JP2008533696A - 差異的酸化膜厚さを有するトレンチショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
30 トレンチ
44 酸化層
48 P型多結晶シリコン
50 ショットキーバリア金属
52 ショットキーコンタクト
54 メサ
56 アノード電極
58 金属フィールドプレートの端
60 終端トレンチ領域
100 シリコンウエーハ
102 N―エピタキシャル層
104 N+基板
106 窒化層
108 エピタキシャル層表面
110 トレンチ
110a トレンチ底面
110b トレンチ側壁
111 終端トレンチ
111a 終端トレンチ底面
111b 終端トレンチ側壁
112 矢印
114 犠牲酸化層
116 酸化層
118 トレンチ窒化層
120 多結晶シリコン
122 メサ
124 ショットキーコンタクト
126 バリア金属
128 金属の周辺部
130 アノードコンタクト金属層
132 ウエーハ底面
Claims (26)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1面に沿い、かつ複数のメサによって隔てられた複数のトレンチであって、前記トレンチの底面および側壁面の内側をそれぞれ覆う、異なる厚さの酸化層を有するトレンチと、
前記半導体基板の第1面上にあり、前記複数のメサとともに、ショットキー整流コンタクトを形成しているショットキー金属層
とを備えるショットキー整流器。 - 複数のトレンチの各々の中にあり、酸化層に隣接する第2導電型の導電材料と、
ショットキー金属層全体にわたって、それと接触しているアノード電極と、
半導体基板の反対側の第2面全体にわたるカソード電極
とをさらに備える請求項1に記載のショットキー整流器。 - 半導体基板の第1面に沿い、かつショットキー金属層の先にある終端トレンチであって、前記終端トレンチの底面および側壁面の内側をそれぞれ覆う、異なる厚さの酸化層を有する終端トレンチを、さらに備える請求項1に記載のショットキー整流器。
- 複数のトレンチの各々の中にあり、前記複数のトレンチの各々の中で、酸化層に隣接する第2導電型の導電材料と、
ショットキー金属層全体にわたってそれと接触し、終端トレンチの底面の内側を覆う前記酸化層の一部を覆うように、前記終端トレンチにまで及ぶアノード電極と、
半導体基板の反対側の第2面全体にわたるカソード電極
とをさらに備える請求項3に記載のショットキー整流器。 - 終端トレンチの側壁面の内側を覆う酸化層が約500〜750Åであり、前記終端トレンチの底面の内側を覆う酸化層が約1000〜5000Åである請求項3に記載のショットキー整流器。
- 複数のトレンチの各々に関して、側壁面の内側を覆う酸化層が、底面の内側を覆う酸化層よりも薄い請求項1に記載のショットキー整流器。
- 複数のトレンチの各々に関して、側壁面および底面の内側を覆う酸化層を形成する前に、犠牲酸化層を成長させ、除去し、前記犠牲酸化層は、前記複数のトレンチの各々に関して、前記側壁面の内側を覆う前記酸化層の2倍の厚さである請求項1に記載のショットキー整流器。
- 複数のトレンチの各々に関して、側壁面の内側を覆う酸化層は、約500〜750Åである請求項1に記載のショットキー整流器。
- 複数のトレンチの各々に関して、底面の内側を覆う酸化層は、約1000〜5000Åである請求項8に記載のショットキー整流器。
- 厚さが変化する酸化膜を有するトレンチショットキー整流器を製造する方法であって、
第1導電型のシリコン基板の面をエッチングして、前記面から前記シリコン基板中へ、下方に延びる複数の相隔たるトレンチを形成する工程と、
前記複数のトレンチの各々の側壁面および底面に酸化層を成長させる工程と、
少なくとも前記複数のトレンチの各々の前記側壁面および前記底面の内側を覆う前記酸化層を覆って、トレンチ窒化層を堆積する工程と、
前記トレンチ窒化層をエッチングして、前記複数のトレンチの各々に関して、少なくとも前記トレンチの底面の内側を覆う酸化層を露出させる工程と、
前記複数のトレンチの各々に関して、前記トレンチの底面の内側を覆う酸化層を成長させ続ける工程と、
前記トレンチ窒化層を剥離して、前記複数のトレンチの各々に関して、側壁面の内側を覆う酸化層を露出させ、それによって、各トレンチの側壁面および底面に沿って、それぞれ厚さが変化する酸化層を形成する工程
とを含む方法。 - シリコン基板エッチング工程に先立って、
表面窒化層を前記シリコン基板面に直接堆積する工程と、
前記表面窒化層にパターンを焼き付けて、トレンチパターンを形成する工程と、
複数の相隔たるトレンチをエッチングするために、前記パターンを使用する工程
とをさらに含む請求項10に記載の方法。 - トレンチ窒化層堆積工程において、トレンチ窒化層を表面窒化層を覆って堆積し、かつトレンチ窒化層エッチング工程で、前記表面窒化層から前記トレンチ窒化層を除去する請求項11に記載の方法。
- 終端トレンチが複数のトレンチのエッチングと同時に、シリコン基板面内にエッチングし、前記終端トレンチの側壁面および底面に沿う厚さがそれぞれに変化する酸化層が、前記複数のトレンチの側壁面および底面に沿った厚さが変化する酸化層を形成するのと同時に形成される請求項10に記載の方法。
- 第1酸化層成長工程において、複数のトレンチの側壁面および底面に、約500〜750Åの酸化層を成長させる請求項10に記載の方法。
- 第2酸化層成長工程において、複数のトレンチの各々の底面に、厚さが約1000〜5000Åである酸化層を成長させる請求項14に記載の方法。
- 第1酸化層成長工程において、複数のトレンチの各々の側壁面および底面に、そして終端トレンチの側壁面および底面に、約500〜750Åの酸化層を成長させ、かつ第2酸化層成長工程において、複数のトレンチの各々の底面に、そして終端トレンチの底面に、全厚さが約1000〜5000Åである酸化層を成長させる請求項13に記載の方法。
- 表面窒化層堆積工程において、表面窒化層を約600〜800Åの厚さに堆積し、かつトレンチ窒化層堆積工程において、トレンチ窒化層を約150〜250Åの厚さに堆積させる請求項11に記載の方法。
- トレンチ窒化層剥離工程で、対象窒化膜を約200〜250Å除去する請求項17に記載の方法。
- 第1酸化層成長工程に先立って、
複数のトレンチの各々の側壁面および底面に、犠牲酸化層を成長させる工程と、
前記複数のトレンチの各々の側壁面および底面から、前記犠牲酸化層を剥離する工程
とをさらに含む請求項10に記載の方法。 - 犠牲酸化層成長工程で、犠牲酸化層を、第1酸化層成長工程で酸化層が複数のトレンチの各々の側壁面および底面に成長する厚さの2倍の厚さに成長させる請求項19に記載の方法。
- 犠牲酸化層の厚さが、約1000〜1500Åである請求項20に記載の方法。
- 犠牲酸化層剥離工程で、対象酸化膜を約1500〜2000Å除去する請求項21に記載の方法。
- 剥離工程後に、
複数のトレンチを第2導電型の導電材料で充填する工程と、
ショットキー金属層が、ショットキー整流コンタクトを前記複数のトレンチの間のメサ領域に形成するように、前記ショットキー金属層をシリコン基板面上に形成する工程
とをさらに含む請求項10に記載の方法。 - 剥離工程後に、
複数のトレンチを第2導電型の導電材料で充填する工程と、
ショットキー金属層がショットキー整流コンタクトをメサ領域に形成するように、前記ショットキー金属層を、前記複数のトレンチの上に、かつ前記複数のトレンチの間の前記メサ領域上に形成する工程と、
アノードコンタクト金属が、終端トレンチの底面の酸化層の一部を覆うように、前記ショットキー金属層を覆い、かつ前記終端トレンチにまで及ぶ前記アノードコンタクト金属を堆積する工程
とをさらに含む請求項13に記載の方法。 - トレンチショットキーバリアデバイスを形成する方法であって、
第1導電型を有する半導体基板の対面の1つに第1窒化層を形成する工程と、
前記第1窒化層にパターンを焼き付けて、トレンチパターンを形成する工程と、
前記トレンチパターンを使用して、前記第1窒化層を貫通して、かつ前記半導体基板の前記1つの面の領域を貫通して、エッチングして、トレンチおよびメサを交互に前記半導体基板に形成する工程と、
各トレンチの底面および側壁面に酸化層を形成する工程と、
各トレンチの少なくとも前記底面および前記側壁面を覆って、第2窒化層を形成する工程と、
前記第2窒化層をエッチングして、少なくとも各トレンチの前記底面の内側を覆う前記酸化層を露出させる工程と、
各トレンチに関して、前記底面酸化層が前記側壁面酸化層と厚さが異なるように、各トレンチの前記底面の内側を覆う前記酸化層を形成し続ける工程と、
各トレンチの前記側壁面の前記第2窒化層を剥離して、前記側壁面の内側を覆う前記酸化層を露出させる工程と、
前記トレンチを第2導電型の導電材料で充填する工程と、
前記メサを覆う前記第1窒化層を剥離して、前記半導体基板を露出させる工程と、
前記1つの面を覆って連続バリア層を施して、前記メサの前記半導体基板の前記露出部分と前記バリア層との間に、ショットキーコンタクトを形成する工程
とを含む方法。 - 終端領域の底面と側壁面との間で厚さが変化する酸化層を有する前記終端領域が、トレンチと同時に形成される請求項25に記載の方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012109368A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013522909A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | ビシャイ・ジェネラル・セミコンダクター・エルエルシー | 高電圧印加のための改善された終端構造を備えるトレンチdmosデバイス |
JP2013545296A (ja) * | 2010-10-21 | 2013-12-19 | ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター,エルエルシー | 改善された終端構造を備えた高電圧用途のためのトレンチdmosデバイス |
KR20160094962A (ko) * | 2013-12-05 | 2016-08-10 | 비쉐이-실리코닉스 | 개선된 이중 트렌치 구조물 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6977208B2 (en) * | 2004-01-27 | 2005-12-20 | International Rectifier Corporation | Schottky with thick trench bottom and termination oxide and process for manufacture |
US7084475B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-08-01 | Velox Semiconductor Corporation | Lateral conduction Schottky diode with plural mesas |
US7417266B1 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Qspeed Semiconductor Inc. | MOSFET having a JFET embedded as a body diode |
AU2005292184A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | The Research Foundation Of State University Of New York | Morphine and morphine precursors |
FR2879024A1 (fr) * | 2004-12-08 | 2006-06-09 | St Microelectronics Sa | Peripherie de composant unipolaire vertical |
US7436039B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-10-14 | Velox Semiconductor Corporation | Gallium nitride semiconductor device |
US7741172B2 (en) * | 2005-08-10 | 2010-06-22 | Icemos Technology Ltd. | Positive-intrinsic-negative (PIN)/negative-intrinsic-positive (NIP) diode |
US7524726B2 (en) * | 2005-08-17 | 2009-04-28 | International Rectifier Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
US8026568B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-09-27 | Velox Semiconductor Corporation | Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance |
US7488673B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-02-10 | International Rectifier Corporation | Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof |
US7491633B2 (en) * | 2006-06-16 | 2009-02-17 | Chip Integration Tech. Co., Ltd. | High switching speed two mask schottky diode with high field breakdown |
US7932536B2 (en) * | 2007-03-09 | 2011-04-26 | Diodes Incorporated | Power rectifiers and method of making same |
US7939853B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-05-10 | Power Integrations, Inc. | Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor |
US20090309181A1 (en) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | Force Mos Technology Co. Ltd. | Trench schottky with multiple epi structure |
US7858506B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-12-28 | Micron Technology, Inc. | Diodes, and methods of forming diodes |
JP2010251422A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI469221B (zh) | 2009-06-26 | 2015-01-11 | Pfc Device Co | 溝渠式蕭基二極體及其製作方法 |
US8125056B2 (en) * | 2009-09-23 | 2012-02-28 | Vishay General Semiconductor, Llc | Double trench rectifier |
US20110084332A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Vishay General Semiconductor, Llc. | Trench termination structure |
JP5531620B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-06-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN102254944A (zh) | 2010-05-21 | 2011-11-23 | 上海新进半导体制造有限公司 | 一种沟槽mosfet功率整流器件及制造方法 |
EP2526567A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-11-28 | Diotec Semiconductor AG | Lithographiefreier schottky-halbleiterprozess mit möglichkeit der integration einer schutzdiode |
US20120168819A1 (en) * | 2011-01-03 | 2012-07-05 | Fabio Alessio Marino | Semiconductor pillar power MOS |
US8803251B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-08-12 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Termination of high voltage (HV) devices with new configurations and methods |
US8633094B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
TWI503891B (zh) * | 2011-12-06 | 2015-10-11 | Tzu Hsiung Chen | 溝渠式蕭基二極體及其製作方法 |
US8940620B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-01-27 | Power Integrations, Inc. | Composite wafer for fabrication of semiconductor devices |
US20130168765A1 (en) * | 2012-01-04 | 2013-07-04 | Vishay General Semiconductor Llc | Trench dmos device with improved termination structure for high voltage applications |
TWI492310B (zh) * | 2012-01-17 | 2015-07-11 | Richtek Technology Corp | 溝槽蕭特基位障二極體及其製造方法 |
CN103383969B (zh) * | 2012-05-06 | 2017-04-26 | 朱江 | 一种肖特基器件及其制备方法 |
US9437440B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Method for manufacturing a semiconductor device |
US9054123B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-06-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for manufacturing a semiconductor device |
TWI521693B (zh) * | 2012-11-27 | 2016-02-11 | 財團法人工業技術研究院 | 蕭基能障二極體及其製造方法 |
TWI469341B (zh) | 2012-12-20 | 2015-01-11 | Ind Tech Res Inst | 碳化矽溝槽式蕭基能障元件 |
CN103000668A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-03-27 | 淄博美林电子有限公司 | 一种高耐压肖特基芯片 |
US8928037B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-01-06 | Power Integrations, Inc. | Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer |
CN103456796B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-06-15 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法 |
CN103474348B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-08-10 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法 |
CN103632959B (zh) * | 2013-11-15 | 2017-01-11 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 沟槽型肖特基器件结构及其制造方法 |
WO2015084155A1 (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | Mimos Berhad | A method for producing a reduced reverse leakage current trenched schottky diode |
US9552993B2 (en) | 2014-02-27 | 2017-01-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6763779B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2020-09-30 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9673314B2 (en) | 2015-07-08 | 2017-06-06 | Vishay-Siliconix | Semiconductor device with non-uniform trench oxide layer |
JP2017034156A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6845397B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-03-17 | 株式会社タムラ製作所 | トレンチmos型ショットキーダイオード |
CN107195692B (zh) * | 2017-05-09 | 2020-12-04 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 沟槽肖特基二极管及其制作方法 |
CN109004035B (zh) * | 2017-06-07 | 2024-02-13 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 肖特基器件结构及其制造方法 |
US10522549B2 (en) * | 2018-02-17 | 2019-12-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Uniform gate dielectric for DRAM device |
US10593760B2 (en) | 2018-08-02 | 2020-03-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method for forming trench semiconductor device having Schottky barrier structure |
CN108807554B (zh) * | 2018-08-03 | 2021-09-21 | 深圳市晶相技术有限公司 | 肖特基二极管及其制作方法 |
JP2023079551A (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-08 | Tdk株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068688A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
JP2002064210A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-02-28 | Siliconix Inc | ショットキー電界効果トランジスタ |
WO2004008529A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | International Rectifier Corporation | Trench schottky barrier diode |
JP2004507092A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | シリコンにおけるトレンチ構造底部の厚い酸化層 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3363153A (en) | 1965-06-01 | 1968-01-09 | Gen Telephone & Elect | Solid state triode having gate electrode therein subtending a portion of the source electrode |
US4129835A (en) * | 1976-11-26 | 1978-12-12 | Calspan Corporation | Method and apparatus for the continuous generation of metal vapor |
US4219835A (en) | 1978-02-17 | 1980-08-26 | Siliconix, Inc. | VMOS Mesa structure and manufacturing process |
US4647957A (en) | 1983-10-11 | 1987-03-03 | At&T Bell Laboratories | Latchup-preventing CMOS device |
GB2151844A (en) | 1983-12-20 | 1985-07-24 | Philips Electronic Associated | Semiconductor devices |
US5082795A (en) * | 1986-12-05 | 1992-01-21 | General Electric Company | Method of fabricating a field effect semiconductor device having a self-aligned structure |
US4888880A (en) * | 1989-01-10 | 1989-12-26 | Parker Michael A | Electrician's level |
US4992390A (en) * | 1989-07-06 | 1991-02-12 | General Electric Company | Trench gate structure with thick bottom oxide |
US4994883A (en) | 1989-10-02 | 1991-02-19 | General Electric Company | Field controlled diode (FCD) having MOS trench gates |
JPH05283518A (ja) | 1992-04-06 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5365102A (en) | 1993-07-06 | 1994-11-15 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifier with MOS trench |
US6078090A (en) * | 1997-04-02 | 2000-06-20 | Siliconix Incorporated | Trench-gated Schottky diode with integral clamping diode |
US6049108A (en) * | 1995-06-02 | 2000-04-11 | Siliconix Incorporated | Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping |
US6236099B1 (en) | 1996-04-22 | 2001-05-22 | International Rectifier Corp. | Trench MOS device and process for radhard device |
US5612567A (en) | 1996-05-13 | 1997-03-18 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifiers and methods of forming same |
US6130602A (en) | 1996-05-13 | 2000-10-10 | Micron Technology, Inc. | Radio frequency data communications device |
US5888880A (en) * | 1996-10-30 | 1999-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trench transistor with localized source/drain regions implanted through selectively grown oxide layer |
US6262453B1 (en) * | 1998-04-24 | 2001-07-17 | Magepower Semiconductor Corp. | Double gate-oxide for reducing gate-drain capacitance in trenched DMOS with high-dopant concentration buried-region under trenched gate |
