JP5563981B2 - 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5563981B2 JP5563981B2 JP2010526550A JP2010526550A JP5563981B2 JP 5563981 B2 JP5563981 B2 JP 5563981B2 JP 2010526550 A JP2010526550 A JP 2010526550A JP 2010526550 A JP2010526550 A JP 2010526550A JP 5563981 B2 JP5563981 B2 JP 5563981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- release film
- mold
- layer
- resin package
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 149
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 117
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 117
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 172
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 78
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 57
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 21
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 claims description 11
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 44
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 16
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 13
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 13
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 11
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 10
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 4
- 229920003232 aliphatic polyester Polymers 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 4
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 1-Heptene Chemical compound CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADOBXTDBFNCOBN-UHFFFAOYSA-N 1-heptadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC=C ADOBXTDBFNCOBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OOKDYUQHMDBHMB-UHFFFAOYSA-N 3,6-dichloro-2-methoxybenzoic acid;2-(2,4-dichlorophenoxy)acetic acid;n-methylmethanamine Chemical compound CNC.CNC.COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1C(O)=O.OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OOKDYUQHMDBHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 description 2
- 229920000305 Nylon 6,10 Polymers 0.000 description 2
- 229920000572 Nylon 6/12 Polymers 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1C2C=CC1C(C(=O)O)C2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 2
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000010559 graft polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N n-alpha-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920006345 thermoplastic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920006346 thermoplastic polyester elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- XVOUMQNXTGKGMA-OWOJBTEDSA-N (E)-glutaconic acid Chemical compound OC(=O)C\C=C\C(O)=O XVOUMQNXTGKGMA-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 229940106006 1-eicosene Drugs 0.000 description 1
- FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 1-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC(O)=O FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMUPSYZVABJEKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylcyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)CCCCC1C(O)=O PMUPSYZVABJEKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(C)(C)C DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCXPJMSKLNNYLE-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enylbutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC=C OCXPJMSKLNNYLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYIUWAVTBADRJG-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2,6(3H)-dione Chemical compound O=C1CC=CC(=O)O1 SYIUWAVTBADRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 3-methylfuran-2,5-dione Chemical compound CC1=CC(=O)OC1=O AYKYXWQEBUNJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMMIJWEUDHZCL-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enyloxolane-2,5-dione Chemical compound C=CCC1CC(=O)OC1=O WUMMIJWEUDHZCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 4-Methylbiphenyl Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006065 Leona® Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920003189 Nylon 4,6 Polymers 0.000 description 1
- 229920006121 Polyxylylene adipamide Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011954 Ziegler–Natta catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004957 Zytel Substances 0.000 description 1
- 229920006102 Zytel® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940063655 aluminum stearate Drugs 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012968 metallocene catalyst Substances 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N sbb061129 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C=C(C)C2C1 JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/68—Release sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F210/00—Copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
- C08F210/14—Monomers containing five or more carbon atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31725—Of polyamide
- Y10T428/31739—Nylon type
- Y10T428/31743—Next to addition polymer from unsaturated monomer[s]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31725—Of polyamide
- Y10T428/3175—Next to addition polymer from unsaturated monomer[s]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31938—Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
1)封止材が金型の内面を汚染することがあるため、金型の洗浄が必要となり、作業効率が低下する。
2)金型の内面が損傷されるため、金型寿命が短い。
3)成形された半導体樹脂パッケージにバリが生じやすい。
[1] 一層以上の基材層Cと、前記基材層Cを挟持し、4−メチル−1−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Aと、前記基材層Cと前記最外層Aとを接着させる一対の接着層Bとを有する、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。
[2] 前記基材層Cは、ポリアミド樹脂を含み、前記接着層Bは、4−メチル−1−ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および/または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性4−メチル−1−ペンテン系重合体を含む、[1]記載の金型離型フィルム。
[3] 前記接着層Bは、4−メチル−1−ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性4−メチル−1−ペンテン系重合体を含む、[1]または[2]記載の金型離型フィルム。
[4] 前記ポリアミド樹脂は、ポリアミド6またはポリアミド66である、[2]または[3]記載の金型離型フィルム。
[5] 前記基材層Cは一層である、[1]〜[4]のいずれかに記載の金型離型フィルム。
[6] 前記一対の最外層Aと前記一対の接着層Bの合計厚みは、32μm以下である、[1]〜[5]のいずれかに記載の金型離型フィルム。
[7] 前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Cに対して対称である、[1]〜[6]のいずれかに記載の金型離型フィルム。
[8] 前記離型フィルムは、前記金型内に半導体チップを配置する工程、前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記離型フィルムを配置する工程、前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、[1]〜[7]のいずれかに記載の金型離型フィルム。
[9] 金型内に半導体チップを配置する工程;半導体チップと前記金型内面との間に、[1]〜[7]のいずれかに記載の離型フィルムを配置する工程;前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程;および前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。
本発明の半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム(離型フィルム)は、基材層Cと、基材層Cを挟持し、かつ4−メチル−1−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Aと、基材層Cと最外層Aとの間に配置される一対の接着層Bと、を含む。
A/B/C/B/A
A/B/C/C’/C/B/A
A/B/C/D/C’/D/C/B/A
試験片として、離型フィルムから幅15mmで切り出した短冊片を準備する。このとき短冊の長手方向が、フィルムの巻取方向と平行になるようにする。金型温度と同じ温度に調整した恒温槽つきの引張試験機に、チャック間距離が50mmとなるように前記試験片を把持させる。試験片を引張速度200mm/分(一定)にて引っ張り、破断することなく初期チャック間距離(50mm)に対する伸びが500%(チャック間距離300mm)となるときの応力を引張強度とする。
前記引張試験から得られた引張応力−ひずみ曲線における、初期の直線部分の傾きから、JIS−K 7113 に準拠して引張弾性率を求める。
本発明の半導体樹脂パッケージの製造方法は、金型内に配置された半導体チップと金型内面との間に離型フィルムを配置する第1の工程;半導体チップを封止材で封止する第2の工程;および封止された半導体チップを離型フィルムから剥離する第3の工程;を含む。
4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体を、定法により製造した。1−デセン含量は2.5質量%とした。この共重合体を、以下「A−1」ともいう。
変性4−メチル−1−ペンテン共重合体の製造
4−メチル−1−ペンテンとダイアレン168(三菱化学製、炭素数16と18のα−オレフィンの混合物)との共重合体(ダイアレン168の含量量は6.5質量%)を定法により準備した。
前工程で得られた、25質量部の変性4−メチル−1−ペンテン共重合体、50質量部の4−メチル−1−ペンテンとダイアレン168(三菱化学製、炭素数16と18のα−オレフィンの混合物)との共重合体(ダイアレン168含量6.5質量%)、25質量部の1−ブテン共重合体、安定剤として0.10質量部のイルガノックス1010(Irganox1010)(Ciba(株)製)、および0.03質量部のステアリン酸カルシウム(三共有機合成(株)製)を、ヘンシェルミキサーにより、3分間、低速回転して混合した。次いで、この混合物を、二軸押出機を用いて280℃で押出しすることにより、接着層B用樹脂(以下「B−1」ともいう)を得た。
第1の脂肪族ポリアミド樹脂(「C−1」ともいう)として、ポリアミド6(東レ製、商品名アミランCM1041LO、融点225℃)を準備した。
第2の脂肪族ポリアミド樹脂(「C−2」ともいう)として、ポリアミド66(旭化成ケミカルズ製、商品名レオナ1700S、融点265℃)を準備した。
第3の脂肪族ポリアミド樹脂(「C−3」ともいう)として、ポリアミド66(デュポン製、商品名ザイテル42A、融点262℃)を準備した。
前述の各層用材料を原料として、Tダイ成形機を用いて共押出することにより、未延伸の幅400mmの離型フィルムを製造した。離型フィルムの構造を、A−1/B−1/C−1/B−1/A−1の3種5層構造とし、かつ各層の厚みを15/5/25/5/15μm(総厚み65μm)とした。
離型フィルムの半導体樹脂パッケージからの離型性を、以下の基準で評価した。
○:離型フィルムが、金型開放と同時に自然に剥がれる
△:離型フィルムの一部が、半導体樹脂パッケージ61または金型に残る
×:離型フィルムが、封止された半導体チップまたは金型に密着する
離型時の離型フィルムの半導体樹脂パッケージに対応する部分における層間剥離の発生状態を、以下の基準で評価した。
○:最外層Aと基材層Cとの間で、層間剥離なし
△:最外層Aと基材層Cとの間で、わずかに層間剥離あり
×:最外層Aと基材層Cとの間で、顕著な層間剥離あり
半導体樹脂パッケージ上面のシワの状態を目視にて以下の基準で評価した。
○:全くなし
×:パッケージ上面にシワの転写あり
半導体樹脂パッケージ61の側面(エアベント部およびゲート部を除く)に発生したシワの状態を、以下の方法により評価した。
図6は、半導体樹脂パッケージ61の側面シワの深さの測定方法の例を示す断面図である。すなわち、半導体樹脂パッケージ61の上面に対して垂直な断面をダイサーで切り出した。これにより、図6に示されるような半導体樹脂パッケージ61の断面を得た。次いで、読み取り顕微鏡で観察することにより、得られた断面において、側面シワがないことを想定した場合の半導体樹脂パッケージの側面(仮想側面)が基板41と交わる基準位置(線)とした。そして、半導体樹脂パッケージの側面の凹み部分の、基準位置(線)からの、基板41面と平行方向の深さdを測定した。このようにして測定された側面シワの深さ値から、側面シワの程度を以下のように規定した。
◎:側面シワの深さが100μm未満
○:側面シワの深さが100μm以上200μm未満
△:側面シワの深さが200μm以上300μm未満
×:側面シワの深さが300μm以上
側面シワの深さが大きいと、半導体樹脂パッケージ61の外観不良が目立ち易くなるだけでなく、離型時に、半導体樹脂パッケージ61が離型フィルム10からスムーズに剥がれず離型不良を生じ易い。このため、側面シワの深さは小さいほど好ましい。
離型フィルムの反りの状態を以下の基準で評価した。
○:全くなし
△:わずかに反るが実用上問題なし
×:反りが大きく使用できない
使用後の離型フィルム10のピンホールの発生状態と金型キャビティ内壁の樹脂付着状態について目視観察をもとに以下の基準で評価した。
○:ピンホール状の破れ無し
△:ピンホール状の破れが僅かにあるが、漏れた封止樹脂の金型への付着なし
各層の厚みを10/5/15/5/10μm(総厚み45μm)とした以外は実施例1と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し、評価した。
各層の厚みを10/5/20/5/10μm(総厚み50μm)とした以外は実施例1と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し、評価した。
各層の厚みを10/3/24/3/10μm(総厚み50μm)とした以外は実施例1と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−2に代えた以外は実施例1と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−2とした以外は実施例2と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−2とした以外は実施例3と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−2とした以外は実施例4と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料C−1をC−2とし、かつ各層の厚みを6/3/32/3/6μm(総厚み50μm)とした以外は実施例1と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−3とした以外は実施例3と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−3とした以外は実施例4と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
基材層Cの材料をC−3とした以外は実施例9と同様にして離型フィルム10を準備した。この離型フィルム10を用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージ61を製造し評価した。
離型フィルムの構造を、A−1/C−1/A−1の2種3層構造として、接着層Bを含まない構造とし、かつ各層の厚みは25/15/25μm(総厚み65μm)とした以外は実施例1と同様にして、未延伸の幅400mmの離型フィルムを得た。この離型フィルムを用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
各層の厚みを15/15/15μm(総厚み45μm)とした以外は、比較例1と同様にして離型フィルム10を得た。この離型フィルムを用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
離型フィルムの構造をA−1/B−1/C−1の3種3層構造として、中心層に対して非対称の積層構造とし、かつ各層の厚みを20/5/25μm(総厚み50μm)とした以外は実施例1と同様にして、未延伸の幅400mmの離型フィルムを得た。この離型フィルム用いて実施例1と同様にして半導体樹脂パッケージを製造し評価した。
基材層Cがポリアミド66(PA66)を含む実施例5〜12の離型フィルム;中でも最外層Aと接着層Bの厚みが小さい実施例6〜12の離型フィルムは、半導体樹脂パッケージの側面シワが著しく低減されることがわかる。基材層Cの耐熱性が高く、かつ圧縮降伏応力が比較的低い最外層Aと接着層Bが薄いためであると考えられる。ただし、基材層Cが薄すぎると、僅かな破れを生じることもある。基材層Cが薄いと離型フィルム自体の強度を維持しにくいためであると考えられる。
12 基材層C
13 接着層B
14 最外層A
20 金型の上型
21 金型の下型
22 キャビティ
24a フィルム巻き出し装置
24b フィルム巻き取り装置
30 プランジャー
40 半導体チップ
41 基板
42 配線
50 封止材
60 封止された半導体チップ
61 半導体樹脂パッケージ
62 ランナー
Claims (7)
- ポリアミド66を含む、一層以上の基材層Cと、
前記基材層Cを挟持し、4−メチル−1−ペンテン系重合体を主成分として含む一対の最外層Aと、
前記基材層Cと前記最外層Aとを接着させる一対の接着層Bとを有し、
前記一対の最外層Aと前記一対の接着層Bとの合計厚みは、32μm以下である、半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム。 - 前記接着層Bは、4−メチル−1−ペンテン系重合体が不飽和カルボン酸および/または不飽和カルボン酸の酸無水物により変性された変性4−メチル−1−ペンテン系重合体を含む、請求項1記載の金型離型フィルム。
- 前記接着層Bは、4−メチル−1−ペンテン系重合体が無水マレイン酸によりグラフト変性された変性4−メチル−1−ペンテン系重合体を含む、請求項2記載の金型離型フィルム。
- 前記基材層Cは一層である、請求項1記載の金型離型フィルム。
- 前記離型フィルムの積層構造は、前記基材層Cに対して対称である、請求項1記載の金型離型フィルム。
- 金型内に半導体チップを配置する工程、
前記半導体チップと前記金型内面との間に、請求項1に記載の金型離型フィルムを配置する工程、
前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、および、
前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造方法。 - 金型内に半導体チップを配置する工程、
前記半導体チップと前記金型内面との間に、前記金型離型フィルムを配置する工程、
前記金型内に封止材を注入することにより、封止された半導体チップを得る工程、および
前記封止された半導体チップを前記離型フィルムから剥離する工程、を含む半導体樹脂パッケージの製造工程に用いられる、請求項1記載の金型離型フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010526550A JP5563981B2 (ja) | 2008-08-28 | 2009-08-26 | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008219815 | 2008-08-28 | ||
JP2008219815 | 2008-08-28 | ||
JP2010526550A JP5563981B2 (ja) | 2008-08-28 | 2009-08-26 | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 |
PCT/JP2009/004143 WO2010023907A1 (ja) | 2008-08-28 | 2009-08-26 | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010023907A1 JPWO2010023907A1 (ja) | 2012-01-26 |
JP5563981B2 true JP5563981B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=41721090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526550A Active JP5563981B2 (ja) | 2008-08-28 | 2009-08-26 | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110133362A1 (ja) |
JP (1) | JP5563981B2 (ja) |
KR (1) | KR20110044243A (ja) |
CN (1) | CN102132391B (ja) |
TW (1) | TWI460062B (ja) |
WO (1) | WO2010023907A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5297233B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2013-09-25 | 三井化学株式会社 | 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
JP2012153775A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Mitsui Chemicals Inc | フィルム、前記フィルムの製造方法及びそれを用いたledパッケージの製造方法 |
CN104080585B (zh) * | 2012-01-30 | 2017-04-12 | 旭硝子株式会社 | 脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法 |
JP5978692B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 |
JP6126368B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-05-10 | 三井化学東セロ株式会社 | Led封止体用金型離型フィルムおよびそれを用いたled封止体の製造方法 |
JP6205897B2 (ja) * | 2013-06-27 | 2017-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9287472B2 (en) | 2013-06-27 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
WO2015008759A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 倉敷紡績株式会社 | 離型フィルム |
JPWO2015133630A1 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-06 | 旭硝子株式会社 | 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法 |
CN106062947B (zh) * | 2014-03-07 | 2019-03-05 | Agc株式会社 | 半导体元件安装用封装体的制造方法以及脱模膜 |
TWI559463B (zh) * | 2014-10-31 | 2016-11-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
US10824065B2 (en) * | 2014-11-12 | 2020-11-03 | Sony Corporation | Light source apparatus, image display apparatus, and optical unit |
TWI570857B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-02-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
JP6350303B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2018-07-04 | 王子ホールディングス株式会社 | 剥離性フィルム |
WO2017094871A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 三井化学東セロ株式会社 | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
JP7461281B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2024-04-03 | 三井化学東セロ株式会社 | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
JP6731782B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2020-07-29 | 三井化学東セロ株式会社 | 成形品の外観不良を抑制するプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 |
KR101682934B1 (ko) | 2016-03-17 | 2016-12-06 | 김광원 | 메모리 반도체 패키지 몰드용 이형필름 |
CN109153239B (zh) * | 2016-05-20 | 2021-05-04 | 昭和电工材料株式会社 | 脱模膜 |
JP6992751B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2022-01-13 | 日本ゼオン株式会社 | 半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法 |
JP6328362B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-05-23 | ユニチカ株式会社 | 離型シート |
CN110267809B (zh) * | 2017-02-06 | 2021-06-29 | 迪亚特克斯株式会社 | 层叠体、层叠体前驱体和层叠体的制造方法 |
JP6723185B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-07-15 | Towa株式会社 | 成形型、樹脂成形装置、樹脂成形方法、及び樹脂成形品の製造方法 |
CN113635641A (zh) * | 2017-03-30 | 2021-11-12 | 日东电工株式会社 | 耐热脱模片和其制造方法 |
KR102314029B1 (ko) * | 2017-03-30 | 2021-10-18 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 고로딩 전극의 제조 방법 |
WO2018199909A1 (en) | 2017-04-24 | 2018-11-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection die molded into molded body |
TWI681467B (zh) | 2017-10-17 | 2020-01-01 | 韋僑科技股份有限公司 | 無線射頻識別裝置封裝系統與方法及其無線射頻識別裝置 |
CN109466138B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-11-06 | 宁波长阳科技股份有限公司 | 一种离型膜及其制备方法 |
NL2021058B1 (en) * | 2018-06-05 | 2019-12-11 | Besi Netherlands Bv | Method, foil, mould part and surface layer for encapsulating electronic components mounted on a carrier using expansion spaces absorbing local foil layer displacements |
KR102601956B1 (ko) * | 2019-03-28 | 2023-11-13 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 프린트 배선기판 제조공정용 이형필름, 프린트 기판의 제조방법, 프린트 기판 제조장치 및 프린트 기판 |
KR20220085765A (ko) * | 2019-10-24 | 2022-06-22 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR102304403B1 (ko) | 2019-12-18 | 2021-09-17 | 황진상 | 반도체 패키지 몰드용 이형필름 및 그 제조방법 |
KR102325676B1 (ko) | 2019-12-18 | 2021-11-11 | 황진상 | 반도체 패키지 몰드용 이형필름 및 그 제조방법 |
CN114603955B (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-13 | 宁波长阳科技股份有限公司 | 一种3d打印制程用三层复合离型膜及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004082717A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Mitsui Chemicals Inc | 4−メチル−1−ペンテン系重合体多層フィルム |
WO2006120983A1 (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Mitsui Chemicals, Inc. | 4-メチル-1-ペンテン系重合体を含む積層体およびこれからなる離型フィルム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6048483A (en) * | 1996-07-23 | 2000-04-11 | Apic Yamada Corporation | Resin sealing method for chip-size packages |
JP3017485B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2000-03-06 | アピックヤマダ株式会社 | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
-
2009
- 2009-08-26 KR KR1020117003940A patent/KR20110044243A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-08-26 CN CN200980133166.8A patent/CN102132391B/zh active Active
- 2009-08-26 US US13/058,411 patent/US20110133362A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-26 JP JP2010526550A patent/JP5563981B2/ja active Active
- 2009-08-26 WO PCT/JP2009/004143 patent/WO2010023907A1/ja active Application Filing
- 2009-08-27 TW TW98128904A patent/TWI460062B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004082717A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Mitsui Chemicals Inc | 4−メチル−1−ペンテン系重合体多層フィルム |
WO2006120983A1 (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Mitsui Chemicals, Inc. | 4-メチル-1-ペンテン系重合体を含む積層体およびこれからなる離型フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102132391B (zh) | 2014-03-19 |
TWI460062B (zh) | 2014-11-11 |
KR20110044243A (ko) | 2011-04-28 |
JPWO2010023907A1 (ja) | 2012-01-26 |
WO2010023907A1 (ja) | 2010-03-04 |
US20110133362A1 (en) | 2011-06-09 |
TW201016426A (en) | 2010-05-01 |
CN102132391A (zh) | 2011-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5563981B2 (ja) | 半導体樹脂パッケージ製造用金型離型フィルム、およびそれを用いた半導体樹脂パッケージの製造方法 | |
JP5335731B2 (ja) | 離型フィルム及びそれを用いたledパッケージの製造方法 | |
JP5784858B1 (ja) | 離型フィルム、成型体の製造方法 | |
JP5297233B2 (ja) | 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP7463478B2 (ja) | 圧縮成形法による樹脂封止プロセス用離型フィルム | |
JP6126368B2 (ja) | Led封止体用金型離型フィルムおよびそれを用いたled封止体の製造方法 | |
JP2017132162A (ja) | 外観性能に優れたプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP2017100397A (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP5923001B2 (ja) | リフレクタ成形用金型離型フィルム、それを用いたリフレクタを有する発光装置用基板の製造方法 | |
JP2012153775A (ja) | フィルム、前記フィルムの製造方法及びそれを用いたledパッケージの製造方法 | |
JP2004082717A (ja) | 4−メチル−1−ペンテン系重合体多層フィルム | |
CN113557136B (zh) | 印刷线路基板制程用离型膜、印刷基板的制造方法、印刷基板制造装置及印刷基板 | |
JP7177623B2 (ja) | 樹脂モールド成形品の製造方法、樹脂モールド成形品、及びその用途。 | |
CN114868230A (zh) | 切割带用基材膜 | |
JP2015020750A (ja) | カバーテープ及び電子部品梱包体 | |
JP4489699B2 (ja) | 延伸フィルムおよびその製造方法 | |
JP2017177463A (ja) | 成形品の外観に優れるプロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
TW202231475A (zh) | 脫模薄膜及成形品之製造方法 | |
TW202012140A (zh) | 半導體封裝製程用離型膜及使用其之電子零件之製造方法 | |
JP5711914B2 (ja) | 金型成形用離型フィルムおよびその製造方法、ならびに樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP6398221B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置製造用離型フィルム、樹脂封止半導体装置製造用離型フィルムの製造方法及び樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
TW202200372A (zh) | 多層離型膜 | |
JP2023106440A (ja) | プロセス用離型フィルム、その用途、及びそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 | |
JP2011251447A (ja) | 離型フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111021 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111021 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20131113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5563981 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |