JP2002221510A - 蓄積型化学・物理現象検出装置 - Google Patents
蓄積型化学・物理現象検出装置Info
- Publication number
- JP2002221510A JP2002221510A JP2001018904A JP2001018904A JP2002221510A JP 2002221510 A JP2002221510 A JP 2002221510A JP 2001018904 A JP2001018904 A JP 2001018904A JP 2001018904 A JP2001018904 A JP 2001018904A JP 2002221510 A JP2002221510 A JP 2002221510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- physical phenomenon
- detection device
- accumulation type
- physical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学物理現象を検出するセンサ素子をアレイ
状に配置して複数の化学物理現象を検出したり、同一の
化学物理現象でも、その分布を一度に検出することがで
きる蓄積型化学・物理現象検出装置を提供する。 【解決手段】 累積型化学・物理現象装置を複数個、１
次元または２次元に並べた蓄積型化学・物理現象検出装
置アレイ１と、垂直選択器２と、水平選択器４とを備
え、一度に複数の化学・物理現象を検出する、または同
一の化学・物理現象の１次元または２次元の分布の状況
を一度に検出する。
状に配置して複数の化学物理現象を検出したり、同一の
化学物理現象でも、その分布を一度に検出することがで
きる蓄積型化学・物理現象検出装置を提供する。 【解決手段】 累積型化学・物理現象装置を複数個、１
次元または２次元に並べた蓄積型化学・物理現象検出装
置アレイ１と、垂直選択器２と、水平選択器４とを備
え、一度に複数の化学・物理現象を検出する、または同
一の化学・物理現象の１次元または２次元の分布の状況
を一度に検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学物理現象の検
出を行う蓄積型化学・物理現象検出装置（ＡＭＩＳ）に
関するものである。
出を行う蓄積型化学・物理現象検出装置（ＡＭＩＳ）に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、本願発明者によって提案された特願２０００−
２９３６６９号がある。
例えば、本願発明者によって提案された特願２０００−
２９３６６９号がある。
【０００３】図４はかかる蓄積型化学・物理現象検出装
置の構成図である。
置の構成図である。
【０００４】この図において、ＩD はインプットダイオ
ード、ＩG はインプットゲート、ＳＰはセンシング部、
ＯG はアウトプットゲート、ＦＤはフローティングダイ
オード、ＶDDは電源電圧端子、ＶRST はリセット端子、
ＶOUT は出力端子、ＶbNはバイアス電圧設定端子であ
る。
ード、ＩG はインプットゲート、ＳＰはセンシング部、
ＯG はアウトプットゲート、ＦＤはフローティングダイ
オード、ＶDDは電源電圧端子、ＶRST はリセット端子、
ＶOUT は出力端子、ＶbNはバイアス電圧設定端子であ
る。
【０００５】例えば、イオンセンシティブ電界効果トラ
ンジスタ（ＩＳＦＥＴ）を例に挙げて説明する。ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−
Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート電極
に、イオン感応膜の役割をする薄膜（水素イオンであれ
ばシリコン窒化膜が一般的である）を堆積した構造を持
つＩＳＦＥＴを、適当な防水を施した後に、イオン濃度
を知りたい水溶液につける。
ンジスタ（ＩＳＦＥＴ）を例に挙げて説明する。ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−
Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ
Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート電極
に、イオン感応膜の役割をする薄膜（水素イオンであれ
ばシリコン窒化膜が一般的である）を堆積した構造を持
つＩＳＦＥＴを、適当な防水を施した後に、イオン濃度
を知りたい水溶液につける。
【０００６】その水溶液中には、さらにその水溶液の電
位を決めるための参照電極が配置されており、シリコン
窒化膜を設けたゲート電極を介して、水素イオン濃度に
見合った電位の変化がシリコン基板表面に現れる。する
と水素イオン濃度が変化し、その電位も変化する。この
シリコン表面の電位変化をトランジスタの電流の変化、
もしくは閾値電圧の変化として外部に取り出すことによ
り水溶液のイオン濃度を知ることができる。
位を決めるための参照電極が配置されており、シリコン
窒化膜を設けたゲート電極を介して、水素イオン濃度に
見合った電位の変化がシリコン基板表面に現れる。する
と水素イオン濃度が変化し、その電位も変化する。この
シリコン表面の電位変化をトランジスタの電流の変化、
もしくは閾値電圧の変化として外部に取り出すことによ
り水溶液のイオン濃度を知ることができる。
【０００７】このように、従来のＡＭＩＳ構成では、Ｖ
RST 端子にリセット信号が加わることで、ＦＤ部がある
電位に固定され、そこにセンシング部ＳＰからの信号電
荷を累積する構造になっていた。
RST 端子にリセット信号が加わることで、ＦＤ部がある
電位に固定され、そこにセンシング部ＳＰからの信号電
荷を累積する構造になっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の蓄積型化学・物理現象検出装置によれば、検出
する検出部は一か所のみであり、複数の化学物理現象を
検出することは不可能であった。また、同一の化学物理
現象でも、その分布を一度に検出することは不可能であ
った。
た従来の蓄積型化学・物理現象検出装置によれば、検出
する検出部は一か所のみであり、複数の化学物理現象を
検出することは不可能であった。また、同一の化学物理
現象でも、その分布を一度に検出することは不可能であ
った。
【０００９】本発明は、上記問題点を除去し、化学物理
現象を検出するセンサ素子をアレイ状に配置して複数の
化学物理現象を検出したり、同一の化学物理現象でも、
その分布を一度に検出することができる蓄積型化学・物
理現象検出装置を提供することを目的とする。
現象を検出するセンサ素子をアレイ状に配置して複数の
化学物理現象を検出したり、同一の化学物理現象でも、
