TW533388B - Active matrix display device and mobile terminal using the device - Google Patents

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Description

533388 A7 __________B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係關於一種主動矩陣型顯示裝置及使用其之攜帶 式終响裝置，特別是關於一種使用多晶矽TFT ( Thin
Transistor ;薄膜電晶體）作為像素開關元件而成的主動矩 陣型顯示裝置及使用其作為顯示部的攜帶式終端裝置。 背景技術 近幾年行動電話或pda (個人數位助理）等攜帶式終端裝 置的普及驚人。作為這些攜帶式終端裝置迅速普及的要因 之一’可舉裝載作為其輸出顯示部的液晶顯示裝置。其理 由是因為液晶顯示裝置具有不要為了原理上驅動的電力的 特性，係低耗電的顯示裝置。 這些攜帶式終端裝置隨著其迅速普及而對於顯示裝置的 更進一步低耗電化的要求強烈起來。特別是備用期間的低 耗電化成為為了增加電池持續時間的重要要點，所以特別 成為要求強烈的項目之一。對於這種要求，提出了各種省 電化技術。作為其一，已知所謂的1位元模式（2灰度模 式）：在備用時將圖像顯示的灰度數各色限制在，，2 ”（ 1位 元）。此1位元模式因係在各色1位元的灰度表現而進行在 合計8色的圖像顯示。 且說在使用非晶石夕T F T作為矩陣狀配置多數的像素的開 關元件而成的主動矩陣型液晶顯示裝置方面，其資料線驅 動電路（水平驅動電路）在其輸出部只配置輸出數分類比電 路（緩衝電路），由於必須經常使一定偏壓電流流到此緩衝 電路，所以此成為消耗很大電力的大因素。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 533388 A7 B7 五、發明説明（2 ) 此非晶矽T F T —液晶顯示裝置的資料線驅動電路：以往 為了可與前述的1位元模式對應，採用下述結構：對於輸 出部的緩衝電路各個並排配置CMOS反相器，因設定1位 元模式而將灰度數限制在’’ 2 ”時，使用CMOS反相器取代 緩衝電路。CMOS反相器也可以不使直流電流流動，可大 幅減低資料線驅動電路輸出部的直流電流，所以可低耗電 另一方面，近幾年在使用多晶矽T F T作為像素的開關元 件而成的主動矩陣型液晶顯示裝置方面，有下述傾向：在 和矩陣狀配置像素而成的顯示區域部同一基板上一體形成 數位介面驅動電路。此驅動電路一體型的多晶矽T F T —液 晶顯示裝置係在顯示區域部的周邊部（框緣）配置水平驅動 系統或垂直驅動系統，這些驅動系統使用多晶矽T F T和像 素區域部共同一體形成於同一基板。 然而，驅動電路一體型的多晶矽T F T —液晶顯示裝置和 非晶矽T F T —液晶顯示裝置的情況不同，沒有在輸出部配 置緩衝電路。因此，不能如非晶矽T F T —液晶顯示裝置的 情況，採取在輸出部減低消耗電力的手法，當然不能與1 位元模式所進行的低耗電化對應。 本發明係鑑於上述課題所完成的，作為其目的之處在於 驅動電路一體型的多晶矽T F T構造，提供一種可與1位元 模式所進行的低耗電化對應、可更加低耗電化的主動矩陣 型顯示裝置及使用其作為顯示部的攜帶式終端裝置。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 533388
發明之揭示
為了達成上述目的，本發明在具備矩陣狀配置具有電光 兀件的像素而成的顯示區域部；以列單位選擇此顯示區域 部的各像素的垂直驅動電路；及，以數位圖像資料為輸 入’以此數位圖像資料為類比圖像信號而對於由垂直驅動 包路所選擇的列的各像素供應的水平驅動電路之主動矩陣 型顯不裝置，採取下述結構：在設定比通常模式灰度數少 的低灰度模式時，對於水平驅動電路只使與灰度數對應的 私路部分成為活性狀態。而且，此主動矩陣型顯示裝置用 作攜帶式終端裝置的顯示部。 裝 在上述結構的主動矩陣型顯示裝置或使用其之攜帶式終 端裝置方面，在設定比通常模式灰度數少的低灰度模式 時，對於水平驅動電路只使與灰度數對應的電路部分成為 活性狀怨，藉此剩餘的電路部分成為非活性狀態，在該電 訂
•僉 路部分不消耗電力。因此，僅該部分就可謀求低耗電化。 圖式之簡單說明 圖1為顯示關於本發明一實施形態的主動矩陣型顯示裝 置結構例的概略結構圖。 圖2為顯π液晶顯示裝置的顯示區域部結構例的電路 圖。 圖3為具體顯示玻璃基板上的各結構元件相互關係的方 塊圖。 圖4為顯示抽樣鎖存電路具體結構例的方塊圖。 圖5為顯不線順序化鎖存電路具體結構例的方塊圖。 -6 -
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圖6為顯示基準電壓選擇型^變換電路 電路結構 例的電路圖。 圖7為顯示基準電壓產生電路-結構例的電路圖。 圖8為關於一結構例的基準電壓產生電路動作說明的定 Η守圖。 圖9為顯示基準電恩產生電路其他結構例的電路圖。 圖為關於其他結構例的基準電壓產生電路動作說明 的疋時圖。 :圖11為顯示為關於本發明的攜帶式終端裝置的行動電 逢結構概略的外觀圖。 實施發明之最佳形態 以下’就本發明之實施形態參照圖面加以詳細說明。 圖1為顯示關於本發明的顯示裝置結構例的概略結構 圖。此處係例如以適用於使用液晶單元作為各像素的電光 元件的主動矩陣型液晶顯不裝置的情況為例加以說明。 在圖1，在透明絕緣基板，例如玻璃基板"上積集矩陣 狀配置多數包含液晶單元的像素而成的顯示區域部i 2、 上下-對Η驅動器(水平驅動電路）13U、13D&V驅動器 (垂直驅動電路）14，以及產生多數基準電壓的基準電壓 產生電路1 5及1位元模式控制電路丨6。破璃基板丨丨係由 矩陣狀配置形成包含活性元件（例如電晶體）的多數像素電 路的第一基板及和此第一基板以預定間隙對向配置的第: 基板所構成。而且，在這些第一、第二基板間封入液晶。 圖2顯示顯示區域部丨2的具體結構一例。此處為了圖面 -7- 533388 A7 B7 五、發明説明（5 簡化’以3例（η - 1例〜n +丨例）4行（m _ 2行〜m +〖行）像素 排列的情況為例而顯示。在圖2，在顯示區域部1 2矩陣狀 配置垂直掃描線…、21 η-1、21 η、21 n+1、…和資料 線···、22 m-2、22 m-1、22 m、22 m+1、…，在這些線的 交點部分配置單位像素2 3。 單元像素2 3成為具有為像素電晶體的薄膜電晶體 T F T、液晶單元L c及保持電容c s的結構。此處液晶單元 L C意味著在以薄膜電晶體T F τ形成的像素電極（一方電極） 和與其對向形成的對向電極（他方電極）之間產生的電容。 薄膜電晶體TFT係閘極連接於垂直描掃線…、21 、 检運接於資料線 21 n、21 n+1 m-z - 22 m-1 、22 m、22 m+1、···。液晶單元;lc係像素電極連接於薄 膜電晶體TFT的汲極，對向電極連接於共用線24。保持 電容Cs連接於薄膜電晶體TFT的沒極和共用線24之間: 預足直流電壓作為共用電壓Vc〇m給與共用線24。 垂直描掃線…、21 n]、21 n、21州、··的各一端分 別連接於圖i所示的V驅動器14對應的列的各輸出 驅動器1 4係例如移位暫存器所構成，盥 VCK (未圖示）同步依次產生垂直 &轉移時鐘 掃線...、^、^、2111+1擇^而給與垂直描 描。 ，藉此進行垂直掃 例如第奇數號的資料 端連接於圖1所示的Η 弟偶數號的資料線…、 線 驅 另一方面，在顯示區域部12， …、22 m-1、22 m+Ι、···的各一 動器1 3 U對應的行的各輸出端， -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4$i"(21〇x 297公愛Γ 533388 A7 B7 五、發明説明（6 ) 22 m-2、22 m、…的各他端連接於圖1所不的Η驅動器 1 3 D對應的行的各輸出端。
圖3為具體顯示玻璃基板1 1上的各結構元件相互關係的 方塊圖。此處為了圖面簡化，關於水平驅動系統，只顯示 上側的Η驅動器1 3 U，但關於下侧的Η驅動器1 3 D也成為 和上側的Η驅動器1 3 U完全同樣的結構。又，關於本例的 主動矩陣型液晶顯示裝置雖然採取在顯示區域部1 2上下 配置Η驅動器1 3 U、1 3 D的結構，但並不限於此，亦可採 取只配置於上下任何一方的結構。 裝
如圖3所示，Η驅動器i；3U成為具有移位暫存器25U、 抽樣鎖存電路（資料信號輸入電路）2 6 υ、線順序化鎖存 電路27U及DA變換電路28U的結構。移位暫存器25U與 水平轉移時鐘HCK (未圖示）同步從各轉移級依次輸出移 位脈衝，藉此進行水平掃描。抽樣鎖存電路26u回應由移 位暫存器2 5 U所給與的移位脈衝，將所輸入的預定位元的 數位圖像資料以點順序抽樣而鎖存α 泉’、序化鎖存私路2 7 U藉由將在抽樣鎖存電路2 6 υ以點 順序鎖存的數位圖像資料以i線單位再度鎖存而線順序 化，一齊輸出此1線分的數位圖像資料。d A變換電路 28U採取例如基準電壓選擇型的電路結構，將由線順序化 •崔存思路2 7 U所輸出的丨線分的數位圖像資料變換成類比 圖像信號而給與前诚傍吝π > 刖迷像素區域部；1 2的資料線…、22 m-2 、22 m-1、22 m、22 m+1、··.。 基準電壓產生電路 為丨付屬於基準電壓選擇型D A變換
533388 A7 B7 五、發明説明 電路2 8 U的電路，產生與輸入圖像資料的位元數對應的灰 度數分的基準電壓，給與基準電壓選擇型DA變換電路 2 8 U。1位元模式控制電路i 6進行下述控制：指定為省電 模式之一的低灰度模式，例如2灰度模式（丨位元模式） 時，對於包含基準電壓產生電路丨5的水平驅動系統（H驅 動器13U、1 3D)只使與灰度數（在本例為2灰度）對應的電 路部分成為活性狀態。 又’關於本例的主動矩陣型液晶顯示裝置雖然是將水平 驅動系統的全部構成元件，即圖3所示的移位暫存器 2 5 U、抽樣鎖存電路2 6 U、線順序化鎖存電路2 7 u及D a 變換電路28U的全部和顯示區域部12共同一體形成於同 一玻璃基板11上，但也可以只一體形成這些元件中的任 何一個。 此外，當關於基準電壓產生電路15及1位元模式控制電 路16也和顯示區域部12共同一體形成於同一玻璃基板^ 上時，例如採取在顯示區域部12上下配置Η驅動器13u、
D的結構的主動矩陣型液晶顯示裝置時，最好配置於未 載Η驅動器13U、13D的邊的框緣區域（顯示區域部η 裝 的 周邊域）。
因為Η驅動器13U 件多’大多其電路面積變成非常大’所以藉由裝載於未裝 載Η驅動器13U、13D的邊的框緣區域，不會使有效書= 率（有效區域部12對於玻璃基板丨丨的面積率\降低 >，二將 基準電壓產生電路15及!位元模式控制電路16積集於和顯 -10-
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示區域部12同一玻璃基板1丨上。 又，關於本例的主動矩陣型顯示裝置 13U、"D的邊的框緣區域 驅動备 乃领】積集V驅動哭 採取在其相反側的邊的框緣 y 如L q躓集基準電 1 5及1位元模式控制電路i 6的結構。 此外，當積集Η驅動器13υ、13〇、ν驅動器up
St電路15及1位元模式控制電路16時，使用多晶: 薄艇UltTFM為顯示區域部12的各像素電晶體，所 以作為構成這些的電晶體也使用多晶石夕薄膜電晶體，藉由 將至少這些電晶體電路和顯示區域部。共同製作於同一 玻璃基板U上，其製造容易，同時可以低成本實現； 關於薄膜電晶體TFT，現狀是隨著近幾年性能提高或消 耗電力降低而#集化容易。因此，將H驅動器HU、 13D、V驅動器14、基準電壓產生電路㈠及丨位元模式控 制“各1 6、#別是構成這些的至少電晶體電路使用和顯 示區域部1 2的像素電晶體相同的薄膜電晶體以同一製程 形成於同一玻璃基板"上，藉此可謀求伴隨製程簡化的 低成本化，甚至伴隨積集化的薄型化、小型化。 以下，就水平驅動系統的各構成元件的具體結構例及動 作，各構成元件加以說明。又，在各結構例以數位圖像資 料為3位元的情況為例，並且為了圖面簡化，顯示只是與 移位暫存备2 5 U的第k級，第k + 1級的各轉移級25U k、 25U k+1對應的電路部分的結構而加以說明。 圖4為顯示抽樣鎖存電路2 6 (J具體結構例的方塊圖。在 | - 11 - I紙張尺度通財_家標準(CNS「A4規格(21g7297公董) 533388 A7 _____B7 五、發明説明（9 )
圖4 ’與移位暫存器2 5 U的第k級的轉移級25U k對應而設 有j個（AND)電路31-0、31-1、31-2，與移位暫存哭95U 的第k+Ι級的轉移級25U k+1對應而設有3個及（AND)電路 〇2-0、32-1、32-2。這些及電路的個數為與數位圖像資料 的位元數"3 ”對應的數。 移位暫存器2 5 U的轉移級2 5 U k、2 5 U k+1的各移位脈衝 作為抽樣脈衝SP k、SP k+Ι給與及電路3 1_〇、3 1-1、3 1-2 、3 2-0、3 2-1、32-2的各一方的輸入端。從丨位元模式控 制電路1 6透過控制線3 3 A將控制信號a給與及電路3 1 _2、 32-2的各他方的輸入端。另一方面，從1位元模式控制電 路1 6透過控制線3 3 B將控制信號B給與及電路3 1 -〇、3 1 -1 、3 2-0、3 2-1的各他方的輸入端。 例如3位元（b 0、b 1、b 2 )的數位圖像資料通過位元線 34-0、34-1、34-2輸入到本抽樣鎖存電路26U。設有為了 將此3位元的數位圖像資料回應由移位暫存器2 $ u的轉移 級2 5U k、25U k+Ι所依次輸出的抽樣脈衝sp k、SP k+Ι而 鎖存的鎖存電路35-0、35“、35-2及鎖存電路36-〇、36-1 、36-2 。 在鎖存電路35-0、35-1、35-2的各輸入端和位元線34_〇 、34-1、34-2之間連接開關37-0、374、37-2，在鎖存電 路36-0 ' 36-1、36-2的各輸入端和位元線34_〇、34-ι、3心2 之間連接開關38-0、38-1、38-2 °而且，這些開關37-〇、 37]、37-2、38-0、38-1、38-2 藉由及電路 31-〇、31-1、 3 1-2、3 2-0、32-1、32-2的各輸出進行接通（〇Ν) /斷開 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 533388 A7 -一 B7 五、發明説明（1〇 )一" 一 ~ ---- (OFF )控制。 接著，就上述結構的抽樣鎖存電路26u的電路動作加以 說明。 / 首先，在ϋ常模式（3位元模式）時，從w元模式控制電 路16全都輸出"Η，，位準（高位準）的控制信號a、β。藉 此，對於開關37-0〜37-2、38-0〜38_2的全部，通過及電^ 31-0〜31-2、32-0〜32-2供應由移位暫存器hu的各轉移級 25U k、25U k+Ι所依次輸出的抽樣脈衝sp k、sp k+l。其 果鎖存電路35_0〜3 5_2、3 6-0〜3 6-2的全部成為活性狀 態’即可寫入（鎖存）資料的狀態。 另一方面，在設Si位元模式時，從1位元模式控制電 路1 6輸出，’ η ”位準的控制信號a和” L，，位準（低位準）的控 制信號B。藉此，只是與最高有效位元（MSB)對應的及電 路3 1-2、3 2-2成為可通過狀態，所以由移位暫存器2 5 u的 轉移級25U k、25U k+Ι所依次輸出的抽樣脈衝sp k、sp k+1通過及電路31_2、32-2只供應給開關37-2、38-2。 其結果，只是M SB的鎖存電路35-2、36-2成為可重寫資 料的狀怨（活性狀態）’至於剩餘的鎖存電路3 % 〇、3 5 - 1、 3 6-0、3 6-1則成為禁止重寫資料的狀態（非活性狀態）。藉 此，在設定1位元模式時，鎖存重寫時的寫入電流變少， 所以僅該部分就可低耗電化。 圖5為顯示線順序化鎖存電路2 7 U具體結構例的方塊 圖。在圖5，與抽樣鎖存電路2 6 U的鎖存電路3 5-0、3 5-1 、35-2、3 6-0、3 6-1、36-2對應而分別設置鎖存電路41-0 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533388
AT
、仏卜斗…似…，，並且在兩者的 端間分別連接開關例、^、43_2、44_。、44]、44 2 這些開關中，M S B的開關43_2、体2藉由在鎖存控制二 路C產生、通過控制線46 Α所給與的鎖存控制脈衝c進= 接通/斷開控制。其以外的開關43-〇、、4仁〇、Μ 1 藉由在鎖存控制電路45產生、通過控制線46β所給與4的1 鎖存控制脈衝D進行接通/斷開控制。 接著，就上述結構的線順序化鎖存電路27u的電路動 加以說明。 首先，在通常模式（3位元模式）時，從鎖存控制電路以 全部都輸出鎖存控制脈衝C、D。藉此，開關43_〇〜43_2、 44_〇〜44-2的全部回應鎖存控制脈衝c、D而接通/斷開， 鎖存電路、42-〇〜42-2的全部成為活性狀態，即 可寫入（鎖存）資料的狀態。 另一方面，在設足1位兀模式時，從鎖存控制電路4 5輸 出鎖存控制脈衝C ’對此鎖存控制脈衝〇在” L，，位準成為 固足。藉此，只是M S B的開關43-2、44-2回應鎖存控制 脈衝C而可接通/斷開’只是MSB的鎖存電路41-2、ο] 成為可重寫資料的狀態（活性狀態），至於剩餘的鎖存電路 41-0、41-1，42-0、42-1則成為禁止重寫資料的狀態（非 活性狀態）。 其結果，在設定1位元模式時，鎖存重寫時的寫入電流 變少’所以僅該部分就可低耗電化。又，除了上述電路動 作之外’還預先將1^58以外的鎖存電路41_〇、4卜1、47 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 533388 A7
、4 2 -1的各值在即將織 林 _絲，，A， 肝夂成示止重寫狀態之前強制地設定在 遴軻〇 "或邏輯”丨”，則 j J構桌和以下說明的D A變換電路 28U的電路動作取得匹配的以。 各 ，為』7F基準電壓選擇型D A變換電路2 8。的單位電 結構例的電路圖。此虛 ^ 各 、 處要對於3位元（bO、bl、b2)的| 位圖像資料進借a〇3w * 致 、 （一2 )個基準電壓V 0〜V 7。像素區域瓿 12的每條資料線.·· 、 〇 ^ 22 m-2 、 22 m-1 、22 in 、 22m+l、···都各配置1個此單位電路。 在上迷結構的基準電壓選擇型d A變換電路2 $以方面， 在通吊模式（3位兀模式）時，給與黑位準作為基準 v〇 ’給與白位準作為基準電壓V7，根據3位元⑽、 bl b2)的資料進行選擇基準電壓v〇m壓π 任一基準電壓的動作。 、 對此，在1位兀模式時，例如給與黑位準作為基準電壓 V0 ’給與白位準作為基準電壓v4，同時輸入控制線39_〇 39 39-2中只使用M s B的輸入控制線39-2，只根據 __的資料選擇基準電壓而表現黑白。料:、關於 侧的輸人㈣線39如別，將這些電位強制地固定在邏輯"0，，。 如此，在1位元模式時，在將輸入控制線39-0、3 9-1的 各電位強制地固定在邏輯，，〇，，的狀態，藉由只使用％ S Β的 輸入控制線39-2進行基準電壓的選擇，對於輸入控制線 3 9-0、3 9-1可節省輸入控制線39-〇、394、39_2的大電容 負載的充放電電流，所以可低耗電化。 -15-
裝 π
533388 A7 B7 五、發明説明（
又’此處雖然使用最高有效位元（MSB )的輪入控制線 39-2，但並不限於此，可使用任意的輸入控制線，按照其 使用的輸入控制線將剩餘的輸入控制線的電位固定在邏輯 "Ο π或邏輯” 1 ”即可。 圖7為顯示基準電壓產生電路i 5 一結構例的電路圖。此 處以與3位元的數位圖像資料對應而產生8個基準電壓 V 0〜V 7的情況為例加以說明。 關於本結構例的基準電壓產生電路丨5成為下述結構 包含由開關SW1、SW2構成的開關電路ο及由開關 SW3、SW4構成的開關電路42 :在一定周期以互相反相 開關正電源電壓VCC和負電源電壓vss ;及，了個分割電 阻R1〜R7 :透過開關SW5、SW6_聯連接於這些開關電 路4 1、42的各輸出端A、B間。此處，之所以在一定周 期，例如1H(H為水平掃描期間）周期以互相反相開關正 是為了以防止液晶劣化 電源電壓VCC和負電源電壓VS 為目的，交流驅動液晶。 在上逑結構的基準電壓產生電路丨5，黑信號用基準電 壓V0及白信號用基準電壓V7全都由下述所製作：如圖8 的定時圖所示，根據控制脈衝0 1、0 2利用開關電路 4 1、4 2在-足周期開關正電源電壓v c c和負電源電壓 yss。此外’中間色調用的基準電mvi〜v6係由將黑信 號用基準電壓V0和白信號用基準電壓V7利用分割電阻 R 1〜R 7分割電阻所製作。 對此，在1位元模式要以開關SW5、SW6為斷開（〇FF) -16-
533388 A7
’電流不流到 〜R 7的電力消 ’停止供應電说給分割電阻R 1〜R 7。藉此 分割電阻R1〜R7，沒有在這些分割電阻 耗，所以可低耗電化。 圖9為顯示基準電壓產生電路15其他結構例的電路圖， 圖中在和圖7同等部分附上同一符號顯示。又，關於本处
構例的基準電壓產生電路15與圖6的基準電壓選擇型DA 變換電路對應。 關於本結構例的基準電壓產生電路丨5為了使其與圖6的 基準電壓選擇型DA變換電路對應，形成下述結構··在給 與$準電壓V4的電壓線43和開關電路41的輸出端A及基 準私壓V 4的分壓點C之間連接開關s w 7、s w 8，根據玉 位元模式的模式信號開關控制這些開關S w 7、s w 8。 此處二開關SW7係在通常模式（3位元模式）時成為接通 (閉）狀態、在1位元模式時成為斷開（開）狀態的開關。反 足，開關S W 8係在通常模式時成為斷開狀態、在丨位元模 式時成為接通狀態的開關。藉此，在1位元模式時，如從 圖1 〇的足時圖可明白，和先前結構例的情況同樣，開關 s w 5、s W 6成為斷開狀態而電流不流到製作中間色調的 基準電壓VI〜V6的分割電阻R1〜R7，同時輸出白信號用 基準電壓V7到給與基準電壓v4的電壓線43。 /、〜果，在1位元模式因無分刻電阻R 1〜R 7的電力消耗 而可謀求低耗電化，並且在基準電壓選擇型DA交換電路 2 8 U ’如前述，可只用一條輸入控制線進行白/黑基準電 壓的選擇。 ___ - 17- 本紙浪尺度相中國S家鮮祕(210 X 297^17 533388 A7 B7 五、發明説明（15 又，在上述實施形態雖然以適用於主動矩陣型液晶顯示 裝置的情況為例加以說明，但並不限於此，亦可同樣適用 於使用電致發光（E L)元件作為各像素的電光元件的E [顯 示裝置等其他主動矩陣型顯示裝置。 此外’在上述實施形態雖然作為省電模式之一的低灰度 模式，與1位元模式（2灰度模式）為例加以說明，但並不 限於此’若是比通常模式灰度數少的灰度模式，則與其相 稱可謀求低耗電力。 再者，由關於上述實施形態的主動矩陣型液晶顯示裝置 所代表的主動矩陣型顯示裝置除了用作個人電腦、文字處 理機等Ο A機器或電視接收機等顯示器之外，特別是用作 進行裝置本體小型化、緊密化的行動電話或P D A等攜帶 式終端裝置的顯示部很適合。 圖1 1為顯示適用本發明的攜帶式終端裝置，例如行動 電話結構概略的外觀圖。 關於本例的行動電話成為下述結構：在裝置殼體5 1前 面側從上部側依次配置揚聲器部5 2、顯示部5 3、操作部 5 4及傳聲器部5 5。在這種結構的行動電話方面，在顯示 部5 3使用例如液晶顯示裝置，作為此液晶顯示裝置，使 用關於前述實施形態的主動矩陣型液晶顯示裝置。 如此，在行動電話等攜帶式終端裝置方面，藉由使用關 於前述實施形態的主動矩陣塹液晶顯示裝置作為顯示部 5 3，在裝載於該液晶顯示裝置的各電路，在為省電模式 之一的1位元模式時可確實減低消耗電力’所以可謀求顯 _ - 18_ 本纸張尺度適用t S 81家料(CNS) A4規格(21GX 297公^" 533388 A7 B7 五、發明説明（16 ) 示裝置的低耗電化，因而終端裝置本體可低耗電化。 如以上說明，根據本發明，在主動矩陣型顯示裝置或使 用其作為顯示部之攜帶式終端裝置方面，在設定比通常模 式灰度數少的低灰度模式時，對於水平驅動電路只使與灰 度數對應的電路部分成為活性狀態，藉此剩餘的電路部分 成為非活性狀態，在該電路部分不消耗電力，所以僅該部 分就可謀求低耗電化。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 533388 A BCD 六、申請專利範圍 1· 一種主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於：具備 顯示區域部··矩陣狀配置具有電光元件的像素而成； 垂直驅動電路：以列單位選擇前述顯示區域部的各像 素； 水平驅動電路：以數位圖像資料為輸入，以此數位圖 像資料為類比圖像信號而對於由前述垂直驅 擇的列的各像素供應；及， 控制電路：選擇地採取比通常模式灰度數少的低灰度 模式，在設定此低灰度模式時，對於前述水平驅動電ς 只使與灰度數對應的電路部分成為活性狀態者。 2. 如申請專利範圍第丨項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 述水平驅動電路具有抽樣鎖存電路：將前述數位圖像資 料依次抽樣而鎖存；線順序化鎖存電路：使前述插樣鎖 存=路的各鎖存資料線順序化；及，DA變換電路將 在前述線順序化鎖存電路所線順序化的數位圖像資料變 換成類比圖像信號。 3. 如申請專利範圍第2項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 述控制電路在設定前述低灰度模切，對於料抽樣鎖 存電路只是與灰度數對應的電路部分可重寫資料剩 餘的電路部分成為禁止重寫資料。 4·如申請專利範圍第2項之主動矩陣型顯示裝置，其 述控制電路在設定前述低灰度模式時，對於前述線 化鎖存電路只是與灰度數對應的電路部分可重寫資料， 使剩餘的電路部分成為禁止重寫資。
    -20- 533388 Λ8 Β8
    ).如申口β專利範圍第2項之王動矩陣型顯示裝置，其中前 述控制電路在設定前述低灰度模式日寺，前述DA變換電 路的輸人控制線中只使用與灰庋數對應的輸人控制線， 將剩餘的輸入控制線的電位固定在邏輯"〇"或邏輯"Γ|。 6·如中請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 述DA變換電路為基準電壓選擇型〇八變換電路，並且前 述低灰度模式為進行在11灰度的顯示的ηΚ度模式，前述 控制電路在设定η灰度模式時，將可選擇的η個基準電壓 換成與其對應的基準電壓。 7.如申請專利範圍第5項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 述DΑ變換電路為基準電壓選擇型da變換電路，並且包 含利用電阻分割產生多數基準電壓的基準電壓產生電 路，、前述控制電路在設定前述低灰度模式時，停止供應 電流給前述基準電壓產生電路的分割電阻。 8·如申請專利範圍第2項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 述抽樣鎖存電路、前述線順序化鎖存電路及前逑dA變 換電路的至少一個和前述顯示區域共同一體形成於同二 基板上。 9. 如申凊專利範圍第8項之主動矩陣型顯示裝置，其中在 前述顯示區域部的各像素，驅動前述電光元件的活性元 件由薄膜電晶體構成，前述抽樣鎖存電路、前述線順序 化鎖存電路及前述D A變換電路的至少一個使用薄膜雨 晶體所構成。 “ 10. 如申請專利範圍第i項之主動矩陣型顯示裝置，其中前 -21 - 張尺度適财國s家標準(CNS) A4規格(細χ 297公爱)
    裝 η 533388 AS Βδ C8 D8
    六、申請專利範圍 述電光元件為液晶單元。 示裝置，其中前 11_如申請專利範圍第丨項之主動矩卩車型顯 述電光元件為電致發光元件。 12· —種攜帶式終端裝置，其特徵在於：^ •作為顯TfT部，使用
    的各像
    擇的列的各像素供應；及， “控制電路：、選擇地採取比通常模式灰度數少的低灰度 杈式，在設足此低灰度模式時，對於前述水平驅動電路 只使與灰度數對應的電路部分成為活性狀態者。 13. 如申請專利範圍第12項之攜帶式終端裝置，其中前述水 平驅動電路具有抽樣鎖存電路：將前述數位圖像資料依 次抽樣而鎖存；線順序化鎖存電路：使前述抽樣鎖存電 路的各鎖存資料線順序化；及，D A變換電路：將在前 述線順序化鎖存電路所線順序化的數位圖像資料變換成 類比圖像信號。 14. 如申請專利範圍第i 3項之攜帶式終端裝置，其中前述控 制電路在設定前述低灰度模式時，對於前述抽樣鎖存電 路只疋與灰度數對應的電路部分可重寫資料，使剩餘的 電路部分成為禁止重寫資料。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 533388
    A B c D 15·如申請專利範圍第13項之攜帶式終端裝置，其中前述控 制電路在設足前述低灰度模式時，對於前述線順序化鎖 存％路只是與灰度數對應的電路部分可重寫資料，使剩 餘的電路部分成為禁止重寫資料。 16·如申請專利範圍第丨3項之攜帶式終端裝置，其中前述控 制電路在設定前述低灰度模式時，前述D A變換電路的 輸入控制線中只使用與灰度數對應的輸入控制線，將剩 餘的輸入控制線的電位固定在邏輯，，〇，，或邏輯"丨，，。 17·如申請專利範圍第1 6項之攜帶式終端裝置，其中前述 DA’支換電路為基準電壓選擇型da變換電路，並且前述 低灰度模式為進行在n灰度的顯示的η灰度模式，前述控 制電路在設定η灰度模式時，將可選擇的η個基準電恩換 成與其對應的基準電壓。 18·如申請專利範圍第1 6項之攜帶式終端裝置，其中前述 DA變換電路為基準電壓選擇型da變換電路，並且包含 利用電阻分割產生多數基準電壓的基準電壓產生電路， ㈤述制電路在設定前述低灰度模式時，停止供應電流 給前述基準電壓產生電路的分割電阻。 19.如_請專利範圍第1 3項之攜帶式終端裝置，其中前述抽 樣鎖存電路、前述線順序化鎖存電路及前述D A變換電 路的至少一個和前述顯示區域共同一體形成於同一基板 20·如申請專利範圍第1 9項之攜帶式終端裝置，其中在前述 顯示區域部的各像素，驅動前述電光元件的活性元件由 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準⑷^^的A4規格(21〇x 297公釐) 533388 A B c I 々、申請專利範圍 薄膜電晶體構成，前述抽樣鎖存電路、前述線順序化鎖 存電路及前述D A變換電路的至少一個使用薄膜電晶體 所構成。 21. 如申請專利範圍第1 2項之攜帶式終端裝置，其中前述主 動矩陣型顯示裝置為使用液晶單元作為前述電光元件的 液晶顯示裝置。 22. 如申請專利範圍第1 2項之攜帶式終端裝置，其中前述主 動矩陣型顯示裝置為使用電致發光元件作為前述電光元 件的電致發光顯示裝置。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
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