JPWO2007052759A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
Description
1.陰極と陽極間に少なくとも発光層と電子輸送層を含み、前記電子輸送層が、下記式(1)で表される化合物を含有し、前記発光層が、エネルギーギャップ2.8eV以下の下記式(2)で表される化合物からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
A−B (1)
(ここで、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換されてもよい複素環基である。)
X−(Y)n (2)
(ここで、Xは炭素環3以上の縮合芳香族環基であり、Yは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアルキル基及び置換もしくは無置換のアルキル基から選択される基である。nは1〜6の整数であり、nが2以上の場合はYは同じでも異なってもよい。)
2.前記電子輸送層が含有する式(1)で表される化合物が、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテンから選択される1以上の骨格を分子中に有する化合物である1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.前記電子輸送層が含有する式(1)で表される化合物が、含窒素複素環化合物である2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記含窒素複素環化合物が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物である3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記含窒素複素環化合物が、下記式(3)又は(4)で表されるベンゾイミダゾール誘導体である4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.式(2)において、Xが、ナフタセン、ピレン、アントラセン、ペリレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフチルフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン、ジベンゾフルオランテン及びアセナフチルフルオランテンから選択される1以上の骨格を含有する縮合芳香族環基である1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記式(2)で表される化合物が、ナフタセン誘導体、ジアミノアントラセン誘導体、ナフソフルオランテン誘導体、ジアミノピレン誘導体、ジアミノペリレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノピレン誘導体又はジベンゾクリセン誘導体である1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体である1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.1〜10%である1〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.5〜2%である9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.発光色が橙色〜赤色である1〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
A−B (1)
(ここで、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換されてもよい複素環基である。)
X−(Y)n (2)
(ここで、Xは炭素環2以上の縮合芳香族環基であり、Yは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアルキル基及び置換もしくは無置換のアルキル基から選択される基である。nは1〜6の整数であり、nが2以上の場合はYは同じでも異なってもよい。)
有機EL素子1は、基板10上に、陽極20、正孔注入層30、正孔輸送層40、発光層50、電子輸送層60、電子注入層70及び陰極80を、この順に積層した構成をしている。この他、有機EL素子は様々な構成をとることができる。
含窒素複素環化合物は、さらに好ましくは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物を1種以上含有する。含窒素複素環化合物として、下記式(3)又は(4)で表されるベンゾイミダゾール誘導体を例示できる。
mは0〜4の整数であり、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
R2は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
Lは、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、
Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジニル基又は置換基を有していてもよいキノリニル基である。)
以下に本発明に用いられる有機EL素子の代表的な構成例を示す。もちろん、本発明はこれに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(8)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(9)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(10)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(11)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/絶縁層/陰極
等の構造を挙げることができる。
これらの中で通常(2)(3)(4)(5)(8)(9)(11)の構成が好ましく用いられる。
本発明の有機EL素子は基板上に作製する。基板から光を取り出すときは、透光性基板を用いる。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
有機薄膜EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウム亜鉛合金(IZO)、金、銀、白金、銅等が適用できる。
これら材料は単独で用いることもできるが、これら材料同士の合金や、その他の元素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
有機EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。即ち、
(i)注入機能:電界印加時に陽極又は正孔注入・輸送層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入・輸送層より電子を注入することができる機能
(ii)輸送機能:注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(iii)発光機能:電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能がある。
但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
正孔輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10−4cm2/V・秒であれば好ましい。
正孔輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、EL素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
Q1−G−Q2 (4)
(式中、Q1及びQ2は少なくともひとつの三級アミンを有する部位であり、Gは連結基である。)
Ar1及びAr2、Ar3及びAr4はそれぞれ連結して環状構造を形成してもよい。
R1及びR2もそれぞれ連結して環状構造を形成してもよい。)
Ar1〜Ar4の置換基、及びR1、R2は、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族環、置換もしくは無置換の核原子数5〜50の複素芳香族環、炭素数1〜50のアルキル基、炭素数1〜50のアルコキシ基、炭素数1〜50のアルキルアリール基、炭素数1〜50のアラルキル基、スチリル基、核炭素数6〜50の芳香族環もしくは核原子数5〜50の複素芳香族環で置換されたアミノ基、核炭素数6〜50の芳香族環もしくは核原子数5〜50の複素芳香族環で置換されたアミノ基で置換された核炭素数6〜50の芳香族環もしくは核原子数5〜50の複素芳香族環である。
特に好ましくは式(4)又は(5)で示す材料である。
また、芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
電子注入層は発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着がよい材料からなる層である。
