TWI422818B - 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 - Google Patents
氫離子感測場效電晶體及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI422818B TWI422818B TW099100444A TW99100444A TWI422818B TW I422818 B TWI422818 B TW I422818B TW 099100444 A TW099100444 A TW 099100444A TW 99100444 A TW99100444 A TW 99100444A TW I422818 B TWI422818 B TW I422818B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- gate
- field effect
- effect transistor
- hydrogen ion
- Prior art date
Links
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 117
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 2
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 2
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
- H01L29/4958—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo with a multiple layer structure
Description
本發明係為一種氫離子感測場效電晶體及其製造方法，更特別為一種應用在生物感測器以測量pH值並與電晶體製程相容之氫離子感測場效電晶體及其製造方法。
所謂生物感測器(Biosensor)是指利用生物感測元件(如酵素、抗體…等)將生物材料中的各式測量標的(如葡萄糖、血糖濃度、鉀離子濃度、膽固醇…等)的資訊利用物理原理轉換成電子訊號或光學訊號，以使得後續分析處理更易於判讀之一種可測定微量成份的分析裝置。
然而，在實際測量時，倘若其中之pH值有所差異，則往往會影響生物材料中之各式化學物質的離子化程度，同時也會改變生物材料或測量標的之活性。因此，為了讓感測其他生物資訊之測量結果得以準確，因此需要一種可測量pH值之生物感測器。
第1圖為習知技術之離子感測場效電晶體的剖面示意圖。
現今常用於測量pH值之生物感測器為離子感測場效電晶體(Ion-Sensitive Field Effect Transistor,ISFET)，其係由Piet Bergveld於1970年提出之電化學感測元件，其具備微型化與適合自動化量測之優點。
請參見第1圖，離子感測場效電晶體與積體電路製程技術使用之互補式金氧半導體(Complementary Metal Oxide Silicon,CMOS)的結構類似，離子感測場效電晶體具有半導體基材10、汲極區11、源極區12、絕緣層13、離子感測膜14、金屬層15、環氧樹脂16、外加之參考電極17以及緩衝溶液(Buffer Solution)20。
離子感測場效電晶體與互補式金氧半導體間之差異是可將互補式金氧半導體之金屬閘極以離子感測膜14、緩衝溶液20以及外加的參考電極17取代。將此離子感測場效電晶體浸泡於緩衝溶液20中，當離子感測場效電晶體與不同pH值的緩衝溶液20接觸時，會於金屬閘極(即離子感測膜14)與緩衝溶液20接觸之界面上產生不同的電位變化，使通道之電流發生改變，藉此特性而由參考電極17量測之電訊號經後續轉換處理後，可評估出緩衝溶液20之pH值或其他離子之濃度。
至今30年來國際上已有許多離子感測場效電晶體之相關研究，如參考電極之研究與微小化、酵素固定之場效型離子感測元件、差動式前端檢測電路結構之探討，亦找尋更合適且穩定性更佳之離子感測薄膜，如Si3
N4
、Al2
O3
、Ta2
O5
、SnO2
、a-WO3
、a-Si:H、AlN、PbTiO3
等材料。然而，這些研究仍不脫前述先前技術之基本架構。
本發明係為一種氫離子感測場效電晶體及其製造方法以應用在生物感測器上，利用互補式金氧半導體製程中常見的鋁銅(AlCu)合金導線，藉由需要溫度控制與溼度控制，在無須任何額外之薄膜沉積製程下即可生成出相當緻密且很薄之氧化鋁層，利用此氧化鋁層作為離子感測層以量測pH值，進而達到氫離子量測的目的。
本發明係為一種氫離子感測場效電晶體及其製造方法，其係藉由與互補式金氧半導體製程之整合，並降低製造成本，並進而達到單一晶片的需求。
為達上述功效，本發明係提供一種氫離子感測場效電晶體，其包括：一半導體基材，其上定義有一閘極範圍，並且具有一源極區及一汲極區；一絕緣層，形成於半導體基材上之閘極範圍內；一電晶體閘極，設置於閘極範圍內並且具有一第一閘極導電層，第一閘極導電層為一鋁金屬層並且定義有一感測窗區域於其上；以及一感測薄膜層，形成於感測窗區域內，其中感測薄膜層係為由第一閘極導電層氧化而成之一層氧化鋁層。
為達上述功效，本發明又提供一種氫離子感測場效電晶體之製造方法，其包括下列步驟：提供一半導體基材，半導體基材上形成有一源極區、一汲極區及一絕緣層，絕緣層係位於半導體基材上之一閘極範圍內；進行一閘極製程，其係沉積一鋁金屬層於閘極範圍內以形成一第一閘極導電層；定義一感測窗區域於第一閘極導電層上；以及形成一感測薄膜層，其係曝露第一閘極導電層之感測窗區域於含氧之氣體中，以形成一層氧化鋁層作為感測薄膜層。
藉由本發明的實施，至少可達到下列進步功效：
一、利用一般互補式金氧半導體製程即可製造出可量測pH值之氫離子感測場效電晶體。
二、無須任何額外之薄膜沉積製程即可生成出相當緻密且很薄之氧化鋁層，利用此氧化鋁層作為離子感測層以達到氫離子量測的目的，且不需要增加任何額外的製程成本。
為了使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點，因此將在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點。
第2A圖和第2B圖分別為本發明不同實施態樣之氫離子感測場效電晶體之剖面示意圖。第3圖為本發明之一種氫離子感測場效電晶體之製造方法的流程實施例示意圖。第4圖為應用本發明之一種氫離子感測場效電晶體以用於測量溶液之pH值的測量結果。
請參見第2A圖，其係為本發明第一實施例之氫離子感測場效電晶體，其基本架構與互補式金氧半導體之結構類似。氫離子感測場效電晶體，其包括：一半導體基材30；一絕緣層33；一電晶體閘極34；以及一感測薄膜層37。
半導體基材30上定義有一閘極範圍40，又半導體基材30中具有一汲極區31及一源極區32，而閘極範圍40中則具有一絕緣層33和一第一閘極導電層34a，其中第一閘極導電層34a可作為一電晶體閘極34。又形成一保護層(passivation layer)36並經過後製程以非等向性蝕刻出一第一開口361並蝕刻至第一閘極導電層34a，以使得可在第一閘極導電層34a上定義出有一感測窗區域，並使得第一閘極導電層34a可藉由感測窗區域裸露在外。
此外，由於第一閘極導電層34a可為一鋁金屬層，因此，在適度的溫度控制與溼度控制下，曝露在感測窗區域中之鋁金屬層(即為位在第一開口361中的第一閘極導電層34a)會自然氧化為相當緻密且很薄之氧化鋁層，且因其厚度不會隨著時間有大幅的變化，因而可以作為對氫離子有選擇性之感測薄膜層37。
此外，在一實施例中，參考電極可以如先前技術所述以外加形式而懸浮在緩衝溶液中(如第1圖所示)。但亦可以同時製作在氫離子感測場效電晶體中。即如第2A圖的右側所示，可形成有一導線35，而保護層36更具有一第二開口362以使一參考電極層38設置於導線35上並露出於保護層36。
請參考第2B圖，其係為本發明第二實施例之氫離子感測場效電晶體。在前述之第一實施例中，閘極範圍40中之第一閘極導電層34a係直接與絕緣層33接觸。然而在本實施例中，閘極範圍40除了絕緣層33和第一閘極導電層34a外還可以有更多層的金屬或閘極層以作為電晶體閘極34。如第2B圖所示，其可以進一步包括一第二閘極導電層34b，其中第二閘極導電層34b係與絕緣層33直接接觸，而第一閘極導電層34a則在第一開口361中定義形成感測窗區域，並進而自然氧化形成感測薄膜層37。而同樣的，如第2B圖的右側所示，導線35可形成於與第一閘極層34a同一水平處，因此導線35可與第一閘極導電層34a於同一製程中所形成。
另外需注意的是，如第2A圖所示，感測薄膜層37並不限定僅能形成於絕緣層33的上方，也就是說可以改變第一開口361所設置的位置，以定義出不同位置的感測窗區域，進而使不同區域的第一閘極導電層34a可自然氧化形成感測薄膜層37。又如第2B圖所示，在閘極範圍40中作為電晶體閘極34的金屬或閘極層可以有不同的尺寸大小，並且也可參差排列。
請參考第3圖，其係為氫離子感測場效電晶體之製造方法的流程實施例示意圖，且為方便說明，同時可參酌第2A圖和第2B圖的結構並使用其元件符號。首先，提供半導體基材30(S10)，而在半導體基材30上已形成有汲極區31、源極區32及絕緣層33，絕緣層33係位於半導體基材30上之閘極範圍40內。
接著，進行閘極製程(S20)以沉積一鋁金屬層於閘極範圍40內以形成第一閘極導電層34a以接觸絕緣層33(如第2A圖所示)。
此外，在一實施例中，進行閘極製程(S20)時亦可形成第二閘極導電層34b於閘極範圍40內以直接接觸絕緣層33(如第2B圖所示)。在進行閘極製程(S20)後可形成保護層36(S30)，其中保護層36形成有第一開口361以裸露部份之第一閘極導電層34a。而第一閘極導電層34a上亦定義有感測窗區域(S40)。最後，曝露第一閘極導電層34a之感測窗區域於含氧之氣體中，以形成一層氧化鋁層作為感測薄膜層37(S50)。
此外，在進行閘極製程(S20)期間，亦可同時形成導線35，而在形成保護層36(S30)時亦會形成第二開口362，以使保護層36裸露導線35，且形成參考電極層38於導線35上之第二開口362處，而使參考電極層38露出於保護層36。
因此，在實際操作上，當偏壓設定於參考電極層38後，其因為氫離子吸附於感測薄膜層37之表面上，造成電晶體閘極34上的電壓產生變化，因此會得到不同電流，利用此方法來感測溶液的pH值。已知pH值的溶液的參考測量結果係如第4圖所示，當溶液的pH值介於6.5～8時，在固定Vg(閘極電壓)和Vd(汲極電壓)的條件下，依照不同的量測時間，不同的pH值可以得到不同的電流值。於是依照此已知的pH值測量結果去量測未知溶液，由量測出的電流值比對此pH測量結果，進而可獲知未知溶液的pH值，而達到氫離子量測之目的。
惟上述各實施例係用以說明本發明之特點，其目的在使熟習該技術者能瞭解本發明之內容並據以實施，而非限定本發明之專利範圍，故凡其他未脫離本發明所揭示之精神而完成之等效修飾或修改，仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。
10、30．．．半導體基材
11、31．．．汲極區
12、32．．．源極區
13、33．．．絕緣層
14．．．離子感測膜
15．．．金屬層
16．．．環氧樹脂
17．．．參考電極
20．．．緩衝溶液
34．．．電晶體閘極
34a．．．第一閘極導電層
34b．．．第二閘極導電層
35．．．導線
36．．．保護層
361．．．第一開口
362．．．第二開口
37．．．感測薄膜層
38．．．參考電極層
40．．．閘極範圍
S10．．．提供半導體基材之步驟
S20．．．進行閘極製程之步驟
S30．．．形成保護層之步驟
S40．．．定義感測窗區域之步驟
S50．．．形成感測薄膜層之步驟
第1圖為習知技術之離子感測場效電晶體之剖面示意圖。
第2A圖和第2B圖分別為本發明不同實施態樣之氫離子感測場效電晶體之剖面示意圖。
第3圖為本發明之一種氫離子感測場效電晶體之製造方法的流程實施例示意圖。
第4圖為應用本發明之一種氫離子感測場效電晶體以用於測量溶液之PH值的測量結果。
S10．．．提供半導體基材之步驟
S20．．．進行閘極製程之步驟
S30．．．形成保護層之步驟
S40．．．定義感測窗區域之步驟
S50．．．形成感測薄膜層之步驟
Claims (10)
- 一種氫離子感測場效電晶體，其包括：一半導體基材，其上定義有一閘極範圍，並且具有一源極區及一汲極區；一絕緣層，形成於該半導體基材上之該閘極範圍內；一電晶體閘極，設置於該閘極範圍內並且具有一第一閘極導電層，該第一閘極導電層為一鋁金屬層並且定義有一感測窗區域於其上；以及一感測薄膜層，形成於該感測窗區域內，其中該感測薄膜層係為由該第一閘極導電層氧化而成之一層氧化鋁層。
- 如申請專利範圍第1項所述之氫離子感測場效電晶體，其中該第一閘極導電層係接觸該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之氫離子感測場效電晶體，其中該電晶體閘極進一步包括一第二閘極導電層，該第二閘極導電層係接觸該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之氫離子感測場效電晶體，進一步包括一保護層，其於該感測窗區域具有一第一開口，以裸露該第一閘極導電層。
- 如申請專利範圍第4項所述之氫離子感測場效電晶體，進一步包括一導線及一參考電極層，其中該導線係與該電晶體閘極於同一製程中所形成，該參考電極層係設置於該導線上並且露出於該保護層。
- 一種氫離子感測場效電晶體之製造方法，其包括下列步驟：提供一半導體基材，該半導體基材上形成有一源極區、一汲極區及一絕緣層，該絕緣層係位於該半導體基材上之一閘極範圍內；進行一閘極製程，其係沉積一鋁金屬層於該閘極範圍內以形成一第一閘極導電層；定義一感測窗區域於該第一閘極導電層上；以及形成一感測薄膜層，其係曝露該第一閘極導電層之該感測窗區域於含氧之氣體中，以形成一層氧化鋁層作為該感測薄膜層。
- 如申請專利範圍第6項所述之氫離子感測場效電晶體之製造方法，其中該第一閘極導電層係接觸該絕緣層。
- 如申請專利範圍第6項所述之氫離子感測場效電晶體之製造方法，其中進行該閘極製程進一步包括形成一第二閘極導電層於該閘極範圍內，該第二閘極導電層係接觸該絕緣層。
- 如申請專利範圍第6項所述之氫離子感測場效電晶體之製造方法，其中該閘極製程完成後進一步包括形成一保護層，其中該保護層係於該感測窗區域形成一第一開口，以裸露該第一閘極導電層。
- 如申請專利範圍第9項所述之氫離子感測場效電晶體之製造方法，進一步包括：形成一導線，其係於該閘極製程中所形成；形成一第二開口，以使該保護層裸露該導線；以及形成一參考電極層於該導線上之該第二開口處，該參考電極層係露出於該保護層。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099100444A TWI422818B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 |
| US12/724,435 US8466521B2 (en) | 2010-01-11 | 2010-03-16 | Hydrogen ion-sensitive field effect transistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099100444A TWI422818B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201124719A TW201124719A (en) | 2011-07-16 |
| TWI422818B true TWI422818B (zh) | 2014-01-11 |
Family
ID=44257858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099100444A TWI422818B (zh) | 2010-01-11 | 2010-01-11 | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8466521B2 (zh) |
| TW (1) | TWI422818B (zh) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8262900B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-11 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| CA2672315A1 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays |
| US8349167B2 (en) | 2006-12-14 | 2013-01-08 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays |
| US11339430B2 (en) | 2007-07-10 | 2022-05-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US20100137143A1 (en) | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US20100301398A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US8776573B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-07-15 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US20120261274A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-10-18 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| CN102667458B (zh) * | 2009-11-25 | 2015-04-15 | 出光兴产株式会社 | 润滑油的劣化度测定方法 |
| CN106932456B (zh) | 2010-06-30 | 2020-02-21 | 生命科技公司 | 用于测试isfet阵列的方法和装置 |
| CN106449632B (zh) | 2010-06-30 | 2019-09-20 | 生命科技公司 | 阵列列积分器 |
| JP2013533482A (ja) | 2010-06-30 | 2013-08-22 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | イオン感応性電荷蓄積回路および方法 |
| US11307166B2 (en) | 2010-07-01 | 2022-04-19 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| JP5876044B2 (ja) | 2010-07-03 | 2016-03-02 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ |
| EP2617061B1 (en) | 2010-09-15 | 2021-06-30 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US9970984B2 (en) | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| TWI454695B (zh) * | 2011-12-16 | 2014-10-01 | Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab | 金氧半場效電晶體感測器結構 |
| US8786331B2 (en) | 2012-05-29 | 2014-07-22 | Life Technologies Corporation | System for reducing noise in a chemical sensor array |
| EP2677306B1 (en) * | 2012-06-19 | 2017-11-29 | Nxp B.V. | Integrated circuit with ion sensitive sensor and manufacturing method |
