JP2003017273A

JP2003017273A - 表示装置および表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003017273A
Application number: JP2001204407A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Nakayama; 徹生中山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-07-05
Filing date: 2001-07-05
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】高輝度表示が可能な表示装置およびその製造
方法を提供する。【解決手段】光反射材料からなる第１電極２０１と、
光透過性材料からなる第２電極１０８と、これらの第１
電極２０１及び第２電極１０８間に挟持された有機ＥＬ
層１０７とを備えた表示装置において、有機ＥＬ層１０
７の周囲には、有機ＥＬ層１０７で生じた発光光ｈを第
２電極２０１側に反射するための反射壁面２０２が設け
られている。この反射壁面２０２は、凹状に形成された
第１電極２０１の内周壁として構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置および表
示装置の製造方法に関し、特には電極間に発光層を挟持
してなる表示装置および表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機材料のエレクトロルミネッセンス(e
lectroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機
ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な
発光素子として注目されている。図５には、有機ＥＬ素
子のエネルギーバンド図を示す。この図に示すように、
有機ＥＬ素子はキャリア注入型の電界発光素子であり、
仕事関数の異なる陽極５０１と陰極５０３との間に、有
機ＥＬ層５０５を挟持してなる。有機ＥＬ層５０５は、
キャリア輸送性の異なる複数層からなり、例えば陽極５
０１側から、正孔輸送層５０５ａ、発光層５０５ｂ及び
電子輸送層５０５ｃを薄く堆積させてなる場合や、正孔
輸送層が発光層を兼ねる場合、さらには電子輸送層が発
光層を兼ねる場合もあり、少なくとも発光層を有した状
態で設計に応じて様々な形態で作製される。

【０００３】このような有機ＥＬ素子の発光過程は、陽
極５０１から注入された正孔と、陰極５０３から注入さ
れた電子とが、発光層５０５ｂにおいて再結合し、この
再結合に伴って励起子が生成され、この励起子が失活す
る際に光が放出される。

【０００４】図６は、上述の有機ＥＬ素子を用いた表示
装置の一例を示す要部断面図である。この図に示す表示
装置は、各画素に薄膜トランジスタ（thin film transi
stor：以下ＴＦＴと記す）が設けられたアクティブマト
リックス型の表示装置であり、支持基板１０１上にはＴ
ＦＴ（図示省略）が形成されたＴＦＴ層１０２が設けら
れている。そして、このＴＦＴ層１０２を覆う状態で形
成された平坦化絶縁膜１０３上に、有機ＥＬ素子の陽極
または陰極（ここでは例えば陽極）となる第１電極１０
４が形成されている。この第１電極１０４は、光反射性
を有する導電膜を画素毎にパターニングしてなり、平坦
化絶縁膜１０３に形成されたコンタクトホール（図示省
略）を介してＴＦＴの電源と接続されている。

【０００５】また、各第１電極１０４の周縁部分を覆う
状態で、平坦化絶縁膜１０３上に絶縁膜１０５がパター
ン形成されている。この絶縁膜１０５は、例えば酸化シ
リコンのような透明材料からなり、第１電極１０４表面
の発光に寄与する部分のみを露出させる開口部１０５ａ
が形成されている。そして、絶縁膜１０５の開口部１０
５ａから露出する第１電極１０４上には、有機ＥＬ層１
０７が設けられている。この有機ＥＬ層１０７は、端縁
を絶縁膜１０５の開口縁部分上に重ねた状態にして設け
ることで、絶縁膜１０５の開口部１０５ａから露出する
第１電極１０４を完全に覆う様に設けられる。尚、ここ
での図示は省略したが、図５を用いて説明したように、
有機ＥＬ層１０７は、少なくとも発光層を含む複数の層
で構成されることになる。また、この有機ＥＬ層１０７
は、基板１０１の上方に配置したマスク上からの蒸着に
よって形成される。

【０００６】そして、この有機ＥＬ層１０７を覆う状態
で、基板１０１の上方に陽極または陰極（ここでは例え
ば陰極）となる第２電極１０８が形成されている。この
第２電極１０８は、光透過性を有する導電性材料からな
り、画素に共通の電極としてベタ膜状に形成されると共
に、絶縁膜１０５および有機ＥＬ層１０７によって第１
電極１０４との間の絶縁性が確保されている。

【０００７】このように構成された表示装置６において
は、第２電極１０８に電圧を印加し、さらにＴＦＴ層１
０２に形成されたＴＦＴの駆動によって各画素の第１電
極１０４に電圧を印加することによって、ＴＦＴで選択
された各画素の有機ＥＬ層１０７で発光光ｈが生じ、こ
の発光光ｈが光透過性材料からなる第２電極１０８側か
ら取り出されることになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した構
成の表示装置６に設けられている有機ＥＬ素子において
は、有機ＥＬ層１０７中の発光層における電子と正孔と
の再結合によって一重項励起子と三重項励起子とが発生
するが、このうち発光に寄与する一重項励起子の生成効
率、すなわち注入された電荷に対する内部量子効率は２
５％程度である。また、発光層において生成された発光
光ｈは、全方向に等方的に放出される。このため、上述
したように絶縁膜１０５が透明材料からなる場合には、
図中鎖線矢印に示すように有機ＥＬ層１０７の面方向に
平行に放出された発光光ｈ’は、そのまま有機ＥＬ層１
０７の周囲に配置された絶縁膜１０５中に侵入して漏れ
光となる。したがって、発光層において生成された発光
光ｈ，ｈ’のうち、実際の外部に放出されて表示に寄与
する発光光ｈの取り出し効率（いわゆる外部量子効率）
は２０％程度である。つまり、有機ＥＬ素子を用いた表
示装置においては、電荷の注入に対する量子効率は５％
程度にすぎない。

【０００９】このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置
において、輝度の向上を図るためには、電極間に流す電
流を大きくすることで一重項励起子の生成量を増加させ
ることが有効になる。しかし、有機ＥＬ素子に流す電流
値を大きくするほど、有機ＥＬ層１０７の劣化が速めら
れ、表示装置の寿命が短くなると言った問題が発生す
る。

【００１０】そこで本発明は、電流値を増加させること
なく発光光の取り出し効率（外部量子効率）の向上を図
り、これによって表示装置の寿命を確保しつつ輝度の向
上を図ることが可能な表示装置およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るための本発明の表示装置は、光反射材料からなる第１
電極と、光透過性材料からなる第２電極と、これらの第
１電極及び第２電極間に挟持された発光層とを備えた表
示装置において、発光層の周囲に、この発光層で生じた
光を第２電極側に反射するための反射壁面を設けたこと
を特徴としている。この反射壁面は、第１電極の一部と
して構成されていることとする。

【００１２】このような構成の表示装置では、発光層で
生じて全方向に放出される発光光のうち、当該発光層の
面方向に放出された光は、発光層の周囲に配置された反
射壁面で第２電極側に反射されるようになる。このた
め、上述した方向に放出された発光光は、第２電極側に
放出された発光光や、光反射材料からなる第１電極側に
放出されて当該第１電極で反射された発光光と共に、光
透過性材料からなる第２電極側から取り出されることに
なる。したがって、発光層で生じた発光光の第２電極側
からの取り出し効率（外部量子効率）が向上する。

【００１３】また本発明は、このような表示装置の製造
方法でもあり、光反射性材料からなる第１電極の表面に
順テーパ形状の内周面を有する凹部を形成し、この第１
電極の凹部内に発光層を形成し、この発光層上に第１電
極との間の絶縁性を保った状態で光透過性材料からなる
第２電極を形成することを特徴としている。第１電極に
凹部を形成する際には、レジストパターンをマスクにし
て当該第１電極を等方的にエッチングすることとする。

【００１４】このような製造方法では、第１電極の凹部
内に発光層を形成するため、発光層の周囲には、第１電
極の側周壁の内周面が配置されることになる。この内周
面は、順テーパ形状であるため、発光層上に形成された
第２電極側に向けられることになる。また、第１電極
は、光反射性材料からなるため、この内周面は、発光層
で生じた光を第２電極側に反射するための反射壁面とな
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の表示装置の製造方
法および表示装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に
説明する。尚、本実施形態においては、一例として、図
１に示すように、支持基板１０１上に発光素子として有
機ＥＬ素子が配列形成され、有機ＥＬ素子が形成された
各発光部１ａからの発光光ｈを支持基板１０１とは反対
側から取り出す上面発光方式の表示装置のうち、特に各
発光部１ａが配置された画素毎にＴＦＴを設けたアクテ
ィブマトリックス型の駆動方式の表示装置に本発明を適
用した場合を説明する。しかし、本発明は、発光素子と
して有機ＥＬ素子を用いたものに限定されることはな
く、例えば無機電界発光素子のような自発光型の発光素
子を用いた表示装置に広く適用可能である。また、表示
方式も上面発光方式に限定されず、支持基板１０１側か
ら発光光を取り出す透過方式でも良く、さらに駆動方式
もアクティブマトリック方式に限定されることはなく、
パッシブ方式でも良い。

【００１６】また、説明に用いる各図においては、この
発明を理解できる程度に、その寸法、形状及び配置関係
を概略的に示しており、同様の構成成分については同一
の番号を付けて示し、その重複する説明を省略する。さ
らに、以下の説明中で挙げる使用材料及びその量、処理
時間、処理温度、膜厚などの数値的条件は、この発明の
範囲内の好適例に過ぎない。従って、この出願による発
明は、これら条件にのみ限定されるものではない。

【００１７】図２は、本発明の表示装置の一例を示す要
部概略断面図であり、図３は図２の要部拡大断面図であ
る。尚、これらの図に示す表示装置１において、図６を
用いて説明した従来の表示装置と同様の構成要素には同
一の符号を付し、重複する説明は省略する。

【００１８】これらの図に示す表示装置１と、図６を用
いて説明した従来の表示装置との異なるところは、第１
電極２０１の形状にあり、その他の構成要素は従来の表
示装置と同様であることとする。

【００１９】第１電極２０１は、光反射材料膜を画素毎
にパターニングしてなり、特にその周縁部分が全周に亘
って支持基板１０１と反対側に突出する側壁形状に成形
されている。つまり、第１電極２０１は、側周壁部分を
有する凹状に成形されている。また、第１電極２０１の
側周壁部分の内周面は、第１電極２０１の凹状の開口幅
がその底部に向かって徐々に狭められるような順テーパ
形状に成形され、反射壁面２０２として構成されてい
る。尚、第１電極２０１の周縁部分は、全周に亘って支
持基板１０１と反対側に突出する側壁形状に成形されて
いることが好ましいが、これに限定されることなく、一
部の周縁が支持基板１０１と反対側に突出する側壁形状
に成形されていても良い。

【００２０】また、この第１電極２０１を構成する光反
射性材料としては、クロム（Ｃｒ）、等を好適に用いる
ことができる。そして、この第１電極２０１が陽極とし
て用いられる場合には、このような光反射性材料のうち
仕事関数が高い材料が選択され、第１電極２０１が陰極
として用いられる場合には、仕事関数の低い材料が選択
されることになる。

【００２１】このように成形された第１電極２０１の周
囲を覆う絶縁膜１０５は、例えば第１電極２０１の側周
壁部分を含む当該第１電極２０１の周縁を覆うと共に、
凹状の第１電極２０１の底部を露出させる開口部１０５
ａを備えている。尚、好ましくは、開口部１０５ａの底
部側の開口縁が、第１電極２０１の凹状底部に達してい
ることとする。これにより、次に説明する有機ＥＬ層１
０７の端縁が絶縁膜１０５の端縁上に途切れることなく
重ねられ易くなる。

【００２２】そして、この開口部１０５ａから露出する
第１電極２０１上に、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ
層１０７が設けられている。つまり、この有機ＥＬ層１
０７を囲む状態で、第１電極２０１の側周壁部分の内周
面で構成される反射壁面２０２が配置されることにな
る。尚、上述したように、この有機ＥＬ層１０７は、そ
の端縁が絶縁膜１０５の端縁上に重ねられた状態で設け
られていることとする。

【００２３】また、以上のような第１電極２０２が設け
られた支持基板１０１上に、絶縁膜１０５および有機膜
１０７によって、第１電極２０２との絶縁性が確保され
た状態で、光透過性材料からなる第２電極１０８が設け
られている。この第２電極１０８を構成する光透過性材
料としては、例えばこの第２電極１０８が陰極として用
いられる場合には、Ｍｇ−Ａｇ（マグネシウム−銀）の
ような仕事関数の低い材料が選択され、第２電極１０８
が陽極として用いられる場合には、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）のような仕事関数の高い材料が選択される。

