TWI308395B - Trench schottky barrier diode with differential oxide thickness - Google Patents

Trench schottky barrier diode with differential oxide thickness Download PDF

Info

Publication number
TWI308395B
TWI308395B TW095101441A TW95101441A TWI308395B TW I308395 B TWI308395 B TW I308395B TW 095101441 A TW095101441 A TW 095101441A TW 95101441 A TW95101441 A TW 95101441A TW I308395 B TWI308395 B TW I308395B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
trench
trenches
oxide layer
oxide
Prior art date
Application number
TW095101441A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200631186A (en
Inventor
Davide Chiola
Original Assignee
Int Rectifier Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Int Rectifier Corp filed Critical Int Rectifier Corp
Publication of TW200631186A publication Critical patent/TW200631186A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI308395B publication Critical patent/TWI308395B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0814—Diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H01L29/66143—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/963—Removing process residues from vertical substrate surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

1308395 九、發明說明： 【發明戶斤屬之技術領域3 相關申請案 本申請案係為2002年7月11日提交安東(Kohji Andoh) 5 及丘拉（Davide Chiola)之名稱為“溝渠式肖特基屏障二極 體”的美國申請案10/193，783號之部分接續案且請求其優先 權，其内容以引用方式併入本文中。 發明領域 本發明有關半導體裝置，且更特別有關一具差異性氧 10化物厚度之溝渠式肖特基二極體及此裝置之製造方法。 發明背景 肖特基二極體係為人熟知且以不同拓樸結構製造，包 括一般顯示於巴拉加（Bantval Baliga)的美國專利案 15 5,612,567號中之一溝渠拓樸結構。一溝渠式肖特基二極體 之製造方法係需要大量的罩幕層及製造步驟。然而，本發 明人的美國專利申請案10/：L93,783號係提供一新穎的溝渠 式肖特基二極體之製造方法，其中需要減少的步驟及較少 個罩幕層。 20 參照圖式，其中類似的編號係指類似的元件，第1圖中 顯示根據上述申請案的方法所製造之一範例溝渠式肖特基 二極體’第1圖係為該申請案的第11圖之複製物。如圖所 示，第1圖的裝置係包括一具有複數個台面54之矽晶圓10， 該等複數個台面54係分離複數個溝渠3〇，包括一終止溝渠 5 1308395 區60° —薄的均勻氧化物層（Si〇2) 44係襯墊各溝渠的側壁 及底表面及終止區60，而分別形成閘氧化物及一終止氧化 物。一 P型多晶矽48係充填各溝渠3〇藉以形成處於反向偏壓 之複數個電極，降低經反向偏壓的漏電流及增加經反向偏 5壓的阻絕電壓。一肖特基屏障金屬50係覆蓋主動區，而形 成延伸於台面區54頂部上方之肖特基接觸部52。最後，陽 極電極56及一陰極電極（未圖示）係分別延伸於裝置的頂及 底表面上方。
15
一溝渠式肖特基裝置中，諸如第丨圖的範例裝置中所示 10者，氧化物層係同時地沿著各溝渠3〇的側壁及底表面及終 止區60形成且因此整體具有相同的均勻厚度。然而，沿著 溝渠的側壁及底表面以及終止區之氧化物層係達成不^目 的。更確切言之，依據這些區各者中之氧化物層的厚度而 定’以不同方式影響所產生的裝置之電性及結構性特徵。 譬如，各溝渠30的底表面上之閑氧化物係具有筛選位 於溝渠底角落的高電場區之作用。—般而言，此臨界區中 之氧化物厚度愈高，職置可維持愈高之反向崩潰電壓。 為此，沿著溝渠的絲面需要—較厚的閘氧化物。 相反地，成長在各溝渠30的側壁上之開氧化物主 衫響反向偏壓漏電流之夾止(pineh_Gff)特徵。確切▲'、 向偏厂堅顧，-溝渠的側壁上之氧化物係具有㈣極電^ 從溝渠電極轉移至台面區54之作用。然而 電厂堅係在氧化物中被刪去，電壓的其餘部分係作為對^ 面傳導區之夾止電壓。 、σ 20 1308395 為此’沿著溝渠側壁需要-薄的閘氧化物厚度藉以盡 量減少在氧化物中刪去的電叙允許具有-降低的經反向 偏壓的漏夾止電壓。此外，沿著溝渠側壁之—薄的氧化物 厚度係代表氧化程序期間雜較少_，藉以增加台面區 54中的料面積。如同已知，增加的台面區係指—較高的 主動區域’其有利於在正向傳導期間降低裝置的正向壓降。
至於終止區60中的終止氧化物，其具有數項目的。從 電性觀點來看’沿著該區的絲面之氧化物係作為一用於 場板終止之場氧化物。—般而言，需要使此場氧化物夠厚 1〇足以盡里減少發生於金屬場板的邊緣58底下的氧化物中且 負責崩潰電壓出走(walk-out)之電場擁擠。從機械性觀點來 看，金屬場板邊緣底下之此部分的場氧化物係在經封裝裝 置的溫度循環可靠度測試期間經歷了高應力。再者，需要 /較厚的場氧化物以避免這些測試期間位於場板邊緣底下 15 之氧化物斷裂。 如圖所示，橫越溝渠式肖特基裝置的全區使用相同氧 化物厚度將是不利的方式。特定言之，需要令用來襯墊溝 渠及終止區的側壁之氧化物層薄於用來襯墊這些溝渠的底 表面之氧化物層。
然而’亦應注意，他人已經揭露使用一具可變厚度的 間氧化物之溝渠型袭置，特定言之，博登(Milton Boden)的 美國專利案6,236,099號及泰帕(Naresh Thapar)的美國專利 案6,580,123號揭露此等裝置。然而，兩專利案皆針對MOS 閘式裝置，包括MOSFET及IGBTS，而非溝渠式肖特基裝 7 1308395 置。此外’這些專利案只教導使用一可變式閘氧化物而未 使用一可變式終止氧化物。 亦應注意泰帕（Thapar)用來形成可變式閘氧化物之方 法。特定言之，此方法係包括首先沉積一氮化矽層於溝渠 5側壁及底表面上。底表面的氮化物層然後被蝕除且一氧化 物層在其上成長至一所需要的厚度。溝渠側壁上的氮化物 層隨後被移除且—後續的氧化物層在側壁上成長至一所需 要的厚度。 【韻^明内容】 10 發明概要
為此，將需要產生一在裝置的不同區中具有差異性或 變動氧化物厚度之溝渠式肖特基二極體，藉以克服先前技 藝的上述及其他缺點。根據本發明，對於一具有差異性氧 化物厚度且特別是沿著各溝渠側壁具有一薄於沿著溝渠底 15表面的氧化物層之氧化物層之新穎的溝渠式肖特基二極體 之製造採用一新穎的製造方法。 第 ，確切s之’根據本發明’ ϋ化發層係初始地直 ^積⑪基材的_表面上。在—溝渠罩幕及㈣步驟 』間’複數個“及溝祕後形成於基材表面巾。此步驟 ^包㈣成-終止溝渠。—旦溝渠及終止溝渠被形成，— 可犧牲氧化物係成長在這些溝渠的側壁及底表面上。此可 =牲氧化物隨後被猶。接著…閘及終錢化物分 在溝渠及終止溝渠的側壁及絲面上，故 厚度對於，終止氧化物厚隸佳處於2:1的比值。4化物 20 1308395 化物層隨後沉積在這些溝渠的側壁及底表面上方及留存在 基材表面上之第一氮化物層上方。此第二氮化物層隨後被 乾姓刻，再度曝露出第一氮化物層，且更重要的是曝露出 沿著溝渠底表面之氧化物。然而，沿著溝渠的側壁之氧化 5物層仍被覆蓋。為此，溝渠的底表面隨後再度被氧化。此 第二氧化之後，第二氮化物層隨後在一濕蝕刻期間自溝渠 的側壁被剝除。結果，根據本發明，一氧化物層形成在各 溝渠及終止溝渠的側壁上且其薄於這些溝渠的底表面上所 形成之氧化物層。 10 一旦第二氮化物層被移除，溝渠接著充填有一 P型多晶 矽。剩餘的第一氮化物層隨後在一濕蝕刻中被剝除。接著， 肖特基金屬層 >儿積在基材的主動表面上方而形成一具有 複數個台面之肖特基整流器接觸部。最後，陽極及陰極電 極形成於基材的相對表面上。 15 就本身而言’根據本發明，形成—具有差異性氧化物 厚度之新穎的溝渠式肖特基二極體，其中溝渠及終止溝渠 的側壁上之氧化物層係薄於沿著溝渠底表面的氧化物。 圖式簡單說明 第1圖顯示一溝渠式肖特基二極體的橫剖視圖，其沿著 20溝渠且包括一終止溝渠的側壁及底表面具有一均勻的氧化 物厚度； 第2圖顯示—第一氮化物層直接形成於矽基材表面上 後之一矽晶圓的橫剖視圖； 第3圖顯示第—氮化物層及基材被罩幕及乾蝕刻後之 1308395 第2圖的結構，其導致形成一組的溝渠，包括一終止溝渠； 第4圖顯示沿著溝渠側壁及底表面成長一可犧牲氧化 物層後之第3圖的結構； 第5圖顯示可犧牲氧化物層移除後之第4圖的結構； 5 第6圖顯示沿著溝渠的側壁及底表面成長一初始閘氧 化物/終止氧化物層後之第5圖的結構； 第7圖顯示形成一覆蓋住第一氮化物層及溝渠的側壁 與底表面之第二氮化物層後之第6圖的結構； 第8圖顯示第二氮化物層的一乾蝕刻後之第7圖的結 10 構，其導致沿著溝渠底表面之氧化物層的曝露； 第9圖顯示沿著溝渠底表面進一步成長閘氧化物/終止 氧化物層後之第8圖的結構； 第10圖顯示第二氮化物層完全被移除後之第9圖的結 構，其導致一差異性溝渠氧化物層且其中溝渠側壁上的氧 15 化物層薄於沿著溝渠底表面的氧化物層； 第11圖顯示沉積一用以充填溝渠的多晶矽層後及將一 後續的硼植入多晶矽層内後之第10圖的結構； 第12圖顯示多晶矽層的一蝕刻後之第11圖的結構； 第13圖顯示沉積一屏障金屬層、將屏障金屬退火以形 20 成肖特基接觸部於主動區上方、及終止溝渠上方之未反應 的屏障金屬蝕刻之後之第12圖的結構； 第14圖顯示沉積一陽極接觸金屬層及終止溝渠内之此 層的部分蝕刻後之第13圖的結構。 t實万各方式3 10 1308395 較佳實施例之詳細說明 現在參照第2至14圖（請注意圖式未依實際比例繪製）’ 顯不用於一沿著溝渠側壁及底表面具有差異性或變動的氧 化物厚度之溝渠式肖特基二極體之一製造方法及一所產生 5的裝置結構。该方法係為申請案10/193,783所提出的兩罩幕 私序之一修改。然而，根據本發明藉由改變沿著溝渠側壁 及底表面之氧化物層的厚度，形成一具有改良的反向崩潰 電壓且較不易受到溫度循環之裝置。請注意此處所述的方 法係用於一額定為15至45伏特的低電壓肖特基裝置。然 1〇而，熟習該技術者瞭解所描述的方法可藉由適當的改變而 適用於任何裝置額定。 從第2圖開始，顯示一初始矽晶圓1〇〇係具有一N+基材 104且其包g N-蟲晶成長的上表面ι〇2(蟲晶層）。一範例 中’晶圓100可具有呈現0.3至0.5歐姆公分的電阻係數之介 15於2.5微米至約4微米的矽厚度；然而，可使用其他矽厚度 及電阻係數。譬如利用氫氟(HF)酸初始地清潔晶圓1〇〇，藉 以移除熱性及原生氧化物。 一旦清理後，利用一低壓化學氣相沉積技術(LpCVD) 將一可移除式表面氮化物層（Si3Ni4) 106以約600至800A厚 20度直接地沉積在磊晶層1〇2的表面1〇8上。請注意係沉積氮 化物層106而不必先形成一墊氧化層。 為了形成分隔的溝渠，一層光阻及一具有所需要的溝 渠圖案之罩幕（未顯示步驟）接著施加至氮化物層1〇6的表 面。隨後利用一適當光微影程序來圖案化所產生的結構。 11 1308395 接著，利用-諸如電聚餘刻等適當的姓刻程序，钱刻 氮化物層106及蟲晶層102以形成複數個溝渠u〇及台面 122，如第3圖所示。溝渠延伸、經過氮化物層1〇此從蟲晶層 102的頂側108往下延伸且進入磊晶層内。一範例中，溝& 5可配置於平行分佈的條紋中且可約有0.5微米寬度，約〇5 微米間隔，及1.5微米深度。然而，可利用其他的溝渠形成 方式及尺寸。 如第3圖所示，在此形成溝渠110的程序期間，亦可形 成一終止溝渠111，藉以形成.一終止溝渠區，如箭頭1丨2所 10示。然而，熟習該技術者將瞭解本發明亦適用於不包括終 止溝渠區之溝渠式肖特基裝置（基於討論用，將假設形成有 一‘終止區）。 一旦溝渠110及111被形成，光阻罩幕的剩餘部分被剝 除，而溝渠的經曝露表面經歷一擴散前清潔步驟。 15 參照第4圖’ 一約有1000至1500A厚度的可犧牲氧化物 層（Si〇2)114接著同時地成長在各溝渠no及ill的側壁及底 表面上。然後進行約1500至2000人的目標深度之一可犧牲氧 化物蝕刻以完全地移除此氧化物層，如第5圖所示。 接著，根據本發明且如第6圖所示，利用一濕或乾程序 2〇 將一均勻的氧化物層116在溝渠11〇及111的側壁及底表面 上同時地成長至約500至750入厚度，藉以分別形成一閘氧化 物及終止氧化物。請注意在此步驟所成長之可犧牲氧化物 厚度對於閘氧化物厚度之較佳比值係為2:1 (亦即， 12 1308395 可犧牲-黾化物—厚度 。 閘-氧化物-厚度 如第7圖所示，譬如利用一低壓化學氣相沉積技術 (LPCVD)將一可移除式溝渠氮化物層118隨後以約15〇至 200A厚度沿著溝渠110及ill的側壁及底表面沉積在表面氮 5化物層106上方及氧化物層n6上方。利用一乾氮化物蝕 刻，溝渠氮化物層118隨後自表面氮化物層1〇6、自溝渠 的底表面110a、且自終止溝渠111的底表面或場區in a被移 除’藉以將溝渠氮化物層有效地只施加至各溝渠的側壁， 如第8圖所示。就本身而言’氧化物層116此時只分別沿著 10 溝渠110及111的底表面110a及111a被曝露。 為此’接著利用一濕或乾程序將沿著溝渠底表面11〇a 及1111a之經曝露的氧化物層116成長至約looo至5〇〇〇入的 總厚度’如第9圖所示。接著進行一譬如處於i5〇°c的構酸 及200至250人的目標氮化物移除等之濕氮化物蝕刻以剝除 15覆蓋住溝渠110及111侧壁之剩餘的溝渠氮化物層118。就本 身而言’根據本發明且如第10圖所示，用來襯塾溝渠110及 111之氧化物層116此時具有一差異性或變動厚度，其中用 來概塾溝渠110及111的側壁1 l〇b及11 lb之氧化物層分別薄 於用來概墊底表面110a及111a之氧化物層。 -0 再者，請注意上述氧化物厚度只供範例用且熟習該技 術者將瞭解可使用其他氧化物厚度來產生具差異性額定之 裝置而不脫離本發明。 參照第11圖’接著將一層未經摻雜的多晶矽120在上述 13 1308395 結構的表面上沉積至約7500A厚度以充填溝渠11〇及丨丨丨。一 譬如80kev的1E14/平方公分之硼植入物隨後係施加至結構 的表面。然而，熟習該技術者將瞭解可使用作為p型摻雜物 的任何植入物種。這些摻雜物中，最常見的是硼或ΒΓ?2。 5 然後，在作另一擴散前清潔之後，植入物種係以ι〇5〇 C及一小時被活化及驅動以使溝渠内的多晶矽成為ρ型傳 導性。結果，複數個電極此時形成於溝渠内及台面之間。 接著，藉由一適當電漿蝕刻器以比移除裝置表面上的 多晶矽所需要時間至少持續多五秒之一段時間期間來進行 10 一毯覆多晶矽蝕刻。然後施加一適當的罩幕且沿著終止溝 渠111的底表面111a或場區移除一部分的多晶石夕。這些步驟 之後，覆蓋住台面區122之剩餘表面氮化物層1〇6係以15〇。〇 在&酸中由一濕蝕刻剥除。所產生的結構顯示於第12圖中。 接著，參照第13圖，利用任何所需要的預金屬清潔來 ’月為、。構的頂面108。接著將一諸如鈦(Ti)或鶴化鈦(TiW) 等屏障金屬126濺鍍在表面1〇8上。一般而言，鈦層可以任 何厚度施加，但鈦層較佳約為600入厚以盡量加大後續矽化 物層的厚度且盡量減小未起反應的鈦之厚度。亦請注意可 對於鈦的沉積使用任何技術，其中濺鍍及電子束蒸鍍係為 20最常用的技術。 接著，在一惰性大氣中以高溫來退火鈦層。因此，薄 鈦層係與主動裝置區起反應以在主動區上方形成—妙化欽 層，而形成延伸於台面區122頂部上方之肖特基接觸部 24然後藉由任何已知以氫氧化銨及過氧化氫為基礎的溶 14 1308395 液來蝕刻該結構以移除沿著終止溝渠ιη延伸之未起反應 的鈦層。一般而言，蝕刻時間可能改變，但蝕刻溫度不應 超過80°C以免H2〇2過度分解。所產生的結構顯示於第^圖 中。 5 >第14圖所示，—可能身為-層！S或其他傳導性金屬 層之陽極接觸金屬層130接著係沉積在結構的頂上。然後施 加-金屬罩幕(未圖示)且在終止溝渠1U内部分地姓刻接觸 金屬層130藉以在此區中只留下金屬的一周邊部128。 最後，整體晶圓經由一黏劑膠帶被附接至_研磨裝置 10 (未圖不）的一框架且進行一背研磨，而將晶圓薄化至8密 耳’其後將工件除去膠帶且银刻以撫平研磨所導致的粗化 表面。然後將一諸如三金屬（Ti/Ni/Ag)等背側金屬濺鍍在晶 圓底部132上以形成一陰極電極於宵特基整流器的底表面 上。晶圓隨後可沿著刻線被切分以分離複數個相同的二極 15 體。 雖然已經對於本發明的特定實施例來描述本發明，熟 習該技術者將瞭解許多其他變異及修改及其他用途。因 此，本發明較佳受限於此處的特定揭示。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示一溝渠式肖特基二極體的橫剖視圖，其沿著 溝渠且包括—終止溝渠的側壁及底表面具有-均勾的氧化 物厚度； ，第2圖暴員不一第一氮化物層直接形成於石夕基材表面上 後之一石夕晶圓的橫剖視圖； 15 1308395 乾蝕刻後之 终止溝渠，· 可犧牲氣化 第3圖顯示第—氮化物層及基材被罩幕及 第2圖的結構’其導致形成一組的溝渠，包括— 第4圖顯示沿著溝渠側壁及底表面成長一 物層後之第3圖的結構； 5 帛5圖顯示可犧牲氧化物層移除後之第4圖的結構； 第6圖顯示沿著溝渠的側壁及底表面成長—初始問氧 化物/終止氧化物層後之第5圖的結構；
第7圖顯示形成—覆蓋住第一氣化物層及溝渠的側壁 與底表面之第二氮化物層後之第6圖的結構； 1〇 帛8圖顯示第二氮化物層的一乾餘刻後之第7圖的結 構，其導致沿著溝渠底表面之氧化物層的曝露； 第9圖顯不沿著溝渠底表面進一步成長閘氧化物/終止 氧化物層後之第8圖的結構； 第10圖顯示第二氮化物層完全被移除後之第9圖的結 15構，其導致一差異性溝渠氧化物層且其中溝渠側壁上的氧 化物層薄於沿著溝渠底表面的氧化物層； 第11圖顯示沉積一用以充填溝渠的多晶矽層後及將一 後續的硼植入多晶矽層内後之第丨〇圖的結構； 第12圖顯示多晶矽層的一蝕刻後之第n圖的結構； 20 第13圖顯示沉積一屏障金屬層、將屏障金屬退火以形 成肖特基接觸部於主動區上方、及終止溝渠上方之未反應 的屏障金屬蝕刻之後之第12圖的結構； 第14圖顯示沉積一陽極接觸金屬層及終止溝渠内之此 層的部分蝕刻後之第13圖的結構。 16 1308395 【主要元件符號說明】 10,100…矽晶圓 30,110…溝渠 44…薄的均勻氧化物層(Si02) 48··. P型多晶矽 50…肖特基屏障金屬 52,124…离特基接觸部 54,122…台面,台面區 56…陽極電極 5 8…金屬場板的邊緣 60…終止溝渠區 102…N-蟲晶成長的上表面(蟲晶層） 104…N+基材 106···可移除式表面氮化物層(Si3Ni4) 108…蟲晶層的表面,蠢晶層的頂側，結構的頂面 110a…溝渠的底表面 110b,111b…溝渠的側壁 111···終止溝渠 11 la…終止溝渠的底表面或場區 112…箭頭 114·.·可犧牲氧化物層(Si〇2) 116···氧化物層 118···可移除式溝渠氮化物層 120···未經摻雜的多晶矽 126…屏障金屬 128…金屬的周邊部 130···陽極接觸金屬層 132···晶圓底部 17

Claims (1)

1308395第95101441號專利申請案申請專利範圍修正本97年10月 十、申請專利範圍： 月/7日修(更)正替換頁 1. 一種肖特基整流器，包含： 一屬於一第一傳導類型之半導體基材； 複數個溝渠，其沿著該半導體基材的一第一面且被 複數個台面所分隔，各該等溝渠具有一用來分別襯墊該 溝渠的底及側壁表面之具差異性厚度的氧化物層；及 一肖特基金屬層，其位於該半導體基材的第一面頂 上且形成一具有該等複數個台面之肖特基整流器接觸 部。 2.如申請專利範圍第1項之肖特基整流器，進一步包含： 一屬於一第二傳導類型之傳導性材料，其位於各該 等複數個溝渠内且與該氧化物層相鄰； 一陽極電極，其橫越且接觸該肖特基金屬層；及 一陰極電極，其橫越該半導體基材的一第二相對 面。 3.如申請專利範圍第1項之肖特基整流器，進一步包含： 一終止溝渠，其沿著該半導體基材的第一面且超過 該肖特基金屬層，該終止溝渠具有一用來分別襯墊該終 止溝渠的底及側壁表面之具差異性厚度的氧化物層。 4.如申請專利範圍第3項之肖特基整流器，進一步包含： 一屬於一第二傳導類型之傳導性材料，其位於各該 等複數個溝渠内且在各該等複數個溝渠内與該氧化物 層相鄰； 一陽極電極，其橫越且接觸該肖特基金屬層且延伸 18 1308395 至該終止溝渠以使該陽極電極覆蓋一部分之該用來襯 墊該終止溝渠的底表面之氧化物層；及 一陰極電極，其橫越該半導體基材的一第二相對面。 5.如申請專利範圍第3項之肖特基整流器，其中該用來襯 墊該終止溝渠的側壁表面之氧化物層係約為5〇〇至75〇人 而該用來襯墊該終止溝渠的底表面之氧化物層係約為 1000 至 5000人。
6. 如申請專利範圍第丨項之肖特基整流器，其巾對於各該 等複數個溝渠’該用來襯翻壁表面之氧化物層係薄於 該用來襯墊底表面之氧化物層。 7. 如中請專利範圍第1奴肖特基整流11，其巾對於各該 等複數個溝渠，在形成該用來襯墊側壁及底表面之氧化 物層之前，—可犧牲氧化物層係經成長且被移除，該可 犧牲氧，物層係為用於襯墊各該等複數個溝渠之侧壁 表面之氧化物層的兩倍厚。