| US9080968B2 (en) | 2013-01-04 | 2015-07-14 | Life Technologies Corporation | Methods and systems for point of use removal of sacrificial material |
| US9841398B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-12-12 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
| US8963216B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-02-24 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface |
| EP2972280B1 (en) * | 2013-03-15 | 2021-09-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with consistent sensor surface areas |
| US9835585B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-05 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
| EP2972281B1 (en) | 2013-03-15 | 2023-07-26 | Life Technologies Corporation | Chemical device with thin conductive element |
| US20140336063A1 (en) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | Life Technologies Corporation | Windowed Sequencing |
| US10458942B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| US20140367748A1 (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | International Business Machines Corporation | EXTENDED GATE SENSOR FOR pH SENSING |
| US10249741B2 (en) | 2014-05-13 | 2019-04-02 | Joseph T. Smith | System and method for ion-selective, field effect transistor on flexible substrate |
| US10043990B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-08-07 | University Of Utah Research Foundation | Dual-gate chemical field effect transistor sensor |
| CN111505087A (zh) | 2014-12-18 | 2020-08-07 | 生命科技公司 | 使用大规模 fet 阵列测量分析物的方法和装置 |
| EP3234576B1 (en) | 2014-12-18 | 2023-11-22 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
| US10077472B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-09-18 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
| US10466199B2 (en) * | 2015-12-28 | 2019-11-05 | National Taiwan University | Biosensor device |
| US10928356B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-02-23 | International Business Machines Corporation | Ion sensitive field effect transistor (FET) with back-gate coupled reference electrode |
| US20180128774A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-10 | Epistar Corporation | Sensing device |
| TWI627404B (zh) * | 2017-02-24 | 2018-06-21 | 國立勤益科技大學 | 重金屬感測器 |
| CN110596202A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 香港科技大学 | 气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列 |
| JP7269559B2 (ja) * | 2018-07-12 | 2023-05-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 匂いセンサ及び匂いセンサの製造方法 |
| US10746691B1 (en) | 2019-02-21 | 2020-08-18 | International Business Machines Corporation | Ion-sensitive field effect transistor (ISFET) with enhanced sensitivity |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7321143B2 (en) * | 2003-03-07 | 2008-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderun Der Angewandten Forschung E.V. | Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor |
| TW200900690A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | PH-ion selective field effect transistor (pH-ISFET) with a miniaturized silver chloride reference electrode |
