TW503216B - Improved ceria powder - Google Patents

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TW503216B TW089109353A TW89109353A TW503216B TW 503216 B TW503216 B TW 503216B TW 089109353 A TW089109353 A TW 089109353A TW 89109353 A TW89109353 A TW 89109353A TW 503216 B TW503216 B TW 503216B
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dioxin
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Ajay K Garg
Brahmanandam V Tanikella
Arup Khaund
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Saint Gobain Ceramics & Amp Pl
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Description

五、發明說明( 發明背景 本發明係關於三氧化二鈽粉末及特別是用於細及磨光光 學及半導體表面之型式的三氧化二鈽粉末。 已熟知爲了生產滿意的光學表面,有必要使表面沒有刮 傷及具有儘可能低的Ra。該Ra測量是在垂直於經磨光之玻 璃薄片平面之表面上的最高點與最低點之間的平均距離。 因此,容許以測量最高點與最低點之間的變化之亞微細粒 刻度計不完全平坦之表面。顯然數字越低,則光學清晰度 越好及越無歪斜度。 在磨光法中,將在液體介質(經常以水爲主)中的磨料顆 粒泥漿與欲磨光之表面接觸,並以磨光墊移動越過具有預 定圖案之表面,使在泥漿中的磨料磨光表面。本發明係關 於在這些方法中有用的三氧化二鈽顆粒。 已在本技藝中提出各種泥漿配方。美國專利申請案第 4,576,612號以提供具有在樹脂中含有磨光顆粒(其會在使用 期間逐漸溶解,以產生磨光顆粒)之表面層之磨光墊的方 式當場產生受控制量之其泥漿。有用的供述顆粒包括三氧 化二鈽、氧化锆及氧化鐵。 歐洲專利申請案第608 730_A1號說明供磨光光學元件表 面之磨料泥衆,該元件包含選自具有顆粒尺寸至多【微米 之氧化紹、玻璃、金剛石粉塵、金鋼砂、碳化鎮、碳化石夕 或碳化硼之磨料。 美國專利申請案第5,693,239號説明將本 尽 含有α氧化鋁與其 它較軟的氧化鋁或非晶形二氧化矽形 /々式〈金屬工作片磨光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱 (請先閲讀背面之注音?事項寫本頁) 太 訂------------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 j^216
五、發明說明(2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及平面化之水泥浆。 美國專利申請案第5,8〇4,513號指導含有三氧化二鈽及氧 化銘或二氧化矽之平面化泥漿,在此顆粒尺寸是2微米或 更小,並且三氧化二鈽組份是從5至4〇%之總重量。 美國專利申請案第4,1〇6,915號指導一種利用分散在固化 不飽和聚酯樹脂中的磨料顆粒之磨光玻璃法,其中磨料可 以是三氧化二鈽。 美國專利申請案第4,601,755號指導將以三氧化二鈽爲主 之玻璃磨光組合物併入稀土焦矽酸鹽。 在供化學機制平面化作用或半導體基板磨光之 泥漿配方的相關領域中有存在可觀的技藝結果,而且這些 常使用具有分散介質組份變化之相同磨料。 因此,已熟知在這些應用中使用三氧化二鈽,並被廣泛 使用。可自商業上取得稍微超過〗微米的合理小顆粒尺寸 义三氧化二鈽,但總是趨向於至今更好的表面,並仍推動 發展更細的三氧化二卸顆粒尺寸料。但a,與此發展有 關的問題是三氧化二鈽傾向於具有凝結敏感性,並且這些 凝結塊可能造成磨光表面的刮傷。因此,可自商業上取得 的三氧化二卸在以ir匕漿形式用於磨光玻璃表面時,其傾向 於達到約ίο埃之表面粗糙度之有限値(Ra)。 本發明係以發現具有獨特特徵之三氧化二#粉末形式及 可獲得這些三氧化:卸之方法爲主,使得其非常成功地抗 凝結及磨光至5埃或其至更低之匕値。
Hi塑的詳細説明 L------ > 5 -
本紙張尺度適用中國國家鮮(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐J -(請先雎讀背面之注咅?事項寫本頁) --------^---------^ . 2 03 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明說明(3 ) 本發明係提供在從9至12.5之pH下已研磨之三氧化二鋅 粉末,以粉碎具有小於10平方公尺/公克之BET表面積之粉 末,直到BET表面積以至少5平方公尺/公克增加爲止。 本發明也提供含具有至少10平方公尺/公克之BET比表面 積之三氧化二鈽顆粒,並在pH自4或更低的這種pH値調整至 9或更高的鹼値時,其具有正離子表面電荷。含有這些粉 末的三氧化二鈽基本上無凝結塊,其代表三氧化二鈽是一 旦攪拌時不再分散及具有大於5微米尺寸之無凝結塊顆粒。 以在60期的美國化學學會雜誌、(77^ J⑽rna/ 〇/ jmerzcaw 心czeo;)第309頁( 1938年2月)中説明的 Brunauer/Emmett/Teller方法決定BET比表面積。根據在 langmi/zr,1988年,4,611-626頁説明的技術,以無规 accoustophoretic流動性的方式測量離子表面電荷。 當成商業效益之三氧化二鈽常常只以50%或更多的三氧 化二歸量存在,其餘主要是由稀土金屬氧化物組成的,如 氧化鑭、氧化钕及氧化譜。用於本發明較佳的三氧化二鈽 包含具有30%氧化鑭的70%三氧化二鈽,並在商業上取自 以CEROX®1650爲商標者。該產品是取自光學製造者有限公 司(Optical Manufacturers,Limited)。該產品具有 1.3 微米之通 稱平均顆粒尺寸,雖然事實上,在粉碎之前有相當數量之 凝結塊及廣泛不同的顆粒尺寸。具有較大的現有三氧化二 鈽含量之三氧化二鈽形式可取自相同的供應商以Opaline® 爲商標者。 三氧化二鈽磨料顆粒可與其它的磨料顆粒一起存在,如 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----I ! 1 訂·! I ! ! — (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------B7 _ 五、發明酬(^ " α氧化銘、二氧化碎、氧化結及類似物。但是,這些顆粒 可能需要具有與三氧化二鈽相同等級的顆粒尺寸,以避免 刮傷。根據本發明的三氧化二卸在任何這樣的混合物中^ 孩相當於至少5%之磨料顆粒重量,如在少】〇或2〇%,並: 至少50%更佳。 一在利用本發明新穎二氧化二鈽泥漿磨光玻璃時,則在指 的時間之後(其中會除去非常少的物質),則會達到一致 有效的fe物貝速度與最終具有小於1〇埃的粗糙度,並以 從3至7埃較佳。 本發明進一步包含生產在滴定時自約4或更低的酸値至 至/ pH 10之pH値下維持正離子表面電荷之三氧化二鈽之方 法,該方法包含使含有凝結成最終顆粒及平均顆粒不超過 微米之一氧化一鈽受到機械化學處理,其包含利用低純 度氧化鋁或氧化錐介質及從9至125之1)11研磨顆粒泥漿, 直到獲得具有至少10平方公尺/公克之BET表面積之基本上 去凝結產物。在發生去凝結之pH以從1〇至12 5較佳及需要 的時間可以是從幾秒至15天,根據使用的設備及需要的去 喊結程度而定。熟知的振動研磨(如Swec〇研磨機)可能需要 數天或更久,但是磨碎機可以以秒的方式完成相同程度的 粉碎作用。 以商業上可取得的三氧化二鈽,如”CER〇X"16〇開始經常 可獲得非常滿意的結果。該產物典型具有約13微米之平均 顆粒尺寸’並包含許多實質上更大的凝結塊。在接受本文 揭示的機械-化學研磨處理之後,也可以在本發明的配方 _____ -7- 本紙張尺度適^中國國家標準(CNS)A4規格咖:挪 - * (請先βί讀背面之注意事項本頁) 訂---------線
巩化 η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中使用以·,〇PALINE··爲商標銷售的更高品質 但疋,未顯現會在自以上提及的酸値至鹼値的滴定期間 保持正離子表面電荷,其原因是不夠澄清。 利用選自低純度氧化鋁及氧化鍅之研磨介質進行去凝結 作用以低純度氧化鋁"表示沒氧化鋁含量從约85_ 9〇重 量% ’並經常約88%之泛氧化鋁,其餘是不同的雜質,其 g括自装備介負之銘土礦原料衍生之玻璃狀組份。夠奇特 地是在產生能夠磨光至低表面粗糙度之三氧化:鈽產物時 具有較高純度之氧化鋁介質(如95%)不是如此有效。未完 王瞭解其原因,但是,其可能與這種介質在拖長的研磨時 ’時曰i、向万;裂成相對大的斷片有關,其可能變成與更 小的三氧化二鈽顆粒混合及可能導致在使用期間的刮傷。 以上的泥漿非常適合光學磨光,但是,如果欲將泥聚用 :CMP應用時,則其不足以除去物質··除去的物質也必須 徹底自表面除去。爲了完成此結果,則使泥漿也包含界面 活性劑較佳。已發現許多適用的界面活性劑中以陰離子界 面活性劑會使本發明的三氧化二鈽泥漿產生最—致有效的 果:t陰離子界面活性劑中,以陰離子有機-磷酸鹽 (^ΡΕ")最有效,如取自Rhodia公司以·,Rhodafac BP769”爲商 丁者a有利用鹼(如氨)調整至6以上的pH,並且這些界 面劑的使用是本發明較佳的特性。 圖形 圖1是例證随商業上的三氧化二鈽&末之pH變化的表面 電荷之圖形。 本紙張尺^適用中國國家標準χ 297公
503216 Λ7 五、發明說明( 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2是例證隨根據本發明的三氧化二鋅粉末之變化的 表面電何之圖形。 圖3是在根據本發明的比較性實施例i及實施例i獲得的 結果之座標圖。 圖4疋展示使二氧化二铈粉末起始物質去凝結使用的研 磨介質之變化效應之棒狀圖表。(見實施例3 ) 圖5是一對展示在實施例2中的去凝結操作之前及之後使 用的二氧化二鈽粉末之顯微像(分別是以及5b)。 圖6是利用根據實施例5之泥漿(c〇mp)磨光之矽乾膠片 之照片。 圖7是利用根據在實施例5中說明的本發明之泥漿(c〇mp) 磨光之矽乾膠片之照片。 盤-佳的具體實施例之銳明 現在特別參考以下的實施例進一步說明本發明,該實例 只涵括例證而已,並不是企圖暗示對本發明範圍的任何基 本上的限制。 為了確定真實的比較結果,在所有根據本發明的實施例 1及2與比較性實施例i及2中使用相同的起始三氧化二鈽。 二氧化二鈽粉末是取自光學製造有限公司的以cer〇x@i65〇 為商標之粉末。該產物具有i 3微米之通稱平均顆粒尺寸, 雖然事實上根據圖5的展示有相當的凝結塊數量及廣泛不 同的顆粒尺寸。該產物具有4m2/gm之比表面積之bET。 比較性實施例3使用取自Saint-Gobain工業陶器公司 (Industrial Ceramics,Inc)以N0RP0L™為商標之商業上可取得 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 訂---------線| -9 -
503216 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明說明(7 ) 的泥漿磨光材料,其包含未提供機械-化學處理及從氧化 鋁之三氧化二鈽。泥漿具有20%之固體及〇·25微米之通稱 顆粒尺寸’並且分散顆粒具有45平方公尺/公克之BET表面 積。 利用取自Zygo公司之"New View"機器進行粗糙度測量。 實施例1 在Sweco Μ-18-5研磨機中以在4500公克去離子水中的 500公克去凝結之CEROX 1650(利用5罐)利用半英忖圓筒狀 Diamonite®低純度(88% )之氧化鋁介質經數天製成三氧化二 鈽泥漿。 以機械-化學處理之三氧化二鈽具有非常均勻的顆粒尺 寸及沒有大凝結作用。分別以圖5&及5b呈現的顯微像中展 示之前及之後的產物。以機械-化學處理之粉末具有185平 方公尺/公克之BET比表面積。 知1000公克的以上泥滎放入5〇〇公克之去離子水中,以製 備磨光泥漿’並將pH調整至9.5 -10。利用購自Buehler之單 面磨光機器及Rodel公司之SUBA- 500磨光塾使用磨光泥栽磨 光由96%二氧化矽組成及具有6000埃之初&之玻璃基板。 磨光墊壓力是1·5 p.s.a·及相對於工作片之磨光墊表面速度 是1.5公尺/秒。導致泥漿以約20毫升/分鐘的速度流動。 以磨光得到的表面具有的最終粗糙度Ra是4至5埃。以 圖3出現的圖形展示兩條線:在左邊的線是在使用"當成標 準"之三氧化二鈽時(在以下實施例丨(比較性)中的報告)之 除去速度及在右邊的線是根據本發明實施例的説明製備以 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — ————II 一:°J·ΙΙΙ1 — — — — ·(請先’閱讀背面之注意事項δ寫本頁) _ 503216 A7 五、發明說明(8 機械-化學方式處理之粒子。値得注意是在前2〇分鐘或如 此磨光時只除去約!微米厚度,但是在之後,除去的量明 顯會增加,但是將製成品維持得非常好。 實施例1 (比較性、 在该實施例中,將在實施例j中使用的當成標準之2⑻克 三氧化二鈽與800公克水混合,並將5〇〇公克該泥漿進一步 以加入的1000公克去離子水稀釋及將pH調整至1〇。接著利 用該泥漿磨光具有6000埃粗糙度1之玻璃(96%二氧化矽)。 利用與實施例丨陳述相同的設備及條件執行磨光。磨光 法除去40微米的厚度及留下1〇 5埃之最終表面粗糙度。除 去速度陳列在表3中。 ' 將瞭解在使用當成標準之三氧化二飾會提供以更加快速 除去物質,但是,這樣會明顯犧牲内部的表面製成品。 接著檢查用於磨光之實施例丨及實施例1(比較性)之泥漿 產品,以追蹤其在pH變化時的表面電荷。在圖,將" 當成標準"之三氧化二鈽製成之泥浆自中性滴定至?11約4 之酸性時,並注意以無規聲波原子間致導電性的 (accoustophoretic)流動性(或RAM)反映的表面電荷變成強勢 的正電荷,但是,在將泥漿滴定回驗性時,則表面電荷會 移動至負電荷,有少許的滞後損失。在圖2中,以根據^ 發明的泥栽行爲製@。在此將注意以加A酸使具有以^勢 的負表面電荷起始之泥漿造成強勢移動至帶負電荷表面, 甚至在將泥漿滴定回鹼性時,其堅持是帶負電荷表面。今 行烏非常意外,並且未自其它展示的陶器氧化物得知該行 _____-11 - 、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱)一 (請先閱讀背面之注意事項^:寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503216 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(9 Λ 爲 正表面電荷的該保留性表現在抗疑結及也在使玻璃表面 上之矽酸鹽離子溶劑化(使其更易除去)等兩方面非常有幫 助。也非常反常的顯示該特殊的三氧化二鈽在高値下之 私碎作用會發生機械-化學效應及不僅是物理尺寸變化而 已。 實施例2 該實施例利用與在實施例1中使用的相同的三氧化二飾 起始物,並製備與在實施例〗中製備的相同的泥漿及以相 同的方式經機械-化學處理。圖5a及5b是在去凝結操作之前 及之後的粉末之顯微像。以機械-化學處理之粉末具有185 平方公尺/公克之BET比表面積及基本上無凝蛣塊與具有非 常均句的顆粒尺寸。 將5000公克的以上泥漿以2500公克之去離子水稀釋以製 備磨光泥漿,並利用由SOMOS製造的雙面磨光機器及R〇del 公司之SUBA-550磨光墊("硬質")使用該泥漿磨光5個純 (99.99% ) 一氧化石夕之樣品。磨光墊壓力是1 psa及(相對於 表面的磨光墊之)相對表面速度是2.8公尺/秒。泥漿流動速 度是100毫升/分鐘。這樣會得到7_8埃之最終表面粗糙度。 接著利用Rodel公司之POLYTEX墊("款墊,,)在〇.5 psa.之 壓力下持續磨光,泥漿流動速度是約75毫升/分鐘,但是 ’利用相同的相對表面速度。這樣會得到4埃之最終表面 粗糙度,在以更精密的原子力顯微鏡測量時,其降至2-3埃。 實施例2 (比輕性、 -12 1本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) *(請先閱讀背面之注音?事項寫本頁) 太 訂---------線 ^0216 ^0216 Α7
五、發明說明(10) 在該實施例中,利用以500公克當成接受的三氧化二鈽 粉末以4500公克之去離子水製成的泥漿重覆實施例2之磨 光步驟及基板。將該泥漿進一步以1 〇〇〇〇公克之去離子水稀 釋’並測得5 · 5 - 6之pH。 在·1硬墊,,磨光之後,其在Zygo機器上之表面粗糙度是9-1〇埃,並在持續以"軟墊"磨光之後,其只降至8 _ 9埃。這 些數據清楚地顯示以使用根據本發明製成的以機械-化學 處理之三氧化二鈽會獲得更好的性能。 复座例3 在本實施例中評定在機械-化學處理中使用的介質衝擊 性。以實施例1説明的相同方式執行三個評估,只在機械_ 化學處理中使用不同的介質。其它使用的介質是氧化锆及 95%之純氧化鋁。 氧化錐介質提供的產物具有與利用88。/❶之純氧化鋁獲得 約相同的最終表面粗糙度之磨光表面。但是,在使用9 5 〇/〇 之純氧化銘時,則表面粗糙度是約四倍高。 實施例3 f比Μ姊) 該實施例係依照實施例1及1 (比較性)之試驗步驟,但是 ’利用在商業上取得的玻璃磨光配方,其包含具有〇25微 米之通稱平均直徑及45平方公尺/公克之BET表面積之三氧 化二鈽及從氧化鋁粉末。配方具有取自Saint-Gobain陶器公 司以NORP〇LTM9243爲商標之20%固態水泥漿。 將500公克的該泥漿以1〇〇公克之去離子水稀釋,並在開 始磨光之前,將pH調整至1 〇。 _ -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) (請先'閲讀背面之注意事項^^寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 Λ7 五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明(1〇 磨光除去15微米之厚度及留 田r、〇 / - 8埃 < 表面粗糙度。 因此,本發明的磨光配方_炊很%浙,, 万•項然優於那些先前技藝之配方。 根據説明,以商業上取得的且古 於 行的具有從虱化鋁粉末之三氧化二 卸磨光粉末具有甚至更細的通稱平均難尺寸。 實施例4 本發明展示在:氧切表面的CMp處理中使用本發明的 三氧化二鈽配方。經發現如果使用的泥聚在表面上留下殘 骸更甚於磨掉㈣’則持續對殘㈣光可能造成磨光表面 上的缺陷。這些缺陷的重要性係根據其覆蓋在面積上的部 份範圍而定。雖然泥漿磨光不可能完全消除由該機制造成 的缺1½ ’但重要地是儘可能具有少的缺陷及使這些缺陷佔 據的總面積減至最低。這暗示要在磨光期間趁早及有效除 去缺陷。以下的實施例探究影響該結果之因素。在二氧化 矽試驗床格式上執行所有的評估。在這些方法中,關鍵性 品質測量參數是物質除去速度及在CMP操作之後殘留尺寸 大於0.2微米之表面缺陷("DEFECTS")與缺陷佔據的面積 ("AREA") 〇 將根據實施例1的說明(除了只使用72小時之研磨之外) 製備之機械-化學處理之三氧化二鈽過濾及分散在含有以 30%氨將pH調整至6.3之0.3%之Rhodafac BP769陰離子有機編 磷酸鹽界面活性劑,以得到具有3 %三氧化二鈽固體重量 之泥漿。以加入足夠的氨將pH調整至10.1,並加入〇.3 %之 Darvan C界面活性劑。將該配方(INV-1)與以下配方比較留 下無缺陷表面的能力: -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先'閱讀背面之注意事項^^|寫本頁) ii—丨— 訂!! *3^ 2 03 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 _B7_ 五、發明說明(12) a) 不具有APE界面活性劑之相同配方(C0MP-1)及 b) 接受相同的製備作用之類似的配方(INV-2),但是以具 有取自相同的供應者以’Opaline”爲商標之三氧化二鈽含 量較南的不同的三氧化二韩起始;及 以埃/分鐘計測量除物質速度(或MRR)。 