TWI439172B - Organic electroluminescent elements - Google Patents
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Description
本發明係關於有機電致發光(EL)元件,更詳細為壽命長,發光效率高下可得到紅色發光之有機EL元件。
有機(EL)元件為利用藉由外加電場,由陽極注入的電洞與由陰極注入的電子之再結合能量可使螢光性物質發光的原理所成之自發光元件。
自耶司特門.可達克公司的C.W.Tang氏們發表層合型元件之低電壓驅動有機EL元件的報告(非專利文獻1)以來,有關有機材料作為構成材料的有機EL元件之研究正積極地進行者。
Tang氏們將參(8-喹啉酚)鋁採用於發光層,將三苯基二胺衍生物採用於使用於電洞輸送層的層合結構。作為層合結構的優點,可舉出提高對發光層的電洞注入效率、提高藉由陰極注入的電子經封止後再結合所生成的激發子之生成效率、以及封閉發光層內所生成的激發子等。如該例子作為有機電致發光元件的元件結構,已知有電洞輸送(注入)層、電子輸送發光層之2層型、或電洞輸送(注入)層、發光層、電子輸送(注入)層之3層型等。欲提高於如此層合型結構元件所注入的電洞與電子之再結合效率,必須對元件結構或形成方法下功夫。
作為使用於有機EL元件之發光材料,已知有參(8-喹啉酚)鋁錯合物等螯合錯合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯伸芳基衍生物、氧雜二唑基衍生物等發光材料,由這些可得到於藍色至紅色的可見光區域之發光者,期待顏色表示元件的實現(例如,參照專利文獻1~3)。然而該發光效率或壽命無法到達具有充分實用性之水準。又,全彩顯示器中要求3原色(藍色、綠色、紅色),其中更要求高效率之紅色元件。
最近例如於專利文獻4中揭示丁省或五環素衍生物添加於發光層之紅色發光元件。然而此元件雖紅色純度優良,但外加電壓為11V之高電壓,亮度的半衰期僅約為不足的150小時。專利文獻5中揭示將二氰伸甲基(DCM)系化合物添加於發光層之元件,但紅色純度並不充分。專利文獻6中揭示,將胺系芳香族化合物添加於發光層之紅色發光元件,該元件之CIE色度(0.64,0.33)與色純度雖較佳,但驅動電壓過高。專利文獻7、8中揭示,使用於胺系芳香族化合物與Alq於發光層的元件,但該元件雖為紅色發光,但低效率且短壽命。
專利文獻9中揭示,使用胺系芳香族化合物與DPVDPAN(化學結構參照下述比較例)於發光層之元件,該高效率元件之發光色為橙色,但紅色發光的元件為低效率者。
專利文獻10中雖揭示將二氰蒽衍生物與indenoperylene衍生物使用於發光層、將金屬錯合物使用於電子輸送層之元件,但發光色為橙紅色。
專利文獻11中雖揭示將丁省衍生物與茚並苝衍生物使用於發光層,於電子輸送層使用丁省衍生物的元件,但未見到實用性之效率。
專利文獻1:特開平8-239655號公報專利文獻2:特開平7-138561號公報專利文獻3:特開平3-200289號公報專利文獻4:特開平8-311442號公報專利文獻5:特開平3-162481號公報專利文獻6:特開2001-81451號公報專利文獻7:國際公開WO01/23497說明書專利文獻8:特開2003-40845號公報專利文獻9:特開2003-81924號公報專利文獻10:特開2001-307885號公報專利文獻11:特開2003-338377號公報
非專利文獻1:C.W.Tang,S.A.Vanslyke,Applied Physics Letters,51卷,913頁,1987年
本發明的目的為提供一種無須使用複雜元件構成之具有實用性效率與壽命之發光有機EL元件。
本發明提供如下之有機EL元件。
1.一種有機電致發光元件,其特徵為陰極與陽極間至少含有發光層與電子輸送層,該電子輸送層含有下述式(1)所示化合物,該發光層含有能隙2.8eV以下的下述式(2)所示化合物所成之主材料、與茚並苝(indenoperylene)衍生物所成之摻雜物材料;A-B (1)(其中,A表示碳環3以上的芳香族烴基,B表示可被取代之雜環基);X-(Y)n (2)(其中,X表示碳環3以上的縮合芳香族環基,Y表示選自取代或無取代之芳基、取代或無取代之二芳胺基、取代或無取代之芳烷基及取代或無取代之烷基的基;n表示1~6的整數,n表示2以上時Y可為相同或相異)。
