TWI272556B - Display device - Google Patents

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TWI272556B
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pixel electrode
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Shunpei Yamazaki
Satoshi Murakami
Mitsuaki Osame
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Semiconductor Energy Lab
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Description

1272556 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明屬於涉及顯示裝置的技術領域，其中半導體裝 置（典型爲電晶體）被用作裝置，特別是以電致發光顯示 裝置爲代表的發光裝置，並屬於涉及在影像顯示部分中配 備有顯示裝置的電子裝置的技術領域。 【先前技術】 近年來’其中電晶體（特別是薄膜電晶體）被整合在 基底上的液晶顯示裝置和電致發光顯示裝置的開發已經取 得了進展。這種顯示裝置的特徵分別在於使用薄膜形成技 術將電晶體形成在玻璃基底上，且這樣形成的電晶體設置 在圖素中，而圖素被排列在矩陣中，並使之用作影像顯示 的顯示裝置。 對顯示裝置中執行影像顯示的區域（以下稱爲圖素部 分）所要求的各種指標都是可能的。但其例子如下：確保 大量的點和高解析度；各個圖素中的有效顯示區大並能多句 顯示明亮的影像；以及圖素部分不包含可能在其整體中_ 導點缺陷或線缺陷的缺陷。爲了達到這些指標，不僅安置 在各個圖素中的電晶體的性能應該令人滿意，而且需要_ 種在藉由穩定的技術來提高成品率的情況下形成電晶體的 技術。 而且，在電致發光顯示裝置中的有機電致發光顯示裝 置中，有機化合物被使用當成發光源之發光元件。因此， -5- (2) 1272556 在確保其可靠性方面極其需要一種抑制有機化合物退化的 措施。換言之，爲了得到高度可靠的顯示裝置，必須不僅 ” 注意裝置製造過程中積累的損傷的影響，而且還要注意這 > 些積累損傷引起的隨時間推移的後續退化。 在上述的硏發情況下，本發明的申請人在目前條件下 最關心諸如由蝕刻技術中電漿對絕緣膜的積累損傷造成的 電晶體臨界値電壓的變化和偏移之類的問題。 【發明內容】 考慮到上述問題而提出了本發明，本發明的目的是提 供一種能夠降低顯示裝置製造技術中電漿損傷的影響的裝 置結構。而且，本發明的另一目的是提供一種藉由降低電 漿損傷的影響來抑制電晶體臨界値電壓變化而得到的具有 均勻顯示特性（以下稱爲相鄰圖素之間亮度變化和退化程 度小的顯示特性）的顯示裝置。 • 本發明係關於一種顯示裝置，其特徵是包括下列結構 作爲能夠解決上述問題的裝置結構。注意，此處定義的發 光兀件指的是這樣一種元件，其中發光構件（指的是藉由 . 層疊發光層、載子注入層、載子傳送層、載子阻擋層、以 ^ 及諸如有機或無機化合物之類的發光所需的其他構件而得 到的疊層）被提供在一對電極（陽極和陰極）之間。例如 ’電致發光元件即包括在發光元件的分類中。 (1 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；和 -6 - (3) (3)1272556 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的屏障層； 形成在屏障層上的整平層；以及 形成在整平層上的汲極電極， 該發光元件包含： 與整平層上的汲極電極的上表面接觸連接的圖素電極 9 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在整平層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 Ο 注意，本發明的整平層可以由用濺射、電漿CVD、低 壓熱CVD、或旋塗方法形成的無機絕緣膜或有機樹脂膜形 成。而且，當整平層用濺射，電漿CVD、或低壓熱CVD方 法形成時，在使用之前，其表面可以被抛光（包括機械或 化學作用或其組合作用的抛光）。利用整平層，能夠勻平 形成在整平層上的第一電極的表面，並能夠防止發光元件 (EL元件）短路。而且，藉由在其上提供屏障層，能夠阻 擋來自EL元件的雜質擴散以保護TFT，還能夠避免從有機 (4) 1272556 絕緣膜放出氣體。而且，藉由在靠近TFT主動層的部分中 形成屏障層，阻擋了來自E L元件的雜質擴散，從而有效地 " 保護了 TFT。 (2 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， φ 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， 該發光元件包含： φ 與整平層上的汲極電極的上表面接觸連接的圖素電極 y 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在整平層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 ，和 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面和形成在整平層中 的第二開口的側表面。 -8- (5) 1272556 而且，根據（2 )所述的結構，形成了屏障層，從而 在蝕刻第一電極和汲極電極的過程中防止了整平層被蝕刻 。而且，藉由用屏障層覆蓋整平層，避免了雜質從整平層 ^ 擴散到發光元件。 (3 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 • 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， • 該發光元件包含： 與整平層上的汲極電極的上表面接觸連接的圖素電極 y . 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜、整平層、以及屏障層 中的開口，汲極電極與主動層連接，和 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面。 而且，根據（3 )所述的結構，藉由利用相同的掩模 -9 - (6) 1272556 的蝕刻，來形成形成在閘極絕緣膜、整平層、以及屏障層 中的開口，從而能夠用比（1 )或（2 )中結構更少的掩模 來形成。 (4 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， φ 該電晶體包括： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的屏障層； 形成在屏障層上的整平層；以及 形成在整平層上的汲極電極， 該發光元件包含： • 與整平層上的汲極電極的下表面接觸連接的圖素電極 y 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 . 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在整平層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 (5 )根據本發明的顯示裝置包含： -10- (7) (7)1272556 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， 該發光元件包含： 與整平層上的汲極電極的下表面接觸連接的圖素W極 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在整平層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 ，和 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面以及形成在整平層 中的第二開口的側表面。 (6 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包含： -11 - (8) 1272556 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， 該發光元件包含： 與整平層上的汲極電極的下表面接觸連接的圖素電極 9 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜、整平層、以及屏障層 中的開□，汲極電極與主動層連接，和 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面。 而且，根據（4 ) 、 ( 5 ) 、 （ 6 )所述的結構，在形 成圖素電極之後來形成汲極電極，致使此結構能夠被用於 汲極電極具有大的膜厚的情況。當在形成汲極電極之後形 成時，圖素電極需要部分地重疊汲極電極。當汲極電極具 有大的膜厚時，恐怕會在圖素電極中出現諸如步階狀斷裂 之類的覆蓋失誤。 (7 )根據本發明的顯示裝置包含·· 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， -12- (9) 1272556 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； ' 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的屏障層； 形成在屏障層上的絕緣層； 形成在絕緣層上的汲極電極，以及 • 形成在源電極或汲極電極上的整平層， 該發光元件包含： 形成在整平層上並經由形成在整平層中的開口而連接 汲極電極的圖素電極； 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在絕緣層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 (8 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包括： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； -13- (10) 1272556 形成在主動層上的絕緣層； 形成在絕緣層上的屏障層； ^ 形成在屏障層上的汲極電極，以及 ^ 形成在汲極電極上的整平層， 該發光元件包含： 形成在整平層上並經由形成在整平層中的開口而連接 汲極電極的圖素電極； • 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在絕緣層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 ，和 其中，屏障層覆蓋絕緣層的上表面以及形成在絕緣層 中的第二開口的側轰面。 • (9)根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， _ 該電晶體包含： ^ 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的絕緣層； 形成在絕緣層上的屏障層； -14- (11) 1272556 形成在屏障層上的汲極電極，以及 形成在汲極電極上的整平層， 該發光元件包含： ^ 形成在整平層上並經由形成在整平層中的開口而連接 汲極電極的圖素電極； 與圖素電極接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對圖素電極的相反電極， • 其中，經由形成在閘極絕緣膜、絕緣層、以及屏障層 中的開口，汲極電極與主動層連接，和 其中，屏障層覆蓋絕緣層的上表面。 而且，根據（7 ) 、 ( 8 ) 、 （ 9 )所述的結構，圖素 電極藉由接觸孔與汲極電極連接，並藉由整平層隔離於其 他接線，致使能夠增大圖素電極的面積。 注意，根據（7 ) - ( 9 )所述的結構，可以用氮化矽 膜覆蓋整平層的上表面。這是因爲當有機樹脂膜被用作整 • 平層時，特別是其上表面（當形成任何開口時，包括其內 壁表面）被氮化矽膜覆蓋時，致使能夠有效地防止從有機 樹脂膜産生的氣體（包括成分氣體或濕氣）擴散到發光元 _ 件側。 ω 而且，最好用樹脂膜覆蓋圖素電極的端部（至少角落 部分）。這是因爲電場容易集中在圖素電極的端部且其上 形成的膜的覆蓋性差，致使在形成發光元件時最好不使用 端部。注意，此樹脂膜可以是非光光敏樹脂膜或光敏樹脂 膜。若採用光敏樹脂膜，則可以採用正型膜或負型膜。 -15- (12) 1272556 (1 Ο )根據本發明的顯示裝置包含： ^ 形成在基底表面上的電晶體；以及 、 與電晶體連接的發光元件， 該電晶體包含 : 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； Φ 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的屏障層； 形成在屏障層上的整平層；以及 形成在整平層上的汲極電極， 該汲極電極構造成具有第一金屬膜和第二金屬膜的疊 層結構且包括部分第二金屬膜被清除以暴露第一金屬膜的 部分的疊層電極， 該發光元件包含： • 第一金屬膜被暴露的部分； 與第一金屬膜被暴露的部分接觸形成的發光構件；以 及 ， 經由發光構件面對第一金屬膜被暴露部分的相反電極 y 其中，經由形成在閘極絕緣膜和屏障層中的第一開口 以及形成在整平層中的第二開口，汲極電極與主動層連接 •16- (13) 1272556 (1 1 )根據本發明的顯示裝置包含： 形成在基底表面上的電晶體；以及 ^ 與電晶體連接的發光元件， ^ 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； • 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， 該汲極電極構造成具有第一金屬膜和第二金屬膜的疊 層結構且包括部分第二金屬膜被清除以暴露第一金屬膜的 部分的疊層電極， 該發光元件包含： 第一金屬膜被暴露的部分； ® 與第一金屬膜被暴露部分接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對第一金屬膜被暴露部分的相反電極 ^ 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面以及形成在絕緣層 . 中的開口的側表面。 (1 2 )根據本發明的顯示裝置包含·· 形成在基底表面上的電晶體；以及 與電晶體連接的發光元件， -17- (14) 1272556 該電晶體包含： 由半導體形成的主動層； 與主動層接觸形成的閘極絕緣膜； ^ 經由閘極絕緣膜面對主動層的閘極電極； 形成在主動層上的整平層； 形成在整平層上的屏障層；以及 形成在屏障層上的汲極電極， • 該汲極電極構造成具有第一金屬膜和第二金屬膜的疊 層結構且包括部分第二金屬膜被清除以暴露第一金屬膜@ 部分的疊層電極， 該發光元件包含： 第一金屬膜被暴露的部分； 與第一金屬膜被暴露部分接觸形成的發光構件；以及 經由發光構件面對第一金屬膜被暴露部分的相反電極 • 其中，經由形成在閘極絕緣膜、絕緣層、以及屏障層 中的開口，源電極和汲極電極與主動層連接，和 其中，屏障層覆蓋整平層的上表面。 - 注意，根據（1 0 ) - ( 1 2 )所述的結構，部分第二金 ， 屬膜被清除以暴露第一金屬部分處的第二金屬膜區域與第 二金屬膜的上表面之間的角度最好是鈍角。換言之，上述 意極藉由藉由蝕刻清除第二金屬膜而形成有關部分，且蝕 刻最好被執行成使被鈾刻的區域取錐形形狀。這是因爲， 只要第二金屬膜區域具有錐形形狀，則即使當發光構件內 -18- (15) 1272556 部産生的光在發光構件內橫向傳播時，也能夠被此區域反 射並有效地取出。根據（1 0 ) - ( 1 2 )所述的結構’沿橫 向發射的光被形成在疊層電極步階部分中的第二金屬膜的 斜坡反射，或聚集在那裏，從而增加了沿一定方向（光藉 由相反電極的方向）取出的發射光量。而且’爲此目的’ 發光構件的膜厚度最好小於第二金屬膜的厚度。 而且，除了部分第二金屬膜被清除以暴露第一金屬膜 處的部分之外，圖素部分被樹脂膜覆蓋。這是因爲利用樹 脂膜來對第二金屬膜進行蝕刻，致使部分第二金屬膜（被 清除的部分）之外的各個部分都被樹脂膜覆蓋。但樹脂膜 僅僅需要覆蓋圖素部分，並不總是要求樹脂膜保留在圖素 部分之外的部分（例如驅動電路部分）。而且’不言自明 ，用來向/從外部電路發射/接受訊號的端部分應該不被樹 脂膜覆蓋。 注意，第一金屬膜最好由諸如鈦膜或氮化鈦膜之類的 能夠用作發光元件陽極的金屬膜製成。第二金屬膜最好由 諸如鋁膜（包括被用於下列說明的鋁合金膜或加入有其他 元素的鋁膜）之類的顯示高反射率的金屬膜製成。在此例 子中，僅僅顯示由第一金屬膜和第二金屬膜組成的雙層結 構，但也可以採用包括二層或更多層的多層結構。 在本發明的上述各種結構中，用作屏障層的氮化矽膜 最好被形成儘可能精細。越精細則屏障性質越高。從而增 強對成分氣體的擴散阻擋效應。例如，當有機樹脂膜被用 作整平層時，能夠有效地抑制成分氣體或濕氣從其中到電 -19- (16) 1272556 晶體側或發光元件側的擴散。 而且，當用旋塗方法形成的無機絕緣膜（典型爲玻璃 上旋塗膜）也被用作整平層時，在控制成分氣體或濕氣的 擴散方面是更爲非常有效的。而且，S 0 G (玻璃上旋塗） 膜包括有機SOG膜和無機SOG膜。當考慮對本發明的應用 時’無機SOG膜由於放氣較少而是較佳的。無機S〇G膜的 較佳例子包括用旋塗方法形成的S i Ox膜、P S G (磷矽酸鹽 玻璃）膜、B S G (硼矽酸鹽玻璃）膜以及BP S G (硼磷矽酸 鹽玻璃）膜。具體地說，用Tokyo Ohka Kogyo公司製造的 〇CD系列來代表SOG膜，且不言自明，也可以採用其他已 知的SOG膜。 【實施方式】 〔實施例1〕 在本實施例中，將說明本發明的電致發光顯示裝置的 例子。圖1 A是電致發光顯示裝置的圖素的俯視圖（注意其 中顯示直至形成圖素電極的狀態），圖1 B是其電路圖，而 圖1C和1D各爲沿A-A’線或B-B’線的剖面圖。 如圖1 A和1 B所示，電致發光顯示裝置的圖素部分包括 被閘極線1 5 1、資料線1 52、以及電源線（用來供應恒定電 壓或恒定電流的接線）1 53環繞的排列成矩陣的多個圖素 。在各個圖素中，提供了當成開關元件的TFT 154 (以下 稱爲開關TFT )、用作供應電流或電壓以便産生發光元件 的光發射的裝置的TFT 155 (以下稱爲驅動TFT)、電容器 -20- (17) 1272556 部分1 5 6、以及發光元件1 5 7。雖然此處未示出，但能夠藉 由在圖素電極158上提供發光層而形成發光元件157。 注意，在本實施例中，具有多閘結構的η通道TFT被用 ^ 作開關TFT 154，而p通道TFT被用作驅動TFT 155。但發光 裝置的圖素結構不局限於此。於是，本發明能夠被應用於 任何已知的結構。 在圖1C的剖面圖中，顯示η通道TFT 154和電容器部分 • 1 5 6。參考號1 0 1表示基底，且能夠採用玻璃基底、陶瓷基 底、石英基底、矽基底、或塑膠基底（包括塑膠膜）。此 外，參考號102表示氮氧化矽膜，103表示氮氧化矽膜，二 者被層疊用作底膜。當然，本發明不局限於這些材料。而 且，η通道TFT 154的主動層被提供在氮氧化矽膜103上。 此主動層具有源區104、汲區105、LDD區106a-106d、以及 通道形成區l〇7a和107b。換言之，在源區104與汲區105之 間具有2個通道形成區和4個LDD區。 # 而且，η通道TFT 154的主動層被閘極絕緣膜108覆蓋 ，並在其上提供閘極電極（閘極電極層109 a和109b )和另 一個閘極電極（閘極電極層1 l〇a和1 10b )。在本實施例中 • ，氮氧化矽膜被用作閘極絕緣膜1 〇 8。當採用諸如相對介 電常數大的氮化鋁膜之類的上述氮化物絕緣膜時，能夠減 小元件佔據的面積。於是能夠改善整合度。 而且，氮化鉬膜被用於閘極電極層l〇9a和1 10a，而鎢 膜被用於閘極電極層l〇9b和1 10b。相對於這些金屬膜，選 擇比是高的。於是，藉由選擇蝕刻條件，能夠得到這種結 -21 - (18) 1272556 構。蝕刻條件最好參見根據本申請人的us 2 00 1 /003 03 22 〇 而且，氮化砂膜或氮氧化砂膜被提供作爲覆蓋閘極電 極的絕緣層1 1 1，並在其上提供氮化矽膜作爲屏障層11 2。 利用RF濺射方法，用氮化物和氬作爲濺射氣體，並用矽作 爲靶，來形成此氮化矽膜，致使能夠形成極爲精確的膜’ 從而能夠被用作屏障層。而且，在屏障層1 1 2上提供被整 平的無機絕緣膜作爲整平層1 1 3。在本實施例中，SOG ( 旋塗玻璃）膜或具有抛光表面的無機絕緣膜被用作被整平 的絕緣膜。 在此情況下，第一視窗被提供在由閛極絕緣膜1 08、 絕緣層1 1 1、以及屏障層1 1 2組成的疊層中的源區1 0 4和汲 區1 05上，並在整平層1 1 3上提供第二開口，以配合其中的 第一開口。利用下列二種方法之一，能夠得到這種結構， 此二種方法之一包含：開始時形成第一開口，立即用整平 層塡充第一開口，最後形成第二開口；另一種方法包含： 首先提供整平層，形成第二開□，然後用一個新的掩模在 第二開口中形成第一開口。但由於乾蝕刻方法較佳的用來 形成第一開口，故盡可能避免整平層1 1 3暴露於電漿是較 佳的。由此觀點，可以說前一種方法是較佳的。 替代的，閘極線1 5 1和連接接線（相當於汲極電極） 經由第一和第二開口被連接到源區1 04或汲區1 05。連接接 線1 1 4是連接到驅動TFT 1 5 5的閘極電極的接線。主要包含 諸如鋁或銅之類的低電阻金屬的接線，被夾在其他金屬膜 -22- (19) 1272556 或這些金屬的合金膜之間的結構被較佳的用於資料線1 5 2 和連接接線1 1 4。 • 而且，參考號1 15表示驅動TFT 155的與電源線153連 ^ 接的源區。此外，電源線1 5 3藉由絕緣層1 1 1和屏障層1 1 2 面對驅動TFT 155的閘極線1 16，致使形成儲存電容器156a 。而且，閘極線11 6藉由閘極絕緣膜1 〇 8面對半導體膜1 1 7 ，致使形成儲存電容器156b。由於電源線153與半導體層 φ 11 8連接，故從中供應電荷，致使半導體膜1 1 7用作電極。 於是，電容器部分1 5 6成爲這樣一種結構，其中儲存電容 器156a和15 6b被並聯連接，從而以非常小的面積得到大的 電容。而且，特別是對於儲存電容器1 56a，具有大的相對 介電常數的氮化矽膜被用作介質，致使能夠確保大電容。 由於儲存電容器1 5 6 a的介質由絕緣層11 1與屏障層1 1 2的疊 層結構組成，故出現針孔的機率極低。於是，能夠形成高 可靠性的電容器。 ® 當形成第一和第二視窗時，與習知情況相比，增加了 用於光微影技術中的掩模的數目。但當有利地利用掩模數 目的增加時，能夠如本實施例所述形成新的儲存電容器。 ^ 這一點也是本發明的一個重要特徵。本發明的特徵不止補 . 償了掩模數目增加引起的缺點，且非常有利於産業進步。 例如，當獲得高解析度影像顯示時，爲了改善孔徑比，要 求在顯示部分中相對於各個圖素的面積降低儲存電容器佔 據的面積。因此，對於增大儲存電容非常有用。 而且’在圖1D中，參考號119表示與汲極電極ι2〇連接 -23- 1272556 (20) 的驅動TFT 155的汲區。電極120與圖素電極ι58連接以組 成圖素。在本實施例中，對可見光透明的氧化物導電膜（ 典型爲ITO膜）被用作圖素電極158。但本發明不局限於這 種膜。此外，在形成汲極電極1 2 0之後來形成圖素電極1 5 8 ，致使圖素電極1 5 8與汲極電極1 2 0的頂部表面接觸，從而 成爲一種與汲極電極連接的結構。 圖2顯示發光元件1 5 7實際形成在具有上述圖素結構的 Φ 電致發光顯示裝置中之後的一個例子。圖2 A是對應於圖2 C 所示剖面的剖面圖，顯示發光元件1 5 7被形成在圖素電極 1 5 8上的情況。注意，當使用圖2 A所示的結構時，圖素電 極158g成發光兀件1 5 7的陽極。 如圖2 B所示，圖素電極1 5 8的端部被光敏有機樹脂膜 1 2 1覆蓋。光敏有機樹脂膜1 2 1被提供成網格形狀，以便將 各個圖素框起來，或按行單元或列單元被提供成條形。無 論在哪種情況下，當被形成在第一和第二開口中時，都能 • 夠有效地埋置一個凹陷部分，整個表面也可以齊平。注意 ，光敏有機樹脂膜可以是正型或負型。而且，也可以採用 已知的樹脂材料（包含色基的聚合物材料）。 ^ 而且，雖然圖中未示出，但若光敏有機樹脂膜1 2 1的 . 表面被氮化矽膜覆蓋，則能夠抑制從光敏有機樹脂膜放氣 。此外，在圖素電極1 5 8上，開口被提供在光敏有機樹脂 膜121上，在開口部分中，發光構件122與圖素電極158接 觸。發光構件122通常藉由層疊諸如發光層、載子注入層 、或載子傳送層之類的薄膜而組成。但就已經觀察到的光 -24- (21) 1272556 發射而言，也可以採用任何結構和材料。例如，也可以採 用作爲包含矽的有機系統材料的SAlq (其中3個Alq3配合 基代替了一個三苯矽烷醇）作爲電荷傳送層或電洞阻擋層 〇 當然，發光層不一定要僅僅由有機薄膜組成，也可以 採用有機薄膜與無機薄膜層疊的結構。可以採用聚合物薄 膜或單體薄膜。此外，根據採用聚合物薄膜或低分子薄膜 # 來改變形成方法。但最好用已知的方法來形成薄膜。 而且，在發光構件1 2 2上，形成經由發光構件1 2 2面對 圖素電極1 5 8的相反電極1 2 3 (此處爲陰極），並最後在其 上提供氮化矽膜作爲鈍化膜124。鈍化膜124的材料可以與 屏障層112相同。最好採用包含周期表1族或2族元素的金 屬薄膜作爲陰極124。考慮到電荷注入性質等，其中0.2%-1.5%重量比（最好是〇·5%-1.0 %重量比）的鋰被加入到鋁 的金屬膜是合適的。注意，若鋰被擴散，則涉及到TFT的 • 工作會受到影響。但根據本實施例，TFT被屏障層1 12完全 地保護，致使不必擔心鋰的擴散。 當採用圖2A和2B所示的結構時，從發光元件發射的光 - ，從基底1 〇 1經由圖素電極1 5 8發射。在此情況下，由於整 _ 平層1 1 3是透明的，故從發光元件發射的光能夠通過而不 成問題。 利用具有這種裝置結構的電致發光顯示裝置，降低了 電漿損傷的影響，使得有可能抑制電晶體臨界値電壓的變 化，從而得到均勻的顯示特性。 -25- (22) 1272556 〔實施例2〕 在本實施例中，將說明整平層和屏障層位置與實施例 1相反的裝置結構的例子。此實施例的其他結構與實施例1 的相同，因而可以參考實施例1的說明而獲得。因此，此 實施例的說明將集中於與實施例1不同之處。 圖3 A和3B分別對應於實施例1中的圖2A和2B。在這些 圖中，某些元件用與實施例1中相同的參考號來表示。在 本實施例中，整平層3 0 1被形成在絕緣層1 1 1上’而第二開 口被形成在整平層3 0 1上，然後形成屏障層3 0 2，以便覆蓋 整平層3 0 1的頂部表面以及第二開口的側表面（內壁表面 )。而且，在第二開口內部，對閘極絕緣膜1 〇 8、絕緣層 1 1 1、以及屏障層1 1 2進行蝕刻，以便形成第一開口。 利用本實施例的結構，整平層3 0 1能夠被絕緣層1 1 1和 屏障層3 0 2完全覆蓋，從而能夠藉由密封而完全防止從整 平層3 0 1的放氣。亦即，放氣成分既不擴散到發光元件側 ，也不擴散到電晶體側，致使能夠得到隨時間的退化受到 控制的高度可靠的顯示裝置。不言自明’與實施例1相似 ，降低了電漿損傷的影響，使得有可能抑制電晶體臨界値 電壓的變化，從而得到均勻的顯示特性。 〔實施例3〕 在本實施例中，將說明整平層和屏障層位置與實施例 1相反的裝置結構的例子。此實施例的其他結構與實施例1 -26 - (23) 1272556 的相同，因而可以參考實施例1的說明而得到。因此，此 實施例的說明將集中於與實施例1不同之處。 圖4A和4B分別對應於實施例1中的圖2A和2B。