JP5297233B2 - 半導体封止プロセス用離型フィルム、およびそれを用いた樹脂封止半導体の製造方法 - Google Patents
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[2] 前記表面層Aが、さらにポリアミド−6、ポリアミド−66、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を3〜30質量%含む、[1]に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
[3] 前記耐熱樹脂層Bが、ポリアミド−6、ポリアミド−66およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、[1]または[2]に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
[4] 前記表面層Aが、前記耐熱樹脂層Bの両面に配置されている、[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
本発明の半導体封止プロセス用離型フィルム(以下、単に「離型フィルム」ともいう)は、成形品や金型に対する離型性を有する表面層Aと、該表面層Aを支持する耐熱樹脂層Bと、を含む。
本発明の離型フィルムは、任意の方法で製造されうる。例えば、1)表面層Aと耐熱樹脂層Bを共押出成形して積層することにより、離型フィルムを製造する方法(共押出し形成法)、2)耐熱樹脂層Bとなるフィルム上に、表面層Aや接着層となる樹脂の溶融樹脂を塗布・乾燥したり、または表面層Aや接着層となる樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液を塗布・乾燥したりして、離型フィルムを製造する方法(塗布法)、3)予め表面層Aとなるフィルムと、耐熱樹脂層Bとなるフィルムとを製造しておき、これらのフィルムを積層(ラミネート)することにより、離型フィルムを製造する方法(ラミネート法)などがある。
図3Aおよび図3Bは、本発明の離型フィルムを用いた樹脂封止半導体の製造方法の一例を示す模式図である。図4は、図3Aおよび図3Bの製造方法により得られた成形品の一例を示す模式図である。
耐熱樹脂層Bとして、旭化成製ポリアミド−66(レオナ1700S)を300℃で溶融押出し、膜厚30μmのポリアミドフィルムを得た。このポリアミドフィルムの175℃における貯蔵弾性率E’は、240MPaであった。このポリアミドフィルムの片面に、ポリエステル系接着剤を乾燥後の塗膜厚さが1μmとなるように塗布し、接着層を形成した。この接着層を有するポリアミドフィルムを、押出ラミネート装置に設置した。
押し出されたフッ素樹脂フィルムを、バックロールを用いて、前述のポリアミドフィルムの接着層面に130℃でラミネートし、3層構造(表面層A/接着層/耐熱樹脂層B)の離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は45MPaであった。
装置:動的粘弾性装置RSA−II(TA Instruments社製)
測定条件:引張モード、
振動周波数:1Hz、
測定温度:−10℃から3℃/分の速度で昇温し、サンプルが融解して測定不能になるまでの温度
測定方向:フィルムの長手方向(フィルム搬送方向)
評価項目:175℃における貯蔵弾性率E’
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンとダイアレン168(三菱化学(株)製、炭素数16と18のα−オレフィンの混合物)との共重合体(ダイアレン168の含有量:1.5質量%)と、接着層として、無水マレイン酸をグラフトした4−メチル−1−ペンテン共重合体と、耐熱樹脂層Bとして、旭化成製ポリアミド−66(レオナ1700S)とを、T型ダイ多層共押出成形機を用いて共押出しすることにより、5層構造(表面層A/接着層/耐熱樹脂層B/接着層/表面層A)の離型フィルムを得た。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有量:2.5質量%)を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は65MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有量:3.5質量%)を用いた以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は54MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有量:2.5質量%)90質量%と、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート(ノバテック5020)10質量%と、からなる樹脂組成物を使用した以外は実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は75MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有:2.5質量%)70質量%と、旭化成製ポリアミド−66(レオナ1700S)30質量%と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は80MPaであった。
耐熱樹脂層Bとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート(ノバテック5020)を用いた以外は実施例2と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Bの175℃における貯蔵弾性率E’は、110MPaであった。
耐熱樹脂層Bとして、東レ製ポリアミド−6(アミランCM1041)を用いた以外は実施例2と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Bの175℃における貯蔵弾性率E’は143MPaであった。
耐熱樹脂層Bとして、東レ製共重合ポリアミド(アミランCM6041)を用いた以外は実施例2と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Bの175℃における貯蔵弾性率E’は78MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有量:6.5質量%)を使用した以外は実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は35MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンの単独重合体を使用した以外は実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は130MPaであった。
表面層Aとして、4−メチル−1−ペンテンと1−デセンとの共重合体(1−デセンの含有量:2.5質量%)30質量%と、旭化成製ポリアミド−66(レオナ1700S)70質量%と、からなる樹脂組成物を用いた以外は実施例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は180MPaであった。
表面層Aとして、三菱エンジニアリングプラスチックス製ポリブチレンテレフタレート(ノバテック5020)を用いた以外は参考例1と同様にして離型フィルムを得た。表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’は110MPaであった。
耐熱樹脂層Bとして、三井化学製ポリエチレンテレフタレートを用いた以外は比較例1と同様にして離型フィルムを得た。耐熱樹脂層Bの175℃における貯蔵弾性率E’は450MPaであった。
離型フィルムの離型性を、以下の基準で評価した。
○:離型フィルムが、金型の開放と同時に自然に剥がれる
△:離型フィルムは自然には剥がれないが、手で引っ張ると(張力を加えると)簡単に剥がれる
×:離型フィルムの一部が、半導体パッケージの樹脂封止面に残る
××:離型フィルムが、半導体パッケージの樹脂封止面に密着しており、手では剥がせない
2)金型追従性
離型フィルムの金型追従性を、以下の基準で評価した。
○:半導体パッケージに、樹脂欠けが全くない
×:半導体パッケージの端部に、樹脂欠けがある(ただし皺による欠けは除く)
3)皺および破れ
離型フィルム、および半導体パッケージの樹脂封止面の皺の状態を、以下の基準で評価した。
○:離型フィルムおよび半導体パッケージのいずれにも皺が全くない
△:離型フィルムにはわずかに皺があるが、半導体パッケージへの皺の転写はなし
×:離型フィルムはもちろん、半導体パッケージにも多数の皺あり
この結果を表1に示す。
12 耐熱樹脂層
14 接着層
16、16A、16B 表面層
24、26 ロール
28 成形金型
30 上型
32 下型
34 半導体チップ
34A 基板
36 封止樹脂材料
40、44 半導体パッケージ
Claims (5)
- 表面層Aと、耐熱樹脂層Bと、を含む半導体封止プロセス用離型フィルムであって、
前記表面層Aが4−メチル−1−ペンテンに由来する構成単位の割合が96〜99質量%であり、4−メチル−1−ペンテン以外の炭素原子数2〜20のオレフィンに由来する構成単位の割合が1〜4質量%である4−メチル−1−ペンテン共重合体を含み、
前記表面層Aの175℃における貯蔵弾性率E’が、45MPa以上105MPa以下であり、
前記耐熱樹脂層Bの175℃における貯蔵弾性率E’が、100MPa以上250MPa以下である、半導体封止プロセス用離型フィルム。 - 前記表面層Aが、さらにポリアミド−6、ポリアミド−66、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を3〜30質量%含む、請求項1に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
- 前記耐熱樹脂層Bが、ポリアミド−6、ポリアミド−66およびポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる樹脂を含む、請求項1または2に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
- 前記表面層Aが、前記耐熱樹脂層Bの両面に配置されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルム。
- 樹脂封止半導体の製造方法であって、
成形金型内の所定位置に、樹脂封止される半導体装置を配置する工程と、
前記成形金型内面に、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体封止プロセス用離型フィルムを、前記表面層Aが前記半導体装置と対向するように配置する工程と、
前記成形金型を型締めした後、前記半導体装置と、前記半導体封止プロセス用離型フィルムとの間に封止樹脂を注入成形する工程と、
を有する、樹脂封止半導体の製造方法。
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