NL8303792A - Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. - Google Patents
Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8303792A NL8303792A NL8303792A NL8303792A NL8303792A NL 8303792 A NL8303792 A NL 8303792A NL 8303792 A NL8303792 A NL 8303792A NL 8303792 A NL8303792 A NL 8303792A NL 8303792 A NL8303792 A NL 8303792A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- isfet
- electrode
- measuring circuit
- drift
- source
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- -1 salt compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- 241000206672 Gelidium Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000010291 membrane polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4148—Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
Description
* % * VO 5234 Uitvinders: - Hendrikus Cornel us Geert Ligtenberg - Jozef Gerhardus Maria Leuveld
Inrichting voorzien van een op een ISFET gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte ISFET en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen ISFET.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting waarin een meetcircuit is opgenomen, omvattende een ISFET als een chemisch selectieve ionensensor, een referentieëlektrode en een versterker die is voorzien van middelen ter handhaving van de drain - source stroom IQS 5 op een constante waarde.
Het is bekend dat drifteffecten in ISFET sensoren, zoals de SigN^ en AlgOg gate ISFET sensoren zeer nadelig zijn voor de nauwkeurigheid en stabiliteit van op deze ISFET sensoren gebaseerde meetsystemen. Deze drifteffecten houden daarom een fundamentale beperking 10 van de toepasbaarheid van dergelijke sensoren in, in het bijzonder bij toepassingen op medisch gebied.
Een ander nadeel van ISFET sensoren is de lange instel tijd die nodig is van het begin van een meting af tot het moment dat een aanvaardbaar stabiele meting kan worden uitgevoerd.
15 De nauwkeurigheid, die voor een biomedische pH-sensor vereist is, is zeer hoog en dient ten minste 0,03 pH te bedragen binnen een meetperiode’van een aantal uren waarbij deze nauwkeurigheid liefst direct aan het begin van de meetperiode bereikbaar moet zijn. De huidige ISFET sensoren kunnen nauwelijks aan deze nauwkeurigheidseisen voldoen.
20 Zo blijkt de drift op lange termijn van Al2Ο3 en Si3N4 pH ISFET membranen 0,02-0,06 pH/uur te bedragen terwijl daarbij de initiële drift nog veel hoger is en in het eerste bedrijfsuur van de sensor zelfs 0,1-0,2 pH/uur kan bedragen. Hieruit is duidelijk dat de thans in de techniek beschikbare ISFET sensoren in feite niet in de 25 biomedische sector toepasbaar zijn.
De uitvinding beoogt een oplossing te bieden voor bovenvermelde bezwaren.
Experimenteel is nu aan AlgQj pH ISFET membranen vastgesteld dat de drifteffecten en de instabiliteit van de ISFET sensoren terug te 30 voeren zijrvop een reversibel bulkpolarisatieproces van het AlgOg. Dit bulkpolarisatieproces wordt daarbij geïnduceerd door de wijze waarop de 8303792 -2- - I k hedendaagse ISFET versterkers worden bedreven en die berust op toepassing van gelijkstroom in het systeem: veranderingen in de elektrochemische interactie van de elektrolyt met hèt membraan worden gecompenseerd door bijstelling van de referentieëlektrode potentiaal met 5 behulp van een terugkoppelingssysteem zodanig dat de drain-source stroom constant blijft. Het gevolg hiervan is dat de referentie-source- en de drain-sourcepotentiaal continu werkzaam zijn. Tengevolge hiervan dragen alle vaste-stofdrifteffecten, waarbij de aangelegde spanningen de drijvende krachten zijn, bijvoorbeeld diëlektrische membraanpolarisatie, ionen-10 beweging in het dielektricum enz., bij tot de instabiliteit van de inrichting gedurende de gehele periode dat de genoemde spanningen (VDS en VRS) werkzaam zijn.
De bijdrage van het bulkpolarisatieproces van het Al 2¾ gate materiaal aan de potentiaal drift is bovendien goed beschrijfbaar 15 gebleken met de logaritmische betrekking:
Λνρ = A + 1J
waari n: ^Vp « spanningsdrift A * schaal factor voor de drift en amplitude 20 tQ * een de tijdafhankelijkheid beschrijvende tijd constante t = tijdsduur binnen welke de sensor werkzaam is bij continu bedrijf,
De uitvinding berust nu op de hierboven beschreven experi-25 menteel verworven inzichten en in overeenstemming hiermede wordt een inrichting van de in de aanhef vermelde soort verschaft die daardoor is gekenmerkt, dat de inrichting voorzien is van middel en„waarmede drift-effecten corrigeerbaar zijn op basis van de logaritmische betrekking:
Avp * A 1n(*/t0 + 1) 30 waarin de diverse symbolen de bovenvermelde betekenis bezitten.
Hoewel het aan de uitvinding ten grondslag liggende inzicht ontleend is aan experimenten met een AlgOg gate ISFET is de uitvinding niet tot dit type ISFET sensoren beperkt, maar is van toepassing op alle gevallen waarbij het driftverschijnsel het gevolg is van door een spanning teweeggebrachte vaste-stofeffecten.
8303792 if · -3-
Volgens een uitvoeringsvorm is de inrichting volgens de uitvinding die daarbij is voorzien van een op het meetcircuit aangesloten correctiecircuit, dat een geheugencomponent bevat, daardoor gekenmerkt dat de drifteffecten corrigeerbaar zijn via de in de geheugencomponent 5 opgeslagen logaritmische betrekking met voor de kenmerkende grootheden A en t ingevulde waarden.
Met behulp van de in vorenstaande alinea genoemde uitvoeringsvorm van de inrichting volgens de uitvinding kan in gevallen waarbij de meetduur relatief kort is, een lange stabilisatieperiode toelaatbaar is 10 of wanneer minder hoge eisen aan de nauwkeurigheid kunnen worden gesteld, een lineaire correctie van de drift als een eerste benadering van de logaritmische correctie worden gerealiseerd.
Zonder de waarden A en t te kennen of te bepalen, kan men bij metingen waarvoor de lineaire correctie van de drift toelaatbaar is, onder 15 toepassing van de genoemde uitvoeringsvorm van de inrichting, die is voorzien van een op het meetcircuit aangesloten correctiecircuit ook zo te werk gaan dat van de inrichting eerst de tijdafhankelijkheid van de drift grafisch wordt vastgesteld. Op de aldus verkregen kromme worden de waarden van de drift opgezocht, geldend voor bijvoorbeeld t^ = 1 uur en 20 t2 = 4 uur na het aktiveringsbegin van de inrichting. Beide'punten worden vervolgens door een rechte verbonden en de helling van deze rechte in de geheugencomponent van het correctiecircuit ingevoerd. Bij later in de praktijk met behulp van de inrichting uit te voeren metingen vindt op basis van de in de geheugencomponent ingevoerde hellingshoek automatisch 25 correctie voor de drift plaats. Voor metingen die 1-4 uur na aktivering van de inrichting worden verricht. Het heeft echter voorkeur indien het drifteffect wordt tegengegaan in, liefst, zo volledig mogelijke mate.
In overeenstemming hiermede is volgens een voorkeursuitvoeringsvorm de inrichting volgens de uitvinding gekenmerkt door middelen tot pulserend 30 exciteren van de referentie-source potentiaal en de drain-source potentiaal VDS* Gebleken is dat veranderingen die optreden als gevolg van een over het ISFET membraan aangelegde spanning zoals het eerder genoemde bulkpolarisatieverschijnsel van het Alg03 gate materiaal kunnen worden geminimaliseerd door intermitterend activeren met een lage fre-35 kwentie en een korte activatietijd van de spanningen aan de referentie-elektrode en over de drain-source aansluitingen.
8303792 • s -4- ln het onderhavige geval zal de sensor de drift slechts vertonen gedurende de perioden dat het meetcircuit is ingeschakeld. In de periode dat het meetcircuit uitgeschakeld is, herstelt de sensor van het door de spanning teweeggebrachte drifteffect. De mate van drift blijkt 5 aldus te kunnen worden teruggebracht met een factor die globaal genomen gelijk is aan de werkelijke bedrijfsperiode, vergeleken met de drift, die het resultaat is van continue handhaving van de aangelegde spanningen.
Het intermitterend bedrijven van de inrichting volgens de uitvinding is ook met het oog op het toepassingsdoel van de inrichting geen 10 bezwaar. Zo kan voor de meeste toepassingen, waarbij de pH dient te worden bepaald, een pH-bemonsteringsfrekwentie van 1/sec worden aangehouden.
Gebleken is, dat tijdens de vervaardiging van een ISFET gemakkelijk een elektrische oplading van het oppervlak van het droge gate isolatiemateriaal kan optreden. De spanning die hiervan het gevolg is, zal 15 ook aanleiding geven tot polarisatie van het gate materiaal in een mate tot evenwicht met de heersende elektrostatische spanning is bereikt: tijdens opslag van de ISFET sensor kan deze derhalve voortdurend onder spanning staan. Wanneer een dergelijke ISFET in het kader van een meetcircuit volgens de uitvinding wordt blootgesteld aan een elektrolyt-20 oplossing waarin ook de referentieëlektrode gedompeld is, zal bij het sluiten van het meetcircuit het ISFET gate isolatiemateriaal neigen tot instelling van een nieuw evenwicht met de dan werkzame spanning, samengesteld uit de referentieëlektrodepotentiaal tezamen met een kleine bijdrage van de pH. Verwacht mag worden dat indien de referentieëlektrode-25 potentiaal en de statische spanning tijdens opslag aanmerkelijk zijn (bijvoorbeeld groter zijn dan 0,1 V) daarvan drift anomalieën en niet-reproduceerbare driftverschijnselen het gevolg zullen zijn. Daarom is het van belang dat de potentiaal aan het oppervlak van het ISFET gate isolatiemateriaal tijdens opslag zo goed mogelijk in overeenstemming is 30 met de referentieëlektrodepotentiaal tijdens de meting. In overeenstemming hiermede heeft de uitvinding eveneens betrekking op een ISFET die geschikt is voor toepassing in het meetcircuit volgens de uitvinding, waarbij op de ISFET chip een elektrode is aangebracht nabij het ISFET gate gebied, welke elektrode elektrisch in verbinding staat met de source 35 of met de bulk, waarbij de verbinding een hoge gelijkstroomimpedantie bezit in het werkgebied van de ISFET bij bedrijven ervan en de elektrode 8303792 ï * -5- vervaardigd is uit een materiaal waarbij het potentiaalverschil met de referentieëlektrode minimaal is. Door de verbinding van de bescherm-elektrode met de source of de bulk met een hoge gelijkstroomimpedantie uit te voeren, wordt bereikt dat de beschermelektrode niet interfereert 5 met het gedrag van de ISFET tijdens de beoogde toepassing daarvan. Een dergelijke situatie kan men bereiken indien de elektrische verbinding via een Zenerdiode of een avalanchediode loopt. Tijdens opslag kan deze elektrode ook direct worden kortgesloten met de source- of de bulkaansluitingen via een uitwendige verbinding.
10 Teneinde te voldoen aan de wens dat tijdens opslag de potentiaal aan het oppervlak van het ISFET gate materiaal zo goed mogelijk in overeenstemming is met de referentieëlektrodepotentiaal tijdens de meting wordt bij de vervaardiging van de ISFET er voor gezorgd dat men op de ISFET chip een elektrode aanbrengt nabij het ISFET gate gebied, 15 vervaardigd uit een materiaal met een minimaal potentiaalverschil ten opzichte van de referentieëlektrode; de beschermelektrode elektrisch verbindt met de source of de bulk onder vorming van een hoge gelijkstroomimpedantie in het werkgebied van de ISFET tijdens bedrijven hiervan en men tussentie beschermelektrode en de ISFET gate een plaatse-20 lijk beheerst elektrolytisch contact realiseert.
Een zorgvuldige keuze van het elektrodemateriaal en van de referentieëlektrode verdient op grond van het vorenstaande sterke aanbeveling. In onderstaande tabel wordt van een aantal elektrodemateri-alen het potentiaalverschil, gemeten ten opzichte van een Ag/AgCl refe-25 rentieëlektrode, in een met bloed vergelijkbare oplossing van elektro^-lyten opgegeven. De metingen zijn daarbij uitgevoerd bij kamertemperatuur.
Tabel. Elektrochemische potentiaal (BIK] van-verschillende materialen, gemeten tegen een referentieëlektrode van het Ag/AgCl-type, in een fysio- 30 logische zoutoplossing bij kamertemperatuur.__
Elektrode-materiaal EMK tegen referentieëlektrode van het Aq/AgCT-type Aluminium (Al) 750 mV
Goud (Au) - 60 mV
Titaan (Ti) - 670 mV
35 Zilver (Ag)__- 100 mV__ 8303792 -6-
Uit bovenstaande tabel blijkt dat aluminium niet het meest gunstige elektrodemateriaal is in combinatie met de Ag/AgCl referentie-elektrode. Zilver is een duidelijk gunstiger materiaal en uiteraard zal de combinatie Ag/AgCl zelf het beste voldoen.
5 Het eerdervermelde plaatselijk beheerste elektrolytische contact kan volgens een voorkeursuitvoeringsvorm zo worden bereikt dat men het ISFET gate gebied verontreinigt met een hygroscopische zout-verbinding,in het bijzonder NaCl, door onderdompeling in een NaCl-oplossing. Een andere mogelijkheid hiertoe is om zowel de elektrode 10 als het ISFET gate gebied te bedekken met een hydrogel, b.v agar-agar.
De uitvinding wordt aan de hand van de tekening nader toegelicht. In de tekening toont figuur 1 een principeschema voor het pulserend exciteren van een ISFET; - 15 figuur 2 de invloed op de spanning van het pulserend exciteren figuur 3 grafisch het verloop van de drift bij een met een AlgO2 gate ISFET vergelijkbaar gebleken MAOSFET in geval van continu bedrijf (D=100%) en bij intermitterend bedrijven (0=10¾); en figuur 4 een ISFET die voorzien is van een elektrode nabij 20 het gate-gebied.
In figuur 1 stelt 1 de combinatie van ISFET en referentie-elektrode voor; De pulse-generator wordt door 2 aanqeqeven, de versterker door 4 terwijl 3 de "Sample & Hold" voorstelt.
In figuur 2 is langs de Y-as de spanning uitgezet: in het 25 bovenste deel van figuur 2 de pulse-spanning en in het benedendeel de op de pulserende excitatie reagerende spanning. Langs de X-as is de tijd uitgezet. tp stelt de pulstijd en tc de cyclustijd voor. Het symbool n heeft betrekking op de n^® puls enzovoorts.
In figuur 3 is de afhankelijkheid van het driftgedrag aV van 30 de aktieve bedrijfsduur van de ISFET weergegeven in het geval van continue belasting, D = 100¾, en intermitterende belasting D = 10¾.
De in figuur 4 weergegeven ISFET met de bulk 4 uit p-Si en de n + source 5, n-'+drain 6 en de gate 7 is voorzien van elektrode 8 die via een Zenerdiode 9 verbonden is met de source 5.
8303792 -7-
Uiteraard kan de uitvinding zoals hierboven besproken en in de tekening getoond is, worden gewijzigd zonder dat men daarbij het kader van de uitvinding verlaat.