-
2010
- 2010-01-11 TW TW099100444A patent/TWI422818B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-03-16 US US12/724,435 patent/US8466521B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7321143B2 (en) * | 2003-03-07 | 2008-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderun Der Angewandten Forschung E.V. | Ion-sensitive field effect transistor and method for producing an ion-sensitive field effect transistor |
| TW200900690A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | PH-ion selective field effect transistor (pH-ISFET) with a miniaturized silver chloride reference electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201124719A (en) | 2011-07-16 |
| US8466521B2 (en) | 2013-06-18 |
| US20110169056A1 (en) | 2011-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI422818B (zh) | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 | |
| US11008611B2 (en) | Double gate ion sensitive field effect transistor | |
| US8698210B2 (en) | Sensor and method for manufacturing the same | |
| US7727370B2 (en) | Reference pH sensor, preparation and application thereof | |
| US7435610B2 (en) | Fabrication of array pH sensitive EGFET and its readout circuit | |
| US20060035400A1 (en) | Apparatus of ion sensitive thin film transistor and method of manufacturing of the same | |
| WO2010125717A1 (ja) | 化学センサ | |
| US9719959B2 (en) | Hydrogen ion sensor | |
| Prodromakis et al. | Exploiting CMOS technology to enhance the performance of ISFET sensors | |
| TWI223062B (en) | Manufacture of an array pH sensor and device of its readout circuit | |
| US20140061728A1 (en) | Gate Biasing Electrodes For FET Sensors | |
| JP5903872B2 (ja) | トランジスタ型センサ、およびトランジスタ型センサの製造方法 | |
| RU2638125C2 (ru) | Интегральная схема с нанопроводниковыми датчиками, измерительное устройство, способ измерения и способ изготовления | |
| TWI517466B (zh) | 電阻式記憶體感測元件 | |
| US7994546B2 (en) | Method for sodium ion selective electrode, sodium ion selective electrode therefrom and sodium ion sensing device | |
| WO2009064166A2 (en) | An integrated ion sensitive field effect transistor sensor | |
| US8148756B2 (en) | Separative extended gate field effect transistor based uric acid sensing device, system and method for forming thereof | |
| TWI435078B (zh) | 離子感測裝置及其製造方法 | |
| US8410530B2 (en) | Sensitive field effect transistor apparatus | |
| US20050147741A1 (en) | Fabrication of array PH sensitive EGFET and its readout circuit | |
| WO2011049428A1 (en) | Inverted isfet | |
| Bartic et al. | Organic-based transducer for low-cost charge detection in aqueous media | |
| JPH0452409B2 (zh) | ||
| Dong et al. | Fabrication and testing of ISFET based pH sensor for microliter scale solution targets | |
| Juang et al. | A fully compatible CMOS-based hydrogen ion sensor using natural forming sensing membrane for urea detecting application |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |