TWI757604B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明關於一種基板處理裝置及基板處理方法。根據一個實施形態，基板處理裝置具備：台，其載置基板，將基板連接於陽極；對向電極，其以與台對向之方式配置，具有複數個孔，且與陰極連接；及保持部，其以介隔對向電極而與台對向之方式配置，且一面保持對向電極一面向對向電極供給藥液。
Description
此處說明之複數種形式之實施形態總體而言關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
作為基板處理方法之一，已知有於被施加電場之狀態下，實施將形成於基板上之金屬膜蝕刻或氧化之類加工之步驟。
本發明之實施形態提供一種更適合金屬膜加工之基板處理裝置、及基板處理方法。
實施形態之基板處理裝置具備：台，其載置基板，將基板連接於陽極；對向電極，其以與台對向之方式配置，具有複數個孔，且與陰極連接；及保持部，其以介隔對向電極而與台對向之方式配置，且一面保持對向電極一面向對向電極供給藥液。
根據上述構成，可提供一種更適合金屬膜加工之基板處理裝置、及基板處理方法。
以下，對複數個實施形態，一面參照圖式一面進行說明。於圖式中，同一符號表示同一或類似部分。
又，以下參照圖式說明本發明之實施形態。本實施形態不限定本發明。
如圖1所示，於旋轉台10上，載置有晶圓狀之基板100。旋轉台10能夠以旋轉軸10a為中心於旋轉方向R上旋轉。於旋轉台10上，設置有與下述導線13電性連接之導電性之複數個接腳11。
複數個接腳11係如圖2(b)所示，於旋轉方向R上分散地配置，且與基板100之外周部接觸。利用複數個接腳11將基板100固定於旋轉台10。各接腳11被邊緣夾持器12覆蓋，以避免與藥液200接觸。邊緣夾持器12之材料較理想為對於藥液200具有耐蝕性及絕緣性之材料、例如鐵氟龍。再者，基板100之固定方法不限於如本實施形態般以複數個接腳11固定基板100之外周部之方法。固定構件亦可配置於不與對向電極30接觸之位置、例如基板100之背面。接腳11係例如前端部連接於基板100或形成於基板100表面之膜(例如，半導體或金屬)。
於旋轉台10，設置有導線13及導線14。導線13及導線14將複數個接腳11電性連接於直流電源50之陽極51。因此，基板100之電位與陽極51之電位相同。如圖1及圖2(b)所示，於本實施形態中，複數個導線13之一端與各接腳11連接。各導線13之另一端於旋轉軸10a被收束為導線14。導線14經由導線15連接於直流電源50之陽極51。以此方式，將基板100經由接腳11及導線13～導線15連接於直流電源50。再者，於導線14與導線15之間，設置有未圖示之連結部。可藉由該連結部，將導線14可旋轉地連結於靜止狀態之導線15。連結部亦可設置於導線13與導線14之間。
頭部20具有複數個通液孔，且具有作為噴頭形狀之液體供給部之功能。頭部20於與旋轉台10對向之位置，與旋轉台10同步旋轉。於頭部20之上部，設置有開口部21。於頭部20內部，設置有與對向電極30電性連接之導線22。於本實施形態中，開口部21之中心與旋轉台10之旋轉軸10a一致。開口部21中，流入用以加工基板100之藥液200。又，導線22經由導線16而與直流電源50之陰極52連接。以此方式，將對向電極30經由導線22及導線16連接於直流電源50。再者，於導線22與導線16之間，設置有未圖示之連結部。可藉由該連結部，將導線22可旋轉地連結於靜止狀態之導線16。連結部亦可設置於導線22與對向電極30之間。
藥液200可使用酸、鹼、氧化劑、鹽、有機溶劑等。具體而言，該藥液200係硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸、氫氟酸、乙酸、甲酸、過氧化氫水、臭氧水、過硫酸銨、氨水、氯化鈉、氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液、四羥基鹵化銨、膽鹼等。
因上述藥液具有較強之浸蝕性，故頭部20之材料較理想為聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluorethylene)或聚氯三氟乙烯(PCTFE，Polychlorotrifluoroethylene)之類絕緣性樹脂。又，較理想為導線22亦由如此之絕緣樹脂覆蓋。
於頭部20之下部，沿著頭部20之外周設置有環狀之導件23。可藉由導件23而於頭部20旋轉時防止藥液200飛散。又，導件23因如圖1所示地載置於邊緣夾持器12上，故可將頭部20定位。對向電極30因由頭部20保持，故基板100與對向電極30之距離藉由將頭部20之位置固定而穩定。基板100與對向電極30之距離為例如1 mm以上，且基板100與對向電極30設置於分別完全不接觸之位置上。
對向電極30位於頭部20之下部，由頭部20保持。即，頭部20亦具備作為對向電極30之保持部之功能。對向電極30之周圍由導件23包圍。對向電極30包含例如導電性碳、鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、及鈀(Pd)之至少任一個，且形成為圓等之板狀。或者，對向電極30亦可包含被貴金屬膜覆蓋之碳材料或具有缺陷之石墨烯奈米片。對向電極30中，如圖2所示具有藥液200通過之孔狀之複數個通液口31。
又，對向電極30係電性連接於導線22。導線22係與直流電源50之陰極52連接。因此，對向電極30之電位與陰極52相同。即，對向電極30與基板100相比為低電位。
固定治具40使頭部20固定於旋轉台10上。本實施形態中，固定治具40於導件23與邊緣夾持器12之接觸部位，將頭部20與旋轉台10固定。再者，固定治具40之固定方法並無特別限定。例如，亦可將固定治具40與導件23及邊緣夾持器12分別嵌合。
直流電源50具有與基板100電性連接之陽極51、及與對向電極30電性連接之陰極52。當直流電源50因電壓施加而通電後，於基板100與對向電極30之間產生電場，腐蝕電流經由藥液200流向基板100。
控制部60控制旋轉台10之旋轉操作、直流電源50之通電操作、及藥液200之供給操作等。再者，控制部60亦可作為基板處理裝置1之外部構成。
其次，參照圖3(a)及圖3(b)，對作為加工對象之基板100之構造一例進行說明。圖3(a)表示基板100加工前之狀態，圖3(b)表示基板100加工後之狀態。
如圖3(a)所示，於加工前之基板100上，設置有金屬膜101。金屬膜101設置於積層體102上。積層體102設置於例如含矽等之半導體基板110上。金屬膜101係為了於積層體102上形成圖案(本實施形態中，將積層體102貫通之狹縫)而形成於積層體102上之遮罩，且包含例如鎢。
於本實施形態中，積層體102之圖案係藉由將形成於例如金屬膜101之圖案作為遮罩進行蝕刻而形成。該金屬膜101係如圖3(b)所示藉由基板處理裝置1之蝕刻處理而去除。
積層體102中，交替地設置有絕緣膜102a與導電膜102b。絕緣膜102a含有例如氧化矽(SiO2
)。導電膜102b係與金屬膜101同樣地含有鎢。導電膜102b可用於例如3維記憶體之字元線。再者，基板100之構造不限於上述構造。
又，基板處理裝置1之用途亦不限於上述金屬膜101之蝕刻。基板處理裝置1亦可用於將形成於基板上之導電膜(未圖示)剝離之步驟、於基板上形成孔之步驟、或對形成於基板之鋁薄膜實施氧化處理形成氧化鋁孔之步驟。該等複數種用途可藉由形成於基板100上之膜之條件、或/及藥液200之條件、或/及電壓之施加條件等來控制。
圖4係表示基板中形成有孔之一例之立體圖。圖4中，對於基板120，採用本實施形態之基板處理裝置1，局部地產生腐蝕電流。藉此，形成孔121。孔121於基板120之表面開口，且朝向基板120之內部延伸。
圖5(a)係表示形成氧化鋁孔之前之狀態之立體圖。圖5(b)係表示形成氧化鋁孔之後之狀態之立體圖。圖5(a)中，於作為矽基板之基板130上形成有鋁薄膜131。對於該鋁薄膜131，採用本實施形態之基板處理裝置1，局部地產生腐蝕電流。藉此，鋁薄膜131被氧化，向氧化鋁膜132生長。同時地，可一面於鋁薄膜131面內產生局部之電場，一面藉由供給至鋁薄膜131之藥液200，使被氧化之鋁薄膜131溶解。藉由重複進行該步驟，而於氧化鋁膜132形成複數個孔133。於該方法中，藥液200既可於包含可將氧化鋁溶解之酸之條件下使用，亦可適當設定以期望之間距形成孔133般之電壓施加條件。
上述孔133、換言之陽極氧化電洞可應用於例如記憶元件。於陽極氧化電洞內藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法成膜磁性薄膜後，獲得圓筒狀之磁體。當使電流從該磁體之上下流動時，可一面使管體內之磁化資訊上下地位移，一面進行寫入、記憶、讀出之類作為記憶元件之運行。
以下，對採用本實施形態之基板處理裝置1之基板處理方法進行說明。此處以圖3(a)所示之金屬膜101之蝕刻步驟為例進行說明。
首先，藉由複數個接腳11將基板100固定於旋轉台10。藉此，基板100經由導線13電性連接於直流電源50之陽極51。
繼而，將頭部20下降至導件23與邊緣夾持器12接觸之位置為止。繼之，藉由固定治具40將頭部20固定於旋轉台10。藉此，可穩定地保持對向電極30與基板100之距離。
繼而，將藥液200從開口部21導入至頭部20內。被導入之藥液200經由頭部20，從對向電極30之通液口31供給至基板100。與供給藥液200同時地，使旋轉台10旋轉。進而，從直流電源50開始進行通電。藉由該通電，於位於基板100與對向電極30之間之藥液200中產生電場。其結果，腐蝕電流於基板100中流動，藉此，促進金屬膜101之蝕刻。
根據以上說明之本實施形態，藉由來自直流電源50之通電，於作為陽極發揮作用之基板100與作為陰極發揮作用之對向電極30之間產生電場。藉此，對從對向電極30供給之藥液200施加電壓，故可提昇蝕刻或氧化之反應速度。
藥液200係從噴頭形狀之頭部20供給至對向電極30，因此，可將期望之藥液量供給至期望之範圍內。又，因於對向電極30設置有通液口31，故可將從開口部21導入之藥液200從對向電極30直接地供給至基板100。因此，可將對向電極30配置於頭部20之下部，藉此，可使對向電極30無限地接近基板100。隨著對向電極30與基板100之距離靠近，可將電壓有效地施加至藥液200。其結果，可降低直流電源50之輸出電壓，提昇反應效率。
進而，於將藥液200從對向電極30向基板100供給時，頭部20與旋轉台10同步旋轉。因此，藥液200之流速增高，故可更進一步提昇蝕刻或氧化之反應速度。
(第2實施形態) 圖6係表示第2實施形態之基板處理裝置之概略性構成之模式圖。對與上述第1實施形態同樣之構成要素標註相同符號，省略詳細之說明。
本實施形態之基板處理裝置2係第1實施形態之基板處理裝置1之對向電極30包含複數個毛狀體32。即，取代平板狀之對向電極30而包含毛狀之對向電極。以下，將該對向電極作為毛狀體32進行說明。如圖6所示，複數個毛狀體32中，個別地連接有導線22。導線22經由導線16電性連接於複數個直流電源50之任一陰極52。另一方面，基板100經由導線13～導線15共通地連接於各直流電源50之陽極51。
圖7係將毛狀體32放大所得之剖視圖。毛狀體32係從頭部20朝向基板100側延伸之複數個毛狀構件33收束而成之集合體。各毛狀構件33中，絕緣體33a構成芯部。該絕緣體33a被貴金屬膜33b覆蓋。絕緣體33a含有例如聚丙烯，貴金屬膜33b含有例如鉑等貴金屬。毛狀體32亦可包含導電性碳材料。
再者，毛狀構件33不限於上述構造。例如，貴金屬膜33b既可將絕緣體33a局部地覆蓋，亦可將絕緣體33a整體覆蓋。又，絕緣體33a亦可被貴金屬之奈米粒子覆蓋。
根據本實施形態，與第1實施形態同樣地，於一面使旋轉台10旋轉，一面從對向電極30之通液口31供給藥液200時，從各直流電源50進行通電。此時，於本實施形態中，不僅對向電極30而且各毛狀體32亦作為陰極發揮作用。藉此，與藥液200接觸部分之表面積變大，因此，藥液200與基板100之反應活化。
又，根據本實施形態，可藉由個別地調整各直流電源50之輸出電壓而控制陰極電位。因此，例如於基板100中產生蝕刻不均之情況下，可藉由個別地調整各直流電源50之輸出電壓，而於基板100內進行均一之加工。
再者，於本實施形態中，陽極側之導線13之條數並無限制。亦可如陰極側之導線22般，將複數個導線13彼此分離地設置於旋轉台10。於此情況下，因可控制陰極電位，故對於基板100可使反應局部地活化。
(第3實施形態) 以下，就第3實施形態進行說明。對於與上述第2實施形態同樣之構成要素標註相同符號，省略詳細之說明。
於本實施形態之基板處理裝置中，如圖8所示地設置有複數個網狀體34作為對向電極。複數個網狀體34之上端部係與毛狀體32同樣地於頭部20之下部連接於導線22。於網狀體34中，例如繩狀之導電性碳35被加工成網(網眼)狀。
根據本實施形態，與第2實施形態同樣地，於一面使旋轉台10旋轉，一面經由頭部20從對向電極30之通液口31供給藥液200時，從各直流電源50進行通電。此時，於本實施形態中，網狀體34作為陰極發揮作用。藉此，因與藥液200接觸部分之表面積增大，故藥液200與基板100之反應活化。
又，本實施形態亦與第2實施形態同樣地，可藉由個別地調整各直流電源50之輸出電壓來控制陰極電位。因此，於例如基板100中產生蝕刻不均之情況下，可藉由個別地調整各直流電源50之輸出電壓，而於基板100內進行均一之加工。
(第4實施形態)圖9係第4實施形態之基板處理裝置上部之概略性俯視圖。對與上述第1實施形態～第3實施形態之基板處理裝置同樣之構成要素標註相同符號，省略其詳細之說明。
本實施形態之基板處理裝置中，如圖9所示，平板狀之複數個對向電極30從配置於旋轉中心之導線22以放射狀分散配置。又，通液口31形成於對向電極30間。再者，各對向電極30之形狀亦可為第2實施形態中說明之毛狀體32(參照圖7)或第3實施形態中說明之網狀體34(參照圖8)。
圖10係表示第4實施形態之基板處理裝置4之腐蝕電路之一例之圖。於圖10所示之電路圖中，可變電阻Rv與導線22及導線13分別連接。可變電阻Rv之電阻值由控制部60進行控制。
本實施形態中，於從陽極51至陰極52之電流路徑中，除了存在可變電阻Rv以外，還存在電阻R100、陽極電阻Ra、藥液電阻R200、及陰極電阻Rc。電阻R100係處理對象物、即基板100之電阻。藥液電阻R200係藥液200之電阻。
陽極電阻Ra係基板100與藥液200之界面之電阻。於該界面中，亦存在與陽極電阻Ra並聯連接之陽極電容Ca。陰極電阻Rc係對向電極30與藥液200之界面之電阻。於該界面中，亦存在與陰極電阻Rc並聯連接之陰極電容Cc。
於以上述方式構成之腐蝕電路中，若腐蝕電流不均，則會產生處理對象物之氧化或溶解速度之不均。因而，於本實施形態中，可藉由控制部60控制可變電阻Rv之電阻值來局部地調整腐蝕電路之電流/電壓。藉此，可使基板100中之腐蝕電流變得均一。
根據本實施形態，與上述其他實施形態同樣地，於一面使旋轉台10旋轉一面從通液口31供給藥液200時，從各直流電源50進行通電。因通液口31形成於對向電極30彼此之間隙，故可將對向電極30配置於頭部20之下部。藉此，便可將對向電極30配置於基板100之附近。其結果，即便直流電源50之輸出電壓較低，仍可提昇反應效率。
又，於本實施形態中，可藉由個別地調整可變電阻Rv之電阻值來控制陰極電位。因此，例如，當於基板100之中央部與其周邊部之間產生加工不均之情況下，亦可藉由調整對與基板100之各部分對向之對向電極30之通電，而於基板100內進行均一之加工。
已說明了本發明之若干個實施形態，但該等實施形態係作為示例而提示，並非意圖限定發明範圍。該等實施形態可以其他各種方式實施，且於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、及變更。該等實施形態或其變化與包含於發明之範圍或主旨中同樣地，亦包含於專利申請範圍中記載之發明及其均等之範圍內。
[相關申請案]
本申請案係以2018年12月27日提出申請之以往之日本專利申請案第2018-245620號之優先權之利益為基礎，且請求該利益，藉由引用其全部內容而包含於此。
1:基板處理裝置10:旋轉台10a:旋轉軸11:接腳12:邊緣夾持器13、14、15、16、22 導線20:頭部21:開口部23:導件30:對向電極31:通液口32:毛狀體33:毛狀構件33a:絕緣體33b:貴金屬膜34:網狀體40:治具50:直流電源51:陽極52:陰極60:控制部100:基板101:金屬膜102:積層體102a:絕緣膜102b:導電膜110:半導體基板120、130:基板121、133:孔131:鋁薄膜132:氧化鋁膜200:藥液Ca:陽極電容Cc:陰極電容R:旋轉方向R100:電阻R200:藥液電阻Ra:陽極電阻Rc:陰極電阻Rv:可變電阻
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之概略性構成之模式圖。 圖2(a)係圖1所示之基板處理裝置上部之概略性俯視圖，(b)係基板處理裝置下部之概略性俯視圖。 圖3(a)表示基板加工前之狀態，(b)表示基板加工後之狀態。 圖4係表示基板中形成有孔之一例之立體圖。 圖5(a)係表示形成氧化鋁孔之前之狀態之立體圖，(b)係表示形成氧化鋁孔之後之狀態之立體圖。 圖6係表示第2實施形態之基板處理裝置之概略性構成之模式圖。 圖7係將毛狀體放大所得之剖視圖。 圖8係第3實施形態之基板處理裝置之主要部分之概略性剖視圖。 圖9係第4實施形態之基板處理裝置之概略性俯視圖。 圖10係表示第4實施形態之基板處理裝置4之腐蝕電路之一例之圖。
1:基板處理裝置
10:旋轉台
10a:旋轉軸
11:接腳
12:邊緣夾持器
13、14、15、16、22:導線
20:頭部
21:開口部
23:導件
30:對向電極
40:治具
50:直流電源
51:陽極
52:陰極
60:控制部
100:基板
200:藥液
R:旋轉方向
Claims (7)
- 一種基板處理裝置，其包含：台，其載置基板，將上述基板連接於陽極；邊緣夾持器，其具有絕緣性，配置於上述台之外周，以覆蓋固定上述基板之固定構件之方式而構成；對向電極，其以與上述台對向之方式配置，露出與上述台對向之面，具有複數個孔，且與陰極連接；導件，其載置於上述邊緣夾持器上，且沿著上述對向電極之外周設置；及保持部，其以介隔上述對向電極而與上述台對向之方式配置，一面保持上述對向電極一面對上述對向電極供給藥液。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述台與上述保持部同步旋轉。
- 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述對向電極為板狀。
- 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述對向電極為毛狀體或網狀體。
- 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板與上述對向電極為非接觸。
- 如請求項4之基板處理裝置，其中作為上述毛狀體或上述網狀體之複數個上述對向電極係相互分離地配置，且上述複數個對向電極從旋轉中心以放射狀分散配置。
- 一種基板處理方法，其係將基板載置於台上，將上述基板連接於陽極，將具有絕緣性且以覆蓋固定上述基板之固定構件之方式而構成之邊緣夾持器配置於上述台之外周，將具有複數個孔且與陰極連接之對向電極以與上述台對向之方式配置，將上述對向電極之與上述台對向之面露出，將導件載置於上述邊緣夾持器上並沿著上述對向電極之外周設置，且一面藉由以介隔上述對向電極而與上述台對向之方式配置之保持部保持上述對向電極，一面從上述保持部對上述對向電極供給藥液。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103096A (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for the electrochemical etching of a wafer |
| TW541609B (en) * | 2001-02-28 | 2003-07-11 | Sony Corp | Electro-chemical machining apparatus |
| TWI221862B (en) * | 1999-12-24 | 2004-10-11 | Ebara Corp | Apparatus and method for plating a substrate, and method and apparatus for electrolytic treatment |
| TWI397112B (zh) * | 2006-02-08 | 2013-05-21 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a substrate processing device, and a gas supply method |
| TWM545356U (zh) * | 2017-01-06 | 2017-07-11 | Zhi-Liang Liao | 多層複數基板水平電鍍，電著及無電電鍍機構 |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139797A (ja) | 1987-11-25 | 1989-06-01 | Permelec Electrode Ltd | 電解処理装置 |
| US5458755A (en) | 1992-11-09 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| JP3217586B2 (ja) | 1994-03-17 | 2001-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 陽極酸化装置及び陽極酸化方法 |
| JP2837397B2 (ja) | 1995-12-04 | 1998-12-16 | テクノ工業株式会社 | アルミニウムまたはアルミニウム合金の陽極酸化処理装置 |
| JP3659837B2 (ja) * | 1999-05-24 | 2005-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板メッキ装置 |
| US6632335B2 (en) * | 1999-12-24 | 2003-10-14 | Ebara Corporation | Plating apparatus |
| US6899787B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
| US6723224B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Electro-chemical polishing apparatus |
| JP4409807B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2010-02-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法 |
| US20060234508A1 (en) * | 2002-05-17 | 2006-10-19 | Mitsuhiko Shirakashi | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US7183146B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP3966294B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
| JP4553247B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
| US20090020434A1 (en) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Akira Susaki | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| DE102007033839B4 (de) * | 2007-07-18 | 2015-04-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
| TWI459851B (zh) * | 2007-09-10 | 2014-11-01 | Ngk Insulators Ltd | heating equipment |
| JP2009123934A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP5357486B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US8206829B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
| US20100116788A1 (en) * | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
| US20100177454A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Electrostatic chuck with dielectric inserts |
| US20100243609A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP5595795B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法 |
| JP5423632B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-02-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| WO2011150311A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Praxair Technology, Inc. | Substrate supports for semiconductor applications |
| JP5379171B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、基板処理システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN104040720B (zh) * | 2012-01-12 | 2016-12-14 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| KR20130098707A (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-05 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 장치 및 그 제어방법 |
| US9685356B2 (en) * | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
| US9358702B2 (en) * | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
| DE102014005879B4 (de) * | 2014-04-16 | 2021-12-16 | Infineon Technologies Ag | Vertikale Halbleitervorrichtung |
| EP2945192A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-18 | Nxp B.V. | Semiconductive device and associated method of manufacture |
| US9653342B2 (en) * | 2014-11-19 | 2017-05-16 | Texas Instruments Incorporated | Trench having thick dielectric selectively on bottom portion |
| US9590053B2 (en) * | 2014-11-25 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methodology and structure for field plate design |
| US9281368B1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-03-08 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Split-gate trench power MOSFET with protected shield oxide |
| US20180265989A1 (en) | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| JP7038497B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2022-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
-
2018
- 2018-12-27 JP JP2018245620A patent/JP2020105590A/ja active Pending
-
2019
- 2019-06-04 TW TW108119316A patent/TWI757604B/zh active
- 2019-06-05 CN CN201910486814.3A patent/CN111383947B/zh active Active
- 2019-08-29 US US16/556,014 patent/US11211267B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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