TWI624665B - 離子感測電荷累積電路及方法 - Google Patents

離子感測電荷累積電路及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI624665B
TWI624665B TW106101966A TW106101966A TWI624665B TW I624665 B TWI624665 B TW I624665B TW 106101966 A TW106101966 A TW 106101966A TW 106101966 A TW106101966 A TW 106101966A TW I624665 B TWI624665 B TW I624665B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
charge
electrode
accumulation device
control
charge accumulation
Prior art date
Application number
TW106101966A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201712332A (en
Inventor
費佛基斯
Original Assignee
生命技術公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 生命技術公司 filed Critical 生命技術公司
Publication of TW201712332A publication Critical patent/TW201712332A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI624665B publication Critical patent/TWI624665B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28—Electrolytic cell components
    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/302—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells pH sensitive, e.g. quinhydron, antimony or hydrogen electrodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

一種離子感測電路，其包括一電荷累積裝置以及至少一控制與讀取電晶體，其中，電荷累積裝置係依據一流體之離子濃度而累積複數電荷封包，控制與讀取電晶體係依據累積之電荷封包而產生一輸出信號，其係表示溶液之離子濃度；電荷累積裝置可包括一第一電荷控制電極、一電性浮動閘極結構、一第二電荷控制電極、及一汲極擴散區域，其中，第一電荷控制電極係設置在第一電極半導體區域上，電性浮動閘極結構係設置在一閘極半導體區域上並位於一離子感測鈍化保護表面下方，第二電荷控制電極係設置在第二電極半導體區域上，第一控制電極可以控制依據一第一控制信號而進入一閘極半導體區域的電荷輸入，離子感測鈍化保護表面可以用來接收流體，第二電荷控制電極可以依據第二控制信號控制電荷封包的穿透率，以穿出閘極半導體區域並進入汲極擴散區域，汲極擴散區域可以經由第二電極半導體區域而從閘極半導體區域接收電荷封包。

Description

離子感測電荷累積電路及方法
本申請案主張2010年6月30日申請之美國臨時申請案第61/360,493號、2010年7月1日申請之美國臨時申請案第61/360,495號及2010年7月3日申請之美國臨時申請案第61/361,403號的優先權，其內容係以全文引用方式併入本文中。
依據目前的研究發現，電子裝置及元件在化學及生物學(通常稱為生命科學)上可以有許多種應用，特別是應用於偵測及測量各種生化反應及檢驗，以及偵測及測量各種化合物，其中之一是熟知的離子感測場效電晶體(ion-sensitive field effect transistor, ISFET，或稱pHFET)，其通常被大專院校及研究單位使用於測量溶液中的氫離子濃度(即pH值)。本說明書所述之化學感測器可以是離子感測場效電晶體、或其他可以執行相同功能之電晶體裝置。 一般而言，離子感測場效電晶體是一種阻抗轉換裝置，其操作方式與金氧半場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)相似，且其通常係用以選擇性測量溶液中的離子活性，例如可以將溶液中的氫離子視為分析物，有關於離子感測場效電晶體之操作的詳細理論可以參照博夫德發表的論文(Thirty years of ISFETOLOGY: what happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years,” P. Bergveld, Sens. Actuators, 88 (2003), pp. 1-20)，其係以全文納入本說明書之範圍。 另外，羅斯伯格等人在美國專利公開第2010/0301398號、第2010/0282617號及第2009/0026082號，亦揭露關於利用習知的互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)之製程來製造離子感測場效電晶體，其係以全文納入本說明書之範圍。除上述互補式金氧半導體之製程外，還可以使用雙載子金氧半導體(bipolar and CMOS, biCMOS)之製程，此製程會在一P型金氧半場效電晶體陣列的周圍形成雙載子結構。此外，當然可以應用其他科技，只要可以形成具有三端子裝置之感測元件即可，例如為鎵砷及奈米碳管技術，其中，被感測之離子可以導致一信號，以便控制三個端子其中之一。 以互補式金氧半導體為例，一種p型離子感測場效電晶體的製程可以於一p型矽基板上進行，其中，一n型井係形成於p型矽基板，以形成電晶體之基體，並且在n型井中形成高度p型(p+)摻雜區域S及D，以分別構成離子感測場效電晶體之源極與汲極，另外，在n型井中形成一高度n型(n+)摻雜區域B，以形成與n型井連接之導電基體(或基極)。然後，在源極、汲極與基極連接區域分別形成一氧化層，藉以形成一開口以便提供電性連接(經由電導體)至該些區域。另外，在氧化層上相對於n型井的位置係形成有一多晶矽閘極，其係介於源極與汲極之間，由於此氧化層係設置於多晶矽閘極與電晶體基體(如n型井)之間，所以其通常可以作為一閘極氧化層。 與金氧半場效電晶體的操作相似，離子感測場效電晶體的操作是基於由一金氧半導體電容所形成之電荷濃度調變(及通道傳導性)，此電容是由一多晶矽閘極、一閘極氧化層及介於源極與汲極之間的一井區域(如n型井)所構成；當施加一負電壓於閘極區域與源極區域之間時，可以消耗此區域中的電子以便在此區域與閘極氧化層之介面形成通道，以一n型井為例，所形成之通道為一p型通道，反之亦然。另外，在n型井中，所形成之p型通道係延伸於源極與汲極之間，因此當施加於閘極與源極之間的負電位差夠大時，可以吸引源極的電洞進入通道，藉以形成電流，此時，使得通道開始產生電流時的閘極與源極電位差係為電晶體之臨限電壓VTH (當閘極與源極電位差VGS 的絕對值大於臨限電壓VTH 時，電晶體會導電)，由於源極係作為通過通道之電荷載體(p型通道之電洞)的來源，所以被稱為源極，相同地，汲極係為電荷載體離開通道處。 依據羅斯伯格所述，離子感測場效電晶體可以具有一浮動閘極結構，其係利用連接多晶矽閘極與複數個金屬層而得，其中該等金屬層係設置於一個以上之設置在閘極氧化層之上的氧化層中；由於浮動閘極結構係與離子感測場效電晶體中的其他導體電性隔離，所以被稱為浮動閘極結構，另外，其係夾設於閘極氧化層與一鈍化保護層之間，其中，鈍化保護層係設置於浮動閘極之一金屬層(如上金屬層)上方。 另外，如羅斯伯格所揭露，離子感測場效電晶體之鈍化保護層可形成一離子感測膜，其係能夠提高裝置的離子靈敏度；若分析物與鈍化保護層接觸時，位於浮動閘極結構上方之一感測區域通常能夠改變離子感測場效電晶體之電性特性，因此可以調變通過離子感測場效電晶體之源極與汲極間之通道的電流，其中，分析物例如為分析物溶液中的離子，如一溶液中含有相關之分析物(含離子)，或一待測試溶液以測試是否存在相關之分析物。其中，鈍化保護層可包括任一種能夠對特定離子提高靈敏度之不同物質，例如鈍化保護層可包括氮化矽或氮氧化矽，或金屬氧化物如矽、鋁、或鉭氧化物，其通常能夠提高對分析物溶液中氫離子濃度(pH值)的靈敏度；相同地，若鈍化保護層中包括聚氯乙烯，其含有纈氨黴素，能夠提高對分析物溶液中鉀離子濃度的靈敏度。目前已知可以利用其他適當之物質來形成鈍化保護層，藉以提高對其他離子的靈敏度，如鈉離子、銀離子、鐵離子、溴離子、碘離子、鈣離子、及硝酸鹽離子等，當然，鈍化保護層以可以包含其他物質，如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物等。針對分析物溶液與鈍化保護層之介面所產生的化學反應而言，在離子感測場效電晶體之鈍化保護層中所加入之物質的表面可以具有化學基團，其可以用來提供質子給分析物溶液或接受分析物溶液所提供之質子，其可以在與分析物溶液相鄰之鈍化保護層的表面上，於任意時間提供負電荷、正電荷、或中性位置。 以離子靈敏度而言，在鈍化保護層與分析物溶液之間的固體/液體介面上會產生一電位差(通常稱為表面電位)，其係能夠利用其化學反應提供感測離子濃度之功能，其通常包含氧化物表面基團受到在感測區域附近之分析物溶液中的離子所影響而產生解離。此表面電位可依序影響離子感測場效電晶體之臨限電壓，因此，離子感測場效電晶體之臨限電壓會依據位在感測區域附近之分析物溶液中的離子變化而變動；如羅斯伯格所述，由於離子感測場效電晶體之臨限電壓VTH 對離子濃度敏感，所以其源極電壓VS 可以提供一信號，其係直接反應位在離子感測場效電晶體之感測區域附近之分析物溶液中的離子濃度。 化學感測場效電晶體(chemFET)陣列，或特別是離子感測場效電晶體陣列，可以用來監控反應，例如為核酸(如DNA)定序反應，其係利用監控在反應過程中分析物的出現、生成或消耗而達成；一般而言，此陣列(包括大陣列之化學感測場效電晶體)可以在各種化學及/或生物學製程(如生化反應、細胞或組織培養或監控、神經活性、核酸定序等)中，偵測並測量各種分析物之靜態及/或動態數量或濃度(如氫離子、其他離子、非離子分子或化合物等)，其可以依據分析物的各種測量結果而得到有價值的資訊。上述之化學感測場效電晶體陣列可以藉由化學感測場效電晶體表面之電荷變化而應用於各種分析物之偵測方法及/或生化製程之監控方法，其中，化學感測場效電晶體(或離子感測場效電晶體)陣列之應用可包括偵測溶液中之分析物，及/或偵測附著於化學感測場效電晶體表面(如離子感測場效電晶體之鈍化保護層)之電荷變化。 有關於製造離子感測場效電晶體陣列之研究係如米爾古羅與庫敏所揭露之內容(“A large transistor-based sensor array chip for direct extracellular imaging,” M. J. Milgrew, M. O. Riehle, and D. R. S. Cumming, Sensors and Actuators, B: Chemical, 111-112, (2005), pp. 347-353)及米爾古羅、哈蒙德與庫敏所揭露之內容(“The development of scalable sensor arrays using standard CMOS technology,” M. J. Milgrew, P. A. Hammond, and D. R. S. Cumming, Sensors and Actuators, B: Chemical, 103, (2004), pp. 37-42)，其係以全文納入本說明書之範圍，其中，化學感測場效電晶體陣列或離子感測場效電晶體陣列之製造與在化學偵測之應用(包含DNA定序相關之離子監測)的敘述係如羅斯伯格所述，詳言之，羅斯伯格係揭露利用化學感測場效電晶體陣列(特別是離子感測場效電晶體陣列)來定序一核酸，其包括在一反應腔室中將已知的核甘酸與複數核酸混合後接觸或連接至化學感測場效電晶體，其中，核酸係在反應腔室中連成一串；然後測量化學感測場效電晶體之一信號，其中，測量此信號表示將已知的三磷核甘酸形成合成核酸時，所釋出之一個以上之氫離子。 圖1為一離子感測系統20之示例性實體結構的剖面圖，其包括一離子感測場效電晶體24、一溶液28及一電極36，溶液係提供於離子感測場效電晶體24之一離子感測表面，電極36係設置於溶液28中以提供一參考電壓VREFA，離子感測場效電晶體24可以利用CMOS製程而製造，其包括形成於一p型矽基板48中的n型源極與汲極擴散區40、44，源極與汲極連接52、56，形成在源極與汲極40、44之間的通道形成區64之上方的一閘極氧化層60，形成於閘極氧化層60上方的一浮動閘極結構68，以及形成於閘極結構68上方之鈍化保護層72，其中，浮動閘極結構68包括一多晶矽閘極78以及一個以上之金屬層76與通孔內連接80，源極與汲極連接52、54可包括一個以上之金屬層76與通孔內連接80，另外，可形成一介電隔離層84以隔離上述之不同結構。 操作上，參考電壓VREFA係施加於溶液28中的電極36，且離子感測場效電晶體24之源極與汲極40、44係經由源極與汲極連接52、56而電性連接於一讀取電路(圖未示)，離子感測場效電晶體24之閘極78未直接電性連接至其他電路，所以其可以形成一電性浮接結構，依據離子感測場效電晶體24之離子感測鈍化保護表面32與鄰近之溶液28中的離子之間的一電化學介面反應，可以得到離子濃度對應離子感測場效電晶體24之操作的關係模型，其係與離子感測場效電晶體24對應溶液28中的離子濃度之臨限電壓相關；因此，離子感測系統20可以依據臨限電壓之變化判斷離子濃度，其係藉由測量離子感測場效電晶體24之源極與汲極40、44的電流或電壓變化，取得一預設參考電壓VREFA，並讀出電路類型及操作而得。 然而，圖1所示之離子感測系統20在應用於檢測溶液28之離子濃度時存在有數個缺電，其中，由於離子感測場效電晶體24之源極與汲極40、44的電流或電壓產生變化，所以在讀取電路中，臨限電壓之變化的減少會非常小，且難以進行精確的測量。另外，臨限電壓本身可以是其他變數之一非線性函數，例如跨過離子感測場效電晶體24之源極40與基板48(如基極)的電壓，若源極至基極的電壓可以改變，則可以限制臨限電壓計算之直線性，若源極至基極的電壓係維持在相對固定以保持其直線性，則可以限制所能使用之讀取電路的類型。相同地，必須同時考量在如圖1所示離子感測系統20的動態範圍及信號至雜訊效能。整體而言，這些考量迫使必須使用複雜、佔空間且高成本之讀取電路，或是限制上述離子感測系統20所能達到的效能因子。 因此，需要一種能夠在測量溶液之離子濃度時，改善速度、準確性、直線性及其他效能因子的方法，而且其仍然是可以利用CMOS製程以測量基體的裝置。
一種離子感測電路，其包括一電荷累積裝置以及至少一控制與讀取電晶體，其中，電荷累積裝置係依據一流體之離子濃度而累積複數電荷封包，控制與讀取電晶體係依據累積之電荷封包而產生一輸出信號，其係表示溶液之離子濃度；電荷累積裝置可包括一第一電荷控制電極、一電性浮動閘極結構、一第二電荷控制電極、及一汲極擴散區域，其中，第一電荷控制電極係設置在第一電極半導體區域上，電性浮動閘極結構係設置在一閘極半導體區域上並位於一離子感測鈍化保護表面下方，第二電荷控制電極係設置在第二電極半導體區域上，第一控制電極可以控制依據一第一控制信號而進入一閘極半導體區域的電荷輸入，離子感測鈍化保護表面可以用來接收流體，第二電荷控制電極可以依據第二控制信號控制電荷封包的穿透率，以穿出閘極半導體區域並進入汲極擴散區域，汲極擴散區域可以經由第二電極半導體區域而從閘極半導體區域接收電荷封包。 離子感測電路可以依據一方法而操作，以便檢測流體之離子濃度，此方法包括(i)使具有離子濃度之流體通過電荷累積裝置之離子感測鈍化保護表面；(ii)依據流體之離子濃度，在電荷累積裝置之閘極半導體區域依序分別形成複數個電荷封包；(iii)輸入一控制信號至電荷累積裝置之第二控制電極，以便控制依序來自閘極半導體區域之電荷封包的穿透率；(iv)於一可選擇電荷封包累積頻率下，累積複數個電荷封包於電荷累積裝置之汲極擴散區域；以及(v)依據累積於汲極區域之複數個電荷封包，利用至少一控制與讀取電晶體在一可選擇輸出信號產生頻率下產生一輸出信號，其中，輸出信號表示流體之離子濃度的測量結果。
以下列舉數個圖式以使本發明的各項特徵更容易瞭解，然而，這些圖式僅為說明本發明中特定的實施例，但並非用以限制本發明之範圍，因此本發明可以包括其他等效之實施例。 圖2為本發明實施例之一離子感測系統100的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖，其中，離子感測系統100包括一離子感測電荷累積裝置104，其可以檢測溶液108之離子濃度，以進行DNA定序及其他應用；離子感測系統100可包括一電荷累積裝置104、一控制與讀取電路112、一電極116、一溶液108及一微粒子120，如圖2所示，電荷累積裝置104、電極116、溶液108及微粒子120係表示於剖面圖部分，而控制與讀取電路112及其連接於電荷累積裝置104之端子係表示於簡圖部分，為方便說明，圖2的簡圖部分係以虛線表示。 電荷累積裝置104可以利用CMOS製程所製造，且其可以為一積體電路的一部份，此積體電路可以是包括電荷累積裝置104及控制與讀取電路112，N型源極與汲極擴散區域124、128可以形成於一p型矽基板136之一P型磊晶層132中，源極與汲極擴散區域124、128可以具有輕度摻雜部140、144，其摻雜係少於源極與汲極擴散區域124、128的其他部位；源極與汲極連接148、152可以包括一個以上之金屬層156及通孔內連接160，一閘極氧化層164可以形成於p型磊晶層132中介於源極與汲極124、128之間的一區域168的上方，一浮動閘極結構172及第一與第二控制電極結構176、180可以形成於閘極氧化層164上方，閘極氧化層164可包括一材料，如二氧化矽，浮動閘極結構172可包括一n型多晶矽閘極184及一個以上之金屬層156與通孔內連接160。控制電極結構176、180可分別包括第一及第二n型多晶矽電極186、188及一個以上之金屬層156與通孔內連接160。金屬層156及通孔160可分別包括一層以上之導電材料，如鎢、鋁、銅、鈦及其氮化物與矽化物；位於上述不同結構之間的介電隔離192可包括一層以上之氧化矽、硼磷矽玻璃、或其組合，一鈍化保護層196係形成於閘極結構172及介電隔離192上，並包括一孔洞200，其具有一離子感測表面204，用以容置微粒120，其表面可以具有複數個複製之DNA之股。鈍化保護層196可包括一材料，如氮化矽、氮氧化矽及聚亞醯胺；一基板連接擴散區域208可具有對應之連接結構212，其係與汲極與源極之連接結構148、152相同。 為方便說明，以下敘述將源極與汲極擴散區域124、128稱為擴散區域124、128，然而，擴散區域124、128的所有特性並不一定要與一電晶體之源極與汲極完全相同，相反地，源極與汲極擴散區域124、128可以是簡單的擴散區域124、128，其不需要具有電晶體之源極與汲極的功能性，在部分範例中，如下所述的擴散區域124、128可以是具有類似電晶體之源極與汲極的特性。 離子感測系統100可以用來進行DNA定序或其他應用，例如可感測溶液108之離子，如圖2所示，一具有複數個電荷累積裝置104之積體電路的表面上，可以設置有承載複數複數個DNA股之微粒120，其中，微粒120設置於鈍化保護層196之孔洞200中，然後，可以依序將複數種不同溶液108導入至積體電路之具有設置於鈍化保護層196之孔洞200的表面，各溶液108可以具有不同的核苷酸或核基，各溶液或試劑可以與附著於微粒120之DNA股進行反應或不反應，其係依據溶液中的特定核苷酸或核基是否配對或符合於沿著DNA股之核基之序列的目前反應位置而定，若一序列之溶液中的某一特定溶液108可以與DNA股進行反應，則可以釋出許多離子，如質子(如氫離子H+)、焦磷酸鹽(如PPi)、或兩者，此時，離子感測電荷累積裝置104可以依據下述之操作方式檢測溶液108中的離子濃度，以得到附著之DNA股之目前反應位置之核基的識別資料，進而取得定序此股的資料。 操作上，離子感測電荷累積裝置104可以依據提供至鈍化保護層196之孔洞200之離子感測表面204的溶液108中的離子濃度，產生並累積複數個電荷封包216(如圖3A至3D所示)，其係藉由利用控制與讀取電路112提供控制信號至源極124、汲極128及第一與第二控制電極186、188，以產生電位能量阻障及梯度而得，圖3A至3D顯示電荷累積裝置104之複數個操作循環的實施例，其係對應溶液108之離子濃度產生並累積電荷封包，且圖3A至3D分別顯示電荷累積裝置104之一完整操作循環的實施例，圖3A至3D之上方分別顯示電荷累積裝置104之部分剖面圖與部分簡圖之示意圖，其僅顯示源極與汲極區域124、128、閘極氧化層164、浮動閘極184、及第一與第二控制電極186、188，為方便說明，電荷累積裝置104的其他元件係在此圖中被省略，但被省略之元件仍然可以在實際實施中存在。在個別圖式中，電荷累積裝置104的下方顯示四個圖表，其表示在電荷累積裝置104之操作循環的不同階段中，存在於電荷累積裝置104上的電位能及電荷，這些圖表係分別對應表示上方之電荷累積裝置104之特定區間的電位能及電荷，因此各圖表分別表示在控制電極186、188與浮動閘極184下方之n型源極與汲極區域124、128以及p型磊晶區域的電位能及電荷。 圖4為一信號圖，其係顯示本實施例之複數個控制信號，其可以用來控制如圖3A至3D所示之電荷累積裝置104的操作，如圖4所示，傳送至源極124、汲極128、及第二控制電極188之控制信號VS、VD、VC2可以是不同的電壓值，其分別表示邏輯低狀態及邏輯高狀態，且其例如為低及高電源供應電壓；另一控制信號VC1(圖未示)係傳送至第一控制電極186，其並非表示一邏輯狀態，而是可以為一中間電壓值，例如為介於低及高電源供應電壓之間的一電壓值。當然，亦可以利用其他控制信號，例如可以是不同組合之控制信號，其係表示邏輯低狀態及邏輯高狀態之電壓值(如低及高電源供應電壓)，或是非為表示邏輯狀態而可以為中間之電壓值(例如為介於低及高電源供應電壓之間的一電壓值)的控制信號；不同的控制信號可以依據不同實施例之電荷累積裝置104之實體結構而定，例如，可以選擇位於第一控制電極186、浮動閘極184及第二控制電極188之間的閘極氧化層164之高度，並分別將設定之控制電壓傳送至第一控制電極186、浮動閘極184及第二控制電極188，以便控制施加於電荷累積裝置104之電位能量。 在圖3A所示之操作循環的第一階段之前為一循環前重置階段(未顯示於圖3A)，其係傳送適當之控制信號至源極124、汲極128及控制電極186、188，以便移除電荷累積裝置104中在前一個操作所殘留下來的電荷，如圖4所示之實施例，可以傳送一高電壓至汲極128與第二控制電極188，傳送一低電壓至源極124，並傳送一中間電位至第一控制電極186，以便清除電荷累積裝置104中在前一個操作所殘留下來的所有電荷。 如圖3A所示，在操作循環之第一階段220中，在浮動閘極184下方之半導體區域224(如p型磊晶區域224)所形成之任何電荷封包216可以被傳送至閘極擴散區域208，其可以藉由在第一控制電極186、閘極184及第二控制電極188下方之半導體區域228、224、232形成電位梯度而達成，其係能夠將閘極184下方之電荷移動至汲極擴散區域208，因此，可以在第一控制電極186下方之區域228形成一相對低電位，藉以形成電子流之一相對高阻障層，另外可以在第二控制電極188下方之區域232形成一相對高電位，藉以形成電子流之一相對低阻障層。 圖3A至3D所示之電位圖及本說明書所述之其他電位圖中，當電位能量增加時，其在圖中對應顯示向下之曲線，因此，相對較高之電位能量係在圖中以較低位置表示；另外，可以藉由提供相對較高電壓至控制電極186、188，以減少p型區域(或浮動閘極184)之相對較高之電位能量，以便對此累積或通過p型區域之電子形成一較低電位阻障層；相反地，可以藉由提供相對較低電壓至控制電極186、188，以減少p型區域(或浮動閘極184)之相對較低之電位能量，以便對此累積或通過p型區域之電子形成一較高電位阻障層。 請再參考圖3A所示，假設閘極氧化層為均勻厚度，可以藉由增加傳送至第一控制電極186、浮動閘極184及第二控制電極188之電壓，以便在第一控制電極186、浮動閘極184及第二控制電極188之下方的區域228、224、232中形成第一階段電位能量梯度；當然，亦可以在提供其他電壓以及閘極氧化層為不均勻厚度的情況下，形成此電位能量梯度。在圖4所示之實施例中，於此第一階段中，可以傳送一高電壓至第二控制電極188與源極124，傳送一低電壓至汲極128，並傳送一中間電壓至第一控制電極186；當然，亦可以利用其他第一階段之控制信號進行。 需注意者，由於圖3A顯示電荷累積裝置104之最早的數個操作循環，其係在一循環前重置階段之後，且循環前重置階段已經移除前一個操作所殘留的所有電荷封包216，所以在閘極184下不會形成任何電荷封包216，故在第一階段220中，不會有任何電荷封包216被傳送至汲極128(如圖3A所示)；然而，在第一階段220中，電荷封包216從閘極184下方傳送至汲極128的情況，可以參照圖3B至3D所示之後續循環加以說明。 如圖3A所示，在操作循環之一第二階段236中，可以提高在第二控制電極188下方的電位阻障層，以便防止電荷封包從閘極184下方之區域224，經由第二電極188下方之區域232流至汲極區域128；圖4顯示第二階段之控制信號的實施例，其中，可以傳送一低電壓至第二控制電極188與汲極128，傳送一高電壓至源極124，並傳送一中間電壓至第一控制電極186；當然，亦可以利用其他第二階段之控制信號進行。 如圖3A所示，在操作循環之一第三階段240中，電荷(如電子)可以從n型源極區域124被注入浮動閘極184下方的p型區域224，由於在第二階段236中，位於第二電極188下方之電位阻障層提高至高於第一控制電極186及浮動閘極184之下方，因此，電荷242可以從源極124進入第一控制電極186及浮動電極184之下方(但未進入第二控制電極188)，以充滿電荷累積裝置104；電荷242可以透過不同方式經由源極124注入電荷累積裝置104，例如可以經由電流源或電荷泵，以選擇性將電荷注入源極124，或是利用施加一適當之電壓至源極124，進而提供電壓至電荷累積裝置104之第一控制電極186及浮動閘極184；圖4顯示控制信號的實施例，其中，可以傳送一低電壓至源極124，並將相對高電壓傳送至第一控制電極186與浮動閘極184，例如，傳送一中間電壓至第一控制電極186，並將由溶液108之離子濃度所感應之電位提供至浮動閘極184。 在第四階段244中，結束從源極124注入電荷至電荷累積裝置104，並移除源極124以及第一控制電極186下方之過多電荷，然而，由於第一控制電極186下方與浮動閘極184下方之間存在有電位差，所以一電荷封包216會保留在浮動閘極184下方，此電位差係為傳送至第一控制電極186之電壓VC1，以及由溶液108之離子濃度所形成於浮動閘極184之電壓的一函數；因此，在第四階段244中，保留在浮動閘極184下方之電荷封包216的大小可以是傳送至第一控制電極186之電壓VC1，以及由溶液108之離子濃度所形成於浮動閘極184之電壓的一函數，所以，若傳送至第一控制電極186之電壓VC1為已知，則可以測量得到溶液108之離子濃度。 最後，在電荷累積裝置104之下一操作循環的第一階段220(如圖3B所示)，並參照如圖3A所示之第一個操作循環的第一階段220的相關說明，保留在浮動閘極184下方之電荷封包216，可以在第一個操作循環的第四階段244之後，從浮動閘極184下方經由第二控制電極188下方之區域232，進入汲極擴散區域128，並保留於此處。因此，在某一操作循環之後，表示溶液108之離子濃度之一測量結果的一個電荷封包216可以被收集於電荷累積裝置104的汲極128中。 雖然電荷累積裝置104可以僅利用儲存於汲極128的一個電荷封包216來提供溶液108之離子濃度的測量結果，但是其仍然可以藉由進行電荷累積裝置104的複數個操作循環而儲存於汲極128的複數個電荷封包216，來檢測並提供溶液108之離子濃度的測量結果；其中，所儲存之複數個電荷封包216亦可以提供，溶液108之離子濃度的測量結果。圖3B至3D分別表示電荷累積裝置104的第二、第三及第四操作循環，其係依據如圖3A所示之第一操作循環而進行並依序執行於如圖3A所示之第一操作循環之後；在各循環之後，可以分別依據離子濃度將一個電荷封包216累積於汲極；如圖3B所示，在如圖3A所示之第一循環之後，在第二循環之第一階段220中，一第一電荷封包216係儲存於汲極128；如圖3C所示，在如圖3B所示之第二循環之後，在第三循環之第一階段220中，一第一及第二電荷封包216b係儲存於汲極128；如圖3D所示，在如圖3C所示之第三循環之後，在第四循環之第一階段220中，一第一、第二及第三電荷封包216c係儲存於汲極128。 與如圖1所示之習知技術相較，其係同時以單一電荷封包216並以臨限電壓變化的方式，提供離子濃度之測量結果，然而本發明利用累積複數個電荷封包216的方式以提供離子濃度的測量結果，其可以增加信號位準及信號雜訊比，改善複數個電荷累積裝置104之效能匹配，並減少閃頻雜訊，舉例而言，由於電荷(如電洞及電子)的熱活性，所產生之電荷封包通常伴隨有一定的雜訊，在一實施例中，單一電荷封包的累積可以伴隨一雜訊電荷誤差，其係與k·T·C成正比，其中，k係為波茲曼常數，T係為絕對溫度，C係為浮動閘極下方之電荷收集區域的電容，當電荷為電子時，對儲存之每一封包的電壓雜訊誤差係等於((k·T·C)之平方根)/q，其中，q係為一電子之電荷，C等於氧化電容Cox與浮動閘極184之面積的乘積；然而，依據累積複數個電荷封包之輸出信號的信號雜訊比SNR可以與(2·n·C/k·T)之平方根成正比，其中，n係為累積之封包216的數量，其係例如為電荷累積裝置104之操作循環的次數，其分別提供單一離子濃度測量結果，因此，離子濃度測量結果的信號雜訊比可以隨著單一測量結果之封包216之數量的平方根，成正比地增加。 在累積於電荷累積裝置104之汲極128之後，複數個電荷封包216可以被轉換為一輸出信號，或是利用本實施例之控制與讀取電路112從電荷累積裝置輸出，控制與讀取電路112可以控制不同實施態樣之電荷累積裝置104之循環操作，並依據累積之電荷封包216產生一輸出信號。控制與讀取電路112可以提供控制信號至源極124、汲極128、第一控制電極186以及第二控制電極188，進而控制電荷累積裝置104；累積頻率可以是電荷累積裝置104的單一操作循環的操作頻率，累積頻率可以是依據溶液中離子濃度之預期變化速率、電荷累積裝置104之效能特性以及控制與讀取電路112或其組合而選定；控制與讀取電路112亦可以依據累積於電荷累積裝置104之電荷封包216，以控制一輸出信號的產生，其係提供一控制信號以產生一輸出信號，或是以一可選擇之輸出產生頻率將累積之複數個電荷封包216從電荷累積裝置104輸出，此輸出產生頻率可以是電荷累積裝置104之複數個電荷封包216的一單一輸出信號值的產生頻率，此輸出產生頻率可以依據溶液108中離子濃度之預期變化速率、電荷累積裝置104之效能特性以及控制與讀取電路112或其組合而選定，當輸出信號係依據複數個累積之電荷封包216時，輸出產生頻率可以是低於電荷封包累積頻率。 單一個電荷累積裝置104配合部分之控制與讀取電路112可以表示一陣列250之複數個離子感測畫素246其中之一，圖5顯示一實施例之離子感測畫素陣列250，其包括複數個離子感測畫素246，各畫素電路246可包括一電荷累積裝置104以及一配合部份之控制與讀取電路112，此配合部分之控制與讀取電路112可以部分構成此畫素246，畫素陣列可以是呈複數個列及欄配置之畫素246，藉由複數個列與欄之控制、定址與資料線，可以對畫素陣列250進行控制、定址、及資料輸入與輸出，其包括一個以上之列的控制、定址與資料線R1-Rx(或稱為列線R1-Rx)，以及一個以上之欄的控制、定址與資料線C1-Cx(或稱為欄線C1-Cx)。 圖6顯示一實施例之離子感測畫素246a，其包括上述實施例之一電荷累積裝置104及配合部分之控制與讀取電路112，其中，圖6亦僅簡單表示電荷累積裝置104，但本實施例之離子感測畫素246a可以包括電荷累積裝置104以外的其他元件，如圖2所示之其他元件。圖6所示之實施例可以稱為一種三電晶體三電極畫素246，或稱3T3E畫素，控制與讀取電路112可包括三個電晶體，其包括一重置電晶體M1，及一對讀取電晶體M2、M3，電荷累積裝置104可具有三個電極，其包括第一及第二控制電極186、188、以及浮動閘極184，控制與讀取電路112可以連接複數個欄線以及複數個列線，複數個欄線包括第一及第二欄線C1A、C1B，複數個列線包括第一及第二列線R1A、R1B。 在以下說明中係提及源極與汲極等，其係假設圖6所示之畫素246a以及其他實施例中的控制與讀取電晶體M1、M2、M3，係為NMOS電晶體，然而，在其他實施例中，控制與讀取電晶體可以是NMOS或PMOS電晶體，或其組合。如圖6所示，第一讀取電晶體M2之閘極係連接至電荷累積裝置104之汲極區域128，其源極係連接至第二讀取電晶體M3之汲極，且其汲極係連接至第二欄線C1B，第二讀取電晶體M3之閘極係連接至第一列線R1A，其源極係連接至第一欄線C1A，且其汲極係連接至第一讀取電晶體M2之源極，重置電晶體M1之源極係連接至電荷累積裝置104之汲極128，其閘極係連接至第二列線R1B，且其汲極係連接至第二欄線C1B。 如圖6所示，本實施例之控制與讀取電路112可以用來控制電荷累積裝置104，並配合如圖3A至3D與圖4所示之電荷累積裝置104的操作而產生一輸出信號；在一重置操作中，如前所述，可以在一循環前重置階段中，利用重置電晶體M1及第二列與欄線R1B、C1B來重置電荷累積裝置104，舉例而言，可以將一邏輯高信號或一高位準電壓(如一高電源供應電壓)傳送至第二列與欄線R1B、C1B，並將一邏輯低信號或一低位準電壓(如一低電源供應電壓)傳送至第一列線R1A，以便導通重置電晶體M1並關閉第二讀取電晶體M3，因此，可以將一高電壓值傳送至電荷累積裝置104之汲極區域128，進而清除累積於汲極128的任何電荷封包216，以便重置電荷累積裝置104。 在讀取操作中，在如前所述之裝置104的一個以上之循環之後，讀取電晶體M2、M3及第一列與欄線R1A、C1A可以用來依據累積於電荷累積裝置104之汲極區域128的電荷封包216，產生一輸出信號，舉例而言，可以將一邏輯高信號、或一高位準電壓(如一高電源供應電壓)、或一中間位準電壓(如介於高與低電源供應電壓之間的電壓)傳送至第一列線R1A，並將一邏輯低信號或一低位準電壓(如一低電源供應電壓)傳送至第二列線R1B，以便導通第一及第二讀取電晶體M2、M3並關閉重置電晶體M1，此時，第一及第二讀取電晶體M2、M3係作為放大器，以便將累積於電荷累積裝置104之汲極區域128的電荷封包216，轉變為第一欄線C1A之電壓輸出信號，第一讀取電晶體M2可以操作於一源極隨耦器配置，其係從電荷累積裝置104之汲極128接收一輸入電壓，並將第二讀取電晶體M3之源極的中間輸出電壓提供至其汲極，將累積於電荷累積裝置104之汲極區域128的電荷封包216轉變為輸出電壓可以由汲極128之累積電荷所產生；第二讀取電晶體M3可以操作於一疊接配置，其係配合第一讀取電晶體之源極隨耦器配置，與單獨源極隨耦器配置比較，結合兩種電晶體可以提高其增益。第二讀取電晶體M3可以從源極隨耦器接收一中間輸出，並提供一輸出電壓至此源極之一第一欄線C1A。 圖7顯示另一實施例之離子感測畫素246b，其包括上述實施例之一電荷累積裝置104及配合部分之控制與讀取電路112，其中，圖7亦僅簡單表示電荷累積裝置104，但本實施例之離子感測畫素246b可以包括電荷累積裝置104以外的其他元件，如圖2所示之其他元件。圖7所示之實施例可以稱為一種雙電晶體三電極畫素，或稱2T3E畫素，控制與讀取電路112可包括兩個電晶體，其包括一重置電晶體M4，及一讀取電晶體M5，電荷累積裝置104可具有三個電極，其包括第一及第二控制電極186、188、以及浮動閘極184，控制與讀取電路112可以連接一列線R2A以及複數個欄線，複數個欄線包括第一及第二欄線C2A、C2B。 與圖6所示之畫素246a相比，如圖7所示之畫素246b可以減少讀取電晶體的數量，其係藉由管理電荷累積裝置104之汲極128的電壓，所以不需要利用圖6所示之畫素246a之第一列線R1A所提供的列選擇功能。在圖7與9中，汲極128亦稱為浮動擴散128，其具有電容的特性，所以當畫素246b未致能時，可以藉由管理浮動擴散電位，以省略列選擇裝置。如圖7之源極隨耦器M5的閘極與浮動擴散128可以皆保持在低位準，以便在未使用時失能源極隨耦器M5，因此，在畫素246b被讀取後，浮動擴散128可以在低電位下被取樣，並保持在此電位直到畫素246b再次被讀取；使其電位保持在低電位的原因在於浮動擴散128可以作用為一電容，其可以保持其取樣之低電壓。 如圖7所示，第一及第二控制電極186、188之空間配置係與前述圖式所顯示者相反，其中，第一控制電極186係設置在右手側，而第二控制電極188係設置在左手側；相同地，在以下說明中係提及源極與汲極等，其係假設控制與讀取電晶體係為NMOS電晶體，然而，在其他實施例中，控制與讀取電晶體可以是NMOS或PMOS電晶體，或其組合。其中，重置電晶體M4之源極係連接至電荷累積裝置104之汲極128，其閘極係連接至列線R2A，且其汲極係連接至第二欄線C2B，讀取電晶體M5之閘極係連接至電荷累積裝置104之汲極區域128(同時連接至重置電晶體M4之源極)，其源極係連接至電荷累積裝置104之源極區域124及第一欄線C2A，且其汲極係連接至第二欄線C2B。 圖8A至8D顯示如圖7所示之畫素246b的操作，其係依據溶液離子濃度累積複數個電荷封包216，並依據累積之電荷封包216產生一輸出信號，圖8A至8D顯示電荷累積裝置104之複數個完整操作循環的實施例，與圖3A至3D相似，圖8A至8D之上方分別顯示畫素246之部分剖面圖與部分簡圖之示意圖，其包括電荷累積裝置104及控制與讀取電晶體M4、M5，為方便說明，電荷累積裝置104及控制與讀取電晶體M4、M5以外的其他元件係在此圖中被省略，但被省略之元件仍然可以在實際實施中存在。在個別圖式中，電荷累積裝置104及控制與讀取電晶體M4、M5的下方顯示四個圖表，其係對準上方之畫素，且表示在畫素246b之操作循環的不同階段中，存在於電荷累積裝置104及控制與讀取電晶體M4、M5上的電位能及累積之電荷。 在一重置階段254中，重置電晶體M4及列與第二欄線R2A、C2B可以用來重置電荷累積裝置104，將一邏輯高信號或高位準電壓(如一高電源供應電壓)傳送至列與第二欄線R2A，以便導通重置電晶體M4與讀取電晶體M5，此時，可以將一高電壓值同時傳送至電荷累積裝置104之汲極128與源極124，以便清除電荷累積裝置104之汲極128與源極124中所殘留下來的所有電荷，進而完成裝置104之重置。 在操作循環之第一階段258中，可以關閉重置電晶體M4，並提高在第二電極188下方之一電位阻障(如一低電位)，以使得電荷累積裝置104在浮動閘極184下產生一電荷封包216，其中，可以藉由傳送一邏輯低或低電壓至列線R2A及第二控制電極188，而關閉重置電晶體M4，並提供低電位至第二電極188下方。需注意者，在第一階段258結束之前，一高電位及一低電位阻障係存在於重置電晶體M4之閘極。 