JP4741110B2 - 検査装置、発光装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作するかを検査する装置及び検査方法に関する。特に半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いた発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作するかどうかを検査する装置、検査方法、検査方法を作製行程の途中に含む発光装置の作製方法、および作製方法を用いて作製された発光装置に関する。
【０００２】
なお、本発明におけるＥＬ素子とは、一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造を有し、ＥＬ層は、電界を加えることで蛍光又は燐光から成る発光が得られる有機化合物を含む層のことをいう。
【０００３】
また、本発明の検査装置により検査される発光装置とは、ＥＬ素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、ＥＬ素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム(ＦＰＣ: Flexible Printed Circuit)もしくはＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、またはＥＬ素子にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０００４】
【従来の技術】
近年、基板上にＴＦＴ（thin film transistor）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置（発光装置）への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティともいう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。
【０００５】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られる。
【０００６】
さらに、自発光型の素子としてＥＬ素子を有したアクティブマトリクス型の発光装置（ＥＬディスプレイを含む）の研究が活発化している。発光装置は有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００７】
発光装置が有するＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）間に有機化合物からなるＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
【０００８】
また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０００９】
本明細書において陰極と陽極の間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てＥＬ層に含まれる。
【００１０】
そして、上記構造からなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【００１１】
ＥＬ素子が有するＥＬ層は熱、光、水分、酸素等によって劣化が促進されることから、一般的にアクティブマトリクス型の発光装置の作製において、画素部に配線やＴＦＴを形成した後にＥＬ素子が形成される。
【００１２】
そしてＥＬ素子が形成された後、ＥＬ素子が設けられた基板（ＥＬパネル）とカバー材とを、ＥＬ素子が外気に曝されないように貼り合わせてシール材等により封止（パッケージング）する。
【００１３】
パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（ＦＰＣ、ＴＡＢ等）を取り付けて、アクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、アクティブマトリクス型の発光装置において、ＥＬ素子の一対の電極からＥＬ層にかける所定の電圧（ＥＬ層に流れる電流）は、各画素に設けられたトランジスタによって制御される。そのため、画素部が有するトランジスタが正常に機能しなかったり、配線が断線またはショートするなど、何らかの不具合が生じると、ＥＬ素子が有するＥＬ層に所定の電圧（電流）をかけることができなくなる。その場合、画素は所望の階調を表示することができなくなってしまう。
【００１５】
しかし、このように画素部においてＥＬ素子の発光を制御する配線やトランジスタに何らかの不具合が生じていても、発光装置を完成させて実際に表示を行うまで、その不具合の存在を確認することが難しい。そのため実際には製品にならない画素部を有していても、検査により良品との区別をつけるためには、ＥＬ素子を完成させ、パッケージングし、コネクターを取り付けて発光装置として完成させる必要がある。この場合、ＥＬ素子を形成する工程と、パッケージングする工程と、コネクターを取り付ける工程とが無駄になるため時間とコストを抑えることができない。また多面取りの基板を用いてＥＬパネルを形成する場合でも、パッケージングして、コネクターを取り付ける工程が無駄になり、同様に時間とコストを抑えることができない。
【００１６】
アクティブマトリクス型の発光装置に先行して量産化されているアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイでは、２つの基板間に液晶を封入して液晶ディスプレイを完成させる前に、すなわち、画素部において配線やＴＦＴを形成した後で、各画素が有するコンデンサに電荷を蓄積し、その電荷量を各画素に測定して、画素部に不具合が生じていないかどうかを確認している。
【００１７】
しかし、アクティブマトリクス型の発光装置の場合、一般的に各画素にＴＦＴが２つ以上設けられていることが多い。そして、ＥＬ素子が有する一方の電極（画素電極）とコンデンサとが、トランジスタを間に介して接続されている場合がある。この場合、コンデンサに蓄積した電荷量を測定しても、コンデンサと画素電極との間に接続されている配線及びトランジスタに不具合があるかどうかを確認することが難しい。また、発光装置の場合にはＥＬ素子に電流を流す必要があることから、流れる電流値を測定することも必要である。
【００１８】
アクティブマトリクス型の発光装置の量産化に向けて、発光装置を完成させる前に、画素部において配線及びトランジスタに不具合が生じていないか、言い換えると、各画素のＥＬ素子の画素電極に所定の電圧を印加することができるか（もしくは、所定の電流を流すことができるか）どうかの検査方法の確立が求められている。
【００１９】
【発明を解決するための手段】
本発明で開示する電磁波を用いた検査方法では、素子基板上に形成された半導体素子や、これに接続され、マトリクス状に形成された画素及び配線における欠陥があるかどうかを検査する。
【００２０】
なお、本明細書中において素子基板とは、基板上に配線及び半導体素子を形成した後、画素部に独立して形成される画素のうち、半導体素子に接続された画素電極まで形成された状態のものをいう。また、半導体素子とは、半導体物質を用いたスイッチング機能を単独または複数で構成される素子のことをいい、トランジスタ、特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：TFT）などが挙げられる。従って、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板やＴＦＴが形成された基板はどちらも素子基板に含まれる。
【００２１】
そして画素部が有する配線のうち、全ての電流供給線を同じ電位に保った状態で、ゲート信号線を順に選択してソース信号線に同じ電位を有する信号を順に入力し、全ての画素を順に選択していく。なお本明細書において画素が選択されるとは、画素が有するゲート信号線が選択されている状態で、該画素が有するソース信号線にビデオ信号が入力されることを意味する。
【００２２】
また、対向検出基板を素子基板上に備え、図１（Ａ）に示すように電磁波源１０１から対向検出基板１０２と素子基板１０３の間にある気体に電磁波（好ましくはＸ線）を照射する。なお電磁波源とは、電磁波を発生することができるものであり、電磁波が発生すると、電磁波により気体（ここでは、空気）が電離して、イオンが発生し、電流が流れる電気的な通路が生じる。なお、本明細書中において、対向検出基板とは、素子基板上の画素が有する画素電極に流れる電流が電気的な通路を介して流れる電極が形成された基板のことをいい、対向検出基板上に形成された電極のことを対向検出電極とよぶ。また、素子基板の画素電極に流れる電流が対向検出基板の対向検出電極に流れることを通電状態にあるという。
【００２３】
そして、素子基板１０３上のある画素が、選択されているときには選択された画素と対向検出基板１０２間が接続される。つまり、素子基板上の画素を順次選択することにより、各画素をそれに応じて対向検出基板１０２と電気的に接続させることができる。なお、図１（Ａ）に示すように、素子基板上の特定の画素に流れる電流を検出する際に、より正確に素子基板上に流れる電流を測定することができる位置のことを対応した位置とよぶ。なお、対向検出基板を素子基板に対応した位置に備えるためには、画素と対向検出電極が最も短距離になるように素子基板、もしくは対向検出基板を移動させる必要がある。
【００２４】
このとき、対向検出基板１０２に流れる電流は、対向検出基板１０２と接続された電流計１２３により測定することができる。すなわち、ここで測定した電流値は、素子基板１０３の選択された画素に入力されたビデオ信号によるものである。そして、測定した電流の値がある一定の範囲内に納まっているかどうかを評価することで、各画素が有する配線及びトランジスタに不具合が生じていないかどうかを検査することができる。
【００２５】
ある画素が選択されているときに画素電極または画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲からはずれている場合、該画素が有するトランジスタが正常に機能していないとか、配線が断線またはショートするなどの不具合が生じているものとみなすことができる。逆にある画素が選択されているときに画素電極または画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲に納まっている場合、該画素が有するトランジスタ及び配線は正常に機能しているものとみなすことができる。
【００２６】
なお、トランジスタ及び配線が正常に機能しているとみなすことができる電流値の範囲は、実施者が適宜設定することができる。また検査した結果、不具合が生じている画素（不良画素）の数が画素部にｎ個以上存在している場合、該素子基板は不良品とみなされる。なお不良品とみなす不良画素の数ｎは、実施者が適宜設定することができる。
【００２７】
本発明の検査方法により検査した素子基板上に予め形成されている電極（画素電極）上にこれと接して有機化合物層を形成し、有機化合物層上にこれと接して電極（対向電極）を形成することにより発光装置として完成させ実際に表示を行わなくても、素子基板が良品か不良品かの区別をつけることが可能になる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の検査装置及びそれを用いて素子基板を検査する方法について図１を用いて説明する。なお、本発明において発光装置に用いるトランジスタは、Ｍ０Ｓトランジスタであっても薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）であっても良い。また、ＴＦＴの場合、構造を限定する必要はなくプレーナ型や逆スタガ型といった構造のＴＦＴを用いればよい。さらに、本発明で用いる発光装置の駆動回路も公知のものを用いればよい。
【００２９】
また、本発明の検査方法をＥＬ素子を有する発光装置に用いる場合には、ＥＬ素子の素子構造及びＥＬ材料には、公知のものを用いればよい。
【００３０】
本明細書において、検査装置とは、電磁波源１０１及び対向検出基板１０２をあわせたもののことをいう。しかし、ここで示した対向検出基板１０２は、本発明の実施形態の一例であり、図１（Ａ）に示したような形状に限られることはない。対向検出基板のその他の形状に関しては、本明細書中の実施例で詳しく述べることとする。
【００３１】
また、電磁波源１０１は、電源１０４に接続されており、電磁波源１０１内部の２枚の電極間に電源１０４から数ｋＶの高電圧をかけた際に、陰極で発生した電子が、陽極に衝突することで電磁波を発生させる。なお、本発明においては、０．０１〜１００ｎｍの波長を有するＸ線または軟Ｘ線を用いることが望ましいが、対向検出基板と素子基板の間にある気体を電離させることができる電磁波がある場合には、それを用いることもできる。
【００３２】
一般的に電磁波は、光イオン化の機能を有している。この原理としては、安定した原子及び分子に電磁波を照射することで、原子及び分子中の電子がはじき出され、電子がなくなったことによりプラス（＋）の極性となった原子及び分子が発生する。
【００３３】
そして、さらにはじき出された電子が別の安定した原子又は、分子を攻撃することでマイナス（−）の極性を持つ原子又は分子を発生させる。
【００３４】
これにより、結果として電磁波が照射されている気体中は、プラスとマイナスにイオン化された原子又は、分子が存在することになる。そこで、本発明では、素子基板１０３と対向検出基板１０２を図１（Ａ）に示すように重ね合わせて電磁波源１０１から電磁波を照射させ、電磁波が素子基板１０３と対向検出基板１０２との間にある気体に照射されるようにする。このとき気体（空気）は電磁波により電離するため、素子基板１０３と対向検出基板１０２との間にイオンによる電気的な通路を形成させることが可能となる。なお、ここでいう気体とは、空気のことをいうが、より電離しやすい気体を用いても良い。また、対向検出基板１０２と素子基板１０３間の距離は極力近い方が好ましい。なお、具体的には、対向検出基板１０２と素子基板１０３間の距離が５００μｍ以下となるのが好ましい。
【００３５】
素子基板１０３中には、画素がマトリクス状に複数形成されている。また、素子基板１０３は、駆動回路（Ａ）１０７に接続されている。なお、駆動回路（Ａ）１０７には、ゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を含む。そして、例えば図１（Ａ）に示すように画素１０５にゲート側駆動回路からの選択信号が入力されると、画素１０５が選択される。なお、ここでいう選択信号とは、ゲート線に接続されたゲート電極に信号が入力されることで、ゲート電極を開くことができる信号のことをいい、選択信号により画素が有するゲート電極が開く状態にあることを画素が選択されるという。画素１０５が選択され、ソース側駆動回路からのビデオ信号が入力されると、素子基板１０３上の画素１０５の画素電極には、電流が流れる。更にこの電流は電磁波に電離された気体中を通り、対向検出基板１０２上に形成される対向部１０６に流れる。なお、本明細書中において、対向部１０６とは、素子基板１０３上に形成される画素１０５に対応して対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成されており、素子基板１０３からの電流が流れる対向検出電極と対向検出電極と接続された検査用ＴＦＴ１２０が各対向部に形成されている。なお、本明細書中において、検査用ＴＦＴ１２０とは、対向検出基板１０２に接続された駆動回路（Ｂ）１０８から入力される選択信号により、ゲート電極が開くと、選択された素子基板１０３上の画素電極から対向検出電極を介して電流を流すことができるＴＦＴのことをいう。
【００３６】
ここで、素子基板１０３にマトリクス状に形成された画素１０５の拡大図を図１（Ｂ）に示す。なお、ここではトランジスタの例としてＴＦＴを例示して説明するが、ＭＯＳトランジスタを用いても構わない。図１（Ｂ）に示すように、検査を行う素子基板１０３は、絶縁体上に駆動用ＴＦＴ及び画素部におけるＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用ＴＦＴ）が形成されている。
【００３７】
図１（Ｂ）において、１１０はスイッチング用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ１１０のゲート電極は、ゲート信号線１１１に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線１１２に、もう一方が電流制御用ＴＦＴ１１３のゲート電極、各画素が有するコンデンサ１１４にそれぞれ接続されている。
【００３８】
コンデンサ１１４はスイッチング用ＴＦＴ１１０が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用ＴＦＴ１１３のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間の電位差）を保持するために設けられている。なおここではコンデンサ１１４を設ける構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、コンデンサ１１４を設けない構成にしても良い。
【００３９】
また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域とドレイン領域は、一方が電流供給線１１５に接続され、もう一方は画素１０５が有する画素電極と接続される。なお、電磁波を照射することにより電気的な通路が形成されると画素電極は対向検出基板１０２上の対向部１０６が有する検査用ＴＦＴ（図１（Ｃ）１２０）のソース領域に接続される。なお、電流供給線１１５はコンデンサ１１４に接続されている。
【００４０】
また、対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成されている対向部１０６の拡大図を図１（Ｃ）に示す。各対向部にはそれぞれ検査用ＴＦＴ１２０が形成されており、ゲート電極は、駆動回路（Ｂ）１０８と接続されたゲート信号線１２１に接続されている。そして、素子基板１０３上のある画素が選択されたときには、駆動回路（Ｂ）１０８からの選択信号により、選択された基板上の画素に対応する対向部１０６が選択される。また、検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領域は、ドレイン配線１２２に接続され、ドレイン配線１２２は、外部で電流計１２３に接続されている。
【００４１】
電流供給線１１２は電源電位が与えられており、また、電源電位は、外付けのＩＣ等により設けられた電源によって与えられる。
【００４２】
スイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されている場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。
【００４３】
またスイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用ＴＦＴ１１３は、シングルゲート構造ではなく、ダブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有していても良い。
【００４４】
次に、本発明の対向検出基板１０２及びそれを用いて検査する素子基板１０３を図２（Ａ）及び図２（Ｂ）にそれぞれ示す。なお、図１（Ｂ）に示す画素１０５がマトリクス状に形成されているのが図２（Ａ）に示す画素部２０１である。図２（Ａ）には、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）及びゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）が画素部２０１に設けられている。
【００４５】
ここでは、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）とを１つずつ備えた領域が画素１０５である。
【００４６】
図２（Ｂ）は、本発明の対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成される対向部１０６を示す。なお、図２（Ｂ）には、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）が設けられている。そして、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）からの信号により、対向部１０６が選択される。また、対向部１０６における検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領域は、いずれも電流線（Ａ）と接続され、外部の電流計１２３に接続されている。
【００４７】
つまり、素子基板１０３上の選択された画素から電気的な通路を通って流れる電流は、対向検出基板１０２上で選択された対向部１０６に流れ、そして、電流計１２３において検出される。なお、このように素子基板１０３上の画素１０５と、それに対応する対向検出基板１０２上の対向部１０６との距離が極力小さくなるように対向検出基板を固定するステージ、素子基板を固定するステージのいずれか一方、もしくはその両方に位置合わせ機能を持たせても良い。
【００４８】
次に素子基板１０３上の画素１０５におけるスイッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１３を本発明の検査法を用いて評価する方法について図３を用いて説明する。
【００４９】
図３（Ａ）は、素子基板１０３上の画素部２０１に形成された画素一つ一つをそれぞれＸ−Ｙ座標（Ｘ,Ｙ）で示したものである。つまりここでは、紙面に向かって横方向にＸ列の画素が形成されており、紙面に向かって縦方向にＹ行の画素が形成されていることを示している。
【００５０】
そして、各画素のゲート電極が選択されると選択された画素にソース信号線駆動回路と電気的に接続されるソース信号線からビデオ信号が入力される。このとき、画素電極に流れる電流は気体中を電磁波で照射して形成される電気的な通路を通り、対向検出基板１０２の対向検出電極から検査用ＴＦＴ１２０に入力され、さらにドレイン配線を通り、外部に接続された電流計１２３に入力される。ここで、電流計１２３により、素子基板１０３上の選択された画素と対応する対向部との間に流れる電流を測定することができる。なお、電流計１２３は、対向検出基板１０２上に形成させることも可能である。
【００５１】
なお、本実施の形態では、ビデオ信号がアナログ及びデジタルのいずれの場合においても「白」の情報を有していた場合、電流制御用ＴＦＴはオンの状態となっている。よって画素電極には電源電位が与えられる。その結果、「白」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から対向検出基板１０２の対向部１０６及び電流計１２３に電流が流れる。
【００５２】
逆に、「黒」の情報を有していた場合、素子基板１０３に形成された電流制御用ＴＦＴ１１３はオフの状態となっている。よって画素電極には電源電位は与えられない。その結果、「黒」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から対向検出基板１０２の対向部１０６及び電流計１２３に流れる電流は「白」の情報を有するビデオ信号が入力された時に比べて少なくなる。
【００５３】
上記は、スイッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１３のいずれも正常に機能している場合である。しかし、これらのいずれかが不良であった場合には、流れるべき電流が流れなかったり、流れるはずのない電流が流れてしまったりといった事態が生じる。
【００５４】
そこで、本発明では、予め正常に機能するＴＦＴを有する画素を用いて、ビデオ信号が「黒」の時の電流値及び「白」の時の電流値を測定しておき参照データとするのがよい。
【００５５】
さらに本発明では、データの評価には、ビデオ信号が白の時と黒の時にそれぞれ流れる電流値の比（白黒の比）を用いる。
【００５６】
図３（Ｂ）には、測定した結果を規格化した白黒の比で示した一例を示す。この規格化においては、参照データを用いて十分に白黒の比（コントラスト）がとれるものを１００とした。この表は、縦軸に白黒の比を取り、横軸に画素の座標を取る。また、白黒の比に基準を設け、ここでは、白黒の比が２０以上１００以下であるときには、良品であるとする。つまり、図３（Ｂ）の斜線領域が良品基準内となる。
【００５７】
しかし、座標（１,３）のように白黒の比が基準値よりも低くなっている場合には、不良品と判断し、それ以降の工程からはずすことになる。白黒の比の良品基準は、求められる水準に応じて設定すればよい。
【００５８】
以上に示した方法を用いて、各画素の特性を評価することにより、不良品を早期に発見することができる。これにより不良品については、以降のＥＬ素子形成といった製造プロセスからはずすことができる。更に不良の程度によっては、リペア工程により修復させて以降の工程を流すことができる。なお、素子基板の検査工程が終了後、画素電極（第１の電極）上に有機化合物層及び陰極（第２の電極）を形成し、発光装置を完成させる方法については以下の実施例において詳細に説明する。
【００５９】
以上の結果、不良品を最終工程まで通すことにより生じるロスの低減及びリペアでの修復により歩留まりの向上に寄与することができる。
【００６０】
【実施例】
〔実施例１〕
本実施例では、本発明の発光装置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路、画素選択信号線側駆動回路）のＴＦＴを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。
【００６１】
まず、図４（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板５００１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜５００２ａを１０〜２００[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜５００２ｂを５０〜２００[nm]（好ましくは１００〜１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【００６２】
島状半導体層５００３〜５００６は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００６３】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００[mJ/cm2](代表的には２００〜３００[mJ/cm2])とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００[mJ/cm2](代表的には３５０〜５００[mJ/cm2])とすると良い。そして幅１００〜１０００[μm]、例えば４００[μm]で線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０[％]として行う。
【００６４】
次いで、島状半導体層５００３〜５００６を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０[nm]としてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３００〜４００[℃]とし、高周波（１３．５６[MHz]）、電力密度０．５〜０．８[W/cm2]で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００６５】
そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５０〜１００[nm]の厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さに形成する。
【００６６】
Ｔａ膜はスパッタ法で、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０[nm]程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることができる。
【００６７】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０[μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９[％]のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０[μΩcm]を実現することができる。
【００６８】
なお、本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。
【００６９】
次に、レジストによるマスク５０１０を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１[Pa]の圧力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【００７０】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される（図４（Ａ））。
【００７１】
そして、第１のドーピング処理を行いＮ型を付与する不純物元素を添加する。
ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14[atoms/cm2]とし、加速電圧を６０〜１００[keV]として行う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５には１×１０20〜１×１０21[atoms/cm3]の濃度範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する（図４（Ｂ））。
【００７２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、レジストマスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００７３】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【００７４】
そして、図５（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０13[atoms/cm2]のドーズ量で行い、図４（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部における膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。
【００７５】
図５（Ｂ）に示すように第３のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ6を用い、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３のエッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１の導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３のエッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第２の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００７６】
第３のエッチング処理によって、第３の不純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６ｂとが形成される。
【００７７】
そして、図５（Ｃ）に示すように、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５００６に第1の導電型とは逆の導電型である第４の不純物領域５０４３〜５０５４を形成するための第３のドーピングを行う。第３の形状の導電層５０３８ｂ、５０４１ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００３、５００５及び配線部５０４２はレジストマスク５２００で全面を被覆しておく。不純物領域５０４３〜５０５４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度が２×１０20〜２×１０21[atoms/cm3]となるようにする。
【００７８】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として機能する。
【００７９】
レジストマスク５２００を除去した後、導電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下、好ましくは０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００[℃]、代表的には５００〜６００[℃]で行うものであり、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。ただし、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【００８０】
さらに、３〜１００[％]の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０[℃]で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【００８１】
次いで、図６（Ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜５０５５を無機絶縁材料により形成する。なお、本実施例では、酸化窒化シリコン膜からなる第１の層間絶縁膜５０５５を１００〜２００[nm]の厚さで形成する。さらに、その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１の層間絶縁膜５０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、及びゲート絶縁膜５００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４をパターニング形成した後、接続配線５０６２に接する画素電極５０６３をパターニング形成する。
【００８２】
第２の層間絶縁膜５０５６としては、有機樹脂を材料とする膜を用い、その有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。特に、第２の層間絶縁膜５０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ましくは２〜４[μm]）とすれば良い。
【００８３】
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電流供給線に達するコンタクトホール（図示せず）、及びゲート電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれぞれ形成する。
【００８４】
また、配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００[nm]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１５０[nm]をスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、他の導電膜を用いても良い。
【００８５】
また、本実施例では、画素電極５０６３としてＩＴＯ膜を１１０[nm]の厚さに形成し、パターニングを行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接して重なるように配置することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０６３がＥＬ素子の陽極となる。（図６（Ａ））なお、検出の関係で画素電極面積に対して配線領域の面積が多くなると誤差が多くなるため画素エリアの比は、高い方が良い。又、表示素子においては、高開口率が求められるために両者の要求は合致している。
【００８６】
ここまで形成したら、本発明の検査方法及び検査装置を用いて本発明の実施の形態で説明したように素子基板の検査を行う。また、ここまで形成した本実施例における発光装置の画素部の上面図を図７（Ａ）に、回路図を図７（Ｂ）に示す。なお、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）では、共通の符号を用いるので互いに参照すればよい。
【００８７】
スイッチング用ＴＦＴ７０２のソースはソース配線７１５に接続され、ドレイン領域はドレイン配線７０５に接続される。また、ドレイン配線７０５は電流制御用ＴＦＴ７０６のゲート電極７０７に電気的に接続される。また、電流制御用ＴＦＴ７０６のソースは電流供給線７１６に電気的に接続され、ドレイン領域はドレイン配線７１７に電気的に接続される。また、ドレイン配線７１７は点線で示される画素電極（陽極）７１８に電気的に接続される。
【００８８】
このとき、７１９で示される領域には保持容量が形成される。保持容量７１９は、電流供給線７１６と電気的に接続された半導体膜７２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極７０７との間で形成される。また、ゲート電極７０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線７１６で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。
【００８９】
さらに本実施例において用いる対向検出基板の上面図を図８に示す。なお、本実施例において用いる対向検出基板は、電磁波を透過しやすい材料としてガラス、石英を用いればよい。なお、本実施例では電磁波として０．１〜１００ｎｍの波長の電磁波である軟エックス線を用いる。また、対向検出基板は、本実施例で説明した素子基板の作製と同様の方法を用いて作製することができる。ただし、対向検出基板に形成された対向検出電極は、素子基板の画素電極を形成させた材料とは異なり、ベリリウム、アルミニウムからなり、軟Ｘ線を透過しやすい材料を用いるとよい。また、これらの材料は、各対向部全面にベタに形成しても良いが、ストライプ状に形成しても、メッシュ状に形成しても良い。
【００９０】
なお、対向検出基板を別の低温成膜プロセスにより作製した場合には、ガラス、石英の他に塩化ビニルやアクリルといった有機樹脂を用いることができる。
【００９１】
８０１は検査用ＴＦＴであり、検査用ＴＦＴ８０１のソース領域８０２はソース配線８０３により対向検出電極に接続され、空気中の気体に軟エックス線が照射され、電気的通路が生じたときに素子基板の画素電極と電気的に接続される。
また、検査用ＴＦＴ８０１のドレイン領域８０４はドレイン配線（８０５ａ及び８０５ｂ）に接続され、外部に設けられた電流計（図示せず）に電気的に接続される。
【００９２】
なお、軟Ｘ線が気体に照射されると気体は電離するが、本発明における電離とは、電流が画素電極から、電離された気体中を介して対向検出電極に流れる程度に電離することをいう。
【００９３】
また、ゲート電極８０６は、ゲート線８０７に接続され、対向検出電極は、８０８に点線で示される領域である。
【００９４】
画素電極を有する素子基板を形成させたら、以下に示すように素子基板の検査を行う。まず、素子基板９０１と対向検出基板９０２を図９に示すように上下に備え検査を行う。なお、本実施例では、素子基板９０１と対向検出基板９０２を図９に示すような配置とし、対向検出基板の上方から電磁波を照射して、空気を電離させる構成としたが、本発明はこれに限られることはなく空気が電離され、これにより素子基板９０１と対向検出基板９０２との間に電流を流すことのできる電気的な通路を形成させることができればよい。
【００９５】
電磁波源９０３から対向検出基板９０２に軟Ｘ線を照射すると、対向検出基板９０２を軟Ｘ線が透過して、対向検出基板９０２と素子基板９０１の間にある空気中に軟Ｘ線が照射される。図９において９０７で示されるように空気が軟Ｘ線により電離されることにより見かけの抵抗が形成される。
【００９６】
これにより、空気中に電気的な通路が形成され、素子基板９０１上の選択された画素にビデオ信号が入力されたときに画素電極９０４に流れる電流が、この電気的な通路を通り対向検出基板９０２上の対向検出電極９０５に入力される。
【００９７】
ここで入力された電流は、対向検出電極９０５と接続された検査用ＴＦＴ（図示せず）のソース領域からドレイン領域を経て、ドレイン配線により外部の電流計９０６に入力される。外部の電流計により、素子基板９０１上の画素にビデオ信号が入力されたとき（白）と、入力されていないとき（黒）に画素電極に流れるそれぞれの電流量を検出し、これを白黒の比として示すことにより、素子基板９０１上のＴＦＴの品質を評価する。そして、ある基準値よりも低い品質のものをはずしてＥＬ素子形成のプロセスを行う。更に、不良の原因や不良の程度によっては、リペア工程により修復させて以降の工程に流すことも可能である。
【００９８】
次に、図６（Ｂ）に示すように、珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００[nm]の厚さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【００９９】
次に、ＥＬ層５０６６及び陰極（ＭｇＡｇ電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層５０６６の膜厚は８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１２０[nm]）、陰極５０６７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２００〜２５０[nm]）とすれば良い。
【０１００】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次、ＥＬ層５０６６及び陰極５０６７を形成する。但し、ＥＬ層５０６６は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこで、メタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層５０６６及び陰極５０６７を形成する蒸着法などの方法を用いるのが好ましい。
【０１０１】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。
【０１０２】
ここではＲＧＢに対応した３種類のＥＬ素子を形成する方式を用いたが、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式などを用いても良い。
【０１０３】
なお、ＥＬ層５０６６を形成する材料としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層からなる４層をＥＬ層とすれば良い。
【０１０４】
次に、同じゲート信号線にゲート電極が接続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じラインの画素）上に、メタルマスクを用いて対向電極５０６７を形成する。なお本実施例では対向電極５０６７には陰極材料であるＭｇＡｇを用いたが、本発明はこれに限定されない。対向電極５０６７として他の公知の材料を用いても良い。
【０１０５】
最後に、窒化珪素膜からなるパッシベーション膜５０６８を３００[nm]の厚さに形成する。パッシベーション膜５０６８を形成しておくことで、ＥＬ層５０６６を水分等から保護することができ、ＥＬ素子の信頼性をさらに高めることができる。
【０１０６】
こうして図６（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、本実施例における発光装置の作成工程においては、回路の構成及び工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
【０１０７】
ところで、本実施例の発光装置は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以上にすることが可能である。
【０１０８】
まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
【０１０９】
本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域（ＬOV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重ならないオフセットＬＤＤ領域（ＬOFF領域）及びチャネル形成領域を含む。
【０１１０】
また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０１１１】
その他、駆動回路において、チャネル形成領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例としては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、ＬOV領域を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
【０１１２】
なお、実際には図６（Ｂ）の状態まで完成したら、さらに外気に曝されないように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
【０１１３】
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成させる。このような出荷できる状態にまでした状態を本明細書中では発光装置という。
【０１１４】
〔実施例２〕
次に、本発明を用いて検査を行う素子基板の画素部の構造において、実施例１で示したのと異なる構造を有する場合について図１０を用いて説明する。
【０１１５】
画素部１００１において、ソース信号線駆動回路に接続されたソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ＦＰＣを介して発光装置の外部の電源に接続された電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、書き込み用ゲート信号線駆動回路に接続された書き込み用ゲート信号線（第１のゲート信号線）（Ｇａ１〜Ｇａｙ）、消去用ゲート信号線駆動回路に接続された消去用ゲート信号線（第２のゲート信号線）（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）が画素部１００１に設けられている。
【０１１６】
ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１〜Ｇａｙ）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）とを備えた領域が画素１００５である。画素部１００１にはマトリクス状に複数の画素１００５が配列されることになる。本実施例に示す素子基板は、実施例１の構成と組み合わせて実施することが可能である。
【０１１７】
〔実施例３〕
本実施例では、本発明の検査を行う場合に実施例１で示したのとは異なる対向検出基板を用いて検査を行う方法について図１１を用いて説明する。
【０１１８】
図１１において、１１０１は電磁波の中でも０．１〜１００ｎｍの波長を有する軟Ｘ線を発生させる電磁波源であり、電磁波源１１０１には電源１１０４が接続されている。
【０１１９】
電磁波源１１０１から放射された軟Ｘ線は、遮蔽板１１０５の対象面上に相応した微細な穴を通過して対向検出基板１１０２に照射され、その他の部分は遮蔽板１１０５により遮蔽される。なお、遮蔽板１１０５は、軟Ｘ線を充分に遮蔽できる材料で形成されている。そして、軟Ｘ線は対向検出基板１１０２を透過して対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に位置する空気中に照射される。なお、本実施例で用いる対向検出基板１１０２は、実施例１で用いたようなマトリクス状に形成された対向部ごとに検査用ＴＦＴおよび対向検出電極が形成されているものとは異なり、絶縁体上に金属等の導体からなる膜形成させ、全面が対向検出電極として形成されている。なお、導体からなる膜は、全面ベタ状である必要はなく、ストライプ状、もしくはメッシュ状に形成されていても良い。
【０１２０】
また、対向検出基板１１０２は、素子基板１１０３上に重なるようにのせて検査を行うことができる。
【０１２１】
なお、対向検出電極を形成する導体としては、ベリリウムやアルミニウムといった軟Ｘ線の透過率の高い金属材料を用いると良い。また、遮蔽板１１０５は、軟Ｘ線を遮蔽させるものであればよい。例えば、鉛ガラスのような軟Ｘ線の透過率の低い材料を用い、軟Ｘ線を照射させる部分に穴を開けて使用してもよい。
【０１２２】
そして、本実施例においては、電磁波源１１０１及び遮蔽板１１０５の下方に位置する対向検出基板１１０２及び素子基板１１０３を同時にずらしながら対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在する空気中に軟Ｘ線を照射する。すなわち、ここでは、素子基板１１０３は、対向検出基板１１０２と連動している。
【０１２３】
軟Ｘ線が対向検出基板１１０２を透過して対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在する空気中に照射されることで、対向検出基板１１０２と素子基板１１０３間に電気的な通路が形成され、これにより素子基板１１０３上に形成された画素が有する画素電極と対向検出基板１１０２上に形成された対向検出電極とに流れる電流値の測定を行うことができる。
【０１２４】
なお、ここでは、対向検出基板１１０２と素子基板１１０３を連動させて素子基板を検査する構成を示したが、これらを固定させ、電磁波源のみを移動させる構成にすることも可能である。
【０１２５】
測定方法及び評価方法に関しては、実施例１と同様の方法を用いれば良い。なお、本実施例の構成は、実施例１及び実施例２の構成と組み合わせて実施することが可能である。
【０１２６】
〔実施例４〕
本実施例では、本発明の検査を行う場合に実施例１及び実施例３で示したのとは異なる対向検出基板を用いて検査を行う方法について図１２を用いて説明する。
【０１２７】
図１２において、１２０１は電磁波の中でも０．０１〜１００ｎｍの波長を有するＸ線を発生させる電磁波源であり、電磁波源１２０１には電源１２０４が接続されている。
【０１２８】
電磁波源１２０１から放射されたＸ線は、対向検出基板１２０２に集められた後、対向検出基板１２０２を透過して素子基板１２０３上に放射される。ここで、対向検出基板１２０２上に形成される対向検出電極に用いられる材料としては、Ｘ線の透過率の高いベリリウムやアルミニウムといった材料を用いると良い。
【０１２９】
本実施例では、電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２の下方に素子基板１２０３が備えられており、素子基板１２０３の各画素を検査するたびに素子基板１２０３を移動させる。また、ミラー１２０５は、Ｘ線を集光させる働きを有する。すなわち、本実施例において電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２は固定されており、素子基板１２０３が、異なる画素を検査する度に移動する構成になっている。
【０１３０】
そして、Ｘ線が対向検出基板１２０２と素子基板１２０３の間に存在する空気中に照射されることで、対向検出基板１２０２と素子基板１２０３との間に電気的な通路が形成され、これにより素子基板１２０３上に形成された画素が有する画素電極から対向検出基板１２０２上の対向検出電極に流れる電流値の測定を行うことができる。本実施例においては、対向検出基板１２０２を透過したＸ線が素子基板１２０３上の測定したい画素に照射されるために、所望の位置に電気的な通路を形成することができるため、より正確に電流値を測定することができる。
【０１３１】
なお、ここでは、素子基板１２０３が移動する構成を示したが、素子基板１２０３を固定して、電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２を連動させて検査する構成にすることも可能である。また、この対向検出基板１２０２をリング状にしてＸ線が通過するような形状にしても良いし、近傍に単なる電極を備えても良い。
【０１３２】
本実施例においては、測定方法及び評価方法は、実施例１と同様であるが、Ｘ線を集めるのが困難な場合には、必要に応じて周囲に反射率の高いミラーを備えたり、キャピラリープレートなどを備えて、Ｘ線を所望の位置に照射しやすい環境にすることも可能である。また、対向検出基板１２０２と素子基板間の距離は極力近い方が好ましい。なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例３の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１３３】
〔実施例５〕
実施例１〜実施例４では、素子基板として表面にＴＦＴが形成された基板を例示したが、本発明はＴＦＴの代わりに半導体基板に形成されたＭＯＳトランジスタを用いた場合においても実施することができる。例えば、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板（典型的にはシリコンウェハ）も素子基板として検査することが可能である。
【０１３４】
なお、本実施例の素子基板を検査するにあたって、発明の実施の形態、実施例３もしくは実施例４に示された検査方法のいずれの構成を用いることができる。
【０１３５】
〔実施例６〕
本実施例では、本発明の表示パネルにＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターを接続し、実際に製品として出荷することができる形体にした場合について図１５、１６により説明する。
【０１３６】
図１５において、１８０１は本発明の検査方法をパスした画素部であり、複数の画素が設けられている。
【０１３７】
１８０２はソース信号線駆動回路、１８０３はゲート信号線駆動回路である。ゲート信号線駆動回路１８０３から出力された選択信号によって、ソース信号線駆動回路１８０２から出力されたビデオ信号が画素部１８０１の指定された画素に入力される。ビデオ信号はデジタルでもアナログでもどちらでも良い。またソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８０３はいくつ設けられていても良い。
【０１３８】
ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３からなる駆動回路と、画素部１８０１と、画素部１８０１が有する配線及び駆動回路が有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジュールを、本明細書ではＯＬＥＤパネル１８０７と呼ぶ。ＯＬＥＤパネル１８０７には、必ずしも駆動回路が付けられている必要はなく、画素部１８０１と画素部１８０１が有する配線は、別に形成されていても良い。
【０１３９】
ここで、駆動回路と画素部１８０１とが別の基板上に設けられＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターにより接続されているＯＬＥＤパネルを外付け型ＯＬＥＤパネルと呼び、駆動回路と画素部１８０１とが同じ基板上に設けられているＯＬＥＤパネルを、一体型ＯＬＥＤパネルと呼ぶ。なお、図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパネルを示し、図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルを示す。
【０１４０】
図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１が設けられており、画素部１８０１が有する配線はＦＰＣ１８１１を介して、外付け用基板１８１２上に設けられたソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８０３とに接続されている。そして外部接続用ＦＰＣ１８１２により、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３と、画素部１８０１とが有する配線が外部へ接続されている。
【０１４１】
図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３が設けられている。画素部１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３が有する配線は外部接続用ＦＰＣ１８１２を介して、外部へ接続されている。
【０１４２】
図１５において、１８０４はコントローラーであり、駆動回路を駆動し、画素部に１８０１に画像を表示させるための機能を有している。例えば、外部から入力された画像情報を有する信号をソース信号線駆動回路１８０２に入力したり、駆動回路が駆動するための信号（例えばクロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ））を生成したり、駆動回路や画素部１８０１に電位を供給するための電源としての機能を有している。
【０１４３】
駆動回路と、画素部１８０１と、コントローラー１８０４と、画素部１８０１、駆動回路、及びコントローラーがそれぞれ有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジュールを、本明細書ではＯＬＥＤモジュール１８０８と呼ぶ。ＯＬＥＤモジュール１８０８は、ＯＬＥＤパネル１８０７に駆動回路及びコントローラー１８０４を付けたものである。
【０１４４】
１８０５はマイコンであり、コントローラー１８０４の駆動を制御している。マイコン１８０５と、ＯＬＥＤモジュール１８０８とを有するモジュールを本明細書ではマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９と呼ぶ。
【０１４５】
なお実際には、ＯＬＥＤパネル１８０７、ＯＬＥＤモジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９の形体で製品として出荷される。本明細書において、ＯＬＥＤパネル１８０７、ＯＬＥＤモジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９を全て発光装置に含めるものとする。
【０１４６】
なお、本実施例で示す発光装置は、実施例１に示した作製方法及び検査方法を用いることができ、また、実施例２と同様の画素部の構成を用いることができる。また、実施例３または、実施例４に示した検査方法により検査を行うことができ、実施例５に示す素子基板を適用することもできる。
【０１４７】
〔実施例７〕
本発明は、大型基板上に複数の素子基板を同時に形成する場合においても実施することができる。
【０１４８】
なお、この場合には、素子基板とは別に形成された駆動回路と対向検出基板と電磁波源を連動させて、検査したい素子基板上に移動させればよい。また、素子基板のみを移動させて検査させても良い。
【０１４９】
複数の素子基板を検査する際には、検査する度に検査する素子基板と素子基板に接続される駆動回路を電気的に接続し直す必要がある。なお、この時用いられる素子基板側の接続端子は、検査用の端子を予め設けておいても良いが、最終的にＦＰＣにより外部と接続する際に用いる端子を用いることも可能である。
【０１５０】
〔実施例８〕
本発明の検査法を用いて検査した後で作製された発光装置は、自発光型であるため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には４０インチ以上）の電気器具（発光装置を筐体に組み込んだ電気器具）の表示部として用いることができる。
【０１５１】
なお、発光装置には、パソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々な電気器具の表示部として本発明の検査方法を用いた発光装置を用いることができる。
【０１５２】
その様な本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電気器具の具体例を図１３、図１４に示す。
【０１５３】
図１３（Ａ）は表示用ディスプレイであり、筐体１３０１、支持台１３０２、表示部１３０３等を含む。本発明の発光装置は表示部１３０３に用いることができる。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。
【０１５４】
図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体１３１１、表示部１３１２、音声入力部１３１３、操作スイッチ１３１４、バッテリー１３１５、受像部１３１６等を含む。本発明の発光装置は表示部１３１２に用いることができる。
【０１５５】
図１３（Ｃ）は頭部取り付け型の電気器具の一部（右片側）であり、本体１３２１、信号ケーブル１３２２、頭部固定バンド１３２３、スクリーン部１３２４、光学系１３２５、表示部１３２６等を含む。本発明の発光装置は表示部１３２６に用いることができる。
【０１５６】
図１３（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体１３３１、記録媒体（ＤＶＤ等）１３３２、操作スイッチ１３３３、表示部（ａ）１３３４、表示部（ｂ）１３３５等を含む。表示部（ａ）１３３４は主として画像情報を表示し、表示部（ｂ）１３３５は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）１３３４、１３３５に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１５７】
図１３（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体１３４１、表示部１３４２、アーム部１３４３を含む。本発明の発光装置は表示部１３４２に用いることができる。
【０１５８】
図１３（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体１３５１、筐体１３５２、表示部１３５３、キーボード１３５４等を含む。本発明の発光装置は表示部１３５３に用いることができる。
【０１５９】
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１６０】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１６１】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０１６２】
ここで図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体１４０１、音声出力部１４０２、音声入力部１４０３、表示部１４０４、操作スイッチ１４０５、アンテナ１４０６を含む。本発明の発光装置は表示部１４０４に用いることができる。なお、表示部１４０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。また、周囲が暗い場合印可する電圧を下げて、輝度を下げれば低電力化により有効である。
【０１６３】
また、図１４（Ｂ）は音響再生装置、具体的には車載用オーディオであり、本体１４１１、表示部１４１２、操作スイッチ１４１３、１４１４を含む。本発明の発光装置は表示部１４１２に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部１４１２は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。
【０１６４】
図１４（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体１４２１、表示部（Ａ）１４２２、接眼部１４２３、操作スイッチ１４２４、表示部（Ｂ）１４２５、バッテリー１４２６を含む。本発明の発光装置は、表示部（Ａ）１４２２、表示部（Ｂ）１４２５にて用いることができる。また、表示部（Ｂ）１４２５を、主に操作用パネルとして用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えることができる。
【０１６５】
また、本実施例にて示した電気器具においては、消費電力を低減するための方法としては、外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加するなどといった方法が挙げられる。
【０１６６】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜実施例７に示したいずれの構成を適用しても良い。
【０１６７】
【発明の効果】
本発明の検査方法によって、素子基板を発光装置として完成させ実際に表示を行わなくても、素子基板が良品か不良品かの区別をつけることが可能になり、不良品を以降の製造プロセスからはずすことができる。その結果、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の検査装置を示す図。
【図２】 本発明の素子基板及び対向検出基板の画素構造を示す図。
【図３】 本発明の検査による評価法を示す図。
【図４】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図５】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図６】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図７】 本発明を用いて検査した素子基板の上面図。
【図８】 本発明に用いた対向検出基板の上面図。
【図９】 本発明の検査方法を示す図。
【図１０】 発光装置の画素の回路図。
【図１１】 本発明の対向検出基板の構成を示す図。
【図１２】 本発明の対向検出基板の構成を示す図。
【図１３】 発光装置を用いた電気器具。
【図１４】 発光装置を用いた電気器具。
【図１５】 本発明の検査法を用いて検査された発光装置。
【図１６】 本発明の検査法を用いて検査された発光装置。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作するかを検査する装置及び検査方法に関する。特に半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いた発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常に動作するかどうかを検査する装置、検査方法、検査方法を作製行程の途中に含む発光装置の作製方法、および作製方法を用いて作製された発光装置に関する。
【０００２】
なお、本発明におけるＥＬ素子とは、一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造を有し、ＥＬ層は、電界を加えることで蛍光又は燐光から成る発光が得られる有機化合物を含む層のことをいう。
【０００３】
また、本発明の検査装置により検査される発光装置とは、ＥＬ素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、ＥＬ素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム(ＦＰＣ: Flexible Printed Circuit)もしくはＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、またはＥＬ素子にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０００４】
【従来の技術】
近年、基板上にＴＦＴ（thin film transistor）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置（発光装置）への応用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティともいう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。
【０００５】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られる。
【０００６】
さらに、自発光型の素子としてＥＬ素子を有したアクティブマトリクス型の発光装置（ＥＬディスプレイを含む）の研究が活発化している。発光装置は有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００７】
発光装置が有するＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）間に有機化合物からなるＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
【０００８】
また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０００９】
本明細書において陰極と陽極の間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てＥＬ層に含まれる。
【００１０】
そして、上記構造からなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【００１１】
ＥＬ素子が有するＥＬ層は熱、光、水分、酸素等によって劣化が促進されることから、一般的にアクティブマトリクス型の発光装置の作製において、画素部に配線やＴＦＴを形成した後にＥＬ素子が形成される。
【００１２】
そしてＥＬ素子が形成された後、ＥＬ素子が設けられた基板（ＥＬパネル）とカバー材とを、ＥＬ素子が外気に曝されないように貼り合わせてシール材等により封止（パッケージング）する。
【００１３】
パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（ＦＰＣ、ＴＡＢ等）を取り付けて、アクティブマトリクス型の発光装置が完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、アクティブマトリクス型の発光装置において、ＥＬ素子の一対の電極からＥＬ層にかける所定の電圧（ＥＬ層に流れる電流）は、各画素に設けられたトランジスタによって制御される。そのため、画素部が有するトランジスタが正常に機能しなかったり、配線が断線またはショートするなど、何らかの不具合が生じると、ＥＬ素子が有するＥＬ層に所定の電圧（電流）をかけることができなくなる。その場合、画素は所望の階調を表示することができなくなってしまう。
【００１５】
しかし、このように画素部においてＥＬ素子の発光を制御する配線やトランジスタに何らかの不具合が生じていても、発光装置を完成させて実際に表示を行うまで、その不具合の存在を確認することが難しい。そのため実際には製品にならない画素部を有していても、検査により良品との区別をつけるためには、ＥＬ素子を完成させ、パッケージングし、コネクターを取り付けて発光装置として完成させる必要がある。この場合、ＥＬ素子を形成する工程と、パッケージングする工程と、コネクターを取り付ける工程とが無駄になるため時間とコストを抑えることができない。また多面取りの基板を用いてＥＬパネルを形成する場合でも、パッケージングして、コネクターを取り付ける工程が無駄になり、同様に時間とコストを抑えることができない。
【００１６】
アクティブマトリクス型の発光装置に先行して量産化されているアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイでは、２つの基板間に液晶を封入して液晶ディスプレイを完成させる前に、すなわち、画素部において配線やＴＦＴを形成した後で、各画素が有するコンデンサに電荷を蓄積し、その電荷量を各画素に測定して、画素部に不具合が生じていないかどうかを確認している。
【００１７】
しかし、アクティブマトリクス型の発光装置の場合、一般的に各画素にＴＦＴが２つ以上設けられていることが多い。そして、ＥＬ素子が有する一方の電極（画素電極）とコンデンサとが、トランジスタを間に介して接続されている場合がある。この場合、コンデンサに蓄積した電荷量を測定しても、コンデンサと画素電極との間に接続されている配線及びトランジスタに不具合があるかどうかを確認することが難しい。また、発光装置の場合にはＥＬ素子に電流を流す必要があることから、流れる電流値を測定することも必要である。
【００１８】
アクティブマトリクス型の発光装置の量産化に向けて、発光装置を完成させる前に、画素部において配線及びトランジスタに不具合が生じていないか、言い換えると、各画素のＥＬ素子の画素電極に所定の電圧を印加することができるか（もしくは、所定の電流を流すことができるか）どうかの検査方法の確立が求められている。
【００１９】
【発明を解決するための手段】
本発明で開示する電磁波を用いた検査方法では、素子基板上に形成された半導体素子や、これに接続され、マトリクス状に形成された画素及び配線における欠陥があるかどうかを検査する。
【００２０】
なお、本明細書中において素子基板とは、基板上に配線及び半導体素子を形成した後、画素部に独立して形成される画素のうち、半導体素子に接続された画素電極まで形成された状態のものをいう。また、半導体素子とは、半導体物質を用いたスイッチング機能を単独または複数で構成される素子のことをいい、トランジスタ、特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：TFT）などが挙げられる。従って、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板やＴＦＴが形成された基板はどちらも素子基板に含まれる。
【００２１】
そして画素部が有する配線のうち、全ての電流供給線を同じ電位に保った状態で、ゲート信号線を順に選択してソース信号線に同じ電位を有する信号を順に入力し、全ての画素を順に選択していく。なお本明細書において画素が選択されるとは、画素が有するゲート信号線が選択されている状態で、該画素が有するソース信号線にビデオ信号が入力されることを意味する。
【００２２】
また、対向検出基板を素子基板上に備え、図１（Ａ）に示すように電磁波源１０１から対向検出基板１０２と素子基板１０３の間にある気体に電磁波（好ましくはＸ線）を照射する。なお電磁波源とは、電磁波を発生することができるものであり、電磁波が発生すると、電磁波により気体（ここでは、空気）が電離して、イオンが発生し、電流が流れる電気的な通路が生じる。なお、本明細書中において、対向検出基板とは、素子基板上の画素が有する画素電極に流れる電流が電気的な通路を介して流れる電極が形成された基板のことをいい、対向検出基板上に形成された電極のことを対向検出電極とよぶ。また、素子基板の画素電極に流れる電流が対向検出基板の対向検出電極に流れることを通電状態にあるという。
【００２３】
そして、素子基板１０３上のある画素が、選択されているときには選択された画素と対向検出基板１０２間が接続される。つまり、素子基板上の画素を順次選択することにより、各画素をそれに応じて対向検出基板１０２と電気的に接続させることができる。なお、図１（Ａ）に示すように、素子基板上の特定の画素に流れる電流を検出する際に、より正確に素子基板上に流れる電流を測定することができる位置のことを対応した位置とよぶ。なお、対向検出基板を素子基板に対応した位置に備えるためには、画素と対向検出電極が最も短距離になるように素子基板、もしくは対向検出基板を移動させる必要がある。
【００２４】
このとき、対向検出基板１０２に流れる電流は、対向検出基板１０２と接続された電流計１２３により測定することができる。すなわち、ここで測定した電流値は、素子基板１０３の選択された画素に入力されたビデオ信号によるものである。そして、測定した電流の値がある一定の範囲内に納まっているかどうかを評価することで、各画素が有する配線及びトランジスタに不具合が生じていないかどうかを検査することができる。
【００２５】
ある画素が選択されているときに画素電極または画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲からはずれている場合、該画素が有するトランジスタが正常に機能していないとか、配線が断線またはショートするなどの不具合が生じているものとみなすことができる。逆にある画素が選択されているときに画素電極または画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲に納まっている場合、該画素が有するトランジスタ及び配線は正常に機能しているものとみなすことができる。
【００２６】
なお、トランジスタ及び配線が正常に機能しているとみなすことができる電流値の範囲は、実施者が適宜設定することができる。また検査した結果、不具合が生じている画素（不良画素）の数が画素部にｎ個以上存在している場合、該素子基板は不良品とみなされる。なお不良品とみなす不良画素の数ｎは、実施者が適宜設定することができる。
【００２７】
本発明の検査方法により検査した素子基板上に予め形成されている電極（画素電極）上にこれと接して有機化合物層を形成し、有機化合物層上にこれと接して電極（対向電極）を形成することにより発光装置として完成させ実際に表示を行わなくても、素子基板が良品か不良品かの区別をつけることが可能になる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の検査装置及びそれを用いて素子基板を検査する方法について図１を用いて説明する。なお、本発明において発光装置に用いるトランジスタは、Ｍ０Ｓトランジスタであっても薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）であっても良い。また、ＴＦＴの場合、構造を限定する必要はなくプレーナ型や逆スタガ型といった構造のＴＦＴを用いればよい。さらに、本発明で用いる発光装置の駆動回路も公知のものを用いればよい。
【００２９】
また、本発明の検査方法をＥＬ素子を有する発光装置に用いる場合には、ＥＬ素子の素子構造及びＥＬ材料には、公知のものを用いればよい。
【００３０】
本明細書において、検査装置とは、電磁波源１０１及び対向検出基板１０２をあわせたもののことをいう。しかし、ここで示した対向検出基板１０２は、本発明の実施形態の一例であり、図１（Ａ）に示したような形状に限られることはない。対向検出基板のその他の形状に関しては、本明細書中の実施例で詳しく述べることとする。
【００３１】
また、電磁波源１０１は、電源１０４に接続されており、電磁波源１０１内部の２枚の電極間に電源１０４から数ｋＶの高電圧をかけた際に、陰極で発生した電子が、陽極に衝突することで電磁波を発生させる。なお、本発明においては、０．０１〜１００ｎｍの波長を有するＸ線または軟Ｘ線を用いることが望ましいが、対向検出基板と素子基板の間にある気体を電離させることができる電磁波がある場合には、それを用いることもできる。
【００３２】
一般的に電磁波は、光イオン化の機能を有している。この原理としては、安定した原子及び分子に電磁波を照射することで、原子及び分子中の電子がはじき出され、電子がなくなったことによりプラス（＋）の極性となった原子及び分子が発生する。
【００３３】
そして、さらにはじき出された電子が別の安定した原子又は、分子を攻撃することでマイナス（−）の極性を持つ原子又は分子を発生させる。
【００３４】
これにより、結果として電磁波が照射されている気体中は、プラスとマイナスにイオン化された原子又は、分子が存在することになる。そこで、本発明では、素子基板１０３と対向検出基板１０２を図１（Ａ）に示すように重ね合わせて電磁波源１０１から電磁波を照射させ、電磁波が素子基板１０３と対向検出基板１０２との間にある気体に照射されるようにする。このとき気体（空気）は電磁波により電離するため、素子基板１０３と対向検出基板１０２との間にイオンによる電気的な通路を形成させることが可能となる。なお、ここでいう気体とは、空気のことをいうが、より電離しやすい気体を用いても良い。また、対向検出基板１０２と素子基板１０３間の距離は極力近い方が好ましい。なお、具体的には、対向検出基板１０２と素子基板１０３間の距離が５００μｍ以下となるのが好ましい。
【００３５】
素子基板１０３中には、画素がマトリクス状に複数形成されている。また、素子基板１０３は、駆動回路（Ａ）１０７に接続されている。なお、駆動回路（Ａ）１０７には、ゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を含む。そして、例えば図１（Ａ）に示すように画素１０５にゲート側駆動回路からの選択信号が入力されると、画素１０５が選択される。なお、ここでいう選択信号とは、ゲート線に接続されたゲート電極に信号が入力されることで、ゲート電極を開くことができる信号のことをいい、選択信号により画素が有するゲート電極が開く状態にあることを画素が選択されるという。画素１０５が選択され、ソース側駆動回路からのビデオ信号が入力されると、素子基板１０３上の画素１０５の画素電極には、電流が流れる。更にこの電流は電磁波に電離された気体中を通り、対向検出基板１０２上に形成される対向部１０６に流れる。なお、本明細書中において、対向部１０６とは、素子基板１０３上に形成される画素１０５に対応して対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成されており、素子基板１０３からの電流が流れる対向検出電極と対向検出電極と接続された検査用ＴＦＴ１２０が各対向部に形成されている。なお、本明細書中において、検査用ＴＦＴ１２０とは、対向検出基板１０２に接続された駆動回路（Ｂ）１０８から入力される選択信号により、ゲート電極が開くと、選択された素子基板１０３上の画素電極から対向検出電極を介して電流を流すことができるＴＦＴのことをいう。
【００３６】
ここで、素子基板１０３にマトリクス状に形成された画素１０５の拡大図を図１（Ｂ）に示す。なお、ここではトランジスタの例としてＴＦＴを例示して説明するが、ＭＯＳトランジスタを用いても構わない。図１（Ｂ）に示すように、検査を行う素子基板１０３は、絶縁体上に駆動用ＴＦＴ及び画素部におけるＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用ＴＦＴ）が形成されている。
【００３７】
図１（Ｂ）において、１１０はスイッチング用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ１１０のゲート電極は、ゲート信号線１１１に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線１１２に、もう一方が電流制御用ＴＦＴ１１３のゲート電極、各画素が有するコンデンサ１１４にそれぞれ接続されている。
【００３８】
コンデンサ１１４はスイッチング用ＴＦＴ１１０が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用ＴＦＴ１１３のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間の電位差）を保持するために設けられている。なおここではコンデンサ１１４を設ける構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、コンデンサ１１４を設けない構成にしても良い。
【００３９】
また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域とドレイン領域は、一方が電流供給線１１５に接続され、もう一方は画素１０５が有する画素電極と接続される。なお、電磁波を照射することにより電気的な通路が形成されると画素電極は対向検出基板１０２上の対向部１０６が有する検査用ＴＦＴ（図１（Ｃ）１２０）のソース領域に接続される。なお、電流供給線１１５はコンデンサ１１４に接続されている。
【００４０】
また、対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成されている対向部１０６の拡大図を図１（Ｃ）に示す。各対向部にはそれぞれ検査用ＴＦＴ１２０が形成されており、ゲート電極は、駆動回路（Ｂ）１０８と接続されたゲート信号線１２１に接続されている。そして、素子基板１０３上のある画素が選択されたときには、駆動回路（Ｂ）１０８からの選択信号により、選択された基板上の画素に対応する対向部１０６が選択される。また、検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領域は、ドレイン配線１２２に接続され、ドレイン配線１２２は、外部で電流計１２３に接続されている。
【００４１】
電流供給線１１２は電源電位が与えられており、また、電源電位は、外付けのＩＣ等により設けられた電源によって与えられる。
【００４２】
スイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されている場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。
【００４３】
またスイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用ＴＦＴ１１３は、シングルゲート構造ではなく、ダブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有していても良い。
【００４４】
次に、本発明の対向検出基板１０２及びそれを用いて検査する素子基板１０３を図２（Ａ）及び図２（Ｂ）にそれぞれ示す。なお、図１（Ｂ）に示す画素１０５がマトリクス状に形成されているのが図２（Ａ）に示す画素部２０１である。図２（Ａ）には、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）及びゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）が画素部２０１に設けられている。
【００４５】
ここでは、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）とを１つずつ備えた領域が画素１０５である。
【００４６】
図２（Ｂ）は、本発明の対向検出基板１０２上にマトリクス状に形成される対向部１０６を示す。なお、図２（Ｂ）には、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）が設けられている。そして、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）からの信号により、対向部１０６が選択される。また、対向部１０６における検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領域は、いずれも電流線（Ａ）と接続され、外部の電流計１２３に接続されている。
【００４７】
つまり、素子基板１０３上の選択された画素から電気的な通路を通って流れる電流は、対向検出基板１０２上で選択された対向部１０６に流れ、そして、電流計１２３において検出される。なお、このように素子基板１０３上の画素１０５と、それに対応する対向検出基板１０２上の対向部１０６との距離が極力小さくなるように対向検出基板を固定するステージ、素子基板を固定するステージのいずれか一方、もしくはその両方に位置合わせ機能を持たせても良い。
【００４８】
次に素子基板１０３上の画素１０５におけるスイッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１３を本発明の検査法を用いて評価する方法について図３を用いて説明する。
【００４９】
図３（Ａ）は、素子基板１０３上の画素部２０１に形成された画素一つ一つをそれぞれＸ−Ｙ座標（Ｘ,Ｙ）で示したものである。つまりここでは、紙面に向かって横方向にＸ列の画素が形成されており、紙面に向かって縦方向にＹ行の画素が形成されていることを示している。
【００５０】
そして、各画素のゲート電極が選択されると選択された画素にソース信号線駆動回路と電気的に接続されるソース信号線からビデオ信号が入力される。このとき、画素電極に流れる電流は気体中を電磁波で照射して形成される電気的な通路を通り、対向検出基板１０２の対向検出電極から検査用ＴＦＴ１２０に入力され、さらにドレイン配線を通り、外部に接続された電流計１２３に入力される。ここで、電流計１２３により、素子基板１０３上の選択された画素と対応する対向部との間に流れる電流を測定することができる。なお、電流計１２３は、対向検出基板１０２上に形成させることも可能である。
【００５１】
なお、本実施の形態では、ビデオ信号がアナログ及びデジタルのいずれの場合においても「白」の情報を有していた場合、電流制御用ＴＦＴはオンの状態となっている。よって画素電極には電源電位が与えられる。その結果、「白」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から対向検出基板１０２の対向部１０６及び電流計１２３に電流が流れる。
【００５２】
逆に、「黒」の情報を有していた場合、素子基板１０３に形成された電流制御用ＴＦＴ１１３はオフの状態となっている。よって画素電極には電源電位は与えられない。その結果、「黒」の情報を有するビデオ信号が入力された画素から対向検出基板１０２の対向部１０６及び電流計１２３に流れる電流は「白」の情報を有するビデオ信号が入力された時に比べて少なくなる。
【００５３】
上記は、スイッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１１３のいずれも正常に機能している場合である。しかし、これらのいずれかが不良であった場合には、流れるべき電流が流れなかったり、流れるはずのない電流が流れてしまったりといった事態が生じる。
【００５４】
そこで、本発明では、予め正常に機能するＴＦＴを有する画素を用いて、ビデオ信号が「黒」の時の電流値及び「白」の時の電流値を測定しておき参照データとするのがよい。
【００５５】
さらに本発明では、データの評価には、ビデオ信号が白の時と黒の時にそれぞれ流れる電流値の比（白黒の比）を用いる。
【００５６】
図３（Ｂ）には、測定した結果を規格化した白黒の比で示した一例を示す。この規格化においては、参照データを用いて十分に白黒の比（コントラスト）がとれるものを１００とした。この表は、縦軸に白黒の比を取り、横軸に画素の座標を取る。また、白黒の比に基準を設け、ここでは、白黒の比が２０以上１００以下であるときには、良品であるとする。つまり、図３（Ｂ）の斜線領域が良品基準内となる。
【００５７】
しかし、座標（１,３）のように白黒の比が基準値よりも低くなっている場合には、不良品と判断し、それ以降の工程からはずすことになる。白黒の比の良品基準は、求められる水準に応じて設定すればよい。
【００５８】
以上に示した方法を用いて、各画素の特性を評価することにより、不良品を早期に発見することができる。これにより不良品については、以降のＥＬ素子形成といった製造プロセスからはずすことができる。更に不良の程度によっては、リペア工程により修復させて以降の工程を流すことができる。なお、素子基板の検査工程が終了後、画素電極（第１の電極）上に有機化合物層及び陰極（第２の電極）を形成し、発光装置を完成させる方法については以下の実施例において詳細に説明する。
【００５９】
以上の結果、不良品を最終工程まで通すことにより生じるロスの低減及びリペアでの修復により歩留まりの向上に寄与することができる。
【００６０】
【実施例】
〔実施例１〕
本実施例では、本発明の発光装置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソース信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路、画素選択信号線側駆動回路）のＴＦＴを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示することとする。
【００６１】
まず、図４（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板５００１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜５００２ａを１０〜２００[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜５００２ｂを５０〜２００[nm]（好ましくは１００〜１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【００６２】
島状半導体層５００３〜５００６は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００６３】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００[mJ/cm2](代表的には２００〜３００[mJ/cm2])とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００[mJ/cm2](代表的には３５０〜５００[mJ/cm2])とすると良い。そして幅１００〜１０００[μm]、例えば４００[μm]で線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０[％]として行う。
【００６４】
次いで、島状半導体層５００３〜５００６を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０[nm]としてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３００〜４００[℃]とし、高周波（１３．５６[MHz]）、電力密度０．５〜０．８[W/cm2]で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００６５】
そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａで５０〜１００[nm]の厚さに形成し、第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さに形成する。
【００６６】
Ｔａ膜はスパッタ法で、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０[nm]程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることができる。
【００６７】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０[μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９[％]のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０[μΩcm]を実現することができる。
【００６８】
なお、本実施例では、第１の導電膜５００８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。
【００６９】
次に、レジストによるマスク５０１０を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１[Pa]の圧力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MHz]）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【００７０】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０[nm]程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１６ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆われない領域は２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される（図４（Ａ））。
【００７１】
そして、第１のドーピング処理を行いＮ型を付与する不純物元素を添加する。
ドーピングの方法はイオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14[atoms/cm2]とし、加速電圧を６０〜１００[keV]として行う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１７〜５０２５には１×１０20〜１×１０21[atoms/cm3]の濃度範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する（図４（Ｂ））。
【００７２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、レジストマスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００７３】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【００７４】
そして、図５（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０13[atoms/cm2]のドーズ量で行い、図４（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部における膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。
【００７５】
図５（Ｂ）に示すように第３のエッチング処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ6を用い、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３のエッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１の導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３のエッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第２の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００７６】
第３のエッチング処理によって、第３の不純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６ｂとが形成される。
【００７７】
そして、図５（Ｃ）に示すように、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５００６に第1の導電型とは逆の導電型である第４の不純物領域５０４３〜５０５４を形成するための第３のドーピングを行う。第３の形状の導電層５０３８ｂ、５０４１ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００３、５００５及び配線部５０４２はレジストマスク５２００で全面を被覆しておく。不純物領域５０４３〜５０５４にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度が２×１０20〜２×１０21[atoms/cm3]となるようにする。
【００７８】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として機能する。
【００７９】
レジストマスク５２００を除去した後、導電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下、好ましくは０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００[℃]、代表的には５００〜６００[℃]で行うものであり、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。ただし、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【００８０】
さらに、３〜１００[％]の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０[℃]で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【００８１】
次いで、図６（Ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜５０５５を無機絶縁材料により形成する。なお、本実施例では、酸化窒化シリコン膜からなる第１の層間絶縁膜５０５５を１００〜２００[nm]の厚さで形成する。さらに、その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１の層間絶縁膜５０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、及びゲート絶縁膜５００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４をパターニング形成した後、接続配線５０６２に接する画素電極５０６３をパターニング形成する。
【００８２】
第２の層間絶縁膜５０５６としては、有機樹脂を材料とする膜を用い、その有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等を使用することができる。特に、第２の層間絶縁膜５０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ましくは２〜４[μm]）とすれば良い。
【００８３】
コンタクトホールの形成は、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電流供給線に達するコンタクトホール（図示せず）、及びゲート電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれぞれ形成する。
【００８４】
また、配線（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００[nm]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１５０[nm]をスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、他の導電膜を用いても良い。
【００８５】
また、本実施例では、画素電極５０６３としてＩＴＯ膜を１１０[nm]の厚さに形成し、パターニングを行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接して重なるように配置することでコンタクトを取っている。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極５０６３がＥＬ素子の陽極となる。（図６（Ａ））なお、検出の関係で画素電極面積に対して配線領域の面積が多くなると誤差が多くなるため画素エリアの比は、高い方が良い。又、表示素子においては、高開口率が求められるために両者の要求は合致している。
【００８６】
ここまで形成したら、本発明の検査方法及び検査装置を用いて本発明の実施の形態で説明したように素子基板の検査を行う。また、ここまで形成した本実施例における発光装置の画素部の上面図を図７（Ａ）に、回路図を図７（Ｂ）に示す。なお、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）では、共通の符号を用いるので互いに参照すればよい。
【００８７】
スイッチング用ＴＦＴ７０２のソースはソース配線７１５に接続され、ドレイン領域はドレイン配線７０５に接続される。また、ドレイン配線７０５は電流制御用ＴＦＴ７０６のゲート電極７０７に電気的に接続される。また、電流制御用ＴＦＴ７０６のソースは電流供給線７１６に電気的に接続され、ドレイン領域はドレイン配線７１７に電気的に接続される。また、ドレイン配線７１７は点線で示される画素電極（陽極）７１８に電気的に接続される。
【００８８】
このとき、７１９で示される領域には保持容量が形成される。保持容量７１９は、電流供給線７１６と電気的に接続された半導体膜７２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極７０７との間で形成される。また、ゲート電極７０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線７１６で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。
【００８９】
さらに本実施例において用いる対向検出基板の上面図を図８に示す。なお、本実施例において用いる対向検出基板は、電磁波を透過しやすい材料としてガラス、石英を用いればよい。なお、本実施例では電磁波として０．１〜１００ｎｍの波長の電磁波である軟エックス線を用いる。また、対向検出基板は、本実施例で説明した素子基板の作製と同様の方法を用いて作製することができる。ただし、対向検出基板に形成された対向検出電極は、素子基板の画素電極を形成させた材料とは異なり、ベリリウム、アルミニウムからなり、軟Ｘ線を透過しやすい材料を用いるとよい。また、これらの材料は、各対向部全面にベタに形成しても良いが、ストライプ状に形成しても、メッシュ状に形成しても良い。
【００９０】
なお、対向検出基板を別の低温成膜プロセスにより作製した場合には、ガラス、石英の他に塩化ビニルやアクリルといった有機樹脂を用いることができる。
【００９１】
８０１は検査用ＴＦＴであり、検査用ＴＦＴ８０１のソース領域８０２はソース配線８０３により対向検出電極に接続され、空気中の気体に軟エックス線が照射され、電気的通路が生じたときに素子基板の画素電極と電気的に接続される。
また、検査用ＴＦＴ８０１のドレイン領域８０４はドレイン配線（８０５ａ及び８０５ｂ）に接続され、外部に設けられた電流計（図示せず）に電気的に接続される。
【００９２】
なお、軟Ｘ線が気体に照射されると気体は電離するが、本発明における電離とは、電流が画素電極から、電離された気体中を介して対向検出電極に流れる程度に電離することをいう。
【００９３】
また、ゲート電極８０６は、ゲート線８０７に接続され、対向検出電極は、８０８に点線で示される領域である。
【００９４】
画素電極を有する素子基板を形成させたら、以下に示すように素子基板の検査を行う。まず、素子基板９０１と対向検出基板９０２を図９に示すように上下に備え検査を行う。なお、本実施例では、素子基板９０１と対向検出基板９０２を図９に示すような配置とし、対向検出基板の上方から電磁波を照射して、空気を電離させる構成としたが、本発明はこれに限られることはなく空気が電離され、これにより素子基板９０１と対向検出基板９０２との間に電流を流すことのできる電気的な通路を形成させることができればよい。
【００９５】
電磁波源９０３から対向検出基板９０２に軟Ｘ線を照射すると、対向検出基板９０２を軟Ｘ線が透過して、対向検出基板９０２と素子基板９０１の間にある空気中に軟Ｘ線が照射される。図９において９０７で示されるように空気が軟Ｘ線により電離されることにより見かけの抵抗が形成される。
【００９６】
これにより、空気中に電気的な通路が形成され、素子基板９０１上の選択された画素にビデオ信号が入力されたときに画素電極９０４に流れる電流が、この電気的な通路を通り対向検出基板９０２上の対向検出電極９０５に入力される。
【００９７】
ここで入力された電流は、対向検出電極９０５と接続された検査用ＴＦＴ（図示せず）のソース領域からドレイン領域を経て、ドレイン配線により外部の電流計９０６に入力される。外部の電流計により、素子基板９０１上の画素にビデオ信号が入力されたとき（白）と、入力されていないとき（黒）に画素電極に流れるそれぞれの電流量を検出し、これを白黒の比として示すことにより、素子基板９０１上のＴＦＴの品質を評価する。そして、ある基準値よりも低い品質のものをはずしてＥＬ素子形成のプロセスを行う。更に、不良の原因や不良の程度によっては、リペア工程により修復させて以降の工程に流すことも可能である。
【００９８】
次に、図６（Ｂ）に示すように、珪素を含む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００[nm]の厚さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。
【００９９】
次に、ＥＬ層５０６６及び陰極（ＭｇＡｇ電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層５０６６の膜厚は８０〜２００[nm]（典型的には１００〜１２０[nm]）、陰極５０６７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２００〜２５０[nm]）とすれば良い。
【０１００】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次、ＥＬ層５０６６及び陰極５０６７を形成する。但し、ＥＬ層５０６６は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこで、メタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層５０６６及び陰極５０６７を形成する蒸着法などの方法を用いるのが好ましい。
【０１０１】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。
【０１０２】
ここではＲＧＢに対応した３種類のＥＬ素子を形成する方式を用いたが、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式などを用いても良い。
【０１０３】
なお、ＥＬ層５０６６を形成する材料としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層からなる４層をＥＬ層とすれば良い。
【０１０４】
次に、同じゲート信号線にゲート電極が接続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じラインの画素）上に、メタルマスクを用いて対向電極５０６７を形成する。なお本実施例では対向電極５０６７には陰極材料であるＭｇＡｇを用いたが、本発明はこれに限定されない。対向電極５０６７として他の公知の材料を用いても良い。
【０１０５】
最後に、窒化珪素膜からなるパッシベーション膜５０６８を３００[nm]の厚さに形成する。パッシベーション膜５０６８を形成しておくことで、ＥＬ層５０６６を水分等から保護することができ、ＥＬ素子の信頼性をさらに高めることができる。
【０１０６】
こうして図６（Ｂ）に示すような構造の発光装置が完成する。なお、本実施例における発光装置の作成工程においては、回路の構成及び工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。
【０１０７】
ところで、本実施例の発光装置は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を添加し、結晶性を高めることも可能である。それによって、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以上にすることが可能である。
【０１０８】
まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦＴとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッションゲートなどが含まれる。
【０１０９】
本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域（ＬOV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重ならないオフセットＬＤＤ領域（ＬOFF領域）及びチャネル形成領域を含む。
【０１１０】
また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
【０１１１】
その他、駆動回路において、チャネル形成領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるようなＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成することが好ましい。このような例としては、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、ＬOV領域を有していることが好ましい。このような例としては、やはり、点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられる。
【０１１２】
なお、実際には図６（Ｂ）の状態まで完成したら、さらに外気に曝されないように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
【０１１３】
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成させる。このような出荷できる状態にまでした状態を本明細書中では発光装置という。
【０１１４】
〔実施例２〕
次に、本発明を用いて検査を行う素子基板の画素部の構造において、実施例１で示したのと異なる構造を有する場合について図１０を用いて説明する。
【０１１５】
画素部１００１において、ソース信号線駆動回路に接続されたソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ＦＰＣを介して発光装置の外部の電源に接続された電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、書き込み用ゲート信号線駆動回路に接続された書き込み用ゲート信号線（第１のゲート信号線）（Ｇａ１〜Ｇａｙ）、消去用ゲート信号線駆動回路に接続された消去用ゲート信号線（第２のゲート信号線）（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）が画素部１００１に設けられている。
【０１１６】
ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１〜Ｇａｙ）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）とを備えた領域が画素１００５である。画素部１００１にはマトリクス状に複数の画素１００５が配列されることになる。本実施例に示す素子基板は、実施例１の構成と組み合わせて実施することが可能である。
【０１１７】
〔実施例３〕
本実施例では、本発明の検査を行う場合に実施例１で示したのとは異なる対向検出基板を用いて検査を行う方法について図１１を用いて説明する。
【０１１８】
図１１において、１１０１は電磁波の中でも０．１〜１００ｎｍの波長を有する軟Ｘ線を発生させる電磁波源であり、電磁波源１１０１には電源１１０４が接続されている。
【０１１９】
電磁波源１１０１から放射された軟Ｘ線は、遮蔽板１１０５の対象面上に相応した微細な穴を通過して対向検出基板１１０２に照射され、その他の部分は遮蔽板１１０５により遮蔽される。なお、遮蔽板１１０５は、軟Ｘ線を充分に遮蔽できる材料で形成されている。そして、軟Ｘ線は対向検出基板１１０２を透過して対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に位置する空気中に照射される。なお、本実施例で用いる対向検出基板１１０２は、実施例１で用いたようなマトリクス状に形成された対向部ごとに検査用ＴＦＴおよび対向検出電極が形成されているものとは異なり、絶縁体上に金属等の導体からなる膜形成させ、全面が対向検出電極として形成されている。なお、導体からなる膜は、全面ベタ状である必要はなく、ストライプ状、もしくはメッシュ状に形成されていても良い。
【０１２０】
また、対向検出基板１１０２は、素子基板１１０３上に重なるようにのせて検査を行うことができる。
【０１２１】
なお、対向検出電極を形成する導体としては、ベリリウムやアルミニウムといった軟Ｘ線の透過率の高い金属材料を用いると良い。また、遮蔽板１１０５は、軟Ｘ線を遮蔽させるものであればよい。例えば、鉛ガラスのような軟Ｘ線の透過率の低い材料を用い、軟Ｘ線を照射させる部分に穴を開けて使用してもよい。
【０１２２】
そして、本実施例においては、電磁波源１１０１及び遮蔽板１１０５の下方に位置する対向検出基板１１０２及び素子基板１１０３を同時にずらしながら対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在する空気中に軟Ｘ線を照射する。すなわち、ここでは、素子基板１１０３は、対向検出基板１１０２と連動している。
【０１２３】
軟Ｘ線が対向検出基板１１０２を透過して対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在する空気中に照射されることで、対向検出基板１１０２と素子基板１１０３間に電気的な通路が形成され、これにより素子基板１１０３上に形成された画素が有する画素電極と対向検出基板１１０２上に形成された対向検出電極とに流れる電流値の測定を行うことができる。
【０１２４】
なお、ここでは、対向検出基板１１０２と素子基板１１０３を連動させて素子基板を検査する構成を示したが、これらを固定させ、電磁波源のみを移動させる構成にすることも可能である。
【０１２５】
測定方法及び評価方法に関しては、実施例１と同様の方法を用いれば良い。なお、本実施例の構成は、実施例１及び実施例２の構成と組み合わせて実施することが可能である。
【０１２６】
〔実施例４〕
本実施例では、本発明の検査を行う場合に実施例１及び実施例３で示したのとは異なる対向検出基板を用いて検査を行う方法について図１２を用いて説明する。
【０１２７】
図１２において、１２０１は電磁波の中でも０．０１〜１００ｎｍの波長を有するＸ線を発生させる電磁波源であり、電磁波源１２０１には電源１２０４が接続されている。
【０１２８】
電磁波源１２０１から放射されたＸ線は、対向検出基板１２０２に集められた後、対向検出基板１２０２を透過して素子基板１２０３上に放射される。ここで、対向検出基板１２０２上に形成される対向検出電極に用いられる材料としては、Ｘ線の透過率の高いベリリウムやアルミニウムといった材料を用いると良い。
【０１２９】
本実施例では、電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２の下方に素子基板１２０３が備えられており、素子基板１２０３の各画素を検査するたびに素子基板１２０３を移動させる。また、ミラー１２０５は、Ｘ線を集光させる働きを有する。すなわち、本実施例において電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２は固定されており、素子基板１２０３が、異なる画素を検査する度に移動する構成になっている。
【０１３０】
そして、Ｘ線が対向検出基板１２０２と素子基板１２０３の間に存在する空気中に照射されることで、対向検出基板１２０２と素子基板１２０３との間に電気的な通路が形成され、これにより素子基板１２０３上に形成された画素が有する画素電極から対向検出基板１２０２上の対向検出電極に流れる電流値の測定を行うことができる。本実施例においては、対向検出基板１２０２を透過したＸ線が素子基板１２０３上の測定したい画素に照射されるために、所望の位置に電気的な通路を形成することができるため、より正確に電流値を測定することができる。
【０１３１】
なお、ここでは、素子基板１２０３が移動する構成を示したが、素子基板１２０３を固定して、電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２を連動させて検査する構成にすることも可能である。また、この対向検出基板１２０２をリング状にしてＸ線が通過するような形状にしても良いし、近傍に単なる電極を備えても良い。
【０１３２】
本実施例においては、測定方法及び評価方法は、実施例１と同様であるが、Ｘ線を集めるのが困難な場合には、必要に応じて周囲に反射率の高いミラーを備えたり、キャピラリープレートなどを備えて、Ｘ線を所望の位置に照射しやすい環境にすることも可能である。また、対向検出基板１２０２と素子基板間の距離は極力近い方が好ましい。なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例３の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１３３】
〔実施例５〕
実施例１〜実施例４では、素子基板として表面にＴＦＴが形成された基板を例示したが、本発明はＴＦＴの代わりに半導体基板に形成されたＭＯＳトランジスタを用いた場合においても実施することができる。例えば、ＭＯＳトランジスタが形成された半導体基板（典型的にはシリコンウェハ）も素子基板として検査することが可能である。
【０１３４】
なお、本実施例の素子基板を検査するにあたって、発明の実施の形態、実施例３もしくは実施例４に示された検査方法のいずれの構成を用いることができる。
【０１３５】
〔実施例６〕
本実施例では、本発明の表示パネルにＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターを接続し、実際に製品として出荷することができる形体にした場合について図１５、１６により説明する。
【０１３６】
図１５において、１８０１は本発明の検査方法をパスした画素部であり、複数の画素が設けられている。
【０１３７】
１８０２はソース信号線駆動回路、１８０３はゲート信号線駆動回路である。ゲート信号線駆動回路１８０３から出力された選択信号によって、ソース信号線駆動回路１８０２から出力されたビデオ信号が画素部１８０１の指定された画素に入力される。ビデオ信号はデジタルでもアナログでもどちらでも良い。またソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８０３はいくつ設けられていても良い。
【０１３８】
ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３からなる駆動回路と、画素部１８０１と、画素部１８０１が有する配線及び駆動回路が有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジュールを、本明細書ではＯＬＥＤパネル１８０７と呼ぶ。ＯＬＥＤパネル１８０７には、必ずしも駆動回路が付けられている必要はなく、画素部１８０１と画素部１８０１が有する配線は、別に形成されていても良い。
【０１３９】
ここで、駆動回路と画素部１８０１とが別の基板上に設けられＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターにより接続されているＯＬＥＤパネルを外付け型ＯＬＥＤパネルと呼び、駆動回路と画素部１８０１とが同じ基板上に設けられているＯＬＥＤパネルを、一体型ＯＬＥＤパネルと呼ぶ。なお、図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパネルを示し、図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルを示す。
【０１４０】
図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１が設けられており、画素部１８０１が有する配線はＦＰＣ１８１１を介して、外付け用基板１８１２上に設けられたソース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８０３とに接続されている。そして外部接続用ＦＰＣ１８１２により、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３と、画素部１８０１とが有する配線が外部へ接続されている。
【０１４１】
図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルの上面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３が設けられている。画素部１８０１、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３が有する配線は外部接続用ＦＰＣ１８１２を介して、外部へ接続されている。
【０１４２】
図１５において、１８０４はコントローラーであり、駆動回路を駆動し、画素部に１８０１に画像を表示させるための機能を有している。例えば、外部から入力された画像情報を有する信号をソース信号線駆動回路１８０２に入力したり、駆動回路が駆動するための信号（例えばクロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ））を生成したり、駆動回路や画素部１８０１に電位を供給するための電源としての機能を有している。
【０１４３】
駆動回路と、画素部１８０１と、コントローラー１８０４と、画素部１８０１、駆動回路、及びコントローラーがそれぞれ有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジュールを、本明細書ではＯＬＥＤモジュール１８０８と呼ぶ。ＯＬＥＤモジュール１８０８は、ＯＬＥＤパネル１８０７に駆動回路及びコントローラー１８０４を付けたものである。
【０１４４】
１８０５はマイコンであり、コントローラー１８０４の駆動を制御している。マイコン１８０５と、ＯＬＥＤモジュール１８０８とを有するモジュールを本明細書ではマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９と呼ぶ。
【０１４５】
なお実際には、ＯＬＥＤパネル１８０７、ＯＬＥＤモジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９の形体で製品として出荷される。本明細書において、ＯＬＥＤパネル１８０７、ＯＬＥＤモジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０９を全て発光装置に含めるものとする。
【０１４６】
なお、本実施例で示す発光装置は、実施例１に示した作製方法及び検査方法を用いることができ、また、実施例２と同様の画素部の構成を用いることができる。また、実施例３または、実施例４に示した検査方法により検査を行うことができ、実施例５に示す素子基板を適用することもできる。
【０１４７】
〔実施例７〕
本発明は、大型基板上に複数の素子基板を同時に形成する場合においても実施することができる。
【０１４８】
なお、この場合には、素子基板とは別に形成された駆動回路と対向検出基板と電磁波源を連動させて、検査したい素子基板上に移動させればよい。また、素子基板のみを移動させて検査させても良い。
【０１４９】
複数の素子基板を検査する際には、検査する度に検査する素子基板と素子基板に接続される駆動回路を電気的に接続し直す必要がある。なお、この時用いられる素子基板側の接続端子は、検査用の端子を予め設けておいても良いが、最終的にＦＰＣにより外部と接続する際に用いる端子を用いることも可能である。
【０１５０】
〔実施例８〕
本発明の検査法を用いて検査した後で作製された発光装置は、自発光型であるため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には４０インチ以上）の電気器具（発光装置を筐体に組み込んだ電気器具）の表示部として用いることができる。
【０１５１】
なお、発光装置には、パソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々な電気器具の表示部として本発明の検査方法を用いた発光装置を用いることができる。
【０１５２】
その様な本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。それら電気器具の具体例を図１３、図１４に示す。
【０１５３】
図１３（Ａ）は表示用ディスプレイであり、筐体１３０１、支持台１３０２、表示部１３０３等を含む。本発明の発光装置は表示部１３０３に用いることができる。発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。
【０１５４】
図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体１３１１、表示部１３１２、音声入力部１３１３、操作スイッチ１３１４、バッテリー１３１５、受像部１３１６等を含む。本発明の発光装置は表示部１３１２に用いることができる。
【０１５５】
図１３（Ｃ）は頭部取り付け型の電気器具の一部（右片側）であり、本体１３２１、信号ケーブル１３２２、頭部固定バンド１３２３、スクリーン部１３２４、光学系１３２５、表示部１３２６等を含む。本発明の発光装置は表示部１３２６に用いることができる。
【０１５６】
図１３（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体１３３１、記録媒体（ＤＶＤ等）１３３２、操作スイッチ１３３３、表示部（ａ）１３３４、表示部（ｂ）１３３５等を含む。表示部（ａ）１３３４は主として画像情報を表示し、表示部（ｂ）１３３５は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）１３３４、１３３５に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１５７】
図１３（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体１３４１、表示部１３４２、アーム部１３４３を含む。本発明の発光装置は表示部１３４２に用いることができる。
【０１５８】
図１３（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体１３５１、筐体１３５２、表示部１３５３、キーボード１３５４等を含む。本発明の発光装置は表示部１３５３に用いることができる。
【０１５９】
なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１６０】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１６１】
また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０１６２】
ここで図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体１４０１、音声出力部１４０２、音声入力部１４０３、表示部１４０４、操作スイッチ１４０５、アンテナ１４０６を含む。本発明の発光装置は表示部１４０４に用いることができる。なお、表示部１４０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。また、周囲が暗い場合印可する電圧を下げて、輝度を下げれば低電力化により有効である。
【０１６３】
また、図１４（Ｂ）は音響再生装置、具体的には車載用オーディオであり、本体１４１１、表示部１４１２、操作スイッチ１４１３、１４１４を含む。本発明の発光装置は表示部１４１２に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部１４１２は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。
【０１６４】
図１４（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体１４２１、表示部（Ａ）１４２２、接眼部１４２３、操作スイッチ１４２４、表示部（Ｂ）１４２５、バッテリー１４２６を含む。本発明の発光装置は、表示部（Ａ）１４２２、表示部（Ｂ）１４２５にて用いることができる。また、表示部（Ｂ）１４２５を、主に操作用パネルとして用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えることができる。
【０１６５】
また、本実施例にて示した電気器具においては、消費電力を低減するための方法としては、外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加するなどといった方法が挙げられる。
【０１６６】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜実施例７に示したいずれの構成を適用しても良い。
【０１６７】
【発明の効果】
本発明の検査方法によって、素子基板を発光装置として完成させ実際に表示を行わなくても、素子基板が良品か不良品かの区別をつけることが可能になり、不良品を以降の製造プロセスからはずすことができる。その結果、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の検査装置を示す図。
【図２】 本発明の素子基板及び対向検出基板の画素構造を示す図。
【図３】 本発明の検査による評価法を示す図。
【図４】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図５】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図６】 発光装置を作製する方法を示す図。
【図７】 本発明を用いて検査した素子基板の上面図。
【図８】 本発明に用いた対向検出基板の上面図。
【図９】 本発明の検査方法を示す図。
【図１０】 発光装置の画素の回路図。
【図１１】 本発明の対向検出基板の構成を示す図。
【図１２】 本発明の対向検出基板の構成を示す図。
【図１３】 発光装置を用いた電気器具。
【図１４】 発光装置を用いた電気器具。
【図１５】 本発明の検査法を用いて検査された発光装置。
【図１６】 本発明の検査法を用いて検査された発光装置。
Claims (8)
- 素子基板の検査装置であって、
対向検出電極が形成された対向検出基板と、開口部を有する遮蔽板と、軟Ｘ線を発生する電磁波源と、を有し、
前記対向検出基板は、前記素子基板の配置される位置の上方に配置され、
前記遮蔽板は、前記対向検出基板の配置される位置の上方に配置され、
前記電磁波源は、前記対向検出基板の配置される位置の上方に配置され、
前記対向検出電極は前記軟Ｘ線を透過する材料を用いて形成されており、
前記遮蔽板は前記軟Ｘ線を遮蔽する材料を用いて形成されていることを特徴とする検査装置。 - 請求項１において、
前記開口部に対して、前記素子基板及び前記対向検出基板を移動させることを特徴とする検査装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記軟Ｘ線は、前記開口部を通過し且つ前記対向検出電極を透過して前記対向検出基板及び前記素子基板の間に照射されることを特徴とする検査装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記対向検出電極は前記対向検出基板の全面に形成されていることを特徴とする検査装置。 - 画素電極と、前記画素電極にソース又はドレインの一方が電気的に接続された第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲートにソース又はドレインの一方が電気的に接続された第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の配線と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第２の配線と、を有する画素が複数設けられた素子基板を形成する第１の工程を行い、
複数の前記画素のうち一の前記画素の前記画素電極と前記対向検出基板に設けられた対向検出電極との間に軟Ｘ線を選択的に照射して、一の前記画素の前記画素電極と前記対向検出電極との間の電流を検出することにより、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが正常に機能しているか否かを検査する第２の工程を行い、
前記検査の結果、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが正常に機能している場合に、前記画素電極上にＥＬ層を形成する第３の工程を行い、
前記ＥＬ層上に対向電極を形成する第４の工程を行い、
前記第２の工程における前記軟Ｘ線の選択的な照射は、前記対向検出基板の上方に設けられた開口部を有する遮蔽板を用いることにより行い、
前記対向検出電極は前記軟Ｘ線を透過する材料を用いて形成されており、
前記遮蔽板は前記軟Ｘ線を遮蔽する材料を用いて形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項５において、
前記第２の工程において、一の前記画素の前記第１の配線に選択信号を入力し且つ一の前記画素の前記第２の配線にビデオ信号を入力することによって、一の前記画素を選択することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項５又は請求項６において、
前記軟Ｘ線は、前記開口部を通過し且つ前記対向検出電極を透過して前記対向検出基板及び前記素子基板の間に照射されることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記対向検出電極は前記対向検出基板の全面に形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
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