8. 如申吻專利$G<圍第1項之肖特基整流器，其中對於各該 等複數個絲，_來婦㈣㈣之氧化 500至 750 A。 9. 如申#專利|_第8項之肖縣整流^，其巾對於各該 等複數個溝渠，該用來襯塾底表面之氧化物層係約為 1000至 5000 A。 10. —種用以製造—呈不 /、冋乳化物厚度的溝渠式肖特基整 流器之方法，包含以下步驟： 敍刻一具有一第—伟播』 弟傳導類型之矽基材的一面以形 19 1308395 成自该面往下延伸至該石夕基材内之複數個分隔的溝渠； 將一氧化物層成長在各該等複數個溝渠的側壁及 底表面上； 將一溝渠氮化物層沉積在至少該用來襯墊各該等 複數個溝渠的侧壁及底表面之氧化物層上方； 蚀刻该溝渠氮化物層以對於各該等複數個溝渠曝 露出該用來襯墊至少該溝渠的底表面之氧化物層；
對於各該等複數個溝渠繼續成長該用來襯墊該溝 渠的底表面之氧化物層； 剝除該溝渠氮化物層以對於各該等複數個溝渠曝 露出該用來襯墊該側壁表面之氧化物層，藉以分別沿著 各溝渠的侧壁及底表面形成—具不同厚度的氧化物 層；及
…在财基材誠面上方形成—肖特基金屬層，俾使 違肖特基金屬層在該等複數料m間之自面區域中形 成一肖特基整流器接觸部。 進一步包含在該矽基材 1L如申請專利範圍第ίο項之方法 餘刻步驟之前的下列步驟： 面氣化物層直接地沉積在該石夕基材的面上； 圖案化該表面氮化物層以界定—溝渠圖案；及 _該_祕職料數個相的溝渠。 積利㈣第11項之方法，其中該溝渠氮化物層沉 且2將該溝渠氮化物層沉積在該表面氮化物層上 層移::該溝渠氣化物層崎驟亦從該表面氣化物 增移除該絲氮化物層。 20 1308395 13. 如申請專利範圍第10項之方法，其中蝕刻該等複數個溝 渠的同時將一終止溝渠蝕刻於該矽基材的面中且其 中，當沿著該等複數個溝渠的側壁及底表面形成該具不 同厚度的氧化物層之時，同時地形成分別沿著該終止溝 渠的側壁及底表面之一具不同厚度的氧化物層。 14. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該第一氧化物層成 長步驟係將在各該等複數個溝渠的側壁及底表面上之 該氧化物層成長至約500至750入。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該第二氧化物層成 長步驟係將在各該等複數個溝渠的底表面上之該氧化 物層成長至約1000至5000A的總厚度。 16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該第一氧化物層成 長步驟係將在各該等複數個溝渠的側壁及底表面上及 在該終止溝渠的側壁及底表面上之該氧化物層成長至 約500至750A且其中該第二氧化物層成長步驟係將在各 該等複數個溝渠的底表面上及在該終止溝渠的底表面 上之該氧化物層成長至約1000至5000人的總厚度。 17·如申晴專利範圍第Η項之方法，其中該表面氮化物層沉 積步驟係以約600至800Α的一厚度來沉積該表面氮化物 層且其中該溝渠氮化物層沉積步驟係以約150至20〇Α的 一厚度來沉積該溝渠氮化物層。 18·如申請專利範圍第17項之方法，其中該溝錢化物層剝 除步驟係具有約至25 0Α的-目標氮化物移除。 19.如申請專利範圍第1()項之方法在該第__氧化物層成長 21 1308395 ㈣之前進-步包含下列步 將 及底表面1犧牲魏物層成長在各該等複數個溝 及 渠的側壁 化物從層各料縣㈣㈣卿及底表__可犧牲氧 〇·如申請專利範圍第19項之方法，其中— ^ π々忒具中该可犧牲氧化物層 成長V驟係將該可犧牲氧化物層成長為比該第一氧化
$層成好财將魏化物層成長在各財複數個溝 木的側壁及底表面上之一厚度更大兩倍之_厚度。 21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該可犧牲^化物層 的厚度約為1000至1500A。 22. 如申請專利範圍第_之方法，其中該可犧牲氧化物層 剝除步驟具有約1500至2_入的一目標氧化物移除。 23 ·如申請專利範圍第！ 〇項之方法，在該剥除步驟之後進一 步包含下列步驟：
以一為第二傳導類型的一傳導性材料來充填該等 複數個溝渠；及 、/ 將一肖特基金屬層形成於該矽基材之該面頂上以 使§亥肖特基金屬層在該等複數個溝渠之間的台面區中 形成一肖特基整流器接觸部。 24.如申請專利範圍第13項之方法，在該剝除步驟之後進一 步包含下列步驟： 以一為第二傳導類型的一傳導性材料來充填該等 複數個溝渠； 、/ 22 1308395 將一肖特基金屬層形成於該等複數個溝渠頂上及 該等複數個溝渠之間的台面區頂上以使該肖特基金屬 層在該等台面區中形成一肖特基整流器接觸部；及 將一陽極接觸金屬沉積在該肖特基金屬層頂上且 延伸至該終止溝渠以使該陽極接觸金屬覆蓋該終止溝 渠的底表面上之一部分的該氧化物層。 25. —種用以形成一溝渠式肖特基屏障裝置之方法，包含以 下步驟： 形成一第一氮化物層於一具有一第一傳導型的半 導體基材之相對面的一者上； 圖案化該第一氮化物層以界定一溝渠圖案； 利用該溝渠圖案來蝕刻經過該第一氮化物層及經 過該半導體基材的一面之區以在該半導體基材中形成 交替的溝渠及台面； 形成一氧化物層於各該溝渠的底及側壁表面上； 形成一第二氮化物層於至少各該溝渠的底及側壁 表面上方； 蝕刻該第二氮化物層以曝露出至少該用來襯墊各 溝渠的底表面之氧化物層； 繼續形成該用來襯墊各溝渠的底表面之氧化物層 藉以對於各該溝渠使該底表面氧化物層相對於該側壁 表面氧化物層改變厚度； 剝除各該溝渠的側壁上之第二氮化物層以曝露出 該用來襯墊該側壁表面之氧化物層； 23 1308395 以一為第二傳導類型之傳導性材料來充填該等溝 渠； 剝除鋪覆於該等台面之該第一氮化物層以曝露出 該半導體基材；及 將一連續的屏障層施加至該一面上方以在該等台 面之半導體基材的曝露部與該屏障層之間形成一肖特 基。 26.如申請專利範圍第25項之方法，其中一在該終止區的底 及側壁表面之間具有不同的厚度之氧化物層的終止區 係與s亥專溝渠同時地形成。
24
TW095101441A 2005-01-14 2006-01-13 Trench schottky barrier diode with differential oxide thickness TWI308395B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/035,582 US7323402B2 (en) 2002-07-11 2005-01-14 Trench Schottky barrier diode with differential oxide thickness

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200631186A TW200631186A (en) 2006-09-01
TWI308395B true TWI308395B (en) 2009-04-01

Family

ID=36678114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095101441A TWI308395B (en) 2005-01-14 2006-01-13 Trench schottky barrier diode with differential oxide thickness

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7323402B2 (zh)
JP (1) JP2008533696A (zh)
CN (1) CN101371337B (zh)
DE (1) DE112006000175B4 (zh)
TW (1) TWI308395B (zh)
WO (1) WO2006076298A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8405184B2 (en) 2009-06-26 2013-03-26 Pfc Device Corporation Trench schottky diode and method for manufacturing the same

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6977208B2 (en) * 2004-01-27 2005-12-20 International Rectifier Corporation Schottky with thick trench bottom and termination oxide and process for manufacture
US7084475B2 (en) * 2004-02-17 2006-08-01 Velox Semiconductor Corporation Lateral conduction Schottky diode with plural mesas
US7417266B1 (en) 2004-06-10 2008-08-26 Qspeed Semiconductor Inc. MOSFET having a JFET embedded as a body diode
AU2005292184A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 The Research Foundation Of State University Of New York Morphine and morphine precursors
FR2879024A1 (fr) * 2004-12-08 2006-06-09 St Microelectronics Sa Peripherie de composant unipolaire vertical
US7436039B2 (en) * 2005-01-06 2008-10-14 Velox Semiconductor Corporation Gallium nitride semiconductor device
US7741172B2 (en) * 2005-08-10 2010-06-22 Icemos Technology Ltd. Positive-intrinsic-negative (PIN)/negative-intrinsic-positive (NIP) diode
US7524726B2 (en) * 2005-08-17 2009-04-28 International Rectifier Corporation Method for fabricating a semiconductor device
US8026568B2 (en) 2005-11-15 2011-09-27 Velox Semiconductor Corporation Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance
US7488673B2 (en) * 2006-02-24 2009-02-10 International Rectifier Corporation Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof
US7491633B2 (en) * 2006-06-16 2009-02-17 Chip Integration Tech. Co., Ltd. High switching speed two mask schottky diode with high field breakdown
US7932536B2 (en) * 2007-03-09 2011-04-26 Diodes Incorporated Power rectifiers and method of making same
US7939853B2 (en) * 2007-03-20 2011-05-10 Power Integrations, Inc. Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor
US20090309181A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Force Mos Technology Co. Ltd. Trench schottky with multiple epi structure
US7858506B2 (en) 2008-06-18 2010-12-28 Micron Technology, Inc. Diodes, and methods of forming diodes
JP2010251422A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
US8125056B2 (en) * 2009-09-23 2012-02-28 Vishay General Semiconductor, Llc Double trench rectifier
US20110084332A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Vishay General Semiconductor, Llc. Trench termination structure
JP5531620B2 (ja) * 2010-01-05 2014-06-25 富士電機株式会社 半導体装置
US8853770B2 (en) * 2010-03-16 2014-10-07 Vishay General Semiconductor Llc Trench MOS device with improved termination structure for high voltage applications
US8928065B2 (en) * 2010-03-16 2015-01-06 Vishay General Semiconductor Llc Trench DMOS device with improved termination structure for high voltage applications
CN102254944A (zh) 2010-05-21 2011-11-23 上海新进半导体制造有限公司 一种沟槽mosfet功率整流器件及制造方法
JP5671966B2 (ja) 2010-11-17 2015-02-18 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
EP2526567A1 (de) * 2010-12-23 2012-11-28 Diotec Semiconductor AG Lithographiefreier schottky-halbleiterprozess mit möglichkeit der integration einer schutzdiode
US20120168819A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Fabio Alessio Marino Semiconductor pillar power MOS
US8803251B2 (en) * 2011-07-19 2014-08-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Termination of high voltage (HV) devices with new configurations and methods
US8633094B2 (en) 2011-12-01 2014-01-21 Power Integrations, Inc. GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure
TWI503891B (zh) * 2011-12-06 2015-10-11 Tzu Hsiung Chen 溝渠式蕭基二極體及其製作方法
US8940620B2 (en) 2011-12-15 2015-01-27 Power Integrations, Inc. Composite wafer for fabrication of semiconductor devices
US20130168765A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-04 Vishay General Semiconductor Llc Trench dmos device with improved termination structure for high voltage applications
TWI492310B (zh) * 2012-01-17 2015-07-11 Richtek Technology Corp 溝槽蕭特基位障二極體及其製造方法
CN103383969B (zh) * 2012-05-06 2017-04-26 朱江 一种肖特基器件及其制备方法
US9437440B2 (en) 2012-11-21 2016-09-06 Infineon Technologies Dresden Gmbh Method for manufacturing a semiconductor device
US9054123B2 (en) 2012-11-21 2015-06-09 Infineon Technologies Austria Ag Method for manufacturing a semiconductor device
TWI521693B (zh) * 2012-11-27 2016-02-11 財團法人工業技術研究院 蕭基能障二極體及其製造方法
TWI469341B (zh) 2012-12-20 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 碳化矽溝槽式蕭基能障元件
CN103000668A (zh) * 2012-12-27 2013-03-27 淄博美林电子有限公司 一种高耐压肖特基芯片
US8928037B2 (en) 2013-02-28 2015-01-06 Power Integrations, Inc. Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer
CN103456796B (zh) * 2013-08-28 2016-06-15 中航（重庆）微电子有限公司 一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法
CN103474348B (zh) * 2013-08-28 2016-08-10 中航（重庆）微电子有限公司 一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法
CN103632959B (zh) * 2013-11-15 2017-01-11 中航（重庆）微电子有限公司 沟槽型肖特基器件结构及其制造方法
WO2015084155A1 (en) * 2013-12-04 2015-06-11 Mimos Berhad A method for producing a reduced reverse leakage current trenched schottky diode
US10395970B2 (en) * 2013-12-05 2019-08-27 Vishay-Siliconix Dual trench structure
US9552993B2 (en) 2014-02-27 2017-01-24 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6763779B2 (ja) * 2014-11-18 2020-09-30 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9673314B2 (en) 2015-07-08 2017-06-06 Vishay-Siliconix Semiconductor device with non-uniform trench oxide layer
JP2017034156A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP6845397B2 (ja) * 2016-04-28 2021-03-17 株式会社タムラ製作所 トレンチｍｏｓ型ショットキーダイオード
CN107195692B (zh) * 2017-05-09 2020-12-04 华润微电子（重庆）有限公司 沟槽肖特基二极管及其制作方法
CN109004035B (zh) * 2017-06-07 2024-02-13 华润微电子（重庆）有限公司 肖特基器件结构及其制造方法
US10522549B2 (en) * 2018-02-17 2019-12-31 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Uniform gate dielectric for DRAM device
US10593760B2 (en) 2018-08-02 2020-03-17 Semiconductor Components Industries, Llc Method for forming trench semiconductor device having Schottky barrier structure
CN108807554B (zh) * 2018-08-03 2021-09-21 深圳市晶相技术有限公司 肖特基二极管及其制作方法
JP2023079551A (ja) * 2021-11-29 2023-06-08 Tdk株式会社 ショットキーバリアダイオード

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363153A (en) 1965-06-01 1968-01-09 Gen Telephone & Elect Solid state triode having gate electrode therein subtending a portion of the source electrode
US4129835A (en) * 1976-11-26 1978-12-12 Calspan Corporation Method and apparatus for the continuous generation of metal vapor
US4219835A (en) 1978-02-17 1980-08-26 Siliconix, Inc. VMOS Mesa structure and manufacturing process
US4647957A (en) 1983-10-11 1987-03-03 At&T Bell Laboratories Latchup-preventing CMOS device
GB2151844A (en) 1983-12-20 1985-07-24 Philips Electronic Associated Semiconductor devices
US5082795A (en) * 1986-12-05 1992-01-21 General Electric Company Method of fabricating a field effect semiconductor device having a self-aligned structure
US4888880A (en) * 1989-01-10 1989-12-26 Parker Michael A Electrician's level
US4992390A (en) * 1989-07-06 1991-02-12 General Electric Company Trench gate structure with thick bottom oxide
US4994883A (en) 1989-10-02 1991-02-19 General Electric Company Field controlled diode (FCD) having MOS trench gates
JPH05283518A (ja) 1992-04-06 1993-10-29 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5365102A (en) 1993-07-06 1994-11-15 North Carolina State University Schottky barrier rectifier with MOS trench
US6078090A (en) * 1997-04-02 2000-06-20 Siliconix Incorporated Trench-gated Schottky diode with integral clamping diode
US6049108A (en) * 1995-06-02 2000-04-11 Siliconix Incorporated Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping
US6236099B1 (en) 1996-04-22 2001-05-22 International Rectifier Corp. Trench MOS device and process for radhard device
US5612567A (en) 1996-05-13 1997-03-18 North Carolina State University Schottky barrier rectifiers and methods of forming same
US6130602A (en) 1996-05-13 2000-10-10 Micron Technology, Inc. Radio frequency data communications device
US5888880A (en) * 1996-10-30 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Trench transistor with localized source/drain regions implanted through selectively grown oxide layer
US6262453B1 (en) * 1998-04-24 2001-07-17 Magepower Semiconductor Corp. Double gate-oxide for reducing gate-drain capacitance in trenched DMOS with high-dopant concentration buried-region under trenched gate
US6191447B1 (en) * 1999-05-28 2001-02-20 Micro-Ohm Corporation Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same
JP2001068688A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Fuji Electric Co Ltd ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード
GB9929613D0 (en) * 1999-12-15 2000-02-09 Koninkl Philips Electronics Nv Manufacture of semiconductor material and devices using that material
GB0002235D0 (en) 2000-02-02 2000-03-22 Koninkl Philips Electronics Nv Trenched schottky rectifiers
DE10007847A1 (de) 2000-02-21 2001-08-23 Zahnradfabrik Friedrichshafen Elektromagnetische Schalteinrichtung
US6580123B2 (en) * 2000-04-04 2003-06-17 International Rectifier Corporation Low voltage power MOSFET device and process for its manufacture
EP1178539A3 (en) * 2000-06-29 2002-11-27 SILICONIX Incorporated Schottky field-effect transistor
JP3691736B2 (ja) 2000-07-31 2005-09-07 新電元工業株式会社 半導体装置
US6437386B1 (en) * 2000-08-16 2002-08-20 Fairchild Semiconductor Corporation Method for creating thick oxide on the bottom surface of a trench structure in silicon
US6541312B2 (en) 2000-12-22 2003-04-01 Matrix Semiconductor, Inc. Formation of antifuse structure in a three dimensional memory
US6580141B2 (en) * 2001-06-01 2003-06-17 General Semiconductor, Inc. Trench schottky rectifier
US6709930B2 (en) * 2002-06-21 2004-03-23 Siliconix Incorporated Thicker oxide formation at the trench bottom by selective oxide deposition
US7045859B2 (en) * 2001-09-05 2006-05-16 International Rectifier Corporation Trench fet with self aligned source and contact
US6855593B2 (en) * 2002-07-11 2005-02-15 International Rectifier Corporation Trench Schottky barrier diode
US6921699B2 (en) * 2002-09-30 2005-07-26 International Rectifier Corporation Method for manufacturing a semiconductor device with a trench termination
US6710418B1 (en) * 2002-10-11 2004-03-23 Fairchild Semiconductor Corporation Schottky rectifier with insulation-filled trenches and method of forming the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8405184B2 (en) 2009-06-26 2013-03-26 Pfc Device Corporation Trench schottky diode and method for manufacturing the same
US8927401B2 (en) 2009-06-26 2015-01-06 Pfc Device Corp. Trench Schottky diode and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8143655B2 (en) 2012-03-27
JP2008533696A (ja) 2008-08-21
WO2006076298A2 (en) 2006-07-20
CN101371337B (zh) 2010-08-11
WO2006076298A3 (en) 2008-08-28
US7323402B2 (en) 2008-01-29
TW200631186A (en) 2006-09-01
US20080087896A1 (en) 2008-04-17
DE112006000175B4 (de) 2015-08-13
DE112006000175T5 (de) 2007-11-29
US20050127465A1 (en) 2005-06-16
CN101371337A (zh) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI308395B (en) Trench schottky barrier diode with differential oxide thickness
US6770539B2 (en) Vertical type MOSFET and manufacturing method thereof
US6855593B2 (en) Trench Schottky barrier diode
JP4855636B2 (ja) トレンチショットキー整流器
TWI360879B (en) Method for preventing gate oxide damage of a trenc
US7078780B2 (en) Schottky barrier diode and method of making the same
JP3691736B2 (ja) 半導体装置
US5612232A (en) Method of fabricating semiconductor devices and the devices
TW200924077A (en) Semiconductor device with (110)-oriented silicon
JP4594113B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6825073B1 (en) Schottky diode with high field breakdown and low reverse leakage current
JP3873798B2 (ja) 炭化けい素半導体素子およびその製造方法
US6974750B2 (en) Process for forming a trench power MOS device suitable for large diameter wafers
JP2004529506A (ja) トレンチショットキー整流器
US10410911B2 (en) Buried insulator regions and methods of formation thereof
TW200908348A (en) Structures and methods for forming schottky diodes on a P-substrate or a bottom anode schottky diode
WO2013084620A1 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI237901B (en) Schottky barrier diode and method of making the same
US20080227269A1 (en) Termination trench structure for mosgated device and process for its manufacture
TW201937728A (zh) 溝槽式金氧半型肖特基二極體及其製造方法
JP2016178336A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003504855A (ja) 金属半導体コンタクトを備えたダイオード、および金属半導体コンタクトを備えたダイオードの製造方法
JP2003517204A (ja) 炭化ケイ素半導体装置においてより高い反転層移動度を得る方法
US6294445B1 (en) Single mask process for manufacture of fast recovery diode
KR20190035331A (ko) 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 모스펫 제조방법