2.如1所記載之有機電致發光元件,其中該電子輸送層所含之式(1)所示化合物為分子中具有1個以上選自蒽、菲、丁省(naphthacene)、芘、(chrysene)、苯並蒽、戊省(pentacene)、二苯並蒽、苯並芘、芴、苯並芴、熒蒽、苯並熒蒽、萘並熒蒽、二苯並芴、二苯並芘及二苯並熒蒽之骨架的化合物。
3.如2所記載之有機電致發光元件,其中該電子輸送層所含之式(1)所示化合物為含氮雜環化合物。
4.如如3所記載之有機電致發光元件,其中該含氮雜環化合物為分子中具有l個以上選自吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、吖啶、咪唑吡啶、咪唑嘧啶及菲繞啉之骨架的含氮雜環化合物。
5.如4所記載之有機電致發光元件,其中該含氮雜環化合物為下述式(3)或(4)所示苯並咪唑衍生物;
(式中,R表示氫原子、可具有取代基的碳數6~60的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數1~20的烷基或可具有取代基的碳數1~20的烷氧基,m表示0~4的整數,R1
表示可具有取代基的碳數6~60的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數1~20的烷基或碳數1~20的烷氧基;R2
表示氫原子、可具有取代基的碳數6~60的芳基、可具有取代基的吡啶基、可具有取代基的喹啉基、可具有取代基的碳數1~20的烷基或碳數1~20的烷氧基;L表示可具有取代基的碳數6~60的伸芳基、可具有取代基的伸吡啶基、可具有取代基的伸喹啉基或可具有取代基的伸芴基;Ar1
表示可具有取代基的碳數6~60的芳基、可具有取代基的吡啶基或可具有取代基的喹啉基)。
6.如1~5中任一項所記載之有機電致發光元件,其中式(2)中,X表示含有1個以上選自萘、芘、蒽、苝、(chrysene)、苯並蒽、戊省、二苯並蒽、苯並芘、苯並芴、熒蒽、苯並熒蒽、萘熒蒽、二苯並芴、二苯並芘、二苯並熒蒽及苊(acenaphthyl)熒蒽之骨架的縮合芳香族環基。
7.如1~6中任一項所記載之有機電致發光元件,其中該式(2)所示化合物為丁省衍生物、二胺蒽衍生物、萘並熒蒽衍生物、二胺芘衍生物、二胺苝衍生物、胺基蒽衍生物、胺基芘衍生物或二苯並(chrysene)衍生物。
8.如1~7中任一項所記載之有機電致發光元件,其中該發光層的摻雜物材料之茚並苝衍生物為dibenzotetraphenylperiflanthene衍生物。
9.如所記載1~8中任一項所記載之有機電致發光元件,其中該發光層所含有的摻雜物材料之摻雜濃度為0.1~10%。
10.如所記載9之有機電致發光元件,發光層所含之摻雜材料之摻雜濃度為0.5~2%。
11.如1至10中任一項所記載之有機電致發光元件,其中發光色為橙色至紅色。
如此本發明藉由選出作為電子輸送層用及發光層用之材料的較為適當之化合物,可得到高效率之有機EL元件。即,藉由本發明的構成可抑制電子輸送層之激發子的生成,可將自電子輸送層的微少發光抑制至更低水準之高色純度有機EL元件。又,由同理可圖得元件之長壽命化。
本發明提供高效率下長壽命,且色純度優良之發光有機EL元件。
本發明的有機EL元件為陰極與陽極間至少含有發光層與電子輸送層,電子輸送層含有下述式(1)所示化合物,發光層含有能隙2.8eV以下的下述式(2)所示化合物所成之主材料、與茚並苝(indenoperylene)衍生物所成之摻雜物材料。
A-B (1)(其中,A表示碳環3以上的芳香族烴基,B表示可被取代之雜環基);X-(Y)n (2)(其中,X表示碳環2以上的縮合芳香族環基,Y表示選自取代或無取代之芳基、取代或無取代之二芳胺基、取代或無取代之芳烷基及取代或無取代之烷基的基;n表示1~6的整數,n表示2以上時Y可為相同或相異)。
圖1表示本發明有機EL元件例子之截面圖。
有機EL元件1係由基板10上以陽極20、電洞注入層30、電洞輸送層40、發光層50、電子輸送層60、電子注入層70及陰極80的順序進行層合而構成。其他有機EL元件亦可為種種構成。
本發明有機電致發光元件中,電子輸送層所含之式(1)所示化合物為分子中具有1個以上選自蒽、菲、丁省(naphthacene)、芘、(chrysene)、苯並蒽、戊省(pentacene)、二苯並蒽、苯並芘、芴、苯並芴、熒蒽、苯並熒蒽、萘並熒蒽、二苯並芴、二苯並芘及二苯並熒蒽之骨架的化合物。較佳為含氮雜環化合物。
含氮雜環化合物中較佳為分子中具有1個以上選自吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、吖啶、咪唑吡啶、咪唑嘧啶及菲繞啉之骨架的含氮雜環化合物。作為含氮雜環化合物可舉例出下述式(3)或(4)所示苯並咪唑衍生物。
式(4)與是苯並咪唑衍生物較佳為m為0,R2
為芳基,L碳數6~30(較佳為碳數6~20)之伸芳基及Ar1
為碳數6~30的芳基。
對於發光層的主材料之式(2)中,X表示含有1個以上選自萘、芘、蒽、苝、(chrysene)、苯並蒽、戊省、二苯並蒽、苯並芘、苯並芴、熒蒽、苯並熒蒽、萘熒蒽、二苯並芴、二苯並芘、二苯並熒蒽及苊(acenaphthyl)熒蒽之骨架的基。較佳為含有丁省骨架或蒽骨架。Y較佳為碳數12~60的芳基、二芳基胺基,更佳為碳數12~20的芳基或碳數12~40的二芳基胺基。n較佳為2。
作為本發明有機EL元件之發光層中較佳之式(2)所示化合物可含有1種以上選自丁省衍生物、二胺蒽衍生物、萘並熒蒽衍生物、二胺芘衍生物、二胺苝衍生物、胺基蒽衍生物、胺基芘衍生物或二苯並(chrysene)衍生物。較佳為含有丁省衍生物或二胺基蒽衍生物。
且,式(2)所示化合物為Eg為2.8eV以下。一般為2.5~1.0eV。
發光層所含之摻雜物材料的茚並非衍生物較佳為dibenzotetraphenylperiflanthene衍生物。
本發明該發光層所含有的摻雜物材料之摻雜濃度為0.1~10%,較佳為0.5~2%。
本發明的有機EL元件,其中發光色為橙色至紅色。
以下表示本發明所使用的有機EL元件之代表構成例子。當然本發明並未限定於此。
(1)陽極/發光層/電子輸送層/陰極(2)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極(3)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極(4)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(5)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(6)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極(7)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(8)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(9)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(10)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(11)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/絕緣層/陰極等結構。
此等中,一般使用(2)(3)(4)(5)(8)(9)(11)的構成較佳。
本發明之有機EL元件於基板上製作。由基板取出光時使用透光性基板。於此所謂之透光性基板為可支持有機EL元件之基板,其為400~700nm之可見光區域之光透過率為50%以上,以平滑基板為佳。
具體言可舉出玻璃板,聚合物板等。作為玻璃板,特別可舉出鹼石灰玻璃,含鋇.鍶玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。又,作為聚合物板可舉出聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對酞酸乙二酯、聚醚硫化物、聚碸等。
本發明之有機薄膜EL元件之陽極為具有使電洞注入電洞輸送層或發光層功能者,以具有4.5eV以上之功函數者為有效。作為本發明所使用之陽極材料之具體例可舉出氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦-鋅氧化物(IZO)、金、銀、鉑、銅等。
這些材料可單獨使用或使用適當選擇添加這些材料彼此間的合金、或其他元素之材料者。
陽極可藉由使此等電極物質以蒸鍍法或濺鍍法等之方法使薄膜形成而製作。
如此將自發光層之發光自陽極取出時,對於陽極之發光透過率以比10%大者為佳。又,陽極之薄片電阻,以數百Ω/□以下為佳。陽極之膜厚取決於材料,但一般為10nm~1μm,較佳為10~200nm之範圍中選出。
有機EL元件之發光層係一併具有以下功能者。
(i)注入功能;在電場外加時可自陽極或電洞注入層.輸送層注入電洞,自陰極或電子注入層.輸送層使電子注入之功能(ii)輸送功能;將注入之電荷(電子與電洞)以電場之力移動之功能(iii)發光功能;提供電子與電洞之再結合時,使其與發光相關連之功能但,電洞之注入容易性與電子之注入容易性可相異,又以電洞與電子之移動度所示之輸送能可有大小之分,任一方之電荷予以移動為佳。
作為形成此發光層之方法,例如可使用蒸鍍法,旋轉塗佈法,LB法等周知之方法。發光層特以分子堆積膜為佳。
其中分子堆積膜為於由氣相狀態之化合物被沈澱所形成之薄膜、或由溶液狀態或液相狀態之材料化合物被固體化所形成之膜。一般此分子堆積膜可藉由LB法所形成之薄膜(分子累積膜)為凝集結構,藉由高次元結構之差異、或起因之該功能差異來區別。
又,如特開昭57-51781號公報所揭示,將樹脂等之黏合劑與材料化合物溶解於溶劑成為溶液後,將此藉由旋轉塗佈法等薄膜化,亦可形成發光層。
電洞輸送層為有助於對發光層之電洞注入,其為輸送至發光區域之層,電洞移動度大,離子化能量一般小至5.5eV以下。作為如此電洞注入、輸送層,於更低電場強度時可使電洞輸送至發光層之材料為佳,且電洞之移動度,例如於外加104
~106
V/cm之電場時,至少10- 4
cm2
/V.秒即可。
作為形成電洞輸送層的材料,僅為具有前述較佳性質者即可並無特別限制,可使用過去慣用於光導體材料中作為電洞之電荷輸送材料者、或使用於有機EL元件之電洞注入層之公知者中任意選擇。
作為具體例,可舉出***衍生物(參照美國專利3,112,197號說明書等),噁二唑衍生物(參照美國專利3,189,447號說明書等),咪唑衍生物(參照特公昭37-16096號公報等),聚芳基鏈烷衍生物(參照美國專利3,615,402號說明書,同第3,820,989號說明書,同第3,542,544號說明書,特公昭45-555號公報,同51-10983號公報,日本特開昭51-93224號公報,同55-17105號公報,同56-4148號公報,同55-108667號公報,同55-156953號公報,同56-36656號公報等),吡唑啉衍生物及二氫吡唑酮衍生物(參照美國專利第3,180,729號說明書,同第4,278,746號說明書,日本特開昭55-88064號公報,同55-88065號公報,同49-105537號公報,同55-51086號公報,同56-80051號公報,同56-88141號公報,同57-45545號公報,同54-112637號公報,同55-74546號公報等),伸苯基二胺衍生物(參照美國專利第3,615,404號說明書,特公昭51-10105號公報,同46-3712號公報,同47-25336號公報,日本特開昭54-53435號公報,同54-110536號公報,同54-119925號公報等),芳基胺衍生物(參照美國專利第3,567,450號說明書,同第3,180,703號說明書,同第3,240,597號說明書,同第3,658,520號說明書,同第4,232,103號說明書,同第4,175,961號說明書,同第4,012,376號說明書,特公昭49-35702號公報,同39-27577號公報,日本特開昭55-144250號公報,同56-119132號公報,同56-22437號公報,西德專利第1,110,518號說明書等),胺基取代查耳酮衍生物(參照美國專利第3,526,501號說明書等),噁唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等所揭示者),苯乙烯基蒽衍生物(參照日本特開昭56-46234號公報等),芴酮衍生物(參照日本特開昭54-110837號公報等),腙衍生物(參照美國專利第3,717,462號說明書,日本特開昭54-59143號公報,同55-52063號公報,同55-52064號公報,同55-46760號公報,同55-85495號公報,同57-11350號公報,同57-148749號公報,日本特開平2-311591號公報等),二苯乙烯衍生物(參照日本特開昭61-210363號公報,同第61-228451號公報,同61-14642號公報,同61-72255號公報,同62-47646號公報,同62-36674號公報,同62-10652號公報,同62-30255號公報,同60-93455號公報,同60-94462號公報,同60-174749號公報,同60-175052號公報等),矽氮烷衍生物(美國專利第4,950,950號說明書),聚矽烷系(日本特開平2-204996號公報),苯胺系共聚物(日本特開平2-282263號公報),日本特開平1-211399號公報所揭示之導電性高分子寡聚物(特別為噻吩寡聚物)等。
較佳為使用以下式(4)所示材料。
Q1-G-Q2 (4)(式中,Q1及Q2為至少具有1個三級胺之部位,G表示連結基)。
更佳為以下式(5)所示胺衍生物。
Ar1
及Ar2
、Ar3
及Ar4
可各連結形成環狀結構。
R1
及R2
亦可各連結形成環狀結構)。
Ar1
~Ar4
的取代基、及R1
、R2
為取代或無取代之核碳數6~50的芳香族環、取代或無取代之核原子數5~50的雜芳香族環、碳數1~50的烷基、碳數1~50的烷氧基、碳數1~50的烷基芳基、碳數1~50的芳烷基、苯乙烯基、核碳數6~50的芳香族環或核原子數5~50的雜芳香族環所取代之胺基、核碳數6~50的芳香族環或核原子數5~50的雜芳香族環所取代之胺基所取代之核碳數6~50的芳香族環或核原子數5~50的雜芳香族環。
電洞輸送層為欲可更幫助電洞的注入可另外設置電洞注入層。作為電洞注入層之材料可使用與電洞輸送層相同之材料。而以使用卟啉化合物(日本特開昭63-2956965號公報等所揭示者),芳香族第第三胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國專利第4,127,412號說明書,日本特開昭53-27033號公報,同54-58445號公報,同54-149634號公報,同54-64299號公報,同55-79450號公報,同55-144250號公報,同56-119132號公報,同61-295558號公報,同61-98353號公報,同63-295695號公報等),特別使用芳香族第第三胺化合物為佳。
又,美國專利第5,061,569號所記載之分子內具有2個縮合芳香族環之,可例舉例如例如,4,4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)聯苯基(以下簡稱為NPD),又日本特開平4-308688號公報所記載之三苯基胺單位連接成3個星爆型之4,4’,4"-參(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)三苯基胺(以下簡稱為MTDATA)等。
特佳為式(4)或(5)所示材料。
且,除了芳香族二次甲基系化合物以外,p型Si、p型SiC等之無機化合物亦可作為電洞注入層之材料使用。
電洞注入層係將上述化合物以例如,真空蒸鍍法,旋轉塗佈法,鑄模法,LB法等公知方法施以薄膜化而可形成。作為電洞注入、輸送層之膜厚並無特別限定,一般為5nm~5μm。此電洞注入、輸送層可藉由上述材料之一種或二種以上所成一層來構成,或將與該電洞注入、輸送層為別種之化合物所成電洞注入、輸送層予以層合者亦可。
又,有機半導體層亦為電洞輸送層的一部,此為對發光層的電洞注入或電子注入有幫助的層,以具有10- 1 0
S/cm以上之導電率之物為佳。作為如此有機半導體層之材料,可使用含噻吩寡聚物或日本特開平8-193191號公報所揭示之含芳基胺寡聚物等之導電性寡聚物,含芳基胺樹狀聚合物等之導電性樹狀聚合物等。
電子注入層為幫助對發光層之電子注入的層,電子移動度大,且,附著改善層為該電子注入層之中特別與陰極之附著性良好的材料所成之層。
本發明之較佳形態中,於輸送電子之區域或陰極與有機層之界面區域中,含有還原性摻雜物之元件。其中,還原性摻雜物表示可還原電子輸送性化合物之物質。因此,僅為可具有一定還原性者,可使用各種物質,例如,至少一種選自鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬、鹼金屬之氧化物、鹼金屬之鹵化物、鹼土類金屬之氧化物、鹼土類金屬之鹵化物、稀土類金屬之氧化物或稀土類金屬之鹵化物、鹼金屬之有機錯合物、鹼土類金屬之有機錯合物,稀土類金屬之有機錯合物所成群之物質為佳。
又,更具體而言作為較佳還原性摻雜物,可舉出至少一種選自Na(功函數:2.36eV),K(功函數:2.28eV),Rb(功函數:2.16eV)及Cs(功函數:1.95eV)所成群之鹼金屬或,至少一種選自Ca(功函數:2.9eV),Sr(功函數:2.0~2.5eV),及Ba(功函數:2.52eV)所成群之一種鹼土類金屬功函數為2.9eV以下者為特佳。其中,更佳之還原性摻雜物為至少一種選自K,Rb及Cs所成群之一種鹼金屬,更佳為Rb或Cs,最佳為Cs。該等鹼金屬,特別為還原能力高,可藉由對電子注入域之較少量添加,進而提高有機EL元件中發光亮度之提高或長壽命化。又,作為功函數在2.9eV以下之還原性摻雜物,以組合該等2種以上之鹼金屬為佳,特別為含有Cs之組合,例如,Cs與Na、Cs與K、Cs與Rb或Cs與Na與K之組合為佳。藉由含有Cs之組合,可使還原能力有效發揮,藉由添加對電子注入域之添加,可提高有機EL元件中發光亮度或長壽命化。
本發明中在陰極與有機層之間進而設置以絕緣體或半導體所構成之電子注入層為佳。此時,為有效防止電流之漏出,則可提高電子注入性。作為如此絕緣體,可舉出至少一種選自鹼金屬硫屬化合、鹼土類金屬硫屬化合物、鹼金屬之鹵化物及鹼土類金屬之鹵化物所成群之金屬化合物為佳。電子注入層若為以該等鹼金屬硫屬化合物等構成時,可更提高電子注入性,故較佳。具體而言,作為較佳之鹼金屬硫屬化合物,可舉出Li2
O、LiO、Na2
S、Na2
Se及NaO,作為較佳之鹼土類金屬硫屬化合物,可舉出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。又,較佳之鹼金屬之鹵化物方面,可例舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。又,較佳之鹼土類金屬之鹵化物方面,可舉出CaF2
、BaF2
、SrF2
、MgF2
及BeF2
之氟化物或氟化物以外之鹵化物。
又,構成電子輸送層之半導體方面,可舉出至少含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn之元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等之單獨一種或二種以上之組合。又,構成電子輸送層之無機化合物,以微結晶或非晶質之絕緣性薄膜為佳。電子輸送層若為以該等絕緣性薄膜所構成,可形成更均質的薄膜,而可減少黑斑等像素之缺陷。此外,作為如此無機化合物,可舉出上述鹼金屬硫屬化合物、鹼土類金屬硫屬化合物、鹼金屬之鹵化物及鹼土類金屬之鹵化物等。
作為陰極使用功函數小的(4eV以下)金屬、合金、導電性化合物及該等之混合物作為電極物質者。作為如此電極物質之具體例,可舉出鈉、鈉.鉀合金、鎂、鋰、鎂.銀合金、鋁/氧化鋁、鋁.鋰合金、銦、稀土類金屬等。
此陰極可藉由將該等電極物質予以蒸鍍或濺鍍等之方法使之形成薄膜而製作。
其中,將來自發光層之發光由陰極取出時,對陰極之發光的透過率比10%更大為佳。
又,作為陰極之薄片電阻以數百Ω/□以下為佳,膜厚一般為10nm~1μm,較佳為50~200nm。
有機EL元件為於超薄膜外加電場時,可易於產生漏出或短路所造成之像素缺陷。欲預防此缺陷,在一對電極間***絕緣性之薄膜層為佳。
作為絕緣層所使用之材料方面,可舉出氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、碳酸銫、氮化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化矽、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等,亦可使用該等混合物或層合物。
由以上例舉之材料及形成方法可形成陽極,發光層、電子輸送層,因應需要形成電洞注入層,及必要時形成電子注入層,且藉由陰極之形成可製作有機EL元件。又由陰極至陽極,或與此相反順序亦可製作出有機EL元件。
以下記載有關在透光性基板上依照順序設置陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極之構成的有機EL元件之製作例。
首先,於適當透光性基板上使陽極材料所成薄膜成為1μm以下,較佳為10~200nm之範圍之膜厚之方式,以蒸鍍或濺鍍等之方法來形成以製作陽極。接著,在此陽極上設置電洞輸送層。電洞輸送層之形成如前述,可以真空蒸鍍法,旋轉塗佈法,鑄模法,LB法等之方法進行,而就可易於獲得均質膜且難以發生針孔等之觀點來看,以藉由真空蒸鍍法形成為佳。在藉由真空蒸鍍法來形成電洞注入層之情形,其蒸鍍條件因使用之化合物(電洞輸送層之材料),為目的之電洞注入層之結晶結構或再結合結構等而異,但一般在蒸鍍源溫度50~450℃,真空度10- 7
~10- 3
托耳,蒸鍍速度0.01~50nm/秒,基板溫度-50~300℃,膜厚5nm~5μm之範圍作適宜選擇為佳。
接著,於電洞輸送層上設置發光層之發光層之形成,亦可使用所望之有機發光材料藉由真空蒸鍍法、濺鍍、旋轉塗佈法、鑄模法等之方法使有機發光材料薄膜化而形成,但依據易於獲得均質膜,且針孔難以發生等之觀點來看,藉由真空蒸鍍法所形成者為佳。在藉由真空蒸鍍法形成發光層之情況下,其蒸鍍條件依使用之化合物而不同,但一般可由與電洞輸送層相同之條件範圍中選出。
其次,於此發光層上設置電子輸送層。與電洞輸送層,發光層同樣地,因必須得到均質膜,故以真空蒸鍍法形成為佳。蒸鍍條件可由與電洞輸送層,發光層同樣之條件範圍中選擇。
最後陰極經層合可得到有機EL元件。
陰極由金屬所構成,故可使用蒸鍍法、濺鍍。但欲保護基質之有物層,防止於製膜時之損傷以真空蒸鍍法為佳。
至今所記載的有機EL元件之製作係於一次真空吸收下由陽極至陰極進行一貫製作為佳。
本發明之有機EL元件之各層之形成方法並無特別特定。可使用習知之真空蒸鍍法、分子線蒸鍍法、旋轉塗佈法、浸漬法、澆鑄法、棒塗佈法、輥塗佈法等之形成方法。
本發明之有機EL元件的各有機層之膜厚並無特別限定,但一般膜厚過薄時容易產生針孔等之缺陷,相反地過厚時因必須進行高外加電壓,故會有效率惡化產生,一般以數nm~1μm之範圍為佳。
實施例所使用的主材料的能量差距以下述方法進行測定。
將化合物溶解於甲苯,作成10- 5
mol/L的溶液。以分光光度計(日立公司製U3410)測定吸收光譜,求得對於紫外線吸收光譜長波長側之突起以線連結至橫軸之交叉點的波長(吸收端)。此波長換算成能量值求得能量差距。
將25mm×75mm×0.7mm尺寸玻璃基板上,設置膜厚120nm的銦錫氧化物所成之透明電極。該玻璃板上以異丙醇進行超音波洗淨5分鐘後,再經紫外光及臭氧洗淨30分鐘,於真空蒸鍍裝置上設置。
其基板上,首先作為電洞注入層將蒸鍍N’,N”-雙〔4-(二苯基胺基)苯基〕-N’,N”-二苯基聯苯基-4,4’-二胺成60nm厚度後,其上作為電洞輸送層,將肆-N-(4-聯苯)聯苯胺蒸鍍至10nm厚度。其次,作為發光層,將丁省衍生物之下述化合物(A-1)與茚並苝衍生物的下述化合物(B)以重量比40:0.4下同時蒸鍍,蒸鍍至40nm厚度。
其次,作為電子輸送層,將下述化合物(C-1)蒸鍍成30nm的厚度。
其次將氟化鋰蒸鍍至0.3nm的厚度,其次將鋁蒸鍍成150nm的厚度。該鋁/氟化鋰作為陰極使用,如此製成有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓4.1V下,得到發光亮度1135cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.67,0.33),效率為11.35cd/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到達到初期亮度之80%時的驅動時間為2100小時。
實施例1中,形成發光層時,取代化合物(A-1)使用二胺蒽衍生物之下述化合物(A-3)以外,以相同操作製造出有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓4.1V下,得到發光亮度978cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.67,0.33),效率為9.78cd/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到半衰期為2000小時。
實施例1中,形成電子輸送層時,取代化合物(C-1)使用化合物(A-1)蒸鍍成25nm厚度,再繼續將4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅林(BPhen)蒸鍍至5nm作為電子輸送層以外,以相同操作製造出有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓3.9V下,得到發光亮度730cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.67,0.33),效率為7.30d/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到達到初期亮度之80%時的驅動時間為2700小時。
實施例1中,形成電子輸送層時,取代化合物(C1)使用參(8-喹啉酚)鋁(以下稱為Alq3
)以外,以相同操作製造出有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓4.9V下,得到發光亮度703cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.65,0.35),效率為7.03d/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到達到初期亮度之80%時的驅動時間為360小時。
