JP5978692B2 - 半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、半導体発光装置、半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体、半導体発光装置用反射体組成物、半導体発光装置用反射体の製造方法に関する。
現在、地球温暖化防止の対策として、世界規模でＣＯ2排出抑制の取り組みが行われており、小型で長寿命であるとともに、省電力性に優れることで、ＣＯ2削減に大いに寄与することができる発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と記載する。）素子等の半導体発光素子が、表示灯等の光源として広く利用されている。
光源として半導体発光素子を用いる場合、高い照度を得るために通常、基板に単数または複数の半導体発光素子を配置し、半導体発光素子の周りに、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させる反射体を配置する方式が用いられている。このとき、半導体発光素子は発光時に発熱を伴うことから、半導体発光素子の周りに配設される反射体には、良好な反射性および良好な耐熱性が要求される。
そこで、たとえば、特許文献１には、熱硬化性オルガノポリシロキサン、白色顔料、無機充填剤（但し、白色顔料を除く）、縮合触媒、所定のカップリング剤を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物で反射体を構成する光半導体ケースが提案されている。また、特許文献２には、特定の熱硬化樹脂及び無機部材を含有するコーティング部材を所定部にコーティングして光の反射を高めるパッケージ成型体が提案されている。
しかしながら、上記特許文献１に提案がされているシリコーン樹脂組成物は反射体を成型する際の流動性が高く、また粘度調整が困難なため、この樹脂組成物によって得られる反射体には多くのバリが発生するおそれがある。反射体に発生するバリは電気的な不良につながることから除去する必要があるものの、バリの除去時には反射体の表面を傷つけてしまう場合も多く反射率の低下を引き起こす。また、バリの除去にかかるコストは高く、コスト面からもバリの発生は好ましくない。
また、近時、半導体発光素子から紫外光を発光させて、この紫外光を様々な色の蛍光体と組み合わせて照明やテレビ等の演色性を高めることや、この紫外光を殺菌や消臭効果に利用すること等の検討がなされている。紫外光を発光する半導体発光素子を用いる場合、これらの半導体発光素子の周りに配置される反射体には、紫外光に対する反射性も要求される。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を提供すること、また、この半導体発光装置に用いられる半導体発光装置用部品や半導体発光装置用反射体を提供すること、及びこの半導体発光装置用反射体を得ることができる半導体発光装置用反射体組成物や半導体発光装置用反射体の製造方法を提供することを主たる課題とする。
上記課題を解決するための本発明は、基板と、半導体発光素子と、該半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置であって、前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、基板と、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置用部品であって、前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、前記半導体発光装置用反射体は、ポリメチルペンテンと、無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、前記半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、無機粒子とを含み、前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体の製造方法であって、（１）ポリメチルペンテンと、（２）六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムと、を含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造することを特徴とする。
本発明の半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる。また、本発明の半導体発光装置用部品、半導体発光装置用反射体によれば、上記効果を奏する半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物や、半導体発光装置用反射体の製造方法によれば、上記の効果を奏する半導体発光装置を得るための半導体発光装置用反射体を得ることができる。
「半導体発光装置」
図１に示すように、本発明の一実施形態の半導体発光装置１００は、表面実装（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＭＤ）型の半導体発光装置１００であり、必須の構成である基板１４と、半導体発光素子１０と、該半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２と、から構成されている。以下、本発明の半導体発光装置１００の必須の構成である基板１４、反射体１２、半導体発光素子１０を中心に具体的に説明する。なお、本発明の半導体発光装置は、種々の形態をとることができ、以下の実施形態によって何ら限定されるものではない。たとえば、基板１４と、半導体発光素子１０と、反射体１２とを含むものであれば、砲弾型の半導体発光装置であってもよく、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の半導体発光装置であってもよい。以下、半導体発光装置１００として、表面実装型の半導体発光装置を中心に説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態の半導体発光装置１００は、表面実装（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＭＤ）型の半導体発光装置１００であり、必須の構成である基板１４と、半導体発光素子１０と、該半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２と、から構成されている。以下、本発明の半導体発光装置１００の必須の構成である基板１４、反射体１２、半導体発光素子１０を中心に具体的に説明する。なお、本発明の半導体発光装置は、種々の形態をとることができ、以下の実施形態によって何ら限定されるものではない。たとえば、基板１４と、半導体発光素子１０と、反射体１２とを含むものであれば、砲弾型の半導体発光装置であってもよく、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の半導体発光装置であってもよい。以下、半導体発光装置１００として、表面実装型の半導体発光装置を中心に説明する。
図１に示す形態の半導体発光装置は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の周りに設けられ、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させる反射体１２とを基板１４上に有する。
（基板）
本発明の半導体発光装置１００を構成する基板１４について特に限定はなく、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。基板１４の材料としては、たとえば、アルミナや、窒化アルミ、ムライト、ガラス等の焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。
本発明の半導体発光装置１００を構成する基板１４について特に限定はなく、半導体発光装置の分野で用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。基板１４の材料としては、たとえば、アルミナや、窒化アルミ、ムライト、ガラス等の焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。
基板１４の厚みについて特に限定はなく、半導体発光装置の形態等に応じて適宜設定することができ、その厚みについていかなる限定もされない。
（反射体）
図１に示すように、基板１４上には、反射体１２が設けられている。反射体１２は、本発明の半導体発光装置における必須の構成であり、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向、すなわち出光部側へ反射させる役割を果たす。
図１に示すように、基板１４上には、反射体１２が設けられている。反射体１２は、本発明の半導体発光装置における必須の構成であり、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向、すなわち出光部側へ反射させる役割を果たす。
＜ポリメチルペンテン＞
反射体１２には、バインダーとしてのポリメチルペンテンが含まれる。ポリメチルペンテンは、耐熱性に優れることから、半導体発光素子からの発熱による反射体１２の変色を防止でき、長期にわたって反射体１２の性能を維持することができる。また、ポリメチルペンテンは成型性に優れることから、バリの発生なく反射体１２を成型可能である。これにより、バリによって生じ得る半導体発光装置の電気的な不良の発生を長期にわたって防止することができる。さらに、ポリメチルペンテンは、可視域から紫外域までの波長の光線透過率に優れる。したがって、六方晶構造の無機粒子として、紫外光に対する反射性能を有するものを用いた場合には、ポリメチルペンテンとの相乗効果によって、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いた場合に、殺菌効果および消臭効果、また演色性などの点で、特に有利な効果を奏し得る。なお、本願明細書において、紫外光とは２３０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を意味する。
反射体１２には、バインダーとしてのポリメチルペンテンが含まれる。ポリメチルペンテンは、耐熱性に優れることから、半導体発光素子からの発熱による反射体１２の変色を防止でき、長期にわたって反射体１２の性能を維持することができる。また、ポリメチルペンテンは成型性に優れることから、バリの発生なく反射体１２を成型可能である。これにより、バリによって生じ得る半導体発光装置の電気的な不良の発生を長期にわたって防止することができる。さらに、ポリメチルペンテンは、可視域から紫外域までの波長の光線透過率に優れる。したがって、六方晶構造の無機粒子として、紫外光に対する反射性能を有するものを用いた場合には、ポリメチルペンテンとの相乗効果によって、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いた場合に、殺菌効果および消臭効果、また演色性などの点で、特に有利な効果を奏し得る。なお、本願明細書において、紫外光とは２３０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を意味する。
ポリメチルペンテンとしては、たとえば、４−メチルペンテン−１の単独重合体や、４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体等を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体としては、４−メチルペンテン−１と、α−オレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体を挙げることができる。４−メチルペンテン−１と他のオレフィンとの共重合体を用いる場合には、該共重合体は、４−メチル−１−ペンテンを９０モル％以上含んでいることが好ましい。
本発明では、上記に例示したポリメチルペンテンの中でも、４−メチルペンテン−１の単独重合体を好ましく使用可能である。なかでも、重合平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上、特には、５０００以上の４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましい。これらのポリメチルペンテンによれば、反射体１２の耐熱性を更に向上させることができる。なお、４−メチルペンテン−１の単独重合体の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
ポリメチルペンテンは市販品を用いることもでき、市販品としては、例えば、三井化学（株）製のＴＰＸ（登録商標）等を挙げることができる。
また、ポリメチルペンテンは、三次元網目構造のポリメチルペンテンであることが好ましい。三次元網目構造のポリメチルペンテンを含む反射体１２によれば、耐熱性や、反射性能の更なる向上が見込まれる。また、反射体１２から後述する六方晶構造の無機粒子が脱落することを防止することができる。三次元網目構造のポリメチルペンテンは、例えば、紫外線硬化剤や電子線硬化剤とポリメチルペンテンとを反応させて、ポリメチルペンテンの分子間を架橋させることで得ることができる。これ以外にも、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤のモノマーを共重合せしめた共重合体を用いて三次元網目構造のポリメチルペンテンを得ることもできる。
＜六方晶構造の無機粒子＞
反射体１２には、六方晶構造の無機粒子が含まれる。六方晶構造の無機粒子を含む反射体１２によれば、該反射体１２に高い反射性を付与することができる。さらに、六方晶構造の無機粒子は、光触媒作用によりポリメチルペンテンの劣化を起こすことがないことから、反射体１２の劣化を防止でき、半導体発光装置１００の長寿命化に貢献し得る。なお、六方晶構造とは、ＪＣＰＤＳカード２８−０１２４の結晶相を示すものである。