その分布を一度に検出することができる蓄積型化学・物
理現象検出装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕累積型化学・物理現象検出装置において、累積型
化学・物理現象装置を複数個、１次元または２次元に並
べて蓄積型化学・物理現象検出装置アレイと、垂直選択
器と、水平選択器とを備え、一度に複数の化学・物理現
象を検出する、または同一の化学・物理現象の１次元ま
たは２次元の分布の状況を一度に検出することを特徴と
する。
成するために、 〔１〕累積型化学・物理現象検出装置において、累積型
化学・物理現象装置を複数個、１次元または２次元に並
べて蓄積型化学・物理現象検出装置アレイと、垂直選択
器と、水平選択器とを備え、一度に複数の化学・物理現
象を検出する、または同一の化学・物理現象の１次元ま
たは２次元の分布の状況を一度に検出することを特徴と
する。
【００１１】〔２〕上記〔１〕記載の累積型化学・物理
現象検出装置において、列並列型雑音除去回路を具備す
ることを特徴とする。
現象検出装置において、列並列型雑音除去回路を具備す
ることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例を示すアレイ化した
蓄積型化学・物理現象検出装置の構成図、図２はそのア
レイ化したときのセンシング部の構成図、図３はその列
並列型雑音除去回路（コラムＣＤＳ回路）の構成図であ
る。
蓄積型化学・物理現象検出装置の構成図、図２はそのア
レイ化したときのセンシング部の構成図、図３はその列
並列型雑音除去回路（コラムＣＤＳ回路）の構成図であ
る。
【００１４】図１において、１は蓄積型化学・物理現象
検出装置アレイ、２は垂直選択器（Ｖ．ＳＣＡＮＮＥ
Ｒ）、３はコラムＣＤＳ回路、４は水平選択器（Ｈ．Ｓ
ＣＡＮＮＥＲ）である。
検出装置アレイ、２は垂直選択器（Ｖ．ＳＣＡＮＮＥ
Ｒ）、３はコラムＣＤＳ回路、４は水平選択器（Ｈ．Ｓ
ＣＡＮＮＥＲ）である。
【００１５】このように、図１は蓄積型化学・物理現象
検出装置を複数個、１次元もしくは２次元に並べ、アレ
イ状にしたものである。
検出装置を複数個、１次元もしくは２次元に並べ、アレ
イ状にしたものである。
【００１６】行の選択は垂直選択器（Ｖ．ＳＣＡＮＮＥ
Ｒ）２で行い、そのための選択トランジスタを画素中に
設けた。そして、それらの複数個の検出装置を逐次駆動
するための操作回路を追加した。列の選択は、列ごとに
設けられたリセット雑音除去回路の出力段に設けておく
ことにより、リセット雑音除去を１列ごとに行うことが
できる。
Ｒ）２で行い、そのための選択トランジスタを画素中に
設けた。そして、それらの複数個の検出装置を逐次駆動
するための操作回路を追加した。列の選択は、列ごとに
設けられたリセット雑音除去回路の出力段に設けておく
ことにより、リセット雑音除去を１列ごとに行うことが
できる。
【００１７】以上の構造をとることにより、それぞれの
画素中に入れられた因子のデータを同時に、並行に得る
ことができ、分布や時間変化等がより解析しやすくな
り、本来のＦＥＴ型センサのもつ出力増幅とＳ／Ｎ比の
向上を図ることができるとともに、より機能の向上した
化学・物理現象の検出装置を得ることができる。
画素中に入れられた因子のデータを同時に、並行に得る
ことができ、分布や時間変化等がより解析しやすくな
り、本来のＦＥＴ型センサのもつ出力増幅とＳ／Ｎ比の
向上を図ることができるとともに、より機能の向上した
化学・物理現象の検出装置を得ることができる。
【００１８】ＡＭＩＳのアレイ構成〔２次元例〕の場
合、ここで、 Ｖsel ：セレクト信号 ＡＭＩＳアレイの１つのセンサ部の構成は後述するが、
その要素を縦、横に並べる。その縦、横を並べて信号を
順次得るために、垂直選択器２、水平選択器４が付加さ
れている。コラムＣＤＳ回路とは、従来技術の１要素の
リセット雑音除去回路を列状に並べたものである。雑音
除去回路は１つのセンサ部に１つ付加してもかまわない
が、今回は１列に１個入れたときの列を示す。出力とし
てはＶre s とＶsig の差を取ることで得ることができ
る。
合、ここで、 Ｖsel ：セレクト信号 ＡＭＩＳアレイの１つのセンサ部の構成は後述するが、
その要素を縦、横に並べる。その縦、横を並べて信号を
順次得るために、垂直選択器２、水平選択器４が付加さ
れている。コラムＣＤＳ回路とは、従来技術の１要素の
リセット雑音除去回路を列状に並べたものである。雑音
除去回路は１つのセンサ部に１つ付加してもかまわない
が、今回は１列に１個入れたときの列を示す。出力とし
てはＶre s とＶsig の差を取ることで得ることができ
る。
【００１９】アレイ化したときのセンシング部の場合 Ｖsel ：垂直選択信号 である。
【００２０】垂直選択器２によりセンサ部を順次駆動す
るために、Ｖsel 信号によりセンサ部を選択して出力を
得るような構成になっている。
るために、Ｖsel 信号によりセンサ部を選択して出力を
得るような構成になっている。
【００２１】〔列並列型雑音除去回路（コラムＣＤＳ回
路）の構成〕は、図３に示すように構成される。
路）の構成〕は、図３に示すように構成される。
【００２２】ここで、Ａ：ＡＭＩＳ要素 ＶOUT はＡＭＩＳの構成と一致する Ｃrst ：リセットレベル記憶用容量 Ｃsig ：信号レベル記憶用容量 Ｖrst ：リセットの出力 Ｖsig ：信号の出力 ＲＨ（ｉ）：ｉ番目の容量リセット信号 ＳＨ（ｉ）：ｉ番目のセンサ出力信号 以下、列並列雑音除去回路（コラムＣＤＳ回路）におけ
る各部の動作の説明を行う。
る各部の動作の説明を行う。
【００２３】列並列雑音除去回路は、 １．リセット雑音除去回路に信号を導く前にＲＨ（ｉ）
をオンにして両容量の電位をそろえ、その後オフにす
る。
をオンにして両容量の電位をそろえ、その後オフにす
る。
【００２４】２．ΦＲをオンにしてＡＭＩＳのＦＤ部を
リセットした直後の出力をリセットレベル記憶用容量Ｃ
rst に記憶させ、ΦＲをオフにする。
リセットした直後の出力をリセットレベル記憶用容量Ｃ
rst に記憶させ、ΦＲをオフにする。
【００２５】３．ΦＳをオンにしてＡＭＩＳのＦＤ部に
複数回信号を蓄積した後の信号を信号レベル記憶用容量
Ｃsig に記憶させ、ΦＳをオフにする。
複数回信号を蓄積した後の信号を信号レベル記憶用容量
Ｃsig に記憶させ、ΦＳをオフにする。
【００２６】４．次に、ＳＨ（ｉ）をオンにして両容量
からの信号を出力させる。
からの信号を出力させる。
【００２７】５．この両者の差分の信号を差動増幅器等
で読み取ることで、リセットの雑音を除去した信号が得
られる。
で読み取ることで、リセットの雑音を除去した信号が得
られる。
【００２８】６．次に、１から５番目の動作を、ＲＨ
（ｉ＋１）の端子に信号を与えて順次駆動する。
（ｉ＋１）の端子に信号を与えて順次駆動する。