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmである。
有機ELは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
以上例示した材料及び方法により陽極、発光層、電子輸送層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔輸送層を設ける。正孔輸送層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔輸送層の材料)、目的とする正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10−7〜10−3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
最後に陰極を積層して有機EL素子を得ることができる。
これまで記載してきた有機EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
[実施例]
化合物をトルエンに溶解し、10−5mol/リットルの溶液とした。分光光度計(日立社製U3410)にて吸収スペクトルを計測し、紫外吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き、横軸との交点である波長(吸収端)を求めた。この波長をエネルギー値に換算してエネルギーギャップを求めた。
25mm×75mm×0.7mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行ない、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
その基板に、まず、正孔注入層として、N’、N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’、N’’−ジフェニルビフェニル−4、4’−ジアミンを60nmの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、テトラキス−N−(4−ビフェニル)ベンジジンを10nmの厚さに蒸着した。次いで、発光層として、ナフタセン誘導体である下記化合物(A−1)とインデノペリレン誘導体である下記化合物(B)を重量比40:0.4で同時蒸着し、40nmの厚さに蒸着した。
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cm2にて、駆動電圧4.1V、発光輝度1135cd/m2の赤色発光が得られ、色度座標は(0.67、0.33)、効率は11.35cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/m2での直流の連続通電試験を行なったところ、初期輝度の80%に達したときの駆動時間は2100時間であった。
実施例1において、発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりにジアミノアントラセン誘導体である下記化合物(A−3)を用いたこと以外は同様にして有機EL素子を作製した。
実施例1において、電子輸送層を形成する際に、化合物(C−1)の代わりに化合物(A−1)を25nmの厚さに蒸着し、さらにこれに続けてバソフェナントロリン(以下、BPhen)を5nm蒸着し、電子輸送層としたこと以外は同様にして有機EL素子を作製した。
実施例1において、電子輸送層を形成する際に、化合物(C−1)の代わりに、トリス(8−ヒドロキシキノナト)アルミニウム(以下、Alq3)を用いたこと以外は同様にして有機EL素子を作製した。
実施例1において、発光層を形成する際に、化合物(A−1)の代わりにエネルギーギャップ3.0eVを有するアントラセン誘導体である下記化合物(A−4)を用い、さらに電子輸送層を形成する際に、化合物(C−1)の代わりに、Alq3を用いたこと以外は同様にして有機EL素子を作製した。
実施例2において、電子輸送層を形成する際に、化合物(C−1)の代わりに、Alq3を用いたこと以外は同様にして有機EL素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行なったところ、電流密度10mA/cm2にて、駆動電圧5.3V、発光輝度622cd/m2の赤色発光が得られ、色度座標は(0.65、0.35)、効率は6.22cd/Aであった。また、初期輝度5000cd/m2での直流の連続通電試験を行なったところ、初期輝度の80%に達したときの駆動時間は310時間であった。
Claims (11)
- 陰極と陽極間に少なくとも発光層と電子輸送層を含み、
前記電子輸送層が、下記式(1)で表される化合物を含有し、
前記発光層が、エネルギーギャップ2.8eV以下の下記式(2)で表される化合物からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
A−B (1)
(ここで、Aは炭素環3以上の芳香族炭化水素基であり、Bは置換されてもよい複素環基である。)
X−(Y)n (2)
(ここで、Xは炭素環3以上の縮合芳香族環基であり、Yは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアルキル基及び置換もしくは無置換のアルキル基から選択される基である。nは1〜6の整数であり、nが2以上の場合はYは同じでも異なってもよい。) - 前記電子輸送層が含有する式(1)で表される化合物が、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフソフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン及びジベンゾフルオランテンから選択される1以上の骨格を分子中に有する化合物である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子輸送層が含有する式(1)で表される化合物が、含窒素複素環化合物である請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記含窒素複素環化合物が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、アクリジン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びフェナントロリンから選択される1以上の骨格を分子中に有する含窒素複素環化合物である請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記含窒素複素環化合物が、下記式(3)又は(4)で表されるベンゾイミダゾール誘導体である請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
mは0〜4の整数であり、
R1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
R2は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルコキシ基であり、
Lは、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、
Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジニル基又は置換基を有していてもよいキノリニル基である。) - 式(2)において、Xが、ナフタセン、ピレン、アントラセン、ペリレン、クリセン、ベンゾアントラセン、ペンタセン、ジベンゾアントラセン、ベンゾピレン、ベンゾフルオレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフチルフルオランテン、ジベンゾフルオレン、ジベンゾピレン、ジベンゾフルオランテン及びアセナフチルフルオランテンから選択される1以上の骨格を含有する縮合芳香族環基である請求項1〜5のいずれ一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(2)で表される化合物が、ナフタセン誘導体、ジアミノアントラセン誘導体、ナフソフルオランテン誘導体、ジアミノピレン誘導体、ジアミノペリレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノピレン誘導体又はジベンゾクリセン誘導体である請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層のドーパント材料であるインデノペリレン誘導体が、ジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体である請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.1〜10%である請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 発光層が含有するドーパント材料のドープ濃度が0.5〜2%である請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 発光色が橙色〜赤色である請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
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