TWI397112B - A gas supply device, a substrate processing device, and a gas supply method - Google Patents

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Description

氣體供給裝置、基板處理裝置、氣體供給方法
本發明關於對處理室內供給氣體之氣體供給裝置、基板處理裝置、氣體供給方法。
這種基板處理裝置，是對處理室內供給預定的氣體，來對半導體晶圓、液晶基板等的被處理基板(以下僅稱為「基板」)實施成膜或蝕刻等的預定處理。
作為這樣的基板處理裝置，例如電漿處理裝置為眾所皆知。電漿處理裝置是例如配設兼作在處理室內載置基板的載置台之下部電極；及兼作朝基板噴出氣體的噴灑頭之上部電極所構成的。在這種平行平板式的電漿處理裝置，在由噴灑頭將預定的氣體供給至處理室內的基板上之狀態下，對兩電極間施加高頻電力來產生電漿，藉此進行成膜或蝕刻等的預定處理。
〔專利文獻1〕日本特開平8－158072號公報〔專利文獻2〕日本特開平9－45624號公報
在對基板實施成膜或蝕刻等的預定處理之際，在基板面內，將蝕刻速率或蝕刻選擇比、成膜速率等的處理特性作成均等，以提昇基板處理的面內均等性為以往以來的重造課題。
由如此的觀點來看，例如在專利文獻1、2提案出，將噴灑頭內部區隔成複數個氣體室，對每各氣體室獨立地連接氣體供給配管，以任意種類或任意流量來將處理氣體供給至基板面內的複數部位。藉此，可局部地調整基板面內的氣體濃度，提昇蝕刻的基板處理的面內均等性。
又，使用於實際的基板處理之氣體是例如藉由直接與基板處理有關之處理氣體、用來控制因這種處理所產生的反應生成物之堆積的氣體、不活性氣體等的載體氣體等之複數種氣體的組合來構成，其氣體種類可因應基板上的被處理材料或處理條件適宜選擇加以使用。因此，如專利文獻2所示，需要在分別連接於噴灑頭的各氣體室之每個氣體供給配管設置質量流量控制器(Mass－flow controller)，進行流量控制。
但，在這種的以往結構中，因即使在所使用的氣體中，含有共通的氣體種類，也對由各氣體室所供給之每一氣體分別設置氣體供給系統，個別地進行流量控制，所以配管構造複雜化，各配管的流量控制也複雜化，因此，會有例如需要寬廣之配管空間，且控制負擔也增大之問題產生。
又，即使能夠由處理室內的複數部位以簡單的控制供給氣體，但在例如因導入氣體之際的壓力變動等，造成由各部位所供給的處理氣體之流量比(分流比)變動之這樣的控制，則會變得無法實現期望的面內均等性。
因此，本發明是有鑑於這種問題而開發完成之發明，其目的在於提供能以簡單的配管結構，並且以簡單的控制，能夠由處理室內的複數部位供給氣體，可實現期望的面內均等性之氣體供給手段等。
為了解決前述課題，若根據本發明的一觀點的話，提供一種氣體供給裝置，是用來對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室的不同部位導入氣體的第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部。
此附加氣體導入部是將加至由前述處理氣體導入部導入至前述處理室內的處理氣體之附加氣體導入至前述處理室內。
為了解決前述課題，若根據本發明的其他觀點的話，提供一種基板處理裝置，是具備有：處理被處理基板的處理室；及對此處理室內供給氣體之氣體供給裝置之基板處理裝置，其特徵為：前述氣體供給裝置是具備有：第1、第2氣體導入部，這些氣體導入部是由前述處理室內的不同部位導入氣體；處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於前述第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部。
為了解決前述課題，若根據本發明的其他觀點的話，提供一種氣體供給方法，是使用對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置的氣體供給方法，其特徵為：前述氣體供給裝置是具備有：處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室的不同部位導入氣體的第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部，此氣體供給方法是具有下述製程：在進行前述被處理基板的處理之前，藉由前述處理氣體供給手段開始供給處理氣體，並且藉由前述附加氣體供給手段開始供給附加氣體之製程；及藉由前述處理氣體供給手段供給處理氣體，對前述分流量調整手段執行「調整分流量，使前述各分歧流路內的壓力成為壓力目標比」之壓力比控制的製程。
若根據這樣的本發明的話，來自於處理氣體供給手段的處理氣體被分流於第1、第2分歧流路，來自於第1、第2分歧流路之處理氣體分別經由第1、第2氣體導入部，由處理室內的各部位導入。在第1、第2氣體導入部中之第1氣體導入部分成處理氣體導入部與附加氣體導入部所構成之氣體導入部，當由附加氣體供給手段供給附加氣體時，來自於附加氣體導入部的附加氣體被附加於來自於處理氣體導入部之處理氣體，使得處理氣體的氣體成分或流量被調整，並被供給至例如被處理基板上的預定區域。藉此，具有在各分歧流路共通的氣體成分之處理氣體由共通的處理氣體手段所供給，進一步對流動於第1、第2分歧流路之其中任一方的處理氣體，因應需要附加附加氣體，可調整氣體成分或流量，所以所需最小限度的配管數量即可完成，該部分可達到簡單的配管結構，亦可簡單地進行流量控制。
且，因附加氣體是經由與處理氣體不同系統之附加氣體供給流路，由附加氣體導入部直接供給至處理室內，所以，不會對第1、第2分歧流路內的壓力產生影響。因此，在供給附加氣體前後，流動於第1、第2分歧流路內的處理氣體之流量比(分流比)也不會失衡，故能夠達到期望的面內均等性。
又，前述第2氣體導入部配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，前述第2氣體導入部是分成前述處理氣體導入部與前述附加氣體導入部而構成的，前述處理氣體導入部是配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，並且前述附加氣體導入部是配置成包圍前述處理氣體導入部之外側。藉此，因在各氣體導入部中之第2氣體導入部的附加氣體導入部位於最外側，所以，依據附加氣體的流量，可由附加氣體導入部以包圍電漿生成空間的方式噴出。藉此，可封閉電漿，故可使電漿特性穩定。
且，亦可設置控制手段，其是在進行前述被處理基板處理前，藉由前述處理氣體供給手段開始供給處理氣體，並且藉由前述附加氣體供給手段開始供給附加氣體，對前述分流量調整手段執行「調整分流量，使前述各分歧流路內的壓力比成為目標壓力比」之壓力比控制。在本發明，經由與供給處理氣體的第1、第2分歧流路不同系統的附加氣體供給流路，將附加氣體由附加氣體導入部直接供給至處理室內，所以，附加氣體的供給不會對處理氣體的壓力造成影響，故亦可同時開始進行處理氣體的供給與附加氣體的供給。因此，可使控制變得更簡單，並且亦可大幅縮短氣體供給處理所花費的時間，能夠防止處理量降低。
又，前述第1氣體導入部是配設成，例如朝前述處理室內的被處理基板表面上之中心部區域導入氣體，前述第2氣體導入部配設成，朝包圍前述被處理基板表面上的中心部區域之周邊部區域導入氣體。藉此，可提升被處理基板的中心部區域與周邊部區域之處理的均等性。
又，前述分流量調整手段是具備用來調整流動於例如前述各分歧流路之處理氣體的流量之閥；與用來測定前述各分歧流路內之壓力的壓力感測器，藉由依據來自於前述各壓力感測器的檢測壓力，調整前述閥的開閉度，來調整來自於前述處理氣體供給流路的處理氣體之流量比。
又，前述處理氣體供給手段是具備複數個氣體供給源，由前述各氣體供給源，將以預定流量所混合的處理氣體供給至前述處理氣體供給流路。又，前述附加氣體供給手段是具備複數個氣體供給源，將由前述各氣體供給源所選擇或以預定的氣體流量比所混合的附加氣體供給至前述附加氣體供給流路。藉此，由處理氣體供給手段，供給混合有在各分歧流路共通的複數種氣體成分之處理氣體，對流動於第1、第2分歧流路任一方的處理氣體，因應需要，附加附加氣體，調整氣體成分或流量，因此，配管數量更減少亦可，能夠達到更簡單的配管結構。
為了解決前述課題，若根據本發明之其他觀點的話，提供一種氣體供給裝置，是對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是用來供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1至第n分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室內的不同部位導入氣體之第1至第n氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1至第n分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述各第1至第n分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1至第n氣體導入部中之至少一個氣體導入部是分成，用來將處理氣體由前述分歧流路導入至前述處理室之處理氣體導入部；與用來將加至此處理氣體之附加氣體由附加氣體供給流路導入至前述處理室內之附加氣體導入部分加以構成的。
為了解決前述課題，若根據本發明之其他觀點的話，提供一種氣體供給裝置，是對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是用來供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；複數個分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室內的複數個部位導入氣體之複數個氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述各分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述各分歧流路之處理氣體的分流量；以及附加氣體供給手段，其是用來供給預定的附加氣體，前述複數個氣體導入部中之至少一個氣體導入部是分成，用來將處理氣體由前述分歧流路導入至前述處理室之處理氣體導入部；與用來將加至此處理氣體之附加氣體由附加氣體供給流路導入至前述處理室內之附加氣體導入部分加以構成的。
若根據以上所說明之本發明的話能夠提供，以簡單的配管結構並且以簡單的控制，不會受到壓力變動等的影響，來由處理室內的複數個部位供給氣體，而可實現期望的面內均等性之氣體供給裝置等。
以下，參照圖面，詳細說明本發明的理想實施形態。再者，在本說明書及圖面，針對實質上具有相同功能的結構之構成要素，賦予相同符號，並省略其說明。
(第1實施形態的基板處理裝置之構成例)
首先，一邊參照圖面，一邊說明關於本發明的第1實施形態之基板處理裝置。圖1是顯示本實施形態之基板處理裝置的概略結構之斷面圖。在此，將基板處理裝置作為平行平板型電漿蝕刻裝置來加以構成者。
基板處理裝置100是具有藉由大致呈圓筒狀的處理容器所構成之處理室110。處理容器是藉由例如鋁合金所形成的，被電性地接地著。又，處理容器的內壁面藉由氧化鋁膜或氧化釔膜(Y2 O3 )所被覆著。
在處理室110內，配設有構成兼作載置作為基板的晶圓W的載置台之下部電極的承受器116。具體而言，承受器116是受到圓柱狀承受器支承台114所支承，該支承台是經由絕緣板112設置於處理室110內的底部之大致中央。承受器116是藉由例如鋁合金所形成的。
在承受器116的上部，設有用來保持晶圓W之靜電夾118。靜電夾118是在內部具有電極120。在此電極120，直流電源122被電性連接著。靜電夾118是藉由從直流電源122對電極120施加直流電壓所產生的庫侖力(coulomb force)，可將晶圓W吸附於其上面。
又，在承受器116的上面，以包圍連接部18的周圍之方式設有聚焦環124。再者，在承受器116及承受器支承台114的外周面，安裝有例如由石英所構成的圓筒狀內壁構件126。
在承受器支承台114的內部，形成有環狀的冷媒室128。冷媒室128是經由配管130a、130b連通於設置在例如處理室110的外部之冷卻單元(未圖示)。在冷媒室128，經由配管130a、130b循環供給冷媒(冷媒液或冷卻水)。藉此，能夠控制承受器116上的晶圓W之溫度。
在靜電夾118的上面，連通有通過承受器116及承受器支承台114內的氣體供給管132。經由此氣體供給管132，能夠對晶圓W與靜電夾118之間供給氦氣(He)等的傳熱氣體(背面氣體；back－side gas)。
在承受器116的上方，設有與構成下部電極的承受器116平行地對向的上部電極300。在承受器116與上部電極300之間，形成電漿產生空間PS。
上部電極300具備有：圓板狀的內側上部電極302；與包圍此內側上部電極302的外側之環狀外側上部電極304。內側上部電極302構成對已被載置於承受器116的晶圓W上噴出預定氣體之噴淋頭。內側上部電極302具備：具有多數個氣體噴出孔312之圓形電極板310；及可自由裝卸地支承電極板310的上面側之電極支承體320。電極支承體320形成與電極板310大致相同直徑之圓板狀。再者，關於此噴淋頭(內側上部電極302)的構成例，如後所述。
在外側上部電極304與內側上部電極302之間，介裝有環狀介電質306。在外側上部電極304與處理室110的內周壁之間，氣密地介裝有由例如氧化鋁所構成的環狀絕緣性遮蔽構件308。
在外側上部電極304，經由供電筒152、連接器150、上部供電棒148、及整合器146，電性連接著第1高頻電源154。第1高頻電源154能夠輸出40MHz以上(例如60MHz)的頻率之高頻電壓。
供電筒152是大致形成例如下面開口之圓筒狀，下端部連接於外側上部電極304。在供電筒152的上面中央部，上部供電棒148的下端部藉由連接器150電性地連接著。上部供電棒148的上端部是連接於整合器146的輸出側。整合器146連接於第1高頻電源154，能夠整合第1高頻電源154的內部阻抗與負荷阻抗。
供電筒152的外側是受到具有與處理室110大致相同的直徑的側壁之圓筒狀接地導體111所覆蓋著。接地導體111的下端部連接於處理室110的側壁上部。前述上部供電棒148貫通於接地導體111的上面中央部，在接地導體111與上部供電棒148之接觸部，介裝有絕緣構件156。
(噴淋頭的構成例)
在此，參照圖1、圖2詳細地說明關於構成噴淋頭的內側上部電極302之具體構成例。圖2是內側上部電極302的橫斷面圖。圖2是由處理室110內的不同部位例如第1、第2氣體導入部330、340分別朝載置於承受器116的晶圓W面上之第1區域與第2區域的兩個區域導入氣體之情況的內側上部電極302之構成例。第1區域為例如晶圓W的中心部區域(以下亦稱為「中心區域」)，第2區域為包圍中心部區域之周邊部區域(以下亦稱為「邊緣區域」)。
第2氣體導入部340進一步分成，用來將處理氣體由後述的處理氣體供給手段210導入至處理室110內的處理氣體導入部340a；與用來將加至此處理氣體之附加氣體由附加氣體供給手段220導入至處理室110內的附加氣體導入部340b。
這些第1、第2氣體導入部330、340之結構如以下所述。在電極支承體320的內部，形成有由圓板狀空間所構成的緩衝室322。此緩衝室322藉由第1環狀隔壁構件324區劃成，由圓板狀空間所構成的內側之第1緩衝室332；及包圍此第1緩衝室332的由環狀空件所構成之第2緩衝室342。前述第2緩衝室342是進一步藉由第2環狀隔壁構件326區劃成，由內側的環狀構件所構成之處理氣體緩衝室342a、及由外側的環狀空間所構成之附加氣體緩衝室342b。
又，第1氣體導入部330是藉由第1緩衝室332與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成，第2氣體導入部340是藉由第2緩衝室342與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成。此第2氣體導入部340的處理氣體導入部340a是藉由處理氣體緩衝室342a與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成，附加氣體導入部340b是藉由附加氣體緩衝室342b與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成。再者，第1、第2環狀隔壁構件324、326分別藉由例如O形環所構成。
在各緩衝室332、342，由氣體供給裝置200供給預定氣體，對晶圓W上的中心部區域，由第1氣體導入部330經由第1緩衝室332噴出預定氣體，對晶圓W上的邊緣部區域，由第2氣體導入部340經由第2緩衝室342噴出預定氣體。
在電極支承體320的上面，如圖1所示，電性連接著下部供電筒170。下部供電筒170經由連接器150連接於上部供電棒148。在下部供電筒170的途中，設有可變電容器172。藉由調整此可變電容器172之靜電容量，能夠調整：當由第1高頻電源154施加高頻電壓時，形成於外側上部電極304的正下方之電場強度、及形成於內側上部電極302的正下方之電場強度的相對比率。
在處理室110的底部，形成有排氣口174。排氣口174經由排氣管176，連接於具備真空泵浦等的排氣裝置178。藉由以此排氣裝置178將處理室110內排氣，能夠將處理室110內減壓至期望的真空度。
第2高頻電源182經由整合器180電性連接於承受器116。第2高頻電源182能夠輸出2MHz~20MHz範圍，例如2MHz的頻率之高頻電壓。
在上部電極300的內側上部電極302，電性連接著低通濾波器184。低通濾波器184是用來遮斷來自於第1高頻電源154的高頻，將來自於第2高頻電源182的高頻通至接地(ground)者。一方面，在構成下部電極的承受器116，電性連接著高通濾波器186。高通濾波器186是用來將來自於第1高頻電源154的高頻通至接地(ground)者。
(氣體供給裝置)
其次，參照圖面說明關於氣體供給裝置200。圖1是分流成，將處理氣體朝處理室110內的晶圓W之中心部供給的第1處理氣體(中心部區域用處理氣體)；與朝晶圓W的邊緣部供給的第2處理氣體(邊緣部區域用處理氣體)之2種氣體的情況之例子。再者，不限於如本實施形態之將處理氣體分流成2種之情況，亦可分流成3種以上。
氣體供給裝置200是如圖1所示，具備：用來供給對晶圓實施成膜或蝕刻等的預定處理之處理氣體的處理氣體供給手段210；及供給預定的附加氣體之附加氣體供給手段220。處理氣體供給手段210是連接有構成處理氣體供給流路的處理氣體供給配管202。附加氣體供給手段220是連接有構成附加氣體供給流路之附加氣體供給配管208。由處理氣體供給配管202分歧成，構成第1分歧流路的第1分歧配管204及構成第2分歧流路之第2分歧配管206。再者，第1、第2分歧配管204、206亦可在分流量調整手段230的內部分歧，亦可在分流量調整手段230的外部分歧。
氣體供給裝置200是進一步具備：根據第1、第2分歧配管204、206內的壓力，調整流動於第1、第2分歧配管204、206之第1、第2處理氣體的分流量之分流量調整手段(例如分流器(flow splitter))230。
這些附加氣體用第1、第2分歧配管274、276分別連接於例如內側上部電極302之第1、第2氣體導入部330、340。具體而言，第1分歧配管204連接於第1氣體導入部330的第1緩衝室332。又，第2分歧配管206連接於第2氣體導入部340之處理氣體導入部340a的處理氣體緩衝室342a，而附加氣體供給配管208連接於附加氣體導入部340b之附加氣體緩衝室342b。
若根據這樣的氣體供給裝置200的話，來自於處理氣體供給手段210的處理氣體，藉由分流量調整手段230一邊調整分流量，一邊被分流於第1分歧配管204與第2分歧配管206。然後，流動於第1分歧配管204之第1處理氣體由第1氣體導入部330朝晶圓W上的中心部區域供給，而流動於第2分歧配管206之處理氣體由第2氣體導入部340之處理氣體導入部340a朝晶圓W上的邊緣部區域供給。
又，在由附加氣體供給手段220供給附加氣體之情況，該附加氣體經由附加氣體供給配管208，由第2氣體導入部340之附加氣體導入部340b導入。來自於此附加氣體導入部340b之附加氣體在處理室110內，與來自於第2氣體導入部340之第2處理氣體混合，與第2處理氣體一同朝晶圓W上之邊緣部區域供給。
(氣體供給裝置的具體構成例)
在此，說明關於前述氣體供給裝置200的各部之具體構成例。圖3是顯示氣體供給裝置200的具體構成例之方塊圖。處理氣體供給手段210是如圖3所示，藉由收容著複數個(例如3個)之氣體供給源212a、212b、212c之氣體箱所構成。各氣體供給源212a~212c的配管是連接於供來自於這些供給源的各氣體聚集之處理氣體供給配管202。在各氣體供給源212a~212c的配管，分別設有用來調整各氣體的流量之質量流量控制器214a~214c。若根據這樣的處理氣體供給手段210的話，來自於各氣體供給源212a~212c的氣體，以預定的流量比被混合，流出至處理氣體供給配管202，而分流於被第1、第2分歧配管204、206。
在氣體供給源212a，如圖3所示，封裝有作為蝕刻氣體之氟碳系的氟素化合物、CF4 、C4 F6 、C4 F8 、C5 F8 等之CX FY 氣體。在氣體供給源212b，封裝有例如作為控制CF的反應生成物的儲藏所之氣體的例如氧氣(O2 )，在氣體供給源212c，封裝有作為載體氣體之稀有氣體例如氬氣(Ar)。再者，處理氣體供給手段210的氣體供給源之數量不限於圖3所示的例子，亦可設置如一個、兩個，或四個以上。
一方面，附加氣體供給手段220是如圖3所示，藉由收容著複數個(例如2個)的氣體供給源222a、222b之氣體箱所構成。各氣體供給源220a、220b之配管是連接於供來自於這些供給源的各氣體匯集之附加氣體供給配管208。各氣體供給源220a、220b之配管，分別設有用來調整各氣體的流量之質量流量控制器224a、224b。若根據這樣的附加氣體供給手段220的話，來自於各氣體供給源222a、222b的氣體被選擇或以預定的氣體流量比被混合，流出至附加氣體供給配管208。
在氣體供給源222a，封裝有例如可促進蝕刻的CX FY 氣體，在氣體供給源222b，封裝有例如可控制CF系的反應生成物之儲藏所的氧氣(O2 )。再者，附加氣體供給手段220的氣體供給源之數量不限於圖3所示的例子，亦可設置如一個，或3個以上。
分流量調整手段230是具備：調整第1分歧配管204內的壓力之壓力調整部232；與調整第2分歧配管206內的壓力之壓力調整部234。具體而言，壓力調整部232是具備檢測第1分歧配管204內的壓力之壓力感測器232a與調整第1分歧配管204的開閉度之閥232b，壓力調整部234是具備檢測第2分歧配管206內的壓力之壓力感測器234a與調整第2分歧配管206的開閉度之閥234b。
壓力調整部232、234是連接於壓力控制器240，壓力控制器240是因應來自於控制基板處理裝置100的各部之控制部400的指令，根據來自於各壓力感測器232a、234a的檢測壓力，調整各閥232b、234b的開閉度。例如，控制部400藉由壓力比控制，來控制分流量調整手段230。在此情況，壓力控制器240是調整各閥232b、234b的開閉度，使得第1、第2處理氣體成為來自於控制部400的指令之目標流量比，即各第1、第2分歧配管204、206內之壓力成為目標壓力比。再者，壓力控制器240亦可作為控制板，內裝於分流量調整手段230，又亦可與分流量調整手段230不同體地加以構成。又，壓力控制器240亦可設置於控制部400內。
再者，前述控制部400除了前述分流量調整手段230外，亦進行氣體供給裝置200之處理氣體供給手段210、附加氣體供給手段220之控制，或第1高頻電源154及第2高頻電源182等之控制。
(控制部之構成例)
在此，參照圖面，說明這樣的控制部400之構成例。圖4是顯示控制部400的構成例之方塊圖。如圖4所示，控制部400具備：構成控制部本體的CPU(中央處理裝置)410；設有為了CPU410所進行的各種資料處理而使用之記憶體區域等的RAM(隨機－存取－記憶)420；以顯示操作畫面或選擇畫面等的液晶顯示器等所構成的顯示手段430；以操作員能夠進行之處理處方的輸入或編輯等各種之資料輸入及對預定的記錄媒體之處理處方或處理記錄的輸出等之各種資料的輸出等之觸控面板所構成的操作手段440；記憶手段450；及界面460。
在記憶手段450，記憶有例如用來執行基板處理裝置100的各種處理之處理程式、為了執行該處理程式所必要的資訊(資料)等。記憶手段450是藉由例如記憶體、硬碟(HDD)等所構成。CPU410是因應需要，讀出程式資料等，執行各種處理程式。例如，CPU410是在進行對晶圓之處理前，執行，控制氣體供給裝置200對處理室110內供給預定的氣體之氣體供給處理等。
在界面460，連接有藉由CPU410進行控制之分流量調整手段230、處理氣體供給手段210、附加氣體供給手段220等之各構件。界面460是藉由例如複數個I/O埠所構成的。
前述CPU410與RAM420、顯示手段430、操作手段440、記憶手段450、界面460等，藉由控制匯流排、資料匯流排等的匯流排線所連接。
(基板處理裝置之處理)
其次，說明關於藉由這樣的控制部400根據預定的程式執行基板處理裝置100之處理。控制部400是在對例如晶圓進行蝕刻等的處理前，執行藉由氣體供給裝置200對處理室110內供給預定氣體之氣體供給處理。在圖5顯示這樣的氣體供給處理之具體例。
首先，在步驟S110，控制部400開始進行利用處理氣體供給手段210之處理氣體的供給，並且開始進行利用附加氣體供給手段220之附加氣體的供給。當開始供給處理氣體時，處理氣體供給手段210內之被預先設定的氣體以預定流量流至處理氣體供給配管202。又，當開始供給附加氣體時，又，當開始供給附加氣體時，附加氣體供給手段220內之被預先設定的氣體以預定流量流至附加氣體供給配管208。例如當氣體供給源212a~212c的CX FY 氣體、O2 氣體及Ar氣體分別以預定流量開始供給時，各氣體被混合並產生由預定的混合比之CX FY 氣體、O2 氣體及Ar氣體所構成的混合氣體，該混合氣體作為處理氣體，流動至處理氣體供給配管202。又，當由附加氣體供給手段220的氣體供給源222a，以預定流量供給例如可促進蝕刻之CX FY 氣體(例如CF4 氣體)時，則流至附加氣體供給配管208。
接著，在步驟S120，控制部400對分流量調整手段230進行壓力比控制之處理氣體的分流量調整。具體而言，當控制部400發出壓力比控制指令時，分流量調整手段230藉由壓力控制器240的控制，根據壓力感測器232a、234a之測定壓力，調整閥232b、234b的開閉度，調整成第1、第2分歧配管204、206的壓力比成為目標壓力比。藉此，決定：經由第1、第2分歧配管204、206，分別供給至第1、第2緩衝室332、342之第1、第2處理氣體的流量比。
如此，當開始供給各氣體時，來自於處理氣體供給配管202之處理氣體分流於第1、第2分歧配管204、206，分別供給至第1緩衝室332、第2緩衝室342的處理氣體緩衝室342a側，噴出至處理室110內。又，來自於附加氣體供給配管208之附加氣體被供給至第2緩衝室342的附加氣體緩衝室342b側，噴出至處理室110內。藉此，來自於第1緩衝室332之處理氣體被供給至承受器116上的晶圓W之中心區域，來自於處理氣體緩衝室342a之處理氣體與來自於附加氣體緩衝室342b的附加氣體混合後，被供給至晶圓W上之邊緣區域。
然後，在步驟S130，判斷第1、第2分歧配管204、206的各壓力是否穩定。在判斷為各壓力穩定之情況時，在步驟S140，執行晶圓處理。藉由這樣的氣體供給處理，在處理室110，於減壓環境下，對晶圓W的中心部區域附近供給預定的氣體流量比之處理氣體，而對晶圓W之邊緣部區域附近供給，在預定的氣體流量比的處理氣體中混合了附加氣體之例如CF4 氣體多的處理氣體。藉此，晶圓W的邊緣部區域之蝕刻特性對晶圓W的中心部區域相對地調整，可使晶圓W的面內的蝕刻特性變得均等。
如此，若根據本實施形態之氣體供給裝置200的話，來自於處理氣體供給手段210之處理氣體被分流於第1、第2分歧配管204、206，來自於第1分歧配管204之處理氣體是以來自於處理氣體供給手段210的氣體流量比直接供給至晶圓W的中心部區域，而來自於第2分歧配管206之處理氣體是被附加了附加氣體調整處理氣體的氣體成分或流量後，朝晶圓W的邊緣部區域供給。藉此，由處理氣體供給手段210供給了具有在各分歧配管204、206共通之氣體成分的處理氣體，因應需要，對於流動於第2分歧配管206的處理氣體附加附加氣體，調整氣體成分或流量。因此，在例如在各分歧配管共通的氣體成分數多之情況，比起針對各分歧配管設置處理氣體源之情況，以更少的配管數即可達成作業。如此，因能夠將氣體供給裝置200的配管數作成必要最小限度，所以能以更簡單的配管結構來構成氣體供給裝置200。並且，因依據各分歧配管204、206之壓力，調整處理氣體之分流量，所以，能以簡單的控制，來由處理室110內之複數個部位供給氣體。
又，因附加於經由第2分歧配管206所供給之第2處理氣體的附加氣體是經由與第2分歧配管206不同系統之附加氣體供給配管208，由附加氣體導入部340b直接供給至處理室110內，所以，對第1、第2分歧配管204、206內的壓力不會造成影響。因此，在供給附加氣體前後，流動於第1、第2分歧配管204、206內的第1、第2處理氣體的流量比(分流比)也不會失衡，故能夠達到期望的面內均等性。
相對於此，若作成將附加於第2處理氣體的附加氣體在較分流量調整手段230更下游側匯集於第2分歧配管206內之配管結構的話，因受到附加氣體的供給，造成第2分歧配管內壓力變動，所以在供給附加氣體前後，會有受到分流量調整手段230所調整之第1、第2處理氣體之流量比失衡之虞。因此，在此情況，需要另外進行，例如首先開始進行處理氣體的供給，在壓力穩定後再供給附加氣體，或在供給附加氣體前後，使第1、第2處理氣體的流量比不會失衡之控制。但，若追加這樣的控制的話，因該部分會造成上氣體供給上花費時間，所以在晶圓處理上也會花費時間，進而造成處理量降低。
關於這一點，若根據本實施形態之氣體供給裝置200的話，因不會對第1、第2分歧配管204、206內的壓力造成影響，可將附加氣體供給至處理室110內，所以，在開始供給處理氣體前後均可開始進行附加氣體之供給，亦可與開始供給處理氣體的同時開始進行供給。且，在供給附加氣體前後，也不需要進行第1、第2處理氣體之流量比不會失衡的控制。因此，能夠更簡單地進行控制，並且亦可大幅地縮短花費於氣體供給處理之時間，能夠防止處理量降低。
又，若根據本實施形態之氣體供給裝置200的話，因附加氣體是由附加氣體供給配管208經由壓力低的附加氣體導入部340b供給至處理室110內，所以，在比起處理氣體流動，供給至高壓力的第2分歧配管206內之情況，附加氣體容易流動，附加氣體到達處理室內之時間也變早。又，因附加氣體的供給處之壓力低，所以即使附加氣體的流量為微量之情況，比起供給至壓力高的第2分歧配管206內之情況，到達處理室內之時間早。
且，在供給附加氣體之際，亦可將附加氣體的流量作成較預先設定的設定流量更大之先流出流量，開始進行供給，在經過預定時間(例如數秒間)後，再將附加氣體的流量作成設定流量來進行供給。藉此，即使在附加氣體的設定流量為微量之情況，也能使附加氣體供給流量之壓力即時上升，因此能夠更快地將附加氣體供給至處理室內，可進一步使處理量提昇。在此情況，供給先流出流量之預定時間之間，亦可不進行附加氣體之聯鎖(interlock)控制，在進行設定流量之附加氣體的供給之際，進行附加氣體之聯鎖控制。作為在此之附加氣體之聯鎖控制，可舉出，例如監視附加氣體的壓力在預定時間內是否超過預定範圍，當判斷為超過預定範圍之情況時，進行通報等的錯誤處理之控制。
又，如上所述，當作成在第2分歧配管206的途中供給附加氣體之配管結構時，在將附加氣體的流量增多之情況，會有因氣體的擴散，產生迂迴進入至分流量調整手段230之虞。因此，可供給之附加氣體的流量需要限制成不會產生因氣體的擴散所造成之迂迴的程度。關於這一點，若根據本實施形態之氣體供給裝置200的話，因附加氣體是經由與第2分歧配管206不同系統之附加氣體供給配管208，由附加氣體導入部340b直接供給至處理室110內，所以不會產生因氣體的擴散所造成之迂迴，因此，不需要在所能供給之附加氣體的流量上設限，能夠以期望的流量供給附加氣體。
又，若根據本實施形態之氣體供給裝置200的話，因處理氣體與附加氣體是以不同的配管供給至處理室110內，所以，在調整附加氣體的流量或氣體流量比等之際，不需要針對處理氣體進行調整。因此，能夠容易進行附加氣體之調整。
且，在如圖3所示之氣體供給裝置200，因第1、第2氣體導入部330、340中，第2氣體導入部340之附加氣體導入部340b位於最外側，所以，根據附加氣體的流量，能夠由附加氣體導入部340b噴出成包圍電漿產生空間PS。藉此，能夠封閉電漿，所以，亦可使電漿特性穩定。
再者，在圖3所示之氣體供給裝置200，雖針對藉由第2環狀隔壁構件326將第2緩衝室342區劃成2個空間，其中，將內側作為處理氣體緩衝室342a，將外側作為附加氣體緩衝室342b，藉此，將第2氣體導入部340的內側作為處理氣體導入部340a，將外側作為附加氣體導入部340b之情況進行了說明，但不限於此形態。
例如，亦可如圖6所示的氣體供給裝置200，藉由第2環狀隔壁構件326將第2緩衝室342所區劃之空間中’將內側作為附加氣體緩衝室342b，將外側作為處理氣體緩衝室342a，藉此，使第2氣體導入部340的內側作為附加氣體導入部340b，將外側作為處理氣體導入部340a。在此情況，處理氣體之第2分歧配管206連接於外側的處理氣體導入部340a，而將附加氣體供給配管208連接於內側的附加氣體導入部340b。
藉由圖6所示的氣體供給裝置200，亦可與圖3所示的氣體供給裝置200之情況同樣地，對晶圓W的中心部區域附近供給預定氣體流量比之處理氣體，對晶圓W之邊緣部區域，供給了在預定的氣體流量比之處理氣體附加有附加氣體的處理氣體。藉此，晶圓W的邊緣部區域之蝕刻特性對晶圓W的中心部區域相對地調整，可使晶圓W的面內的蝕刻特性變得均等。
又，在圖6所示的氣體供給裝置之配管結構的情況，因附加氣體也是經由附加氣體供給配管208，由附加氣體導入部340b直接供給至處理室110內，所以對第1、第2分歧配管204、206內的壓力不會造成影響。因此，在供給附加氣體前後，流動於第1、第2分歧配管204、206內的第1、第2處理氣體之流量比(分流比)也不會失衡，所以，能夠達到期望的面內均等性。
作為其他的構成例，例如亦可藉由直徑不同的2個第2環狀隔壁構件326，將第2緩衝室342區劃成3個空間，將內側與外側作為處理氣體緩衝室342a，將內側與外側之中間作為附加氣體緩衝室342b，藉此，將第2氣體導入部340的內側與外側作為處理氣體導入部340a，將其中間作為附加氣體導入部340b。
(第2實施形態之基板處理裝置的構成例)
其次，參照圖面，說明關於本發明的第2實施形態之基板處理裝置101。圖7是顯示本實施形態的基板處理裝置101之氣體供給裝置201的構成例之方塊圖。圖8是本實施形態之構成噴淋頭的內側上部電極302之橫斷面圖。
前述第1實施形態，將朝晶圓W的邊緣部區域供給氣體的第2氣體導入部340分成處理氣體導入部340a與附加氣體導入部340b加以構成，相對於此，第2實施形態是如圖7、圖8所示，將朝晶圓W的中心部區域供給氣體的第1氣體導入部330分成處理氣體導入部330a與附加氣體導入部330b加以構成者。
圖8所示之本實施形態的內側上部電極302是如圖8所示，藉由第1環狀隔壁構件324區劃成第1緩衝室332與第2緩衝室342。第1緩衝室332是進一步藉由第2環狀隔壁構件326區劃成，由內側的圓板狀空間所構成之附加氣體緩衝室332b與油外側的環狀空間所構成之處理氣體緩衝室332a。第1氣體導入部330的處理氣體導入部330a是藉由處理氣體緩衝室332a與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成，而附加氣體導入部330b是藉由附加氣體緩衝室332b與設置於其下面的多數個氣體噴出孔312所構成。
又，在第1氣體導入部330的處理氣體導入部330a，連接有處理氣體之第1分歧配管204，而在附加氣體導入部330b，連接有附加氣體供給配管208。又，在第2氣體導入部340，連接有處理氣體之第2分歧配管206。
在這樣結構之氣體供給裝置201，也能夠執行如圖5所示之氣體供給處理。即，在步驟S110，開始進行處理氣體與附加氣體之供給，在步驟S120，對分流量調整手段230，進行利用壓力比控制之處理氣體的分流量調整。
如此，當開始進行各氣體之供給時，來自於處理氣體供給配管202之處理氣體被分流於第1、第2分歧配管204、206，分別供給至第1緩衝室332的處理氣體緩衝室332a側、第2緩衝室342，噴出至處理室110內。又，來自於附加氣體供給配管208之附加氣體朝第1緩衝室332的附加氣體緩衝室332b側供給，噴出至處理室110內。藉此，來自於第1緩衝室332之處理氣體與來自於附加氣體緩衝室332b之附加氣體混合後，供給至承受器116上之晶圓W的中心區域附近，來自於第2緩衝室342的處理氣體則被供給至晶圓W上之邊緣區域附近。
然後，在步驟S130，判斷第1、第2分歧配管204、206的各壓力是否穩定。在判斷為各壓力穩定之情況時，在步驟S140，執行晶圓處理。藉由這樣的氣體供給處理，在處理室110，於減壓環境下，對晶圓W的中心部區域附近供給，在預定的氣體流量比的處理氣體中混合了附加氣體之例如CF4 氣體多的處理氣體，而對晶圓W之邊緣部區域附近，供給預定的氣體流量比之處理氣體。藉此，晶圓W的中心部區域之蝕刻特性對晶圓W的邊緣部區域相對地調整，可使晶圓W的面內的蝕刻特性變得均等。
又，在第2實施形態之氣體供給裝置201，因附加於經由第1分歧配管204所供給的第1處理氣體之附加氣體是經由與第1分歧配管204不同系統之附加氣體供給配管208，由附加氣體導入部330b直接供給至處理室110內，所以對第1、第2分歧配管204、206內的壓力不會造成影響。因此，在供給附加氣體前後，流動於第1、第2分歧配管204、206內的第1、第2處理氣體之流量比(分流比)也不會失衡，所以，能夠達到期望的面內均等性。
又，附加氣體之供給可與處理氣體之供給同時開始進行，在供給附加氣體前後，也不需要進行第1、第2處理氣體之流量比不會失衡的控制。因此，能夠更簡單地進行控制，並且亦可大幅地縮短花費於氣體供給處理之時間，能夠防止處理量降低。
再者，在圖7所示的氣體供給裝置201，針對藉由第2環狀隔壁構件326將第1緩衝室332區劃成2個空間，其中，將內側作為附加氣體緩衝室332b，將外側作為處理氣體緩衝室332a，藉此，將第1氣體導入部330的內側作為附加氣體導入部330b，將外側作為處理氣體導入部330a之情況做了說明，但不限於此形態。
例如，亦可如圖9所示的氣體供給裝置201，將藉由第2環狀隔壁構件326區劃第1緩衝室332的空間中，將內側作為處理氣體緩衝室332a，將外側作為附加氣體緩衝室332b，藉此，將第1氣體導入部330的內側作為處理氣體導入部330a，將外側作為附加氣體導入部330b。在此情況，將處理氣體的第1分歧配管204連接於內側的處理氣體導入部330a，將附加氣體供給配管208連接於外側之附加氣體導入部330b。
藉由這樣的結構，亦可對晶圓W的中心部區域附近供給「在預定的氣體流量比的處理氣體混合了附加氣體」所構成之處理氣體，而對晶圓W的邊緣部區域附近，供給預定的氣體流量比之處理氣體。藉此，晶圓W的邊緣部區域之蝕刻特性對於晶圓W的中心部被相對地調整，能夠使晶圓W的面內蝕刻特性變得均等。
又，因藉由圖9所示的氣體供給裝置201，亦可與圖7所示的氣體供給裝置201之情況同樣地，附加氣體是經由附加氣體供給配管208，由附加氣體導入部330b直接供給至處理室110內，所以對第1、第2分歧配管204、206內的壓力不會造成影響。因此，在供給附加氣體前後，流動於第1、第2分歧配管204、206內的第1、第2處理氣體之流量比(分流比)也不會失衡，所以，能夠達到期望的面內均等性。
作為其他的構成例，例如亦可藉由直徑不同的2個第2環狀隔壁構件326，將第1緩衝室332區劃成3個空間，將內側與外側作為處理氣體緩衝室332a，將內側與外側之中間作為附加氣體緩衝室332b，藉此，將第1氣體導入部330的內側與外側作為處理氣體導入部330a，將其中間作為附加氣體導入部330b。
再者，在前述第1、第2實施形態，針對來自於處理氣體供給手段210的處理氣體，由處理氣體供給配管202雙分歧成第1、第2分歧配管204、206，分別連接於第1、第2氣體導入部330、340之結構的情況進行了說明，但，並不限於此結構，亦可由處理氣體供給配管202分歧成3個以上之分歧配管，分別連接於3個以上之氣體導入部的結構。
即，亦可作成下述結構，即，當將分器配管的數量設為n時，則具備有第1至第n分歧配管，這些分歧配管試由處理氣體供給配管202分歧且分別連接於由前述處理室內的不同部位導入氣體的第1至第n氣體導入部，分流量調整手段230是根據第1至第n分歧流路內的壓力，調整由處理氣體供給配管202分流於第1至第n分歧流路之處理氣體的分流量。在此情況，第1至第n氣體導入部中之至少一個氣體導入部是分成，用來由分歧流路將處理氣體導入至處理室之處理氣體導入部；與用來將施加於此處理氣體之附加氣體由附加氣體供給流路導入至處理室內之附加氣體導入部而構成的。藉此，晶圓W上的區域被分成第1區域至第n區域，由第1至第n氣體導入部將氣體導入至各區域，能夠更細微地控制面內均等性。
以上，參照圖面說明了本發明之理想實施形態，但本發明不限於以上實施形態。若為該業者的話，在申請專利範圍所記載之範圍內，可明白想到各種的變更例或修正例，關於這些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。
例如，在前述實施形態，舉出藉由壓力調整部調整處理氣體用分歧配管的分流量之情況為例進行了說明，但不限於此，亦可使用質量流量控制器，來調整處理氣體用分歧配管的分流量。又，說明了作為基板處理裝置，適用於電漿蝕刻裝置之情況，但亦可將本發明適用於供給處理氣體之其他基板處理裝置例如電漿CVD裝置、濺鍍裝置、熱氧化裝置等的成膜裝置。且，本發明亦適用於作為被處理基板，除了晶圓以外之平面顯示器(FPD)、光罩用光罩網(mask reticle)等的其他基板處理裝置或微機電系統(MEMS；Micro－Electro－Mechanical Systems)製造裝置。
〔產業上的利用可能性〕
本發明可適用於對處理室內供給氣體之氣體供給裝置、基板處理裝置、氣體供給方法。
100．．．基板處理裝置
101．．．基板處理裝置
110．．．處理室
111．．．接地導體
112．．．絕緣板
114．．．承受器支承台
116．．．承受器
118．．．靜電夾
120．．．電極
122．．．直流電源
124．．．聚焦環
126．．．內壁構件
128．．．冷媒室
130a、130b．．．配管
132．．．氣體供給管
146．．．整合器
148．．．上部供電棒
150．．．連接器
152．．．供電筒
156．．．絕緣構件
170．．．下部供電筒
172．．．可變電容器
174．．．排氣口
176．．．排氣管
178．．．排氣裝置
180．．．整合器
184．．．低通濾波器
186．．．高通濾波器
200．．．氣體供給裝置
201．．．氣體供給裝置
202．．．處理氣體供給配管
204．．．第1分歧配管
206．．．第2分歧配管
208．．．附加氣體供給配管
210．．．處理氣體供給手段
212a~212c．．．氣體供給源
214a~214c．．．質量流量控制器
220．．．附加氣體供給手段
222a、222b．．．氣體供給源
224a、224b．．．質量流量控制器
230．．．分流量調整手段
232、234．．．壓力調整部
232a、234a．．．壓力感測器
232b、234b．．．閥
240．．．壓力控制器
302．．．內側上部電極
304．．．外側上部電極
306．．．介電質
308．．．絕緣性遮蔽構件
310．．．電極板
312．．．氣體噴出孔
320．．．電極支承體
322．．．緩衝室
330．．．第1氣體導入部
330a．．．處理氣體導入部
330b．．．附加氣體導入部
332a．．．處理氣體緩衝室
332b．．．附加氣體緩衝室
340．．．第2氣體導入部
340a．．．處理氣體導入部
340b．．．附加氣體導入部
342a．．．處理氣體緩衝室
342b．．．附加氣體緩衝室
400．．．控制部
410．．．CPU
420．．．RAM
430．．．顯示手段
440．．．操作手段
450．．．記憶手段
460．．．界面
W．．．晶圓
圖1是顯示本發明的第1實施形態之基板處理裝置的構成例之斷面圖。
圖2是顯示同實施形態之內側上部電極的橫斷面圖。
圖3是顯示同實施形態的氣體供給裝置之構成例的方塊圖。
圖4是顯示同實施形態的控制部之構成例的方塊圖。
圖5是顯示同實施形態之基板處理裝置的處理一例之流程。
圖6是顯示同實施形態之氣體處理裝置的其他構成例之方塊圖。
圖7是顯示本發明的第2實施形態之基板處理裝置的氣體供給裝置的構成例之方塊圖。
圖8是顯示同實施形態之內側上部電極的橫斷面圖。
圖9是顯示同實施形態之氣體處理裝置的其他構成例之方塊圖。
100．．．基板處理裝置
110．．．處理室
111．．．接地導體
112．．．絕緣板
114．．．承受器支承台
116．．．承受器
118．．．靜電夾
120．．．電極
122．．．直流電源
124．．．聚焦環
126．．．內壁構件
128．．．冷媒室
130a、130b．．．配管
132．．．氣體供給管
146．．．整合器
148．．．上部供電棒
150．．．連接器
152．．．供電筒
154．．．第1高頻電源
156．．．絕緣構件
170．．．下部供電筒
172．．．可變電容器
174．．．排氣口
176．．．排氣管
178．．．排氣裝置
180．．．整合器
182．．．第2高頻電源
184．．．低通濾波器
186．．．高通濾波器
200．．．氣體供給裝置
202．．．處理氣體供給配管
204．．．第1分歧配管
206．．．第2分歧配管
208．．．附加氣體供給配管
210．．．處理氣體供給手段
220．．．附加氣體供給手段
230．．．分流量調整手段
300．．．上部電極
302．．．內側上部電極
304．．．外側上部電極
306．．．介電質
308．．．絕緣性遮蔽構件
310．．．電極板
312．．．氣體噴出孔
320．．．電極支承體
322．．．緩衝室
324．．．第1環狀隔壁構件
326．．．第2環狀隔壁構件
330．．．第1氣體導入部
340．．．第2氣體導入部
400．．．控制部W晶圓
PS．．．電漿產生空間

Claims (15)

  1. 一種氣體供給裝置，是用來對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室的不同部位導入氣體的第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體供給裝置，其中，前述附加氣體導入部是將加至由前述處理氣體導入部導入至 前述處理室內的處理氣體之附加氣體導入至前述處理室內。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，前述第2氣體導入部配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，前述第2氣體導入部是分成前述處理氣體導入部與前述附加氣體導入部而構成的，前述處理氣體導入部是配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，並且前述附加氣體導入部是配置成包圍前述處理氣體導入部之外側。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，設置有控制手段，其是在進行前述被處理基板處理前，藉由前述處理氣體供給手段開始供給處理氣體，並且藉由前述附加氣體供給手段開始供給附加氣體，對前述分流量調整手段執行「調整分流量，使前述各分歧流路內的壓力比成為目標壓力比」之壓力比控制。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，前述第1氣體導入部是配設成，朝前述處理室內的被處理基板表面上之中心部區域導入氣體，前述第2氣體導入部配設成，朝包圍前述被處理基板表面上的中心部區域之周邊部區域導入氣體。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，前述分流量調整手段是具備用來調整流動於前述各分歧流路之處理氣體的流量之閥；與用來測定前述各分歧流 路內之壓力的壓力感測器，藉由依據來自於前述各壓力感測器的檢測壓力，調整前述閥的開閉度，來調整來自於前述處理氣體供給流路的處理氣體之流量比。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，前述處理氣體供給手段是具備複數個氣體供給源，由前述各氣體供給源，將以預定流量所混合的處理氣體供給至前述處理氣體供給流路。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之氣體供給裝置，其中，前述附加氣體供給手段是具備複數個氣體供給源，將由前述各氣體供給源所選擇或以預定的氣體流量比所混合的附加氣體供給至前述附加氣體供給流路。
  9. 一種氣體供給裝置，是對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是用來供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1至第n分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室內的不同部位導入氣體之第1至第n氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1至第n分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述各第1至第n分歧流路之處理氣體的分流量； 附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1至第n氣體導入部中之至少一個氣體導入部是分成，用來將處理氣體由前述分歧流路導入至前述處理室之處理氣體導入部；與用來將加至此處理氣體之附加氣體由附加氣體供給流路導入至前述處理室內之附加氣體導入部分加以構成的。
  10. 一種氣體供給裝置，是對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置，其特徵為：具備：處理氣體供給手段，其是用來供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；複數個分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室內的複數個部位導入氣體之複數個氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述各分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述各分歧流路之處理氣體的分流量；以及附加氣體供給手段，其是用來供給預定的附加氣體，前述複數個氣體導入部中之至少一個氣體導入部是分成，用來將處理氣體由前述分歧流路導入至前述處理室之處理氣體導入部；與用來將加至此處理氣體之附加氣體由 附加氣體供給流路導入至前述處理室內之附加氣體導入部分加以構成的。
  11. 一種基板處理裝置，是具備有：處理被處理基板之處理室；與對此處理室內供給氣體的氣體供給裝置之基板處理裝置，其特徵為：前述氣體供給裝置是具備：第1、第2氣體導入部，這些氣體導入部是由前述處理室內的不同部位導入氣體；處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於前述第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量；附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中， 前述附加氣體導入部是將加至由前述處理氣體導入部導入至前述處理室內的處理氣體之附加氣體導入至前述處理室內。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理裝置，其中，前述第2氣體導入部配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，前述第2氣體導入部是分成前述處理氣體導入部與前述附加氣體導入部而構成的，前述處理氣體導入部是配置成包圍前述第1氣體導入部的外側，並且前述附加氣體導入部是配置成包圍前述處理氣體導入部之外側。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理裝置，其中，設置有控制手段，其是在進行前述被處理基板處理前，藉由前述處理氣體供給手段開始供給處理氣體，並且藉由前述附加氣體供給手段開始供給附加氣體，對前述分流量調整手段執行「調整分流量，使前述各分歧流路內的壓力比成為目標壓力比」之壓力比控制。
  15. 一種氣體供給方法，是使用對處理被處理基板的處理室內供給氣體之氣體供給裝置的氣體供給方法，其特徵為：前述氣體供給裝置是具備有：處理氣體供給手段，其是供給處理前述被處理基板的處理氣體；處理氣體供給流路，其是供來自於前述處理氣體供給 手段的處理氣體流動；第1、第2分歧流路，這些流路是由前述處理氣體供給流路分歧，分別連接於由前述處理室的不同部位導入氣體的第1、第2氣體導入部；分流量調整手段，其是根據前述第1、第2分歧流路內的壓力，來調整由前述處理氣體供給流路分流於前述第1、第2分歧流路之處理氣體的分流量，附加氣體供給手段，其是供給預定的附加氣體；以及附加氣體供給流路，其是供來自於前述附加氣體供給手段之附加氣體流動，前述第1、第2氣體導入部中的任一方是分成，連接前述分歧流路之處理氣體導入部；與連接前述附加氣體供給流路之附加氣體導入部，此氣體供給方法是具有下述製程：在進行前述被處理基板的處理之前，藉由前述處理氣體供給手段，開始供給處理氣體，並且藉由前述附加氣體供給手段，開始供給附加氣體之製程；及藉由前述處理氣體供給手段，供給處理氣體，對前述分流量調整手段，執行「調整分流量，使前述各分歧流路內的壓力比成為目標壓力比」之壓力比控制的製程。
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