【００２９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００３１】同時に複数の異なる因子のデータを得るこ
とができる。つまり、複数の化学物理現象を同時に、も
しくは同一の化学物理現象の分布を一度に取得すること
が可能となる。
とができる。つまり、複数の化学物理現象を同時に、も
しくは同一の化学物理現象の分布を一度に取得すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施例を示すアレイ化した蓄積型化学
・物理現象検出装置の構成図である。
・物理現象検出装置の構成図である。
【図２】本発明の実施例を示すアレイ化したときのセン
シング部の構成図である。
シング部の構成図である。
【図３】本発明の実施例を示す列並列型雑音除去回路
（コラムＣＤＳ）の構成図である。
（コラムＣＤＳ）の構成図である。
【図４】従来の蓄積型化学・物理現象検出装置の構成図
である。
である。
１ 蓄積型化学・物理現象検出装置アレイ ２ 垂直選択器（Ｖ．ＳＣＡＮＮＥＲ） ３ コラムＣＤＳ回路 ４ 水平選択器（Ｈ．ＳＣＡＮＮＥＲ）
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）累積型化学・物理現象装置を複数
個、１次元または２次元に並べた蓄積型化学・物理現象
検出装置アレイと、（ｂ）垂直選択器と、（ｃ）水平選
択器とを備え、（ｄ）一度に複数の化学・物理現象を検
出する、または同一の化学・物理現象の１次元または２
次元の分布の状況を一度に検出することを特徴とする累
積型化学・物理現象検出装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の累積型化学・物理現象検
出装置において、列並列型雑音除去回路を具備すること
を特徴とする累積型化学・物理現象検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001018904A JP2002221510A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 蓄積型化学・物理現象検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001018904A JP2002221510A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 蓄積型化学・物理現象検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002221510A true JP2002221510A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18884862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001018904A Pending JP2002221510A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 蓄積型化学・物理現象検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002221510A (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510025A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-03-23 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | プローブ分子と標的生体分子との間の少なくとも１つの特異的相互作用を電子的に検出する方法 |
| JP2006284250A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Horiba Ltd | 物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置 |
| WO2013008908A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 化学・物理現象検出方法及びその装置 |
| JP2016188867A (ja) * | 2010-06-30 | 2016-11-04 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Ｉｓｆｅｔアレイをテストする方法及び装置 |
| US9823217B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-21 | Life Technologies Corporation | Chemical device with thin conductive element |
| US9835585B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-05 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
| US9841398B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-12-12 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
| US9852919B2 (en) | 2013-01-04 | 2017-12-26 | Life Technologies Corporation | Methods and systems for point of use removal of sacrificial material |
| US9927393B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-03-27 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US9951382B2 (en) | 2006-12-14 | 2018-04-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US9958414B2 (en) | 2010-09-15 | 2018-05-01 | Life Technologies Corporation | Apparatus for measuring analytes including chemical sensor array |
| US9960253B2 (en) | 2010-07-03 | 2018-05-01 | Life Technologies Corporation | Chemically sensitive sensor with lightly doped drains |
| US9964515B2 (en) | 2008-10-22 | 2018-05-08 | Life Technologies Corporation | Integrated sensor arrays for biological and chemical analysis |
| US9970984B2 (en) | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| US9989489B2 (en) | 2006-12-14 | 2018-06-05 | Life Technnologies Corporation | Methods for calibrating an array of chemically-sensitive sensors |
| US9995708B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-06-12 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface |
| US10077472B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-09-18 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
| US10422767B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-09-24 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with consistent sensor surface areas |
| US10458942B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US10481123B2 (en) | 2010-06-30 | 2019-11-19 | Life Technologies Corporation | Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods |
| US10605767B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-03-31 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
| US10641729B2 (en) | 2010-06-30 | 2020-05-05 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| US10718733B2 (en) | 2009-05-29 | 2020-07-21 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US11307166B2 (en) | 2010-07-01 | 2022-04-19 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| US11339430B2 (en) | 2007-07-10 | 2022-05-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001018904A patent/JP2002221510A/ja active Pending
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006510025A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-03-23 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | プローブ分子と標的生体分子との間の少なくとも１つの特異的相互作用を電子的に検出する方法 |
| JP2006284250A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Horiba Ltd | 物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置 |
| JP4641444B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 株式会社堀場製作所 | 物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置 |
| US10816506B2 (en) | 2006-12-14 | 2020-10-27 | Life Technologies Corporation | Method for measuring analytes using large scale chemfet arrays |
| US11732297B2 (en) * | 2006-12-14 | 2023-08-22 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US20220340965A1 (en) * | 2006-12-14 | 2022-10-27 | Life Technologies Corporation | Methods and Apparatus for Measuring Analytes Using Large Scale FET Arrays |
| US11435314B2 (en) | 2006-12-14 | 2022-09-06 | Life Technologies Corporation | Chemically-sensitive sensor array device |
| US10633699B2 (en) | 2006-12-14 | 2020-04-28 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US10502708B2 (en) | 2006-12-14 | 2019-12-10 | Life Technologies Corporation | Chemically-sensitive sensor array calibration circuitry |
| US9951382B2 (en) | 2006-12-14 | 2018-04-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US10203300B2 (en) | 2006-12-14 | 2019-02-12 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US9989489B2 (en) | 2006-12-14 | 2018-06-05 | Life Technnologies Corporation | Methods for calibrating an array of chemically-sensitive sensors |
| US11339430B2 (en) | 2007-07-10 | 2022-05-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US9964515B2 (en) | 2008-10-22 | 2018-05-08 | Life Technologies Corporation | Integrated sensor arrays for biological and chemical analysis |
| US11137369B2 (en) | 2008-10-22 | 2021-10-05 | Life Technologies Corporation | Integrated sensor arrays for biological and chemical analysis |
| US11768171B2 (en) | 2009-05-29 | 2023-09-26 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US9927393B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-03-27 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US10809226B2 (en) | 2009-05-29 | 2020-10-20 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US10718733B2 (en) | 2009-05-29 | 2020-07-21 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US11692964B2 (en) | 2009-05-29 | 2023-07-04 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US11231451B2 (en) | 2010-06-30 | 2022-01-25 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for testing ISFET arrays |
| US10481123B2 (en) | 2010-06-30 | 2019-11-19 | Life Technologies Corporation | Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods |
| JP2016188867A (ja) * | 2010-06-30 | 2016-11-04 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Ｉｓｆｅｔアレイをテストする方法及び装置 |
| US10641729B2 (en) | 2010-06-30 | 2020-05-05 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| US11307166B2 (en) | 2010-07-01 | 2022-04-19 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| US9960253B2 (en) | 2010-07-03 | 2018-05-01 | Life Technologies Corporation | Chemically sensitive sensor with lightly doped drains |
| US9958414B2 (en) | 2010-09-15 | 2018-05-01 | Life Technologies Corporation | Apparatus for measuring analytes including chemical sensor array |
| US9958415B2 (en) | 2010-09-15 | 2018-05-01 | Life Technologies Corporation | ChemFET sensor including floating gate |
| JPWO2013008908A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-02-23 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 化学・物理現象検出方法及びその装置 |
| US9766202B2 (en) | 2011-07-14 | 2017-09-19 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | Method for detecting chemical and physical phenomenon, and device therefor |
| WO2013008908A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 化学・物理現象検出方法及びその装置 |
| US10598723B2 (en) | 2011-12-01 | 2020-03-24 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| US10365321B2 (en) | 2011-12-01 | 2019-07-30 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| US9970984B2 (en) | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| US9852919B2 (en) | 2013-01-04 | 2017-12-26 | Life Technologies Corporation | Methods and systems for point of use removal of sacrificial material |
| US10436742B2 (en) | 2013-01-08 | 2019-10-08 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