反射体１２には、六方晶構造の無機粒子が含まれる。六方晶構造の無機粒子を含む反射体１２によれば、該反射体１２に高い反射性を付与することができる。さらに、六方晶構造の無機粒子は、光触媒作用によりポリメチルペンテンの劣化を起こすことがないことから、反射体１２の劣化を防止でき、半導体発光装置１００の長寿命化に貢献し得る。なお、六方晶構造とは、ＪＣＰＤＳカード２８−０１２４の結晶相を示すものである。
六方晶構造の無機粒子について特に限定はなく、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）、六方晶構造のランタンシリケート（Ｌａ9.33(ＳｉＯ4)6Ｏ2、六方晶構造の緑柱石（Ｂｅ3Ａｌ2Ｓｉ6Ｏ18）、六方晶構造のマグネシウム（Ｍｇ）、六方晶構造の水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、六方晶構造の水酸化マンガン（Ｍｎ（ＯＨ）2）、六方晶構造の硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ3）、六方晶構造の炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）、六方晶構造の炭酸亜鉛（ＺｎＣＯ3）、六方晶構造の炭酸鉄（ＦｅＣＯ3）、六方晶構造の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、六方晶構造のドロマイト（ＣａＭｇ(ＣＯ3)2）、六方晶構造の針ニッケル鉱（ＮｉＳ）、六方晶構造のウルツ鉱（ＺｎＳ）、六方晶構造のＲＭｎＯ3(Ｒ＝Ｙ，Ｙｂ，Ｌｕ)、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、六方晶構造のイリドスミン、六方晶構造のヒ素（Ａｓ）、六方晶構造のビスマス（Ｂｉ）、六方晶構造のテルル（Ｔｅ）、六方晶構造のカスミ石（ＫＮａ3(ＡｌＳｉＯ4)4）、六方晶構造のミメット鉱（Ｐｂ5（ＡｓＯ4）3Ｃｌ)）、六方晶構造の緑鉛鉱（Ｐｂ5(（ＰＯ4）3Ｃｌ））、六方晶構造の鉄ミョウバン石（ＫＦｅ3（ＳＯ4）2（ＯＨ）6）、六方晶構造のミョウバン石（ＫＡｌ3（ＯＨ）6（ＳＯ4）2）等を挙げることができる。
反射性のさらなる向上の点からは、六方晶構造の無機粒子は、白色、或いは白色に近いものを用いることが好ましい。また、これとともに、耐熱性に優れるものを用いることが好ましい。本発明では、上記に例示した六方晶構造の無機粒子のなかでも、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）や、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）が好ましい。これらの無機粒子は、白色を呈するとともに、耐熱性にすぐれ、かつ、波長が２３０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光に対する反射性にも優れる。したがって、上述した紫外光を殆ど吸収しないポリメチルペンテンと、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）又は、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）とを含む反射体１２によれば、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いる場合に特に有利な効果を奏し得る。なお、六方晶構造の窒化ホウ素（ＢＮ）や、六方晶構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）以外にも、六方晶構造を有し、紫外光に対する反射性を有するものであれば、いずれのものであっても、紫外光を発光する半導体素子１０を含む半導体発光装置１００に使用可能である。
六方晶構造の無機粒子の粒径について特に限定はないが、体積平均粒径が、０．１μｍ未満である場合には、無機粒子同士が凝集し加工性が落ちる傾向にあり、３００μｍを超えると、ポリメチルペンテンとの混練が不良となり、反射性が低下する傾向にある。したがって、この点を考慮すると、六方晶構造の無機粒子は、体積平均粒径が０．１μｍ以上３００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、０．１μｍ以上１２μｍ以下の範囲内であり、さらに好ましくは１μｍ以上２μｍ以下の範囲内である。なお、体積平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めた粒径である。
六方晶構造の無機粒子の形状についても特に限定はなく、たとえば、鱗片形状、偏平形状、紡錘形状、球形状、円錐形状、楕円形状のものを例示することができる。なかでも、反射性のさらなる向上の点からは、球形状のものを好ましく用いることができる。
六方晶構造の無機粒子は疎水化処理が施されたものであってもよい。疎水化処理が施された六方晶構造の無機粒子を用いることで、反射体１２中に六方晶構造の無機微粒子を均一に分散させることができ、反射性の更なる向上が見込まれる。疎水化処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、シリコーンオイル、脂肪酸、及び脂肪酸金属塩等を挙げることができる。これらの中でも、分散性を向上させる効果が高いことから、シランカップリング剤、及びシリコーンオイルが好ましく用いられる。
ポリメチルペンテン、及び六方晶構造の無機粒子の含有量について特に限定はないが、ポリメチルペンテン１００質量部に対し、六方晶構造の無機粒子の含有量が１０質量部未満である場合には、反射性が低下する傾向にあり、３００質量部を超えると、成型性が低下する傾向にある。したがって、この点を考慮すると、六方晶構造の無機粒子は、ポリメチルペンテン１００質量部に対し、１０質量部以上３００質量部以下の範囲内で含有されていることが好ましい。より好ましくは、１５質量部以上２００質量部以下の範囲内であり、さらに好ましくは、２０質量部以上２００質量部の範囲内である。なお、成型性の低下を生じさせない場合には、３００質量部をこえて含有されていてもよい。
また、反射体１２は、上記必須の構成であるポリメチルペンテン、六方晶構造の無機粒子のほかに、本発明の趣旨を妨げない範囲内で、各種の添加剤が含有されていてもよい。これらの成分としては、難燃剤、異形断面ガラス繊維、シランカップリング剤やチタンカップリング剤等の基板密着助剤、酸化防止剤、光安定化材等を挙げることができる。
反射体１２に含まれる六方晶構造の無機粒子が、紫外光に対する反射性能を有する無機粒子である場合には、該反射体１２は、酸化チタン粒子を実質的に含有していないことが好ましい。酸化チタン粒子を含まない反射体１２とすることで、４００ｎｍ以下の紫外光に対する反射性を良好な状態とすることができる。また、酸化チタンの触媒作用により生じ得るポリメチルペンテンの劣化を未然に防ぐことができる。なお、酸化チタンは、ルチル結晶で４１１ｎｍ付近、アナターゼ結晶で波長３８７ｎｍ付近にて光の吸収が起こることから、反射体１２に酸化チタン粒子が含まれる場合には、紫外光に対する反射性能が著しく低下する。ここで、酸化チタン粒子を実質的に含有しないとは、反射体１２中の酸化チタン粒子の含有量が０質量％であることを意味する。なお、このことは、反射体１２に酸化チタン粒子が含有されることを禁止するものではなく、本発明の趣旨を妨げない範囲内で含有されていてもよい。
