜９として、膜厚１λの窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．２λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。尚、誘電体薄膜９の膜厚は、その膜厚が１λ以上であればＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）にほとんど寄与しない。
　図３１に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３４λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２５λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１電極層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０３４λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２７λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２５λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図３２に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図２９に示す値と図３１に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより高い値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、この酸化ケイ素膜８を作成する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。
　なお、第２電極層１１は、第１電極層１０の側面の一部に掛かるように形成されていることが望ましい。これによるアンカー効果により、酸化ケイ素膜８が圧電体６から剥離することを抑制することができる。
　また、図３３に示すように、圧電体６と第１電極層１０との間に、Ｔｉ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層１５を設けることにより、ＩＤＴ電極７が圧電体６から剥離することを防止することができる。
　さらに、図３３に示すように、第１電極層１０と第２電極層１１との間に、Ｔｉ層又はＣｒ層又はＮｉＣｒ層からなる密着層１６を設けることにより、弾性波素子５の耐電力性を向上することができる。
　（実施の形態６）
　以下、本発明の実施の形態６について、図面を用いて説明する。図３４は、実施の形態６における弾性波素子の断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。実施の形態５と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略する。
　実施の形態６において、実施の形態２との主な相違点は第１の電極層１０の主成分がＰｔ（白金）である点である。
　図３４において、弾性波素子５は、実施の形態５に記載の誘電体薄膜９を備えておらず、圧電体６の表面部分もしくは酸化ケイ素膜８にエネルギーを分布させて主要弾性波を励振させる表面波素子である。
　ＩＤＴ電極７は、０．１５λ以下の総膜厚を有すると共に、第１電極層１０は、０．００９λ以上の膜厚を有し、第２電極層１１は、０．０２６λ以上の膜厚を有する。
　酸化ケイ素膜８の膜厚は、ＩＤＴ電極７によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が所定値（１０ｐｐｍ／℃）以下になるように設定されている。
　上記を満たす酸化ケイ素膜８の膜厚は、０．１λ以上０．５λ以下の場合、主要弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。
　また、実施の形態５と同様に、第２電極層１１の膜厚が０．０２６λを境として、それ未満の場合にＩＤＴ電極７全体の抵抗が大きくなる。即ち、第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　以上に示すように、弾性波素子５において、ＩＤＴ電極７の総膜厚を０．１５λ以下とすることにより、酸化ケイ素膜８の成膜バラツキを低減する。また、Ｐｔを主成分とする第１電極層１０の膜厚を０．００９λ以上とすることで、弾性波素子５の耐電力性を向上させる。さらに、Ａｌを主成分とする第２電極層１１の膜厚を０．０２６λ以上とすることで、ＩＤＴ電極７の抵抗を抑制する。これにより、弾性波素子５における挿入損失を抑制することができる。
　図３５は、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．１λから０．５λに変化させた場合の第１電極層の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。尚、酸化ケイ素膜の上面は平坦であるとする。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図３５に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１８λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１６λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００９λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．５λの場合は、第１電極層１０が存在しなくとも、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０２λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１８λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１６λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００９λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　図３６は、実施の形態６における他の弾性波素子における断面模式図（ＩＤＴ電極指の延伸方向に垂直な断面模式図）である。図３６において、図３４と異なる点は、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた点である。
　図３７は、上記凸部１２の断面がＩＤＴ電極７の電極指断面と同形状であるとき、圧電体６として２５度回転Ｙ板Ｘ伝搬のニオブ酸リチウム基板を用い、酸化ケイ素膜８の膜厚Ｄを０．１λから０．５λに変化させた場合の第１電極層１０の膜厚（λ）とＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速（ｍ／秒）との関係を示す。また、第２電極層１１の膜厚は、０．０２６λとする。この第２電極層１１の膜厚がこれより大きくなればなる程、主要弾性波の音速は若干ではあるが小さくなる。
　図３７に示すように、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λの場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００７λ以上のとき、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．３λ、０．４λ、０．５λの場合は、第１電極層１０が存在しなくとも、圧電体６を伝搬する遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　即ち、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、若干ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなる。従って、凸部１２がない場合と比較して、第１電極層１０の膜厚が薄くともバルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失が抑制される。
　従って、ＩＤＴ電極７の電極指の上方における酸化ケイ素膜８の上面に凸部１２を設けた場合、下記条件の場合に、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。即ち、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．０１λ以上のとき、また、酸化ケイ素膜８の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、第１電極層１０の膜厚が０．００７λ以上のときに、圧電体６を伝搬する最も遅い横波（バルク波）の音速（４０８０ｍ／秒）より、ＩＤＴ電極７を伝搬する主要弾性波の音速が遅くなり、バルク波放射による主要弾性波のエネルギー損失を抑制することができる。
　また、図３８に示す様に、凸部１２の断面形状がＩＤＴ電極７の電極指の断面形状より小さい場合には、第１電極層１０に対する主要弾性波の音速は、図３５に示す値と図３７に示す値との間となる。
　以下、このような凸部１２について詳述する。
　酸化ケイ素膜８の凸部１２は、その凸部１２の頂部から最下部にかけて下に凸な曲線形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部を含む圧電体６の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部の幅Ｌは、ＩＤＴ電極７の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部１２における酸化ケイ素膜８の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、酸化ケイ素膜８の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波素子５の電気的特性を向上することができる。
　尚、凸部１２の頂部の幅は、ＩＤＴ電極７の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、凸部１２の頂部の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果による電極指での反射率が更に高まり、弾性波素子５の電気的特性が向上する。
　さらに、凸部１２の高さをＴ、ＩＤＴ電極７の総膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、酸化ケイ素膜８の凸部１２の最下部から頂部までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、高さＴが、０．０３λより大きい値で、酸化ケイ素膜８の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極７の膜厚ｈより高さＴを高くすると、実施の形態２に示す製造方法にさらに、この酸化ケイ素膜８を作成する為の新たな工程を追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。尚、実施の形態４の弾性波素子５の製造方法は実施の形態２のそれと同様である。
　なお、実施の形態５で説明した密着層１５、１６に関して、実施の形態６のＩＤＴ電極に適用可能なことは言うまでもない。
　さらに、本実施の形態１～６の弾性波素子５をラダー型フィルタもしくはＤＭＳフィルタ等のフィルタ（図示せず）に適用しても構わない。さらにまた、このフィルタを送信フィルタと受信フィルタとを有するアンテナ共用器（図示せず）に適用しても良い。また、弾性波素子５を、このフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子（図示せず）と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続されたスピーカ等の再生部とを備えた電子機器に適用しても良い。
　本発明にかかる弾性波素子は、挿入損失を抑制するという効果を有し、携帯電話等の電子機器に適用可能である。
５　　弾性波素子
６　　圧電体
７　　ＩＤＴ電極
８　　酸化ケイ素膜
９　　誘電体薄膜
１０　　第１電極層
１１　　第２電極層

Claims (16)

  1. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上１λ未満の膜厚を有する酸化ケイ素膜と、
    前記酸化ケイ素膜の上に設けられて前記酸化ケイ素膜を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質からなる１λ以上５λ以下の膜厚を有する誘電体薄膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｍｏを主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．０５λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  2. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０９３λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０６８λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．５λ以上１λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０５λ以上の膜厚を有する請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上０．５λ未満の膜厚を有する酸化ケイ素膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｍｏを主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌを主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．０３λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  4. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０３８λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．５λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０３λ以上の膜厚を有する請求項３に記載の弾性波素子。
  5. 前記圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、－１０°≦φ≦１０°、３３°≦θ≦４３°、－１０°≦ψ≦１０°の場合、
    前記酸化ケイ素膜８の膜厚Ｈと前記第１電極層の膜厚ｈと前記ＩＤＴ電極の電極ピッチに対する電極指幅比ηとの関係が、
    Ｈ／ｈが５．００以上６．２５未満の場合、ηが０．３以上０．４未満のとき或は０．６以上０．７未満のときに、ｈ／λが４．５％以上を満たし、Ｈ／ｈが５．００以上６．２５未満の場合、ηが０．４以上０．６未満のときに、ｈ／λが３．５％以上を満たし、
    Ｈ／ｈが６．２５以上８．７５以下の場合、ｈ／λが３．５％以上を満たす請求項３に記載の弾性波素子。
  6. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上０．５λ以下の膜厚を有する酸化ケイ素膜と、
    前記酸化ケイ素膜の上に設けられて前記酸化ケイ素膜を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質からなる１λ以上５λ以下の膜厚を有する誘電体薄膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｗ（タングステン）を主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．０３λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２６λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  7. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０４λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０３７λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．４λ以上０．５λ以下の場合は、前記第１電極層は、０．０３λ以上の膜厚を有する請求項６に記載の弾性波素子。
  8. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上０．５λ以下の膜厚を有する酸化ケイ素膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｗ（タングステン）を主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．００４λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２６λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  9. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０２７λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０２λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０１８λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０１λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．５λの場合は、前記第１電極層は、０．００４λ以上の膜厚を有する請求項８に記載の弾性波素子。
  10. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上０．５λ以下の膜厚を有する酸化ケイ素膜と、
    前記酸化ケイ素膜の上に設けられて前記酸化ケイ素膜を伝搬する横波の速度よりも速い横波が伝搬する媒質からなる１λ以上５λ以下の膜厚を有する誘電体薄膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｐｔ（白金）を主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２６λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  11. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０３５λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０２９λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０２７λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．５λの場合は、前記第１電極層は、０．０２５λ以上の膜厚を有する請求項１０に記載の弾性波素子。
  12. 圧電体と、
    前記圧電体の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
    前記圧電体の上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられた０．２λ以上０．５λ未満の膜厚を有する酸化ケイ素膜とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体側から順に、Ｐｔ（白金）を主成分とする第１電極層と、前記第１電極層の上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする第２電極層とを有し、
    前記ＩＤＴ電極は、０．１５λ以下の総膜厚を有し、かつ、
    前記第１電極層は、０．００９λ以上の膜厚を有し、かつ、
    前記第２電極層は、０．０２６λ以上の膜厚を有する弾性波素子。
  13. 前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．１λ以上０．２λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０２λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ以上０．３λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０１８λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．３λ以上０．４λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．０１６λ以上の膜厚を有し、
    前記酸化ケイ素膜の膜厚が０．４λ以上０．５λ未満の場合は、前記第１電極層は、０．００９λ以上の膜厚を有する請求項１２に記載の弾性波素子。
  14. 前記酸化ケイ素膜は、前記ＩＤＴ電極の電極指の上方における前記酸化ケイ素膜の上面に凸部を有する請求項３又は請求項８又は請求項１２に記載の弾性波素子。
  15. 前記凸部の頂部の幅は、前記ＩＤＴ電極の電極指幅よりも小さい請求項１４に記載の弾性波素子。
  16. 前記第２電極層は、前記第１電極層の側面の一部に掛かるように形成された請求項３又は請求項８又は請求項１４に記載の弾性波素子。
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