| US9841398B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-12-12 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
| US9995708B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-06-12 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface |
| US10422767B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-09-24 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with consistent sensor surface areas |
| US9835585B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-05 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
| US9823217B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-21 | Life Technologies Corporation | Chemical device with thin conductive element |
| US11499938B2 (en) | 2013-06-10 | 2022-11-15 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US10816504B2 (en) | 2013-06-10 | 2020-10-27 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US10458942B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US11774401B2 (en) | 2013-06-10 | 2023-10-03 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US10605767B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-03-31 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
| US10767224B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-09-08 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
| US11536688B2 (en) | 2014-12-18 | 2022-12-27 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
| US10077472B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-09-18 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002221510A (ja) | 蓄積型化学・物理現象検出装置 | |
| US4972243A (en) | Photoelectric conversion apparatus with shielded cell | |
| JP6275184B2 (ja) | マッチドペアトランジスタ回路 | |
| JP3838665B2 (ja) | Ｍｏｓ型固体撮像装置 | |
| KR101143698B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| KR100552451B1 (ko) | 문턱전압이 보상되는 요철 검출장치 및 그 방법 | |
| KR0133646B1 (ko) | 광전변환 시스템 | |
| JPH11201775A (ja) | 物理現象および／または化学現象の検出装置 | |
| JP3546985B2 (ja) | 増幅型光電変換素子、増幅型固体撮像装置及びその駆動方法 | |
| CN101554044A (zh) | 固态成像装置、固态成像装置的驱动方法、以及成像装置 | |
| US20050168605A1 (en) | Photoelectric conversion device and image pickup system using the photoelectric conversion device | |
| EP1041356A1 (en) | Uneveness detecting sensor, fingerprint ID system and personal ID system | |
| JPH0654957B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US20220260519A1 (en) | Smell detection device and smell detection method | |
| TWI773731B (zh) | 離子濃度分布測定裝置 | |
| US4387402A (en) | Charge injection imaging device for faithful (dynamic) scene representation | |
| JP4133028B2 (ja) | 融合型化学・物理現象検出装置 | |
| JP3648162B2 (ja) | 累積型化学・物理現象検出装置のリセット雑音除去回路 | |
| JP6447925B2 (ja) | イオン濃度センサ | |
| JP6307058B2 (ja) | イオン濃度センサ、およびイオン濃度測定方法 | |
| JP5773357B2 (ja) | 化学・物理現象検出装置及び検出方法 | |
| JP6074770B2 (ja) | 化学・物理現象検出方法及びその装置 | |
| JP6644336B2 (ja) | イオン濃度センサ | |
| JP2893625B2 (ja) | フォトセンサシステム | |
| JPH1093868A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20031210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041214 |