JP7065717B2 - 基板エッチング方法 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の手法は、OHラジカルの生成量が非常に小さいので、エッチングレートが非常に低速となっており、所望されているエッチングレートとの乖離が大きいという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、金属を含むアモルファスカーボン膜が被着された基板をエッチングする基板エッチング方法において、前記アモルファスカーボン膜をアノード電極に接触させる工程と、前記アノード電極に対向する位置にカソード電極を配置する工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、前記アモルファスカーボン膜を前記電解液に浸漬させる工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加して、所定時間にわたって前記アモルファスカーボン膜のエッチングを行う工程と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板エッチング方法を実施する基板処理装置の概略構成を示す全体図である。
1 … 載置台
3 … アノード電極ユニット
5 … 排液回収カップ
7 … カソード電極ユニット
9 … 回転駆動ユニット
11 … 供給系
13 … 電源
15 … 制御部
17 … アノード電極
19 … 保持部
21 … カバー
23 … カソード電極
25 … メッシュ積層体
35 … 電動モータ
L1 … 窒化膜
L2 … 酸化膜
aL … アモルファスカーボン膜
M1 … マスク
M2 … マスク
Claims (6)
- 金属を含むアモルファスカーボン膜が被着された基板をエッチングする基板エッチング方法において、
前記アモルファスカーボン膜をアノード電極に接触させる工程と、
前記アノード電極に対向する位置にカソード電極を配置する工程と、
前記アノード電極と前記カソード電極との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、前記アモルファスカーボン膜を前記電解液に浸漬させる工程と、
前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加して、所定時間にわたって前記アモルファスカーボン膜のエッチングを行う工程と、
を備えていることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1に記載の基板エッチング方法において、
前記電解液は、アンモニア、塩酸、水酸化カリウム、硝酸のいずれか一つをさらに含むことを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1または2に記載の基板エッチング方法において、
前記金属は、タングステン、シリコン、アルミニウム、ニッケル、チタン、コバルトのいずれか一つであることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記電解液は、20~200℃に温調されていることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記電圧を印加する工程は、パルス電圧を連続して発生させる連続パルスによって電圧を印加することを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記基板は、前記アモルファスカーボン膜を上方に向けた姿勢で前記各工程を実施されることを特徴とする基板エッチング方法。
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