TW202147440A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TW202147440A
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樋口倫太郎
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明旨在提供能有效率地將基板上的貴金屬膜加以蝕刻的技術。依本發明之一態樣的基板處理裝置，包括：基板旋轉部；處理液供給部；陽極和陰極；及控制部。基板旋轉部，固持基板並使其旋轉。處理液供給部，對固持於基板旋轉部的基板供給處理液。陽極和陰極，對於從處理液供給部所供給的處理液施加電壓。控制部，控制各部。又，控制部進行控制，以使陽極和陰極各自獨立地接觸處理液，且於基板的旋轉時，使接觸陽極的處理液和接觸陰極的處理液於分隔的狀態下供給至基板。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明揭示的實施形態，係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
吾人習知已存在有將形成於半導體晶圓(以下亦稱晶圓)等基板上的釕(Ru)膜等貴金屬膜加以蝕刻的技術(參考專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016／068183號
[發明欲解決之課題]
本發明提供能有效率地將基板上的貴金屬膜加以蝕刻的技術。 [解決課題之手段]
依本發明的一態樣的基板處理裝置，包括：基板旋轉部；處理液供給部；陽極和陰極；及控制部。基板旋轉部，固持基板並使其旋轉。處理液供給部，對固持於該基板旋轉部的該基板供給處理液。陽極和陰極，對於從該處理液供給部所供給的該處理液施加電壓。控制部，控制各部。又，該控制部進行控制，以使該陽極和該陰極各自獨立地接觸該處理液，且於該基板旋轉時，使接觸該陽極的該處理液和接觸該陰極的該處理液於分隔的狀態下供給至該基板。 [發明效果]
依據本發明，可有效率地將基板上的貴金屬膜加以蝕刻。
以下，參考附加圖式，詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法的實施形態。又，本發明並不受限於以下所示實施形態。又，圖式僅為示意，必須留意各要件的尺寸關係、各要件的比率等，有時有與現實相異的情況。再者，於圖式的彼此間，亦有時有包含彼此的尺寸關係或比率相異的部分的情況。
吾人習知已存在有將於半導體晶圓(以下亦稱晶圓)等基板上所形成的釕(Ru)膜等貴金屬膜加以蝕刻的技術。然而，習知技術中，在提升貴金屬膜的蝕刻率方面尚有更加改善的餘地。
是故，吾人期望能實現可克服上述問題點而有效率地將基板上的貴金屬膜加以蝕刻的技術。
＜基板處理系統的概要＞ 首先，參考圖1，說明實施形態的基板處理系統1的概略構成。圖1係顯示依實施形態的基板處理系統1的概略構成圖。又，基板處理系統1係清洗裝置的一例。以下，為了使位置關係明確，規定彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並以Z軸正方向作為鉛直朝上方向。
如圖1所示，基板處理系統1包括搬出入站2及處理站3。搬出入站2與處理站3係相鄰設置。
搬出入站2包括載體載置部11及搬運部12。於載體載置部11載置有複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態收容複數片基板，於本實施形態中係半導體晶圓(以下稱晶圓W)。
搬運部12係與載體載置部11相鄰設置，於內部具備基板搬運裝置13及傳遞部14。基板搬運裝置13包括固持晶圓W之晶圓固持機構。又，基板搬運裝置13能進行往水平方向和鉛直方向的移動、及以垂直軸為中心的迴旋，並使用晶圓固持機構，於載體C與傳遞部14之間進行晶圓W的搬運。
處理站3與搬運部12係相鄰設置。處理站3包括搬運部15及複數之處理單元16。複數之處理單元16係排列設置於搬運部15的兩側。
搬運部15，於內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17包括固持晶圓W之晶圓固持機構。又，基板搬運裝置17能進行往水平方向和鉛直方向的移動、及以垂直軸為中心的迴旋，並使用晶圓固持機構，於傳遞部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬運。
處理單元16，對於由基板搬運裝置17所搬運之晶圓W，進行既定的基板處理。
又，基板處理系統1包括控制裝置4。控制裝置4如為電腦，包括控制部18及記憶部19。於記憶部19，儲存有用以控制基板處理系統1中所執行的各種處理之程式。控制部18，藉由讀取並執行記憶於記憶部19之程式而控制基板處理系統1的動作。
又，該程式記錄於電腦可讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體而安裝至控制裝置4的記憶部19。電腦可讀取之記錄媒體，如為硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
於如上述所構成之基板處理系統1中，首先，搬出入站2的基板搬運裝置13，從載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，再將所取出的晶圓W載置於傳遞部14。將載置於傳遞部14的晶圓W，藉由處理站3的基板搬運裝置17從傳遞部14取出，並搬入至處理單元16。
將搬入至處理單元16的晶圓W，藉由處理單元16加以處理之後，再藉由基板搬運裝置17從處理單元16搬出，而載置於傳遞部14。接著，藉由基板搬運裝置13，使載置於傳遞部14之已處理完畢的晶圓W，返回至載體載置部11的載體C。
＜處理單元的構成＞ 其次，參考圖2，說明處理單元16的構成。圖2係處理單元16的具體構成例的示意圖。如圖2所示，處理單元16包括：處理室20、基板旋轉部30、處理液供給部40及回收杯50。又，處理單元16更包括電壓施加部60(參考圖3)，此將於後詳述。
處理室20係用以收容基板旋轉部30、處理液供給部40及回收杯50。於處理室20的頂棚部，設有FFU(Fan Filter Unit：風機過濾機組)21。FFU21於處理室20內形成降流。
基板旋轉部30包括固持部31、支柱部32及驅動部33，用以固持晶圓W並使其旋轉。固持部31吸附晶圓W的底面，並水平地固持該晶圓W。
支柱部32係於鉛直方向延伸的構件，其基端部由驅動部33可旋轉地支撐著，且於其前端部水平地支撐固持部31。驅動部33使支柱部32繞著垂直軸旋轉。
該基板旋轉部30藉由利用驅動部33使支柱部32旋轉，而使由支柱部32所支撐的固持部31旋轉，藉此，使固持部31所固持的晶圓W旋轉。
處理液供給部40對晶圓W的周緣部Wa等供給處理液L(參考圖3)。處理液供給部40包括：複數之(在此為2個)噴嘴41a、41b；臂件42a、42b，分別水平地支持該噴嘴41a、41b；迴旋升降機構43a、43b；分別使臂件42a、42b迴旋及升降。
噴嘴41a，經由閥44a及流量調整器45a而連接於處理液供給源46。又，噴嘴41b，經由閥44b及流量調整器45b而連接於處理液供給源46。
從處理液供給源46所供給的處理液L，係酸性水溶液、中性水溶液或鹼性水溶液。用作為此處理液L的酸性水溶液，係如鹽酸(HCL)、硝酸(HNO3 )、硫酸(H2 SO4 )等。又，用作為處理液L的中性水溶液，係如氯化鈉(NaCL)水溶液、氯化鉀(KCl)水溶液等。
又，用作為處理液L的鹼性水溶液，係如TMAH(TetraMethylAmmonium Hydroxide；氫氧化四甲基銨)、氫氧化鈉(NaOH)水溶液、氫氧化鉀(KOH)水溶液、氨(NH3 )水溶液等。
又，處理液L，亦可為含有電解質的有機溶劑(例如，於酒精或碳氫溶劑等有機溶劑中含有過氯酸鹽等鹽而成之液體)。
噴嘴41a及噴嘴41b，將從處理液供給源46所供給的處理液L個別地噴出至晶圓W的周緣部Wa中之既定處。
回收杯50以圍住固持部31的方式配置，並捕集因固持部31的旋轉而從晶圓W飛散的處理液L。於回收杯50的底部，形成有排液口51，從該排液口51，將回收杯50所捕集的處理液L排出至處理單元16的外部。又，於回收杯50的底部，形成有將從FFU21所供給的氣體往處理單元16外部排出之排氣口52。
＜處理液供給部及電壓施加部的構成＞ 其次，參考圖3～圖5，說明實施形態的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成。圖3係顯示依實施形態的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。
如圖3所示，控制部18(參考圖1)使用處理液供給部40的噴嘴41a及噴嘴41b，對旋轉中的晶圓W的周緣部Wa中之既定處噴出處理液L。於實施形態中，將從噴嘴41a及噴嘴41b所噴出的處理液L，不中斷地噴出至晶圓W的周緣部Wa。
又，實施形態的處理單元16，包括對供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加電壓的電壓施加部60。該電壓施加部60具有：陽極61、陰極62、直流電源63及開關64。
陽極61設於噴嘴41a的內部，對流通於噴嘴41a內的處理液L施加既定的正電壓。陰極62設於噴嘴41b的內部，對流通於噴嘴41b內的處理液L施加既定的負電壓。
又，陽極61連接至直流電源63的正極側，陰極62經由開關64連接至直流電源63的負極側。控制部18藉由將該開關64控制為導通狀態，可對陽極61施加既定的正電壓，且同時可對陰極62施加既定的負電壓。
而且，於實施形態中，由於將從噴嘴41a所噴出的處理液L，不中斷地噴出至晶圓W的周緣部Wa，故可透過處理液L將既定的正電壓施加至晶圓W的周緣部Wa。
同樣地，於實施形態中，由於將從噴嘴41b噴出的處理液L，不中斷地噴出至晶圓W的周緣部Wa，故可透過處理液L將既定的負電壓施加至晶圓W的周緣部Wa。
在此，於實施形態中，使從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L，於旋轉中的晶圓W的周緣部Wa分隔配置。亦即，於旋轉中的晶圓W的周緣部Wa，於從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間，設有間隔G。
針對此間隔G的效果，參考圖4及圖5加以說明。圖4係顯示依實施形態的蝕刻處理機制的說明圖。又，於圖4的例中，係顯示使用鹽酸作為處理液L，且於晶圓W的表面形成釕膜的情形。
如圖4所示，利用從直流電源63的負極供給至陰極62的電子，於陰極62和處理液L的界面，產生處理液L中的氫離子(H+ )的還原反應。
又，於與陰極62相接觸的處理液L和晶圓W的界面，藉由陽極氧化使釕產生離子化，而此離子化的釕(Ru3+ )溶離至處理液L中。藉此，將於形成於晶圓W表面的釕膜加以電化學蝕刻，因此可有效率地蝕刻此釕膜。
又，藉由此陽極氧化所產生的電子，經由晶圓W而供給至與陽極61相接觸的處理液L。接著，藉由此電子，於晶圓W和與陽極61相接觸的處理液L的界面，產生處理液L中的氫離子(H+ )的還原反應。
又，於陽極61和處理液L的界面，產生處理液L中的氯離子(Cl－ )的氧化反應。接著，藉由此氧化反應所產生的電子，經由陽極61及直流電源63供給至陰極62，而使上述的各種的反應重複進行。
在此，假設於從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間未形成有間隔G的情形時，於與陰極62相接觸的處理液L內所產生的電子，與其經由晶圓W不如經由處理液L而供給至陽極61。
此係因形成於晶圓W的釕膜的膜厚較薄(數十nm左右)，故電阻相當大，故處理液L這方，電子較易通過。
藉此，於與陰極62相接觸的處理液L和晶圓W的界面，釕被陽極氧化的比率變低。亦即，於未形成有間隔G的情形時，難以提升釕膜的蝕刻率。
然而，於實施形態中，由於在從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間形成有間隔G，故陰極62和處理液L的界面所產生的電子，經由晶圓W供給至陽極61。藉此，可提高晶圓W表面的釕被陽極氧化的比率。
因此，依據實施形態，如圖5所示，藉由設置間隔G，可有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜(在此為釕膜)。圖5係針對實施形態的蝕刻處理的好壞加以顯示之圖式。
又，於上述的實施形態中，雖顯示以鹽酸將釕膜加以電化學蝕刻的例子，但實施形態的實施蝕刻處理的貴金屬膜不限於釕膜，且所使用的處理液L亦不限於鹽酸。
＜各種變形例＞ 接著，參考圖6～圖18，說明實施形態的各種變形例。又，於以下的各種變形例中，藉由對於與實施形態相同的部位附加相同符號，而省略重複說明。
圖6係顯示依實施形態的變形例1的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。又，於後面的圖式中，有時會省略電壓施加部60的直流電源63或開關64的圖示。
如圖6所示，於變形例1中，與實施形態相異點在於：於處理單元16另外設有氣體噴嘴70。此氣體噴嘴70將空氣或氮等氣體，噴出至從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間。
於變形例1中，藉由此氣體噴嘴70，可於從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間，更確實地形成間隔G。因此，依據變形例1，可更有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
又，於圖6的例中，雖顯示氣體噴嘴70係設置為與噴嘴41a或噴嘴41b不同的個體的例子，但氣體噴嘴70的構成不限於此例。圖7係顯示依實施形態的變形例2的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。
如圖7所示，氣體噴嘴70亦可與噴嘴41a或噴嘴41b設為一體。藉此，可使氣體更確實地噴出至從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間。
圖8係顯示依實施形態的變形例3的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。如圖8所示，亦可於處理單元16內配置各自設有陰極62的複數之(圖中為5個)噴嘴41b，並從此等複數之噴嘴41b個別將處理液L噴出至晶圓W的周緣部Wa。
即使為如此的情形，藉由於從噴嘴41a所噴出的處理液L和從噴嘴41b所噴出的處理液L之間設置間隔G，可有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
又，於變形例3中，由於可增加將貴金屬膜加以電化學蝕刻之處(亦即，從噴嘴41b被噴出處理液L之處)，故可更有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
又，於圖8的例子中，雖顯示從相鄰的噴嘴41b所噴出的處理液L彼此分隔而配置的例子，但從相鄰的噴嘴41b所噴出的處理液L彼此並非一定要分隔。
例如，藉由使從相鄰的噴嘴41b所噴出的處理液L彼此接觸，可於該接觸的處理液L內，均等地蝕刻貴金屬膜。
又，於圖8的例子中，雖顯示使用複數之噴嘴41b對複數處噴出處理液L的例子，但噴嘴41b的構成不限於此例。圖9係顯示依實施形態的變形例4的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。
如圖9所示，可於設有陰極62的1個噴嘴41b上，設有複數之(圖中為5個)噴出口，並從該複數之噴出口個別地將處理液L噴出至晶圓W的周緣部Wa。藉此，由於可增加將貴金屬膜加以電化學蝕刻之處，故可更有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
於至此所述的例子中，雖顯示於噴嘴41a及噴嘴41b的內部各自配置陽極61和陰極62的例子，但陽極61和陰極62的配置不限於此例。
圖10係顯示依實施形態的變形例5的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。又，於圖10～圖15中，噴嘴41a中之陽極61的配置、和噴嘴41b中之陰極62的配置以相同圖式顯示。
又，於圖10～圖15的例子中，噴嘴41b中之陰極62的配置，因與噴嘴41a中之陽極61的配置相同，故省略對於噴嘴41b中之陰極62的配置的說明。
如圖10所示，可將陽極61設於對噴嘴41a供給處理液L的導電性配管47。藉此，可對流通於導電性配管47及噴嘴41a內的處理液L施加既定的正電壓。
因此，依據變形例5，可對於從噴嘴41a供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。又，作為導電性配管47，例如，可使用藉由對樹脂材料添加碳等導電性粉末而賦予導電性的配管。
圖11係顯示依實施形態的變形例6的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。如圖11所示，陽極61，亦可配置成直接接觸於從噴嘴41a噴出至晶圓W的周緣部Wa後的處理液L。
藉此，亦可對於從噴嘴41a供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。又，於將陽極61配置成直接接觸於噴出至周緣部Wa後的處理液L的情形時，可設置蓋件65以覆蓋陽極61的側面。
於至此所述的例子中，雖顯示從噴嘴41a將處理液L直接噴出至晶圓W的周緣部Wa的例子，但亦可將處理液L暫時以液體保持構件加以保持，並使此保持狀態的處理液L接觸晶圓W的周緣部Wa。
圖12係顯示依實施形態的變形例7的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。於圖12中，作為能保持處理液L的液體保持構件的一例，係顯示使用多孔質體66的例子。此多孔質體66，例如為海綿，配置成捲繞於陽極61的側面。
而且，於變形例7中，從噴嘴41a將處理液L噴出至多孔質體66，以此多孔質體66保持處理液L。再者，藉由使保持有處理液L的多孔質體66接觸晶圓W的周緣部Wa，可對供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。
又，於變形例7中，由於可以保持於多孔質體66的處理液L進行周緣部Wa的蝕刻處理，故可減少處理液L的使用量。
圖13係顯示依實施形態的變形例8的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。如圖13所示，亦可以蓋件67覆蓋多孔質體66的大部分，並將陽極61配置於此蓋件67與多孔質體66之間。
藉此，藉由使保持有處理液L的多孔質體66的露出部分接觸晶圓W的周緣部Wa，可對供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。
又，於變形例8中，由於可以保持於多孔質體66的處理液L進行周緣部Wa的蝕刻處理，故可減少處理液L的使用量。
又，於圖12及圖13的例子中，雖顯示使用多孔質體66作為液體保持構件的例子，但實施形態的液體保持構件不限於多孔質體66。圖14係顯示依實施形態的變形例9的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。
如圖14所示，於變形例9中，於噴嘴41a的噴出口，設有液體保持部41c。此液體保持部41c係液體保持構件的另一一例，具有於剖面觀察下大致C字型。於液體保持部41c中，藉由利用處理液L的表面張力，可使處理液L保持於凹部41ca的內部。
又，於變形例9中，將陽極61設於對噴嘴41a供給處理液L的導電性配管47。亦即，於變形例9中，陽極61係間接接觸保持於液體保持部41c的處理液L。
而且，如圖14所示，藉由將晶圓W的周緣部Wa***於液體保持部41c的凹部41ca，可對保持於晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。
又，於變形例9中，由於可以保持於液體保持部41c的處理液L進行周緣部Wa的蝕刻處理，故可減少處理液L的使用量。
又，於圖14的例中，雖顯示將陽極61設於導電性配管47的例子，但陽極61的配置不限於此例。圖15係顯示依實施形態的變形例10的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。
如圖15所示，於變形例10中，將陽極61設於形成於液體保持部41c的凹部41ca的內側。藉此，藉由將晶圓W的周緣部Wa***至凹部41ca的內部，可對供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L施加既定的正電壓。
又，於變形例10中，由於可以保持於液體保持部41c的處理液L進行周緣部Wa的蝕刻處理，故可減少處理液L的使用量。
圖16係顯示依實施形態的變形例11的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。如圖16所示，於變形例11中，與實施形態相異點在於：於處理單元16另外設置光源80。
此光源80，對於從噴嘴41a、41b所噴出的處理液L照射光。此光源80，可設於處理室20的上部，亦可設於處理室20的側面。又，光源80可固定於處理室20的內面，亦可埋入至處理室20的內壁。
又，光源80，可對於從噴嘴41a、41b所噴出的處理液L進行光的點狀照射，亦可對晶圓W的全面照射光。
於變形例11中，藉由來自此光源80的光照射，不僅對於形成於晶圓W表面的貴金屬膜，對於形成於晶圓W表面的半導體膜(例如，DLC(Diamond-Like Carbon：類鑽碳)膜)等，亦可有效率地進行蝕刻。
此係因藉由對處理液L照射能量高於半導體膜的能帶間隙的光，可使半導體膜成為激發狀態，因此可將此半導體膜加以光電化學蝕刻。
在此，於將半導體膜的能帶間隙設為E(eV)，將從光源80所照射的光的波長設為λ(nm)的情形時，藉由照射滿足下述式(1)的波長的光，可將晶圓W表面的半導體膜加以蝕刻。 E≧1240／λ・・・(1)
而且，於考量上述式(1)時，於變形例11中，從光源80所照射的光可為紫外線。如此，藉由對處理液L照射波長為短的紫外線，即使對於DLC膜等、能帶間隙較大的半導體膜，亦可有效率地蝕刻。
圖17係針對實施形態的變形例11的蝕刻處理的好壞加以顯示之圖式。又，圖17中，顯示以TMAH對形成於晶圓W表面的DLC膜進行蝕刻處理時的結果。
如圖17所示，於變形例11中，於對陽極61側(亦即，從噴嘴41a所噴出的處理液L)及陰極62側(亦即，從噴嘴41b所噴出的處理液L)的雙方照射光的情形時，DLC膜的蝕刻率為最高。又，於變形例11中，即使於僅對陽極61側照射光的情形時，亦可有效率地蝕刻DLC膜。
另一方面，於變形例11中，於對處理液L未照射光的情形時，無法蝕刻DLC膜。再者，於變形例11中，僅對陰極62側照射光，亦無法將DLC膜加以光電化學蝕刻。
亦即，於變形例11中，藉由至少對與陽極61接觸的處理液L照射光，可將半導體膜加以光電化學蝕刻。
圖18係顯示依實施形態的變形例12的處理單元16內的處理液供給部40及電壓施加部60的構成之圖式。如圖18所示，於變形例12中，與實施形態相異點在於：陽極61直接接觸晶圓W。於變形例12中，例如，陽極61接觸晶圓W的中心。
即使於如此的情形時，藉由對於從噴嘴41b所噴出的處理液L施加既定的負電壓，可有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)包括：基板旋轉部30、處理液供給部40、陽極61和陰極62、及控制部18。基板旋轉部30，固持基板(晶圓W)並使其旋轉。處理液供給部40，對固持於基板旋轉部30的基板(晶圓W)供給處理液L。陽極61和陰極62，對於從處理液供給部40所供給的處理液L施加電壓。控制部18控制各部。又，控制部18進行控制，以使陽極61和陰極62各自獨立地接觸處理液L，並於基板(晶圓W)的旋轉時，使接觸陽極61的處理液L和接觸陰極62的處理液L於分隔的狀態下供給至基板(晶圓W)。藉此，可有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
又，實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)，於接觸陽極61的處理液L和接觸陰極62的處理液L之間，更包括噴出氣體的氣體噴嘴70。藉此，可更有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
又，於實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)中，陽極61和陰極62中之至少一者，直接或間接地接觸由能保持液體的液體保持構件所保持的處理液L。藉此，可減少處理液L的使用量。
又，於實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)中，液體保持構件，係由多孔質體66所構成。藉此，可減少處理液L的使用量。
又，實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)更包括對處理液L照射光的光源80。藉此，對於形成於晶圓W表面的半導體膜等，亦可有效率地加以蝕刻。
又，於實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)中，光源80，對接觸陽極61的處理液L照射光。藉此，可將半導體膜加以光電化學蝕刻。
又，於實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)中，光源80對處理液L照射紫外線。藉此，即使為DLC膜等之能帶間隙較大的半導體膜，亦可有效率地蝕刻。
又，於實施形態的基板處理裝置(基板處理系統1)中，控制部18進行控制，以使接觸陽極61的處理液L和接觸陰極62的處理液L皆供給至基板(晶圓W)的周緣部Wa。藉此，可將晶圓W加以斜角蝕刻。
＜處理的順序＞ 接著，參考圖19說明實施形態的基板處理的順序。圖19係顯示依實施形態的基板處理系統1所執行的基板處理的順序流程圖。
首先，控制部18控制處理單元16等，以藉由基板旋轉部30固持晶圓W並使其旋轉(步驟S101)。接著，控制部18控制處理液供給部40等，以對晶圓W的周緣部Wa供給處理液L(步驟S102)。
其次，控制部18控制電壓施加部60等，以使陽極61和陰極62接觸供給至晶圓W的周緣部Wa的處理液L(步驟S103)。接著，控制部18控制處理液供給部40等，以使接觸陽極61的處理液L和接觸陰極62的處理液L分隔(步驟S104)。
又，步驟S102～S104的處理，不限於上述順序，可以任意順序實施。接著，控制部18控制電壓施加部60等，以從陽極61和陰極62對處理液L施加電壓(步驟S105)，而完成處理。
實施形態的基板處理方法包含：旋轉步驟(步驟S101)、供給步驟(步驟S102)、接觸步驟(步驟S103)、分隔步驟(步驟S104)及施加步驟(步驟S105)。旋轉步驟(步驟S101)，固持基板(晶圓W)並使其旋轉。供給步驟(步驟S102)，對基板(晶圓W)供給處理液L。接觸步驟(步驟S103)，使陽極61和陰極62各自獨立地接觸處理液L。分隔步驟(步驟S104)，使接觸陽極61的處理液L和接觸陰極62的處理液L分隔。施加步驟(步驟S105)，從陽極61和陰極62對處理液L施加電壓。藉此，可有效率地蝕刻晶圓W上的貴金屬膜。
以上，針對本發明的實施形態加以說明，但本發明不限於上述實施形態，於不超出其宗旨的限制下可有各種變更。例如，於上述實施形態中，以可於處理單元16設置以溫水等將晶圓W的背面予以加熱的機構。藉此，可更有效率地蝕刻晶圓W的周緣部Wa。
本次所揭示之實施形態，應視為於各方面皆為例示而非用以限制。事實上，上述實施形態可以多種形態具體實現。又，上述實施形態，於不超出附加的專利申請範圍及其宗旨下，亦可於各種形態下加以省略、置換、變更。
1:基板處理系統(基板處理裝置的一例) 2:搬出入站 3:處理站 4:控制裝置 11:載體載置部 12:搬運部 13:基板搬運裝置 14:傳遞部 15:搬運部 16:處理單元 17:基板搬運裝置 18:控制部 19:記憶部 20:處理室 21:FFU(風機過濾機組) 30:基板旋轉部 31:保持部 32:支柱部 33:驅動部 40:處理液供給部 41a,41b:噴嘴 41c:液體保持部(液體保持構件的一例) 41ca:凹部 42a,42b:臂件 43a,43b:迴旋升降機構 44a,44b:閥 45a,45b:流量調整器 46:處理液供給源 47:導電性配管 50:回收杯 60:電壓施加部 61:陽極 62:陰極 63:直流電源 64:開關 65:蓋件 66:多孔質體(液體保持構件的一例) 67:蓋件 70:氣體噴嘴 80:光源 C:載體 L:處理液 G:間隔 W:晶圓 Wa:周緣部
【圖1】圖1係顯示依實施形態的基板處理系統的概略構成的示意圖。 【圖2】圖2係顯示處理單元的具體構成例的示意圖。 【圖3】圖3係顯示依實施形態的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖4】圖4係用以說明依實施形態的蝕刻處理機制之圖式。 【圖5】圖5係針對實施形態的蝕刻處理的好壞加以顯示之圖式。 【圖6】圖6係顯示依實施形態的變形例1的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖7】圖7係顯示依實施形態的變形例2的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖8】圖8係顯示依實施形態的變形例3的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖9】圖9係顯示依實施形態的變形例4的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖10】圖10係顯示依實施形態的變形例5的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖11】圖11係顯示依實施形態的變形例6的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖12】圖12係顯示依實施形態的變形例7的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖13】圖13係顯示依實施形態的變形例8的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖14】圖14係顯示依實施形態的變形例9的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖15】圖15係顯示依實施形態的變形例10的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖16】圖16係顯示依實施形態的變形例11的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖17】圖17係針對實施形態的變形例11的蝕刻處理的好壞所顯示之圖式。 【圖18】圖18係顯示依實施形態的變形例12的處理單元內的處理液供給部及電壓施加部的構成之圖式。 【圖19】圖19係顯示依實施形態的基板處理系統所執行的基板處理的順序流程圖。
16:處理單元
40:處理液供給部
41a,41b:噴嘴
60:電壓施加部
61:陽極
62:陰極
63:直流電源
64:開關
L:處理液
G:間隔
W:晶圓
Wa:周緣部

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 基板旋轉部，固持基板並使其旋轉； 處理液供給部，對固持於該基板旋轉部的該基板供給處理液； 陽極和陰極，對於從該處理液供給部所供給的該處理液施加電壓；及 控制部，控制各部； 該控制部進行控制，以使該陽極和該陰極各自獨立地接觸該處理液，且於該基板的旋轉時，使接觸該陽極的該處理液和接觸該陰極的該處理液於分隔的狀態下供給至該基板。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，更包括： 氣體噴嘴，對接觸該陽極的該處理液和接觸該陰極的該處理液之間，噴出氣體。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該陽極和該陰極中之至少一者，直接或間接地接觸由能保持液體的液體保持構件所保持的該處理液。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 該液體保持構件係由多孔質體所構成。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，更包括： 光源，對該處理液照射光。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該光源對接觸該陽極的該處理液照射光。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該光源對該處理液照射紫外線。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該控制部進行控制，以將接觸該陽極的該處理液和接觸該陰極的該處理液皆供給至該基板的周緣部。
  9. 一種基板處理方法，包含下述步驟： 固持基板並使其旋轉； 對該基板供給處理液； 使陽極和陰極各自獨立地接觸該處理液； 使接觸該陽極的該處理液和接觸該陰極的該處理液分隔；及 從該陽極和該陰極對該處理液施加電壓。
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