在這些 圖中，某些元件用與實施例1中相同的參考號來表示。在 本實施例中，整平層4 0 1被形成在絕緣層1 1 1上，並在其上 形成屏障層4 0 2，然後對屏障層3 0 2、整平層4 0 1、絕緣層 Π 1、以及閘極絕緣膜1 〇 8進行蝕刻，以便形成開口。 • 利用本實施例的結構，能夠抑制從整平層40 1的放氣 。亦即抑制放氣成分擴散到發光元件側和電晶體側，致使 能夠得到隨時間的退化受到控制的高度可靠的顯示裝置。 不言自明，與實施例1相似，降低了電漿損傷的影響，使 得有可能抑制電晶體臨界値電壓的變化，從而得到均勻的 顯示特性。 〔實施例4〕 除了舉例來說非光敏有機樹脂膜5 0 1 -5 03被用作覆蓋 圖素電極158端部的樹脂膜之外，圖5A-5 C所示這一實施例 採用了各對應於實施例1 -3的裝置結構。此實施例的其他 結構與實施例1 -3的相同，因而可以參考實施例1 -3的說明 而得到。因此，此實施例的說明將集中於與實施例1 -3不 同之處。 如圖2B、3B、4B所示，當採用光敏有機樹脂膜時， 上端部是彎曲的（具有曲率）’此結構在形成發光構件和 相反電極時有助於提高覆蓋性。但本發明可以不局限於此 -27- (24) 1272556 。如在本實施例中所述，可以毫無問題地採用非光敏有機 樹脂膜。而且，當覆蓋圖素電極端部的樹脂膜的上端部是 彎曲的（具有曲率）時，若清洗圖素電極1 5 8的表面，則 能夠防止任何外來材料（例如塵埃）殘留在其根部中。 注意’藉由對實施例1 _3的結構進行不損害其效果而 能夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。 〔實施例5〕 除了舉例來說改變了薄膜電晶體主動層的結構之外， 圖6 A - 6 C所示這一實施例採用了各對應於實施例1 - 3的裝置 結構。此實施例的其他結構與實施例1 -3的相同，因而可 以參考實施例1 -3的說明而得到。因此，此實施例的說明 將集中於與實施例1-3不同之處。 在圖6A中，薄膜電晶體的主動層包括源區6〇1和汲區 6 02，並在其間具有4個LDD (輕摻雜汲極）區和2個通道 形成區603和604。藉由組合2個LDD區：LDD區605a和605b ;LDD 區 606a 和 606b ; LD D 區 6 0 7 a 和 6 0 7 b ;以及 LDD 區 608 a和60 8b，各得到4個LDD區。這些成對的2個區被組合 當成LDD區。
例如，形成LDD區6 05 a以便重疊閘極電極，而形成 LDD區60 5b以便不重疊閘極電極。在此情況下，LDD區 6 0 5 a有助於抑制熱載子退化，而L D D區6 0 5 b有助於降低關 斷電流（也稱爲洩漏電流）。這些特性在本技術領域中是 衆所周知的，可以參見本發明申請人公開的US -28- (25) 1272556 2001/005584卜 注意，藉由對實施例1 -3的結構進行不損害其效果而 能夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且， ^ 本實施例能夠與實施例4組合。 〔實施例6〕 除了舉例來說改變了薄膜電晶體主動層及其閘極電極 # 的結構之外，圖7A-7C所示這一實施例採用了各對應於實 施例1 _3的裝置結構。此實施例的其他結構與實施例1 -3的 相同，因而可以參考實施例1 -3的說明而得到。因此，此 實施例的說明將集中於與實施例1 - 3不同之處。注意，圖 7 Α·7。的主動層和閘極電極的結構是相同的，致使僅僅對 圖7Α的結構進行說明。 在圖7Α中，薄膜電晶體的主動層具有源區701和汲區 702，並在其間具有4個LDD (輕摻雜汲極）區703a-703d以 Φ 及2個通道形成區704a和704b。而且，LDD區703 a-703 d的 特徵在於這些區域被形成於閘極電極705和7 06形成之前。 若以所述順序形成，則各個L D D區和閘極電極能夠被設計 • 成根據電晶體特性的指標而彼此重疊。因此，能夠使各個 w 電路的主動層結構不同。這些特性在本技術領域中是衆所 周知的，可以參見本發明申請人公開的USP 63 06694。 注意，藉由對實施例1 -3的結構進行不損害其效果而 能夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且， 本實施例能夠與實施例4和5組合。 -29- (26) 1272556 〔實施例7〕 除了舉例來說改變了發光元件的結構之外，圖8 A - 8 C 所示這一實施例採用了各對應於實施例1 -3的裝置結構。 此實施例的其他結構與實施例1 - 3的相同，因而可以參考 實施例1 - 3的說明而得到。因此，此實施例的說明將集中 於與實施例1- 3不同之處。注意，圖8 A - 8 C的裝置結構（除 了發光元件的結構之外）是相同的，致使僅僅對圖8A的結 構進行說明。 在圖8 A中，圖素電極8 0 1由用作陽極的由金、鉑、鈦 、氮化鈦、或鎢組成的金屬膜製成。如實施例1所述，在 圖素電極801上，形成發光構件122、當成陰極的相反電極 123、以及鈍化膜124。 注意，在本實施例中，顯示金屬膜被用於陽極的例子 ，但可以形成當成陰極的金屬膜來代替形成陽極8 0 1。用 作陰極的金屬膜可以由鋁（包括加入有周期表1族或2族元 素的鋁，典型爲鋁和鋰的合金）或鎂和銀的合金來形成。 在此情況下，雖然必須改變發光構件1 2 2的結構並在發光 構件1 22上形成透明電極作爲陽極，但二者都能夠利用已 知的結構來得到。 而且，在本實施例中，考慮到圖素電極用作陽極的事 實，驅動TFT的極性被設定爲p通道TFT，但當使圖素電極 用作陰極時，最好將驅動TFT的極性設定爲n通道TFT。 注意，藉由對實施例1 -3的結構進行不損害其效果而 -30- (27) 1272556 能夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且， 本實施例能夠與實施例4-6組合。 〔實施例8〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連接結構 之外，圖9A-9D所示這一實施例採用了各對應於實施例1的 裝置結構。此實施例的其他結構與實施例1的相同，因而 可以參考實施例1的說明而得到。因此，此實施例的說明 將集中於與實施例1不同之處。 圖9A所示的圖素電極901被與圖9D所示汲極電極902 的下表面接觸連接。亦即，在形成整平層1 1 3之後，可以 形成圖素電極90 1，隨之以形成汲極電極902，以便與圖素 電極9 0 1局部重疊。此處，形成圖素電極9 0 1和汲極電極 9 02的順序可以遵循各種方法，如下列二種方法所代表者 〇 第一種方法是，在形成整平層Π3之後，形成圖素電 極901，隨之以在整平層113中形成第一和第二開口，然後 形成汲極電極902。第二種方法是，在整平層113中形成第 一和第二開口之後，順序形成圖素電極90 1和汲極電極9〇2 。此順序可以由設計者適當地設定。 接著，圖1 0 A和1 0 B是進行到完成發光元件1 5 7的形成 時的對應於圖9C和9D的剖面圖。光敏有機樹脂膜1 2 1、發 光構件122、相反電極123、以及鈍化膜124的材料等，如 實施例1所述。 -31 - (28) 1272556 注意，藉由對實施例1的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例9〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連接結構 之外，圖1 1 A和1 1 B所示這一實施例採用了對應於實施例2 • 的裝置結構。此實施例的其他結構與實施例2的相同，因 而可以參考實施例2的說明而得到。而且，與實施例8相同 的說明可以應用於圖素電極與汲極電極之間的連接關係及 其形成順序。從實施例8的說明中，上述關係和順序是顯 而易見的。 注意，藉由對實施例2的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例1 〇〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連接結構 * 之外，圖12A和12B所示這一實施例採用了對應於實施例3 . 的裝置結構。此實施例的其他結構與實施例3的相同，因 而可以參考實施例3的說明而得到。而且，與實施例8相同 的說明可以應用於圖素電極與汲極電極之間的連接關係及 其形成順序。從實施例8的說明中，上述關係和順序是顯 而易見的。 -32- (29) 1272556 注意，藉由對實施例3的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例1 1〕 除了舉例來說改變了發光元件的結構之外，圖1 3 A-1 3 C所示這一實施例採用了對應於實施例8 -1 0的裝置結構 > 。此實施例的其他結構與實施例8-10的相同，因而可以參 考實施例8 -1 0的說明而得到。因此，本實施例將集中說明 與實施例8 -1 0的不同之處。注意，圖1 3 A -1 3 C的裝置結構 (除了發光元件的結構之外）是相同的，致使僅僅對圖 I3A的結構進行說明。 在圖13A中，圖素電極1301由用作陽極的由金、鉑、 鈦、氮化鈦、或鎢組成的金屬膜製成。如實施例1所述， 在圖素電極1301上，形成發光構件122、用作陰極的相反 > 電極123、以及鈍化膜124。 注意，在本實施例中，顯示金屬膜被用於陽極的例子 ，但可以形成用作陰極的金屬膜來代替形成陽極1 3 0 1。用 % 作陰極的金屬膜可以由鋁（包括加入有周期表1族或2族元 - 素的鋁，典型爲鋁和鋰的合金）或鎂和銀的合金來形成。 在此情況下，雖然必須改變發光構件1 22的結構並在發光 構件1 22上形成透明電極作爲陽極，但二者都能夠利用已 知的結構來得到。 而且，在本實施例中，考慮到圖素電極用作腸極的事 -33- (30) 1272556 實，驅動TFT的極性被設定爲P通道TFT，但當使圖素電極 用作陰極時，最好將驅動TFT的極性設定爲η通道TFT。 注意，藉由對實施例8 -1 〇的結構進行不損害其效果而 能夠得到相似效果的局部修正’得到了本實施例。而且’ 本實施例能夠與實施例4 - 6以及8 -1 0組合。 〔實施例1 2〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連接結構 之外，圖1 4 A - 1 4 D所示這一實施例採用了對應於實施例1的 裝置結構。此實施例的其他結構與實施例1的相同，因而 可以參考實施例1的說明而得到。因此，此實施例的說明 將集中於與實施例1不同之處。 如圖14A所示，在汲極電極120和電源線153上形成整 平層1401，並在整平層1401上形成圖素電極1402。亦即， 圖素電極1402經由汲極電極120與汲區119電連接，而不是 直接與汲極電極1 19連接。此時，絕緣層1 403可以由無機 絕緣膜或有機絕緣膜製成。不言自明，SOG膜等的整平層 被用作絕緣層1 403，這在改善平整度方面更爲有效。 接著，圖15A和15B是進行到完成發光元件157的形成 時的對應於圖1 4C和1 4D的剖面圖。光敏有機樹脂膜1 2 1、 發光構件122、相反電極123、以及鈍化膜124的材料等， 如實施例1所述。 注意，藉由對實施例1的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 -34- (31) 1272556 實施例能夠與實施例4 - 7組合。 〔實施例1 3〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連 之外，圖16A和16B所示這一實施例採用了對應於| 的裝置結構。此實施例的其他結構與實施例2的相 而可以參考實施例2的說明而得到。而且，與實施 同的說明可以應用於圖素電極與汲極電極之間的連 及其形成順序。從實施例1 2的說明中，上述關係和 顯而易見的。 注意，藉由對實施例2的結構進行不損害其效 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例1 4〕 除了舉例來說改變了圖素電極和汲極電極的連 之外，圖17A和17B所示這一實施例採用了對應於1 的裝置結構。此實施例的其他結構與實施例3的相 而可以參考實施例3的說明而得到。而且，與實施 同的說明可以應用於圖素電極與汲極電極之間的連 及其形成順序。從實施例1 2的說明中，上述關係和 顯而易見的。 注意，藉由對實施例3的結構進行不損害其效 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而 接結構 f施例2 同，因 例1 2相 接關係 順序是 果而能 且，本 接結構 【施例3 同，因 例12相 接關係 順序是 果而能 且，本 -35- (32) 1272556 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例1 5〕 除了舉例來說改變了發光元件的結構之外，圖1 8 A-1 8 C所示這一實施例採用了各對應於實施例12-14的裝置結 構。此實施例的其他結構與實施例1 2 -1 4的相同，因而可 以參考實施例1 2-1 4的說明而得到。因此，本實施例將集 中說明與實施例12-14的不同之處。注意，圖18A-18C的裝 置結構（除了發光元件的結構之外）是相同的，致使僅僅 對圖18A的結構進行說明。 在圖18A中，圖素電極1801由用作陽極的由金、鋁、 鈦、氮化鈦、或鎢組成的金屬膜製成。如實施例】所述， 在圖素電極1801上，形成發光構件122、用作陰極的相反 電極123、以及鈍化膜124。 注意，在本實施例中，顯示金屬膜被用於陽極的例子 ，但可以形成用作陰極的金屬膜來代替形成陽極1 8 0 1。用 作陰極的金屬膜可以由鋁（包括加入有周期表1族或2族元 素的鋁，典型爲鋁和鋰的合金）或鎂和銀的合金來形成。 在此情況下，雖然必須改變發光構件1 22的結構並在發光 構件1 22上形成透明電極作爲陽極，但二者都能夠利用已 知的結構來得到。 而且，在本實施例中，考慮到圖素電極用作陽極的事 實，驅動TFT的極性被設定爲p通道TFT，但當使圖素電極 用作陰極時，最好將驅動TFT的極性設定爲n通道TFT。 -36- (33) 1272556 注意，藉由對實施例1 2 -1 4的結構進行不損害其效果 而能夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且 ，本實施例能夠與實施例4-6以及12-14組合。 〔實施例1 6〕 除了舉例來說改變了圖素電極的結構之外，圖】9A和 1 9B所示這一實施例採用了對應於實施例1的裝置結構。此 實施例的其他結構與實施例1的相同，因而可以參考實施 例1的說明而得到。因此，本實施例將集中說明與實施例1 的不同之處。 首先，圖19A是CAD圖，顯示當採用本實施例的電極 結構時可用的圖素結構的例子。圖19B是圖19 A的CAD圖的 電路圖（圖中，5 1爲訊號線，5 2爲選擇閘極線，5 3爲電流 線，5 4爲電源線，5 5爲抹除閘極線，5 6爲電流閘極線，5 7 爲選擇電晶體，58爲驅動電晶體，59爲視頻訊號的Cs，60 爲抹除電晶體，61爲電流源電晶體，62爲輸入電晶體，63 爲保持電晶體，64爲電流源的Cs，65爲發光元件）。不言 自明，本實施例不局限於圖1 9 A和1 9 B所示的圖素結構。在 本實施例中，金屬膜被用於圖素電極，且光沿與基底相對 的方向取出。因此，能夠在圖素電極下方形成任何電路而 不降低開口比（有效顯示區對圖素區的比率），圖素因而 能夠單獨獲得各種功能。注意，圖19A和19B所示的圖素結 構是由本發明申請人在美國專利申請N 〇 . 1 0 / 2 4 5 7 1 1的說明 書中公開的，並由本發明的申請人提出作爲根據本發明的 -37- (34) 1272556 -一種新穎結構。 此處，參照圖2 0 A - 2 0 C來更具體地說明裝置的結構° 注意，薄膜電晶體的結構與實施例1中的相同，因而可以 參考實施例1的說明而得到。本實施例就形成在整平層113 上的資料線、汲極電極等的結構而言不同於實施例1 ° 如圖20入和208所示，在整平層113上，形成鈦膜11、 氮化鈦膜1 2、以及鋁膜1 3。藉由蝕刻，部分地清除鋁膜1 3 ，以便暴露氮化鈦膜1 2。用樹脂膜1 4作爲掩模來蝕刻鋁膜 1 3，且樹脂膜1 4還當成相似於實施例1中光敏有機樹脂膜 1 2 1原先的作用。亦即，形成樹脂膜1 4，以便覆蓋除了氮 化鈦膜1 2被暴露部分之外的上述元件。發光構件1 5被形成 與氮化鈦膜1 2被暴露部分接觸’並在其上形成相反電極1 6 和鈍化膜1 7。 圖20C是圖20B中虛線環繞的區域10的放大圖。如圖 2 0 C所示，鋁膜1 3的蝕刻剖面取錐形形狀，其角度爲3 0 - 6 0 度（最好是+5度）。亦即，鋁膜剖面與其上表面之間的角 爲鈍角。利用這一結構，從發光構件1 5發射的光被分成3 束光：直接射出的光（直射光）；被氮化鈦膜反射之後出 射的光（反射光）；以及沿發光構件1 5橫向傳播，然後被 鋁膜1 3的剖面反射之後射出的光（反射光）。結果，與習 知結構相比，可望提高出射光的效率。 注意，顯示當根據上述結構實際形成圖素電極時剖面 的TEM (透射電子顯微鏡）照片（圖24A )及其示意圖（ 圖24B )。如從圖中證實的那樣，鋁膜取錐形形狀，且氮 -38- (35) 1272556 化鈦膜被暴露。 而且，在本實施例中，鈦膜構成了最下層，以便能夠 與半導體製成的汲區形成歐姆接觸。能夠用作陽極的氮化 鈦膜（若對表面進行紫外線輻照，則功函數增大，此技術 因而是有效的）被形成在其上。而且，在頂部形成鋁膜作 爲反射電極，用來防止光洩漏，從而採用三層結構。但本 發明不局限於上述結構，爲此提供用作陽極的第一金屬膜 (對應於本實施例中的氮化鈦膜）以及用作反射電極的第 二金屬膜（對應於本實施例中的鋁膜）就足夠了。 注意，藉由對實施例1的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，無 須採用諸如ITO之類的氧化物導電膜，形成爲資料線等的 金屬膜被原樣用於陽極，從而減少了步驟數目。而且，本 實施例能夠與實施例4-6或實施例15 (作爲圖素電極1801 的替換）組合。 〔實施例1 7〕 除了舉例來說改變了圖素電極的結構之外，圖2 1 A和 2 1 B所示這一實施例採用了對應於實施例2的裝置結構。此 實施例的其他結構與實施例2的相同，因而可以參考實施 例2的說明而得到。而且，與實施例1 6相同的說明可以應 用於圖素電極的結構。從實施例1 6的說明中，上述結構是 顯而易見的。 注意，藉由對實施例2的結構進行不損害其效果而能 -39- (36) 1272556 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4-7和1 5組合。 〔實施例1 8〕 除了舉例來說改變了圖素電極的結構之外，圖2 2 A和 22B所示這一實施例採用了對應於實施例3的裝置結構。此 實施例的其他結構與實施例3的相同，因而可以參考實施 例3的說明而得到。而且，與實施例〗6相同的說明可以應 用於圖素電極的結構。從實施例1 6的說明中，上述結構是 顯而易見的。 注意’藉由對實施例3的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4 - 7和1 5組合。 〔實施例1 9〕 在本實施例中，圖23 A是實施例16的修正結構，其中 形成屏障層2 3，以便覆蓋驅動T F T 2 1的絕緣層2 2，並在其 上形成電源線24。而且，形成整平層25，以便覆蓋電源線 24。絕緣層22的膜厚度可以選擇爲0.3-1微米。藉由形成在 整平層25中的第二開口和形成在屏障層23下方各個絕緣層 中的第一開口，圖素電極被電連接到驅動TFT 2 1。從實施 例1 6的說明中，可見圖素電極和發光元件的結構。 圖2 3 B所示的結構被提出作爲屏障層被形成在不同於 圖2 3 A的位置處的例子，其特徵在於，形成屏障層以便覆 -40- (37) 1272556 蓋整平層2 5的上表面和第二開口的側表面。利用這一結構 ，整平層2 5能夠被絕緣層2 2和屏障層2 6密封，致使能夠進 一步抑制放氣的影響。 圖23C所示的結構涉及到圖23 A的結構與圖23B的結構 的組合。在此結構中’屏障層2 3被形成與整平層2 5的下表 面接觸，而屏障層1 6被形成與其上表面接觸。利用這一結 構，整平層2 5能夠被屏障層2 3和2 6密封，致使能夠進一步 抑制放氣的影響。 注意，藉由對實施例1 6的結構進行不損害其效果而能 夠得到相似效果的局部修正，得到了本實施例。而且，本 實施例能夠與實施例4-7組合。 〔實施例2 0〕 在本實施例中，顯示在實施例2的結構中使第一開口 的尺寸大於第二開口的尺寸的例子。換言之，在形成絕緣 層1 1 1之後，絕緣層1 1 1和閘極絕緣膜1 〇 8被蝕刻以形成第 一開口，並在其上形成整平層301。而且，整平層301被蝕 刻，以便在第一開口中形成第二開口，從而暴露主動層（ 源區104 )。在形成屏障層302以便覆蓋第二開口之後，在 第二開口底部處的部分屏障層3 02中，形成第三開口。因 此，資料線1 5 1經由第三開口被連接到源區1 〇4。 當採用本實施例的結構時，在蝕刻整平層3 0 1的過程 中，絕緣層1 1 1和閘極絕緣膜1 0 8不被暴露於蝕刻劑。特別 是當諸如SOG膜之類的無機絕緣膜被用於整平層301時’ -41 - (38) 1272556 由於絕緣層1 1 1和閘極絕緣膜1 08不必被蝕刻，故上述結構 是特別有效的。而且若採用S Ο G膜作爲整平層3 0 1，則有 可能避免出現來自整平層的濕氣引起接線材料侵鈾的現象 (稱爲中毒的通道）。 注意，本實施例不僅能夠與實施例1的結構組合，而 且能夠與實施例2-1 1以及16-1 8的結構組合。 〔實施例2 1〕 在本實施例中，顯示不同於實施例9的形狀的汲極電 極的蝕刻剖面形狀的例子。亦即，如圖2 6 A和2 6 B所示，作 爲本實施例的特徵，蝕刻剖面取反錐形的形狀。在圖26A 中，參考號3 1和3 2分別表示汲極電極和相鄰圖素的電源線 。圖26B是圖26A中虛線環繞的區域33的放大圖。 如圖26B所示，發光構件122發射的光被分成直射光、 被陰極123反射的反射光、以及被電源線32反射的反射光 。這些光能夠被觀察者識別。以這種方式，作爲本實施例 的效果，可提高光的射出效率。 注意，本實施例不僅能夠與實施例9的結構組合，而 且能夠與實施例4-6、8、以及10的結構組合。 〔實施例22〕 在本實施例中，顯示圖素電極的結構不同於實施例2 的結構的例子。亦即，如圖27 A所示，由第一金屬膜（最 好是鋁膜）41和第二金屬膜（最好是氮化鈦膜）42組成的 -42- (39) 1272556 層疊電極被形成作爲圖素電極。光敏有機樹脂1 2 1被形成 ，以便覆蓋其端部，其上形成氧化物導電膜（最好是ITO 膜）4 3。於是，最後確定的發光區域對應於氧化物導電膜 43與發光構件122之間的接觸部分。 而且，圖2 7B所示的結構被提出作爲一個例子，其中 在形成光敏有機樹脂膜1 2 1之後，形成第二金屬膜42，且 如圖27 A所示，氧化物導電膜43與第二金屬膜42被層疊。 在此情況下，最後確定的發光區域對應於第二金屬膜42與 氧化物導電膜43之間的接觸部分，且幾乎圖素中的整個區 域能夠被用作發光區域。 如上所述，根據本實施例，圖素區域能夠被有效地利 用，並能夠提高開口比率，從而得到高亮度顯示。而且， 用較少的功耗得到了與習知同樣高的亮度實現，致使能夠 提供局度可靠的顯示裝置。 注意，本實施例能夠在與實施例i-3所述的裝置結構 (圖素電極形成之前的結構）以及實施例4-6的結構的組 合中被實現。 〔實施例23〕 實施例1 -22所述的薄膜電晶體的結構都是頂閘結構（ 具體地說是平面結構）。但在各個實施例（除了實施例6 之外）中，也可以採用底閘結構（典型爲反交錯結構）。 而且’其應用不局限於薄膜電晶體，而可以由採用矽阱形 成的]V10S電晶體組成。 -43- (40) 1272556 〔實施例24〕 實施例1 - 2 2所示的顯示裝置各舉例說明了一種電致發 光顯示裝置。但裝置結構本身（形成圖素電極之前）相似 於用於液晶顯示裝置的裝置結構的情況。此外，此裝置結 構可以被應用於諸如液晶顯示裝置和場發射顯示裝置之類 的顯示裝置。 〔實施例2 5〕 在本實施例中，用圖28A-28D來說明應用了本發明的 整個電致發光顯示裝置的結構。圖28 A是藉由用密封材料 對其中形成薄膜電晶體的元件基底進行密封而形成的電致 發光顯示裝置的俯視圖。圖2 8 B是沿圖2 8 A中B - B，線的剖面 圖。圖28C是沿圖28A中A-A，線的剖面圖。 圖素部分（顯示部分）202、提供成環繞圖素部分202 的資料線驅動電路203、閘極線驅動電路2〇4a和204b、以 及保護電路205，都被置於一個基底201上，並提供密封材 料2 0 6來環繞所有部份。圖素部分2 0 2的結構最好參見實施 例1 - 2 3及其說明。作爲密封材料2 〇 6，可以採用玻璃材料 、金屬材料（典型爲不銹鋼材料）、陶瓷材料、或塑膠材 料（包括塑膠膜）。如實施例1 - 2 4所示，也可以僅僅用絕 緣膜來密封。此外’根據光從EL元件的輻射方向，必須採 用透明材料。 1¾ β材料2 0 6可以被供成與資料線驅動電路2 〇 3、閘 -44- (41) I2?2556 極線驅動電路2 Ο 4 a和2 Ο 4 b、以及保護電路2 Ο 5部分地重疊 。用密封材料2 0 6來提供封層材料2 0 7，致使由基底2 Ο 1、 担、封材料2 0 6、以及封層材料2 0 7形成一個封閉空間2 0 8。 乾燥劑（氧化鋇、氧化鈣之類）209被預先提供在封層材 料207的凹陷部分內，致使具有吸收濕氣、氧等以保持上 述封閉空間2 0 8內部氣氛純潔的功能，從而抑制E L層的退 化。用精細網格形狀的覆蓋材料2 1 0覆蓋凹陷部分。覆蓋 材料2 1 0使空氣和濕氣能夠通過其中，但乾燥劑2 〇 9不能通 過。注意，最好用諸如氮氣或氬氣之類的惰性氣體充滿封 閉的空間208，也可以用樹脂或惰性液體來充滿。 而且，在基底2Ό 1上提供用來將訊號傳輸到資料線驅 動電路203以及閘極線驅動電路204a和204b的輸入端部分 2 1 1。視頻訊號之類的資料訊號藉由FPC (柔性印刷電路） 2 1 2被傳送到輸入端部分2 1 1。如圖2 8 B所示，相關於輸入 端部分211的剖面，具有氧化物導電膜214被層疊在與閘極 線或資料線形成在一起的接線2 1 3上的結構的輸入接線， 經由導體2 1 6被分散於其中的樹脂2 1 7，被電連接到提供在 FPC 2 12側中的接線215。注意，導體21 6最好使用進行鍍 金或鍍銀技術的球形聚合物。 而且，圖28D顯示由圖28C中虛線環繞的區域218的放 大圖。保護電路205最好由薄膜電晶體21 9和電容器220的 組合構成，並可以對其適用任何已知的結構。本發明具有 這樣一種特點，即有可能形成電容器而不增加光微影步驟 的數目，同時能夠改善接觸孔。在本實施例中，利用此特 -45 - (42) 1272556 點形成了電容器220。注意，參見實施例1及其說明能夠理 解薄膜電晶體 2 1 9的結構和電容器2 2 0的結構，因此不再 贅述。 在本實施例中，保護電路205被提供在輸入端部分21 1 與資料線驅動電路2 03之間。當諸如意外的脈衝訊號之類 的靜電訊號被輸入其間時，保護電路將此訊號釋放到外部 。此時，暫態輸入的高壓訊號首先能夠被電容器220減弱 ，而其他高壓能夠藉由由薄膜電晶體和薄膜二極體組成的 電路被釋放到外部。當然，保護電路可以被提供在其他位 置，例如圖素部分202與資料線驅動電路203之間的位置或 圖素部分202與閘極線驅動電路204a和204b之間的位置。 如上所述，根據本實施例，當進行本發明時，顯示一 個例子，其中，同時形成了提供在輸入端部分中的用於靜 電措施的保護電路的電容器等。藉由與實施例1 - 2 3的任何 一種結構進行組合，能夠進行本實施例。 〔實施例26〕 在其顯示部分中採用本發明的顯示裝置的電子裝置的 例子有：視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器（頭戴式 顯示器）、導航系統、聲音再生裝置（汽車音響、音響元 件等）、膝上型電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（移動電 腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書等）、以及包括記 錄媒體的影像再生裝置（具體地說是能夠處理諸如數位萬 能碟盤（DVD )中的資料且具有能夠顯示資料影像的顯示 -46- (43) 1272556 器的裝置）。圖29 A-2 9 Η顯示其實際例子。 圖29Α顯示一種電視，它包含機殻2001、支座2002、 顯示部分2003、揚聲器單元2004、視頻輸入端2005等。本 發明被應用於顯示部分2003。術語電視包括用來顯示諸如 個人電腦的、接收電視廣播的、以及廣告的資訊的各種電 視。 圖2 9 Β顯示一種數位相機，它包含主體2 1 〇 1、顯示部 分2 1 0 2、影像接收單元2 1 0 3、操作鍵2 1 0 4、外部連接埠 2 105、快門21 06等。本發明被應用於顯示部分2102。 圖29C顯示一種膝上型電腦，它包含主體2201、機殼 2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接痺2205、滑鼠 22 06等。本發明被應用於顯示部分2203。 圖29D顯示一種移動電腦，它包含主體2301、顯示部 分2 3 0 2、開關2 3 0 3、操作鍵2 3 0 4、紅外線埠2 3 0 5等。本發 明被應用於顯示部分2302。 圖2 9Ε顯示配備有記錄媒體（具體地說是DVD碟盤） 的影像再生裝置。此裝置包含主體2401、機殼24 02、顯示 部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄媒體（例如DVD )讀 取單元2405、操作鍵2406、揚聲器單元2407等。顯示部分 A 2403主要顯示影像資訊，而顯示部分B 2404主要顯示文 本資訊。本發明被應用於顯示部分A 2403和B 2404。術語 配備有記錄媒體的影像再生裝置包括家用遊戲機。 圖29F顯示一種護目鏡型顯示器（頭戴式顯示器）， 它包含主體250 1、顯示部分25 02、以及鏡臂單元2 5 03。本 -47- (44) 1272556 發明被應用於顯示部分2 5 02。 Η 2 9 G顯不一種視頻相機，它包含主體2 6 〇 1、顯示部 分2602、機殼26〇3、外部連接埠26〇4、遙控接收單元26〇5 、影像接收單元2606、電池2607、聲音輸入單元26〇8、操 作鍵260 9等。本發明被應用於顯示部分26〇2。 圖29Η顯示一種行動電話，它包含主體27〇1、機殼 2702、顯示部分2703、聲音輸入單元2704、聲音輸出單元 2 7 0 5、操作鍵2 7 0 6、外部連接埠2 7 0 7、天線2 7 0 8等。本發 明被應用於顯示部分2703。若顯示部分2703在黑色背景上 顯示白色字元，則能夠降低行動電話的功耗。 如上所述，藉由實現本發明而得到的顯示裝置可以用 作任何電子裝置的顯示部分。本實施例的電子裝置可以採 用實施例1-25所示顯示裝置的任何一種結構。 結果，基於根據本發明的裝置結構形成了顯示裝置， 從而在其製造步驟中能夠降低電漿損傷的影響，能夠抑制 電晶體臨界値電壓的變化，並能夠得到具有均勻顯示特性 的顯示裝置。 【圖式簡單說明】 在附圖中· 圖1 1 D顯示顯示裝置的裝置結構之俯視圖、電路圖 、以及剖面圖； 圖2Α和2Β顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖3 Α和3 Β顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； -48- (45) 1272556 圖4 A和4 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖5 A - 5 C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖6A-6C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖7 A-7C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖8 A - 8 C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖9A-9D顯示顯示裝置的裝置結構之俯視圖、電路圖 、以及剖面圖； 圖10A和10B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖1 1 A和1 1B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖12A和12B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖13A-13C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖14A-14D顯示顯示裝置的裝置結構之俯視圖、電路 圖、以及剖面圖； 圖1 5 A和1 5 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖1 6A和1 6B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖17A和17B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖1 8 A -1 8 C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖19A和19B分別顯示顯示裝置的裝置結構之俯視圖和 電路圖； 圖2 0 A - 2 0 C顯示顯不裝置的裝置結構之剖面圖’ 圖2 1 A和2 1 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖2 2 A和2 2 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖2 3 A - 2 3 C顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖24A和24B顯示圖素電極結構的透射電子顯微鏡照片 -49- (46) 1272556 - 圖25A和258顯不顯示裝置的裝置結構之剖面圖； . 圖2 6 A和2 6 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖2 7 A和2 7 B顯示顯示裝置的裝置結構之剖面圖； 圖28A-28D顯示顯示裝置的外觀之俯視圖和剖面圖； 和 圖29 A-29H分別顯示電子裝置的例子。 【主要元件符號說明】 1 0 :區域 1 1 :鈦膜 1 2 :氮化鈦膜 1 3 :鋁膜 1 4 :樹脂膜 0 1 5 :發光構件 1 6 :相反電極 1 7 :鈍化膜
2 1:驅動T F T ^ 22 :絕緣層 * 2 3 :屏障層 2 4 :電源線 25 :整平層 26 :屏障層 3 1 :汲極電極 -50- (47) (47)1272556 3 2 :電源線 3 3 :區域 4 1 :第一金屬膜 42 :第二金屬膜 43 :氧化物導電膜 5 1 :訊號線 5 2 :選擇閘極線 5 3 :電流線 5 4 :電源線 5 5 .抹除闊極線 5 6 :電流閘極線 5 7 :選擇電晶體 5 8 :驅動電晶體 5 9 :訊頻訊號線的C s 6 0 :抹除電晶體 6 1 :電流源電晶體 62 :輸入電晶體 63 :保持電晶體 64 :電流源的Cs 6 5 :發光元件 101 :基底 1 0 2、1 0 3 :氮氧化砂膜 1 0 4 :源區 1 〇 5 :汲區 -51 (48) 1272556 1 06a-1 06d : LDD區 107a、107b:通道形成區 108 :閘極絕緣膜 10 9a、109b:閘極電極 1 1 0 a、1 1 0 b :閘極電極 1 1 1 :絕緣層 1 1 2 :屏障層
1 1 3 :整平層 1 1 4 :連接接線 1 1 5 :源區 1 1 6 :閘極接線 Π 7 :半導體膜 1 1 8 :半導體層 1 1 9 :汲區 1 2 0 :汲極電極 1 2 1 :光敏有機樹脂膜 122 :發光構件 1 2 3 :相反電極 124 :鈍化膜 1 5 1 :閘極線 1 5 2 :資料線 1 5 3 :電源線
154 :開關 TFT
15 5：馬區動丁 F T -52 (49) 1272556 1 5 6 :電容器部份 . 1 5 7 :發光元件 1 58 :圖素電極 201 :基底 202 :圖素部份 2 〇 3 :資料線驅動電路 2 0 4 a、2 0 4 b :闊極線驅動電路 ^ 2 0 5 :保護電路 2 0 6 :密封材料 2 0 7 :封層材料 2 0 8 :封閉空間 2 0 9 :乾燥劑 2 1 0 :覆蓋材料 2 1 1 :輸入端部份 212 ： FPC 2 1 3 :接線 2 1 4 :氧化物導電膜 2 1 5 :接線 ‘ 2 1 6 :導體 • 2 1 7 :樹脂 2 18:區域 2 1 9 :薄膜電晶體 2 2 0 :電容器 3 0 1、40 1 :整平層 -53- (50) 1272556 302、402:屏障層 5 0 1 -5 03 :非光敏有機樹脂膜 601:源區 6 0 2 .汲區 60 3 ： LDD 區 6 0 4 :通道形成區 605a、605 b ： LDD 區
606a、606b : LDD 區 607a、607b : LDD 區 60 8 a、60 8b ： LDD 區 7 0 1 :源區 7 0 2 :汲區 7 03 a-703 d : LDD區 704a、704b ：通道形成區 7 0 5、7 0 6 :閘極電極 8 0 1 :圖素電極 9 0 1 :圖素電極 9 0 2 :汲極電極 1301 :圖素電極 1 4 0 1 :整平層 1 4 0 2 :圖素電極 1 4 0 3 :絕緣層 18 0 1 ：圖素電極 200 1 :機殼 -54- (51) 1272556 2002 :支座 2003 ：顯示部份 2004 :揚聲器單元 2 0 0 5:視頻輸入端 2 10 1：主體 2 102 :顯示部份 2 1 0 3 :影像接收單元
2 1 0 4 :操作鍵 2 1 0 5 :外部連接埠 2 106：快門 220 1 :主體 2202 :機殼 2203 :顯示部份 2 2 0 4 :鍵盤 220 5 ：外部連接埠 2206 :滑鼠 23 0 1 :主體 2302 :顯示部份 2 3 0 3 :開關 23 04 :操作鍵 2 3 0 5 :紅外線埠 2401 :主體 2402 :機殼
2 4 0 3 :顯示部份A -55- (52)1272556 2404 ： 2405 ： 24 06 ： 2407 ： 2 5 0 1 ： 2 5 02 ： 2 5 03 ··
2602 ： 2603 ： 2604 ： 2605 ： 2606 ： 2607 ： 2 60 8 ：
2609 ： 270 1 ： 2702 ： 2703 ： 2704 ： 2705 ： 2706 ： 2707 ： 2 7 08 : 顯示部份B 記錄媒體讀取單元 操作鍵 揚聲器單元 主體 顯示部份 鏡臂單元 主體 顯示部份 機殻 外部連接埠 遙控接收單元 影像接收單元 電池 聲音輸入單元 操作鍵 主體 機殼 顯示部份 聲音輸入單元 聲音輸出單元 操作鍵 外部連接埠 天線 -56

Claims (1)

  1. (1) 1272556 十、申請專利範圍 1 · 一種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 ， 形成在閘極電極上的一屏障層； 形成在屏障層上的一整平層； 形成在整平層上的一電極，其中該電極電連接至半導 體膜； 形成在整平層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 接至該電極； 形成在整平層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋圖素 電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 2.—種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 形成在閘極電極上的一整平層； 形成在整平層上的一屏障層； 形成在屏障層上的一電極，其中該電極電連接至半導 體膜； 形成在屏障層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 接至該電極； -57- (2) 1272556 形成在屏障層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋圖素 電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 3.—種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 9 • 形成在閘極電極上的一屏障層； 形成在屏障層上的一絕緣層； 形成在絕緣層上的一電極，其中該電極電連接至半導 體膜； 形成在電極和絕緣層上的一整平層； 形成在整平層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 接至該電極； 形成在整平層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋圖素 I 電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 4· 一種顯示裝置，包含： ^ 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 - 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 9 形成在閘極電極上的一絕緣層； 形成在絕緣層上的一屏障層上； 形成在屏障層上的一電極，其中該電極電連接至半導 -58- (3) 1272556 體膜； 形成在電極和屏障層上的一整平層； 形成在整平層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 ^ 接至該電極； 形成在整平層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋圖素 電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 _ 5 · —種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 形成在閘極電極上的一屛障層； 形成在屏障層上的一整平層； 形成在整平層上的一電極，其中該電極經由在屏障層 和整平層中開口的一接觸孔而電連接至半導體膜； ® 形成在整平層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 接至該電極； 形成在整平層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋接觸 • 孔和圖素電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓 • 的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 6.—種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 -59- (4) 1272556 形成在閘極電極上的一整平層； 形成在整平層上的一屏障層； 形成在屏障層上的一電極，其中該電極經由在屏障層 和整平層中開口的一接觸孔而電連接至半導體膜； 形成在屏障層上的一圖素電極，其中該圖素電極電連 接至該電極； 形成在屏障層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋接觸 孔和圖素電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓 的；和 形成在圖素電極上的發光構件。 7 . —種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 j 形成在閘極電極上的一絕緣層； 形成在絕緣層上的一屏障層； 形成在屏障層上的一整平層； 形成在整平層上的一電極，其中該電極經由在整平層 、屏障層、和絕緣層中開口的一接觸孔而電連接至半導體 膜； 形成在整平層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋接觸 孔和電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的； 和 -60- (5) 1272556 形成在電極上的發光構件。 8 . —種顯示裝置，包含： 形成在一基底上的一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體 包含一半導體膜和一閘極電極，而一閘極絕緣膜***其間 形成在閘極電極上的一絕緣層； 形成在絕緣層上的一整平層； 形成在整平層上的一屏障層； 形成在屏障層上的一電極，其中該電極經由在整平層 、屏障層、和絕緣層中開口的一接觸孔而電連接至半導體 膜； 形成在屏障層上的一樹脂膜，其中該樹脂膜覆蓋接觸 孔和電極的一部份，和其中該樹脂膜的側表面是削圓的； 和 形成在電極上的發光構件。 9.如申請專利範圍第1-8項任一項之顯示裝置，其中該 屏障層包含氮化5夕。 1 〇 ·如申請專利範圍第1 - 8項任一項之顯示裝置，其中 該整平層包含以旋塗方法形成的無機絕緣膜。 1 1 ·如申請專利範圍第1 - 8項任一項之顯示裝置，其中 該整平層包含藉由拋光方法所勻平的無機絕緣膜。 1 2 ·如申請專利範圍第3、4、7、和8項任一項之顯示 裝置，其中該絕緣層包含有機絕緣膜或無機絕緣膜。 1 3 ·如申請專利範圍第1 - 6項任一項之顯示裝置，其中 -61 - (6) 1272556 該圖素電極包含氧化物導電膜。 14.如申請專利範圍第1-6項任一項之顯示裝置，其中 該圖素電極包含金屬膜。 1 5 .如申請專利範圍第1 - 8項任一項之顯示裝置，其中 該發光元件包含有機化合物或無機化合物。 16.如申請專利範圍第1-8項任一項之顯示裝置，其中 該顯示裝置被組合在選自由電視、數位相機、個人電腦、 移動電腦、影像再生裝置、護目鏡型顯示器、視頻相機、 和行動電話的組中的至少一種中。
    -62-
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