8303792
Claims (13)
1. Inrichting waarin een meetcircuit is opgenomen, omvattende een ISFET als een chemisch selectieve ionensensor, een referent!eëlek-trode en een versterker die is voorzien van middelen ter handhaving van de .drain - source stroom IDS op een constante waarde, met het kenmerk, 5 dat de inrichting voorzien is van middelen waarmede drifteffecten corrigeerbaar zijn op basis van de logaritmische betrekking: Λνρ - A ln(Vt0 + 1) waarin: ^Vp = spanningsdrift
2. Inrichting volgens conclusie 1, waarbij op het meetcircuit een correctiecircuit is aangesloten dat een geheugencomponent bevat, met het kenmerk, dat in de geheugencomponent de helling kan worden opgeslagen van een rechte, getrokken door twee punten a en b op een proefondervindelijk vastgestelde kromme die de tijdafhankelijkheid van het 20 driftgedrag van de inrichting weergeeft, waarbij punt a correspondeert met het tijdstip ta dat ten minste 1 uur na het aktiveringsbegin van de inrichting ligt, en punt b met het tijdstip tb waarbij tb > ta, via welke helling de tussen ta en tb uit te voeren metingen automatisch corrigeerbaar zijn.
3. Inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat tb 4 uur na het aktiveringsbegin van de inrichting ligt.
4. Inrichting volgens conclusie 1 waarbij op het meetcircuit een een geheugencomponent bevattend correctiecircuit is aangesloten, met het kenmerk, dat de drifteffecten corrigeerbaar zijn via de in de geheugen-30 component opgeslagen logaritmische betrekking met voor de kenmerkende grootheden A en t ingevulde waarden. 8303792 -9-
5. Inrichting volgens conclusie 1, gekenmerkt door middelen tot pulserend exciteren van de referentie-source potentiaal VR^ en de drain-source potentiaal VDS.
6. Inrichting volgens conclusies 1-5, met het kenmerk, dat de 5 ionensensor een meervoudige ISFET-sensor is waarvan de ISFET's achtereenvolgens activeerbaar zijn.
7. ISFET, geschikt voor toepassing als chemisch selectieve ionensensor in de inrichting volgens conclusies 1-6, met het kenmerk, dat op de ISFET-chip een elektrode is aangebracht nabij het ISFET-gate 10 gebied, welke elektrode elektrisch in verbinding staat met de source of met de bulk, waarbij de verbinding een hoge gelijkstroomimpedantie bezit in het werkgebied van de ISFET bij bedrijven ervan en de elektrode vervaardigd is uit een materiaal waarbij het potentiaalverschil met de referentieëlektrode minimaal is.
8. ISFET volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de elektrode tijdens opslag van de ISFET rechtstreeks met de source of de bulk kan worden kortgesloten.
9. ISFET volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de elektrische verbinding van de elektrode met de source of de bulk verloopt 20 via een Zenerdiode of een avalanchediode.
10. Werkwijze ter vervaardiging van een ISFET volgens conclusies 7-9, met het kenmerk, dat men op de ISFET-chip een elektrode aanbrengt nabij het ISFET-gate gebied, vervaardigd uit een materiaal met een minimaal potentiaalverschil ten opzichte van de referentieëlektrode; de 25 elektrode elektrisch verbindt met de source of met de bulk onder vorming van een hoge gelijkstroomimpedantie in het werkgebied van de ISFET tijdens het bedrijven ervan en men tussen de elektrode en de ISFET-gate een plaatselijk beheerst elektrolytisch contact realiseert.
10 A = schaalfactor voor de drift en amplitude t = een de tijdafhankelijkheid beschrijvende tijdconstante t = tijdsduur binnen welke de sensor werkzaam is bij continu bedrijf.
11. Werkwijze volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat men ter 30 verkrijging van het elektrolytische contact het ISFET-gate gebied verontreinigt met een hygroscopische zoutverbinding.
12. Werkwijze volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat men het ISFET-gate gebied verontreinigt met NaCl door onderdompeling in een NaCl-oplossing.
13. Werkwijze volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat men zowel de beschermelektrode als het ISFET-gate gebied bedekt met een hydrogel. 8303792
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8303792A NL8303792A (nl) | 1983-11-03 | 1983-11-03 | Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. |
| US06/665,808 US4701253A (en) | 1983-11-03 | 1984-10-29 | ISFET-based measuring device and method for correcting drift |
| CA000466881A CA1237770A (en) | 1983-11-03 | 1984-11-01 | Isfet-based measuring device and method for fabricating the isfet used therein |
| DE8484201586T DE3476699D1 (en) | 1983-11-03 | 1984-11-02 | Isfet-based measuring device and method for fabricating the isfet used therein |
| JP59230518A JPH0765984B2 (ja) | 1983-11-03 | 1984-11-02 | Ｉｓｆｅｔ測定装置および方法 |
| EP84201586A EP0140460B1 (en) | 1983-11-03 | 1984-11-02 | Isfet-based measuring device and method for fabricating the isfet used therein |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8303792 | 1983-11-03 | ||
| NL8303792A NL8303792A (nl) | 1983-11-03 | 1983-11-03 | Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8303792A true NL8303792A (nl) | 1985-06-03 |
Family
ID=19842655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8303792A NL8303792A (nl) | 1983-11-03 | 1983-11-03 | Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701253A (nl) |
| EP (1) | EP0140460B1 (nl) |
| JP (1) | JPH0765984B2 (nl) |
| CA (1) | CA1237770A (nl) |
| DE (1) | DE3476699D1 (nl) |
| NL (1) | NL8303792A (nl) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4879517A (en) * | 1988-07-25 | 1989-11-07 | General Signal Corporation | Temperature compensation for potentiometrically operated ISFETS |
| EP0493626B1 (de) * | 1990-12-21 | 1994-04-13 | KNICK ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE GMBH & CO. | Ausgangsschaltung zur analogen Ausgabe eines in Bezug auf Steilheit und Nullpunkt kompensierten Messsignals und Verfahren zum Ausgeben des Messsignals |
| US5317275A (en) * | 1992-01-13 | 1994-05-31 | Orbital Sciences Corporation | Conductance measurement circuit with wide dynamic range |
| JP2541081B2 (ja) * | 1992-08-28 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | バイオセンサ及びバイオセンサの製造・使用方法 |
| WO1994026029A1 (en) * | 1993-04-26 | 1994-11-10 | Unifet Incorporated | Method and apparatus for multiplexing devices having long thermal time constants |
| US5911873A (en) * | 1997-05-02 | 1999-06-15 | Rosemount Analytical Inc. | Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points |
| SE9703958D0 (sv) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Pacesetter Ab | Method and device for determination of concentration |
| SE9703957D0 (sv) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Pacesetter Ab | Method and device for sensing |
| DE19857953C2 (de) * | 1998-12-16 | 2001-02-15 | Conducta Endress & Hauser | Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit |
| DE10151020A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-04-30 | Infineon Technologies Ag | Schaltkreis-Anordnung, Sensor-Array und Biosensor-Array |
| US7232512B2 (en) * | 2004-08-25 | 2007-06-19 | Honeywell International, Inc. | System and method of sensitivity adjustment for an electrochemical sensor |
| CN100446417C (zh) * | 2004-12-23 | 2008-12-24 | 中国科学院电子学研究所 | 基于双模式的集成isfet传感器信号差分读出电路 |
| TWI296709B (en) * | 2005-10-21 | 2008-05-11 | Univ Chung Yuan Christian | Ion sensing circuit with body effect reduction technique |
| US7581390B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-09-01 | Cummins Inc. | Method and system for improving sensor accuracy |
| CN101101272B (zh) * | 2006-07-07 | 2010-10-13 | 中国科学院电子学研究所 | 一种生化微传感集成芯片、制作及模具制备方法 |
| US8262900B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-09-11 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| US8349167B2 (en) | 2006-12-14 | 2013-01-08 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays |
| US11339430B2 (en) | 2007-07-10 | 2022-05-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
| CA2672315A1 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays |
| CN101573612B (zh) * | 2007-01-04 | 2013-02-13 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于测量样品浓度的方法、检测器和*** |
| JP5056398B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-10-24 | 株式会社豊田中央研究所 | センサの使用方法及びセンサ装置 |
| WO2010008480A2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-21 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays |
| US20100301398A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US20100137143A1 (en) | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US8776573B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-07-15 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| US20120261274A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-10-18 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| CN106449632B (zh) | 2010-06-30 | 2019-09-20 | 生命科技公司 | 阵列列积分器 |
| JP2013533482A (ja) | 2010-06-30 | 2013-08-22 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | イオン感応性電荷蓄積回路および方法 |
| US11307166B2 (en) | 2010-07-01 | 2022-04-19 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
| JP5876044B2 (ja) | 2010-07-03 | 2016-03-02 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 低濃度ドープドレインを有する化学的感応性センサ |
| DE102010040264A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG | Verfahren zur Bestimmung der Ionenkonzentration oder zur Bestimmung einer Stoffkonzentration in einer Lösung |
| EP2617061B1 (en) | 2010-09-15 | 2021-06-30 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
| WO2012039812A1 (en) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Life Technologies Corporation | Matched pair transistor circuits |
| US9970984B2 (en) | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
| US8821798B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-09-02 | Life Technologies Corporation | Titanium nitride as sensing layer for microwell structure |
| US8747748B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-06-10 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface |
| US8786331B2 (en) | 2012-05-29 | 2014-07-22 | Life Technologies Corporation | System for reducing noise in a chemical sensor array |
| US9080968B2 (en) | 2013-01-04 | 2015-07-14 | Life Technologies Corporation | Methods and systems for point of use removal of sacrificial material |
| US9841398B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-12-12 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
| US8962366B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-02-24 | Life Technologies Corporation | Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors |
| US8963216B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-02-24 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface |
| US8841217B1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-23 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
| US9835585B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-05 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
| JP6581074B2 (ja) | 2013-03-15 | 2019-09-25 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 一貫性のあるセンサ表面積を有する化学センサ |
| US9116117B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall sensor surface |
| EP2972280B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-09-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with consistent sensor surface areas |
| EP2972281B1 (en) | 2013-03-15 | 2023-07-26 | Life Technologies Corporation | Chemical device with thin conductive element |
| US20140336063A1 (en) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | Life Technologies Corporation | Windowed Sequencing |
| US10458942B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
| CN110988085B (zh) | 2013-09-18 | 2023-07-04 | 克莱米特有限责任公司 | 基于分子受体的化学场效应晶体管 |
| EP3234576B1 (en) | 2014-12-18 | 2023-11-22 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
| US10077472B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-09-18 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
| CN111505087A (zh) | 2014-12-18 | 2020-08-07 | 生命科技公司 | 使用大规模 fet 阵列测量分析物的方法和装置 |
| JP7088541B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2022-06-21 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 測定装置及び測定方法 |
| US10866208B2 (en) | 2018-09-21 | 2020-12-15 | Teralytic, Inc. | Extensible, multimodal sensor fusion platform for remote, proximal terrain sensing |
| DE102021133958A1 (de) | 2021-12-21 | 2023-06-22 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Verfahren zum Kalibrieren einer Messschaltung, Messschaltung für einen elektrochemischen Sensor |
| DE102023000854A1 (de) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | Technische Universität Ilmenau, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Verfahren zur störungsreduzierten Messung und/oder Überwachung des pH-Wertes eines Mediums und dazugehörige Vorrichtung |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1919406C3 (de) * | 1968-04-23 | 1981-11-05 | Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven | Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator |
| US4020830A (en) * | 1975-03-12 | 1977-05-03 | The University Of Utah | Selective chemical sensitive FET transducers |
| US4207146A (en) * | 1977-01-12 | 1980-06-10 | Dragerwerk Aktiengesellschaft | Process for testing gases in body fluids for partial pressure and to a testing device therefor |
| US4273636A (en) * | 1977-05-26 | 1981-06-16 | Kiyoo Shimada | Selective chemical sensitive field effect transistor transducers |
| JPS5459199A (en) * | 1977-10-20 | 1979-05-12 | Olympus Optical Co Ltd | Ion concentration measuring apparatus |
| FR2410275A1 (fr) * | 1977-11-28 | 1979-06-22 | Claude Bernard | Dispositif de calibration automatique d'appareils tels que phmetres, ionometres, appareils de mesure de potentiels d'electrodes |
| DE2917714C2 (de) * | 1979-05-02 | 1983-12-22 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Messung mit Redox- oder ionensensitiven Elektroden |
| US4269684A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-26 | Cordis Corporation | Apparatus for oxygen partial pressure measurement |
| US4384925A (en) * | 1980-10-24 | 1983-05-24 | Becton Dickinson And Company | Gas sensing unit with automatic calibration method |
| DE3047782A1 (de) * | 1980-12-18 | 1982-07-08 | Drägerwerk AG, 2400 Lübeck | Schaltungsanordnung zur korrektur der sensorausgangsgroesse |
| DE3267802D1 (en) * | 1981-09-04 | 1986-01-16 | Hoffmann La Roche | Method and apparatus for the calibration of sensors |
| US4411741A (en) * | 1982-01-12 | 1983-10-25 | University Of Utah | Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids |
| US4488556A (en) * | 1982-06-03 | 1984-12-18 | Critikon, Inc. | AC Mode operation of chemfet devices |
-
1983
- 1983-11-03 NL NL8303792A patent/NL8303792A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-10-29 US US06/665,808 patent/US4701253A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-01 CA CA000466881A patent/CA1237770A/en not_active Expired
- 1984-11-02 EP EP84201586A patent/EP0140460B1/en not_active Expired
- 1984-11-02 JP JP59230518A patent/JPH0765984B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-02 DE DE8484201586T patent/DE3476699D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0765984B2 (ja) | 1995-07-19 |
| JPS60113143A (ja) | 1985-06-19 |
| EP0140460A1 (en) | 1985-05-08 |
| DE3476699D1 (en) | 1989-03-16 |
| CA1237770A (en) | 1988-06-07 |
| US4701253A (en) | 1987-10-20 |
| EP0140460B1 (en) | 1989-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8303792A (nl) | Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet. | |
| US20190079049A1 (en) | Non-faradaic, capacitively coupled measurement in a nanopore cell array | |
| Inzelt | Pseudo-reference electrodes | |
| US11268926B2 (en) | Liquid sample measurement device, liquid sample measurement method, and biosensor | |
| EP0429439A1 (en) | TECHNOLOGY FOR MEASURING HIGH PURITY WATER. | |
| Gittens et al. | An improved microelectrophoresis apparatus and technique for studying biological cell surfaces | |
| CN105378467A (zh) | 血液成分的测定装置、血液成分的测定方法 | |
| Jadhav et al. | Normal pulse voltammetry as improved quantitative detection mode for amperometric solvent polymeric membrane ion sensors | |
| Afshar et al. | Counter electrode based on an ion-exchanger Donnan exclusion membrane for bioelectroanalysis | |
| US6664776B2 (en) | Method and system for voltammetric characterization of a liquid sample | |
| JP2652890B2 (ja) | 過酸化水素濃度の測定方法 | |
| JPS6366453A (ja) | イオン濃度計 | |
| BE1010056A3 (nl) | Werkwijze en inrichting voor het bepalen van de moleculaire diffusiecoefficient in een poreus medium. | |
| US3631338A (en) | Method and apparatus for determining galvanic corrosion by polarization techniques | |
| JPS63198861A (ja) | 溶質濃度の電気化学的測定方法 | |
| US3964981A (en) | Method for polarographic analysis using an electrode of tantalum/carbon material | |
| GB2117120A (en) | Anodic stripping voltameter | |
| JPS6136377B2 (nl) | ||
| JP3066796B2 (ja) | 辛み電極およびその製造方法 | |
| JPH034640B2 (nl) | ||
| JP2023080958A (ja) | 水分を検出するセンサを備える測定装置 | |
| JP2518169B2 (ja) | 液面検知装置 | |
| JPH01308955A (ja) | 参照電極及び参照電極を用いた計測装置 | |
| JPS6337251A (ja) | フロ−型イオン測定セル | |
| JPH03272449A (ja) | 溶質濃度測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |