CN100495754C

CN100495754C - 电子设备及其制造方法

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Publication number: CN100495754C
Application number: CN200610058368.9A
Authority: CN
Inventors: 远池健一; 宫崎雅弘; 野口隆男; 山崎宽史; 海野健; 佐佐木宏文
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-06-13
Filing date: 2006-03-03
Publication date: 2009-06-03
Anticipated expiration: 2026-03-03
Also published as: CN1881639A

Abstract

本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。

Description

电子设备及其制造方法

技术领域

本发明涉及具有层积结构的电子设备及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，例如在日本特开2003-229611号公报等中揭示有作为该技术领域中的电子设备之一的薄膜压电体元件。在制造该公报中所述的薄膜压电体元件时，首先，准备两块硅基板，在各硅基板的表面、在(200)面上形成优先取向的MgO膜。接着，在形成有该MgO膜的各硅基板上，顺次层积第一电极膜、压电体膜、第二电极膜，制作两块层积基板。而且，使这些层积基板的电极膜彼此相对并由粘接剂进行粘合，首先蚀刻去除仅一方的硅基板。然后，通过干式蚀刻等成形为规定的元件形状，并且在树脂涂层后，对另一方的硅基板进行蚀刻去除，完成上述薄膜压电体元件的制作。其中，在日本特开2002-164586号公报、日本特开2001-313429号公报、日本特开平11-312801号公报、日本特开3310881号公报等中也有相关的记载。

但是，在上述现有技术的电子设备中，存在下述问题。即，在蚀刻去除第二块基板的工序中，蚀刻液有可能从由涂层树脂(保护膜)和电极膜或者压电体膜所构成的层积体的接合部分浸入。在该蚀刻液浸入到压电体膜的情况下，压电体膜溶解，制作的压电体元件的特性显著下降。而且，伴随着还会产生电子设备的成品率下降以及生产性下降等问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出，其目的在于提供一种能够提高特性的电子设备及其制造方法。

本发明的电子设备的制造方法的特征在于：是使用蚀刻液，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将基板去除的电子设备的制造方法，包括：在基板上形成包含第一薄膜，以及在第一薄膜上形成的、比第一薄膜更容易溶解于蚀刻液的第二薄膜的层积体的步骤；形成覆盖层积体的保护膜的步骤；以及使用蚀刻液，将基板从层积基板去除的步骤，其中，在成膜层积体时，形成第二薄膜，使第二薄膜的外缘与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

在该电子设备的制造方法中，在层积体的第一薄膜上形成的第二薄膜的外缘，与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。因此，从层积基板去除基板时，在蚀刻液浸入保护膜与层积膜之间的情况下，在第二薄膜的外缘位于第一薄膜的外缘的内侧的外缘部分，蚀刻液在到达第二薄膜之前就会迂回到第一薄膜。就是说，蚀刻液到达第二薄膜的路径会因第一薄膜而有意地延长。这里，在现有技术的电子设备的制造方法中，由于是第一薄膜与第二薄膜的外缘大体一致而制作，所以蚀刻液就不迂回第一薄膜，而是直接到达第二薄膜。所以，在本发明的电子设备的制造方法中，通过延长蚀刻液到达第二薄膜的路径，能够使蚀刻液难以到达第二薄膜。由此，能够有意地抑制第二薄膜的溶解，实现制作的电子设备的性能的提高。而且，通过回避第二薄膜的溶解，还能够提高该电子设备的成品率和生产性。其中，在本发明的成膜中，不仅包含在规定的基板上堆积膜材料而形成膜的处理，而且也包含形成膜之后对该膜进行成形(图案化)的处理。

本发明的电子设备的制造方法的特征在于：是使用包含液体的研磨剂，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将基板去除的电子设备的制造方法，包括：在基板上形成包含第一薄膜，以及在第一薄膜上形成的、比第一薄膜更容易溶解于研磨剂的第二薄膜的层积体的步骤；形成覆盖层积体的保护膜的步骤；以及使用研磨剂，将基板从层积基板去除的步骤，其中，在成膜层积体时，成形第二薄膜，使第二薄膜的外缘与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

在该电子设备的制造方法中，在层积体的第一薄膜上形成的第二薄膜的外缘，与所述第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。因此，在从层积基板去除基板时，在研磨剂浸入保护膜与层积膜之间的情况下，在第二薄膜的外缘位于第一薄膜的外缘的内侧的外缘部分，研磨剂在到达第二薄膜之前就会迂回第一薄膜。就是说，研磨剂到达第二薄膜的路径会因第一薄膜而有意地延长。这里，在现有技术的电子设备的制造方法中，由于是第一薄膜与第二薄膜的外缘大体一致而制作，所以研磨剂并不迂回第一薄膜，而是直接到达第二薄膜。所以，在本发明的电子设备的制造方法中，通过延长研磨剂到达第二薄膜的路径，而能够使研磨剂难以到达第二薄膜。由此，能够有意地抑制第二薄膜的溶解，实现制作的电子设备的性能的提高。而且，通过回避第二薄膜的溶解，还能够提高该电子设备的成品率以及生产性。

此外，优选在成膜所述层积体时，形成所述第二薄膜，使第二薄膜的外缘与第一薄膜的全部的外缘相比为内侧。在这种情况下，由于在第二薄膜的全部外缘部分，蚀刻液或研磨剂在到达第二薄膜之前会迂回第一薄膜，所以电子设备的第二薄膜就更难以溶解。

而且，优选层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，第一薄膜是一方的电极膜，且第二薄膜是压电体膜。而且，优选层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，且包括在一对电极膜中的距离基板近的一侧的电极膜与基板之间存在的氧化物膜，第一薄膜是氧化物膜，且第二薄膜是压电体膜。在这些情况下，能够有意地抑制第二薄膜的压电体被蚀刻液的溶解，得到压电特性优异的压电设备。

而且，优选在形成保护膜时，是将保护膜分为多次而形成。在这种情况下，由于在第二次以后的保护膜的形成中能够调整保护膜的大小，或者变更保护膜的材料，所以能够实现保护膜的多样化。

本发明的电子设备的特征在于：是使用蚀刻液，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将基板去除而得到的电子设备，其特征在于：层积体的一方的面以及侧面由保护膜所覆盖，另一方的面从保护膜露出，且包括第一薄膜，以及位于第一薄膜的一方的面、比第一薄膜更容易溶解于蚀刻液的第二薄膜，第二薄膜的外缘与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

在该电子设备中，位于层积体的第一薄膜的一方的面的第二薄膜的外缘，与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。因此，从层积基板去除基板时，在蚀刻液浸入保护膜与层积膜之间的情况下，在第二薄膜的外缘位于第一薄膜的外缘的内侧的外缘部分，蚀刻液在到达第二薄膜之前会迂回第一薄膜。就是说，蚀刻液到达第二薄膜的路径会因第一薄膜而有意地延长。这里，在现有技术的电子设备的制造方法中，由于是第一薄膜与第二薄膜的外缘大体一致而制作，所以蚀刻液不会迂回第一薄膜，而是直接到达第二薄膜。所以，在本发明的电子设备的制造方法中，通过延长蚀刻液到达第二薄膜的路径，而能够得到使蚀刻液难以到达第二薄膜的结构。由此，能够有意地抑制第二薄膜的溶解，得到具有优异特性的电子设备。而且，通过避免第二薄膜的溶解，还能够提高该电子设备的成品率和生产性。

本发明的电子设备的特征在于：是使用包含液体的研磨剂，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除而得到的电子设备。层积体的一方的面以及侧面由保护膜所覆盖，另一方的面从保护膜露出，且包括第一薄膜，以及位于所述第一薄膜的所述一方的面一侧、比第一薄膜更容易溶解于研磨剂的第二薄膜，第二薄膜的外缘与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

在该电子设备中，位于层积体的第一薄膜的一方的面的第二薄膜的外缘，与第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。因此，从层积基板去除基板时，在研磨剂浸入保护膜与层积膜之间的情况下，在第二薄膜的外缘位于第一薄膜的外缘的内侧的外缘部分，研磨剂在到达第二薄膜之前会迂回第一薄膜。就是说，研磨剂到达第二薄膜的路径会因第一薄膜而有意地延长。这里，在现有技术的电子设备的制造方法中，由于是第一薄膜与第二薄膜的外缘大体一致而制作，所以研磨剂就不会迂回第一薄膜，而是直接到达第二薄膜。所以，在本发明的电子设备的制造方法中，通过延长研磨剂到达第二薄膜的路径，而能够得到使研磨剂难以到达第二薄膜的结构。由此，能够有意地抑制第二薄膜的溶解，得到具有优异特性的电子设备。而且，通过避免第二薄膜的溶解，还能够提高该电子设备的成品率和生产性。

而且，优选第二薄膜的外缘与第一薄膜的全部的外缘相比为内侧。在这种情况下，由于在第二薄膜的全部外缘部分，蚀刻液或研磨剂在到达第二薄膜之前就会迂回第一薄膜，所以电子设备的第二薄膜就更难以溶解。

而且，优选层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，第一薄膜是一方的电极膜，且第二薄膜是压电体膜。而且，优选层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，且包括在一对的电极膜中距基板近的一侧的电极膜与基板之间存在的氧化物膜，第一薄膜是氧化物膜，且第二薄膜是压电体膜。在这些情况下，能够有意抑制第二薄膜的压电体被蚀刻液的溶解，得到压电特性优异的压电设备。

而且，优选保护膜是由多层保护膜所构成。在这种情况下，由于能够容易地变更保护膜的大小及构成材料，所以能够实现保护膜的多样化。

附图说明

图1是表示制作本发明实施方式的压电设备中所使用的薄膜制作装置的概略结构图。

图2是表示制作本发明第一实施方式的压电设备顺序的前期阶段的图。

图3是表示制作本发明第一实施方式的压电设备顺序的后期阶段的图。

图4是本发明第一实施方式的压电设备的主要部分的放大图。

图5是表示与图4不同形式的压电设备的图。

图6是表示制作本发明第二实施方式的压电设备顺序的后期阶段的图。

图7是本发明第二实施方式的压电设备的主要部分的放大图。

图8是表示与图7不同形式的压电设备的图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的电子设备及其制造方法的实施方式进行详细说明。其中，对同一或者同等的要素标注相同的符号，并在说明重复的情况下省略其说明。

在本发明的实施方式中，以作为电子设备之一的压电设备为例进行说明。

(第一实施方式)

首先，参照图1，对在该压电设备的制作中所使用的制造装置(沉积装置)进行说明。

如图1所示，沉积装置10具有真空槽12，通过排气装置12a将该真空槽12抽成真空。在真空槽12内的下部，配置有保持单晶硅基板14的固定器16。该固定器16通过旋转轴18连接于马达20，通过该马达20的旋转而能够使所述单晶硅基板14在其基板面内旋转。此外，在所述固定器16内，内置有对单晶硅基板14进行加热的加热器22。

在固定器16的下方，配置有Zr蒸发部24、Y蒸发部26、Pt蒸发部28、Pb蒸发部30、Ti蒸发部32、以及La蒸发部34。在这些蒸发部24、26、28、30、32、34上，除了配置各自的金属源之外，还配置有用于向金属源供给蒸发用能量的能量供给装置(电子射线发生装置，电阻加热装置等)。

此外，在蒸发部24、26、28、30、32、34和固定器16之间设置有环状的RF天线36，以包围从蒸发部24、26、28、30、32、34放出的沉积材料的放出路径(route)。此外，沉积装置10设置有供给氧化性气体的气体供给装置38，该气体供给装置38的供给口38a紧接所述固定器16的下方而配置。因此，氧化性气体在单晶硅基板14附近其分压变高。通过这些RF天线36与气体供给装置38的协同动作，而可以制作出氧化等离子体的环境，由此实现高精度的成膜处理。其中，作为该成膜处理中所使用的氧化性气体，例如有氧气、臭氧、原子状态的氧、NO₂等。

接着，参照图2及图3，对使用上述沉积装置10来制作第一实施方式的压电设备的顺序进行说明。

首先，以使(100)面露出的基板表面14a向下的方式将单晶硅基板14设置在沉积装置10的固定器16上。这里，优选使用镜面加工的晶片对基板表面14a进行蚀刻清洗。该蚀刻清洗可以通过40％的氟化铵水溶液等来实现。此外，由于清洗后的单晶硅基板14的反应性极高，所以优选实施规定的表面处理，以保护其不受再配列及污染。

接着，在单晶硅基板14的基板表面14a上，顺次外延生长厚度为0.01μm的ZrO₂膜40A与厚度为0.04μm的Y₂O₃膜42A而形成氧化物膜44A(参照图2的(a)部分)。这里，ZrO₂膜40A是由二氧化锆(ZrO₂)构成的外延膜，Y₂O₃膜42A是由三氧化二钇(Y₂O₃)构成的外延膜。更具体地说，在由上述RF天线36与气体供给装置38的协同动作而得到氧化等离子体的环境下，向加热到400℃以上的单晶硅基板14的表面14a，由Zr蒸发部24供给Zr、由Y蒸发部26供给Y，而形成ZrO₂膜40A与Y₂O₃膜42A。这样，外延成长的ZrO₂膜40A的成长面成为(001)面，外延成长的Y₂O₃膜42A的成长面成为(100)面。

其中，在基板面积为10cm²以上、例如在直径为2英寸的较大的单晶硅基板面积上成膜的情况下，通过由马达20旋转单晶硅基板14，而能够在基板整个表面供给较高的氧分压，能够制作大面积的膜。此时，优选基板的旋转速度为10rpm以上。这是因为若转速低，则会在基板内形成膜厚的分布。该基板的旋转速度没有特别的上限，通常在真空装置机构中120rpm左右。

接着，在氧化物膜44A上外延生长厚度为0.2μm的电极膜(第一薄膜)46A(参照图2的(b)部分)。更具体地说，在上述氧等离子体环境下，由Pt蒸发部28向单晶硅基板14的上面供给Pt，形成由Pt构成的电极膜46A。这样外延生长的电极膜46A，在<100>方向上取向。

而且，在电极膜46A上，顺次外延生长厚度为0.02μm的PLT膜48A以及厚度为2.5μm的PZT膜50A，形成压电体膜(第二薄膜)52A。这里，PLT膜48A是由搀杂La的钛酸铅(PLT)构成的外延膜，PZT膜50A是由钛酸锆酸铅(PZT)构成的外延膜。更具体地说，在上述氧等离子体环境下，向单晶硅基板14的上面，有选择地由Ti蒸发部32供给Ti、由Pb蒸发部30供给Pb、由La蒸发部34供给La、由Zr蒸发部24供给Zr，形成PLT膜48A以及PZT膜50A。这些PLT膜48A以及PZT膜50A，其成长方向(厚度方向)都是<001>方向，c面单一取向。即，该压电体膜52A成为钙钛矿(ペロブスカイト：perovskite)型的压电体膜。

接着，在压电体膜52A上外延生长厚度为0.2μm的电极膜54A(参照图2的(c)部分)。更具体地说，在上述氧等离子体环境下，由Pt蒸发部28向单晶硅基板14的上面供给Pt，形成由Pt构成的电极膜54A。

如上所述，完成在单晶硅基板14上顺次层积氧化物膜44A、电极膜46A、压电体膜52A、以及电极膜54A的第一基板56A的制作。此外，准备一块与该第一基板56A相同的基板(第二基板56B)。即，该第二基板56B是在单晶硅基板14上顺次层积与第一基板56A的氧化物膜44A、电极膜46A、压电体膜52A、以及电极膜54A分别对应的氧化物膜44B(ZrO₂膜40B，Y₂O₃膜42B)、电极膜46B、压电体膜52B(PLT膜48B、PZT膜50B)、以及电极膜54B。

然后，从制造装置10中取出第一以及第二基板56A、56B，以作为第一基板56A最上层膜的电极膜54A与作为第二基板56B最上层膜的电极膜54B相重合的方式，通过粘接剂来接合第一基板56A与第二基板56B(参照图2的(d)部分)。

然后，由氢氧化钾等碱性溶液、氟酸、氟硝酸等蚀刻液将一个面的单晶硅基板14去除(参照图2的(e)部分)。由此，得到以粘接剂膜58为中心，顺次并列电极膜54A、54B，压电体膜52A、52B，电极膜46A、46B，氧化物膜44A、44B的层积体60，与在该层积体60的一个面60a(以下称为基板面)上贴附有单晶硅基板14的层积基板61。就是说，层积体60具有两组在电极膜对(电极膜46A与电极膜54A一对，电极膜46B与电极膜54B的对)之间存在压电体膜52A、52B的层积结构。

接着，使用公知光刻法(photolithography)技术，对层积基板61(即形成层积体60的单晶硅基板14)进行从最上层的ZrO₂膜40B到PLT膜48A的图案形成(参照图3的(a)部分)，以与后述的压电设备74相对应。通过该图案形成来确定压电体膜52A的外缘。而且，相对于由图案形成所分离的各层积体60的部分，与该图案形成一起而分别形成三个到达电极膜54A、电极膜46B、以及电极膜54B的孔70A、70B、70C。

接着，对于由图案形成所分离的各个层积体60的部分，与上述图案形成同样，对电极膜46A以及氧化物膜44A进行图案形成(参照图3的(b)部分)。该图案形成，使电极膜46A以及氧化物膜44A的全部的外缘，仅规定的宽度d比压电体膜52A的全部外缘更位于外侧。由这样的图案形成，使应该成为压电设备74的各层积体60完全在基板14上分离。而且，与该图案形成一起，在各个层积体60中，孔70A延伸到达电极膜46A，同时在孔70C的底面形成从电极膜54B延伸到电极膜54A的孔70D。

接着，在单晶硅基板14的整个表面上涂敷聚酰亚胺72，由聚酰亚胺(保护膜)72将各层积体60的上面以及侧面一体覆盖，同时，在各层积体60的孔70A～70D中填充聚酰亚胺72(参照图3的(c)部分)。然后，进行聚酰亚胺72的图案形成，确定与各层积体60相对应的聚酰亚胺72的外缘(参照图3的(d)部分)。此时，通过比孔70A～70C稍小的尺寸将孔70A～70C内的聚酰亚胺72蚀刻去除，得到内侧面由聚酰亚胺72所覆盖的孔70A～70C和内侧面露出的孔70D。

接着，在各层积体60中，在内侧面由聚酰亚胺72所覆盖的孔70A～70D中分别填充金(Au)，形成三个通路V1、V2、V3(参照图3的(e)部分)。就是说，通路V1延伸到电极膜46A，通路V2延伸到电极膜46B。而且，通路V1与通路V2在聚酰亚胺72的上面连接，由通路V1与通路V2使电极膜46A与电极膜46B电气连接。而且，通路V3延伸到电极膜54A，由于孔70D的内侧面未被聚酰亚胺72覆盖，所以由通路V3使电极膜54A与电极膜54B电气连接。

最后，由氢氧化钾等碱性溶液、氟酸、氟硝酸等蚀刻液将残留的单晶硅基板14去除(参照图3的(f)部分)。由此，得到一个面(即基板面60a的相反面60b)以及侧面60c被聚酰亚胺72所覆盖、而另一个面(即基板面60a)露出的层积体60从单晶硅基板14分离的压电设备74。其中，在使用该压电设备74时，通过通路V1与通路V2，交流电源的一个接头与电极膜46A以及电极膜46B相连接，而另一接头则通过通路V3与电极膜54A以及电极膜54B相连接。

接着，参照图4，对在制作压电设备74时、蚀刻去除上述第二块单晶硅基板14的工序进行详细说明。

在层积体60从单晶硅基板14分离时，单晶硅基板14，从形成层积体60的面14a相反一侧浸入蚀刻液。更具体地说，使用两面胶，将由聚酰亚胺72所覆盖、形成有通路V1、V2、V3的层积基板61以其上面61a与基底材料相对的方式而贴附在氯化乙烯等基底材料(未图示)上，密封该层积基板61的周围，全体浸入蚀刻液。此时，蚀刻液从层积体60的基板面60a中的聚酰亚胺72与层积体60的接合部分浸入，发生压电体膜52A溶解的情况，但由发明者做了确认。

因此，在压电设备74中，与对蚀刻液的耐溶解性比压电体膜52A高的电极膜46A的外缘R2相比，使压电体膜52A的外缘R1成为内侧来制作。因此，在蚀刻液从聚酰亚胺72与层积体60之间浸入的情况下，该蚀刻液通过很大迂回电极膜46A的路径A。另一方面，在电极膜46A的外缘与压电体膜52A的外缘大体一致而制作的现有技术的压电设备中，蚀刻液不迂回电极膜46A，而是直线地直接通过到达压电体膜52A的路径B。就是说，在压电设备74中，蚀刻液到达压电体膜52A的路径，因电极膜46A而有意地延长，与现有技术的压电设备相比，蚀刻液难以到达压电体膜52A。因此，在该压电设备74中，能够有意地抑制压电体膜52A被蚀刻液溶解的情况的发生，与现有技术的压电设备相比，性能得到提高。而且，通过避免压电体膜52A的溶解，而能够提高压电设备74的成品率以及生产性。

其中，如上所述，在压电设备74中，由于压电体膜52A的全部的外缘R1与电极膜46A的外缘R2相比成为内侧，所以蚀刻液就更难以到达压电体膜52A。这里，如果压电体膜52A的外缘R1的至少一部分与电极膜46A的外缘R2相比成为内侧，则由于该外缘部分的蚀刻液会迂回电极膜46A，因此能够得到上述结果。但是，如果压电体膜52A的全部的外缘R1与电极膜46A的外缘R2相比成为内侧，当然能够取得更好的效果。

此外，压电体膜52A的外缘R1与电极膜46A的外缘R2之间的距离(宽度)d越长，当然蚀刻液也就越难以到达压电体膜52A，因此能够更高精度地控制压电体膜52A的溶解的情况的发生。因此，优选d的长度为氧化物膜44A的厚度(0.05μm)与电极膜46A的厚度(0.2μm)的总和厚度的10倍以上。而且，扩大电极膜46A而使距离d扩大的结果，在电极膜46A从聚酰亚胺72的形成区域露出的情况下，其露出部分的电极膜也可以由与聚酰亚胺72非一体的聚酰亚胺72A所覆盖(参照图5)。这样，通过采用两个聚酰亚胺72、72A，由于能够易于变更保护膜的大小及构成材料，所以能够实现保护膜的多样化。而且，在形成保护膜时，由于保护膜是分为多次而形成，所以在第二个以后的保护膜的形成中，能够调整保护膜的大小，能够变更保护膜的构成材料，所以能够实现保护膜的多样化。

(第二实施方式)

接着，参照图6，对第二实施方式中制作压电设备74B的顺序加以说明。

在第二实施方式中制作压电设备74B的情况下，也是以与第一实施方式同样的顺序来准备层积基板61。

然后，使用公知的光刻法技术，对层积基板61进行从最上层的ZrO₂膜40B到电极膜46B的图案形成(参照图6的(a)部分)，使得成为与后述压电设备74B相对应的尺寸。由该图案形成来确定压电体膜52A的外缘。而且，与该图案形成一起，对于由图案形成所分离的各个层积体60的部分，形成与第一实施方式同样的孔70A、70B、70C。

接着，对于由图案形成所分离的各个层积体60的部分，与上述图案形成同样，对氧化物膜44A(第一薄膜)进行图案形成(参照图6的(b)部分)。该图案形成，使氧化物膜44A的全部的外缘，仅规定的宽度d比压电体膜52A的全部外缘更位于外侧。由这样的图案形成，使应该成为压电设备74B的各层积体60完全在基板14上分离。而且，与该图案形成一起，在各个层积体60中，孔70A延伸到达电极膜46A，同时，在孔70C的底面形成从电极膜54B延伸到电极膜54A的孔70D。

其后，按照与第一实施方式同样的顺序，进行聚酰亚胺72的涂敷(参照图6的(c)部分)，聚酰亚胺72的图案形成(参照图6的(d)部分)，通路V1、V2、V3的形成(参照图6的(e)部分)，以及单晶硅基板14的去除(参照图6的(f)部分)，完成压电设备74B的制作。由以上的制造方法的说明可知，该压电设备74B，仅对于压电体膜46A，与第一实施方式的压电设备74不同。

接着，对在制作压电设备74B时，蚀刻去除上述第二块单晶硅基板14的工序，参照图7进行详细说明。

在第二实施方式中，层积体60从单晶硅基板14的分离是由与第一实施方式同样的方法而进行的。而且，在第二实施方式的压电设备74B中，与对蚀刻液的耐溶解性比压电体膜52A高的氧化物膜44A的外缘R3相比，以压电体膜52A的外缘R1成为内侧的方式而制作。因此，在蚀刻液从聚酰亚胺72与层积体60之间浸入的情况下，该蚀刻液通过很大迂回氧化物膜44A的路径A′。另一方面，在氧化物膜44A的外缘与压电体膜52A的外缘大体一致而制作的现有技术的压电设备中，蚀刻液不迂回氧化物膜44A，而是直线地直接通过到达压电体膜52A的路径B′。即，在压电设备74B中，蚀刻液到达压电体膜52A的路径，因氧化物膜44A而被有意地延长，与现有技术的压电设备相比，蚀刻液难以到达压电体膜52A。因此，在该压电设备74B中，也与上述压电设备74、74A同样，能够有意地抑制压电体膜52A被蚀刻液溶解的情况的发生，与现有技术的压电设备相比，性能得到提高。而且，通过避免压电体膜52A的溶解，能够提高压电设备74B的成品率以及生产性。

这里，发明者为了更详细地调查蚀刻液的浸入状况，进行了以下的实验。即，分别准备400个第二块单晶硅基板14蚀刻去除前的第一实施方式中的压电设备74(试样#2)、第二实施方式中的压电设备74B(试样#3)、以及现有技术的压电设备(试样#1)，使用上述蚀刻液对各压电设备中残留的SiC单晶进行蚀刻去除，之后，通过是否对压电体层蚀刻来调查蚀刻液的浸入，计算出蚀刻液未浸入的压电设备的比例(浸入防止率)。其结果示于以下的表1。

表1

	总样本数	未蚀刻样本数	浸入防止率(％)
	总样本数	未蚀刻样本数	浸入防止率(％)	试样#1	400	0	0.0
试样#2	400	232	58.0	试样#1	400	0	0.0
试样#2	400	232	58.0	试样#3	400	386	96.5

即，在现有技术的压电设备(试样#1)中，确认在全部的试样中存在蚀刻液的浸入。另一方面，在第一实施方式的压电设备74(试样#2)以及第二实施方式的压电设备74B(试样#3)中，确认未被蚀刻的试样分别为232个、386个。从该结果可知，如试样#2以及试样#3那样的，通过延长蚀刻液到达压电体膜的路径，与试样#1的现有技术的压电设备相比，能够明确地抑制蚀刻液的浸入。

而且，从表1可知，与压电设备74(试样#2)相比，压电设备74B(试样#3)能够防止蚀刻液的浸入。这被认为是由电极膜46A与氧化物膜44A对于聚酰亚胺72的紧密接合性不同所引起的。就是说，与电极膜46A对聚酰亚胺72的紧密接合强度相比，氧化物膜44A对聚酰亚胺72的紧密接合强度较高，其结果认为氧化物膜44A对聚酰亚胺72的紧密接合能够更有效地防止蚀刻液对压电设备74B的浸入。其中，在试样#3中，通过提高制作时的成膜工序以及图案形成工序的精度，以抑制设备的颗粒及损伤的影响，认为由此能够完全抑制蚀刻液的浸入。

所以，第二实施方式的压电设备74B，与第一实施方式的压电设备74、74A相比，能够更可靠地抑制压电体膜52A被蚀刻液的溶解。

其中，在压电设备74B中，如果氧化物膜44A的外缘R3的至少一部分比电极膜46A的外缘R1更为内侧，则由于该外缘部分的蚀刻液迂回电极膜46A，所以也能够得到上述效果。但是，如果压电体膜52A的全部外缘R1都比氧化物膜44A的外缘R3更为内侧，当然能够得到更好的效果。

而且，压电体膜52A的全部外缘R1与氧化物膜44A的外缘R3的距离(宽度)d越长，当然，由于蚀刻液越难以到达压电体膜52A，所以能够更高精度地抑制压电体膜52A的溶解。因此，第二实施方式的压电设备，也与第一实施方式的压电设备74A那样，可以是由与聚酰亚胺72非一体的聚酰亚胺72A所覆盖的压电设备74C(参照图8)。

本发明也不限于上述实施方式，可以进行各种变形。例如，电子设备也并不限于压电设备，也可以是具有介电体膜及导电体膜、半导体膜等功能薄膜的各种设备。而且，层积体的层数也不限于上述层数，可以在两层(第一薄膜及第二薄膜)以上的层数中适当地选择。

基板也不限于单晶硅基板，也可以是由与硅不同的材料所构成的单晶硅基板及多晶硅基板。去除基板所使用的液体，只要是与第一薄膜相比更容易溶解第二薄膜的液体，也不限于上述蚀刻液，例如，也可以是包含液体的研磨剂。保护膜也不限于聚酰亚胺，可以在对于所使用的蚀刻液具有高的耐蚀性的材料中选择。

电极膜的构成材料也不限于铂(Pt)，例如可以是包含由金(Au)、铱(Ir)、钯(Pd)、铑(Rh)、铜(Cu)所组成的金属群中的至少一种材料。而且，压电体膜也不限于上述结构，可以是由钛酸锶酸铅以及钛酸铅所构成的c面单一取向膜。而且，在薄膜压电元件的制作中，也可以采用其它的制造装置，例如可以使用溅射装置及MBE装置等。

在上述实施方式中，是对最终各自分离的电子设备(压电设备)的制造方法进行的说明，但也可以是，例如将图3(c)的部分及图36(c)的部分所示状态的层积基板，用粘接剂贴附于另外准备的基板，由此得到在该基板上多个排列的电子设备。

Claims

1.一种电子设备的制造方法，其特征在于：

是使用蚀刻液，从在基板上形成有应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除的电子设备的制造方法，包括：

在所述基板上形成包括第一薄膜，和在所述第一薄膜上形成的、比所述第一薄膜更容易溶解于所述蚀刻液的第二薄膜的所述层积体的步骤；

形成覆盖所述层积体的保护膜的步骤；和

使用所述蚀刻液，将所述基板从所述层积基板去除的步骤，其中，

在成膜所述层积体时，形成所述第二薄膜，使所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

2.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

在成膜所述层积体时，形成所述第二薄膜，使所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的全部的外缘相比为内侧。

3.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

所述层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，

所述第一薄膜是所述一对的电极膜中的距离所述基板近的一侧的所述电极膜，且所述第二薄膜是所述压电体膜。

4.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

所述层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，且包含在所述一对的电极膜中的距离所述基板近的一侧的所述电极膜与所述基板之间存在的氧化物膜，

所述第一薄膜是所述氧化物膜，且所述第二薄膜是所述压电体膜。

5.根据权利要求1所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

在形成所述保护膜时，是将所述保护膜分为多次而形成。

6.一种电子设备的制造方法，其特征在于：

是使用包含液体的研磨剂，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除的电子设备的制造方法，包括：

在所述基板上形成包括第一薄膜，和在所述第一薄膜上形成的、比所述第一薄膜更容易溶解于所述研磨剂的第二薄膜的所述层积体的步骤；

形成覆盖所述层积体的保护膜的步骤；和

使用所述研磨剂，将所述基板从所述层积基板去除的步骤，其中，

7.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

在成膜所述层积体时，成形所述第二薄膜，使所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的全部的外缘相比为内侧。

8.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

9.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

所述层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，且包含在所述一对的电极膜中的距所述基板近的一侧的所述电极膜与所述基板之间存在的氧化物膜，

10.根据权利要求6所述的电子设备的制造方法，其特征在于：

在形成所述保护膜时，是将所述保护膜分为多次而形成。

11.一种电子设备，其特征在于：

是使用蚀刻液，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除而得到的电子设备，所述层积体具有与所述基板相反的一侧的一方的面和所述基板侧的另一方的面，其中，

所述层积体的所述一方的面及侧面由保护膜所覆盖，所述另一方的面从所述保护膜露出，且包括第一薄膜，以及位于所述第一薄膜的所述一方的面一侧、比所述第一薄膜更容易溶解于所述蚀刻液的第二薄膜，

所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于：

所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的全部的外缘相比为内侧。

13.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于：

14.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于：

所述层积体包括在一对电极膜之间存在有压电体膜的层积结构，且包括在所述一对电极膜中的距离所述基板近的一侧的所述电极膜与所述基板之间存在的氧化物膜，

15.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于：

所述保护膜是由多层保护膜构成。

16.一种电子设备，其特征在于：

是使用包含液体的研磨剂，从在基板上形成应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除而得到的电子设备，所述层积体具有与所述基板相反的一侧的一方的面和所述基板侧的另一方的面，其中，

所述层积体的所述一方的面及侧面由保护膜所覆盖，所述另一方的面从所述保护膜露出，且包括第一薄膜，以及位于所述第一薄膜的所述一方的面一侧、比所述第一薄膜更容易溶解于所述研磨剂的第二薄膜，

17.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于：

18.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于：

19.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于：

20.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于：

所述保护膜是由多层保护膜构成。