US6191447B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-02-20 | Micro-Ohm Corporation | Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same |
GB9929613D0 (en) * | 1999-12-15 | 2000-02-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacture of semiconductor material and devices using that material |
GB0002235D0 (en) | 2000-02-02 | 2000-03-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Trenched schottky rectifiers |
DE10007847A1 (de) | 2000-02-21 | 2001-08-23 | Zahnradfabrik Friedrichshafen | Elektromagnetische Schalteinrichtung |
US6580123B2 (en) * | 2000-04-04 | 2003-06-17 | International Rectifier Corporation | Low voltage power MOSFET device and process for its manufacture |
JP3691736B2 (ja) | 2000-07-31 | 2005-09-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
US6541312B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-04-01 | Matrix Semiconductor, Inc. | Formation of antifuse structure in a three dimensional memory |
US6580141B2 (en) * | 2001-06-01 | 2003-06-17 | General Semiconductor, Inc. | Trench schottky rectifier |
US6709930B2 (en) * | 2002-06-21 | 2004-03-23 | Siliconix Incorporated | Thicker oxide formation at the trench bottom by selective oxide deposition |
US7045859B2 (en) * | 2001-09-05 | 2006-05-16 | International Rectifier Corporation | Trench fet with self aligned source and contact |
US6921699B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-07-26 | International Rectifier Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device with a trench termination |
US6710418B1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Schottky rectifier with insulation-filled trenches and method of forming the same |
-
2005
- 2005-01-14 US US11/035,582 patent/US7323402B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-10 CN CN200680002150.XA patent/CN101371337B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-10 JP JP2007551311A patent/JP2008533696A/ja active Pending
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- 2006-01-13 TW TW095101441A patent/TWI308395B/zh active
-
2007
- 2007-10-11 US US11/974,103 patent/US8143655B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068688A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
JP2002064210A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-02-28 | Siliconix Inc | ショットキー電界効果トランジスタ |
JP2004507092A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | シリコンにおけるトレンチ構造底部の厚い酸化層 |
WO2004008529A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | International Rectifier Corporation | Trench schottky barrier diode |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013522909A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | ビシャイ・ジェネラル・セミコンダクター・エルエルシー | 高電圧印加のための改善された終端構造を備えるトレンチdmosデバイス |
JP2013545296A (ja) * | 2010-10-21 | 2013-12-19 | ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター,エルエルシー | 改善された終端構造を備えた高電圧用途のためのトレンチdmosデバイス |
JP2012109368A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8492254B2 (en) | 2010-11-17 | 2013-07-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices |
US8841697B2 (en) | 2010-11-17 | 2014-09-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices |
KR20160094962A (ko) * | 2013-12-05 | 2016-08-10 | 비쉐이-실리코닉스 | 개선된 이중 트렌치 구조물 |
KR102076390B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-02-11 | 비쉐이-실리코닉스 | 개선된 이중 트렌치 구조물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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