在操作循環之一第二階段262中，電荷(如電子)可以從電荷累積裝置104之n型源極區域124被注入浮動閘極184下方的p型區域224，電荷264可以從源極124進入浮動電極184之下方(但未進入第二控制電極188下方)，以充滿電荷累積裝置104；電荷可以透過不同方式經由源極124注入電荷累積裝置104，例如可以經由電流源或電荷泵，以選擇性將電荷注入源極124，或是利用施加一適當之電壓至源極124，進而提供例如一邏輯低或低電壓至第一控制電極186及浮動閘極184；電荷可以利用第一欄線C2A並經過源極124而注入浮動閘極184下方，在操作循環之第一階段258之後，由於讀取電晶體M4之閘極下方為低電位阻障，因此，電荷265可以同時注入讀取電晶體M4，包括其源極與汲極區域及閘極下方。 在第三階段266中，結束注入電荷至電荷累積裝置及讀取電晶體，並移除其過多電荷，然而，由於第一控制電極186下方與浮動閘極184下方之間存在有電位差，所以一電荷封包216會保留在浮動閘極184下方，如前述之參照圖3A至3D的說明，在第三階段266中，保留在浮動閘極184下方之電荷封包216的大小可以是傳送至第一控制電極186之電壓，以及由溶液108之離子濃度所形成於浮動閘極184之電壓的一函數，所以，若傳送至第一控制電極186之電壓為已知，則可以測量得到溶液108之離子濃度。 最後，在第一操作循環之最後一個階段270中，如圖8B所示，保留在浮動閘極184下方之電荷封包216，可以在此操作循環的第三階段266之後，從浮動閘極184下方經由第二控制電極188下方之區域232，進入汲極擴散區域128，並保留於此處，其係與前述參照圖3A至3D之關於操作循環之第一階段220的說明相似，藉由傳送一邏輯高或高位準電壓至第二控制電極188，可以降低第二控制電極188下方之電位阻障，以使得電荷封包216可以被傳送至汲極區域128，而傳送至電荷累積裝置104之汲極區域128之電荷封包216可以逐漸減少汲極區域128之電壓，由於讀取電晶體M5之閘極係連接於汲極128，所以此電荷封包216亦可以同時逐漸增加讀取電晶體M5之閘極的電壓，因此在操作循環之最後一個階段270的最後，讀取電晶體M5之閘極下方的電位阻障層272會逐漸減少；此時，讀取電晶體M5之閘極的電壓以及讀取電晶體M5之閘極下方的電位可以依據各操作循環之最後時，累積在電荷累積裝置104之汲極128的電荷封包216而定。 圖8B至8C表示一第二操作循環，其係如同在如圖8A至8B所示之第一循環以累積另一個電荷封包，並且依據讀取電晶體之閘極的電壓以及讀取電晶體之閘極下方的電位，並再次追蹤複數個累積之電荷封包216的大小；圖8C亦顯示在第二循環之後的另一個重置階段。 藉由對讀取電晶體M5之源極的電壓進行取樣，可以得到一輸出，其可以在一讀取階段274中進行，此外，亦可以利用一雙重取樣技術產生輸出，此時的輸出包括一第一輸出及一第二輸出，其中，第一輸出表示依據電荷累積裝置104之汲極128的電荷之背景位準所產生之輸出，第二輸出表示同時依據此電荷之背景位準以及累積於汲極128的複數個電荷封包216所產生之輸出，接著，以第二輸出減去第一輸出，可以得到對累積之電荷封包216的一個更精確之測量結果，以便表示溶液108之離子濃度。在一實施例中，第一輸出可以是在操作循環之第一階段258中取得，而第二輸出可以是在讀取階段274中取得。 圖8D顯示如圖7所示之畫素246a之列的撤銷程序之實施例，在撤銷程序的第一階段278中，一邏輯低或低位準電壓係傳送至列線R2A，且一邏輯高或高位準電壓係傳送至第一欄線C2A；在撤銷程序的第二階段282中，一邏輯高或高位準電壓係傳送至列線R2A，且一邏輯低或低位準電壓係傳送至第一欄線C2A；在撤銷程序的第三階段286中，一邏輯低或低位準電壓係傳送至列線R2A，且一邏輯低或低位準電壓係傳送至第一欄線C2A；在撤銷程序的第四階段290中，一邏輯低或低位準電壓係傳送至列線R2A，且一邏輯高或高位準電壓係傳送至第一欄線C2A。 圖9顯示另一種實施例之畫素246c，其係為一種雙電晶體三電極畫素，或稱2T3E畫素，控制與讀取電路112可包括兩個電晶體，其包括一重置電晶體M6，及一讀取電晶體M7，電荷累積裝置104可具有三個電極，其包括第一及第二控制電極186、188、以及浮動閘極184，控制與讀取電路112可以連接一列線R3A以及複數個欄線，複數個欄線包括第一及第二欄線C3A、C3B。其中，重置電晶體M6之源極係連接至電荷累積裝置104之汲極128，其閘極係連接至列線R3A，且其汲極係連接至第二欄線C3B，讀取電晶體M7之閘極係連接至電荷累積裝置104之汲極區域128(同時連接至重置電晶體M6之源極)，其源極係連接至第一欄線C3A，且其汲極係連接至第二欄線C3B。藉由導通重置電晶體M6以移除累積於電荷累積裝置104之汲極128的電荷封包216，以進行重置，其過程與前述之實施例的說明相同；然後，關閉重置電晶體M6，使得讀取電晶體M7操作於一源極隨耦器配置，以依據累積於電荷累積裝置104之汲極128的電荷封包216提供一輸出電壓，或是操作於一共同源極配置，以依據累積於電荷累積裝置104之汲極128的電荷封包216提供一輸出電流。 電荷累積裝置104可以包括二個以上之控制電極，圖10顯示一實施例之一離子感測畫素246d，其包括兩個控制與讀取電晶體以及四個電荷累積裝置電極(包括三個控制電極與一個浮動閘極)，其中，圖10雖僅簡單表示電荷累積裝置104b，但本實施例可以包括電荷累積裝置以外的其他元件，如圖2所示之其他元件。電荷累積裝置104b之電極可包括設置於浮動閘極184一側之第一及第二電極186、294，以及設置於浮動閘極184另一側之第三電極188，如圖10所示之電荷累積裝置104b可以不具有源極區域，但可以具有一汲極區域128，其係鄰設於第三電極188下方之區域，控制與讀取電路112係如圖9所述，可包括兩個電晶體，其包括一重置電晶體M8及一讀取電晶體M9，其中，讀取電晶體M9可以連接一列線R4A以及複數個欄線，複數個欄線包括第一及第二欄線C4A、C4B。其中，重置電晶體M8之源極係連接至電荷累積裝置104b之汲極128，其閘極係連接至列線R4A，且其汲極係連接至第二欄線C4B，讀取電晶體M9之閘極係連接至電荷累積裝置104b之汲極區域128(同時連接至重置電晶體M8之源極)，其源極係連接至第一欄線C4A，且其汲極係連接至第二欄線C4B。重置電晶體M8及讀取電晶體M9的操作係如同圖9所示之實施例。 圖11A至11D顯示如圖10所示之畫素246d的操作，其係依據溶液離子濃度累積複數個電荷封包216，並依據累積之電荷封包216產生一輸出信號，圖11A至11D顯示電荷累積裝置104b之複數個完整操作循環的實施例，圖11A至11D之上方分別顯示圖10所示之電荷累積裝置104b及控制與讀取電晶體M8、M9之部分剖面圖與部分簡圖之示意圖，為方便說明，電荷累積裝置104b及控制與讀取電晶體M8、M9以外的其他元件係在此圖中被省略，但被省略之元件仍然可以在實際實施中存在。在個別圖式中，電荷累積裝置104b及控制與讀取電晶體M8、M9的下方顯示四個圖表，其係對準上方之畫素，且表示在畫素246d之操作循環的不同階段中，存在於電荷累積裝置104b及控制與讀取電晶體M8、M9上的電位能及電荷累積。 在圖11A所示之一重置階段298中，可以在第一電極294、第二電極186、浮動閘極184及第三電極188下方，由左至右形成一電位梯度，並且將一邏輯高或高位準電壓傳送至重置電晶體M8之閘極以清除電荷累積裝置104b中從先前操作所殘留下來的所有電荷。 在畫素246d之操作循環之第一階段302中，可以提高在第三電極188下方之一電位阻障，使其高於重置階段298中存在於浮動閘極184之電位；在畫素操作循環之第二階段306中，可以經由汲極擴散節點128將電荷注入電荷累積裝置104b；在第三階段310中，可以從電荷累積裝置104b中移除所注入之電荷，並依據在第二階段306中所形成之浮動閘極184與第三電極188之間的電位阻障電位差，使一電荷封包216殘留於浮動閘極184下方；最後，在畫素操作循環之第四階段314中，可以在第三電極188、浮動閘極184、第二電極186、及第一電極294上，由右至左形成一電位梯度，以便將電荷封包216從浮動閘極184下方移至第一電極294下方。 接著，如圖11B至11C所示，可以重複數次上述之累積循環，以便在第一電極294下方累積複數個電荷封包216。 圖11D顯示一讀取程序，以依據累積於第一電極294下方之電荷封包216的大小而產生一輸出信號，此讀取程序可以配合一雙重取樣技術進行，此時的輸出包括一第一輸出及一第二輸出，其中，第一輸出表示依據電荷累積裝置104b之汲極128的電荷之背景位準所產生之輸出，第二輸出表示同時依據此電荷之背景位準以及累積於第一電極294被傳送至電荷累積裝置104b之汲極128後的複數個電荷封包216所產生之輸出，接著，以第二輸出減去第一輸出，可以得到對累積之電荷封包216的一個更精確之測量結果，以便表示溶液離子濃度。在讀取程序之第一階段318中，讀取電晶體M9係提供第一輸出，且複數個電荷封包216係仍然累積於第一電極294下方；在讀取程序之第二階段322中，可以在第一電極294、第二電極186、浮動閘極184及第三電極188下方，由左至右形成一電位梯度，以便將複數個電荷封包216從第一電極294下方移至電荷累積裝置104b之汲極128下方；在第二階段322之後，在讀取程序之第三階段326中，由讀取電晶體M8提供第二輸出。 圖11D顯示如圖10所示之畫素246d之列的撤銷程序之實施例，其包括兩個階段330及334。 另外，亦可以進行上述實施例的各種變化，雖然在上述之電荷累積裝置之實施例中，係包括n型源極與汲極，並在浮動閘極與控制電極下方形成p型區域，但是在其他實施例中可以利用相反的結構，亦即電荷累積裝置可以包括p型源極與汲極，並在浮動閘極與控制電極下方形成n型區域；雖然圖2顯示在控制電極與浮動閘極下方形成磊晶p型區域，但是在其他實施例中，在控制電極與浮動閘極下方形成之p型或n型區域可以是擴散區域或其他形式之p型或n型區域，而非前述之磊晶區域；雖然上述的各種控制與讀取電晶體可以是NMOS電晶體，但是在其他實施例中，控制與讀取電晶體可以是NMOS電晶體、PMOS電晶體，或其組合；在部分實施例中，畫素陣列之畫素中的列及欄可以分享部分或全部之列及欄線，雖然在前述之實施例中，電荷載體及電荷封包係假設為電子，但在其他實施例中，電荷載體及電荷封包可以包括電洞；雖然在上述之實施例中，電荷累積裝置之操作循環的各階段係以一定順序進行並具有特定之命名(如第一階段、第二階段等)，但是在其他實施例中，操作循環之命名或階段可以改變、重新排列、增加、或刪減等；雖然在上述之實施例中，電荷累積裝置具有兩個或三個控制電極，但是在其他實施例中，電荷累積裝置可以具有更多或更少數量之控制電極；雖然在上述之實施例中說明數種控制信號，但是在其他實施例中，可以採用不同形式之控制信號。 另外，亦可以使用其他實施例之電荷累積裝置104及離子感測畫素246，例如，其他實施例之電荷累積裝置104及離子感測畫素246可以選擇性具有任一種上述實施例之電荷累積裝置104及離子感測畫素246的任一特徵，且其他實施例之電荷累積裝置104及離子感測畫素246可以選擇性具有任一種上述實施例之電荷累積裝置104及離子感測畫素246的任一子元件或特徵。 雖然本發明所揭露之內容可參照前述的數個實施例，但本發明的範圍並非限制於這些實施例及其參照圖式所顯示之配置中，而且其操作製程亦不限制於上述之範例中，熟悉該項技術者可以在不違反本發明之精神與實質特徵的情況下，利用其他方式實現本發明之內容，因此，上述之實施例僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。 以上說明係揭露本發明之數種實施例，然而，所揭露之內容應可涵蓋本發明之修飾及變化，另外，雖然部分操作、元件及電路並未詳細說明，但並非用以限制本實施例之範圍，而且雖然本說明書詳細說明特定結構及功能，但其並非用以限制本實施例之範圍。 熟悉該項技術者可以藉由上述之說明，對本發明進行各種變化，請可以單獨或合併實施上述之所有實施例，因此，雖然上述之說明僅列舉部分特定之實施例，但是本發明之實施例及/或方法並非限制於此，熟悉該項技術者可以藉由本說明書之內容、圖示及申請專利範圍而進行任意的修飾及改變。 上述之各種實施例可以藉由硬體元件、軟體元件或其組合加以實現，其中，硬體元件係例如為處理器、微處理器、電路、電路元件(如電晶體、電阻器、電容器、電感器等)、積體電路、特定應用積體電路(ASIC)、可程式邏輯裝置(PLD)、數位訊號處理器(DSP)、現場可編程閘陣列(FPGA)、邏輯閘、暫存器、半導體裝置、晶片、微晶片、晶片組等等；軟體元件係例如為程式、應用程式、電腦程式、系統程式、機械程式、作業系統程式、中介軟體、韌體、軟體模組、例行程序、子程式、功能、方法、程序、軟體介面、應用程式介面(API)、指令集、計算碼、計算機碼、程式碼片段、計算機程式碼片段、文字、數值、符號、或其組合；可以藉由數種分析因子判斷執行一實施例係採用不同之硬體元件及/或軟體元件，例如為預期之計算機速度、功率等級、熱耐受度、程序循環預算、資料輸入速度、資料輸出速度、記憶體來源、資料匯流排速度、及其他設計或效能限制。 例如，部分實施例可以藉由電腦可讀取媒體而實現，其係儲存有一指令或一組指令，以便在一機器上執行時，可以使得此機器實現本實施例之方法及/或操作，此機器可例如包括任一種適用之處理平台、計算平台、計算裝置、處理裝置、計算系統、處理系統、計算機、處理器等等，且其亦可以藉由硬體及/或軟體之任一種適用之組合而實現，其中，電腦可讀取媒體包括任一種適當形式之記憶單元、記憶裝置、記憶物品、記憶媒體、儲存裝置、儲存物品、儲存媒體及/或儲存單元例如為記憶體、可移動式或不可移動式媒體、可抹除式或不可抹除式媒體、可寫入式或可複寫式媒體、數位或類比式媒體、硬碟、軟碟、唯讀記憶光碟、寫入式光碟、可複寫式光碟、光碟、磁式媒體、磁光媒體、卸除式記憶卡或記憶碟、各種數位多功能光碟(DVD)、磁帶、卡帶等等，另外，指令可包括任一種適用之程式碼，如原始碼、編譯碼、直譯碼、可執行碼、靜態程式碼、動態程式碼、加密程式碼等等，其可以利用任一種適用之高階、低階、物件導向、虛擬、編譯及/或直譯之程式語言而實現。
20‧‧‧離子感測系統
24‧‧‧離子感測場效電晶體
28‧‧‧溶液
32‧‧‧離子感測鈍化保護表面
36‧‧‧電極
40‧‧‧源極擴散區
44‧‧‧汲極擴散區
48‧‧‧基板
52‧‧‧源極與汲極連接
54‧‧‧源極與汲極連接
56‧‧‧源極與汲極連接
60‧‧‧閘極氧化層
64‧‧‧通道形成區
68‧‧‧閘極結構
72‧‧‧鈍化保護層
76‧‧‧金屬層
78‧‧‧閘極
80‧‧‧通孔內連接
84‧‧‧介電隔離層
100‧‧‧離子感測系統
104‧‧‧裝置
104b‧‧‧電荷累積裝置
108‧‧‧溶液
112‧‧‧控制與讀取電路
116‧‧‧電極
120‧‧‧微粒子
120‧‧‧微粒
124‧‧‧源極
128‧‧‧汲極
132‧‧‧磊晶層
136‧‧‧矽基板
140‧‧‧輕度摻雜部
144‧‧‧輕度摻雜部
148‧‧‧連接結構
152‧‧‧連接結構
156‧‧‧金屬層
160‧‧‧通孔內連接
160‧‧‧通孔
164‧‧‧閘極氧化層
168‧‧‧區域
172‧‧‧閘極結構
176‧‧‧控制電極結構
180‧‧‧控制電極結構
184‧‧‧閘極
186‧‧‧電極
188‧‧‧電極
192‧‧‧介電隔離
196‧‧‧鈍化保護層
200‧‧‧孔洞
204‧‧‧離子感測表面
208‧‧‧擴散區域
212‧‧‧連接結構
216‧‧‧電荷封包
216b‧‧‧電荷封包
216c‧‧‧電荷封包
220‧‧‧第一階段
224‧‧‧區域
228‧‧‧區域
232‧‧‧區域
236‧‧‧第二階段
240‧‧‧第三階段
242‧‧‧電荷
244‧‧‧第四階段
246‧‧‧畫素
246a‧‧‧畫素
246b‧‧‧畫素
246c‧‧‧畫素
246d‧‧‧畫素
250‧‧‧陣列
254‧‧‧重置階段
258‧‧‧第一階段
262‧‧‧第二階段
264‧‧‧電荷
265‧‧‧電荷
266‧‧‧第三階段
266‧‧‧在第三階段
270‧‧‧操作循環之最後一個階段
272‧‧‧電位阻障層
274‧‧‧讀取階段
278‧‧‧第一階段
282‧‧‧第二階段
286‧‧‧第三階段
290‧‧‧第四階段
294‧‧‧第一電極
298‧‧‧重置階段
302‧‧‧第一階段
306‧‧‧第二階段
310‧‧‧第三階段
314‧‧‧第四階段
318‧‧‧第一階段
322‧‧‧第二階段
326‧‧‧第三階段
330‧‧‧階段
334‧‧‧階段
C1-Cx‧‧‧欄線
C1A‧‧‧第一欄線
C1B‧‧‧第二欄線
C2A‧‧‧第一欄線
C2B‧‧‧第二欄線
C3A‧‧‧第一欄線
C3B‧‧‧第二欄線
C4A‧‧‧第一欄線
C4B‧‧‧第二欄線
M1‧‧‧重置電晶體
M2‧‧‧讀取電晶體
M3‧‧‧讀取電晶體
M4‧‧‧重置電晶體
M5‧‧‧讀取電晶體
M6‧‧‧重置電晶體
M7‧‧‧讀取電晶體
M8‧‧‧讀取晶體
M9‧‧‧讀取電晶體
R1-Rx‧‧‧列線
R1A‧‧‧第一列線
R1B‧‧‧第二列線
R2A‧‧‧列線
R3A‧‧‧列線
R4A‧‧‧列線
VC1‧‧‧控制信號
VS、VD、VC2‧‧‧控制信號
圖1為包括一離子感測場效電晶體之離子感測系統的一剖面圖； 圖2為包括一離子感測電荷累積裝置之離子感測系統的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖； 圖3A至3D為一實施例之離子感測電荷累積裝置之操作循環的剖面圖、電位圖及電荷圖； 圖4為用以控制電荷累積裝置之操作的一實施例之控制信號的信號圖； 圖5為一實施例之具有複數個畫素電路之離子感測畫素陣列的一示意圖，其中，各畫素電路包括電荷累積裝置及控制與讀取電晶體； 圖6為一實施例之一畫素電路的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖，其中，畫素電路包括電荷累積裝置及控制與讀取電晶體； 圖7為另一實施例之一畫素電路的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖，其中，畫素電路包括電荷累積裝置及控制與讀取電晶體； 圖8A至8D為圖7所示之畫素電路之操作的剖面圖、電位圖及電荷圖； 圖9為另一實施例之一畫素電路的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖，其中，畫素電路包括電荷累積裝置及控制與讀取電晶體； 圖10為另一實施例之一畫素電路的部分剖面圖及部分簡圖之示意圖，其中，畫素電路包括電荷累積裝置及控制與讀取電晶體；以及 圖11A至11D為圖10所示之畫素電路之操作的剖面圖、電位圖及電荷圖。

Claims (11)

  1. 一種測量一離子濃度之方法，該方法包含： 在一電荷注入階段中，施加一低電壓至一電荷累積裝置之一源極、一汲極與一電荷控制電極，該電荷累積裝置包括： 具有一閘極氧化層形成於其上之一基板； 該源極； 一電性浮動閘極結構，其設置於一閘極半導體區域與一離子感測鈍化表面之間，該離子感測鈍化表面經組態以接收一流體，該電性浮動閘極結構包括彼此電性耦接且藉由介電層分開之複數個導體；及 形成於一電極半導體區域上方且設置於該閘極氧化層上之該電荷控制電極，其回應施加至該電荷控制電極之一控制信號以控制穿出該閘極半導體區域及進入一汲極擴散區域之複數個電荷封包之穿透率； 該汲極擴散區域，其經由該電極半導體區域接收來自該閘極半導體區域之該複數個電荷封包；及 連接至該汲極擴散區域之該汲極； 在一電荷封包形成階段中，當在該電荷控制電極與該汲極處維持一低電壓時，施加一高電壓至該源極，以產生一電荷封包； 在一電荷封包傳送階段中，施加一高電壓至該源極、該電荷控制電極與該汲極以傳送該電荷封包至該汲極擴散區域，複數個電荷封包在該汲極擴散區域中累積；及 啟動至少一讀取電晶體以產生一輸出電壓，作為在該電荷累積裝置之該汲極擴散區域處該經累積複數個電荷封包之一函數，其中該輸出電壓表示一溶液之離子濃度。
  2. 如請求項1之方法，其中該電荷累積裝置進一步包括形成於一第二電極半導體區域上方且設置於該閘極氧化層上之一第二電荷控制電極，其回應施加至該第二電荷控制電極之一第二控制信號，以控制進入該閘極半導體區域的電荷輸入；其中在該電荷注入階段期間，施加一高電壓至該第二電荷控制電極。
  3. 如請求項2之方法，其中在該電荷封包傳送階段期間，施加一中間電壓至該第二電荷控制電極。
  4. 如請求項2之方法，其中該電荷封包之一尺寸係在該電荷封包形成階段期間施加至該第二電荷控制電極之一電壓之一函數。
  5. 如請求項2之方法，其進一步包含一控制電路，其經組態以產生及提供一注入控制信號以透過該第二電極半導體區域將電荷注入至該閘極半導體區域中。
  6. 如請求項5之方法，其中該電荷累積裝置進一步包括鄰近於該第二電極半導體區域之一源極擴散區域，其中該注入控制信號包括透過該源極提供至該源極擴散區域之一源極控制信號，以透過該源極擴散區域將該電荷注入至該閘極半導體區域與該第二電極半導體區域中。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含一控制電路，其用以產生及提供一控制信號至該電荷控制電極，以透過該第二電極半導體區域將來自該閘極半導體區域之該複數個電荷封包之每一者，個別地一次一個傳送至該汲極擴散區域。
  8. 如請求項1之方法，其中該電荷累積裝置與該至少一讀取電晶體形成一畫素電路，且該離子感測電路進一步包含配置於一離子感測畫素陣列中之複數個該畫素電路。
  9. 如請求項1之方法，其中該至少一讀取電晶體包括： 一重置電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、一列控制線與一行控制線；及 第一讀取電晶體與第二讀取電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、該行控制線與一行資料線，其中該第一讀取電晶體以一源極隨耦器配置連接且該第二讀取電晶體以一疊接(cascode)配置連接。
  10. 如請求項1之方法，其中該至少一讀取電晶體包括： 一重置電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、一列控制線與一行控制線；及 一讀取電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、該電荷累積裝置之一源極擴散區域、該行控制線與一行資料線。
  11. 如請求項1之方法，其中該至少一讀取電晶體包括： 一重置電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、一列控制線與一行控制線；及 一讀取電晶體，其連接至該電荷累積裝置之該汲極擴散區域、該行控制線與一行資料線。
TW106101966A 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法 TWI624665B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36049310P 2010-06-30 2010-06-30
US61/360,493 2010-06-30
US36049510P 2010-07-01 2010-07-01
US61/360,495 2010-07-01
US36140310P 2010-07-03 2010-07-03
US61/361,403 2010-07-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201712332A TW201712332A (en) 2017-04-01
TWI624665B true TWI624665B (zh) 2018-05-21

Family

ID=45398677

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105120243A TWI580955B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法
TW100123237A TWI547688B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法
TW106101966A TWI624665B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105120243A TWI580955B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法
TW100123237A TWI547688B (zh) 2010-06-30 2011-06-30 離子感測電荷累積電路及方法

Country Status (7)

Country Link
US (5) US8858782B2 (zh)
EP (1) EP2588851B1 (zh)
JP (4) JP2013533482A (zh)
CN (1) CN103154718B (zh)
AU (1) AU2011226767B1 (zh)
TW (3) TWI580955B (zh)
WO (1) WO2012003363A1 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
ES2923759T3 (es) 2006-12-14 2022-09-30 Life Technologies Corp Aparato para medir analitos utilizando matrices de FET
US8470164B2 (en) 2008-06-25 2013-06-25 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
US8878257B2 (en) * 2010-06-04 2014-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for an ISFET
US20120001646A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for testing isfet arrays
US8455927B2 (en) 2010-06-30 2013-06-04 Life Technologies Corporation One-transistor pixel array with cascoded column circuit
AU2011226767B1 (en) * 2010-06-30 2011-11-10 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
US8653567B2 (en) 2010-07-03 2014-02-18 Life Technologies Corporation Chemically sensitive sensor with lightly doped drains
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8685324B2 (en) 2010-09-24 2014-04-01 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
WO2012152308A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Ion sensitive field effect transistor
US8471249B2 (en) * 2011-05-10 2013-06-25 International Business Machines Corporation Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
GB2508582A (en) * 2012-10-12 2014-06-11 Dna Electronics Ltd ISFET with Titanium Nitride layer
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
EP2972280B1 (en) 2013-03-15 2021-09-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor with consistent sensor surface areas
JP6581074B2 (ja) 2013-03-15 2019-09-25 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 一貫性のあるセンサ表面積を有する化学センサ
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US9116117B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall sensor surface
WO2014149779A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
JP6309734B2 (ja) * 2013-10-04 2018-04-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 生体分子計測装置
US9476853B2 (en) * 2013-12-10 2016-10-25 Life Technologies Corporation System and method for forming microwells
US20160169833A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 International Business Machines Corporation Biosensor based on heterojunction bipolar transistor
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
WO2016100521A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
EP3234576B1 (en) 2014-12-18 2023-11-22 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with transmitter configuration
US9810661B2 (en) * 2015-02-18 2017-11-07 Sensor Kinesis Corporation Carbon nanotube biofet with a local amplifier in a system array for analysis of biomarkers and method of analysis of same
EP3273233B8 (en) 2015-03-19 2022-08-03 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Method for controlling a chemical/physical phenomenon detecting device
JP2016180711A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社東芝 電気化学センサ及びそれを用いた測定方法
US20170059517A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Life Technologies Corporation Deep microwell designs and methods of making the same
US9541521B1 (en) * 2015-10-30 2017-01-10 Nxp Usa, Inc. Enhanced sensitivity ion sensing devices
WO2017104130A1 (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ガスセンサ及びガスセンシングシステム
TWI635257B (zh) * 2016-12-02 2018-09-11 矽統科技股份有限公司 感測裝置
JP2019056581A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電荷検出センサおよび電位計測システム
JP7391382B2 (ja) * 2018-05-31 2023-12-05 国立大学法人静岡大学 イオン濃度計測装置
US11588095B2 (en) * 2018-09-28 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Piezoelectric biosensor and related method of formation
DE102018218045A1 (de) * 2018-10-22 2020-04-23 Robert Bosch Gmbh Fortgeschrittene potentiometrie für einen rekalibrierungsfreien ionenselektiven elektrodensensor
KR20230029669A (ko) * 2020-07-02 2023-03-03 일루미나, 인코포레이티드 전계 효과 트랜지스터들을 갖는 디바이스들
IL302221A (en) 2020-10-22 2023-06-01 Quantum Si Inc An integrated circuit with series-coupled charge storage and related techniques
JP2022101978A (ja) * 2020-12-25 2022-07-07 浜松ホトニクス株式会社 イオンセンサ及びイオンセンサの製造方法
CN115963160B (zh) * 2023-03-15 2023-05-23 太原理工大学 一种多参数跨尺度生化传感器芯片及其使用方法
CN116908244B (zh) * 2023-09-13 2023-12-22 四川省林业和草原调查规划院 一种林业生态保护用采样装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200510714A (en) * 2003-09-03 2005-03-16 Univ Chung Yuan Christian Method for manufacturing an array pH sensor and its readout circuit
CN101292156A (zh) * 2004-07-13 2008-10-22 Dna电子有限公司 包括离子敏感场效应晶体管的信号处理电路以及监控流体属性的方法
US20090026082A1 (en) * 2006-12-14 2009-01-29 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
WO2009081890A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 National University Corporation Toyohashi University Of Technology 複合検出装置

Family Cites Families (528)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3531258A (en) 1967-11-16 1970-09-29 Us Health Education & Welfare Apparatus for the automated synthesis of peptides
DE2413703C3 (de) 1974-03-21 1979-01-04 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Ventilanordnung für die Zuführung flüssiger oder gasförmiger Substanzen zu einem Verarbeitungsgefäß
JPS5530312B2 (zh) 1975-01-16 1980-08-09
US4133735A (en) 1977-09-27 1979-01-09 The Board Of Regents Of The University Of Washington Ion-sensitive electrode and processes for making the same
US5132418A (en) 1980-02-29 1992-07-21 University Patents, Inc. Process for preparing polynucleotides
JPS57136158A (en) 1981-02-17 1982-08-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Ph electrode
GB2096824A (en) 1981-04-09 1982-10-20 Sibbald Alastair Chemically sensitive field effect transistor
DE3269784D1 (en) 1981-05-15 1986-04-17 Licentia Gmbh Method for measuring ionic concentrations
FR2510260A1 (fr) 1981-07-24 1983-01-28 Suisse Fond Rech Microtech Dispositif semiconducteur sensible aux ions
US4438354A (en) 1981-08-14 1984-03-20 American Microsystems, Incorporated Monolithic programmable gain-integrator stage
JPS5870155U (ja) 1981-11-06 1983-05-12 ヤマハ株式会社 電子機器用収納家具
US4411741A (en) 1982-01-12 1983-10-25 University Of Utah Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids
US4558845A (en) 1982-09-22 1985-12-17 Hunkapiller Michael W Zero dead volume valve
NL8302964A (nl) 1983-08-24 1985-03-18 Cordis Europ Inrichting voor het bepalen van de aktiviteit van een ion (pion) in een vloeistof.
NL8303792A (nl) 1983-11-03 1985-06-03 Cordis Europ Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet.
JPS60128345A (ja) 1983-12-15 1985-07-09 Olympus Optical Co Ltd イオン濃度測定装置
US4660063A (en) 1985-03-18 1987-04-21 General Electric Company Immersion type ISFET
DE3513168A1 (de) 1985-04-12 1986-10-16 Thomas 8000 München Dandekar Biosensor bestehend aus einem halbleiter auf silizium oder kohlenstoffbasis (elektronischer teil) und nukleinbasen (od. anderen biol. monomeren)
US4743954A (en) 1985-06-07 1988-05-10 University Of Utah Integrated circuit for a chemical-selective sensor with voltage output
US4863849A (en) 1985-07-18 1989-09-05 New York Medical College Automatable process for sequencing nucleotide
EP0213825A3 (en) 1985-08-22 1989-04-26 Molecular Devices Corporation Multiple chemically modulated capacitance
GB8522785D0 (en) 1985-09-14 1985-10-16 Emi Plc Thorn Chemical-sensitive semiconductor device
US5140393A (en) 1985-10-08 1992-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Sensor device
US4822566A (en) 1985-11-19 1989-04-18 The Johns Hopkins University Optimized capacitive sensor for chemical analysis and measurement
JPS62237349A (ja) 1986-04-08 1987-10-17 Nec Corp 水素イオン濃度分布測定装置
US4864229A (en) 1986-05-03 1989-09-05 Integrated Ionics, Inc. Method and apparatus for testing chemical and ionic sensors
US4722830A (en) 1986-05-05 1988-02-02 General Electric Company Automated multiple stream analysis system
US5082788A (en) 1986-08-27 1992-01-21 Porton Instruments, Inc. Method of sequencing peptides and proteins using a valve block assembly
JPS6364406A (ja) 1986-09-04 1988-03-22 Tamura Seisakusho Co Ltd 変動周波数チヨツピング方式絶縁アンプ
US5113870A (en) 1987-05-01 1992-05-19 Rossenfeld Joel P Method and apparatus for the analysis, display and classification of event related potentials by interpretation of P3 responses
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
CA1303130C (en) 1988-02-08 1992-06-09 Imants R. Lauks Metal oxide electrodes
US4971903A (en) 1988-03-25 1990-11-20 Edward Hyman Pyrophosphate-based method and apparatus for sequencing nucleic acids
US4874499A (en) 1988-05-23 1989-10-17 Massachusetts Institute Of Technology Electrochemical microsensors and method of making such sensors
US5200051A (en) 1988-11-14 1993-04-06 I-Stat Corporation Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof
US4893088A (en) 1988-11-16 1990-01-09 Harris Corporation Transimpedance focal plane processor
US4990974A (en) 1989-03-02 1991-02-05 Thunderbird Technologies, Inc. Fermi threshold field effect transistor
JPH02250331A (ja) 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP0394598B1 (en) 1989-04-28 1996-03-06 International Business Machines Corporation An improved gate array cell having FETS of different and optimized sizes
JP2789109B2 (ja) 1989-05-25 1998-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6919211B1 (en) 1989-06-07 2005-07-19 Affymetrix, Inc. Polypeptide arrays
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
JP3001104B2 (ja) 1989-10-04 2000-01-24 オリンパス光学工業株式会社 センサー構造体及びその製造法
IT1238117B (it) 1989-10-16 1993-07-07 Marelli Autronica Circuito a condensatori commutati, integrabile in tecnologia mos, con funzione di raddrizzatore a doppia semionda e di integratore
US5118607A (en) 1989-10-23 1992-06-02 Hawaii Biotechnology Group, Inc. Non-aqueous solvent specific binding protein assays
US5110441A (en) 1989-12-14 1992-05-05 Monsanto Company Solid state ph sensor
JP3120237B2 (ja) 1990-01-10 2000-12-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 イメージセンサ
US6054034A (en) 1990-02-28 2000-04-25 Aclara Biosciences, Inc. Acrylic microchannels and their use in electrophoretic applications
US5126022A (en) 1990-02-28 1992-06-30 Soane Tecnologies, Inc. Method and device for moving molecules by the application of a plurality of electrical fields
US5126759A (en) 1990-06-26 1992-06-30 Eastman Kodak Company Non-impact printer with token bit control of data and current regulation signals
JPH0458474A (ja) 1990-06-26 1992-02-25 Witco Of Jupiter Dentsu Kk 小型コネクタ用雌型接触子とその製造方法
US5202576A (en) 1990-08-29 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Asymmetrical non-volatile memory cell, arrays and methods for fabricating same
US5317407A (en) 1991-03-11 1994-05-31 General Electric Company Fixed-pattern noise correction circuitry for solid-state imager
KR940010562B1 (ko) 1991-09-06 1994-10-24 손병기 Ta_2O_5수소이온 감지막을 갖는 감이온 전계효과 트랜지스터의 제조방법
JPH0580115A (ja) 1991-09-19 1993-04-02 Fujitsu Ltd 不揮発性ランダムアクセスメモリ装置及び不揮発性ランダムアクセスメモリ装置における浮遊ゲート電圧レベルの検出方法
CA2121797A1 (en) 1991-10-21 1993-04-29 James W. Holm-Kennedy Method and device for biochemical sensing
US5846708A (en) 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
US5637469A (en) 1992-05-01 1997-06-10 Trustees Of The University Of Pennsylvania Methods and apparatus for the detection of an analyte utilizing mesoscale flow systems
US5498392A (en) 1992-05-01 1996-03-12 Trustees Of The University Of Pennsylvania Mesoscale polynucleotide amplification device and method
US5587128A (en) 1992-05-01 1996-12-24 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Mesoscale polynucleotide amplification devices
JPH0645875A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Nec Corp スイッチトキャパシタ回路
US5313984A (en) 1992-09-24 1994-05-24 Santa Barbara Research Center Multi-fluid, variable sequence, zero dead volume valve and system
DE4232532A1 (de) 1992-09-29 1994-04-28 Ct Fuer Intelligente Sensorik Anordnung und Verfahren zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von ionensensitiven Feldeffekttransistoren
JPH06138846A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Hitachi Ltd 液晶中間調表示方式
US5284566A (en) 1993-01-04 1994-02-08 Bacharach, Inc. Electrochemical gas sensor with wraparound reference electrode
US5436149A (en) 1993-02-19 1995-07-25 Barnes; Wayne M. Thermostable DNA polymerase with enhanced thermostability and enhanced length and efficiency of primer extension
WO1994026029A1 (en) 1993-04-26 1994-11-10 Unifet Incorporated Method and apparatus for multiplexing devices having long thermal time constants
DE69333722T2 (de) 1993-05-31 2005-12-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen Dielektrikschichten, an ihrer Grenzfläche, in der Herstellung von Halbleiterbauelementen
JP3413664B2 (ja) 1993-08-12 2003-06-03 ソニー株式会社 電荷転送装置
US5965452A (en) 1996-07-09 1999-10-12 Nanogen, Inc. Multiplexed active biologic array
JPH07169861A (ja) 1993-12-14 1995-07-04 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5414284A (en) 1994-01-19 1995-05-09 Baxter; Ronald D. ESD Protection of ISFET sensors
US6021172A (en) 1994-01-28 2000-02-01 California Institute Of Technology Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter
WO1995022051A1 (en) 1994-02-09 1995-08-17 Abbott Laboratories Diagnostic flow cell device
JP3351088B2 (ja) 1994-03-28 2002-11-25 松下電工株式会社 電源装置
US5439839A (en) 1994-07-13 1995-08-08 Winbond Electronics Corporation Self-aligned source/drain MOS process
US6001229A (en) 1994-08-01 1999-12-14 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Apparatus and method for performing microfluidic manipulations for chemical analysis
DE4430811C1 (de) 1994-08-30 1995-09-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistors in CMOS-Silizium-Planartechnologie
US6654505B2 (en) 1994-10-13 2003-11-25 Lynx Therapeutics, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
US5631704A (en) 1994-10-14 1997-05-20 Lucent Technologies, Inc. Active pixel sensor and imaging system having differential mode
US5490971A (en) 1994-10-25 1996-02-13 Sippican, Inc. Chemical detector
US5585069A (en) 1994-11-10 1996-12-17 David Sarnoff Research Center, Inc. Partitioned microelectronic and fluidic device array for clinical diagnostics and chemical synthesis
US5830645A (en) 1994-12-09 1998-11-03 The Regents Of The University Of California Comparative fluorescence hybridization to nucleic acid arrays
US6001299A (en) 1995-02-21 1999-12-14 Japan Vilene Company, Ltd. Process and apparatus for manufacturing an electret article
DE19512117A1 (de) 1995-04-04 1996-10-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Meßeinrichtung
US5856174A (en) 1995-06-29 1999-01-05 Affymetrix, Inc. Integrated nucleic acid diagnostic device
FR2736205B1 (fr) 1995-06-30 1997-09-19 Motorola Semiconducteurs Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation
US6291166B1 (en) 1997-04-16 2001-09-18 Xtrana, Inc. Nucleic acid archiving
US5646558A (en) 1995-09-27 1997-07-08 Intel Corporation Plurality of distinct multiplexers that operate as a single multiplexer
US5702964A (en) 1995-10-17 1997-12-30 Lg Semicon, Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device having a floating gate
US6825047B1 (en) 1996-04-03 2004-11-30 Applera Corporation Device and method for multiple analyte detection
US6074827A (en) 1996-07-30 2000-06-13 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic method for nucleic acid purification and processing
AU4081297A (en) 1996-08-21 1998-03-06 Smithkline Beecham Corporation Rapid process for arraying and synthesizing bead-based combinatorial libraries
JPH1078827A (ja) 1996-09-02 1998-03-24 Yokogawa Electric Corp Ｉｃのスタート回路
GB9620209D0 (en) 1996-09-27 1996-11-13 Cemu Bioteknik Ab Method of sequencing DNA
US5894284A (en) 1996-12-02 1999-04-13 Motorola, Inc. Common-mode output sensing circuit
US5958703A (en) 1996-12-03 1999-09-28 Glaxo Group Limited Use of modified tethers in screening compound libraries
CA2271717A1 (en) 1996-12-12 1998-06-18 Prolume, Ltd. Apparatus and method for detecting and identifying infectious agents
US6605428B2 (en) 1996-12-20 2003-08-12 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
US20030215857A1 (en) 1996-12-20 2003-11-20 Roche Diagnostics Gmbh Method for the direct, exponential amplification and sequencing of DNA molecules and its application
DE19653439A1 (de) 1996-12-20 1998-07-02 Svante Dr Paeaebo Verfahren zur direkten, exponentiellen Amplifikation und Sequenzierung von DNA Molekülen und dessen Anwendung
US5912560A (en) 1997-02-25 1999-06-15 Waferscale Integration Inc. Charge pump circuit for voltage boosting in integrated semiconductor circuits
US5793230A (en) 1997-02-26 1998-08-11 Sandia Corporation Sensor readout detector circuit
US6197557B1 (en) 1997-03-05 2001-03-06 The Regents Of The University Of Michigan Compositions and methods for analysis of nucleic acids
US7622294B2 (en) 1997-03-14 2009-11-24 Trustees Of Tufts College Methods for detecting target analytes and enzymatic reactions
US6327410B1 (en) 1997-03-14 2001-12-04 The Trustees Of Tufts College Target analyte sensors utilizing Microspheres
US6391622B1 (en) 1997-04-04 2002-05-21 Caliper Technologies Corp. Closed-loop biochemical analyzers
US6872527B2 (en) 1997-04-16 2005-03-29 Xtrana, Inc. Nucleic acid archiving
US5944970A (en) 1997-04-29 1999-08-31 Honeywell Inc. Solid state electrochemical sensors
US5911873A (en) 1997-05-02 1999-06-15 Rosemount Analytical Inc. Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points
US7220550B2 (en) 1997-05-14 2007-05-22 Keensense, Inc. Molecular wire injection sensors
US6969488B2 (en) 1998-05-22 2005-11-29 Solexa, Inc. System and apparatus for sequential processing of analytes
JP4294740B2 (ja) 1997-05-23 2009-07-15 ソレクサ・インコーポレイテッド 分析物の系列的プロセシングのためのシステムおよび装置
JP4231560B2 (ja) 1997-05-29 2009-03-04 株式会社堀場製作所 化学量の分布の電気化学的測定方法および装置
US6002299A (en) 1997-06-10 1999-12-14 Cirrus Logic, Inc. High-order multipath operational amplifier with dynamic offset reduction, controlled saturation current limiting, and current feedback for enhanced conditional stability
FR2764702B1 (fr) 1997-06-11 1999-09-03 Lyon Ecole Centrale Procede d'identification et/ou de dosage de substances biologiques, presentes dans un liquide conducteur, dispositif et capteur d'affinite utiles pour la mise en oeuvre de ce procede
US5923421A (en) 1997-07-24 1999-07-13 Lockheed Martin Energy Research Corporation Chemical detection using calorimetric spectroscopy
US6465178B2 (en) 1997-09-30 2002-10-15 Surmodics, Inc. Target molecule attachment to surfaces
WO1999019341A1 (en) 1997-10-10 1999-04-22 President & Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6511803B1 (en) 1997-10-10 2003-01-28 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
US6485944B1 (en) 1997-10-10 2002-11-26 President And Fellows Of Harvard College Replica amplification of nucleic acid arrays
AU1517999A (en) 1997-10-15 1999-05-03 Aclara Biosciences, Inc. Laminate microstructure device and method for making same
KR100251528B1 (ko) 1997-10-22 2000-04-15 김덕중 복수개의 센스 소오스 패드를 구비한 센스 전계효과 트랜지스터
US6369737B1 (en) 1997-10-30 2002-04-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus for converting a low dynamic range analog signal to a large dynamic range floating-point digital representation
EP0928101A3 (en) 1997-12-31 2001-05-02 Texas Instruments Incorporated CMOS area array sensors
JP4183789B2 (ja) 1998-01-14 2008-11-19 株式会社堀場製作所 物理現象および／または化学現象の検出装置
US7090975B2 (en) 1998-03-13 2006-08-15 Promega Corporation Pyrophosphorolysis and incorporation of nucleotide method for nucleic acid detection
US6627154B1 (en) 1998-04-09 2003-09-30 Cyrano Sciences Inc. Electronic techniques for analyte detection
US7875440B2 (en) 1998-05-01 2011-01-25 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
JP3813818B2 (ja) 1998-05-01 2006-08-23 アリゾナ ボード オブ リージェンツ オリゴヌクレオチドおよびｄｎａ分子のヌクレオチド配列の決定方法
US6780591B2 (en) 1998-05-01 2004-08-24 Arizona Board Of Regents Method of determining the nucleotide sequence of oligonucleotides and DNA molecules
EP2045334A1 (en) 1998-06-24 2009-04-08 Illumina, Inc. Decoding of array sensors with microspheres
US6195585B1 (en) 1998-06-26 2001-02-27 Advanced Bionics Corporation Remote monitoring of implantable cochlear stimulator
US6787111B2 (en) 1998-07-02 2004-09-07 Amersham Biosciences (Sv) Corp. Apparatus and method for filling and cleaning channels and inlet ports in microchips used for biological analysis
JP4137239B2 (ja) 1998-08-03 2008-08-20 株式会社堀場製作所 Ｉｓｆｅｔアレイ
US6191444B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Mini flash process and circuit
KR100324914B1 (ko) 1998-09-25 2002-02-28 니시무로 타이죠 기판의 검사방법
WO2000028337A2 (en) 1998-11-06 2000-05-18 Onguard Systems, Inc. Electronic circuit with a non-continuous discharge path
CA2317743A1 (en) 1998-12-11 2000-06-22 Paul Mansky Sensor array-based system and method for rapid materials characterization
EP1141409B2 (en) 1998-12-14 2009-05-27 Pacific Biosciences of California, Inc. A kit and methods for nucleic acid sequencing of single molecules by polymerase synthesis
DE19857953C2 (de) 1998-12-16 2001-02-15 Conducta Endress & Hauser Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit
US6429027B1 (en) 1998-12-28 2002-08-06 Illumina, Inc. Composite arrays utilizing microspheres
US6361671B1 (en) 1999-01-11 2002-03-26 The Regents Of The University Of California Microfabricated capillary electrophoresis chip and method for simultaneously detecting multiple redox labels
GB9901475D0 (en) 1999-01-22 1999-03-17 Pyrosequencing Ab A method of DNA sequencing
US20020150909A1 (en) 1999-02-09 2002-10-17 Stuelpnagel John R. Automated information processing in randomly ordered arrays
EP1157431A1 (en) 1999-02-22 2001-11-28 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem A hybrid electrical device with biological components
US6632655B1 (en) 1999-02-23 2003-10-14 Caliper Technologies Corp. Manipulation of microparticles in microfluidic systems
US20030108867A1 (en) 1999-04-20 2003-06-12 Chee Mark S Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US20050181440A1 (en) 1999-04-20 2005-08-18 Illumina, Inc. Nucleic acid sequencing using microsphere arrays
US6355431B1 (en) 1999-04-20 2002-03-12 Illumina, Inc. Detection of nucleic acid amplification reactions using bead arrays
WO2000068671A2 (en) 1999-05-12 2000-11-16 Aclara Biosciences, Inc. Multiplexed fluorescent detection in microfluidic devices
US7097973B1 (en) 1999-06-14 2006-08-29 Alpha Mos Method for monitoring molecular species within a medium
US6818395B1 (en) 1999-06-28 2004-11-16 California Institute Of Technology Methods and apparatus for analyzing polynucleotide sequences
US6589779B1 (en) 1999-07-16 2003-07-08 Board Of Regents, The University Of Texas System General signaling protocol for chemical receptors in immobilized matrices
US6459398B1 (en) 1999-07-20 2002-10-01 D.S.P.C. Technologies Ltd. Pulse modulated digital to analog converter (DAC)
US6977145B2 (en) 1999-07-28 2005-12-20 Serono Genetics Institute S.A. Method for carrying out a biochemical protocol in continuous flow in a microreactor
US6423536B1 (en) 1999-08-02 2002-07-23 Molecular Dynamics, Inc. Low volume chemical and biochemical reaction system
US7244559B2 (en) 1999-09-16 2007-07-17 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US7211390B2 (en) 1999-09-16 2007-05-01 454 Life Sciences Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6274320B1 (en) 1999-09-16 2001-08-14 Curagen Corporation Method of sequencing a nucleic acid
US6671341B1 (en) 1999-09-17 2003-12-30 Agere Systems, Inc. Glitch-free phase switching synthesizer
US7124221B1 (en) 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US6878255B1 (en) 1999-11-05 2005-04-12 Arrowhead Center, Inc. Microfluidic devices with thick-film electrochemical detection
GB9926956D0 (en) 1999-11-13 2000-01-12 Koninkl Philips Electronics Nv Amplifier
US6518024B2 (en) 1999-12-13 2003-02-11 Motorola, Inc. Electrochemical detection of single base extension
US20030148301A1 (en) 1999-12-10 2003-08-07 Toshiya Aono Method of detecting nucleotide polymorphism
WO2001042498A1 (fr) 1999-12-10 2001-06-14 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Procede de detection de polymorphisme nucleotidique
JP2001175340A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電位発生回路
US6372291B1 (en) 1999-12-23 2002-04-16 Applied Materials, Inc. In situ deposition and integration of silicon nitride in a high density plasma reactor
DE19963509A1 (de) 1999-12-28 2001-07-05 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung hochreiner Schwefelsäure
KR100744857B1 (ko) 2000-02-14 2007-08-01 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 제어가능한 이득을 갖는 전류 대 전압 변환기 및 이를포함하는 신호 처리 회로
EP1198596A1 (en) 2000-02-15 2002-04-24 Lynx Therapeutics, Inc. Data analysis and display system for ligation-based dna sequencing
EP1257668B1 (en) 2000-02-16 2008-10-29 Illumina, Inc. Parallel genotyping of multiple patient samples
US6649416B1 (en) 2000-02-18 2003-11-18 Trustees Of Tufts College Intelligent electro-optical sensor array and method for analyte detection
FR2805826B1 (fr) 2000-03-01 2002-09-20 Nucleica Nouvelles puces a adn
WO2001064344A2 (en) 2000-03-02 2001-09-07 Microchips, Inc. Microfabricated devices for the storage and selective exposure of chemicals and devices
JP3442338B2 (ja) 2000-03-17 2003-09-02 株式会社日立製作所 Ｄｎａ分析装置、ｄｎａ塩基配列決定装置、ｄｎａ塩基配列決定方法、および反応モジュール
ATE301837T1 (de) 2000-03-30 2005-08-15 Infineon Technologies Ag Sensor-anordnung und verfahren zum erfassen eines zustands eines transistors einer sensor-anordnung
US20040002470A1 (en) 2000-04-13 2004-01-01 Tim Keith Novel human gene relating to respiratory diseases, obesity, and inflammatory bowel disease
WO2001081896A1 (en) 2000-04-24 2001-11-01 Eagle Research & Development, Llc An ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US6413792B1 (en) 2000-04-24 2002-07-02 Eagle Research Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US8232582B2 (en) 2000-04-24 2012-07-31 Life Technologies Corporation Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7001792B2 (en) 2000-04-24 2006-02-21 Eagle Research & Development, Llc Ultra-fast nucleic acid sequencing device and a method for making and using the same
US7682837B2 (en) 2000-05-05 2010-03-23 Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University Devices and methods to form a randomly ordered array of magnetic beads and uses thereof
US20020042388A1 (en) 2001-05-01 2002-04-11 Cooper Mark J. Lyophilizable and enhanced compacted nucleic acids
US20020168678A1 (en) 2000-06-07 2002-11-14 Li-Cor, Inc. Flowcell system for nucleic acid sequencing
WO2002001647A1 (en) 2000-06-23 2002-01-03 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Microelectronic device and method for label-free detection and quantification of biological and chemical molecules
EP1368460B1 (en) 2000-07-07 2007-10-31 Visigen Biotechnologies, Inc. Real-time sequence determination
US6611037B1 (en) 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US6939451B2 (en) 2000-09-19 2005-09-06 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic chip having integrated electrodes
AU2001296809A1 (en) 2000-10-10 2002-04-22 Biotrove, Inc. Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
US6537881B1 (en) 2000-10-16 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Process for fabricating a non-volatile memory device
US6558626B1 (en) 2000-10-17 2003-05-06 Nomadics, Inc. Vapor sensing instrument for ultra trace chemical detection
WO2002047266A2 (en) 2000-10-20 2002-06-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Transient electrical signal based methods and devices for characterizing molecular interaction and/or motion in a sample
US6770472B2 (en) 2000-11-17 2004-08-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Direct DNA sequencing with a transcription protein and a nanometer scale electrometer
CA2430888C (en) 2000-12-11 2013-10-22 President And Fellows Of Harvard College Nanosensors
GB2370410A (en) 2000-12-22 2002-06-26 Seiko Epson Corp Thin film transistor sensor
DE10065013B4 (de) 2000-12-23 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
KR20020055785A (ko) 2000-12-29 2002-07-10 구본준, 론 위라하디락사 횡전계 방식의 액정표시장치
US6958216B2 (en) 2001-01-10 2005-10-25 The Trustees Of Boston College DNA-bridged carbon nanotube arrays
JP2002221510A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Japan Science & Technology Corp 蓄積型化学・物理現象検出装置
JP4809983B2 (ja) 2001-02-14 2011-11-09 明彦 谷岡 生体高分子とリガンドとの相互作用を検出する装置及びその方法
EP1236804A1 (en) 2001-03-02 2002-09-04 Boehringer Mannheim Gmbh A method for determination of a nucleic acid using a control
DE10111458B4 (de) 2001-03-09 2008-09-11 Siemens Ag Analyseeinrichtung
US8114591B2 (en) 2001-03-09 2012-02-14 Dna Electronics Ltd. Sensing apparatus and method
GB0105831D0 (en) 2001-03-09 2001-04-25 Toumaz Technology Ltd Method for dna sequencing utilising enzyme linked field effect transistors
JP2004523243A (ja) 2001-03-12 2004-08-05 カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー 非同期性塩基伸長によってポリヌクレオチド配列を分析するための方法および装置
US7027932B2 (en) 2001-03-21 2006-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Biochemical examination method
JP2002272463A (ja) 2001-03-22 2002-09-24 Olympus Optical Co Ltd 一塩基多型の型を判定する方法
US20040146849A1 (en) 2002-01-24 2004-07-29 Mingxian Huang Biochips including ion transport detecting structures and methods of use
US20050058990A1 (en) 2001-03-24 2005-03-17 Antonio Guia Biochip devices for ion transport measurement, methods of manufacture, and methods of use
EP1384022A4 (en) 2001-04-06 2004-08-04 California Inst Of Techn AMPLIFICATION OF NUCLEIC ACID USING MICROFLUIDIC DEVICES
US6418968B1 (en) 2001-04-20 2002-07-16 Nanostream, Inc. Porous microfluidic valves
KR100455283B1 (ko) 2001-04-23 2004-11-08 삼성전자주식회사 물질 유로의 측벽에 형성된 ｍｏｓｆｅｔ으로 이루어진물질 검출용 칩, 이를 포함하는 물질 검출 장치, 이의제조 방법 및 물질 검출 장치를 이용한 물질 검출 방법
KR100442838B1 (ko) 2001-12-11 2004-08-02 삼성전자주식회사 프로브의 고정화 검출방법 및 상기 프로브와 표적시료의결합정도 검출방법
JP3883512B2 (ja) 2001-04-23 2007-02-21 三星電子株式会社 微細流路の側壁に形成されたｍｏｓｆｅｔよりなる物質検出用チップ、これを含む物質検出装置、及び物質検出装置を利用した物質検出方法
US6571189B2 (en) 2001-05-14 2003-05-27 Hewlett-Packard Company System and method for scanner calibration
US20040023253A1 (en) 2001-06-11 2004-02-05 Sandeep Kunwar Device structure for closely spaced electrodes
WO2003004690A2 (en) 2001-07-06 2003-01-16 454$m(3) CORPORATION Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7668697B2 (en) 2006-02-06 2010-02-23 Andrei Volkov Method for analyzing dynamic detectable events at the single molecule level
DE10133363A1 (de) 2001-07-10 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Messzelle und Messfeld mit solchen Messzellen sowie Verwendung einer Messzelle und Verwendung eines Messfeldes
US7485443B2 (en) 2001-07-17 2009-02-03 Northwestern University Solid-phase reactions
JP2003032908A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Nisshinbo Ind Inc キャパシタ組電池、その制御方法、その制御装置及び自動車用蓄電システム
EP1412487B1 (en) 2001-07-30 2010-06-16 Meso Scale Technologies LLC Assay electrodes having immobilized lipid/protein layers and methods of making and using the same
US6490220B1 (en) 2001-08-13 2002-12-03 Micron Technology, Inc. Method for reliably shutting off oscillator pulses to a charge-pump
JP4623887B2 (ja) 2001-08-27 2011-02-02 オー・エイチ・ティー株式会社 検査装置用センサ及び検査装置
US6929944B2 (en) 2001-08-31 2005-08-16 Beckman Coulter, Inc. Analysis using a distributed sample
GB0121602D0 (en) 2001-09-06 2001-10-24 Randox Lab Ltd Molecular array
US20030054396A1 (en) 2001-09-07 2003-03-20 Weiner Michael P. Enzymatic light amplification
DE10151020A1 (de) 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Schaltkreis-Anordnung, Sensor-Array und Biosensor-Array
DE10151021A1 (de) 2001-10-16 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Sensor-Anordnung
US6795117B2 (en) 2001-11-06 2004-09-21 Candela Microsystems, Inc. CMOS image sensor with noise cancellation
US20030124599A1 (en) 2001-11-14 2003-07-03 Shiping Chen Biochemical analysis system with combinatorial chemistry applications
WO2003042683A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-22 Bio-X Inc. Fet type sensor, ion density detecting method comprising this sensor, and base sequence detecting method
US20050170347A1 (en) 2001-12-19 2005-08-04 Yuji Miyahara Potentiometric dna microarray, process for producing the same and method of analyzing nucleic acid
US20050106587A1 (en) 2001-12-21 2005-05-19 Micronas Gmbh Method for determining of nucleic acid analytes
US6518146B1 (en) 2002-01-09 2003-02-11 Motorola, Inc. Semiconductor device structure and method for forming
FR2835058B1 (fr) 2002-01-21 2004-03-12 Centre Nat Rech Scient Procede de detection d'au moins un parametre caracteristique de molecules sondes fixees sur au moins une zone active d'un capteur
US7772383B2 (en) 2002-01-25 2010-08-10 The Trustees Of Princeton University Chemical PCR: Compositions for enhancing polynucleotide amplification reactions
KR100403637B1 (ko) 2002-01-26 2003-10-30 삼성전자주식회사 출력 일그러짐을 최소화하는 파워 앰프 클리핑 회로
US6614301B2 (en) 2002-01-31 2003-09-02 Intel Corporation Differential amplifier offset adjustment
US7276749B2 (en) 2002-02-05 2007-10-02 E-Phocus, Inc. Image sensor with microcrystalline germanium photodiode layer
US6926865B2 (en) 2002-02-11 2005-08-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for detecting DNA hybridization
JP2003258128A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法ならびにその動作方法
US7223371B2 (en) 2002-03-14 2007-05-29 Micronics, Inc. Microfluidic channel network device
US6953958B2 (en) 2002-03-19 2005-10-11 Cornell Research Foundation, Inc. Electronic gain cell based charge sensor
JP2003279532A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Horiba Ltd 化学濃度センサおよび化学濃度センサの製造方法
JP2003322633A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Seiko Epson Corp センサセル、バイオセンサ及びこれらの製造方法
US20030215791A1 (en) 2002-05-20 2003-11-20 Applied Spectral Imaging Ltd. Method of and system for multiplexed analysis by spectral imaging
JP2004000033A (ja) 2002-05-30 2004-01-08 Nagaoka Seiki Seisakusho:Kk 野菜・果物の皮剥き装置
KR100468733B1 (ko) 2002-06-07 2005-01-29 삼성전자주식회사 스큐드 버스 구동 방법 및 회로
US6828685B2 (en) 2002-06-14 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device having a semiconducting polymer film
US6894930B2 (en) 2002-06-19 2005-05-17 Sandisk Corporation Deep wordline trench to shield cross coupling between adjacent cells for scaled NAND
US20040136866A1 (en) 2002-06-27 2004-07-15 Nanosys, Inc. Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same
US7092757B2 (en) 2002-07-12 2006-08-15 Cardiac Pacemakers, Inc. Minute ventilation sensor with dynamically adjusted excitation current
US6885827B2 (en) * 2002-07-30 2005-04-26 Amplification Technologies, Inc. High sensitivity, high resolution detection of signals
WO2004017423A2 (de) 2002-07-31 2004-02-26 Infineon Technologies Ag Sensor-anordnung
US7842377B2 (en) 2003-08-08 2010-11-30 Boston Scientific Scimed, Inc. Porous polymeric particle comprising polyvinyl alcohol and having interior to surface porosity-gradient
US7273704B2 (en) 2002-08-12 2007-09-25 Hitachi High-Technologies Corporation Method of detecting nucleic acid by using DNA microarrays and nucleic acid detection apparatus
US7267751B2 (en) 2002-08-20 2007-09-11 Nanogen, Inc. Programmable multiplexed active biologic array
GB0219541D0 (en) 2002-08-22 2002-10-02 Secr Defence Method and apparatus for stand-off chemical detection
JP4092990B2 (ja) 2002-09-06 2008-05-28 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
US8449824B2 (en) 2002-09-09 2013-05-28 Yizhong Sun Sensor instrument system including method for detecting analytes in fluids
US7595883B1 (en) 2002-09-16 2009-09-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Biological analysis arrangement and approach therefor
SE0202867D0 (sv) 2002-09-27 2002-09-27 Pyrosequencing Ab New sequencing method
CN1500887A (zh) 2002-10-01 2004-06-02 松下电器产业株式会社 引物伸长反应检测方法、碱基种类判别方法及其装置
AU2003282548A1 (en) 2002-10-10 2004-05-04 Nanosys, Inc. Nano-chem-fet based biosensors
DE10247889A1 (de) 2002-10-14 2004-04-22 Infineon Technologies Ag Sensor-Anordnung und Verfahren zum Betreiben einer Sensor-Anordnung
US20040079636A1 (en) 2002-10-25 2004-04-29 Chin Hsia Biomedical ion sensitive semiconductor sensor and sensor array
AU2003285092A1 (en) 2002-10-29 2004-05-25 Cornell Research Foundation, Inc. Chemical-sensitive floating gate field effect transistor
US6700814B1 (en) 2002-10-30 2004-03-02 Motorola, Inc. Sense amplifier bias circuit for a memory having at least two distinct resistance states
CN101831163B (zh) 2002-11-01 2013-07-10 佐治亚技术研究公司 牺牲组合物、其应用以及分解方法
DE10251757B4 (de) 2002-11-05 2006-03-09 Micronas Holding Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von in einer zu untersuchenden Probe enthaltenen Liganden
US7022288B1 (en) 2002-11-13 2006-04-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chemical detection sensor system
US20040130377A1 (en) 2002-11-26 2004-07-08 Akira Takeda Switched capacitor amplifier circuit and electronic device
DE10255755B4 (de) 2002-11-28 2006-07-13 Schneider, Christian, Dr. Integrierte elektronische Schaltung mit Feldeffekt-Sensoren zum Nachweis von Biomolekülen
WO2004051231A1 (ja) 2002-11-29 2004-06-17 Nec Corporation 分離装置および分離方法
US7163659B2 (en) 2002-12-03 2007-01-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid
WO2004052540A2 (en) 2002-12-05 2004-06-24 Protasis Corporation Configurable microfluidic substrate assembly
US20040197803A1 (en) 2002-12-06 2004-10-07 Hidenobu Yaku Method, primer and kit for determining base type
WO2004069849A2 (en) 2003-01-29 2004-08-19 454 Corporation Bead emulsion nucleic acid amplification
US7575865B2 (en) 2003-01-29 2009-08-18 454 Life Sciences Corporation Methods of amplifying and sequencing nucleic acids
US20050006234A1 (en) 2003-02-13 2005-01-13 Arjang Hassibi Semiconductor electrochemical bio-sensor array
US7317484B2 (en) 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
US20070262363A1 (en) 2003-02-28 2007-11-15 Board Of Regents, University Of Texas System Low temperature fabrication of discrete silicon-containing substrates and devices
JP4586329B2 (ja) 2003-03-10 2010-11-24 カシオ計算機株式会社 Ｄｎａ分析装置及び分析方法
EP1606416A2 (en) 2003-03-10 2005-12-21 Casio Computer Co., Ltd. Dna analyzing apparatus, dna sensor, and analyzing method
TW586228B (en) 2003-03-19 2004-05-01 Univ Chung Yuan Christian Method for fabricating a titanium nitride sensing membrane on an EGFET
TWI235236B (en) 2003-05-09 2005-07-01 Univ Chung Yuan Christian Ion-sensitive circuit
JP2004343441A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Denso Corp 受光回路および距離計測装置
JP3760411B2 (ja) 2003-05-21 2006-03-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスｏｌｅｄパネルの製造方法
WO2004106891A2 (en) 2003-05-22 2004-12-09 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensor
EP1634075B1 (en) 2003-06-10 2015-01-14 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Electronic device for communication with living cells
US7250115B2 (en) 2003-06-12 2007-07-31 Agilent Technologies, Inc Nanopore with resonant tunneling electrodes
US6795006B1 (en) 2003-07-18 2004-09-21 Zarlink Semiconductor Ab Integrator reset mechanism
WO2005015156A2 (en) 2003-08-04 2005-02-17 Idaho Research Foundation, Inc. Molecular detector
US7151398B2 (en) 2003-08-26 2006-12-19 Integrated Device Technology, Inc. Clock signal generators having programmable full-period clock skew control
JP2005077210A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 National Institute For Materials Science 生体分子検出素子及びそれを用いた核酸解析方法
WO2005029040A2 (en) 2003-09-18 2005-03-31 Parallele Biosciences, Inc. System and methods for enhancing signal-to-noise ratios of microarray-based measurements
GB0322010D0 (en) 2003-09-19 2003-10-22 Univ Cambridge Tech Detection of molecular interactions using field effect transistors
JP2005124126A (ja) 2003-09-24 2005-05-12 Seiko Epson Corp インピーダンス回路網、これを用いたフィルタ回路、増幅回路、半導体集積回路、電子機器及び無線通信装置
US7008550B2 (en) 2003-09-25 2006-03-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a read transducer by ion milling and chemical mechanical polishing to eliminate nonuniformity near the MR sensor
GB0323224D0 (en) 2003-10-03 2003-11-05 Rolls Royce Plc A module for a fuel cell stack
US20070087401A1 (en) 2003-10-17 2007-04-19 Andy Neilson Analysis of metabolic activity in cells using extracellular flux rate measurements
WO2005043160A2 (en) 2003-10-31 2005-05-12 University Of Hawaii Ultrasensitive biochemical sensing platform
US7067886B2 (en) 2003-11-04 2006-06-27 International Business Machines Corporation Method of assessing potential for charging damage in SOI designs and structures for eliminating potential for damage
US20050095602A1 (en) 2003-11-04 2005-05-05 West Jason A. Microfluidic integrated microarrays for biological detection
US7981362B2 (en) 2003-11-04 2011-07-19 Meso Scale Technologies, Llc Modular assay plates, reader systems and methods for test measurements
AU2004290036B2 (en) 2003-11-10 2011-08-04 Geneohm Sciences, Inc. Nucleic acid detection method having increased sensitivity
DE10352917A1 (de) 2003-11-11 2005-06-16 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensoranordnung mit mehreren potentiometrischen Sensoren
US7169560B2 (en) 2003-11-12 2007-01-30 Helicos Biosciences Corporation Short cycle methods for sequencing polynucleotides
WO2005054431A2 (en) 2003-12-01 2005-06-16 454 Corporation Method for isolation of independent, parallel chemical micro-reactions using a porous filter
US7279588B2 (en) 2003-12-02 2007-10-09 Seoul National University Foundation Dinuclear metal complex and pyrophosphate assay using the same
WO2005062049A2 (en) 2003-12-22 2005-07-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) The use of microelectronic structures for patterned deposition of molecules onto surfaces
US6998666B2 (en) 2004-01-09 2006-02-14 International Business Machines Corporation Nitrided STI liner oxide for reduced corner device impact on vertical device performance
US7462512B2 (en) 2004-01-12 2008-12-09 Polytechnic University Floating gate field effect transistors for chemical and/or biological sensing
EP1706734A1 (en) 2004-01-21 2006-10-04 Rosemount Analytical Inc. Ion sensitive field effect transistor (isfet) sensor with improved gate configuration
JP4065855B2 (ja) 2004-01-21 2008-03-26 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
CA2553833C (en) 2004-01-28 2012-10-02 454 Corporation Nucleic acid amplification with continuous flow emulsion
JP3903183B2 (ja) 2004-02-03 2007-04-11 独立行政法人物質・材料研究機構 遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法
US7129883B2 (en) 2004-02-23 2006-10-31 Sony Corporation Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus
JP2005242001A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Agilent Technol Inc Ｔｆｔアレイ試験方法
AU2005216549A1 (en) 2004-02-27 2005-09-09 President And Fellows Of Harvard College Polony fluorescent in situ sequencing beads
WO2005084367A2 (en) 2004-03-03 2005-09-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Photocleavable fluorescent nucleotides for dna sequencing on chip constructed by site-specific coupling chemistry
US20060057604A1 (en) 2004-03-15 2006-03-16 Thinkfar Nanotechnology Corporation Method for electrically detecting oligo-nucleotides with nano-particles
JP4127679B2 (ja) 2004-03-18 2008-07-30 株式会社東芝 核酸検出カセット及び核酸検出装置
DE102004014537A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Fujitsu Ltd., Kawasaki Chipintegrierter Detektor zum Analysieren von Flüssigkeiten
WO2005090961A1 (ja) 2004-03-24 2005-09-29 Japan Science And Technology Agency 生体分子に関する形態及び情報をis−fetを利用して検出する測定法およびシステム
US20050221473A1 (en) 2004-03-30 2005-10-06 Intel Corporation Sensor array integrated circuits
WO2005095938A1 (en) 2004-04-01 2005-10-13 Nanyang Technological University Addressable transistor chip for conducting assays
US7117605B2 (en) 2004-04-13 2006-10-10 Gyrodata, Incorporated System and method for using microgyros to measure the orientation of a survey tool within a borehole
US7544979B2 (en) 2004-04-16 2009-06-09 Technion Research & Development Foundation Ltd. Ion concentration transistor and dual-mode sensors
US7462452B2 (en) 2004-04-30 2008-12-09 Pacific Biosciences Of California, Inc. Field-switch sequencing
TWI261801B (en) 2004-05-24 2006-09-11 Rohm Co Ltd Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same organic EL drive circuit
ITTO20040386A1 (it) 2004-06-09 2004-09-09 Infm Istituto Naz Per La Fisi Dispositivo ad effetto di campo per la rilevazione di piccole quantita' di carica elettrica, come quelle generate in processi biomolecolari, immobilizzate nelle vicinanze della superficie.
US7264934B2 (en) 2004-06-10 2007-09-04 Ge Healthcare Bio-Sciences Corp. Rapid parallel nucleic acid analysis
US7361946B2 (en) 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US20060024711A1 (en) 2004-07-02 2006-02-02 Helicos Biosciences Corporation Methods for nucleic acid amplification and sequence determination
JP3874772B2 (ja) 2004-07-21 2007-01-31 株式会社日立製作所 生体関連物質測定装置及び測定方法
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
TWI258173B (en) 2004-10-08 2006-07-11 Ind Tech Res Inst Polysilicon thin-film ion sensitive FET device and fabrication method thereof
US7276453B2 (en) 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
US7190026B2 (en) 2004-08-23 2007-03-13 Enpirion, Inc. Integrated circuit employable with a power converter
WO2006022370A1 (ja) 2004-08-27 2006-03-02 National Institute For Materials Science 電界効果デバイスを用いたdna塩基配列解析方法及び塩基配列解析装置
US20070212681A1 (en) 2004-08-30 2007-09-13 Benjamin Shapiro Cell canaries for biochemical pathogen detection
WO2006025481A1 (ja) 2004-09-03 2006-03-09 Japan Science And Technology Agency センサユニット及び反応場セルユニット並びに分析装置
DE102004044299A1 (de) 2004-09-10 2006-03-30 Forschungszentrum Jülich GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Nachweis von geladenen Makromolekülen
WO2007001402A2 (en) 2004-09-30 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Redox potential mediated, heterogeneous, carbon nanotube biosensing
US7609303B1 (en) 2004-10-12 2009-10-27 Melexis Tessenderlo Nv Low noise active pixel image sensor using a modified reset value
JP2006138846A (ja) 2004-10-14 2006-06-01 Toshiba Corp 核酸検出センサ、核酸検出チップ及び核酸検出装置
US7534097B2 (en) 2004-10-15 2009-05-19 Nanyang Technological University Method and apparatus for controlling multi-fluid flow in a micro channel
US7381936B2 (en) 2004-10-29 2008-06-03 Ess Technology, Inc. Self-calibrating anti-blooming circuit for CMOS image sensor having a spillover protection performance in response to a spillover condition
US8340914B2 (en) 2004-11-08 2012-12-25 Gatewood Joe M Methods and systems for compressing and comparing genomic data
US7785785B2 (en) 2004-11-12 2010-08-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge perturbation detection system for DNA and other molecules
EP1812772A4 (en) 2004-11-18 2011-04-27 Morgan Res Corp MINIATURE SPECTROPHOTOMETER WITH FOURIER TRANSFORMATION
US20060205061A1 (en) 2004-11-24 2006-09-14 California Institute Of Technology Biosensors based upon actuated desorption
US7777283B2 (en) 2004-11-26 2010-08-17 Micronas Gmbh Electric component
JP4678676B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-27 株式会社堀場製作所 物理現象または化学現象の測定方法または測定装置
US7417231B2 (en) 2004-12-22 2008-08-26 Cti Pet Systems, Inc. Fourier re-binning of time-of-flight positron emission tomography data
US7499513B1 (en) 2004-12-23 2009-03-03 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing frequency synthesis and phase alignment in an integrated circuit
KR100623177B1 (ko) 2005-01-25 2006-09-13 삼성전자주식회사 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
WO2006083751A2 (en) 2005-01-31 2006-08-10 Pacific Biosciences Of California, Inc. Use of reversible extension terminator in nucleic acid sequencing
US20060199493A1 (en) 2005-02-04 2006-09-07 Hartmann Richard Jr Vent assembly
US20060182664A1 (en) 2005-02-14 2006-08-17 Peck Bill J Flow cell devices, systems and methods of using the same
US9040237B2 (en) 2005-03-04 2015-05-26 Intel Corporation Sensor arrays and nucleic acid sequencing applications
JP4171820B2 (ja) 2005-03-11 2008-10-29 国立大学法人豊橋技術科学大学 累積型化学・物理現象検出装置
JP2006284225A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Horiba Ltd ポテンシャルの測定方法および測定装置
JP2008534987A (ja) 2005-04-05 2008-08-28 プロテイン・デイスカバリー・インコーポレーテツド マトリックス支援レーザー脱離イオン化（ｍａｌｄｉ）質量分析法（ｍｓ）を含む化学分析のための検体の濃縮と分別のために改良された方法と装置
US20060228721A1 (en) 2005-04-12 2006-10-12 Leamon John H Methods for determining sequence variants using ultra-deep sequencing
TWI287041B (en) 2005-04-27 2007-09-21 Jung-Tang Huang An ultra-rapid DNA sequencing method with nano-transistors array based devices
GB0509275D0 (en) 2005-05-06 2005-06-15 Univ Cranfield Synthetic receptor
US20060269927A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Lieber Charles M Nanoscale sensors
DE102005027245A1 (de) 2005-06-13 2006-12-21 Siemens Ag Schaltkreisanordnung
CN1881457A (zh) 2005-06-14 2006-12-20 松下电器产业株式会社 致动器控制方法和使用该方法的盘装置
WO2006138284A2 (en) 2005-06-15 2006-12-28 Callida Genomics, Inc. Nucleic acid analysis by random mixtures of non-overlapping fragments
WO2007002204A2 (en) 2005-06-21 2007-01-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Pyrosequencing methods and related compostions
TW200701588A (en) 2005-06-29 2007-01-01 Leadtrend Tech Corp Dual loop voltage regulation circuit of power supply chip
US7890891B2 (en) * 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
JP2007035726A (ja) 2005-07-22 2007-02-08 Rohm Co Ltd 半導体装置、モジュールおよび電子機器
WO2007019039A1 (en) 2005-08-08 2007-02-15 Corning Incorporated Method for increasing a read-out speed of a ccd-detector
JP2009505045A (ja) 2005-08-08 2009-02-05 ミクロガン ゲーエムベーハー 半導体センサ
US7365597B2 (en) 2005-08-19 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Switched capacitor amplifier with higher gain and improved closed-loop gain accuracy
SG130066A1 (en) 2005-08-26 2007-03-20 Micron Technology Inc Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices
JP4353958B2 (ja) 2005-09-15 2009-10-28 株式会社日立製作所 Ｄｎａ計測装置、及びｄｎａ計測方法
ES2379921T3 (es) 2005-09-29 2012-05-07 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Chip microfluídico que puede sintetizar moléculas marcadas radiactivamente en una escala adecuada para la obtención de imágenes en seres humanos con tomografía por emisión de positrones
US7466258B1 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Cornell Research Foundation, Inc. Asynchronous analog-to-digital converter and method
US7794584B2 (en) 2005-10-12 2010-09-14 The Research Foundation Of State University Of New York pH-change sensor and method
US7335526B2 (en) 2005-10-31 2008-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensing system
US20070096164A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Peters Kevin F Sensing system
TWI295729B (en) 2005-11-01 2008-04-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Preparation of a ph sensor, the prepared ph sensor, systems comprising the same, and measurement using the systems
US7239188B1 (en) 2005-11-01 2007-07-03 Integrated Device Technology, Inc. Locked-loop integrated circuits having speed tracking circuits therein
US7538827B2 (en) 2005-11-17 2009-05-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
US7576037B2 (en) 2005-11-18 2009-08-18 Mei Technologies, Inc. Process and apparatus for combinatorial synthesis
US7973380B2 (en) * 2005-11-23 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for providing metal extension in backside illuminated sensor for wafer level testing
US20080178692A1 (en) 2007-01-29 2008-07-31 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Fluidic methods
US7566913B2 (en) 2005-12-02 2009-07-28 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same
GB2436619B (en) 2005-12-19 2010-10-06 Toumaz Technology Ltd Sensor circuits
JP2007194592A (ja) 2005-12-20 2007-08-02 Tdk Corp 誘電体素子とその製造方法
KR100718144B1 (ko) 2006-01-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 ｆｅｔ 기반 센서, 그를 포함하는 이온물질 검출 장치 및 그를 이용한 이온 물질 검출 방법
JP2007243003A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8017938B2 (en) 2006-03-17 2011-09-13 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Apparatus for microarray binding sensors having biological probe materials using carbon nanotube transistors
US20070233477A1 (en) 2006-03-30 2007-10-04 Infima Ltd. Lossless Data Compression Using Adaptive Context Modeling
US7923240B2 (en) 2006-03-31 2011-04-12 Intel Corporation Photo-activated field effect transistor for bioanalyte detection
US7590211B1 (en) 2006-04-07 2009-09-15 Altera Corporation Programmable logic device integrated circuit with communications channels having sharing phase-locked-loop circuitry
