TWI517401B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 320
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 678
- 239000010408 film Substances 0.000 description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 143
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 59
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 22
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 17
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- 239000004838 Heat curing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005287 barium borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N bismuth;borate Chemical compound [Bi+3].[O-]B([O-])[O-] YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004200 deflagration Methods 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
本發明關於半導體裝置及製造半導體裝置之方法。
在本說明書中,半導體裝置一般表示可藉由利用半導體特性而做動之裝置,且光電裝置、半導體電路、及電子裝置均為半導體裝置。
一種使用形成於具有絕緣表面之基板上之半導體薄膜而形成薄膜電晶體(TFT)之技術已引起注意。薄膜電晶體應用於廣泛的電子裝置,諸如積體電路(IC)或影像顯示裝置(顯示裝置)。
有關具有半導體特性適於薄膜電晶體之材料,金屬氧化物已引起注意,已知薄膜電晶體其中使用該等具有半導體特性之金屬氧化物形成通道形成區(詳專利文獻1及2)。
此外,使用薄膜電晶體之電子裝置已廣泛用於各種應用,因而需具有各種特性及形狀,諸如輕、薄及耐撞擊。因此,電子裝置具有用於服務其所欲之已開發目的的功
能。
例如,有關提供用於娛樂機器之半導體裝置,已揭發一種顯示器其顯示表面彎曲使得播放器可有立體效果(例如,詳專利文獻3)。
〔專利文獻1〕日本公開專利申請案No.2007-123861
〔專利文獻2〕日本公開專利申請案No.2007-096055
〔專利文獻3〕日本公開專利申請案No.H7-114347
當半導體裝置如上述具有各種形狀時,半導體裝置對於外部撞擊需具有高耐受性。
鑒於上述,本發明之實施例之目標為提供包括其中使用氧化物半導體之電晶體的更高度耐撞擊半導體裝置。
此外,本發明之實施例之目標為提供可用於各種應用之更加方便及高度可靠的半導體裝置。
依據本說明書中所揭露之本發明的實施例,半導體裝置包括底閘電晶體,其包括閘極電極層、閘極絕緣層及基板上之氧化物半導體層;底閘電晶體上之絕緣層;及絕緣層上之導電層。絕緣層經提供以便覆蓋氧化物半導體層並接觸閘極絕緣層。沿氧化物半導體層之通道寬度方向,閘極絕緣層之端部及絕緣層之端部於閘極電極層上彼此對齊,及提供導電層以便覆蓋氧化物半導體層之通道形成
區、閘極絕緣層之端部、及絕緣層之端部,並接觸閘極電極層。
依據本說明書中所揭露之本發明的實施例,半導體裝置包括驅動電路部,其包括用於驅動電路之底閘電晶體;及像素部,其包括用於一基板上之像素的電晶體。用於驅動電路之底閘電晶體包括閘極電極層、閘極絕緣層及氧化物半導體層,絕緣層係提供於氧化物半導體層之上,及導電層係提供於絕緣層之上。絕緣層經提供以便覆蓋氧化物半導體層及接觸閘極絕緣層。沿氧化物半導體層之通道寬度方向,閘極絕緣層之端部及絕緣層之端部於閘極電極層上彼此對齊,及導電層經提供以便覆蓋氧化物半導體層之通道形成區、閘極絕緣層之端部、及絕緣層之端部,並接觸閘極電極層。
在上述結構中,源極電極層及汲極電極層可提供於氧化物半導體層與絕緣層之間,或閘極絕緣層與氧化物半導體層之間。
在上述結構中,沿通道寬度方向,氧化物半導體層之通道形成區係藉由閘極絕緣層圍繞,及堆疊於氧化物半導體層以下或之上的絕緣層亦藉由閘極電極層及導電層圍繞;因而,半導體裝置高度耐撞及藉由使用軟性基板做為基板而可具有各種形狀。
當包括氧化物半導體層之電晶體提供於軟性基板之上時,可製造軟性半導體裝置。
包括氧化物半導體層之電晶體可直接形成於軟性基板
之上。另一方面,包括氧化物半導體層之電晶體可形成於製造基板之上,接著電晶體可分離並轉移至軟性基板。請注意,為使電晶體從製造基板分離並轉移至軟性基板,製造基板與包括氧化物半導體層之電晶體之間可提供分離層。
依據本說明書中所揭露之本發明的實施例,半導體裝置之製造方法包括:於軟性基板上形成閘極電極層、於閘極電極層上形成閘極絕緣層、於閘極絕緣層上形成氧化物半導體層、形成絕緣層以便覆蓋氧化物半導體層、於閘極絕緣層及絕緣層中形成開口以便暴露閘極電極層、及形成導電層以便覆蓋包括閘極絕緣層及絕緣層之堆疊的頂部及覆蓋包括閘極絕緣層及絕緣層之堆疊的端部並於開口接觸閘極電極層。
依據本說明書中所揭露之本發明的實施例,半導體裝置之製造方法包括:於製造基板之上形成分離層、於分離層之上形成閘極電極層、於閘極電極層之上形成閘極絕緣層、於閘極絕緣層之上形成氧化物半導體層、形成絕緣層以便覆蓋氧化物半導體層、於閘極絕緣層及絕緣層中形成開口以便暴露閘極電極層、形成導電層以便覆蓋包括閘極絕緣層及絕緣層之堆疊的頂部及覆蓋包括閘極絕緣層及絕緣層之堆疊的端部並於開口接觸閘極電極層以形成電晶體、藉由使用分離層將電晶體從製造基板轉移至支撐基板、及將轉移至支撐基板之電晶體轉移至軟性基板。
請注意,本說明書中諸如「第一」及「第二」之序數
係為方便而使用,並非標示步驟順序及層之堆疊順序。此外,在本說明書中,序數並非標示指明本發明之特定名稱。
依據本發明之實施例,沿通道寬度方向,氧化物半導體層之通道形成區係藉由堆疊之閘極絕緣層及絕緣層圍繞,亦藉由閘極電極層及導電層圍繞;因而半導體裝置可耐撞。
依據本發明之實施例,藉由形成為軟性,半導體裝置可用於各種應用,及可提供更方便及高度可靠之半導體裝置。
300、306‧‧‧製造基板
301、407、427、427a、427b、427c‧‧‧絕緣層
302‧‧‧分離層
304‧‧‧將分離之層
305‧‧‧黏合層
307‧‧‧樹脂層
400、4001、4006‧‧‧基板
401、421‧‧‧閘極電極層
402、422、422a、422b、422c‧‧‧閘極絕緣層
403、423a、423b、423c、441‧‧‧氧化物半導體層
405a、425a‧‧‧源極電極層
405b、425b‧‧‧汲極電極層
409‧‧‧保護絕緣層
410、420a、420b、420c、430、4010、4011‧‧‧電晶體
411、431‧‧‧導電層
412a、412b‧‧‧開口
440‧‧‧氧化物半導體膜
445‧‧‧箭頭
3000‧‧‧桌燈
3001‧‧‧室內發光裝置
4002‧‧‧像素部
4003‧‧‧信號線驅動電路
4004‧‧‧掃描線驅動電路
4005‧‧‧密封劑
4008‧‧‧液晶層
4013‧‧‧液晶元件
4015‧‧‧連接終端電極
4016‧‧‧終端電極
4018‧‧‧軟性印刷電路(FPC)
4019‧‧‧非等向性導電膜
4020、4021‧‧‧絕緣層
4023、4032‧‧‧絕緣膜
4030、4031‧‧‧電極層
4301、4302、4307、4310‧‧‧顯示部
4304‧‧‧作業部
4305、4306‧‧‧外殼
4308‧‧‧結合部
4311、4312、4313‧‧‧顯示面板
4510‧‧‧分割壁
4511‧‧‧電致發光層
4513‧‧‧發光元件
4514、4614‧‧‧填充劑
4612‧‧‧腔
4613‧‧‧球形粒子
4615a‧‧‧黑色區域
4615b‧‧‧白色區域
圖1A至1C描繪半導體裝置之實施例。
圖2A及2B描繪半導體裝置之實施例。
圖3A1至3E2描繪半導體裝置之製造方法實施例。
圖4A至4D描繪半導體裝置之製造方法實施例。
圖5A至5C描繪半導體裝置之實施例。
圖6A及6B各描繪半導體裝置之實施例。
圖7描繪半導體裝置之實施例。
圖8描繪半導體裝置之實施例。
圖9描繪半導體裝置之實施例。
圖10A及10B描繪電子裝置。
圖11描繪電子裝置。
以下,將參照所附圖式詳細說明本發明之實施例。然而,本發明並不侷限於以下說明,熟悉本技藝之人士輕易理解其模式及細節可以各種方式修改。因此,本發明並不解譯為侷限於以下實施例之說明。
在本實施例中,將參照圖1A至1C及圖3A1至3E2說明半導體裝置及半導體裝置之製造方法實施例。在本實施例中,將以電晶體做為說明半導體裝置之範例。請注意,氧化物半導體層較佳地用做本說明書中所揭露之半導體裝置中半導體層。
如圖1A至1C中所描繪,電晶體410中氧化物半導體層403之通道形成區具有通道長度(L)方向及通道寬度(W)方向。
圖1A為電晶體410之平面圖,圖1B為沿通道長度(L)方向之線A1-A2的圖1A中所描繪之電晶體410的截面圖,及圖1C為沿通道寬度(W)方向之線B1-B2的截面圖。
如圖1A至1C中所描繪,於具有絕緣表面之基板400上,電晶體410包括閘極電極層401、閘極絕緣層402、氧化物半導體層403、源極電極層405a、及汲極電極層405b。絕緣層407及導電層411依序堆疊於電晶體410上。
在圖1C之通道寬度方向的截面圖中,絕緣層407及閘極絕緣層402覆蓋氧化物半導體層403之頂部、底部及端部,以便圍繞氧化物半導體層403及彼此於氧化物半導體層403之相對端部接觸。閘極電極層401係提供於閘極絕緣層402以下,及導電層411係提供於絕緣層407之上以便覆蓋氧化物半導體層403、閘極絕緣層402、及絕緣層407之頂部,及閘極絕緣層402及絕緣層407之相對端部。再者,導電層411與閘極電極層401接觸。
以上述方式,沿通道寬度方向,氧化物半導體層403係藉由閘極絕緣層402及絕緣層407圍繞,及亦藉由閘極電極層401及導電層411圍繞。
基於上述結構其中氧化物半導體層403之周邊藉由包括閘極電極層、閘極絕緣層、絕緣層及導電層之堆疊保護,甚至當藉由圖1C中箭頭445表示之力(外力)沿通道寬度(W)方向施加時,厚堆疊結構不可能彎曲,使得施加於堆疊中心之氧化物半導體層403的力可減少。因此,氧化物半導體層403可避免因外部撞擊而破裂。
此外,使閘極電極層401廣泛暴露之開口係形成於閘極絕緣層402及絕緣層407中,且閘極電極層401及導電層411於開口彼此接觸。藉由使用對於每一閘極電極層401及導電層411具高黏著之導電膜,閘極電極層401、閘極絕緣層402、氧化物半導體層403、絕緣層407及導電層411可避免因藉由箭頭445所表示之力而於其介面剝落。
為增加閘極電極層401與導電層411之間的黏著,二層彼此接觸之區域較佳地大。如圖1A中所描繪,閘極電極層401及導電層411沿氧化物半導體層403之通道長度方向彼此接觸之區域的長度,較佳地長於氧化物半導體層403之通道長度。
氧化物半導體層403係提供於中心,閘極絕緣層402及絕緣層407藉由彼此於相對端部接觸而密封氧化物半導體層403,此外,閘極電極層401及導電層411藉由彼此於相對端部接觸而密封上述堆疊,藉此可獲得相對於線C1-C2對稱之結構。基於上述結構,藉由箭頭445表示之力可均勻地分散,藉此可避免對於氧化物半導體層403之大力的局部施加。
因此,在電晶體410中,沿氧化物半導體層403之通道寬度方向的耐彎性改進,因而電晶體410可耐撞。
在驅動電路中,較佳的是電晶體具有長通道寬度使得較大電流量可流動。然而,當電晶體具有長通道寬度時,沿通道寬度方向之外力的影響增加。因此,如本實施例中說明,將具有沿通道寬度方向耐彎性之電晶體應用於驅動電路以達成高度耐撞及高度可靠半導體裝置是有效的。
由電晶體耐撞,藉由將軟性基板用於基板400,而可應用於軟性半導體裝置,可提供可用於於各種應用之更方便及高度可靠的半導體裝置。
由於本說明書中所揭露之電晶體於沿氧化物半導體層之通道寬度方向的耐彎性特別卓越,於半導體裝置之製造
中,較佳的是形成電晶體使其通道寬度方向與半導體裝置可能彎曲之方向(半導體裝置頻繁彎曲之方向)匹配。
圖3A1至3E2描繪電晶體410之製造方法的範例。請注意,圖3A1、3B1、3C1、3D1及3E1相應於圖1B,反之,圖3A2、3B2、3C2、3D2及3E2相應於圖1C。
首先,導電膜係形成於具有絕緣表面之基板400上,接著藉由第一光刻步驟形成閘極電極層401。請注意,可藉由噴墨法形成抗蝕罩。藉由噴墨法形成抗蝕罩不需光罩;因而可降低製造成本。
對具有絕緣表面之基板400而言,可使用軟性基板。例如,較佳地使用諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)之聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氯聚乙烯樹脂。亦可使用纖維體浸漬有機樹脂(所謂預浸材料)之結構體做為軟性基板。此外,在基板400上,可預先形成具有低滲透性之保護膜,其範例包括:包含氮及矽之膜,諸如氮化矽膜或氧氮化矽膜;及包含氮及鋁之膜,諸如氮化鋁膜等。
若纖維體包含於基板400之材料中,有機化合物或無機化合物之高強度纖維用做纖維體。高強度纖維具體地為具彈性之高張力模量的纖維或具高楊氏模量的纖維。有關高強度纖維之典型範例,可提供聚乙烯醇基纖維、聚酯基
纖維、聚醯胺基纖維、聚乙烯基纖維、醯胺基纖維、聚對苯撐苯並雙噁唑纖維、玻璃纖維、或碳纖維。有關玻璃纖維,存在使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等之玻璃纖維。該些纖維可用於無紡布或非無紡布之狀態,及其中該等纖維體以有機樹脂浸漬且有機樹脂固化之結構體可用做基板400。包括纖維體及有機樹脂之結構體較佳地用做基板400,因為對於因局部壓力之彎曲或損壞的可靠性可增加。
另一方面,可使用被薄化以便具有彈性之玻璃基板(諸如鋇硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃之基板)或被處理為膜之金屬基板。用於形成金屬基板之材料並不侷限於特定材料,但較佳地使用鋁、銅、鎳、諸如鋁合金或不鏽鋼之金屬合金等。
為製造軟性半導體裝置,包括氧化物半導體層403之電晶體410可直接形成於軟性基板之上。另一方面,包括氧化物半導體層403之電晶體410可形成於製造基板之上,接著電晶體410可被分離及轉移至軟性基板。請注意,為將電晶體從製造基板分離並轉移至軟性基板,可於製造基板與包括氧化物半導體層之電晶體之間提供分離層。
做為基膜之絕緣膜可提供於基板400與閘極電極層401之間。基膜具有避免雜質元素從基板400擴散之功能,並可使用氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、及氧氮化矽膜之一或多項而形成具有單層結構或堆疊結構。
閘極電極層401可使用諸如鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、釹、或鈧之金屬材料,或包含任一該些材料做為主要成分之合金材料而形成具有單層結構或堆疊結構。
其次,閘極絕緣層402係形成於閘極電極層401之上。閘極絕緣層402可使用氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層、氮氧化矽層、氧化鋁層、氮化鋁層、氧氮化鋁層、氮氧化鋁層、及氧化鉿層之一或多項,藉由電漿CVD法、濺鍍法等而形成具有單層結構或堆疊結構。
本實施例中氧化物半導體為雜質移除之本質(i型)或實質上本質(i型)氧化物半導體,且其高度純化以便包含盡可能少之做為載子供體及非氧化物半導體主要成分之物質的雜質。
高度純化氧化物半導體層包含極少載子(接近零),其載子濃度為低於1×1014/cm3,較佳地為低於1×1012/cm3,更佳地為低於1×1011/cm3。
由於氧化物半導體層中存在極少載子,電晶體之關閉狀態電流可為小。較佳的是關閉狀態電流盡可能為小。
該等高度純化氧化物半導體對於介面狀態及介面電荷高度敏感;因而氧化物半導體層與閘極絕緣層之間的介面是重要的。為此原因,與高度純化氧化物半導體接觸之閘極絕緣層需具有高品質。
例如,較佳地採用使用微波(例如具2.45GHz頻率)之高密度電漿CVD,因為所形成之絕緣層可為密集及具有高耐受電壓及高品質。當高度純化氧化物半導體及
高品質閘極絕緣層彼此緊密接觸時,可降低介面狀態密度而獲得有利的介面特性。
不用說,可使用其他膜形成方法諸如濺鍍法或電漿CVD法,只要該方法可形成做為閘極絕緣層之良好品質絕緣層。再者,於可使用之形成之後,藉由執行熱處理,可改進做為閘極絕緣層之絕緣層的膜品質及與氧化物半導體之介面特性。在任何狀況下,可使用任一絕緣層,其具有降低的介面狀態密度及可形成與氧化物半導體之有利的介面,以及具有做為閘極絕緣層之良好膜品質。
此外,為使氫、烴基及濕氣盡可能少包含於閘極絕緣層402及氧化物半導體膜440中,較佳的是於氧化物半導體膜440形成之前之預處理,其上形成直至包括閘極電極層401之層的基板400及其上形成直至包括閘極絕緣層402之層的基板400於濺鍍設備之預熱室中預熱,使得吸附至基板400之諸如氫及濕氣的雜質被排除及移除。有關預熱室中所提供之排空單元,低溫泵較佳。請注意,本預熱處理可省略。此外,本預熱亦可於絕緣層407形成之前,於其上形成直至包括源極電極層405a及汲極電極層405b之層的基板400上執行。
其次,在閘極絕緣層402之上,形成氧化物半導體膜440具大於或等於2nm及小於或等於200nm之厚度,較佳地為大於或等於5nm及小於或等於30nm(詳圖3A1及3A2)。
請注意,在藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜440之
前,附著於閘極絕緣層402表面之粉狀物質(亦稱為粒子或灰塵)較佳地藉由導入氬氣及產生電漿之反向濺鍍移除。反向濺鍍係指一種方法,其中未施加電壓至靶材側,RF電源於氬氣中用於施加電壓至基板側以於基板附近產生電漿及修改表面。請注意,除了氬氣以外,可使用氮氣、氦氣、氧氣等。
有關用於氧化物半導體膜440之氧化物半導體,可使用任一下列氧化物半導體:四成分金屬氧化物諸如In-Sn-Ga-Zn-O基氧化物半導體;三成分金屬氧化物諸如In-Ga-Zn-O基氧化物半導體、In-Sn-Zn-O基氧化物半導體、In-Al-Zn-O基氧化物半導體、Sn-Ga-Zn-O基氧化物半導體、Al-Ga-Zn-O基氧化物半導體、或Sn-Al-Zn-O基氧化物半導體;二成分金屬氧化物諸如In-Zn-O基氧化物半導體、Sn-Zn-O基氧化物半導體、Al-Zn-O基氧化物半導體、Zn-Mg-O基氧化物半導體、Sn-Mg-O基氧化物半導體、或In-Mg-O基氧化物半導體;或In-O基氧化物半導體、Sn-O基氧化物半導體、或Zn-O基氧化物半導體等。SiO2可包含於上述氧化物半導體中。請注意,在本說明書中,例如,In-Ga-Zn-O基氧化物半導體膜表示包含銦(In),鎵(Ga),及鋅(Zn)之氧化物膜,且對於化學計量比例並無特別限制。In-Ga-Zn-O基氧化物半導體膜可包含In、Ga及Zn以外之元素。
此外,對於氧化物半導體膜440而言,可使用以化學式InMO3(ZnO)m(m>0)代表之材料的薄膜。此處,M
代表一或多項選自Ga、Al、Mn及Co之金屬元素。例如,M可為Ga、Ga及Al、Ga及Mn、Ga及Co等。
在本實施例中,使用In-Ga-Zn-O基氧化物半導體靶材及藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜440。此外,可藉由濺鍍法於稀有氣體(典型為氬)、氧氣、或包含稀有氣體及氧氣之混合氣體中形成氧化物半導體膜440。
有關藉由濺鍍法形成氧化物半導體膜440之靶材,例如,使用包含1:1:1之組成比(摩爾比)的In2O3、Ga2O3及ZnO氧化物靶材,及使用該靶材形成In-Ga-Zn-O膜。對於上述靶材之材料及組成並無限制,例如,可使用包含1:1:2〔摩爾比〕之In2O3、Ga2O3及ZnO氧化物靶材。
氧化物靶材之填充率為高於或等於90%及低於或等於100%,較佳地為高於或等於95%及低於或等於99.9%。使用具高填充率之金屬氧化物靶材可形成密集氧化物半導體膜。
較佳的是諸如氫、水、烴基或氫化物之雜質被移除的高純度氣體用做用於形成氧化物半導體膜440之濺鍍氣體。
基板保持於減壓之沉積室中,基板溫度設定為高於或等於100℃及低於或等於600℃,較佳地為高於或等於200℃及低於或等於400℃。藉由以基板加熱之狀態形成氧化物半導體膜,可降低所形成之氧化物半導體膜中雜質之濃度。此外,可降低藉由濺鍍之損壞。接著,移除沉積
室中剩餘濕氣,導入氫及濕氣移除之濺鍍氣體,及使用上述靶材,使得於基板400之上形成氧化物半導體膜440。為從沉積室移除剩餘濕氣,較佳地使用截留真空泵,例如低溫泵、離子泵或鈦昇華泵。此外,排空單元可為具冷阱之渦輪泵(渦輪分子泵)。從例如以低溫泵排空之沉積室,移除氫原子、諸如水(H2O)之包含氫原子的化合物(更佳地連同包含碳原子之化合物)等,藉此可降低形成於沉積室中氧化物半導體膜之雜質濃度。
有關沉積狀況之一範例,基板與靶材之間的距離為100mm,壓力為0.6Pa,直流(DC)電源之電力為0.5kW,及氣體為氧氣(氧氣流率之比例為100%)。請注意,脈衝直流電源較佳,因為膜形成中所產生之粉狀物質(亦稱為粒子或灰塵)可降低,及膜厚度可均勻。
其次,藉由第二光刻步驟,氧化物半導體膜440被處理為島形氧化物半導體層。藉由噴墨法可形成用於形成島形氧化物半導體層之抗蝕罩。藉由噴墨法形成抗蝕罩不需光罩;因而,可降低製造成本。
若於閘極絕緣層402中形成接觸孔,可與氧化物半導體膜440之處理同時執行形成接觸孔之步驟。
請注意,此處氧化物半導體膜440之蝕刻可藉由乾式蝕刻、濕式蝕刻、或乾式蝕刻及濕式蝕刻二者執行。例如,有關用於氧化物半導體膜440之濕式蝕刻的蝕刻劑,可使用藉由混合磷酸、乙酸、及硝酸所獲得之溶液、過氧化氫氨(過氧化氫31重量%:氨水28重量%:水=5:2:
2)等。此外,可使用ITO07N(KANTO CHEMICAL CO.,INC.製造)。
其次,氧化物半導體層接受第一熱處理。氧化物半導體層可藉由此第一熱處理而脫水或脫氫。第一熱處理之溫度設定為高於或等於400℃及低於或等於750℃,或高於或等於400℃及低於基板之應變點。在本實施例中,基板被置入電熔爐,其為一種熱處理設備,且熱處理可於氮氣中以450℃在氧化物半導體層上執行達一小時,接著避免水及氫進入氧化物半導體層,且氧化物半導體層未暴露於空氣。以此方式,獲得氧化物半導體層441(詳圖3B1及3B2)。
熱處理設備並不侷限於電熔爐,可使用藉由來自諸如電阻加熱元件之加熱元件的熱傳導或熱輻射而加熱將處理之目標的裝置。例如,可使用快速熱降火(RTA)設備,諸如氣體快速熱降火(GRTA)設備或燈快速熱降火(LRTA)設備。LRTA設備為一種設備,用於藉由自諸如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓水銀燈之燈所發射光的輻射(電磁波)而加熱將處理之目標。GRTA設備為用於使用高溫氣體而熱處理之設備。對高溫氣體而言,係使用未藉由熱處理而與將處理之目標反應之惰性氣體,諸如氮,或諸如氬之稀有氣體。
例如,有關第一熱處理,可執行GRTA如下:基板被轉移及置入加熱至650℃至700℃高溫之惰性氣體,加熱達若干分鐘,並轉移及取出加熱至高溫之惰性氣體。
請注意,在第一熱處理中,較佳的是氮或諸如氦、氖或氬之稀有氣體中未包含水、氫等。另一方面,被導入熱處理設備之氮或諸如氦、氖或氬之稀有氣體具有高於或等於6N(99.9999%)之純度,較佳地為高於或等於7N(99.99999%)(即,雜質之濃度為低於或等於1ppm,較佳地為低於或等於0.1ppm)。
此外,在氧化物半導體層於第一熱處理中加熱之後,高純度氧氣、高純度N2O氣體或極乾燥空氣(露點為低於或等於-40℃,較佳地為低於或等於-60℃)可導入相同熔爐。較佳的是氧氣或N2O氣體不包含水、氫等。另一方面,導入熱處理設備之氧氣或N2O氣體具有高於或等於6N之純度,較佳地為高於或等於7N(即,氧氣或N2O氣體中雜質濃度為低於或等於1ppm,較佳地為低於或等於0.1ppm)。藉由氧氣或N2O氣體之動作而供應氧氣,其為氧化物半導體之主要成分並於藉由脫水或脫氫而移除雜質之步驟的同時降低,使得氧化物半導體層可高度純化及為電氣i型(本質)氧化物半導體層。
在被處理為島形氧化物半導體層之前,氧化物半導體層之第一熱處理可於氧化物半導體膜440上執行。在此狀況下,基板於第一熱處理之後被取出熱處理設備,接著執行光刻步驟。
請注意,除了上述以外,第一熱處理可於任一下列時機執行,只要是在氧化物半導體層形成之後即可;在源極電極層及汲極電極層形成於氧化物半導體層上之後;及在
絕緣層形成於源極電極層及汲極電極層上之後。
此外,可在第一熱處理於氧化物半導體膜440上執行之前或之後,執行於閘極絕緣層402中形成接觸孔之步驟。
此外,有關氧化物半導體層,具有大厚度之結晶區(單晶區)的氧化物半導體層,即,c軸對齊垂直於表面的結晶區可藉由執行沉積兩次及熱處理兩次而予形成,無關乎基底成分之材料諸如氧化物、氮化物或金屬。例如,沉積第一氧化物半導體膜具大於或等於3nm及小於或等於15nm之厚度,及以高於或等於450℃及低於或等於850℃,較佳地為高於或等於550℃及低於或等於750℃,於氮、氧、稀有氣體、或乾燥空氣中執行第一熱處理,使得於包括表面之區域中形成具有結晶區(包括板狀結晶)之第一氧化物半導體膜。接著,形成具有較第一氧化物半導體膜更大厚度的第二氧化物半導體膜,及以高於或等於450℃及低於或等於850℃,較佳地為高於或等於600℃及低於或等於700℃,執行第二熱處理,使得使用第一氧化物半導體膜做為晶體成長之晶種而晶體向上成長,整個第二氧化物半導體膜被結晶化。以該等方式,可形成具有大厚度之氧化物半導體層。
其次,將成為源極電極層及汲極電極層(包括形成於與源極電極層及汲極電極層相同層之佈線)之導電膜係形成於閘極絕緣層402及氧化物半導體層441之上。有關用於源極電極層及汲極電極層之導電膜,可使用例如包含選
自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo及W之元素的金屬膜、包含任一上述元素做為其成分之金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、或氮化鎢膜)等。另一方面,高熔點金屬諸如Ti、Mo或W之膜,或任一該些元件之金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、或氮化鎢膜)可堆疊於諸如Al或Cu之金屬膜的下側或上側之一或二者。另一方面,可使用導電金屬氧化物形成用於源極電極層及汲極電極層之導電膜。有關導電金屬氧化物,可使用氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦-氧化錫合金(In2O3-SnO2,有時縮寫為ITO)、氧化銦-氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、或其中包含氧化矽之任一該些金屬氧化物材料。
藉由第三光刻步驟而於導電膜之上形成抗蝕罩。選擇性執行蝕刻,使得以形成源極電極層405a及汲極電極層405b。接著,移除抗蝕罩。
藉由第三光刻步驟形成抗蝕罩時之曝光,可使用紫外光、KrF雷射光、或ArF雷射光執行。之後完成之電晶體的通道長度L係藉由氧化物半導體層441上彼此相鄰的源極電極層底端與汲極電極層底端之間的距離決定。若執行短於25nm之通道長度L的曝光,第三光刻步驟中抗蝕罩形成時之曝光可使用具有數奈米至數十奈米之極短波長的遠紫外光執行。在使用遠紫外光之曝光中,解析度高且聚焦深度大。為該些原因,之後完成之電晶體的通道長度L亦可長於或等於10nm及短於或等於1000nm,並可以更
高速度操作電路。
為降低光罩數量及光刻步驟數量,可使用以多色調遮罩形成之抗蝕罩執行蝕刻步驟,多色調遮罩為曝光遮罩,經此光透射而具有複數強度。使用多色調遮罩形成之抗蝕罩具有複數厚度,進一步可藉由蝕刻而改變形狀;因此,抗蝕罩可用於複數蝕刻步驟而處理為不同型樣。因此,藉由使用一多色調遮罩可形成相應於至少兩種不同型樣之抗蝕罩。因而,可降低曝光遮罩之數量,亦可降低相應光刻步驟之數量,藉此可體現程序簡化。
請注意,較佳的是蝕刻狀況最佳化以便當蝕刻導電膜時不致蝕刻及劃分氧化物半導體層441。然而,難以獲得僅蝕刻導電膜而完全未蝕刻氧化物半導體層441之蝕刻狀況。有時當蝕刻導電膜時,僅部分氧化物半導體層441蝕刻為具有槽部(凹部)之氧化物半導體層。
在本實施例中,由於Ti膜用做導電膜及In-Ga-Zn-O基氧化物半導體用做氧化物半導體層441,過氧化氫氨(氨、水及過氧化氫之混合物)用做蝕刻劑。
其次,藉由使用諸如N2O、N2或Ar之氣體的電漿處理,可移除吸附於氧化物半導體層之暴露部分表面的水等。若執行電漿處理,形成接觸部分氧化物半導體層之絕緣層407而未暴露於空氣。
可適當使用一種方法,諸如濺鍍法,使諸如水或氫之雜質未進入絕緣層407而形成至少1nm厚度之絕緣層407。當絕緣層407中包含氫時,造成氫進入氧化物半導
體層或因氫而從氧化物半導體層提取氧氣,藉此使氧化物半導體層之反向通道的電阻低(使反向通道具有n型傳導性),使得可形成寄生通道。因此,重要的是使用其中未使用氫之膜形成方法,以形成包含盡可能少之氫的絕緣層407。
有關絕緣層407,可典型地使用無機絕緣膜,諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、或氧氮化鋁膜。
在本實施例中,藉由濺鍍法形成200-nm-厚氧化矽膜之絕緣層407。膜形成中基板溫度可高於或等於室溫及低於或等於300℃,本實施例中為100℃。可藉由濺鍍法於稀有氣體(典型為氬)、氧氣、或包含稀有氣體及氧氣之混合氣體中形成氧化矽膜。有關靶材,可使用氧化矽靶材或矽靶材。例如,可使用矽靶材藉由濺鍍法於包含氧氣之氣體中形成氧化矽膜。有關經形成而接觸氧化物半導體層之絕緣層407,使用無機絕緣膜,其不包含諸如濕氣、氫離子、及OH-之雜質,並阻擋其從外部進入。典型地,使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、氧氮化鋁膜等。
為以類似於氧化物半導體膜440之沉積的方式從絕緣層407之沉積室移除剩餘濕氣,較佳地使用截留真空泵(諸如低溫泵)。當絕緣層407於使用低溫泵排空之沉積室中沉積時,可降低絕緣層407之雜質濃度。此外,有關用於從絕緣層407之沉積室移除剩餘濕氣之排空單元,可使用具冷阱之渦輪泵(渦輪分子泵)。
較佳的是當形成絕緣層407時,使用諸如氫、水、烴
基或氫化物之雜質移除的高純度氣體做為濺鍍氣體。
其次,於惰性氣體或氧氣(較佳地以高於或等於200℃及低於或等於400℃的溫度,例如,高於或等於250℃及低於或等於350℃)中執行第二熱處理。例如,於氮氣中以250℃執行第二熱處理達一小時。在第二熱處理中,部分氧化物半導體層(通道形成區)加熱同時接觸絕緣層407。
經由上述程序,於氧化物半導體膜上執行第一熱處理,使得諸如氫、濕氣、烴基或氫化物(亦稱為氫化合物)之雜質刻意從氧化物半導體層移除。此外,可供應氧氣,其為氧化物半導體之主要成分之一,並於移除雜質的步驟中同步降低。因此,氧化物半導體層被高度純化並製成電氣i型(本質)氧化物半導體層。
經由上述步驟,形成電晶體410(詳圖3C1及3C2)。
當具有大量缺陷之氧化矽層用做絕緣層407時,基於在氧化矽層形成之後執行之熱處理,氧化物半導體層中所包含之諸如氫、濕氣、烴基或氫化物之雜質可擴散進入氧化矽層,使得氧化物半導體層中雜質可進一步降低。
可於絕緣層407之上形成保護絕緣層。例如,藉由RF濺鍍法形成氮化矽膜。RF濺鍍法在大規模生產方面具有優勢,因而為形成保護絕緣層之較佳方法。有關保護絕緣層,使用諸如氮化矽膜或氮化鋁膜之無機絕緣膜,其不包含諸如濕氣之雜質,並阻擋其從外部進入。
在保護絕緣層形成之後,可進一步於空氣中以高於或等於100℃及低於或等於200℃執行熱處理,達長於或等於1小時及短於或等於30小時。此熱處理可以固定加熱溫度執行。另一方面,下列加熱溫度改變可重複實施複數次:加熱溫度從室溫增加至高於或等於100℃及低於或等於200℃之溫度,接著降至室溫。
其次,選擇性移除閘極絕緣層402及絕緣層407,使得形成暴露閘極電極層401之開口412a及開口412b(詳圖3D1及3D2)。如圖3D2中所描繪,於閘極絕緣層402及絕緣層407中形成開口412a及開口412b,使得閘極絕緣層402及絕緣層407圍繞及密封沿氧化物半導體層403之通道寬度方向提供於中心的氧化物半導體層403。在本實施例中,使用相同遮罩蝕刻閘極絕緣層402及絕緣層407,因而其端部實質上彼此對齊。
接著,導電膜係形成於絕緣層407之上,並藉由光刻步驟蝕刻,藉此形成導電層411(圖3E1及3E2)。形成導電層411以便覆蓋至少氧化物半導體層403之通道形成區。
如圖3E2中所描繪,形成導電層411以便覆蓋閘極絕緣層402及絕緣層407之頂部及相對端部,閘極絕緣層402及絕緣層407圍繞提供於閘極電極層401上並於開口與暴露之閘極電極層401接觸的氧化物半導體層403。導電層411接觸閘極電極層401,因而具有與閘極電極層401相同電位。
藉由提供具有與閘極電極層401相同電位之導電層411,可避免於電晶體410之反向通道中形成因洩漏電流之寄生通道。
此外,導電層411用以阻擋外部電場(尤其是阻擋靜電),即避免外部電場作用於內側(包括電晶體之電路部)。導電層411的該等阻擋功能可避免因諸如靜電之外部電場的影響造成電晶體410的電氣特性改變。
在依據本實施例形成之包括高度純化氧化物半導體層403的電晶體410中,關閉狀態之電流值(關閉狀態電流值)可降低為1μm通道寬度之低於10zA/μm之值(85℃下低於100zA/μm之值)。
此外,包括氧化物半導體層403之電晶體410可以高速操作,因為其可達成相對高之場效移動性。因此,藉由使用液晶顯示裝置之像素部中電晶體,可提供高品質影像。此外,藉由使用包括高度純化氧化物半導體層之電晶體,由於可於一基板上形成驅動電路部及像素部,可降低半導體裝置之組件數量。
如上述,氧化物半導體層之通道形成區係藉由堆疊之閘極絕緣層及絕緣層圍繞,亦藉由沿通道寬度方向之閘極電極層及導電層圍繞;因而,半導體裝置可耐撞。
此外,藉由形成為軟性,半導體裝置可用於各種應用,可提供更加方便及高度可靠之半導體裝置。
在本實施例中,將參照圖2A及2B說明半導體裝置之另一實施例。在本實施例中,將說明電晶體做為半導體裝置之範例。與實施例1中相同部分,具有類似於實施例1中功能之部分,與實施例1中相同步驟,及類似於實施例1中步驟,可如實施例1中處理,且重複說明省略。此外,相同部分之詳細說明未重複。
圖2A及2B描繪並聯連接之電晶體420a、420b及420c。藉由複數電晶體420a、420b及420c之並聯連接,可獲得與寬通道寬度之實質上相同效果,及可流動較大量電流。當複數電晶體並聯配置以便共用通道寬度等之該等結構組合使用時,電路可更自由地設計。包括電晶體420a、420b及420c而更大量電流可流動之結構較佳地用於驅動電路部中驅動電路之電晶體。
電晶體420a、420b及420c之每一氧化物半導體層423a、423b及423c的通道形成區分別具有通道長度(L)方向及通道寬度(W)方向。
圖2A為電晶體420a、420b及420c之平面圖,及圖2B為沿圖2A中所描繪之電晶體420a、420b及420c之通道寬度(W)方向之線B3-B4的截面圖。
如圖2A及2B中所描繪,電晶體420a、420b及420c於具有絕緣表面之基板400上包括閘極電極層421、閘極絕緣層422(閘極絕緣層422a、422b及422c)、氧化物半導體層423a、423b及423c、源極電極層425a、及汲極電極層425b。絕緣層427(絕緣層427a、427b及427c)
及導電層431係依序堆疊於電晶體420a、420b及420c之上。
電晶體420a、420b及420c並聯連接及共同具有閘極電極層421、源極電極層425a及汲極電極層425b。
在圖2B沿通道寬度方向之截面圖中,閘極絕緣層422a、422b及422c及絕緣層427a、427b及427c覆蓋氧化物半導體層423a、423b及423c之頂部、底部及端部,以便分別圍繞氧化物半導體層423a、423b及423c,及分別於氧化物半導體層423a、423b及423c之相對端部彼此接觸。閘極電極層421係配置於閘極絕緣層422a、422b及422c以下,及導電層431係配置於絕緣層427a、427b及427c之上,以便覆蓋氧化物半導體層423a、423b及423c、閘極絕緣層422a、422b及422c、及絕緣層427a、427b及427c之頂部,及閘極絕緣層422a、422b及422c及絕緣層427a、427b及427c之相對端部。再者,導電層431接觸閘極電極層421。
以上述方式,氧化物半導體層423a、423b及423c分別藉由閘極絕緣層422a、422b及422c及絕緣層427a、427b及427c圍繞,及亦藉由沿通道寬度方向之閘極電極層421及導電層431圍繞。
基於上述結構,其中氧化物半導體層423a、423b及423c之周邊係藉由包括閘極電極層、閘極絕緣層、絕緣層及導電層之堆疊保護,甚至當沿通道寬度方向施加力時,厚堆疊結構仍不可能彎曲,使得施加於位於堆疊中心
之氧化物半導體層423a、423b及423c之力可降低。因此,氧化物半導體層423a、423b及423c可避免因外部撞擊而破裂。
此外,閘極電極層421廣泛暴露之開口係形成於閘極絕緣層422(閘極絕緣層422a、422b及422c)及絕緣層427(絕緣層427a、427b及427c)中,且閘極電極層421及導電層431於開口彼此接觸。藉由使用對每一閘極電極層421及導電層431具高黏著之導電膜,閘極電極層421、閘極絕緣層422a、422b及422c、氧化物半導體層423a、423b及423c、絕緣層427a、427b及427c、及導電層431可避免因外力而於其介面剝落。
為增加閘極電極層421與導電層431之間的黏著,各層彼此接觸之區域較佳地為大。如圖2A中所描繪,閘極電極層421及導電層431沿氧化物半導體層423a、423b及423c之通道長度方向彼此接觸之區域的長度,較佳地長於氧化物半導體層423a、423b及423c之通道長度。
在電晶體420a、420b及420c中,氧化物半導體層423a、423b及423c係配置於中心,閘極絕緣層422a、422b及422c及絕緣層427a、427b及427c藉由於相對端部彼此接觸而密封氧化物半導體層423a、423b及423c,及進一步閘極電極層421及導電層431藉由於相對端部彼此接觸而密封上述堆疊,藉此可獲得對稱之結構。基於上述結構,外部力可均勻地分散,藉此可避免大力局部施加於氧化物半導體層423a、423b及423c。
因此,在電晶體420a、420b及420c中,沿氧化物半導體層423a、423b及423c之通道寬度方向的耐彎性改進,因而電晶體420a、420b及420c可耐撞。
由於電晶體耐撞,藉由將軟性基板用於基板400而可應用於軟性半導體裝置,及可提供可用於各種應用之更方便及高度可靠之半導體裝置。
如上述,氧化物半導體層之通道形成區係藉由堆疊之閘極絕緣層及絕緣層圍繞,及亦藉由沿通道寬度方向之閘極電極層及導電層圍繞;因而,半導體裝置可耐撞。
此外,藉由經形成為軟性,半導體裝置可用於各種應用,及可提供更加方便及高度可靠之半導體裝置。
本實施例可藉由適當與任一其他實施例組合而予實施。
在本實施例中,將參照圖5A至5C說明半導體裝置之另一實施例。在本實施例中,將說明電晶體做為半導體裝置之範例。將說明一範例其中源極電極層及汲極電極層之形成步驟及結構不同於實施例1中所說明之電晶體的。因此,與實施例1中相同部分,具有類似於實施例1中功能之部分,與實施例1中相同步驟,及類似於實施例1中步驟,可如實施例1中處理,且重複說明省略。此外,相同部分之詳細說明未重複。
在實施例1及2中,源極電極層405a及汲極電極層
405b係配置於氧化物半導體層403與絕緣層407之間。在本實施例中,源極電極層405a及汲極電極層405b係配置於閘極絕緣層402及氧化物半導體層403之間。
圖5A為電晶體430之平面圖,圖5B為沿圖5A中所描繪之電晶體430通道長度(L)方向之線A5-A6的截面圖,及圖5C為沿通道寬度(W)方向之線B5-B6的截面圖。
圖5A至5C中所描繪之電晶體430為底閘電晶體,於基板400之上包括閘極電極層401、閘極絕緣層402、源極電極層405a、汲極電極層405b、及氧化物半導體層403。此外,配置絕緣層407,其覆蓋電晶體430並與氧化物半導體層403接觸。
在電晶體430中,閘極絕緣層402係配置於基板400及閘極電極層401之上並與其接觸,及源極電極層405a及汲極電極層405b係配置於閘極絕緣層402之上並與其接觸。此外,氧化物半導體層403係配置於閘極絕緣層402、源極電極層405a及汲極電極層405b之上。
在圖5C沿通道寬度方向之截面圖中,閘極絕緣層402及絕緣層407覆蓋氧化物半導體層403之頂部、底部及端部,以便圍繞氧化物半導體層403,且於氧化物半導體層403之相對端部彼此接觸。閘極電極層401係配置於閘極絕緣層402以下,及導電層411係配置於絕緣層407之上,以便覆蓋氧化物半導體層403、閘極絕緣層402及絕緣層407之頂部,及閘極絕緣層402及絕緣層407之相
對端部。再者,導電層411接觸閘極電極層401。
以上述方式,氧化物半導體層403係藉由閘極絕緣層402及絕緣層407圍繞,及亦藉由閘極電極層401及導電層411沿通道寬度方向圍繞。
基於上述結構,其中氧化物半導體層403之周邊係藉由包括閘極電極層、閘極絕緣層、絕緣層及導電層之堆疊保護,甚至當沿通道寬度(W)方向之力(外力)施加時,厚堆疊結構不可能彎曲,使得施加於位於堆疊中心之氧化物半導體層403的力可降低。因此,氧化物半導體層403可避免因外部撞擊而破裂。
此外,使閘極電極層401廣泛暴露之開口形成於閘極絕緣層402及絕緣層407中,及閘極電極層401及導電層411於開口彼此接觸。藉由使用對每一閘極電極層401及導電層411具高黏著之導電膜,閘極電極層401、閘極絕緣層402、氧化物半導體層403、絕緣層407、及導電層411可避免因外力而於其介面剝落。
為增加閘極電極層401與導電層411之間的黏著,彼此接觸之層的區域較佳地為大。如圖5A中所描繪,閘極電極層401及導電層411沿氧化物半導體層403之通道長度方向彼此接觸之區域的長度,較佳地長於氧化物半導體層403之通道長度。
氧化物半導體層403係配置於中心,閘極絕緣層402及絕緣層407藉由於相對端部彼此接觸而密封氧化物半導體層403,及進一步閘極電極層401及導電層411藉由於
相對端部彼此接觸而密封上述堆疊,藉此可獲得對稱之結構。基於上述結構,外力可均勻地分散,藉此可避免大力局部施加於氧化物半導體層403。
因此,在電晶體430中,氧化物半導體層403之通道寬度方向的耐彎性改進,因而電晶體430可耐撞。
由於電晶體耐撞,藉由將軟性基板用於基板400而可應用於軟性半導體裝置,可提供可用於各種應用之更方便及高度可靠之半導體裝置。
本實施例可藉由適當與任一其他實施例組合而予實施。
在本實施例中,將說明藉由將電晶體從製造基板分離及將電晶體轉移至軟性基板之半導體裝置的製造方法範例。將參照圖4A至4D說明依據本發明之實施例的半導體裝置。請注意,除了部分程序以外,本實施例與實施例1相同;因而,相同部分標示相同代號,及相同部分之詳細說明省略。
將參照圖4A至4D詳細說明半導體裝置之製造方法範例。
分離層302係形成於第一製造基板300之上,及第一絕緣層301係形成於分離層302之上。較佳地,第一絕緣層301係接續形成而未將所形成之分離層302暴露於空氣。此接續形成避免灰塵或雜質進入分離層302與第一絕
緣層301之間的介面。
有關第一製造基板300,可使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。有關玻璃基板,可使用鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。另一方面,可使用對於本實施例之處理溫度具有耐熱性的塑料基板。在半導體裝置之製造程序中,可依據程序而適當選擇製造基板。
請注意,在本程序中,分離層302係形成於第一製造基板300的整個表面上;然而,在分離層302形成於第一製造基板300的整個表面上之後,可視需要而選擇性移除分離層302,使得分離層可僅形成於所欲區域之上。此外,儘管圖4A及4B中分離層302經形成而接觸第一製造基板300,諸如氧化矽層、氧氮化矽層、氮化矽層、或氮氧化矽層之絕緣層可視需要而形成於第一製造基板300與分離層302之間。
分離層302可使用選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)及矽(Si)之元素;包含任一元素做為主要成分之合金材料;或包含任一元素做為主要成分之化合物材料,而具有單層結構或堆疊結構。包含矽之層的結晶結構可為非結晶、微晶或多晶。
分離層302可藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗層法、印刷法等予以形成。請注意,塗層法包括旋塗法、液低釋
放法及滴塗法。
若分離層302具有單層結構,較佳的是形成鎢層、鉬層、或包含鎢及鉬的混合物之層。另一方面,形成包含鎢之氧化物或氧氮化物之層、包含鉬之氧化物或氧氮化物之層、或包含鎢及鉬的混合物之氧化物或氧氮化物之層。請注意,鎢及鉬的混合物相應於例如鎢及鉬之合金。
若分離層302具有堆疊結構,鎢層、鉬層、或包含鎢及鉬的混合物之層較佳地形成做為第一層。鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之氧化物;鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之氮化物;鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之氧氮化物;或鎢、鉬、或鎢及鉬的混合物之氮氧化物較佳地形成做為第二層。
若包含鎢之層及包含鎢之氧化物之層的堆疊結構經形成做為分離層302,首先可形成包含鎢之層,之後使用包含鎢之層上之氧化物而形成之絕緣層,使得於包含鎢之層與絕緣層之間的介面形成包含鎢之氧化物之層。
此外,若電晶體係形成於製造基板之上且分離層插於其間,分離層便藉由用於氧化物半導體層之脫水或脫氫的熱處理而加熱。因而,當於之後程序執行電晶體從製造基板分離並轉移至支撐基板時,可於分離層之介面輕易地執行分離。
另一方面,可藉由於包含鎢之層的表面上執行熱氧化處理、氧電漿處理、以諸如臭氧水之高度氧化溶液處理等,而形成包含鎢之氧化物之層。電漿處理及熱處理可於
氧、氮、或僅氧化亞氮或任何該些氣體及其他氣體之混合氣體之氣體中執行。相同的狀況可應用於形成包含鎢之氮化物、氧氮化物、或氮氧化物之層。在包含鎢之層形成之後,可於其上形成氮化矽層、氧氮化矽層、或氮氧化矽層。
將分離之層304係形成於分離層302之上(詳圖4A)。將分離之層304包括第一絕緣層301及電晶體410。
首先,第一絕緣層301係形成於分離層302之上。第一絕緣層301較佳地使用包含氮及矽之絕緣膜,諸如氮化矽、氧氮化矽或氮氧化矽,而形成具單層或多層。
此外,第一絕緣層301可藉由濺鍍法、電漿CVD法、塗層法、印刷法等予以形成。例如,第一絕緣層301係藉由電漿CVD法於250℃至400℃之溫度予以形成,藉此可獲得具有極低水滲透性之密集膜。請注意,第一絕緣層301經形成為大於或等於10nm及小於或等於1000nm之厚度,較佳地為大於或等於100nm及小於或等於700nm。
藉由形成第一絕緣層301,可輕易地於之後分離程序中執行將分離之層304與分離層302之間的介面之分離。此外,半導體元件或佈線可避免於之後分離程序中破裂或損壞。第一絕緣層301做為半導體裝置之保護層。
電晶體410係形成於第一絕緣層301之上,使得以形成將分離之層304。將分離之層304可使用實施例1中所
說明之方法予以形成;因此,其詳細說明此處省略。
在本實施例中,說明保護絕緣層409堆疊於絕緣層407之上的範例。在本實施例中,有關保護絕緣層409,氮化矽膜係以下列方式形成:其上形成直至包括絕緣層407之層的基板400加熱至100℃至400℃之溫度,導入氫及濕氣移除且包含高純度氮之濺鍍氣體,及使用矽半導體之靶材(詳圖4A)。在本狀況下,以類似於絕緣層407之方式,較佳地形成保護絕緣層409同時移除留在處理室中濕氣。
可於電晶體410之上形成平坦化絕緣膜,以便降低電晶體造成之表面粗糙度。有關平坦化絕緣膜,可使用有機材料諸如聚醯亞胺、丙烯酸、或苯並環丁烯。除了該等有機材料之外,亦可使用低k常數材料(低k材料)等。請注意,藉由堆疊從該些材料形成之複數絕緣膜,可形成平坦化絕緣膜。
其次,第二製造基板306使用可移除之黏合層305而暫時附著至將分離之層304。藉由將第二製造基板306附著至將分離之層304,將分離之層304可輕易地從分離層302分離。此外,可降低於分離程序中添加至將分離之層304的壓力,而可保護電晶體。此外,由於使用可移除之黏合層305,第二製造基板306可於不再需要時輕易移除。
有關可移除之黏合層305,例如可使用水溶性樹脂。藉由施加水溶性樹脂而降低將分離之層304的不平坦,使
得將分離之層304可輕易地附著至第二製造基板306。此外,有關可移除之黏合層305,可使用藉由光或熱而可分離之水溶性樹脂及黏合劑的堆疊。
其次,將分離之層304從第一製造基板300分離(詳圖4B)。有關分離方法,可使用各種方法。
例如,當金屬氧化物膜於接觸第一絕緣層301之側形成做為分離層302時,藉由結晶化而使金屬氧化物膜變弱,將分離之層304可從第一製造基板300分離。此外,在金屬氧化物膜藉由結晶化而變弱之後,藉由使用溶液或鹵素氟化物氣體蝕刻,諸如NF3、BrF3、或ClF3,可移除部分分離層302,及可於弱化金屬氧化物膜執行分離。
當包含氮、氧、氫等之膜(例如,包含氫之非結晶矽膜、包含氫之合金膜、或包含氧之合金膜)用做分離層302,及具有透光屬性之基板用做第一製造基板300時,可使用下列方法:以雷射光經由第一製造基板300輻照分離層302,及蒸發分離層中所包含之氮、氧或氫,使得可於第一製造基板300與分離層302之間發生分離。
此外,藉由蝕刻移除分離層302,將分離之層304可從第一製造基板300分離。
亦可使用藉由機械拋光之方法而移除第一製造基板300,藉由使用諸如NF3、BrF3、ClF3或HF之鹵素氟化物氣體蝕刻之方法而移除第一製造基板300等。在本狀況下,不一定使用分離層302。
再者,將分離之層304可以下列方式從第一製造基板
300分離:藉由雷射光輻照,藉由使用氣體、溶液等蝕刻,或以銳利刀片或小刀而形成槽以暴露分離層302,使得以槽做為觸發器而沿分離層302與做為保護層之第一絕緣層301之間的介面發生分離。
例如,有關分離方法,可使用機械力(以人手或以夾具分離處理、藉由滾子旋轉分離處理等)。另一方面,液體可滴入槽以允許液體滲入分離層302與第一絕緣層301之間的介面,之後將分離之層304從分離層302分離。再另一方面,可使用一種方法其中將諸如NF3、BrF3或ClF3之氟化物氣體導入槽,藉由使用氟化物氣體蝕刻使得將分離之層304從具有絕緣表面之第一製造基板300分離而移除分離層302。此外,執行分離同時於分離期間傾注諸如水之液體。
有關另一分離方法,若使用鎢形成分離層302,可執行分離同時藉由使用氨水及過氧化氫之混合溶液蝕刻分離層。
其次,使用樹脂層307使基板400附著至將分離之層304(詳圖4C)。
有關基板400,可使用實施例1中所說明之軟性基板。
有關樹脂層307,可使用各種可固化黏合劑,例如,諸如UV固化黏合劑之光固化黏合劑、反應性固化黏合劑、熱固化黏合劑、及厭氧黏合劑。有關黏合劑之材料,可使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽樹脂、苯酚樹脂等。
請注意,若預浸材料用做基板400,將分離之層304及基板400藉由壓力黏合而未使用黏合劑,彼此直接附著。此時,有關用於結構體之有機樹脂,較佳地使用反應性固化樹脂、熱固化樹脂、UV固化樹脂等,其藉由附加處理而較佳固化。
在配置基板400之後,移除第二製造基板306及可移除之黏合層305,藉此電晶體410暴露(詳圖4D)。
經由上述程序,電晶體410可藉由轉移程序而形成於基板400之上。
請注意,本實施例顯示一方法範例,其中配置直至包括電晶體之組件做為將分離之層;然而,本說明書中所揭露之本發明不侷限於此。在顯示元件(例如發光元件)形成之後可執行分離及轉移。
依據本實施例,使用具有高耐熱性之基板製造之電晶體可轉移至薄及輕之軟性基板。因此,可形成軟性半導體裝置而未受限於基板之耐熱性。
本實施例可藉由適當與任一其他實施例組合而予實施。
可使用任一實施例1至4中所說明之範例的電晶體製造具顯示功能之半導體裝置(亦稱為顯示裝置)。任一實施例1至4中所說明之範例的電晶體更有效地用於驅動電路部。此外,藉由使用電晶體,部分或全部驅動電路可形
成於相同基板之上做為像素部,藉此可獲得面板系統。
在圖6A及6B中,配置密封劑4005以便圍繞配置於第一基板4001上之像素部4002及掃描線驅動電路4004。第二基板4006係配置於像素部4002及掃描線驅動電路4004之上。因此,像素部4002及掃描線驅動電路4004以及顯示元件係藉由第一基板4001、密封劑4005及第二基板4006密封。在圖6A及6B中,於使用單晶半導體膜或單晶半導體膜個別準備之基板上形成之信號線驅動電路4003,係安裝於與第一基板4001上密封劑4005所圍繞之區域不同的區域中。在圖6A及6B中,各種信號及電位供應至個別形成之信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004、及來自FPC 4018之像素部4002。
儘管圖6A及6B各描繪個別形成信號線驅動電路4003並安裝於第一基板4001上之範例,本發明並不侷限於此結構。掃描線驅動電路可個別形成及接著安裝,或僅部分信號線驅動電路或部分掃描線驅動電路可個別形成及接著安裝。
請注意,個別形成之驅動電路的連接方法未侷限於特定方法,可使用將晶片安裝於玻璃(COG)法、線路黏合法、磁帶自動黏接(TAB)法等。圖6A描繪信號線驅動電路4003係藉由COG法安裝之範例。圖6B描繪信號線驅動電路4003係藉由TAB法安裝之範例。
此外,顯示裝置於其分類包括面板其中密封顯示元件,及模組其中包括控制器之IC等係安裝於面板上。
請注意,本說明書中顯示裝置表示影像顯示裝置、顯示裝置或光源(包括發光裝置)。此外,顯示裝置於其分類亦包括下列模組:附著諸如FPC、TAB磁帶或TCP之連接器的模組;於頂端配置印刷線路板之具有TAB磁帶或TCP的模組;積體電路(IC)藉由COG法而直接安裝於顯示元件上的模組。
此外,配置於第一基板上之像素部及掃描線驅動電路各包括複數電晶體,及任一實施例1至4中所說明之範例的電晶體可用做掃描線驅動電路4004之電晶體。
有關顯示裝置中所配置之顯示元件,可使用液晶元件(亦稱為液晶顯示元件)或發光元件(亦稱為發光顯示元件)。發光元件於其分類包括其亮度受電流或電壓控制之元件,及具體地於其分類包括無機電致發光(EL)元件、有機EL元件等。此外,可使用藉由電效應而改變對比之顯示媒體,諸如電子墨水。
將參照圖7、圖8及圖9說明半導體裝置之實施例。圖7、圖8及圖9各相應於沿圖6A中M-N之截面圖。
如圖7、圖8及圖9中所描繪,半導體裝置包括連接終端電極4015及終端電極4016,連接終端電極4015及終端電極4016經由非等向性導電膜4019而電性連接FPC4018中所包括之端子。
連接終端電極4015係使用與第一電極層4030相同導電膜形成,終端電極4016係使用與電晶體4010及4011之源極及汲極電極層的相同導電膜形成。
配置於第一基板4001上之每一像素部4002及掃描線驅動電路4004包括複數電晶體。在圖7、圖8及圖9中,描繪像素部4002中所包括之電晶體4010及掃描線驅動電路4004中所包括之電晶體4011做為範例。在圖7中,絕緣層4020係配置於電晶體4010及4011之上,及在圖8及圖9中,絕緣層4021係配置於絕緣層4020之上。請注意,絕緣膜4023為做為基膜之絕緣膜。
在本實施例中,對掃描線驅動電路4004中所包括之電晶體4011而言,使用實施例1中所說明之範例的電晶體。在電晶體4011中,氧化物半導體層之通道形成區係藉由閘極電極層、閘極絕緣層、絕緣層、及沿通道寬度方向配置於氧化物半導體層以下及之上的導電層圍繞。在驅動電路中,較佳的是電晶體具有長通道寬度使得可流動較大量電流。因此,使用電晶體其具有如任一實施例1至4中所說明之沿通道寬度方向的耐彎性,可獲得高度耐撞及高度可靠之半導體裝置。
像素部4002中所包括之電晶體4010電性連接顯示元件以形成顯示面板。只要可執行顯示,可使用各種顯示元件做為顯示元件。
圖7描繪使用用於顯示元件之液晶元件的液晶顯示裝置範例。在圖7中,為顯示元件之液晶元件4013包括第一電極層4030、第二電極層4031及液晶層4008。配置做為校準膜之絕緣膜4032及4033,使得液晶層4008插於其間。第二電極層4031係配置於第二基板4006側,及第
一電極層4030及第二電極層4031堆疊,且液晶層4008插於其間。
代號4035表示藉由選擇性蝕刻絕緣膜而形成之柱間隔器。配置柱間隔器4035以控制液晶層4008之厚度(格間隙)。另一方面,可使用球間隔器。
若液晶元件用做顯示元件,可使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、、聚合物分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。該等液晶材料依據狀況而展現膽固醇相位、近晶相位、立方相位、手徵向列相位、各向同性相位等。
另一方面,可使用不需校準膜之展現藍相的液晶。藍相為一種液晶相位,其係就在膽固醇相位改變為各向同性相位同時膽固醇液晶之溫度增加之前產生。由於藍相僅出現於窄溫度範圍,包含高於或等於5重量%之手性材料的液晶組成用於液晶層,以便改進溫度範圍。包含展現藍相及手性劑之液晶的液晶組成具有短於或等於1毫秒之短反應時間,具有光學各向同性而不需要校準程序,及具有小視角相依性。此外,由於不需配置校準膜,因而不必要研磨處理,本製造程序可避免藉由研磨處理造成之靜電放電損壞,及可降低液晶顯示裝置之缺陷及損壞。因而,可增加液晶顯示裝置之生產率。包括氧化物半導體層之電晶體尤其具有藉由靜電影響而電晶體之電氣特性顯著地波動並偏離設計範圍之可能性。因此,使用用於包括具氧化物半導體層之電晶體的液晶顯示裝置的藍相液晶材料更加有效。
液晶材料之具體電阻係數為高於或等於1×109Ω‧cm,較佳地為高於或等於1×1011Ω‧cm,更佳地為高於或等於1×1012Ω‧cm。請注意,本說明書中具體電阻係數係以20℃測量。
液晶顯示裝置中所形成之儲存電容器的尺寸係考量像素部等中所配置之電晶體的洩漏電流而予設定,使得電荷可保持達預定期間。儲存電容器之尺寸可考量電晶體等之關閉狀態電流而予設定。藉由使用包括高純度氧化物半導體層之電晶體,足以提供具有小於或等於每一像素之液晶電容的1/3之電容的儲存電容器,較佳地為小於或等於其1/5。
對液晶顯示裝置而言,可使用扭轉向列(TN)模式、平面方向切換(IPS)模式、邊緣場切換(FFS)模式、軸對稱排列微型格(ASM)模式、光學補償雙折射(OCB)模式、鐵電液晶(FLC)模式、反電液晶(AFLC)模式等。
此外,液晶顯示裝置可為正常黑液晶顯示裝置,諸如利用垂直調整(VA)模式之透射液晶顯示裝置。提供一些垂直調整模式之範例;例如,可使用多區域垂直排列(MVA)模式、圖像垂直調整(PVA)模式、ASV模式等。此外,本實施例可應用於VA液晶顯示裝置。VA液晶顯示裝置具有一種形式,其中液晶顯示面板之液晶分子的調整受控制如下。在VA液晶顯示裝置中,當無電壓施加時,液晶分子係以垂直於面板表面之方向對齊。再者,
可使用稱為域倍增或多域設計之方法,其中像素被劃分為一些區域(子像素),且分子係以不同區域中不同方向對齊。
此外,在顯示裝置中適當配置黑矩陣(阻光層)、諸如偏光構件、延遲構件或抗反射構件之光學構件(光學基板)等。例如,可使用藉由使用偏光基板及延遲基板而獲得的圓偏光。此外,背光、側燈等可用做光源。
有關像素部之顯示法,可使用前進法、交錯法等。此外,像素中所控制用於色彩顯示之色彩成分不侷限於三種顏色之組合:R、G及B(R、G及B分別相應於紅色、綠色及藍色)。例如,可使用R、G、B及W之組合(W相應於白色);R、G、B及黃色、青色、紫紅色等等之一或更多種顏色之組合。此外,依據色彩成分之點,顯示區域的尺寸可為不同。本發明不侷限於彩色顯示裝置,並可為單色顯示裝置。
此外,顯示裝置中所包括之顯示元件,可使用利用電致發光之發光元件。利用電致發光之發光元件依據發光材料為有機化合物或無機化合物而予分類。通常,前者稱為有機EL元件,後者稱為無機EL元件。
有關有機EL元件,藉由施加電壓於發光元件,電子及電洞分別從一對電極注入包含發光有機化合物之層,及電流流動。載子(電子及電洞)重新組合,因而,激勵發光有機化合物。發光有機化合物從激勵狀態返回至接地狀態,藉此發光。由於該等機制,此發光元件稱為電流激勵
發光元件。
無機EL元件依據其元件結構而區分為分散型無機EL元件及薄膜無機EL元件。分散型無機EL元件具有發光層,其中發光材料之粒子分散於黏合劑中,且其發光機制為使用供體位準及受體位準之供體-受體重組型發光。薄膜無機EL元件具有一結構,其中發光層夾於電介質層之間,電介質層進一步夾於電極之間,且其發光機制為使用金屬離子之內殼層電子躍遷的侷限型發光。請注意,此處說明有機EL元件之範例做為發光元件。
為提取從發光元件發射之光,至少一對電極可為透光。電晶體及發光元件係形成於基板之上。發光元件可具有頂部發射結構,其中係經由相對於基板之表面提取發光;底部發射結構其中係經由基板側表面提取發光;或雙重發射結構其中係經由相對於基板之表面及基板側表面提取發光,並可使用具有任何該些發射結構之發光元件。
圖8描繪發光元件用做顯示元件之發光裝置的範例。發光元件4513為顯示元件,電性連接像素部4002中所配置之電晶體4010。請注意,發光元件4513之結構為但不侷限於堆疊結構,其包括第一電極層4030、電致發光層4511、及第二電極層4031。發光元件4513之結構可依據從發光元件4513提取光之方向等而適當改變。
分割壁4510可使用有機絕緣材料或無機絕緣材料予以形成。尤其較佳的是,分割壁4510係使用光敏樹脂材料形成而於第一電極層4030之上具有開口,使得開口之
側壁經形成為具連續曲率之傾斜表面。
電致發光層4511可使用單層或複數層堆疊予以形成。
保護膜可形成於第二電極層4031及分割壁4510之上,以避免氧、氫、濕氣、二氧化碳等進入發光元件4513。有關保護膜,可形成氮化矽膜、氮氧化矽膜、DLC膜等。此外,在經形成而具第一基板4001、第二基板4006及密封劑4005之空間中,配置填充劑4514進行密封。較佳的是發光裝置以保護膜(諸如層壓膜或紫外線固化樹脂膜)或具高氣密性及低漏氣之覆蓋材料分封(密封),以此方式使得發光裝置不暴露於外部空氣。
有關填充劑4514,可使用紫外線固化樹脂或熱固性樹脂以及諸如氮或氬之惰性氣體。例如,可使用聚氯乙烯(PVC)、丙烯酸、聚醯亞胺、環氧樹脂、矽樹脂、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或乙烯醋酸乙烯酯(EVA)。例如,氮用做填充劑。
此外,當需要時,諸如偏光板、圓偏光板(包括橢圓偏光板)、延遲板(四分之一波板或半波板)之光學膜或濾色器,可適當地配置於發光元件之發光表面。此外,偏光板或圓偏光板可配置具防反射膜。例如,可執行防眩光處理,藉此反射光可藉由投影而擴散及分散於表面以便降低反射。
此外,其中驅動電子墨水之電子紙可提供做為顯示裝置。電子紙亦稱為電泳顯示裝置(電泳顯示),有利的是
其具有與普通紙相同的可讀性程度,具有較其他顯示裝置為低的電力消耗,並可製成形薄質輕。
電泳顯示裝置可具有各式模式。電泳顯示裝置包含分散於溶劑或溶解物的複數微膠囊,每一微膠囊包含正向充電的第一粒子及負向充電的第二粒子。藉由施加電場於微膠囊,微膠囊中第一及第二粒子便以相對方向彼此移動,且僅顯示聚集在一側之粒子顏色。請注意,第一粒子或第二粒子各包含色素,且無電場時不會移動。再者,第一粒子及第二粒子彼此具有不同顏色(可為無色)。
因而,電泳顯示裝置利用所謂介電泳效應,藉此具有高介電常數之物質移至高電場區。
其中上述微膠囊分散於溶劑中之溶液稱為電子墨水。電子墨水可印刷於玻璃、塑料、布料、紙等表面。此外,藉由使用濾色器或具有色素之粒子可達成顏色顯示。
請注意,微膠囊中第一粒子及第二粒子可各由單一下列材料形成:導電材料、絕緣材料、半導體材料、磁性材料、液晶材料、鐵電材料、電致發光材料、電致變色材料、磁泳材料,或其複合材料。
此外,有關電子紙,可使用其中使用扭球顯示系統之顯示裝置。扭球顯示系統係指一種方法,其中染成黑色及白色的每一球形粒子配置於用做顯示元件之電極層的第一電極層與第二電極層之間,並於第一電極層與第二電極層之間產生電位差,以控制球形粒子之方向,而執行顯示。
圖9描繪主動式矩陣電子紙,做為半導體裝置之實施
例。圖9中電子紙為使用扭球顯示系統之顯示裝置範例。
在連接配置於第二基板4006上之電晶體4010及第二電極層4031的第一電極層4030之間配置球形粒子4613,各包括黑色區域4615a、白色區域4615b、及填充液體環繞黑色區域4615a及白色區域4615b之腔4612。環繞球形粒子4613之空間填充填充劑4614,諸如樹脂。第二電極層4031相應於共同電極(相對電極)。第二電極層4031電性連接共同電位線。
在圖7、圖8及圖9中,有關第一基板4001及第二基板4006,可使用軟性基板,例如具有透光屬性等之塑料基板。有關塑料,可使用強化玻璃纖維塑料(FRP)板、聚氯乙烯(PVF)膜、聚脂膜或丙烯酸樹脂膜。此外,可使用薄片,其具一結構其中鋁箔夾於PVF膜或聚脂膜之間。
絕緣層4020做為電晶體之保護膜。
請注意,配置保護膜以避免諸如空氣中所包含之有機物質、金屬或水蒸汽之污染雜質進入,並較佳地為密集膜。保護膜可使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜、及氮氧化鋁膜之一或多項藉由濺鍍法而形成單層或堆疊。
做為平坦化絕緣膜之絕緣層4021可使用具有耐熱性之有機材料予以形成,諸如丙烯酸、聚醯亞胺、苯並環丁烯、聚醯胺、或環氧樹脂。除了該等有機材料外,亦可使用低k常數材料(低k材料)、矽氧基樹脂、磷矽酸玻璃
(PSG)、摻雜硼磷的矽玻璃(BPSG)等。絕緣層可藉由堆疊以該些材料形成之複數絕緣膜予以形成。
對於形成絕緣層4020及4021之方法並無特別限制,依據材料,絕緣層4020及4021可藉由下列方法或裝置予以形成:方法諸如濺鍍法、SOG法、旋塗法、浸漬法、噴塗法或液低釋放法(例如噴墨法、網印或膠印),或工具(設備)諸如刮膠刀、擠膠滾筒、簾式塗料器、或刮刀塗布機。
顯示裝置藉由從光源或顯示元件傳送光而顯示影像。因此,基板及諸如配置用於傳送光之像素部的絕緣膜及導電膜之薄膜相對於可見光波長範圍內之光而具有透光屬性。
依據光提取之方向、電極層配置之位置、及電極層之型樣結構,用於施加電壓於顯示元件之第一電極層及第二電極層(亦稱為像素電極層、共同電極層、相對電極層等)可具有透光屬性或反射光屬性。
第一電極層4030及第二電極層4031可使用透光導電材料予以形成,諸如包含氧化鎢之氧化銦、包含氧化鎢之氧化銦鋅、包含鈦氧化物之氧化銦、包含鈦氧化物之氧化銦錫、氧化銦錫(以下亦稱為ITO)、氧化銦鋅、或添加氧化矽之氧化銦錫。
可各使用選自下列金屬之一種或複數種材料形成第一電極層4030及第二電極層4031,諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭
(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)或銀(Ag);其合金;及其金屬氮化物。
包含導電高分子(亦稱為導電聚合物)之導電成分可用於第一電極層4030及第二電極層4031。有關導電高分子,可使用所謂π-電子共軛導電聚合物。可提供例如聚苯胺及其衍生物,聚吡咯及其衍生物,聚噻吩及其衍生物,二或更多苯胺、吡咯及噻吩或其衍生物之共聚物等。
由於電晶體易因靜電等而破裂,較佳地配置用於保護驅動電路之保護電路。保護電路較佳地使用非線性元件形成。
藉由使用任一上述實施例1至4中所說明之電晶體,顯示裝置可具有各種功能。
本實施例可藉由適當與任一其他實施例組合而予實施。
本說明書中所揭露之半導體裝置可應用於各種電子裝置(包括遊戲機)。電子裝置之範例包括電視機(亦稱為電視或電視接收器)、電腦等之螢幕、諸如數位相機或數位攝影機之相機、數位相框、行動電話手機(亦稱為行動電話或行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端機、音頻再生裝置、及諸如彈珠台之大型遊戲機。
圖10A及10B描繪應用依據任一上述實施例所形成
之軟性半導體裝置的電子書閱讀器之範例。圖10A描繪開啟之電子書閱讀器,及圖10B描繪關閉之電子書閱讀器。依據任一上述實施例所形成之軟性半導體裝置可用於第一顯示面板4311、第二顯示面板4312及第三顯示面板4313。
第一外殼4305具有包括第一顯示部4301之第一顯示面板4311,第二外殼4306具有包括作業部4304及第二顯示部4307之第二顯示面板4312。第三顯示面板4313為雙重顯示面板,具有第三顯示部4302及第四顯示部4310。第三顯示面板4313插於第一顯示面板4311與第二顯示面板4312之間。第一外殼4305、第一顯示面板4311、第三顯示面板4313、第二顯示面板4312及第二外殼4306彼此相連具其中形成驅動電路之結合部4308。圖10A及10B之電子書閱讀器包括四個顯示螢幕:第一顯示部4301、第二顯示部4307、第三顯示部4302及第四顯示部4310。
第一外殼4305、第一顯示面板4311、第三顯示面板4313、第二顯示面板4312及第二外殼4306為軟性,及電子書閱讀器之彈性高。此外,當塑料基板用於每一第一外殼4305及第二外殼4306,及薄膜用於第三顯示面板4313時,可獲得薄電子書閱讀器。
第三顯示面板4313為包括第三顯示部4302及第四顯示部4310之雙重顯示面板。對第三顯示面板4313而言,可使用彼此附著之雙重發射型顯示面板或單側發射型顯示
面板。
圖11描繪依據任一上述實施例中所形成之半導體裝置用於室內發光裝置3001之範例。由於任一上述實施例中所說明之半導體裝置可增加面積,半導體裝置可用於具有大面積之發光裝置。此外,任一上述實施例中所說明之半導體裝置可用於桌燈3000。請注意,除了天花板燈及桌燈以外,發光裝置於其分類包括壁燈、車內燈、疏散燈等。
以該等方式,任一實施例1至5中所說明之半導體裝置可應用於上述各種電子裝置,及可提供高度可靠的電子裝置。
本申請案係依據2010年2月5日向日本專利局提出申請之序號2010-024385日本專利申請案,其整個內容係以提及方式併入本文。
400‧‧‧基板
401‧‧‧閘極電極層
402‧‧‧閘極絕緣層
403‧‧‧氧化物半導體層
405a‧‧‧源極電極層
405b‧‧‧汲極電極層
407‧‧‧絕緣層
410‧‧‧電晶體
411‧‧‧導電層
445‧‧‧箭頭
Claims (9)
- 一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極,其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。
- 一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極, 其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,使得該氧化物半導體層被該閘極電極、該第一絕緣層、該第二絕緣層及該導電層所圍繞,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。
- 一種半導體裝置,包含電晶體,該電晶體包含:閘極電極;該閘極電極上之第一絕緣層;該閘極電極上之氧化物半導體層,該第一絕緣層設置於該閘極電極與該氧化物半導體層之間;該氧化物半導體層上之第二絕緣層;及該氧化物半導體層上之導電層,該第二絕緣層設置於該氧化物半導體層與該導電層之間,其中該導電層重疊該閘極電極及電性連接該閘極電極,其中該第二絕緣層包含第一開口及第二開口,該第一開口及該第二開口以該氧化物半導體層位在該第一開口及該第二開口之間的方式沿著該電晶體之通道寬度方向排列,其中該閘極電極及該導電層的每一個沿著該電晶體的該通道寬度方向,延伸超過該氧化物半導體層的兩側邊緣,使得該導電層之部份形成在該第一開口及該第二開口之中,及其中該電晶體之通道形成區域為高度純化,而且該電 晶體之通道形成區域為本質或實質上本質。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該閘極電極與該導電層沿著該電晶體的該通道寬度方向於該氧化物半導體層之兩側彼此接觸。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該氧化物半導體層包含銦、鋅、氧以及金屬元素。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該半導體裝置是一顯示器裝置。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該電晶體包含於驅動電路中。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,其中該電晶體通道形成區域之載子濃度係低於1×1011/cm3。
- 如申請專利範圍第1項到第3項中任一項之半導體裝置,另外包含:源極電極,在該氧化物半導體層上且電性連接於該氧化物半導體層;及汲極電極,在該氧化物半導體層上且電性連接於該氧化物半導體層。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010024385 | 2010-02-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201342625A TW201342625A (zh) | 2013-10-16 |
TWI517401B true TWI517401B (zh) | 2016-01-11 |
Family
ID=44352969
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109144704A TWI773027B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124909A TWI517401B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124905A TWI552346B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW100103428A TWI521701B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW108117947A TWI742378B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW105119962A TWI612673B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW107124523A TWI669826B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124906A TWI539601B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW103143040A TWI559556B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW106137634A TWI644439B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124907A TWI524526B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109144704A TWI773027B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
Family Applications After (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102124905A TWI552346B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW100103428A TWI521701B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW108117947A TWI742378B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW105119962A TWI612673B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW107124523A TWI669826B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124906A TWI539601B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW103143040A TWI559556B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW106137634A TWI644439B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
TW102124907A TWI524526B (zh) | 2010-02-05 | 2011-01-28 | 半導體裝置及其製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (11) | US8274079B2 (zh) |
JP (8) | JP5859210B2 (zh) |
KR (11) | KR101399611B1 (zh) |
TW (11) | TWI773027B (zh) |
WO (1) | WO2011096263A1 (zh) |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753654B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance |
US8558382B2 (en) * | 2009-07-27 | 2013-10-15 | Kobe Steel, Ltd. | Interconnection structure and display device including interconnection structure |
WO2011043215A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register and display device and driving method thereof |
KR101399611B1 (ko) | 2010-02-05 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011145634A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145632A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
TWI541904B (zh) * | 2011-03-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI455322B (zh) * | 2011-04-22 | 2014-10-01 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US8710518B2 (en) * | 2011-05-12 | 2014-04-29 | Universal Display Corporation | Flexible lighting devices |
JP5809266B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-11-10 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ素子、有機el表示素子、および有機el表示装置 |
WO2012176232A1 (ja) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機el表示素子とその製造方法、および有機el表示装置 |
KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9082861B2 (en) * | 2011-11-11 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer |
CN103460357B (zh) | 2011-11-14 | 2016-06-01 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管器件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置 |
JPWO2013073086A1 (ja) | 2011-11-14 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機el表示素子、および有機el表示装置 |
TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
US9029863B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5935064B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-06-15 | イー インク コーポレイション | 画像表示媒体の駆動装置、画像表示装置、及び駆動プログラム |
US9184211B2 (en) * | 2012-07-05 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for fabricating the same |
KR102093060B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR20140019699A (ko) * | 2012-08-07 | 2014-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP6070073B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2017-02-01 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
KR20140109261A (ko) * | 2013-03-05 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
TWI644433B (zh) | 2013-03-13 | 2018-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2014239201A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-12-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置 |
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-
2011
- 2011-01-11 KR KR1020137016423A patent/KR101399611B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020137016421A patent/KR101399609B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020207030813A patent/KR102581069B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 WO PCT/JP2011/050612 patent/WO2011096263A1/en active Application Filing
- 2011-01-11 KR KR1020127022784A patent/KR101819197B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020137016422A patent/KR101399610B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020137016424A patent/KR101465196B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020207008787A patent/KR102172343B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-11 KR KR1020237031761A patent/KR20230141883A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-01-11 KR KR1020147034600A patent/KR20150010776A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-01-11 KR KR1020197009351A patent/KR20190038687A/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-01-11 KR KR1020187000715A patent/KR20180006507A/ko active Application Filing
- 2011-01-26 US US13/014,036 patent/US8274079B2/en active Active
- 2011-01-28 TW TW109144704A patent/TWI773027B/zh active
- 2011-01-28 TW TW102124909A patent/TWI517401B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-01-28 TW TW102124905A patent/TWI552346B/zh active
- 2011-01-28 TW TW100103428A patent/TWI521701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-01-28 TW TW108117947A patent/TWI742378B/zh active
- 2011-01-28 TW TW105119962A patent/TWI612673B/zh active
- 2011-01-28 TW TW107124523A patent/TWI669826B/zh active
- 2011-01-28 TW TW102124906A patent/TWI539601B/zh active
- 2011-01-28 TW TW103143040A patent/TWI559556B/zh active
- 2011-01-28 TW TW106137634A patent/TWI644439B/zh active
- 2011-01-28 TW TW102124907A patent/TWI524526B/zh active
- 2011-02-02 JP JP2011020373A patent/JP5859210B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-13 US US13/613,413 patent/US8674354B2/en active Active
- 2012-11-08 US US13/671,858 patent/US9202923B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-11 JP JP2013122551A patent/JP5443640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-01 US US13/932,654 patent/US8878180B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-29 US US14/926,722 patent/US9728555B2/en active Active
- 2015-12-16 JP JP2015244792A patent/JP6101778B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-27 JP JP2017034443A patent/JP6415614B2/ja active Active
- 2017-06-12 US US15/619,650 patent/US9991288B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-19 US US15/925,096 patent/US10615179B2/en active Active
- 2018-10-02 JP JP2018187478A patent/JP6669832B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-25 US US16/800,265 patent/US11101295B2/en active Active
- 2020-02-27 JP JP2020032069A patent/JP6979476B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-25 US US17/212,083 patent/US11469255B2/en active Active
- 2021-11-15 JP JP2021185453A patent/JP7431209B2/ja active Active
-
2022
- 2022-10-04 US US17/959,530 patent/US11749686B2/en active Active
-
2023
- 2023-08-09 US US18/231,830 patent/US20230387135A1/en active Pending
-
2024
- 2024-02-01 JP JP2024013932A patent/JP2024040240A/ja active Pending
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