反射体１２に酸化チタン粒子が含まれているか否かは、Ｘ線光電子分光法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）によって反射体１２を組成分析することで判定可能である。具体的には、チタン元素が検出されなかった場合には、反射体１２に酸化チタン粒子が実質的に含有されていないものと判定することができる。さらに具体的には、（株）島津製作所製 Ｘ線光電子分光分析装置 ＥＳＣＡ−３４００を用い、狭域スキャン測定：４５０〜４７０ｅＶ範囲で、測定元素名を「Ｔｉ ２ｐ」としてスキャンした場合、４５９ｅＶ付近にＴｉ ２ｐ３／２のピークがなく、スペクトル強度と感度定数から自動計算される相対原子％でも、Ｔｉ ０．１％以下であれば、反射体１２に酸化チタン粒子が実質的に含有されていないものと判定することができる。
反射体１２の形状は、レンズ１８の端部、すなわち接合部の形状に準じており特に限定はない。通常は、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１に示す形態では、反射体１２は、筒状体、換言すれば輪状体であり、反射体１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
反射体１２の内面は、図示するように半導体発光素子１０から発光される光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていることが好ましい。また、反射体１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
反射体１２は、これ以外の種々の態様をとることができ、たとえば、図２に示すように上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａが部材１２ｂの光反射面側に設けられた反射体１２を用いることもできる。図１に示す反射体と、図２に示す反射体とは、図１に示す形態の反射体１２が、反射体１２の全体が上記で説明した反射体１２の必須の成分を含む材料から構成されているのに対し、図２に示す形態の反射体１２が、上記で説明した反射体１２の必須の成分を含まない部材１２ｂと、反射体１２の必須の成分を含む反射層１２ａとが組み合わされた構成である点で相違する。図２に示す形態では、部材１２ｂの光反射面側にのみ反射層１２ａが形成された構成をとる反射体１２となっているが、部材１２ｂの全面に反射層１２ａが形成された構成をとっていてもよい。反射層１２ａの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。
図１に示す形態では、反射体１２上にはレンズ１８が設けられている。レンズ１８は従来公知のものを適宜選択して用いることができる。なお、レンズ１８は通常、樹脂から構成され、着色されることもある。
基板１４と反射体１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明なシリコーン樹脂等が充填された透明封止部であってもよく、空隙部であってもよい。
（半導体発光素子）
基板１４上には、光を発光する半導体発光素子１０が設けられている。半導体発光素子について特に限定はなく、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有し、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状のＬＥＤチップ等を用いることができる。
基板１４上には、光を発光する半導体発光素子１０が設けられている。半導体発光素子について特に限定はなく、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有し、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状のＬＥＤチップ等を用いることができる。
半導体発光素子１０が白色のＬＥＤチップである場合には、紫外光又は青色が発光される。発光色についても特に限定はなく、白色光であってもよく、所望の発光色の半導体発光素子を用いることもできる。白色光を発色させるためには、赤色系の発光波長が６１０ｎｍ〜７００ｎｍ、緑色系の発光波長が４９５ｎｍ〜５６５ｎｍ、青色系の発光波長が４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの３原色を発光するＬＥＤチップを１個の発光素子内に内蔵して混色することにより白色光にしてもよいし、発光波長が４００ｎｍ〜５３０ｎｍの青色光を発光するＬＥＤチップの表面に黄色に変換する発光色変換部材を設けてもよく、発光波長が４００ｎｍより短い紫外光を発光するＬＥＤチップの表面にそれぞれ赤、緑、青に変換する発光色変換部材を設けてそれぞれの色に変換した光を混合することによっても白色光にすることもできる。
また、本発明において、反射体１２に含まれる六方晶構造の無機粒子が、紫外光に対する反射性能を有する無機粒子である場合には、紫外光を発光する半導体発光素子１０を用いた場合に極めて有効である。紫外光を発光する半導体発光素子１０を備える半導体発光装置１００によれば、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果を得ること等ができる。
「半導体発光装置用部品」
本発明の半導体発光装置用部品は、基板１４と、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２とを含み、該反射体が、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体発光装置用部品は、基板１４と、半導体発光素子１０から発光される光を所定方向に反射させるための反射体１２とを含み、該反射体が、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
基板１４、反射体１２は、上記本発明の半導体発光装置１００で説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。本発明の半導体発光装置用部品によれば、この部品を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用部品に含まれる反射体１２が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、この部品を用いて得られる半導体発光装置に、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等を付与することができる。
「半導体発光装置用反射体」
本発明の半導体発光装置用反射体は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体発光装置用反射体は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体発光装置用反射体は、上記で説明した半導体発光装置の反射体１２として説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。配合比等の好ましい範囲についても同様である。本発明の半導体発光装置用反射体によれば、この反射体を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、この反射体を用いて得られる半導体発光装置に、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等を付与することができる。
「半導体発光装置用反射体組成物」
本は追銘の半導体発光装置用反射体組成物は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、該半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本は追銘の半導体発光装置用反射体組成物は、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、該半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含むことを特徴とする。
本発明の半導体発光装置用反射体組成物に含まれるポリメチルペンテン、六方晶構造の無機粒子は、上記本発明の半導体発光装置の反射体１２で説明したポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子をそのまま用いることができここでの詳細な説明は省略する。本発明の半導体発光装置用反射体組成物によれば、この組成物を用いて、半導体発光素子から発光される光の反射性に優れ、かつ電気的な不良の発生や、反射性の低下を長期にわたって防止できる半導体発光装置を構成する反射体を得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物が、紫外光に対する反射性を有する六方晶の無機粒子を含有する場合には、上記の効果に加え、様々な色の蛍光体と組合せて演色性を高めることや、消臭効果および殺菌効果等が付与された半導体発光装置を構成する反射体を得ることができる。
また、本発明の半導体発光装置用反射体組成物には、本発明の趣旨を妨げない範囲内で、各種の添加剤が含有されていてもよい。これらの成分としては、上記で説明した半導体発光装置の反射体１２として説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。
「半導体発光装置の製造方法」
次に、図１に示す一実施形態の半導体発光装置１００の製造方法の一例について説明する。所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成型、圧縮成型、射出成型等により、上記本発明の半導体反射装置用反射体組成物から所定形状の反射体１２を成型する。その後、別途、準備した半導体発光素子１０、電極及びリード線１６を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、さらに反射体１２に基板１４上に固定する。次いで、基板１４及び反射体１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設することで、図１に示す半導体発光装置が得られる。なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、透明封止剤組成物を硬化させてもよい。
次に、図１に示す一実施形態の半導体発光装置１００の製造方法の一例について説明する。所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成型、圧縮成型、射出成型等により、上記本発明の半導体反射装置用反射体組成物から所定形状の反射体１２を成型する。その後、別途、準備した半導体発光素子１０、電極及びリード線１６を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、さらに反射体１２に基板１４上に固定する。次いで、基板１４及び反射体１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設することで、図１に示す半導体発光装置が得られる。なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、透明封止剤組成物を硬化させてもよい。
「半導体発光装置用反射体の製造方法」
次に、本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、半導体発光装置用反射体の製造方法であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造する点を特徴とするものである。
次に、本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、半導体発光装置用反射体の製造方法であって、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造する点を特徴とするものである。
半導体発光装置用反射体組成物は、上記本発明の半導体発光装置用反射体組成物で説明したものをそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。また、該組成物を用いて製造される半導体発光装置用反射体が、三次元網目構造のポリメチルペンテンを含むことが好ましい点についても同様である。三次元網目構造のポリメチルペンテンを得るための方法についても上記で説明した通りであり、半導体発光装置用反射体組成物に、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤の双方を含ませてもよく、ポリメチルペンテンと、紫外線硬化剤や電子線硬化剤のモノマーを共重合せしめた共重合体を含ませてもよい。この場合、該半導体発光装置用反射体組成物に紫外線や電子線を照射することで、三次元網目構造のポリメチルペンテンを含む半導体発光装置用反射体を得ることができる。
本発明の半導体発光装置用反射体の製造方法は、上記で説明した半導体発光装置用反射体組成物を用いる点に特徴を有し、これ以外の要件についていかなる限定もされることはなく、従来公知の製造方法、たとえば射出成型法等を用いて半導体発光装置用反射体を製造することができる。
射出成型法では、半導体発光装置用反射体組成物をシリンダーに投入し、該組成物に含まれるポリメチルペンテンを溶融させる。次いで、スクリューを回転させて、所定の射出圧で上記組成物を、金型に嵌められた基板上に射出する。そして、保圧・背圧をかけて保持した後に、金型から半導体発光装置用反射体を取出すことで半導体発光装置用反射体を得ることができる。このときの各種条件についても特に限定はないが、シリンダー温度；２５０℃〜３００℃、金型温度；４０℃〜１００℃、射出成型圧；１０ＭＰａ〜２００ＭＰａの条件下で製造を行うことが好ましい。この条件下で製造することにより、成型性の特に高い半導体発光装置用反射体を製造することができる。射出成型装置としては、例えば、（株）ソディックプラステック製の射出成型装置（ＬＡ４０ 最大型締力 ３９２ｋＮ）等を用いることができる。
以下に実施例と比較例を挙げて本発明を説明する。なお、文中の「部」は特に断りの内限り質量基準である。
（実施例１）
下記配合比で各種成分を配合し、ロールで混練を行うことで得られた反射体組成物１を、（株）ソディックプラステック製の射出成型装置（ＬＡ４０ 最大型締力 ３９２ｋＮ）により、シリンダー温度２８０℃で溶融状態にし、金型（温度：８０℃）に、射出圧力 １１０ＭＰａで注入。５０ｍｍ×５５ｍｍのメタル基板上に、４０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍサイズに半導体発光装置用反射体を射出成形し、実施例１の反射体を成形した。
（反射体組成物１）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
下記配合比で各種成分を配合し、ロールで混練を行うことで得られた反射体組成物１を、（株）ソディックプラステック製の射出成型装置（ＬＡ４０ 最大型締力 ３９２ｋＮ）により、シリンダー温度２８０℃で溶融状態にし、金型（温度：８０℃）に、射出圧力 １１０ＭＰａで注入。５０ｍｍ×５５ｍｍのメタル基板上に、４０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍサイズに半導体発光装置用反射体を射出成形し、実施例１の反射体を成形した。
（反射体組成物１）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
（実施例２）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物２に変更し、電子線照射を、加速電圧を２５０ｋＶとし、吸収線量を所定の値として行った以外は全て実施例１と同様にして実施例２の反射体を成型した。
（反射体組成物２）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
・電子線架橋処理剤（トリアリルイソシアヌレート） ２部
（ＴＡＩＣ 日本化成（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物２に変更し、電子線照射を、加速電圧を２５０ｋＶとし、吸収線量を所定の値として行った以外は全て実施例１と同様にして実施例２の反射体を成型した。
（反射体組成物２）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
・電子線架橋処理剤（トリアリルイソシアヌレート） ２部
（ＴＡＩＣ 日本化成（株）製）
（実施例３）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物３に変更した以外は全て実施例１と同様にして実施例３の反射体を成型した。
（反射体組成物３）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
・メラミンシアヌレート（平均粒径２．０μｍ） １０部
（ＭＣ−６０００（日産化学（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物３に変更した以外は全て実施例１と同様にして実施例３の反射体を成型した。
（反射体組成物３）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
・メラミンシアヌレート（平均粒径２．０μｍ） １０部
（ＭＣ−６０００（日産化学（株）製）
（実施例４）
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）（ＴＰＸ ＲＴ−３１ 三井化学（株）製）を１００部配合した反射体組成物４を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例４の反射体を成型した。
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）（ＴＰＸ ＲＴ−３１ 三井化学（株）製）を１００部配合した反射体組成物４を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例４の反射体を成型した。
（実施例５）
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）：（ＴＰＸ ＲＴ−３１ 三井化学（株）製）を１００部配合し、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｂ）：（ＵＨＰ−ＥＸ（昭和電工（株）製 顆粒状の六方晶構造、体積平均粒径５０μｍ））を４５部配合した反射体組成物５を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例５の反射体を成型した。
反射体組成物１における、ポリメチルペンテン（Ａ）にかえて、ポリメチルペンテン（Ｂ）：（ＴＰＸ ＲＴ−３１ 三井化学（株）製）を１００部配合し、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｂ）：（ＵＨＰ−ＥＸ（昭和電工（株）製 顆粒状の六方晶構造、体積平均粒径５０μｍ））を４５部配合した反射体組成物５を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例５の反射体を成型した。
（実施例６）
反射体組成物１における、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｃ）：（ＵＨＰ−Ｓ１（昭和電工（株）製 鱗片状の六方晶構造、体積平均粒径１．５μｍ））を４５部配合した反射体組成物６を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例６の反射体を成型した。
反射体組成物１における、六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）にかえて、六方晶構造の窒化ホウ素（Ｃ）：（ＵＨＰ−Ｓ１（昭和電工（株）製 鱗片状の六方晶構造、体積平均粒径１．５μｍ））を４５部配合した反射体組成物６を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例６の反射体を成型した。
（実施例７）
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を２０部に変更した反射体組成物７を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例７の反射体を成型した。
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を２０部に変更した反射体組成物７を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例７の反射体を成型した。
（実施例８）
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を６０部に変更した反射体組成物８を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例８の反射体を成型した。
反射体組成物１における、六方晶構造のホウ素（Ａ）の配合量を６０部に変更した反射体組成物８を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施例８の反射体を成型した。
（比較例１）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ）
・シリコーン樹脂 １００部
ＯＥ−６３３６Ａ及びＯＥ−６３３６Ｂを質量比１：１で混合したもの（いずれも東レ・ダウコーニング（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ）
・シリコーン樹脂 １００部
ＯＥ−６３３６Ａ及びＯＥ−６３３６Ｂを質量比１：１で混合したもの（いずれも東レ・ダウコーニング（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
（比較例２）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｂに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例２の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｂ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１（デュポン社製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｂに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例２の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｂ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１（デュポン社製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
（比較例３）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｃに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例３の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｃ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１ デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｄ−１０２ 大塚化学（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｃに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例３の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｃ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１ デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｄ−１０２ 大塚化学（株）製）
（比較例４）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｄに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例４の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｄ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１ デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｎ−１０２ 大塚化学（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｄに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例４の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｄ）
・半芳香族ポリアミド樹脂（融点３０５℃ ガラス転移温度１２５℃） １００部
（ザイテル ＨＴＮ５０１ デュポン社製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｎ−１０２ 大塚化学（株）製）
（比較例５）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｅに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例５の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｅ）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｄ−１０２ 大塚化学（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｅに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例５の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｅ）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・チタン酸カリウム（平均繊維長１０〜２０μｍ 繊維径０．２〜０．６μｍ） ４５部
（ティスモ Ｄ−１０２ 大塚化学（株）製）
（比較例６）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｆに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例６の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｆ）
・変性ポリアミド １００部
（Ｔ「アーレンＡＥ４２００」 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ｆに変更した以外は全て実施例１と同様にして比較例６の反射体を成型した。
（反射体組成物Ｆ）
・変性ポリアミド １００部
（Ｔ「アーレンＡＥ４２００」 三井化学（株）製）
・六方晶構造の窒化ホウ素（Ａ）（鱗片状 体積平均粒径１１．８μｍ） ４５部
（ＵＨＰ−２ 昭和電工（株）製）
（参考例１）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａ１に変更した以外は全て実施例１と同様にして参考例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ１）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・酸化チタン（ルチル型構造 平均粒径０．２５μｍ） ４５部
