JP2006011054A - リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006011054A JP2006011054A JP2004188253A JP2004188253A JP2006011054A JP 2006011054 A JP2006011054 A JP 2006011054A JP 2004188253 A JP2004188253 A JP 2004188253A JP 2004188253 A JP2004188253 A JP 2004188253A JP 2006011054 A JP2006011054 A JP 2006011054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- rinsing
- pattern
- copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するリンス液、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。
【効果】 本発明によれば、各種放射線(紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー等の各種レーザー光)に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体LSI等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。
【選択図】 なし
【効果】 本発明によれば、各種放射線(紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー等の各種レーザー光)に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体LSI等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。
【選択図】 なし
Description
本発明は、各種放射線(紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー等の各種レーザー光)に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程において発生するレジスト不溶性成分を効果的に除去することができるリンス液、及びこれを使用してレジストパターンを形成する方法に関する。
近年、半導体集積回路は集積化が進んで大規模集積回路(LSI)や超大規模集積回路(VLSI)が実用化されており、また、これと共に、集積回路の最少パターンはサブミクロン領域に及び、今後更に微細化する傾向にある。微細パターンの形成には、薄膜を形成した被処理基板上をレジストで被覆し、選択露光を行って所望パターンの潜像を形成した後に、現像してレジストパターンを作り、これをマスクとしてドライエッチングを行い、その後にレジストを除去することにより所望のパターンを得るリソグラフィー技術の使用が必須である。
このリソグラフィー技術において使用される露光光源として、パターンの微細化に伴い、より波長の短い遠紫外線光、真空紫外線光、電子線(EB)、X線などが光源として使用されるようになってきている。特に最近では、エキシマレーザー(波長248nmのKrFレーザー、波長193nmのArFレーザー)又は波長157nmのF2レーザーが露光光源として注目されており、微細パターンの形成に有効であると期待されている。
このような点から近年開発された酸を触媒とした化学増幅型レジスト材料(特公平2−27660号公報(特許文献1)、特開昭63−27829号公報(特許文献2)、米国特許第4,491,628号明細書(特許文献3)、同第5,310,619号明細書(特許文献4)参照)は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。
より短波長である真空紫外領域の露光光を用いてサブミクロンパターンを形成するレジスト材料に用いられる重合体又は共重合体としては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体(特開平4−39665号公報(特許文献5)参照)、エステル部にノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体(特開平5−257281号公報(特許文献6)参照)等数多くの重合体及び共重合体が提案されている。
しかしながら、パターンが微細化するにつれ、アルカリ水溶液現像−純水リンス後のレジスト不溶性成分起因の残渣によって生ずる、所謂欠陥による歩留まり低下が問題視され、この問題を解決する手法として、不溶性成分の発生が少ないレジスト材の開発はもちろんのこと、発生してしまったレジスト不溶性成分をリソグラフィー工程で効率よく除去するための有効な手法が求められている。
特公平2−27660号公報
特開昭63−27829号公報
米国特許第4,491,628号明細書
米国特許第5,310,619号明細書
特開平4−39665号公報
特開平5−257281号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、各種放射線に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程において発生するレジスト不溶性成分を効果的に除去することができるリンス液、及びこれを使用してレジストパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アルカリ水溶液現像によって溶解されたレジスト材料(ポジ型の場合は露光部分のレジスト膜、ネガ型の場合は未露光部分のレジスト膜)が、純水リンス時に不溶化し、凝集して、形成されたレジストパターン(ポジ型の場合は未露光部分のレジスト膜、ネガ型の場合は露光部分のレジスト膜)への上面、側壁に、更には基板部分に付着して異物となり、この異物が所謂欠陥となって歩留まりの低下を引き起こしていることを見出した。
そして、更に検討を重ねた結果、水溶性ポリマーを含有するリンス液、特に、この水溶性ポリマーとしてN−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類を含むリンス液を、従来、リンスに用いられていた純水に代えて用いることによって、レジスト材料の不溶化、凝集を抑えると共に、レジスト不溶性成分が生成してしまった場合でも、その付着を抑制すること、更には、付着してしまったレジスト不溶性成分をも効果的に剥離することができ、欠陥による歩留まり低下を可及的に防止できることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記のリンス液及びレジストパターン形成方法を提供する。
請求項1:
レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
請求項2:
上記水溶性ポリマーが、N−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類であることを特徴とする請求項1記載のリンス液。
請求項3:
更に、界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1又は2記載のリンス液。
請求項4:
上記界面活性剤がフルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項3記載のリンス液。
請求項5:
(a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(f)現像された上記レジスト膜を、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
請求項6:
(a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(g)現像された上記レジスト膜を純水リンス後、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
請求項1:
レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
請求項2:
上記水溶性ポリマーが、N−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類であることを特徴とする請求項1記載のリンス液。
請求項3:
更に、界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1又は2記載のリンス液。
請求項4:
上記界面活性剤がフルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項3記載のリンス液。
請求項5:
(a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(f)現像された上記レジスト膜を、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
請求項6:
(a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(g)現像された上記レジスト膜を純水リンス後、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
本発明によれば、各種放射線(紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー等の各種レーザー光)に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体LSI等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のリンス液は、レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するものである。この水溶性ポリマーとしては、N−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類などが好適である。特に、N−ビニルピロリドン単独重合体又はN−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体が好ましい。
本発明のリンス液は、レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するものである。この水溶性ポリマーとしては、N−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類などが好適である。特に、N−ビニルピロリドン単独重合体又はN−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体が好ましい。
上記N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体として具体的には、N−ビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体、N−ビニルピロリドン/ビニルアルコール共重合体、N−ビニルピロリドン/アクリル酸共重合体、N−ビニルピロリドン/アクリル酸メチル共重合体、N−ビニルピロリドン/メタクリル酸共重合体、N−ビニルピロリドン/メタクリル酸メチル共重合体、N−ビニルピロリドン/マレイン酸共重合体、N−ビニルピロリドン/マレイン酸ジメチル共重合体、N−ビニルピロリドン/無水マレイン酸共重合体、N−ビニルピロリドン/イタコン酸共重合体、N−ビニルピロリドン/イタコン酸メチル共重合体、N−ビニルピロリドン/無水イタコン酸共重合体などが挙げられるが、特に、N−ビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体が好ましい。
また、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体としては、ビニルアルコール/アクリル酸共重合体、ビニルアルコール/アクリル酸メチル共重合体、ビニルアルコール/メタクリル酸共重合体、ビニルアルコール/メタクリル酸メチル共重合体、ビニルアルコール/マレイン酸共重合体、ビニルアルコール/マレイン酸ジメチル共重合体、ビニルアルコール/無水マレイン酸共重合体、ビニルアルコール/イタコン酸共重合体、ビニルアルコール/イタコン酸メチル共重合体、ビニルアルコール/無水イタコン酸共重合体、ビニルアルコール/酢酸ビニル共重合体(即ち、酢酸ビニルの部分けん化物)など、多糖類としては、メチルセルロース、メチルセルロースヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のセルロースエーテル類、プルランなどが好ましく例示される。水溶性ポリマーは1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のリンス液には、更に、界面活性剤を加えてもよい。この界面活性剤として好ましくは、フルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体が挙げられ、これらは、フルオロアルカンスルホン酸、アルカンスルホン酸そのものでも、これらが窒素化合物と塩を形成したものでもよい。
特に、本発明のリンス液材料は前記水溶性ポリマーとの相溶性に優れる炭素数4以上10以下のフルオロアルカンスルホン酸を含むものが好ましい。フルオロアルカンスルホン酸としては、フルオロアルキル基が直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、フルオロアルキル基を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されていればよいが、好ましくは全ての水素原子がフッ素原子で置換されているか又は1つだけ水素原子が残っているものが好ましい。フルオロアルカンスルホン酸は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。このようなフルオロアルカンスルホン酸として具体的には、例えば、パーフルオロオクタンスルホン酸[(株)ジェムコ社製]が好ましく使用できる。
本発明のリンス液においては、水溶性ポリマーを固形分として(界面活性剤を添加する場合は水溶性ポリマー及び界面活性剤を固形分として)、リンス液中固形分濃度が0.5〜30質量%、特に1〜15質量%であることが望ましい。これは、0.5質量%に満たないとレジスト残渣を十分に除去できなくなる場合があり、30質量%を超えると粘度が高くなって本発明のリンス液の吐出工程の際の負荷が大きくなる場合があるからである。
また、界面活性剤は、この場合、水溶性ポリマー及び界面活性剤からなる固形分中の水溶性ポリマーと界面活性剤とが、水溶性ポリマーを20質量%以上、特に30〜60質量%、界面活性剤を80質量%以下、特に40〜70質量%となるように配合すること、即ち、水溶性ポリマーと界面活性剤との質量比が20:80、好ましくは30:70から、100:0、好ましくは60:40の範囲内となるように配合することが好ましい。水溶性ポリマーの配合量が20質量%に満たないと相溶性が悪くなる場合がある。
本発明のリンス液において、上述した界面活性剤を添加した場合には、更に、pH調整剤として塩基性化合物を添加することも可能である。この塩基性化合物としてはアミン誘導体が好ましく、特に炭素数10以下のアルカノールアミンが好ましい。中でも、界面活性剤として炭素数4以上10以下のフルオロアルカンスルホン酸を含むもの、及び界面活性剤として炭素数10以下のアルカノールアミンを組み合わせて用いることが特に好適である。
アルカノールアミンとしては、例えばエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、3−クイヌクリジオール、トロピン、1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−メチル−3−ピロリジノール、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリジノ−1,2−プロパンジオール、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−2,2’,2”−ニトリロトリエタノールなどが挙げられる。特にエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリジノ−1,2−プロパンジオール、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−2,2’,2”−ニトリロトリエタノールが好ましく使用できる。アルカノールアミンは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、塩基性化合物を用いる場合、その配合量は上記界面活性剤に対して150mol%以下、特に20〜120mol%添加することが好ましい。これは添加量が150mol%を超えるとレジスト残渣を除去できなくなる場合があるからである。更に、塩基性化合物として炭素数10以下のアルカノールアミンを用いる場合、その配合量は界面活性剤に対して10〜50mol%が特に好適である。
本発明のリンス液には、更に、リンス液の表面張力を下げると共に、消泡性にも優れるアミド誘導体を添加することも好適である。このアミド誘導体としては、炭素数8以下のアミド誘導体が好ましい。これによりリンス液を、回転しているウエハー上に吐出するのに好適なものとすることができる。
アミド誘導体としては、ホルムアミド、アセトアミド、プロピオンアミド、イソブチルアミド、ヘキサンアミド、スクシンアミド、スクシンイミド、2−ピロリジノン、δ−バレロラクタム、N−メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N−メチルサクシンイミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、1−メチル−2−ピペリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチル−2,4,6−(1H,3H,5H)−ピリミジントリオン等が挙げられる。特に、2−ピロリジノン、N−メチルサクシンイミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、1−メチル−2−ピペリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが好ましく使用できる。アミド誘導体は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アミド誘導体の配合量は上記水溶性ポリマーに対して好ましくは10質量%以下、特に0.5〜5質量%とすることが好ましい。これは、アミド誘導体の配合量が10質量%を超えるとレジストパターンの形状を変化させてしまうおそれがあるためである。
なお、本発明のリンス液は、レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるものであるが、特に、酸を触媒としたポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体、エステル部にノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体、シクロヘキシルマレイミドの重合体又は共重合体、セルロース骨格を主鎖に含み該主鎖が酸により開裂を起こす高分子化合物、ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコールの誘導体などのレジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液、特に、アルカリ水溶液によるレジスト現像後にレジストをリンスしてレジストパターンを形成する工程におけるリンス液として好適である。
また、高エネルギー線の中でも248〜193nmの遠紫外線若しくはエキシマレーザー又はX線或いは電子線による微細パターンニングに用いられるレジストにおいては、得られるレジストパターンがより低欠陥であることが求められることから、本発明は、この要求に応え得る特に優れたものである。
本発明のリンス液は、下記の工程によりレジストパターンを形成する方法において、そのリンス工程において好適に用いることができる。
即ち、(a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(f)現像された上記レジスト膜を、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法、又は
上記(a)〜(e)工程と、
(g)現像された上記レジスト膜を純水リンス後、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法における上記(f)工程又は(g)工程で用いるリンス液として好適に用いることができる。
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(f)現像された上記レジスト膜を、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法、又は
上記(a)〜(e)工程と、
(g)現像された上記レジスト膜を純水リンス後、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法における上記(f)工程又は(g)工程で用いるリンス液として好適に用いることができる。
この場合、(a)〜(e)工程は、公知のリソグラフィー技術を適用することができ、例えば、シリコンウエハー等の基板上に、レジストをスピンコーティング等の手法で膜厚が0.2〜2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜130℃、1〜5分間プリベーク(PB)する。
次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記レジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を、露光量1〜200mJ/cm2程度、好ましくは5〜100mJ/cm2程度となるように照射した後、ホットプレート上で60〜150℃、1〜5分間、好ましくは80〜130℃、1〜3分間ポストエクスポージャベーク(PEB)する。
更に、0.1〜5%、好ましくは2〜3%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)法等の常法により現像することにより、基板上に目的のパターンが形成される状態ができる。
一方(f)工程は、例えば以下の方法により可能である。即ち、現像後、現像液を振り切り、ウエハーを好ましくは回転数100rpm以上で回転させながら、本発明のリンス液を被リンス面に好ましくは5〜60秒、より好ましくは10〜30秒間かけ流してリンスする方法である。リンス時間が5秒未満ではレジスト残渣を十分に除去できない場合があり、60秒を超える場合はコストが高くなる場合がある。また、回転数が100rpm未満ではレジスト残渣を十分に除去できない場合がある。なお、回転数の上限は、装置上の制約から一般に3000rpm程度である。また、回転数は一定回転数としなくてもよく、リンス中に増減させることもできる。なお、純水によるリンスは、公知のリソグラフィー技術を適用できる。
また、現像後のリンスは、上記(f)工程の現像液振り切り後、リンス液によるリンスを施す前に、純水リンスを実施してから、リンス液によるリンスを施す上記(g)工程によっても可能である。(g)工程のリンス液よるリンスは、上記(f)工程の場合と同様である。また、純水によるリンスは、公知のリソグラフィー技術を適用できる。
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
[実施例1〜11]
表1に示される各成分を表1に示される量、半導体製造グレードの超純水に溶解してリンス液A〜Kを得た。
表1に示される各成分を表1に示される量、半導体製造グレードの超純水に溶解してリンス液A〜Kを得た。
次に、表2に示されるレジストをSiONで被膜されたシリコンウエハー上へスピンコーティングし、0.4μmの厚さに塗布し、次いで、このシリコンウエハーを、ホットプレートを用いて最適なパターンを得るための温度(表2に示される温度)で60秒間プリベーク(PB)した。これをレジストに合わせて表2に示される光源(KrF用レジストにはKrFエキシマレーザースキャナー(ニコン社製、NA=0.68)、ArF用レジストにはArFエキシマレーザースキャナー(ニコン社製、NA=0.68))を用いて露光し、最適なパターンを得るための温度(表2に示される温度)で60秒間ポストエクスポージャーベーク(PEB)を施し、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行った。
なお、レジストパターンとしては、表2に示されるように、KrF用レジストでは150nmラインアンドスペースパターンを、ArF用レジストでは100nmラインアンドスペースパターン(1:1)又は150nmコンタクトホールパターン(1:9)を形成した。
現像後、リンス液A〜Kを用いて下記の2種類の方法を用いて現像されたレジスト膜をリンスした。
リンス方法(1):現像されたレジスト膜を、表1に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
リンス方法(2):現像されたレジスト膜を純水リンス後、表1に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
リンス方法(1):現像されたレジスト膜を、表1に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
リンス方法(2):現像されたレジスト膜を純水リンス後、表1に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
また、比較用として、現像されたレジスト膜を下記方法でリンスした。
リンス方法(3):現像されたレジスト膜を、純水リンスする
リンス方法(3):現像されたレジスト膜を、純水リンスする
上記3種類の方法でリンスして得られたレジストパターンについて、ウエハー外観検査装置:WIN−WIN50/1200L((株)アクレーテク・マイクロテクノロジ社製)を用いて上記ラインアンドスペースパターン(L/S)又はコンタクトホールパターン(C/H)を観察し、その欠陥数を測定した。
ポリマーa:ポリ(N−ビニルピロリドン)[Luviskol K−90(BASFジャパン(株)製)]
ポリマーb:(N−ビニルピロリドン60/酢酸ビニル40)共重合体[Luviskol VA−64(BASFジャパン(株)製)]
ポリマーc:(ビニルアルコール60/酢酸ビニル40)共重合体[ポバール SMR−8M(信越化学工業(株)製)]
ポリマーd:ポリアクリル酸[ジュリマー AC−10P(日本純薬(株)製)]
ポリマーe:プルラン[プルラン PI−20((株)林原製)]
界面活性剤X:パーフルオロオクタンスルホン酸
界面活性剤Y:パーフルオロオクタンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩
ポリマーb:(N−ビニルピロリドン60/酢酸ビニル40)共重合体[Luviskol VA−64(BASFジャパン(株)製)]
ポリマーc:(ビニルアルコール60/酢酸ビニル40)共重合体[ポバール SMR−8M(信越化学工業(株)製)]
ポリマーd:ポリアクリル酸[ジュリマー AC−10P(日本純薬(株)製)]
ポリマーe:プルラン[プルラン PI−20((株)林原製)]
界面活性剤X:パーフルオロオクタンスルホン酸
界面活性剤Y:パーフルオロオクタンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩
SAIL−G28:信越化学工業(株)製 ArF用化学増幅型ポジ型レジスト
SAIL−X108:信越化学工業(株)製 ArF用化学増幅型ポジ型レジスト
SEPR−402:信越化学工業(株)製 KrF用化学増幅型ポジ型レジスト
SAIL−X108:信越化学工業(株)製 ArF用化学増幅型ポジ型レジスト
SEPR−402:信越化学工業(株)製 KrF用化学増幅型ポジ型レジスト
Claims (6)
- レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
- 上記水溶性ポリマーが、N−ビニルピロリドン単独重合体、N−ビニルピロリドンとN−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ(メタ)アクリル酸又は多糖類であることを特徴とする請求項1記載のリンス液。
- 更に、界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1又は2記載のリンス液。
- 上記界面活性剤がフルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項3記載のリンス液。
- (a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(f)現像された上記レジスト膜を、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - (a)基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記レジスト膜をプリベークする工程と、
(c)プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
(d)パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
(e)ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
(g)現像された上記レジスト膜を純水リンス後、請求項1乃至4のいずれか1項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004188253A JP2006011054A (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
US11/159,095 US20050284502A1 (en) | 2004-06-25 | 2005-06-23 | Rinse and resist patterning process using the same |
KR1020050054778A KR20060049679A (ko) | 2004-06-25 | 2005-06-24 | 린스액 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
TW094121260A TWI304924B (en) | 2004-06-25 | 2005-06-24 | Rinse and resist patterning process using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004188253A JP2006011054A (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006011054A true JP2006011054A (ja) | 2006-01-12 |
Family
ID=35504285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004188253A Pending JP2006011054A (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050284502A1 (ja) |
JP (1) | JP2006011054A (ja) |
KR (1) | KR20060049679A (ja) |
TW (1) | TWI304924B (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006163212A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用リンス液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JPWO2005103830A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2008-03-13 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
WO2008047720A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | Solution de traitement de substrat de reserve apres traitement de developpement et procede de traitement de substrat de reserve au moyen de ladite solution |
WO2008047719A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | Procede de formation de motif miniaturise et solution de traitement de substrat de reserve mise en œuvre dans ce procede |
WO2010032710A1 (ja) * | 2008-09-16 | 2010-03-25 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 |
JP2010078981A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Nissan Chem Ind Ltd | リソグラフィープロセスに適用されるリンス液及び当該リンス液を用いたレジストパターンの形成方法 |
JP2010256849A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
JP2011033841A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
WO2012020747A1 (ja) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2012128322A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2016110088A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
KR20190034148A (ko) | 2016-07-28 | 2019-04-01 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 레지스트 박리액 조성물 |
JP2020122983A (ja) * | 2016-03-31 | 2020-08-13 | 富士フイルム株式会社 | 半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4045180B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-02-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
CN1947065B (zh) * | 2004-04-23 | 2011-03-30 | 东京应化工业株式会社 | 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液 |
JP2007019161A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン形成方法及び被膜形成装置 |
JP4514224B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2010-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置 |
KR101001875B1 (ko) * | 2006-09-30 | 2010-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 등방성 에칭을 이용한 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 미세패턴이 형성된 반도체 기판 면상 부재 |
US8795952B2 (en) | 2010-02-21 | 2014-08-05 | Tokyo Electron Limited | Line pattern collapse mitigation through gap-fill material application |
JP6157151B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-07-05 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2021034567A1 (en) | 2019-08-16 | 2021-02-25 | Tokyo Electron Limited | Method and process for stochastic driven defectivity healing |
JP2021081545A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
US5310619A (en) * | 1986-06-13 | 1994-05-10 | Microsi, Inc. | Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable |
US5667948A (en) * | 1996-04-16 | 1997-09-16 | Eastman Kodak Company | Processing silver halide films with an aqueous phospholipid rinse solution |
US6815151B2 (en) * | 1997-09-05 | 2004-11-09 | Tokyo Ohika Kogyo Co., Ltd. | Rinsing solution for lithography and method for processing substrate with the use of the same |
US5952158A (en) * | 1998-02-04 | 1999-09-14 | Eastman Kodak Company | Photographic final rinse processing solution and method of use |
US6417147B2 (en) * | 2000-02-29 | 2002-07-09 | Showa Denko K.K. | Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof |
US6635118B2 (en) * | 2001-01-17 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Aqueous cleaning of polymer apply equipment |
JP4045180B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-02-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
-
2004
- 2004-06-25 JP JP2004188253A patent/JP2006011054A/ja active Pending
-
2005
- 2005-06-23 US US11/159,095 patent/US20050284502A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-24 KR KR1020050054778A patent/KR20060049679A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-06-24 TW TW094121260A patent/TWI304924B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005103830A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2008-03-13 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
JP4864698B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2012-02-01 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
JP4585299B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2010-11-24 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2006163212A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用リンス液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
TWI417682B (zh) * | 2006-10-19 | 2013-12-01 | Az Electronic Mat Ip Japan Kk | 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液 |
WO2008047720A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | Solution de traitement de substrat de reserve apres traitement de developpement et procede de traitement de substrat de reserve au moyen de ladite solution |
JP2008102343A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Az Electronic Materials Kk | 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 |
US8101333B2 (en) | 2006-10-19 | 2012-01-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Method for formation of miniaturized pattern and resist substrate treatment solution for use in the method |
WO2008047719A1 (fr) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | Procede de formation de motif miniaturise et solution de traitement de substrat de reserve mise en œuvre dans ce procede |
JP2008102348A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Az Electronic Materials Kk | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 |
WO2010032710A1 (ja) * | 2008-09-16 | 2010-03-25 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 |
JP2010072072A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Az Electronic Materials Kk | 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 |
JP2010078981A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Nissan Chem Ind Ltd | リソグラフィープロセスに適用されるリンス液及び当該リンス液を用いたレジストパターンの形成方法 |
JP2010256849A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
KR101843176B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2018-03-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 리소그래피용 세정액 및 이것을 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법 |
JP2011033841A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2012042531A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Az Electronic Materials Kk | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2012020747A1 (ja) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2012198456A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Az Electronic Materials Ip Ltd | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2012128322A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
US9298095B2 (en) | 2011-03-23 | 2016-03-29 | Merck Patent Gmbh | Rinse solution for lithography and pattern formation method employing the same |
JP2016110088A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
JP2020122983A (ja) * | 2016-03-31 | 2020-08-13 | 富士フイルム株式会社 | 半導体製造用処理液、及び、パターン形成方法 |
US11256173B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-02-22 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid for manufacturing semiconductor and pattern forming method |
KR20190034148A (ko) | 2016-07-28 | 2019-04-01 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 레지스트 박리액 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060049679A (ko) | 2006-05-19 |
US20050284502A1 (en) | 2005-12-29 |
TWI304924B (en) | 2009-01-01 |
TW200604761A (en) | 2006-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI304924B (en) | Rinse and resist patterning process using the same | |
KR100932087B1 (ko) | 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 레지스트 패턴의형성방법 | |
US7467632B2 (en) | Method for forming a photoresist pattern | |
JP5758263B2 (ja) | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4564489B2 (ja) | レジストパターン形成方法及びリンス液セット | |
KR101720967B1 (ko) | 기판 처리액 및 이것을 사용한 레지스트 기판 처리 방법 | |
JP2004212967A (ja) | フォトレジスト用オーバーコーティング組成物及びこれを利用したフォトレジストパターン形成方法 | |
WO2005008340A1 (ja) | 微細パターン形成材料およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
JP2001019860A (ja) | 水溶性樹脂組成物 | |
WO2004074941A1 (ja) | 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法 | |
JP2008102348A (ja) | 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液 | |
JPWO2006025292A1 (ja) | リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法 | |
JP3320402B2 (ja) | 現像欠陥防止プロセス及び材料 | |
JP3675789B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP3707780B2 (ja) | パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 | |
JP4531726B2 (ja) | 微細化されたレジストパターンの形成方法 | |
CN1474962A (zh) | 形成图形的方法和在其中使用的处理剂 | |
US6599683B1 (en) | Photoresist developer with reduced resist toppling and method of using same | |
JP5323698B2 (ja) | 微細パターン形成用組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
JPWO2009066768A1 (ja) | 表面反射防止膜用組成物およびパターン形成方法 | |
JP2008102343A (ja) | 現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 | |
JP3779882B2 (ja) | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 | |
JP4104117B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP3967466B2 (ja) | 反射防止膜材料 | |
US7214474B2 (en) | Wash composition with polymeric surfactant |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080528 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081001 |