【００２４】ここで、第１電極２０１の反射壁面２０２
のテーパ形状は、有機ＥＬ層１０７で発生してこの反射
面２０２に入射された発光光を、第２電極１０８側に反
射するような角度に成形されていることとする。また、
有機ＥＬ層１０７で発生して有機ＥＬ層１０７の面方向
に放出された発光光ｈが、有効に第２電極１０８側に反
射されるように、反射壁面２０２の高さｔ１は、有機Ｅ
Ｌ層１０７の膜厚ｔ２と同程度かそれよりも大きいこと
とする。例えば有機ＥＬ層１０７の膜厚ｔ２が１００ｎ
ｍ程度である場合、反射壁面２０２の高さｔ１は１００
ｎｍ以上に設定され、ここでは一例として２００ｎｍに
設定されていることとする。

【００２５】尚、反射壁面２０２のテーパ形状が、第１
電極材料を上方から等方的にエッチングすることで得ら
れた形状である場合、反射壁面２０２のテーパ角度は一
定ではなく深さ方向で変化する。このため、反射壁面２
０２の高さｔ１を適切に選択することで、有機ＥＬ層１
０７で発生して有機ＥＬ層１０７の面方向に放出された
発光光ｈが、有効に第２電極１０８側に反射されるよう
に設定することとする。

【００２６】このような構成の表示装置１においては、
第１電極２０１と第２電極１０８とで有機ＥＬ層１０７
を直接挟持している部分が発光部１ａとなる。そして、
この表示装置１では、有機ＥＬ層１０７の発光層（図示
省略）で生じて全方向に放出される発光光ｈ、ｈ’のう
ち、図３中鎖線で示すように有機ＥＬ層１０７の面方向
と平行に放出された光ｈ’は、有機ＥＬ層１０７の周囲
に配置された反射壁面２０２で第２電極１０８側に反射
されるようになる。このため、上述した方向に放出され
た発光光ｈ’は、第２電極１０８側に放出された発光光
ｈや、光反射材料からなる第１電極２０１側に放出され
て第１電極２０１で反射された発光光ｈと共に、光透過
性材料からなる第２電極１０８から取り出されることに
なる。したがって、反射壁面２０２が設けられていない
表示装置と比較して、有機ＥＬ層１０７の発光層で生じ
た発光光ｈ，ｈ’の第２電極１０８側からの取り出し効
率（外部量子効率）を向上させることが可能になる。

【００２７】特に、画素毎にパターニングされた第１電
極２０１の周縁部分が、全周に亘って支持基板１０１と
反対側に突出させた側壁形状に成形されている場合に
は、有機ＥＬ層１０７の面方向の全方向に放出された光
ｈ’が第２電極１０８側に反射されることになるため、
有機ＥＬ層１０７の発光層で生じた発光光ｈ、ｈ’を最
も有効に第２電極１０８側から取り出すことが可能にな
る。

【００２８】以上の結果、電流値を上昇させることな
く、すなわち有機ＥＬ層の劣化を早めることなく、より
高輝度の表示を行うことが可能になる。また、より低い
電流値での駆動によってある程度の輝度を確保すること
が可能になるため、有機ＥＬ層の劣化を抑えることがで
き、表示装置の長寿命化を達成することが可能になる。

【００２９】次に、これらの図２および図３を用いて説
明した構成の表示装置の製造手順を、本発明の表示装置
の製造方法の一例として説明する。

【００３０】まず、図４（１）に示すように、例えば石
英ガラスからなる支持基板１０１上に、ここでの図示を
省略したＴＦＴを形成してなるＴＦＴ層１０２を設け、
このＴＦＴ層１０２の上部を平坦化絶縁膜１０３で覆
う。次いで、レジストを塗布し、露光・現像するリソグ
ラフィ法によって形成したレジストパターンをマスクに
用いて平坦化絶縁膜１０３をエッチングし、ここでの図
示を省略したコンタクトホールを、各画素に設けられた
ＴＦＴに達する状態で平坦化絶縁膜１０３に形成する。

【００３１】その後、この平坦化絶縁膜１０３上に、陽
極または陰極となる第１電極を形成するための導電膜２
０１ａを形成する。ここでは、第１電極を陽極として構
成することとし、例えばＣｒ（クロム）膜等のように仕
事関数が高く、光反射性を有する材料からなる導電膜２
０１ａを成膜する。この導電膜２０１は、例えばスパッ
タリング法によって成膜される。また、導電膜２０１ａ
の膜厚ｔ３は、第１電極として必要な膜厚と、この第１
電極の一部として構成される反射壁面として必要な高さ
とを合わせた値に設定され、ここでは、例えば３００ｎ
ｍの膜厚に設定されることとする。

【００３２】次いで、この導電膜２０１ａ上に、リソグ
ラフィ法によりレジストパターン（図示省略）を形成す
る。そして、このレジストパターンをマスクに用いたエ
ッチングによって、導電膜２０１ａをパターニングす
る。この際、各導電膜２０１ａは、各画素形状にパター
ニングされ、同様に各画素に設けられたＴＦＴに対し
て、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクトホール
（図示省略）を介してそれぞれが接続される状態で形成
されることとする。

【００３３】次に、図４（２）に示すように、導電膜２
０１ａがパターン形成された支持基板１０１上に、リソ
グラフィ工程によりレジストパターン３０１を形成す
る。このレジストパターン３０１は、導電膜２０１ａの
周縁を覆うと共に、導電膜２０１ａ上に導電膜２０１ａ
よりも一回り小さい形状の開口部３０１ａを有している
こととする。

【００３４】その後、図４（３）に示すように、レジス
トパターン３０１をマスクにして、導電膜２０１ａを等
方的にエッチングする。この際、導電膜２０１ａの膜厚
ｔ３よりもエッチング深さが浅くなるように、すなわち
エッチング底面に導電膜２０１ａを残すハーフエッチン
グを行う。ここでは、エッチング深さを２００ｎｍ程度
とし、エッチング底部に膜厚１００ｎｍの導電膜２０１
ａを残すこととする。

【００３５】以上のような等方的なエッチングによっ
て、導電膜２０１ａの上面側に凹部を設けた凹状の第１
電極２０１を得る。この第１電極２０１は、周縁を全周
に亘って上方に突出させた側壁部分を備え、この側壁部
分の内周面が順テーパ形状の反射壁面２０２となる。

【００３６】尚、この等方的なエッチングは、導電膜２
０１ａのエッチング表面、すなわち第１電極２０１の表
面に対してエッチングダメージが加わることを小さく抑
えるため、ウェットエッチングを行うことが好ましい。
このためここでは、例えばエッチング溶液に三洋化成工
業（株）製「ＥＴＣＨ−１」（商品名）を用い、Ｃｒか
らなる導電膜２０１ａをウェットエッチングする。

【００３７】以上の後、図４（４）に示すように、第１
電極２０１が形成された支持基板１０１上に、絶縁膜１
０５をパターン形成する。この絶縁膜１０５は、例えば
酸化シリコン（ＳｉＯ₂）からなり、第１電極２０１の
反射壁面２０２を含む第１電極２０１の周縁を覆うと共
に、第１電極２０１の底面部分を露出させる開口部１０
５ａを備えていることとする。

【００３８】このような形状の絶縁膜１０５を形成する
場合には、先ず、ＣＶＤ(chemicalvapor deposition）
法によって、支持基板１０１の上方に８００ｎｍの膜厚
の酸化シリコンからなる絶縁膜１０５を成膜する。尚、
絶縁膜１０５の膜厚は、絶縁膜１０５を構成する材料に
よって、第１電極２０１と以降に説明する第２電極との
絶縁性が十分に確保できる値が適宜選択されることとす
る。

【００３９】次に、絶縁膜１０５上に、リソグラフィ法
によってここでの図示を省略したレジストパターンを形
成する。その後、このレジストパターンをマスクに用い
て絶縁膜１０５を等方的にエッチングする。このエッチ
ングは、第１電極２０１に対してエッチングのダメージ
が加わることを小さく抑えるため、ウェットエッチング
を行うことが好ましい。このためここでは、フッ酸（Ｈ
Ｆ）水溶液とフッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）水溶液と
の混酸をエッチング溶液に用いて、酸化シリコンからな
る絶縁膜１０５をウェットエッチングする。これによっ
て、絶縁膜１０５に第１電極２０１に達する開口部１０
５ａを形成する。

【００４０】その後、洗浄の済んだ支持基板１０１を、
有機ＥＬ層形成用の真空蒸着装置内に設置する。そし
て、支持基板１０１上に、ここでの図示を省略した蒸着
マスクを載置する。この蒸着マスクは、例えばストライ
プ状の開口部を有し、この開口部が開口部１０５ａ上に
重ね合わされ、かつ蒸着マスクの開口部内に絶縁膜１０
５に形成した開口部１０５ａが確実に収められるよう
に、支持基板１０１の上方に配置される。

【００４１】この状態で、真空蒸着法により正孔輸送層
となるトリフェニルアミン誘導体（Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１−ビフ
ェニル−４，４−ジアミン：ＴＰＤ）を膜厚５０ｎｍ程
度になるように蒸着形成する。

【００４２】引き続き同じ蒸着装置内において、電子輸
送性発光層となるアルミキノリノール錯体（トリス（８
−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム：Ａｌｑ３）
を膜厚５０ｎｍになるように蒸着形成する。

【００４３】尚ここで、「正孔輸送層」とは、仕事関数
が大きな正孔注入電極（陽極）から多量の正孔が注入可
能で、しかも注入された正孔が膜中を移動できる一方、
電子の注入は困難であるか、注入は可能であっても膜中
を移動し難いような性質を持った薄膜層であることとす
る。また、「電子輸送層」とは、仕事関数が小さな電子
注入電極（陰極）から多量の電子が注入可能で、しかも
注入された電子が膜中を移動できる一方、正孔の注入は
困難であるか、注入は可能であっても膜中を移動し難い
ような性質を持った薄膜層であることとする。尚、第１
電極１０４を陰極として形成した場合には、有機ＥＬ層
１１１を構成する正孔輸送層、電子輸送層、発光層など
は適宜選択された順序で積層されるることとする。

【００４４】以上によって、正孔輸送層と電子輸送性発
光層とを積層してなる、膜厚１００ｎｍの有機ＥＬ層１
０７を形成する。この有機ＥＬ層１０７は、絶縁膜１０
５の開口部１０５ａ底面において第１電極２０１と接す
る状態で、この第１電極２０１の凹状底面に積層形成さ
れる。そして、有機ＥＬ層１０７の周囲には、第１電極
２０１の側壁部分が配置されることになる。

【００４５】次に、支持基板１０１上から蒸着マスクを
取り除いた後、有機ＥＬ層１０７上に真空蒸着法（例え
ば抵抗加熱蒸着法）によって、ベタ膜状の第２電極１０
８を形成する。この第２電極１０８は、陽極または陰極
となるもので、第１電極２０１が陽極の場合は陰極とし
て形成され、第１電極２０１が陰極の場合は陽極として
形成される。ここでは、第１電極２０１を陽極として構
成したことから、第２電極１０８は、仕事関数の低い材
料からなる陰極として構成され、例えばＭｇ−Ａｇ（マ
グネシウムと銀との合金）のように仕事関数が低く、光
透過性を有する材料を用いることとする。

【００４６】以上のようにして、画素毎に、陽極となる
第１電極２０１と陰極となる第２電極１０８との間に有
機ＥＬ層１０７を挟持してなる発光素子（有機ＥＬ素
子）１０９を形成する。また、ここでの図示は省略した
が、発光素子１０９形成後に、有機ＥＬ層１０７の劣化
を防止するための発光素子１０９の封止工程を行う。

【００４７】以上によって、図２および図３を用いて説
明した構成の表示装置１が得られる。このような製造方
法によれば、マスク工程とエッチング工程とを追加する
だけで、有機ＥＬ層１０７で生じた発光光ｈを第２電極
１０８側に反射するための反射壁面２０２を、有機ＥＬ
層１０７の周囲に設けた表示装置１が得られる。このた
め、部品点数を増加させることなく、すなわち製造コス
トの上昇を最小限に抑えて、上述した構成の表示装置１
を得ることが可能になるのである。

【００４８】尚、以上の実施形態においては、発光素子
の構成を単色の有機ＥＬ素子にしているが、有機ＥＬ層
の形成工程を複数回繰り返す事によりＲＧＢの揃ったフ
ルカラーの有機ＥＬ素子を用いたディスプレイにも適用
できる。また、以上の実施形態では、支持基板１０１上
にＴＦＴ（thin film transistor）を設け、このＴＦＴ
に第１電極を接続させたアクティブマトリックス型の表
示装置に本発明を適用した場合を説明した。このため、
第２電極１０８はベタ膜として形成した。しかし本発明
は、これに限定されることはなく、例えばストライプ状
に配列形成された第１電極に対して複数本の第２電極を
直交させる状態でストライプ状に配列形成させたパッシ
ブマトリックス方の表示装置にも適用可能である。ま
た、第１電極及び第２電極の形状もストライプ状に限定
されることはなく、多種多様な形状の微細なパターンで
形成しても良い。

【００４９】ただし、第１電極が、複数の画素に亘る連
続した形状である場合、第１電極の各画素に対応する部
分毎に凹部を設けることが好ましい。第１電極をこのよ
うな形状に成形することで、各画素に対応する有機ＥＬ
層部分の全周を囲む反射壁面を設けることができ、最も
有効に有機ＥＬ層で生じた光を第２電極側から取り出す
ことが可能になる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置に
よれば、発光層で生じた発光光の取り出し効率（外部量
子効率）を向上させることが可能になる。このため、発
光層を有する有機ＥＬ素子を用いた表示装置において
は、駆動電流を増加させることなく、すなわち素子の劣
化を抑えつつも輝度の向上を図ることが可能になると共
に、より少ない電流で表示装置を駆動させることで表示
装置の長寿命化を図ることが可能になる。また、本発明
の表示装置の製造方法によれば、部品点数を増加させる
ことなく、マスク工程とエッチング工程とを追加するだ
けで製造コストの上昇を最小限に抑えて、発光層の周囲
に反射壁面が配置された高輝度、長寿命の表示装置を得
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する表示装置の一例を示す斜視図
である。

【図２】本発明の表示装置の一例を示す要部断面図であ
る。

【図３】図２のさらに要部を拡大した拡大断面図であ
る。

【図４】図２及び図３に示した表示装置の製造方法を説
明するための断面工程図である。

【図５】有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図である。

【図６】従来の表示装置の一例を説明するための要部拡
大断面図である。

【符号の説明】

１…表示装置、１０１…支持基板、１０７…有機ＥＬ層
（発光層）、１０８…第２電極、２０１…第１電極、２
０２…反射壁面、ｈ，ｈ’…発光光

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 ＺＦターム(参考） 3K007 AB02 AB05 AB11 AB18 BA06 CB01 CC01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA10 AA22 AA31 AA43 AA48 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA06 ED11 FA04 FB01 FB02 FB12 FB20 GB10 5G435 AA03 AA14 AA17 BB05 CC09 FF03 HH12 HH14 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光反射材料からなる第１電極と、光透過
性材料からなる第２電極と、これらの第１電極及び第２
電極間に挟持された発光層とを備えた表示装置におい
て、前記発光層の周囲には、当該発光層で生じた光を前記第
２電極側に反射するための反射壁面が設けられているこ
とを特徴とする表示装置。
【請求項２】請求項１記載の表示装置において、前記反射壁面は、前記第１電極の一部として構成されて
いることを特徴とする表示装置。
【請求項３】請求項１記載の表示装置において、前記第１電極は支持基板上に設けられ、前記第２電極は前記第１電極および前記発光層を介して
前記支持基板の上方に設けられていることを特徴とする
表示装置。
【請求項４】光反射性材料からなる第１電極の表面に
順テーパ形状の内周面を有する凹部を形成する工程と、前記第１電極の凹部内に、発光層を形成する工程と、前記発光層上に、前記第１電極との間の絶縁性を保った
状態で光透過性材料からなる第２電極を形成する工程と
を行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】請求項４記載の表示装置の製造方法にお
いて、前記第１電極に凹部を形成する際には、レジストパター
ンをマスクにして当該第１電極を等方的にエッチングす
ることを特徴とする表示装置の製造方法。