（ＰＦＣ−１０７ 石原産業（株）製）
反射体組成物１を、下記に示す反射体組成物Ａ１に変更した以外は全て実施例１と同様にして参考例１の反射体を成型した。
（反射体組成物Ａ１）
・ポリメチルペンテン（Ａ） １００部
（ＴＰＸ−ＲＴ−１８ 三井化学（株）製）
・酸化チタン（ルチル型構造 平均粒径０．２５μｍ） ４５部
（ＰＦＣ−１０７ 石原産業（株）製）
（耐熱性評価）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、表面の色の変化を目視で観察した。放置前後で白色を維持しているものを○、それ以外を×とした。評価結果を色と併せて表１に示す。なお、放置前の白色を保っていれば良好な耐熱性を有することになる。
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、表面の色の変化を目視で観察した。放置前後で白色を維持しているものを○、それ以外を×とした。評価結果を色と併せて表１に示す。なお、放置前の白色を保っていれば良好な耐熱性を有することになる。
（反射率の測定１）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１に、波長３８０ｎｍ、４５０ｎｍにおける光反射率の測定結果を示す。また、図３に、実施例１及び参考例１の反射体の光反射率と波長との関係を示す（いずれも「１５０℃で５００時間放置」する前）。
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を、１５０℃で５００時間放置する前と放置した後で、波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１に、波長３８０ｎｍ、４５０ｎｍにおける光反射率の測定結果を示す。また、図３に、実施例１及び参考例１の反射体の光反射率と波長との関係を示す（いずれも「１５０℃で５００時間放置」する前）。
（反射率の測定２）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を１５０℃のホットプレートの上で、露光機により光（４００ｎｍ以上カットしたもの）を２４時間照射後、３８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１には、波長３８０ｎｍの場合の結果を示す。
各実施例、比較例、及び参考例の反射体を１５０℃のホットプレートの上で、露光機により光（４００ｎｍ以上カットしたもの）を２４時間照射後、３８０ｎｍにおける光反射率を分光光度計ＵＶ−２５５０（島津製作所製）を使用して測定した。表１には、波長３８０ｎｍの場合の結果を示す。
（成型性評価）
各実施例、比較例、及び参考例の反射体のエッジ状態を目視で観察した。良好なエッジ状態を保っているものをＯＫ、バリ等が発生し、エッジに欠け等があるものをＮＧとした。評価結果を表１に併せて示す。なお、良好なエッジ状態を保っていれば成型性を有することになる。一方、バリ等が発生し、エッジに欠け等がある場合は、成型性不良とする。
各実施例、比較例、及び参考例の反射体のエッジ状態を目視で観察した。良好なエッジ状態を保っているものをＯＫ、バリ等が発生し、エッジに欠け等があるものをＮＧとした。評価結果を表１に併せて示す。なお、良好なエッジ状態を保っていれば成型性を有することになる。一方、バリ等が発生し、エッジに欠け等がある場合は、成型性不良とする。
表１からも明らかなように、本発明の反射体組成物の要件を全て充足する反射体組成物を用いて形成された実施例１〜８の反射体によれば、バリの発生がなく、耐熱性や、反射性にも優れる。また、六方晶構造の無機粒子として六方晶構造の窒化ホウ素を含む実施例では、紫外光に対する優れた反射性が確認された。一方、本発明の反射体組成物の要件の一部、もしくは全てを満たさない比較例の反射体によれば、成型性、耐熱性、反射性のいずれか、あるいは全てを満足させることができていない。具体的には、比較例２〜６の反射体では、耐熱性が不十分であり、比較例１の反射体では、成型性が低い。また、参考例１の反射体では、耐熱性や４５０ｎｍの波長領域における反射性は実施例の反射体と同等の性能を得ることができているが、紫外光に対する反射性は著しく低くなっていることがわかる。このことから、本発明の反射体組成物を用いて得られる本発明の反射体の優位性が明らかである。また、この反射体を用いた半導体発光装置用部品や、半導体発光装置においても上記の効果が発揮されることは明らかである。
１０・・・半導体発光素子
１２・・・反射体
１４・・・基板
１６・・・リード線
１８・・・レンズ
１２・・・反射体
１４・・・基板
１６・・・リード線
１８・・・レンズ
Claims (5)
- 基板と、半導体発光素子と、該半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置であって、
前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、
前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする半導体発光装置。 - 基板と、半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体と、を含む半導体発光装置用部品であって、
前記反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、
前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする半導体発光装置用部品。 - 半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体であって、
前記半導体発光装置用反射体は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、
前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする半導体発光装置用反射体。 - 半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための反射体に用いられる半導体発光装置用反射体組成物であって、
前記半導体発光装置用反射体組成物は、ポリメチルペンテンと、六方晶構造の無機粒子とを含み、
前記六方晶構造の無機粒子が、六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムであることを特徴とする半導体発光装置用反射体組成物。 - 半導体発光素子から発光される光を所定方向に反射させるための半導体発光装置用反射体の製造方法であって、
（１）ポリメチルペンテンと、
（２）六方晶構造の窒化ホウ素、又は六方晶構造のチタン酸バリウムと、
を含む半導体発光装置用反射体組成物を用いて半導体発光装置用反射体を製造することを特徴とする半導体発光装置用反射体の製造方法。
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