實施例1中,形成發光層時,取代化合物(A-1)使用具有能量差距3.0eV之蒽衍生物的下述化合物(A-4),更在形成電子輸送層時,取代化合物(C-1)使用Alq3
以外以相同操作製造出有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓6.1V下,得到發光亮度149cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.58,0.30),效率為1.49d/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到達到初期亮度之80%時的驅動時間為30小時。
實施例2中,形成電子輸送層時,取代化合物(C-1)使用Alq3
以外以相同操作製造出有機EL元件。
所得之元件進行通電試驗時,電流密度為10mA/cm2
下,驅動電壓5.3V下,得到發光亮度622cd/m2
之紅色發光,色度座標為(0.65,0.35),效率為6.22d/A。又,進行初期亮度為5000cd/m2
下之直流連續通電試驗,得到達到初期亮度之80%時的驅動時間為310小時。
本發明的有機EL元件可適用於各種顯示裝置、顯示器、背光、照明光源、標識、看板、家具等領域上,特別適合作為彩色顯示器之顯示元件使用。
1...有機EL元件
10...基板
20...陽極
30...電洞注入層
40...電洞輸送層
50...發光層
60...電子輸送層
70...電子注入層
80...陰極
〔圖1〕表示有關本發明有機EL元件之一實施形態圖。
1...有機EL元件
80...陰極
70...電子注入層
60...電子輸送層
50...發光層
40...電洞輸送層
30...電洞注入層
20...陽極
10...基板
Claims (10)
- 一種有機電致發光元件,其特徵為陰極與陽極間至少含有發光層與電子輸送層,該電子輸送層含有下述式(3)或(4)所示化合物,該發光層含有能隙2.8eV以下的下述式(2)所示化合物所成之主材料、與茚並苝(indenoperylene)衍生物所成之摻雜物材料;
- 如請求項1之有機電致發光元件,其中前述式(3)或(4)所示化合物為分子中具有蒽骨架者。
- 如請求項1之有機電致發光元件,其中前述式(4)中,m為0,R2 為可具有取代基的碳數6~60之芳基,L為可具有取代基的碳數6~30之伸芳基,及Ar1 為可具有取代基的碳數6~30之芳基。
- 如請求項1之有機電致發光元件,其中由前述式(2)所示化合物所成的主材料的能隙為1.0~2.5eV。
- 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件,其中式(2)中,X表示含有1個以上選自萘、芘、蒽、苝、(chrysene)、苯並蒽、戊省、二苯並蒽、苯並芘、苯並 芴、熒蒽、苯並熒蒽、萘熒蒽、二苯並芴、二苯並芘、二苯並熒蒽及苊(acenaphthyl)熒蒽之骨架的縮合芳香族環基。
- 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件,其中該式(2)所示化合物為丁省衍生物、二胺蒽衍生物、萘並熒蒽衍生物、二胺芘衍生物、二胺苝衍生物、胺基蒽衍生物、胺基芘衍生物或二苯並(chrysene)衍生物。
- 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件,其中該發光層的摻雜物材料之茚並苝衍生物為dibenzotetraphenylperiflanthene衍生物。
- 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件,其中該發光層所含有的摻雜物材料之摻雜濃度為0.1~10%。
- 如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件,發光層所含之摻雜材料之摻雜濃度為0.5~2%。
- 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項之有機電致發光元件,其中發光色為橙色至紅色。
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