WO2007123908A2 (en) 2006-04-18 2007-11-01 Advanced Liquid Logic, Inc. Droplet-based multiwell operations
KR100723426B1 (ko) 2006-04-26 2007-05-30 삼성전자주식회사 이온 물질 검출용 전계 효과 트랜지스터 및 그를 이용한이온 물질 검출 방법
EP2047910B1 (en) 2006-05-11 2012-01-11 Raindance Technologies, Inc. Microfluidic device and method
WO2007138937A1 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4211805B2 (ja) * 2006-06-01 2009-01-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4404074B2 (ja) 2006-06-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置
WO2008007716A1 (en) 2006-07-13 2008-01-17 National University Corporation Nagoya University Material detection device
KR100799577B1 (ko) 2006-08-31 2008-01-30 한국전자통신연구원 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법
US7960776B2 (en) 2006-09-27 2011-06-14 Cornell Research Foundation, Inc. Transistor with floating gate and electret
US20080085219A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Beebe David J Microfluidic platform and method
US8231831B2 (en) 2006-10-06 2012-07-31 Sharp Laboratories Of America, Inc. Micro-pixelated fluid-assay structure
WO2008133719A2 (en) 2006-11-06 2008-11-06 Biowarn Llc Methodology and apparatus for the detection of biological substances
US20090111705A1 (en) 2006-11-09 2009-04-30 Complete Genomics, Inc. Selection of dna adaptor orientation by hybrid capture
DE102006052863B4 (de) 2006-11-09 2018-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung
US20080136933A1 (en) 2006-12-11 2008-06-12 Digital Imaging Systems Gmbh Apparatus for controlling operation of a multiple photosensor pixel image sensor
ES2923759T3 (es) * 2006-12-14 2022-09-30 Life Technologies Corp Aparato para medir analitos utilizando matrices de FET
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
US7972828B2 (en) 2006-12-19 2011-07-05 Sigma-Aldrich Co. Stabilized compositions of thermostable DNA polymerase and anionic or zwitterionic detergent
US7932034B2 (en) 2006-12-20 2011-04-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Heat and pH measurement for sequencing of DNA
US7486145B2 (en) 2007-01-10 2009-02-03 International Business Machines Corporation Circuits and methods for implementing sub-integer-N frequency dividers using phase rotators
WO2008089282A2 (en) 2007-01-16 2008-07-24 Silver James H Sensors for detecting subtances indicative of stroke, ischemia, infection or inflammation
JP4325684B2 (ja) 2007-02-20 2009-09-02 株式会社デンソー センサ制御装置、及び印加電圧特性の調整方法
US8031809B2 (en) 2007-02-28 2011-10-04 Seiko Epson Corporation Template pulse generating circuit, communication device, and communication method
JP2008215974A (ja) 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Holdings Co Ltd 電界効果トランジスタ型イオンセンサ
CN101743319B (zh) 2007-03-02 2013-03-06 Dna电子有限公司 使用固态pH传感器的qPCR
EP1975246A1 (de) 2007-03-29 2008-10-01 Micronas Holding GmbH Markierungsfreie Sequenzierung auf einer Festphase mittels Feldeffekttransistoren
AU2008276308A1 (en) 2007-07-13 2009-01-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus using electric field for improved biological assays
US20100176463A1 (en) 2007-07-19 2010-07-15 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7609093B2 (en) 2007-08-03 2009-10-27 Tower Semiconductor Ltd. Comparator with low supply current spike and input offset cancellation
EP2201021A4 (en) 2007-08-29 2012-01-25 Applied Biosystems Llc METHOD OF ALTERNATING NUCLEIC ACID SEQUENCING
US20100285601A1 (en) 2007-09-28 2010-11-11 Agency For Science, Technology And Research Method of electrically detecting a nucleic acid molecule
US7936042B2 (en) 2007-11-13 2011-05-03 International Business Machines Corporation Field effect transistor containing a wide band gap semiconductor material in a drain
KR100940415B1 (ko) 2007-12-03 2010-02-02 주식회사 동부하이텍 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법
EP2222878A1 (en) 2007-12-13 2010-09-01 Nxp B.V. A biosensor device and a method of sequencing biological particles
US8124936B1 (en) 2007-12-13 2012-02-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Stand-off chemical detector
US20090194416A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Chung Yuan Christian University Potentiometric biosensor for detection of creatinine and forming method thereof
DE102008012899A1 (de) 2008-03-06 2009-09-10 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Gassensors
US8067731B2 (en) 2008-03-08 2011-11-29 Scott Technologies, Inc. Chemical detection method and system
US7885490B2 (en) 2008-03-10 2011-02-08 Octrolix Bv Optical chemical detector and method
US7667501B2 (en) 2008-03-19 2010-02-23 Texas Instruments Incorporated Correlated double sampling technique
JP5259219B2 (ja) 2008-03-19 2013-08-07 株式会社三社電機製作所 電源装置
US20090273386A1 (en) 2008-05-01 2009-11-05 Custom One Design, Inc Apparatus for current-to-voltage integration for current-to-digital converter
US9019411B2 (en) 2008-05-01 2015-04-28 Alexander Krymski Image sensors and methods with pipelined readout
TWI377342B (en) * 2008-05-08 2012-11-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Method for forming an extended gate field effect transistor (egfet) based sensor and the sensor formed thereby
JP5377888B2 (ja) 2008-06-03 2013-12-25 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像装置および被検体内画像取得装置
US7821806B2 (en) 2008-06-18 2010-10-26 Nscore Inc. Nonvolatile semiconductor memory circuit utilizing a MIS transistor as a memory cell
GB2461127B (en) 2008-06-25 2010-07-14 Ion Torrent Systems Inc Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8470164B2 (en) 2008-06-25 2013-06-25 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
EP2304420A4 (en) 2008-06-26 2013-10-30 Life Technologies Corp METHODS AND APPARATUS FOR DETECTING MOLECULAR INTERACTIONS USING FET ARRAYS
US7893718B2 (en) 2008-08-13 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. High-speed multiplexer and semiconductor device including the same
JP5260193B2 (ja) 2008-09-03 2013-08-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路及びそのスイッチングノイズ平準化方法
KR101026468B1 (ko) 2008-09-10 2011-04-01 한국전자통신연구원 생분자 검출 장치 및 검출 방법
CN101676714A (zh) * 2008-09-16 2010-03-24 中研应用感测科技股份有限公司 整合式离子感测器
WO2010037085A1 (en) 2008-09-29 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Dna sequencing and amplification systems using nanoscale field effect sensor arrays
US8546128B2 (en) 2008-10-22 2013-10-01 Life Technologies Corporation Fluidics system for sequential delivery of reagents
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
WO2010047804A1 (en) 2008-10-22 2010-04-29 Ion Torrent Systems Incorporated Integrated sensor arrays for biological and chemical analysis
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8248356B2 (en) 2008-10-24 2012-08-21 Au Optronics Corp. Driving circuit for detecting line short defects
US8634817B2 (en) 2008-10-28 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Location information for control of mode/technology
US20100127333A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. novel layout architecture for performance enhancement
US7898277B2 (en) 2008-12-24 2011-03-01 Agere Systems Inc. Hot-electronic injection testing of transistors on a wafer
JP2009081890A (ja) * 2009-01-08 2009-04-16 Sumitomo Electric Networks Inc Ｉｐ電話端末
US8101479B2 (en) 2009-03-27 2012-01-24 National Semiconductor Corporation Fabrication of asymmetric field-effect transistors using L-shaped spacers
US9309557B2 (en) 2010-12-17 2016-04-12 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US9334531B2 (en) 2010-12-17 2016-05-10 Life Technologies Corporation Nucleic acid amplification
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
AT508322B1 (de) 2009-06-05 2012-04-15 Boehler Schmiedetechnik Gmbh & Co Kg Verfahren zur warmformgebung eines werkstückes
US20110037121A1 (en) 2009-08-16 2011-02-17 Tung-Hsing Lee Input/output electrostatic discharge device with reduced junction breakdown voltage
JP2011041205A (ja) 2009-08-18 2011-02-24 Panasonic Corp 電圧発生回路、デジタルアナログ変換器、ランプ波発生回路、アナログデジタル変換器、イメージセンサシステム及び電圧発生方法
SG169949A1 (en) 2009-09-11 2011-04-29 Agency Science Tech & Res Method of determining a sensitivity of a biosensor arrangement, and biosensor sensitivity determining system
US9018684B2 (en) 2009-11-23 2015-04-28 California Institute Of Technology Chemical sensing and/or measuring devices and methods
US8545248B2 (en) 2010-01-07 2013-10-01 Life Technologies Corporation System to control fluid flow based on a leak detected by a sensor
TWI422818B (zh) 2010-01-11 2014-01-11 Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab 氫離子感測場效電晶體及其製造方法
US9088208B2 (en) 2010-01-27 2015-07-21 Intersil Americas LLC System and method for high precision current sensing
US20110262903A1 (en) 2010-02-26 2011-10-27 Life Technologies Corporation Modified Proteins and Methods of Making and Using Same
US8878257B2 (en) * 2010-06-04 2014-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for an ISFET
US8455927B2 (en) 2010-06-30 2013-06-04 Life Technologies Corporation One-transistor pixel array with cascoded column circuit
US20120001646A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for testing isfet arrays
AU2011226767B1 (en) 2010-06-30 2011-11-10 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
US8653567B2 (en) 2010-07-03 2014-02-18 Life Technologies Corporation Chemically sensitive sensor with lightly doped drains
US8227877B2 (en) 2010-07-14 2012-07-24 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor bio-sensors and methods of manufacturing the same
WO2012024500A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Life Technologies Corporation Chemical coating of microwell for electrochemical detection device
CN103201696B (zh) 2010-08-23 2015-09-23 生命科技股份有限公司 化学检测***的温度控制
US8453494B2 (en) 2010-09-13 2013-06-04 National Semiconductor Corporation Gas detector that utilizes an electric field to assist in the collection and removal of gas molecules
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8685324B2 (en) 2010-09-24 2014-04-01 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
GB201017023D0 (en) 2010-10-08 2010-11-24 Dna Electronics Ltd ISFET switch
JP5735268B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-17 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 高周波半導体スイッチ
US10241075B2 (en) 2010-12-30 2019-03-26 Life Technologies Corporation Methods, systems, and computer readable media for nucleic acid sequencing
JP5613605B2 (ja) 2011-03-28 2014-10-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 クロック生成回路、それを用いたプロセッサシステム、及びクロック周波数制御方法
WO2012152308A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Ion sensitive field effect transistor
US9874898B2 (en) 2011-05-17 2018-01-23 Rambus Inc. Memory system using asymmetric source-synchronous clocking
US9518953B2 (en) 2011-09-07 2016-12-13 Technion Research And Development Foundation Ltd. Ion sensitive detector
US11008611B2 (en) 2011-09-30 2021-05-18 Unm Rainforest Innovations Double gate ion sensitive field effect transistor
WO2013055553A1 (en) 2011-10-03 2013-04-18 Life Technologies Corporation Electric field directed loading of microwell array
US9459234B2 (en) 2011-10-31 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., (“TSMC”) CMOS compatible BioFET
US8547151B2 (en) 2011-11-30 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase-locked loops that share a loop filter
AT12462U3 (de) 2012-01-09 2013-05-15 Plansee Se Röntgendrehanode mit zumindest anteilig radial ausgerichteter schleifstruktur
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US9194840B2 (en) 2012-01-19 2015-11-24 Life Technologies Corporation Sensor arrays and methods for making same
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8847637B1 (en) 2012-05-24 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Time-interleaved multi-modulus frequency divider
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
EP2677307B1 (en) 2012-06-21 2016-05-11 Nxp B.V. Integrated circuit with sensors and manufacturing method
WO2014077783A1 (en) 2012-11-15 2014-05-22 Nanyang Technological University Image capture device and image capture system
US8728844B1 (en) 2012-12-05 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside CMOS compatible bioFET with no plasma induced damage
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US9389199B2 (en) 2013-03-14 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside sensing bioFET with enhanced performance
EP2972280B1 (en) 2013-03-15 2021-09-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor with consistent sensor surface areas
WO2014149779A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US9228974B2 (en) 2013-04-10 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array by self-alignment and selective etching
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
US20140367748A1 (en) 2013-06-14 2014-12-18 International Business Machines Corporation EXTENDED GATE SENSOR FOR pH SENSING
US9023674B2 (en) 2013-09-20 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Biosensing well array with protective layer
US20150097214A1 (en) 2013-10-09 2015-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Structures, apparatuses and methods for fabricating sensors in multi-layer structures
US9488615B2 (en) 2014-12-17 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Biosensor with a sensing surface on an interlayer dielectric
US10006910B2 (en) 2014-12-18 2018-06-26 Agilome, Inc. Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same
US10048220B2 (en) 2015-10-08 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Biosensor field effect transistor having specific well structure and method of forming the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200510714A (en) * 2003-09-03 2005-03-16 Univ Chung Yuan Christian Method for manufacturing an array pH sensor and its readout circuit
CN101292156A (zh) * 2004-07-13 2008-10-22 Dna电子有限公司 包括离子敏感场效应晶体管的信号处理电路以及监控流体属性的方法
US20090026082A1 (en) * 2006-12-14 2009-01-29 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
WO2009081890A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 National University Corporation Toyohashi University Of Technology 複合検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140367750A1 (en) 2014-12-18
JP6649428B2 (ja) 2020-02-19
EP2588851A1 (en) 2013-05-08
JP2013533482A (ja) 2013-08-22
JP2018109654A (ja) 2018-07-12
TWI547688B (zh) 2016-09-01
US20160097736A1 (en) 2016-04-07
AU2011226767B1 (en) 2011-11-10
US10481123B2 (en) 2019-11-19
TW201641934A (zh) 2016-12-01
WO2012003363A1 (en) 2012-01-05
US9239313B2 (en) 2016-01-19
TW201712332A (en) 2017-04-01
EP2588851A4 (en) 2013-08-28
TWI580955B (zh) 2017-05-01
CN103154718B (zh) 2015-09-23
US20180202966A1 (en) 2018-07-19
EP2588851B1 (en) 2016-12-21
CN103154718A (zh) 2013-06-12
JP2016128841A (ja) 2016-07-14
US20200158684A1 (en) 2020-05-21
JP2020073910A (ja) 2020-05-14
US8858782B2 (en) 2014-10-14
US20120000274A1 (en) 2012-01-05
TW201221950A (en) 2012-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI624665B (zh) 離子感測電荷累積電路及方法
US11231451B2 (en) Methods and apparatus for testing ISFET arrays
EP2589084B1 (en) Transistor circuits for detection and measurement of chemical reactions and compounds
TW201233163A (en) Matched pair transistor circuits
CN102132154A (zh) 无需参考电极的电化学电势感测
Duarte-Guevara et al. Characterization of a 1024× 1024 DG-BioFET platform
Uzzal Avalanche ISFET Sensing Chip for DNA Sequencing

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees