JP7231007B2 - フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7231007B2 JP7231007B2 JP2021503664A JP2021503664A JP7231007B2 JP 7231007 B2 JP7231007 B2 JP 7231007B2 JP 2021503664 A JP2021503664 A JP 2021503664A JP 2021503664 A JP2021503664 A JP 2021503664A JP 7231007 B2 JP7231007 B2 JP 7231007B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- electrode fingers
- electrode
- series resonators
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 18
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- -1 steatite Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14594—Plan-rotated or plan-tilted transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本実施の形態では、マルチプレクサとして、クワッドプレクサを例に説明する。
図1は、本実施の形態に係るクワッドプレクサ1の構成図である。なお、同図には、クワッドプレクサ1の共通端子Port1に接続されるアンテナ素子2も図示されている。
次に、各フィルタ11、12、21及び21の基本構成について、Band3Txを通過帯域とするフィルタ12(第1フィルタ)の基本構成を例に説明する。
次に、フィルタ12(第1フィルタ)を構成する各共振子(直列共振子及び並列共振子)の基本構造について説明する。本実施の形態では、当該共振子は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子である。
先述したように、傾斜IDT電極部を有する共振子では、共振周波数付近にリップルが生じ、傾斜IDT電極部における電極指を異型フィンガとした共振子では、共振周波数付近のリップルは抑制できるが、***振周波数付近にリップルが生じやすい。
参考例1~4の各々のフィルタをフィルタ12として用いたクワッドプレクサ1(以下、単に参考例1~4と言う)における通過特性およびアイソレーション特性について説明する。
そこで、本発明者らは、異型部の除去率を、直列共振子S1、S3において0%より大きく100%より小さい中間的な値とし(言い換えれば、異型部を間引し)、直列共振子S2、S4において0%(まったく除去しない)とした構成について検討した。具体的には、直列共振子S1、S3の両方の異型部を除去率30%、50%、75%で間引いたフィルタをそれぞれ実施例1、2、3として設定した。
以下、実施例1、2、3に係るフィルタをフィルタ12として用いたクワッドプレクサ1(以下、単に実施例1、2、3と言う)における通過特性およびアイソレーション特性について説明する。
上記実施の形態1では、第1フィルタ(実施の形態1ではフィルタ12)について、ラダー型のフィルタ構造のみを有する構成を例に説明した。しかし、第1フィルタは、ラダー型のフィルタ構造に加え、さらに縦結合型のフィルタ構造を有してもかまわない。そこで、本変形例では、このようなフィルタ構造を有する第1フィルタを備えるクワッドプレクサについて説明する。なお、クワッドプレクサが備える複数のフィルタのうち、第1フィルタ以外のフィルタについては、実施の形態1と同様の構成を有するため、説明を省略する。
上記実施の形態1及びその変形例に係るクワッドプレクサは、高周波フロントエンド回路、さらには当該高周波フロントエンド回路を備える通信装置に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路及び通信装置について説明する。
以上、本発明の実施の形態に係るフィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施の形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
以上説明したように、本発明の一態様に係るフィルタは、一対の入出力端子と、前記一対の入出力端子間を結ぶ信号経路上に配置された1以上の直列共振子と、を有し、前記1以上の直列共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極を有し、前記1以上の直列共振子のそれぞれが有する前記一対の櫛歯状電極のそれぞれは、弾性波伝搬方向の直交方向に延びるように配置された複数の電極指と、前記複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、で構成され、前記1以上の直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極は、前記複数の電極指のうち前記他端における電極指幅が中央部における電極指幅よりも広い第1電極指、および、前記他端における電極指幅が中央部における電極指幅以下である第2電極指、の少なくとも一方で構成されており、前記1以上の直列共振子は、1以上の第1直列共振子を含み、前記1以上の第1直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極において、前記複数の電極指のそれぞれの他端同士を結ぶ方向は、前記弾性波伝搬方向と交差しており、前記1以上の第1直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極の前記弾性波伝搬方向での中央に位置する第1部分は、前記第1電極指のみで構成され、前記第1部分の前記弾性波伝搬方向での両側に位置する第2部分および第3部分は、前記第2電極指のみで構成されている。
2 アンテナ素子
3 RF信号処理回路(RFIC)
4 ベースバンド信号処理回路(BBIC)
10、20 デュプレクサ
11、12、12A、21、22 フィルタ
13 受信側スイッチ
14 ローノイズアンプ回路
23 送信側スイッチ
24 パワーアンプ回路
30 高周波フロントエンド回路
32a、32b 櫛歯状電極
32c 反射器
40 通信装置
320 基板
321a、321b バスバー電極
322a、322b、322b1、322b2 電極指
322d、323d 異型部
323a、323a1、323a2、323b オフセット電極指
324 密着層
325 主電極層
326 保護層
327 圧電体層
328 低音速膜
329 高音速支持基板
Port1 共通端子
Port11、Port12、Port21、Port22 個別端子
P1~P6 並列共振子
S1~S4、S6、S7 直列共振子
S5 縦結合共振器
Claims (9)
- 一対の入出力端子と、
前記一対の入出力端子間を結ぶ信号経路上に配置された1以上の直列共振子と、を有し、
前記1以上の直列共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極を有し、
前記1以上の直列共振子のそれぞれが有する前記一対の櫛歯状電極のそれぞれは、
弾性波伝搬方向の直交方向に延びるように配置された複数の電極指と、
前記複数の電極指のそれぞれの一端同士を接続するバスバー電極と、で構成され、
前記基板は、
前記IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、
前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され、前記圧電体層を伝搬するバルク波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、を備え、
前記1以上の直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極は、前記複数の電極指のうち他端における電極指幅が中央部における電極指幅よりも広い第1電極指、および、前記他端における電極指幅が中央部における電極指幅以下である第2電極指、の少なくとも一方で構成されており、
前記1以上の直列共振子は、1以上の第1直列共振子を含み、
前記1以上の第1直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極において、前記複数の電極指のそれぞれの前記他端同士を結ぶ方向は、前記弾性波伝搬方向と交差しており、
前記1以上の第1直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極の前記弾性波伝搬方向での中央に位置する第1部分は、前記第1電極指のみで構成され、前記第1部分の前記弾性波伝搬方向での両側に位置する第2部分および第3部分は、前記第2電極指のみで構成されており、
前記1以上の第1直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極の電極指本数に対する、前記第2部分および前記第3部分を合わせた部分の電極指本数の割合は、30%以上かつ75%以下である、
フィルタ。 - 前記1以上の直列共振子は、前記一対の入出力端子間を結ぶ信号経路上に配置された1以上の第2直列共振子を、さらに含み、
前記1以上の第2直列共振子のそれぞれを構成する前記IDT電極は、前記第1電極指で構成されている、
請求項1に記載のフィルタ。 - 前記1以上の第1直列共振子のそれぞれは、***振周波数が最も低い直列共振子以外の直列共振子である、
請求項1または2に記載のフィルタ。 - 前記フィルタは、前記信号経路とグランドとを結ぶ経路上に配置された1以上の並列共振子をさらに有し、ラダー型のフィルタ構造を有する、
請求項1から3のいずれか1項に記載のフィルタ。 - 前記フィルタは、前記信号経路上に配置された縦結合型のフィルタ構造を有する、
請求項1から4のいずれか1項に記載のフィルタ。 - 共通端子、第1端子及び第2端子と、
前記共通端子と前記第1端子とを結ぶ第1経路上に配置された第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子とを結ぶ第2経路上に配置され、通過帯域の周波数が前記第1フィルタの通過帯域より高い第2フィルタと、を備え、
前記第1フィルタが請求項1から5のいずれか1項に記載のフィルタである、
マルチプレクサ。 - 前記第1フィルタの通過帯域は、LTE(Long Term Evolution)のBand3における上り周波数帯であり、
前記第2フィルタの通過帯域は、前記LTEのBand3における下り周波数帯である、
請求項6に記載のマルチプレクサ。 - 請求項6または7に記載のマルチプレクサと、
前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、
を備える高周波フロントエンド回路。 - アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項8に記載の高周波フロントエンド回路と、
を備える通信装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019040593 | 2019-03-06 | ||
JP2019040593 | 2019-03-06 | ||
PCT/JP2020/009636 WO2020179905A1 (ja) | 2019-03-06 | 2020-03-06 | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020179905A1 JPWO2020179905A1 (ja) | 2020-09-10 |
JP7231007B2 true JP7231007B2 (ja) | 2023-03-01 |
Family
ID=72337178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021503664A Active JP7231007B2 (ja) | 2019-03-06 | 2020-03-06 | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11863162B2 (ja) |
JP (1) | JP7231007B2 (ja) |
CN (1) | CN113508496B (ja) |
WO (1) | WO2020179905A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024004862A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 京セラ株式会社 | フィルタ装置および通信装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011182220A (ja) | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ |
WO2016208236A1 (ja) | 2015-06-22 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
WO2018003273A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006022143A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | バランス型弾性表面波フィルタ |
CN101517894B (zh) * | 2006-09-28 | 2011-12-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波滤波装置 |
CN102197590B (zh) * | 2008-10-24 | 2014-12-24 | 精工爱普生株式会社 | 表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置 |
WO2010137279A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | パナソニック株式会社 | 弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器 |
US20130026881A1 (en) * | 2010-06-17 | 2013-01-31 | Shoji Okamoto | Acoustic wave element |
JP2012065272A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性波デバイス |
EP3007358B1 (en) * | 2013-05-29 | 2019-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter device |
WO2015064238A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、フィルタ素子および通信装置 |
DE112014006013B4 (de) | 2013-12-26 | 2024-06-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vorrichtung für elastische Wellen und Filtervorrichtung |
KR101838085B1 (ko) * | 2014-05-26 | 2018-03-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
CN106664074B (zh) * | 2014-07-30 | 2020-06-23 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件、滤波器元件及通信装置 |
US10367473B2 (en) * | 2015-01-27 | 2019-07-30 | Kyocera Corporation | Filter, multiplexer, and communication apparatus |
KR101989462B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2019-06-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 필터 장치 |
WO2018003296A1 (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
WO2018061878A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
JP2020113805A (ja) * | 2017-03-30 | 2020-07-27 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP6882929B2 (ja) * | 2017-05-01 | 2021-06-02 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN111466083B (zh) * | 2017-12-20 | 2023-05-12 | 京瓷株式会社 | 弹性波滤波器、分波器以及通信装置 |
WO2020202960A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置 |
US11677380B2 (en) * | 2019-08-29 | 2023-06-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Suppression of transverse mode spurious signals in surface acoustic wave devices utilizing a gap hammer structure |
JP2023003114A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | 株式会社村田製作所 | 表面弾性波共振子、弾性波フィルタおよびマルチプレクサ |
US20230253952A1 (en) * | 2022-02-08 | 2023-08-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave filter with wide bandwidth of attenuation region |
-
2020
- 2020-03-06 WO PCT/JP2020/009636 patent/WO2020179905A1/ja active Application Filing
- 2020-03-06 JP JP2021503664A patent/JP7231007B2/ja active Active
- 2020-03-06 CN CN202080017443.5A patent/CN113508496B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-01 US US17/463,737 patent/US11863162B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011182220A (ja) | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 弾性波共振器及びこれを用いた縦結合二重モードフィルタ、ラダー型フィルタ |
WO2016208236A1 (ja) | 2015-06-22 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
WO2018003273A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113508496B (zh) | 2023-01-06 |
US20210399719A1 (en) | 2021-12-23 |
JPWO2020179905A1 (ja) | 2020-09-10 |
CN113508496A (zh) | 2021-10-15 |
US11863162B2 (en) | 2024-01-02 |
WO2020179905A1 (ja) | 2020-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6590069B2 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
KR102429897B1 (ko) | 멀티플렉서, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치 | |
JP6683256B2 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
CN109286384B (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
CN107710614B (zh) | 弹性波滤波器、多工器、双工器、高频前端电路以及通信装置 | |
JP6645626B2 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 | |
US10917071B2 (en) | Multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus | |
CN111448758B (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
JP6885526B2 (ja) | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
CN111512548B (zh) | 弹性波滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
WO2018212047A1 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 | |
JP2019004364A (ja) | 弾性波フィルタ及びマルチプレクサ | |
JP7231007B2 (ja) | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
WO2023090238A1 (ja) | マルチプレクサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210831 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7231007 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |