WO2008047719A1 - Procede de formation de motif miniaturise et solution de traitement de substrat de reserve mise en œuvre dans ce procede - Google Patents

Procede de formation de motif miniaturise et solution de traitement de substrat de reserve mise en œuvre dans ce procede Download PDF

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resist
resist pattern
amino group
resist substrate
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Go Noya
Ryuta Shimazaki
Masakazu Kobayashi
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Az Electronic Materials (Japan) K.K.
Az Electronic Materials Usa Corp.
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Definitions

  • Fine pattern forming method and resist substrate processing liquid used therefor Fine pattern forming method and resist substrate processing liquid used therefor
  • the present invention relates to a resist pattern forming method and a resist substrate processing solution used therefor. More specifically, the present invention provides a chemical treatment of a resist pattern used for manufacturing a flat panel display (FPD) such as a semiconductor device or a liquid crystal display element, a charge coupled device (CCD), a color filter, or a magnetic head.
  • FPD flat panel display
  • CCD charge coupled device
  • the present invention relates to a method for forming a finer pattern and a resist substrate processing solution used therefor.
  • a positive or negative photosensitive resin composition is used to form a resist pattern.
  • a positive photoresist for example, a photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin and a quinonediazide compound which is a photosensitive substance is widely used.
  • KrF excimer laser (248 nm) is not sufficient with conventional light sources such as visible light or near ultraviolet light (wavelength 400 to 300 nm) as an exposure light source. It is necessary to use far-ultraviolet rays such as Ar F excimer laser (193 nm), and even shorter wavelength radiation such as X-rays and electron beams. Lithography processes using these exposure light sources have been proposed and put to practical use. It is becoming.
  • the photosensitive resin composition used as a photoresist in the fine processing also has high resolution. Things are required. Furthermore, in addition to resolution, photosensitive resin compositions are also required to improve performance such as sensitivity, pattern shape, and image size accuracy.
  • a “chemically amplified photosensitive resin composition” has been proposed as a high-resolution radiation-sensitive resin composition that is sensitive to short-wavelength radiation! This chemically amplified photosensitive resin composition contains a compound that generates an acid upon irradiation with radiation, and an acid is generated from this acid generating compound upon irradiation with radiation. Since it is advantageous in that high sensitivity can be obtained, it is replacing the conventional photosensitive resin composition and is becoming popular.
  • Patent Documents 1 to 3 describe a method of reducing the groove width of a trench pattern and the diameter of a contact hole by covering a pattern formed by a normal method with a more uniform covering layer. Has been. Such a method is a method capable of further miniaturizing a pattern that has been miniaturized to the limit by a pattern forming method using a photosensitive resin composition or photolithography.
  • Patent Document 1 JP-A-10-73927
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001_19860
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-300853
  • the present invention intends to provide a method for miniaturizing a pattern without significantly impairing the manufacturing cost and the manufacturing efficiency.
  • the pattern forming method according to the present invention is a pattern forming method for forming a fine resist pattern, and the resist pattern after the development processing is processed with a resist substrate processing solution containing an amino group-containing water-soluble polymer.
  • the method includes a step of reducing the effective size of the resist pattern formed by the development processing.
  • the miniaturized resist pattern according to the present invention is obtained by developing an imagewise-exposed resist substrate with a developer and further processing with a resist substrate treatment solution containing an amino group-containing water-soluble polymer. It is characterized by being formed.
  • a resist substrate processing solution for reducing the effective size of a resist pattern according to the present invention comprises an amino group-containing water-soluble polymer and a solvent, and the resist pattern formed by development processing is processed to form a resist pattern. The effective size is reduced.
  • the resist pattern after development is processed with a resist substrate processing solution.
  • the method for developing the resist pattern to form the original pattern is not particularly limited, and any method can be used. Therefore, the lithography process for forming the original pattern is any known method for forming a resist pattern using a known positive photosensitive resin composition or a negative photosensitive resin composition. It may be a thing.
  • a typical pattern forming method to which the resist substrate processing solution of the present invention is applied includes the following method.
  • a photosensitive resin composition is applied to a surface of a substrate such as a silicon substrate or a glass substrate, which has been pre-treated as necessary, by a conventionally known coating method such as a spin coating method, and photosensitive.
  • a resin composition layer is formed.
  • an antireflection film may be formed on the upper layer or lower layer of the resist. Such an antireflection film can improve the cross-sectional shape and the exposure margin.
  • any conventionally known photosensitive resin composition can be used in the pattern forming method of the present invention.
  • Illustrative examples of the photosensitive resin composition that can be used in the pattern forming method of the present invention include the positive type, for example, those comprising a quinonediazide-based photosensitizer and an alkali-soluble resin, and chemically amplified photosensitivity.
  • the negative type resin composition for example, an azide containing a polymer compound having a photosensitive group such as polycay cinnamate, an aromatic azide compound, or a cyclized rubber and a bisazide compound. Examples thereof include compounds containing compounds, diazo resins, photopolymerizable compositions containing addition polymerizable unsaturated compounds, and chemically amplified negative photosensitive resin compositions.
  • examples of the quinonediazide-based photosensitizer used in the positive photosensitive resin composition comprising a quinonediazide-based photosensitizer and an alkali-soluble resin include 1,2-benzoquinonediazido-4-sulfonic acid, 1,2 —Naphthoquinone diazide 4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinone diazide 5-sulfonic acid, esters or amides of these sulfonic acids, and examples of alkali-soluble resins include nopolac resins, polybutanols, polyvinyls. Examples thereof include a copolymer of alcohol, acrylic acid or methacrylic acid.
  • Nopolac resin is produced from one or more phenols such as phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol and xylenol, and one or more aldehydes such as formaldehyde and paraformaldehyde. Are preferred.
  • the chemically amplified photosensitive resin composition can be used in the pattern forming method of the present invention even if it is positive or negative!
  • a chemically amplified resist generates an acid upon irradiation, and forms a pattern by changing the solubility of the irradiated portion in the developer by a chemical change caused by the catalytic action of this acid.
  • an acid is formed by irradiation. Containing an acid-generating compound and an acid-sensitive group-containing resin that decomposes in the presence of an acid to produce an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, an alkali-soluble resin and a crosslinking agent And those composed of an acid generator.
  • the photosensitive resin composition layer formed on the substrate is pre-beta on a hot plate, for example. Then, the solvent in the photosensitive resin composition is removed to form a photoresist film.
  • the prebeta temperature varies depending on the solvent or the photosensitive resin composition used, and is usually 20 to 200 ° C, preferably 50 to 150 ° C.
  • the photoresist film is then masked as necessary using a known irradiation device such as a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, a soft X-ray irradiation device, or an electron beam drawing device.
  • a known irradiation device such as a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, a soft X-ray irradiation device, or an electron beam drawing device.
  • the resist is usually developed using an alkaline developer.
  • an alkaline developer for example, an aqueous solution such as sodium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or an aqueous solution is used.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the resist pattern is rinsed (washed) with a rinsing liquid, preferably pure water, if necessary.
  • the formed resist pattern is used as a resist for etching, plating, ion diffusion, dyeing treatment, etc., and then peeled off as necessary.
  • the pattern forming method according to the present invention is particularly capable of further miniaturizing a pattern with respect to a fine resist pattern. Therefore, the pattern forming method according to the present invention uses a KrF excimer laser, ArF excimer laser, X-ray, electron beam, or the like as a lithography process in which such a fine resist pattern is formed, that is, as an exposure light source. It is preferable to combine a lithography process including exposure at an exposure wavelength of 250 nm or less. Further, looking at the pattern size of the resist pattern, the line ' ⁇ command. Space.
  • Space portion of the line width in the pattern 3 nm or less, preferably less 200Ita m, or contact hole' hole size of the pattern is 300nm or less, preferably 2 Those including a lithography process for forming a resist pattern of OOnm or less are preferable.
  • the thickness of the resist pattern and the like is appropriately selected according to the application to be used, etc. Generally 0.1 to 5 to 111, preferably 0.1 to 2.5 to m, and more preferably 0. A film thickness of 2—1.5 mm is selected.
  • the resist pattern is processed using a resist substrate processing liquid containing an amino group-containing water-soluble polymer.
  • This resist By using the substrate processing solution, the effective size of the resist pattern formed by development is reduced.
  • the amino group-containing water-soluble polymer any one can be selected as long as it has an amino group in its structure and is water-soluble.
  • the number of amino groups contained in the polymer is not limited! /, But it is preferable that the number of nitrogen atoms is 5 to 5000 per molecule in order to strongly develop the effect of reducing the pattern size. More preferably, it is ⁇ 2000.
  • a preferable amino group-containing water-soluble polymer is a polyamine having the following structure:
  • L 1 and L 2 are divalent linking groups such as a single bond or a divalent functional group.
  • the number of carbon atoms of L 1 and L 2 is not particularly limited, but is preferably 0-20, and more preferably 0-5.
  • the type of L 1 and L 2 is not particularly limited, but is generally a hydrocarbon group, more preferably an alkylene group or an alkylene group or an arylene group.
  • R 1 and R 2 are any functional groups.
  • the number of carbon atoms of R 1 and R 2 is not particularly limited, but is generally hydrogen or a hydrocarbon group, preferably 0-20, more preferably 0-5.
  • R 1 and R 2 is not particularly limited, but is generally a hydrocarbon group, more preferably an alkyl group, preferably an alkyl group or an aryl group.
  • R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring, or R 1 or R 2 may form a ring with carbon contained in L 1 or L 2 .
  • p is a number representing the degree of polymerization.
  • R 2 other functional groups optionally example hydroxyl, Cal Bokishiru group, an amino group, a carbonyl group or Yogu more and R 2 be substituted by such ether groups, a plurality of in one molecule Kinds may be mixed.
  • R 2 contains carbon, the number of carbons Selected to be soluble in water.
  • L 1 is preferably an alkylene group and L 2 is preferably a methylene group.
  • amino group-containing water-soluble polymers include polyarylamine, poly-N methylarylamine, poly-N, N'-dimethylarylamine, poly (N-methyl-3,5-piperidinedimethylene). Etc.
  • the degree of polymerization of these polymers is not particularly limited because it is arbitrarily selected depending on the structure of the monomer, the concentration of the resist substrate processing solution, the type of resist to be applied, and the like. In the case of poly ⁇ , ⁇ '-dimethinole linolemin, ⁇ is 5 to 50, preferably 5 to 30, and poly ( ⁇ methyl 3, 5 pi.
  • ⁇ is 5 to 50, preferably 10 to 30.
  • Specific examples of specific structures and polymerization degrees of these preferable polymers are as follows. These are commercially available from, for example, Nitto Boseki Co., Ltd.
  • R 1 and R 2 are not hydrogen at the same time, that is, when nitrogen in the formula (I) forms a tertiary amino group, for example, the above (Ic) or (Id) is the effect of the present invention.
  • Specific examples include poly N, ⁇ '-dimethylarylamine (molecular weight 800) and poly (N-methyl-3,5-piperidinedimethylene) (molecular weight 3000).
  • amino group-containing water-soluble polymer that can be effectively used in the present invention includes various derivatives of polyacrylamide, and skeletons such as pyrazole, bulurpyrrolidone, acrylamide (amide), burpyridine, or piperidine in the structure. Include polymers
  • These amino group-containing water-soluble polymers may be of any molecular weight as required, and the molecular weight is generally 500 to 200,000, preferably ⁇ 1,000 to 100 , 000. Since the appropriate molecular weight of the amino group-containing water-soluble polymer varies depending on the main chain structure of the amino group-containing water-soluble polymer and the type of functional group, it is also possible to use an amino group-containing water-soluble polymer outside the above range. Is possible.
  • These amino group-containing water-soluble polymers can be used in combination of two or more as required.
  • the concentration of the amino group-containing water-soluble polymer contained in the treatment liquid is not particularly limited, but is preferably adjusted according to the purpose and method of use. That is, generally, the direction of high density tends to require a short processing time, and the effect of reducing the effective size of the pattern is great. On the other hand, in general, the rinsing process with pure water after treatment with a low concentration force tends to be short. Depending on the type of photosensitive resin group used, the optimum type and concentration of the amino group-containing water-soluble polymer varies. For this reason, it is preferable that the concentration is balanced in accordance with the required characteristics.
  • optimum concentration of the amino group-containing water-soluble poly-mer is not specified, based on the total weight of the resist substrate treating solution, General ⁇ This 0.0;! ⁇ 5 0/0, more preferably (or 0. 05-2 0/0, more preferably (or 0.5;! is ⁇ 1 0/0.
  • Examples of the method for treating the resist pattern with the resist substrate treatment liquid include a method in which the resist substrate is immersed in the resist substrate treatment liquid, and a method in which the resist substrate treatment liquid is applied to the resist substrate by dipping or nozzle coating.
  • the time for processing the resist substrate with the resist substrate processing solution that is, the processing time is not particularly limited, but it is preferably 10 seconds or more in order to strongly express the effect of reducing the pattern effective size. It is more preferable that
  • the upper limit of the processing time is not particularly limited, From the viewpoint of efficiency in the process, it is preferably 300 seconds or less.
  • the temperature of the resist substrate processing solution is not particularly limited! /, But it is generally 5 to 50 ° C from the viewpoint of the effect of reducing the effective pattern size and the uniformity of the reduced size. Yes, and preferably 20 to 30 ° C.
  • the resist substrate treating solution in the present invention comprises the above-mentioned amino group-containing water-soluble polymer and, if necessary, a solvent.
  • the solvent is not particularly limited, and an arbitrary one can be used with force S, but water is preferably used from the viewpoint of affinity with the developer and the rinse solution.
  • a small amount of an organic solvent may be used as a cosolvent in order to improve wettability.
  • examples of such a co-solvent include alcohols such as methyl alcohol and ethyl alcohol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, and esters such as ethyl acetate.
  • an additional component can be included as needed.
  • a surfactant, an acidic substance, or a basic substance can also be included as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the processing solution containing the amino group-containing water-soluble polymer according to the present invention is washed with pure water immediately before and / or immediately after the processing with the resist substrate. It is preferable to perform the process to be performed, that is, the rinse process.
  • the former rinsing process is performed to wash the developer adhering to the resist pattern.
  • a rinse treatment with pure water is performed after the development and before the processing with the processing solution. It is preferable.
  • the latter rinsing process is performed to wash the resist substrate processing solution.
  • the resist substrate is treated with pure water after the processing with the resist substrate processing liquid so that the processing liquid component remaining on the resist surface in a subsequent process, for example, the etching process does not cause a problem. It is preferable to carry out a rinsing process.
  • the method of rinsing with pure water can be performed by any method.
  • the resist substrate is immersed in a rinsing solution, or the rinsing solution is dropped, sprayed or sprayed on the surface of the rotating resist substrate. This can be done by supplying Either one or both of these rinses with pure water can be performed.
  • the resist pattern after development is the resist pattern after development of the resist substrate processing solution. In general, after development or after rinsing with pure water, treatment is performed without drying, but if necessary, it is dried immediately after development or after rinsing after development and then treated with treatment liquid. Therefore, the effect of the present invention can be obtained.
  • the force by which the resist pattern is refined by the method according to the present invention is the amount of change in line width or hole diameter, which is generally 5 A or more, preferably 10 A or more.
  • the mechanism by which the resist pattern is miniaturized is different from that in the conventional method in which the pattern is miniaturized by coating the pattern with a composition containing a crosslinking agent. That is, the resist substrate processing liquid in the present invention does not contain a crosslinking agent.
  • the mechanism by which the resist pattern is miniaturized by the pattern forming method of the present invention is not clear at present, but a film is formed on the unexposed portion of the resist surface, or the components of the processing solution penetrate into the resist. Of swelling
  • the resist pattern whose effective pattern size is reduced by the pattern forming method according to the present invention is subsequently processed according to the application.
  • the pattern forming method according to the present invention can be processed by a conventional method with no particular limitation.
  • the pattern thus formed by the method of the present invention is applied to a flat panel display (FPD) such as a semiconductor device or a liquid crystal display element, a charge coupled device (CCD), a color filter, a magnetic head or the like. It can be applied in the same way as patterns produced by the method.
  • FPD flat panel display
  • CCD charge coupled device
  • AZ Electronic Materials anti-reflective coating AZ KrF-17B (' ⁇ ' is a registered trademark, the same shall apply hereinafter) is spin-coated on an 8-inch silicon wafer using a spin coater manufactured by Tokyo Electron, and heated at 180 ° C for 60 seconds. Beta at 800 A film is obtained It adjusted so that. The film thickness was measured with a film thickness measuring device manufactured by Prometrisk. Next, the photo resist AZ DX6270P (chemically amplified resist for 248 nm exposure containing a polymer based on polystyrene) manufactured by AZ Electrotechnics Co., Ltd.
  • the substrate was rinsed with pure water, treated with a resist substrate treatment solution for 60 seconds, and further rinsed with pure water for 15 seconds.
  • the resist substrate processing solution used contained the amino group-containing water-soluble polymer described in Table 1 at the concentration described in Table 1.

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Description

明 細 書
微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理 液
技術分野
[0001] 本発明は、レジストパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液に 関するものである。さらに詳細には、本発明は、半導体デバイス、液晶表示素子など のフラットパネルディスプレー（FPD)、電荷結合素子（CCD)、カラーフィルター、磁 気ヘッド等の製造に用いられるレジストパターンを薬液処理することにより微細化され たパターンを形成する方法およびそれに用いるレジスト基板処理液に関するもので ある。
背景技術
[0002] LSIなどの半導体集積回路や、 FPDの表示面の製造、カラーフィルター、サーマル ヘッドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、微細素子の形成 或いは微細加工を行うために、従来からフォトリソグラフィー技術が利用されている。 フォトリソグラフィ一法においては、レジストパターンを形成するためポジ型またはネガ 型の感光性樹脂組成物が用いられている。これら感光性樹脂組成物のうち、ポジ型 フォトレジストとしては、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光性物質であるキノンジアジ ド化合物とからなる感光性樹脂組成物が広く利用されている。
[0003] ところで、近年、 LSIの高集積化と高速度化に伴い、微細電子デバイス製造業界に おいてはデザインルールがハーフミクロンからクォーターミクロンへ、或いは更にそれ 以下への微細化が求められている。このようなデザインルールの更なる微細化に対 応するためには、露光光源として可視光線或いは近紫外線 (波長 400〜300nm)な ど従来使用されてきたものでは充分ではなぐ KrFエキシマレーザー（248nm)、 Ar Fエキシマレーザー（193nm)等の遠紫外線や更には X線、電子線等のようなより短 波長の放射線を用いることが必要とされ、これら露光光源を用いるリソグラフィープロ セスが提案され、実用化されつつある。このデザインルールの微細化に対応するべく 、微細加工の際にフォトレジストとして用いられる感光性樹脂組成物にも高解像性の ものが要求されている。さらに、感光性樹脂組成物には、解像性に加え、感度、バタ ーン形状、画像寸法の正確さなどの性能向上も同時に求められている。これに対し、 短波長の放射線に感光性を有する高解像度の感放射線性樹脂組成物として、「化 学増幅型感光性樹脂組成物」が提案されて!、る。この化学増幅型感光性樹脂組成 物は、放射線の照射により酸を発生する化合物を含み、放射線の照射によりこの酸 発生化合物から酸が発生され、発生された酸による触媒的な画像形成工程により、 高い感度が得られる点等で有利であるため、従来の感光性樹脂組成物に取って代 わり、普及しつつある。
[0004] しかし、このような感光性樹脂組成物の検討による微細化は進んでいるものの、デ ザインルールにはさらなる微細化を要求されている。このため、まったく別な観点から レジストパターンを微細化させる方法も検討されている。
[0005] 例えば、特許文献 1〜3には、通常の方法で形成されたパターンをさらに均一な被 覆層で被覆することにより、トレンチパターンの溝幅やコンタクトホールの直径を小さく する方法が記載されている。このような方法は、感光性樹脂組成物やフォトリソグラフ ィ一によるパターン形成方法で限界まで微細化されたパターンをさらに微細化するこ とができる方法である。
[0006] しかしながら、これらの特許文献に記載された方法では、形成されたパターンに被 覆組成物を塗布し、加熱または露光して被覆組成物を硬化させることでパターンを太 らせるものであり、パターンの製造工程に新たな工程を付加させる必要がある。この ため、製造コストや製造効率の観点から見ると、改良の余地があることがわ力、つた。 特許文献 1 :特開平 10— 73927号公報
特許文献 2：特開 2001 _ 19860号公報
特許文献 3：特開 2005— 300853号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明は上記したような問題点に鑑み、製造コストや製造効率を大きく損なうことな く、パターンを微細化する方法を提供しょうとするものである。
課題を解決するための手段 [0008] 本発明によるパターン形成方法は、微細なレジストパターンを形成させるパターン 形成方法であって、現像処理後のレジストパターンを、アミノ基含有水溶性ポリマー を含んでなるレジスト基板処理液により処理することにより、前記現像処理により形成 されたレジストパターンの実効サイズを縮小する工程を含んでなることを特徴とするも のである。
[0009] また、本発明による微細化されたレジストパターンは、像様露光されたレジスト基板 を現像液により現像し、さらにアミノ基含有水溶性ポリマーを含んでなるレジスト基板 処理液により処理することにより形成されたことを特徴とするものである。
[0010] さらに、本発明によるレジストパターン実効サイズ縮小用のレジスト基板処理液は、 アミノ基含有水溶性ポリマーと溶媒とを含んでなり、現像処理により形成されたレジス トパターンを処理してレジストパターンの実効サイズを縮小させることを特徴とするも のである。
発明の効果
[0011] 本発明によれば、製造コストや製造効率を大きく損なうことなぐパターンを微細化 すること力 Sできる。特に、製造プロセスにおいて、新たな装置を導入するなどの必要 がなぐまた比較的安価な材料を利用するので、製造コストの増大を抑えながら、微 細なパターンを製造できる。
発明を実施するための最良の形態
[0012] 本発明によるパターン形成方法を詳細に説明すると以下の通りである。
本発明のパターン形成方法は、現像後のレジストパターンに対してレジスト基板処 理液による処理を行うものである。レジストパターンを現像して、元になるパターンを 形成させるための方法は特に限定されず、任意の方法で行うことができる。したがつ て、元のパターンを形成させるリソグラフィー工程は、公知のポジ型の感光性樹脂組 成物、ネガ型の感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成する方法として 知られた何れのものであってもよい。本発明のレジスト基板処理液が適用される代表 的なパターン形成方法をあげると、次のような方法が挙げられる。
[0013] まず、必要に応じて前処理された、シリコン基板、ガラス基板等の基板の表面に、感 光性樹脂組成物をスピンコート法など従来力 公知の塗布法により塗布して、感光性 樹脂組成物層を形成させる。感光性樹脂組成物の塗布に先立ち、レジスト上層また は下層に反射防止膜が塗布形成されてもよい。このような反射防止膜により断面形 状および露光マージンを改善することができる。
[0014] 本発明のパターン形成方法には、従来知られている何れの感光性樹脂組成物を 用いることもできる。本発明のパターン形成方法に用いることができる感光性樹脂組 成物の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キノンジアジド系感光剤と アルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型感光性樹脂組成物などが、ネガ型 では、例えば、ポリケィ皮酸ビュル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、 芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるよう なアジド化合物を含有するもの、ジァゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物 を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型感光性樹脂組成物などが挙げられる。
[0015] ここでキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型感光性樹脂組 成物において用いられるキノンジアジド系感光剤の例としては、 1 , 2—べンゾキノン ジアジドー 4ースルホン酸、 1 , 2—ナフトキノンジアジドー 4ースルホン酸、 1 , 2—ナフ トキノンジアジドー 5—スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミドなどが 、またアルカリ可溶性樹脂の例としては、ノポラック樹脂、ポリビュルフエノール、ポリビ ニルアルコール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体などが挙げられる。ノポラック 樹脂としては、フエノール、 o—クレゾール、 m—クレゾール、 p—クレゾール、キシレノ ール等のフエノール類の 1種又は 2種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒ ド等のアルデヒド類の 1種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
[0016] また、化学増幅型の感光性樹脂組成物は、ポジ型およびネガ型の!/、ずれであって も本発明のパターン形成方法に用いることができる。化学増幅型レジストは、放射線 照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分 の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、例えば、放射線 照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフエノール性水酸 基或いはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹 脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
[0017] 基板上に形成された感光性樹脂組成物層は、例えばホットプレート上でプリベータ されて感光性樹脂組成物中の溶剤が除去され、フォトレジスト膜とされる。プリベータ 温度は、用いる溶剤或いは感光性樹脂組成物により異なる力 通常 20〜200°C、好 ましくは 50〜 150°C程度の温度で行われる。
[0018] フォトレジスト膜はその後、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、 KrFエキシマレーザー、 ArFエキシマレーザー、軟 X線照射装置、電子線描画装置 など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介して露光が行われる。
[0019] 露光後、必要に応じべ一キングを行った後、例えばパドル現像などの方法で現像 が行われ、レジストパターンが形成される。レジストの現像は、通常アルカリ性現像液 を用いて行われる。アルカリ性現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化テト ラメチルアンモニゥム (TMAH)などの水溶液或!/、は水性溶液が用いられる。現像処 理後、必要に応じてリンス液、好ましくは純水、を用いてレジストパターンのリンス（洗 浄）が行われる。なお、形成されたレジストパターンは、エッチング、メツキ、イオン拡 散、染色処理などのレジストとして用いられ、その後必要に応じ剥離される。
[0020] 本発明によるパターン形成方法は、特に、微細なレジストパターンに対してパター ンのさらなる微細化が可能なものである。したがって、本発明によるパターン形成方 法は、このような微細なレジストパターンが形成されるリソグラフィー工程、すなわち、 露光光源として、 KrFエキシマレーザーや ArFエキシマレーザー、更には X線、電子 線などを用いる、 250nm以下の露光波長での露光を含むリソグラフィー工程を組み 合わせることが好ましい。さらに、レジストパターンのパターン寸法でみると、ライン'ァ ンド.スペース.パターンにおける線幅のスペース部が 300nm以下、好ましくは 200η m以下、またはコンタクトホール'パターンにおける孔径が 300nm以下、好ましくは 2 OOnm以下、のレジストパターンを形成するリソグラフィー工程を含むものが好ましい
〇
[0021] レジストパターンの膜厚などは用いられる用途などに応じて適宜選択される力 一 般に 0. 1〜5〃111、好ましくは0. 1— 2. 5〃m、さらに好ましくは 0. 2—1. 5〃m、の 膜厚が選択される。
[0022] 本発明によるパターン形成方法においては、レジストパターンを現像後、アミノ基含 有水溶性ポリマーを含んでなるレジスト基板処理液を用いて処理する。このレジスト 基板処理液を用いることにより、現像により形成されたレジストパターンの実効サイズ が縮小される。ここで、アミノ基含有水溶性ポリマーは、その構造中にアミノ基を有し、 かつ水溶性であるものであれば任意のものを選択することができる。ポリマーに含ま れるァミノ基の数は限定されな!/、が、パターンサイズの微細化の効果を強く発現させ るために、 1分子あたり窒素原子が 5〜5000個であることが好ましぐ 5〜2000個で あることがより好ましい。
ここで、好ましいアミノ基含有水溶性ポリマーは下記の構造を有するポリアミンであ [化 1]
Figure imgf000008_0001
式中、 L1および L2は 2価の連結基、例えば単結合または 2価の官能基である。 L1お よび L2の炭素数は特に制限されないが、 0〜20であることが好ましぐ 0〜5であるこ とがより好ましい。また、 L1および L2の種類は特に限定されないが、一般に炭化水素 基であり、アルキレン基またはァリーレン基であることが好ましぐアルキレン基である ことがより好ましい。 R1および R2は任意の官能基である。 R1と R2の炭素数は特に制限 されないが、一般に水素または炭化水素基であり、 0〜20であることが好ましぐ 0〜 5であることがより好ましい。また、 R1および R2の種類は特に限定されないが、一般に 炭化水素基であり、アルキル基またはァリール基であることが好ましぐアルキル基で あることがより好ましい。また、 R1と R2は相互に結合して環を形成してもよぐあるいは R1または R2は、 L1または L2に含まれる炭素と環を形成してもよい。 pは重合度を表す 数である。
Figure imgf000008_0002
および R2は、必要に応じて他の官能基、例えば水酸基、カル ボキシル基、アミノ基、カルボニル基、またはエーテル基などにより置換されてもよぐ さらに および R2は、 1分子中で複数の種類のものが混在していてもよい。 また、
Figure imgf000008_0003
および R2が炭素を含む場合、その炭素数は化合物が所定の濃度 で水に溶解しえるように選択される。これらのうち、 L1がアルキレン基、 L2がメチレン基 であることが好ましい。このようなアミノ基含有水溶性ポリマーの具体例として、ポリアリ ルァミン、ポリ N メチルァリルァミン、ポリ N, N '—ジメチルァリルァミン、ポリ（N メ チルー 3, 5—ピペリジンジィルメチレン）などが挙げられる。これらのポリマーの重合 度は、モノマーの構造や、レジスト基板処理液の濃度や適用されるレジストの種類な どに応じて任意の選択されるので、特に限定されないが、ポリアリルァミンの場合には piま 5〜500、好ましく ίま 10〜400であり、ポリ Ν, Ν '—ジメチノレ リノレ ミンの場合 ίこ は、 ρは 5〜50、好ましくは 5〜30であり、ポリ（Ν メチル 3, 5 ピぺリジンジィルメ チレン）の場合には、 ρは 5〜50、好ましくは 10〜30である。これらの好ましいポリマ 一の具体的な構造と重合度との具体例は下記のようなものである。これらは例えば日 東紡績株式会社などから市販されてレ、る。
[化 2]
η η=85-90 (la)
ノ
Η2Ν n n=1000-1100 (lb)
ノ
Η2Ν n n=8-10 (Ic)
ヽノ
n n=25-30 (Id)
ノ ここで、 R1と R2が同時に水素で無い場合、すなわち式 (I)中の窒素が 3級アミノ基を 形成する場合、例えば前記の（Ic)または (Id)は、本発明の効果が強く発現するので 特に好ましい。具体的には、ポリ N, Ν '—ジメチルァリルアミン（分子量 800)、ポリ（N —メチル— 3, 5—ピぺリジンジィルメチレン）（分子量 3000)が挙げられる。
この他、本発明において有効に利用できるアミノ基含有水溶性ポリマーとして、ポリ ァリルァミンの各種誘導体や、ピラゾール、ビュルピロリドン、アクリルアミド（アマイド） 、ビュルピリジン、またはピぺリジンなどの骨格を構造中に含むポリマーが挙げられる
〇
[0025] これらのアミノ基含有水溶性ポリマーは必要に応じて任意の分子量のものを用レ、る ことカでき、その分子量は、一般に 500〜200, 000、好まし <は 1 , 000—100, 000 である。なお、アミノ基含有水溶性ポリマーの主鎖構造や官能基の種類などによりァ ミノ基含有水溶性ポリマーの適切な分子量は変化するので、前記の範囲外のアミノ 基含有水溶性ポリマーを用いることも可能である。
[0026] これらのアミノ基含有水溶性ポリマーは、必要に応じて 2種類以上を組み合わせて 用いることあでさる。
[0027] ここで処理液に含まれるアミノ基含有水溶性ポリマーの濃度は特に限定されないが 、 目的や使用方法に応じて調整されることが好ましい。すなわち、一般に濃度が高い 方力 処理時間が短時間で済む傾向にあり、またパターンの実効サイズを縮小する 効果が大きい。一方、一般に濃度が低い方力 処理後の純水によるリンス工程が短 時間で済む傾向にある。また用いられる感光性樹脂組の種類などに応じて、最適な アミノ基含有水溶性ポリマーの種類や濃度が変化する。このため、求められる特性に 応じてバランスのよい濃度とすることが好ましい。したがって、アミノ基含有水溶性ポリ マーの最適な濃度は特定されないが、レジスト基板処理液の総重量を基準として、一 般 ίこ 0. 0；!〜 50/0、より好ましく (ま 0. 05〜20/0、より好ましく (ま 0. ；!〜 10/0である。
[0028] レジストパターンをレジスト基板処理液により処理する方法は、レジスト基板をレジス ト基板処理液に浸漬する方法、レジスト基板にレジスト基板処理液をデイツビングや ノ ドル塗布により塗布する方法などが挙げられる。また、レジスト基板をレジスト基板 処理液により処理する時間、すなわち処理時間は特に制限されないが、パターン実 効サイズの縮小効果を強く発現させるために、 10秒以上であることが好ましぐ 60秒 以上であることがより好ましい。また、処理時間の上限は特に制限されないが、製造 過程における効率の観点からは 300秒以下であることが好ましい。
[0029] また、レジスト基板処理液の温度も特に限定されな!/、が、パターン実効サイズの縮 小効果や縮小サイズの均一性の観点から、 5〜50°Cとするのが一般的であり、 20〜 30°Cとすることが好ましい。
[0030] 本発明におけるレジスト基板処理液は、前記したアミノ基含有水溶性ポリマーと必 要に応じて溶媒とを含んでなるものである。溶媒は特に限定されず、任意のものを用 いること力 Sでさるが、現像液やリンス液との親和性の観点から、水を用いることが好ま しい。また、濡れ性などを改良するために少量の有機溶媒を共溶媒として用いてもよ い。このような共溶媒としてはメチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール 類、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン類、酢酸ェチル等のエステル等が挙げら れる。また、必要に応じてさらなる成分を含むことができる。例えば、本願発明の効果 を損なわない範囲で、界面活性剤、酸性物質あるいは塩基性物質を含むこともでき
[0031] 本発明によるパターン形成方法においては、現像後、本発明によるアミノ基含有水 溶性ポリマーを含む処理液をレジスト基板により処理する直前に、および/または処 理した直後に、純水により洗浄する処理、すなわちリンス処理を行うことが好ましい。 前者のリンス処理は、レジストパターンに付着した現像液を洗浄するために行われる ものである。レジスト基板処理液が現像液により汚染されることを防ぎ、また最少量の レジスト基板処理液により処理をするためには、現像後、処理液による処理を行う前 に、純水によるリンス処理を行うことが好ましい。また、後者のリンス処理はレジスト基 板処理液を洗浄するために行われるものである。特にレジスト基板処理液の濃度が 高い場合には、レジスト基板が後の工程、例えばエッチング工程でレジスト表面に残 つた処理液成分が問題を起こさないように、レジスト基板処理液による処理の後に純 水によるリンス処理を行うことが好ましい。
[0032] 純水によるリンス処理の方法は任意の方法により行うことができ、例えばレジスト基 板をリンス液に浸漬したり、回転しているレジスト基板表面にリンス液を滴下、噴霧ま たは吹き付けにより供給することにより行うことができる。これらの純水によるリンス処 理はどちらか一方だけ、あるいは両方行うことができる。 [0033] 本発明にお!/、ては、現像後のレジストパターンを前記のレジスト基板処理液現像後 のレジストパターン。一般に、現像後、あるいは純水によるリンス処理後、乾燥をせず に処理液により処理するが、必要に応じて、現像直後、あるいは現像後のリンス処理 後に一度乾燥させてから処理液により処理することによつても本発明の効果を得るこ と力 Sできる。
[0034] 本発明による方法によって、レジストパターンは微細化される力 得られる微細化の 効果は、線幅または孔径の変化量で、一般に 5 A以上、好ましくは 10 A以上、である
。ここで、本発明のパターン形成方法において、レジストパターンが微細化されるメカ ニズムは、従来の架橋剤を含む組成物によりパターンを被覆することにより微細化す る方法におけるものとは異なる。すなわち、本発明におけるレジスト基板処理液は架 橋剤を含んでいない。そして、本発明のパターン形成方法によりレジストパターンが 微細化されるメカニズムは現在のところ明白ではないが、レジスト表面の未露光部分 に被膜が形成されること、またはレジストに処理液の成分が浸透して膨潤することの
V、ずれか、またはその両方が起きるためと推定されて!/、る。
[0035] 本発明によるパターン形成方法によりパターンの実効サイズが縮小されたレジスト パターンは、引き続き用途に応じた加工が施される。この際、本発明によるパターン 形成方法を用いたことによる制限は特になぐ慣用の方法により加工することができる
〇
[0036] このように本発明の方法により形成されたパターンは、半導体デバイス、液晶表示 素子などのフラットパネルディスプレー（FPD)、電荷結合素子（CCD)、カラーフィル ター、磁気ヘッドなどに、従来の方法で製造されたパターンと同様に適用することが できる。
[0037] 本発明を諸例を用いて説明すると以下の通りである。なお、本発明の態様はこれら の例に限定されるものではない。
[0038] 比較例
AZエレクトロニックマテリアルズ社製反射防止膜 AZ KrF- 17B ( 'ΑΖ'は登録商 標、以下同じ）を東京エレクトロン社製スピンコーターにより 8インチシリコンウェハーに 回転塗布し、 180°C、 60秒間ホットプレートにてベータを行い、 800 Aの膜が得られ るように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。次に AZェ レクト口ニックマテリアルズ社製フォトレジスト AZ DX6270P (ポリスチレンを骨格とし たポリマーを含む 248nm露光用化学増幅型レジスト）を、得られた反射防止膜上に 回転塗布し、 125°C、 90秒間ホットプレートにてベータを行い、 0. 67〃 mのレジスト 膜が得られるように調整した。そしてキャノン社製縮小投影露光装置 FPA3000EX5 (波長 248nm)にて、 1/2ァニユラ一を使用し露光した。露光したパターンは 150η m幅のラインアンドスペースであった。露光後、ホットプレートにて 130°C、 90秒間べ ークを行い、 AZエレクトロニックマテリアルズ社製現像液 AZ 300MIFデベロッパー（ 2. 38重量％水酸化テトラメチルアンモニゥム水溶液）を用いパドル現像（23°C、 1分 間）した。次いで、純水でリンス処理を行い、スピン乾燥し、レジストパターンを得た。
[0039] rnmrn
比較例と同様に現像を行った後、
(a)純水でリンスせずにそのままレジスト基板処理液で 60秒間処理、
(b)純水でリンスせずにそのままレジスト基板処理液で 60秒間処理し、純水で 15秒 間リンス、
(c)純水でリンスし、レジスト基板処理液で 60秒間処理し、さらに純水で 15秒間リンス の各処理を行った。レジスト基板処理液は、表 1に記載されたァミノ基含有水溶性ポリ マーを表 1に記載された濃度で含むものを用いた。
[0040] 比較例および各実施例で得られたパターン幅とをそれぞれ日立製作所社製高精 度外観寸法評価装置（S— 9200)にて測定し、各実施例におけるパターン幅の比較 例のパターン幅に対する変化量（単位： A)を得た。得られた結果は表 1に示すとおり であった。
[0041] [表 1]
Figure imgf000014_0001

Claims

請求の範囲
[1] 微細なレジストパターンを形成させるパターン形成方法であって、現像処理後のレ ジストパターンを、アミノ基含有水溶性ポリマーを含んでなるレジスト基板処理液によ り処理することにより、前記現像処理により形成されたレジストパターンの実効サイズ を縮小する工程を含んでなることを特徴とする、パターン形成方法。
[2] 前記アミノ基含有水溶性ポリマーに含有されるァミノ基が、 3級ァミノ基である、請求 項 1に記載のパターン形成方法。
[3] 前記レジストパターンを前記レジスト基板処理液により処理する時間カ、 10-300 秒である、請求項 1または 2に記載のパターン形成方法。
[4] 前記レジスト基板処理液による処理の直前または直後の少なくとも一方で、純水に より洗浄を行うことをさらに含んでなる、請求項 1〜3のいずれ力、 1項に記載のパター ン形成方法。
[5] 前記レジストパターンのライン 'アンド'スペース'パターンにおける線幅、またはコン タクトホール'パターンにおける孔径が 300nm以下である、請求項;!〜 4のいずれか
1項に記載のパターン形成方法。
[6] 像様露光されたレジスト基板を現像液により現像し、さらにアミノ基含有水溶性ポリ マーを含んでなるレジスト基板処理液により処理することにより形成されたことを特徴 とする、微細化されたレジストパターン。
[7] アミノ基含有水溶性ポリマーと溶媒とを含んでなり、現像処理により形成されたレジ ストパターンを処理してレジストパターンの実効サイズを縮小させることを特徴とする、 レジストパターン実効サイズ縮小用のレジスト基板処理液。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032710A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
US9557652B2 (en) 2012-12-14 2017-01-31 Basf Se Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5270839B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
JP5270840B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
JP5154395B2 (ja) * 2008-02-28 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及びレジスト塗布・現像処理システム
JP5705669B2 (ja) 2011-07-14 2015-04-22 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細化されたパターン形成方法
JP5758263B2 (ja) 2011-10-11 2015-08-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP6157151B2 (ja) * 2013-03-05 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP6459759B2 (ja) * 2014-05-26 2019-01-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
KR101658066B1 (ko) * 2014-07-24 2016-09-20 금호석유화학 주식회사 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US9696625B2 (en) * 2014-10-17 2017-07-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of forming resist pattern
JP6455370B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6455369B2 (ja) * 2014-10-30 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びシュリンク剤
JP6503206B2 (ja) 2015-03-19 2019-04-17 東京応化工業株式会社 レジストパターン修復方法
WO2016158507A1 (ja) 2015-03-31 2016-10-06 日産化学工業株式会社 レジストパターン被覆用塗布液及びパターンの形成方法
JP6520753B2 (ja) * 2016-02-19 2019-05-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
KR101806748B1 (ko) 2016-12-02 2017-12-07 에스케이하이닉스 주식회사 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001019860A (ja) 1999-06-29 2001-01-23 Clariant Internatl Ltd 水溶性樹脂組成物
JP2005148597A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2005300853A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Az Electronic Materials Kk 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP2006058600A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700623A (en) * 1970-04-22 1972-10-24 Hercules Inc Reaction products of epihalohydrin and polymers of diallylamine and their use in paper
US3833531A (en) * 1970-04-22 1974-09-03 Hercules Inc Reaction products of epihalohydrin and polymers of diallylamine and salts thereof and their use in paper
US4053512A (en) * 1976-08-02 1977-10-11 American Cyanamid Company Process for preparing poly(allyltrialkylammonium) salt flocculants
US4350759A (en) * 1981-03-30 1982-09-21 Polaroid Corporation Allyl amine polymeric binders for photographic emulsions
US4407790A (en) 1981-09-25 1983-10-04 Economics Laboratory, Inc. Method of controlling bloat using nonionic surfactants
JPS60110987A (ja) * 1983-11-15 1985-06-17 日東紡績株式会社 染色堅牢度向上法
US4537831A (en) * 1984-02-22 1985-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Crosslinking of chlorine-containing polymers
JPS62215942A (ja) 1986-03-18 1987-09-22 Oriental Shashin Kogyo Kk Ｘ線撮影用熱現像性感光材料
JPH0615593B2 (ja) * 1987-01-07 1994-03-02 工業技術院長 含フツ素高分子化合物
JP2533793B2 (ja) 1988-06-17 1996-09-11 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版の製造方法
JP2673586B2 (ja) 1989-08-02 1997-11-05 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用湿し水組成物，それに使用する濃縮液及びそれを使用する平版印刷方法
US5326672A (en) 1992-04-23 1994-07-05 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
JPH06222570A (ja) 1992-11-30 1994-08-12 Soltec:Kk レジストパターン形成方法
JPH07140674A (ja) 1993-06-17 1995-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
JPH07142349A (ja) 1993-11-16 1995-06-02 Mitsubishi Electric Corp 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
JPH07335519A (ja) 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd パタン形成方法
JPH088163A (ja) 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp パターン形成方法
JP3071401B2 (ja) 1996-07-05 2000-07-31 三菱電機株式会社 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
US6203785B1 (en) * 1996-12-30 2001-03-20 Geltex Pharmaceuticals, Inc. Poly(diallylamine)-based bile acid sequestrants
TW372337B (en) * 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
US5977041A (en) 1997-09-23 1999-11-02 Olin Microelectronic Chemicals Aqueous rinsing composition
JP3659404B2 (ja) * 1997-10-29 2005-06-15 日東紡績株式会社 Ｎ，ｎ−ジアルキルアリルアミン系重合体の製造方法およびｎ，ｎ−ジアルキルアリルアミン系重合体
JPH11184099A (ja) 1997-12-18 1999-07-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 平版印刷版の処理方法
DE19802069A1 (de) * 1998-01-21 1999-07-22 Huels Silicone Gmbh Aminofunktionelle Polyorganosiloxane, deren Herstellung und Verwendung
US6017872A (en) 1998-06-08 2000-01-25 Ecolab Inc. Compositions and process for cleaning and finishing hard surfaces
US6368421B1 (en) 1998-07-10 2002-04-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
JP4385429B2 (ja) * 1999-04-01 2009-12-16 日東紡績株式会社 アンカーコート剤及びそれを用いてラミネートフィルムを製造する方法
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
JP2000338685A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液組成物およびこれを用いた処理方法
JP2001066782A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
JP4403627B2 (ja) 2000-03-29 2010-01-27 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法
JP2001312060A (ja) 2000-05-01 2001-11-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
JP4273283B2 (ja) * 2000-07-07 2009-06-03 信越化学工業株式会社 微細パターン形成材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形成方法および半導体装置の製造方法
US6701940B2 (en) 2001-10-11 2004-03-09 S. C. Johnson & Son, Inc. Hard surface cleaners containing ethylene oxide/propylene oxide block copolymer surfactants
US7189783B2 (en) * 2001-11-27 2007-03-13 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
KR100421052B1 (ko) * 2002-01-24 2004-03-04 삼성전자주식회사 탈이온수 제조 장치 및 그 사용 방법
JP4045180B2 (ja) 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4235466B2 (ja) * 2003-02-24 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
DE602004029647D1 (de) * 2003-04-01 2010-12-02 Nitto Boseki Co Ltd Modifiziertes polyallylamin und herstellungsverfahren dafür
CN1947067B (zh) * 2004-04-23 2012-05-30 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
JP2006030483A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Tokyo Electron Ltd リンス処理方法および現像処理方法
EP1930775A1 (en) 2004-09-01 2008-06-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Rinsing liquid for lithography and method for resist pattern formation
US7595141B2 (en) * 2004-10-26 2009-09-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
JP4676325B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-27 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US20060188805A1 (en) 2005-02-18 2006-08-24 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same
US7528200B2 (en) * 2006-02-01 2009-05-05 Ardes Enterprises, Inc. Epoxy hardener systems based on aminobis(methylene-ethyleneurea)
JP2008102343A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Az Electronic Materials Kk 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法
JP4942116B2 (ja) * 2008-03-17 2012-05-30 Ｎｅｃトーキン株式会社 電気二重層コンデンサ
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
US20100028803A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Fujifilm Corporation Surface treating agent for resist pattern formation, resist composition, method of treating surface of resist pattern therewith and method of forming resist pattern
JP5306755B2 (ja) 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001019860A (ja) 1999-06-29 2001-01-23 Clariant Internatl Ltd 水溶性樹脂組成物
JP2005148597A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
JP2005300853A (ja) 2004-04-09 2005-10-27 Az Electronic Materials Kk 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
JP2006058600A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2088470A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032710A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
JP2010072072A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Az Electronic Materials Kk 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
US9557652B2 (en) 2012-12-14 2017-01-31 Basf Se Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below

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