將結果陳列在下表中,其中將INV- 1性能定成100%,並將 其它與該性能比較。 泥漿 MRR DEFECTS AREA C0MP-1 137% >350% 413% INV-1 100% 100% 100% INV-2 73% 293% 66% 自以上的結果浮現不含界面活性劑之Cerox泥漿(COMP-1) 以非常攻擊性的方式切割,但是,在表面上留下的物質實 質量會造成非常高的DEFECTS値。根據以Cerox三氧化二鈽 粉末製成的根據本發明之產物(INV-1)不以攻擊性的方式切 割,同時留下大量降低的數値及缺陷面積。以Opaline三氧 化二鈽粉末製成的根據本發明之產物(INV-2)提供較低的 MRR値及較大的DEFECTS數値,(雖然仍低於不具界面活性 劑之產物),但是,其具有比任何顯示具有優勢的小缺陷 之其它更小的AREA。 實施例5 在該實施例中清楚地展現界面活性劑在磨光之後對基板 清潔度的效應。其以視覺方式展現在實施例4中説明的效 應。 _-15-__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------- 訂·--I I I --- •(請先 '閱讀背面之注意事項^^寫本頁) 503216 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明(13) 將以"Opaline”爲商標銷隻之1公斤的三氧化二鈽粉末與9 公斤之去離子水混合。將該配方混合30公克之界面活性劑 ,(Darvan® C)並利用15%之氨溶液將pH調整至10.1。接著利 用半英吋低純度之氧化鋁介質在Sweco M-18研磨機中研磨 該混合物72小時。然後將生成之泥漿經由1微米之pau濾器 過濾,並以去離子水沖洗殘餘物,以回收最大量的泥衆。 將該泥漿的第一種樣品(236.6公克,包含6·34 %之固體) 與264·3公克之去離子水混合,並接著利用磁攪拌器混合5 分鐘。接著利用以比較爲目的製備的該泥漿將具有二氧化 矽表面之乾膠片磨光成預期除去的物質量。然後將乾膠片 以***五個pH是10· 1之水性氨之串聯浴中的方式沖洗。對 乾膠片表面照像,並將照片附著於本文的圖5。 製備類似的泥漿,但是,此次將在實施例4中使用的7 5 公克之APE界面活性劑加入204.4公克之去離子水中及另外 在50公克去離子水中的i 5公克之Darvan C。再次利用15〇/〇 之水性氨將泥漿的pH調整至1〇1。接著以與以上説明的比 較性實施例確實一樣的方式利用該泥漿磨光具有二氧化矽 表面之乾膠片。在磨光之後,經沖洗之乾膠面表面的照片 未展π表面缺陷的蹤跡,其顯示ApE界面活性劑在留下清 =的表面方面特別有效,並不需要進一步的處理,使其: 合於進:步加工。根據以上的説明,經常以清潔的表面校 "丁在磨光法期間產生的少之又少的缺陷之表面。 t s @ (21〇 -16 - 釐) <請先·閱讀背面之注意事項β寫本頁) —訂---------線

Claims (1)

  1. 503216 | Λ8公告本I | 利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1· 一種係生產適合於光學磨光及CMP應用之方法,其包含 提供具有小於10平方公尺/公克之bet表面積之三氧化 二鋅泥漿,並包含許多凝結之三氧化二鈽顆粒,並在 從9至12.5之pH下研磨該泥漿,直到BET表面積以至少5 平方公尺/公克增加爲止。 2 ·根據申請專利範圍第丨項之方法,其中利用選自由含85 至90%阿伐氧化鋁之氧化鋁;及氧化锆所組成的群之研 磨介質來研磨三氧化二鋅。 3· —種根據申請專利範園第2項方法所獲得之三氧化二鈽 泥漿,其在以從pH 4或更低滴定至至少pH 1〇時會維持 正離子表面電荷。 4. 一種根據申請專利範園第2項方法所獲得之三氧化二鈽 泥衆’其進-步包含陰離子有機_鱗酸鹽界面活性劑。Ψ 5. -種根據中請專利範圍第3項方法所獲得之三氧化二飾 泥聚’ S進-步包含陰離子有機_嗜酸鹽界面活性劑。 6. 根據申請專利範圍第4項之三氧化二鈽泥漿,其中三氧 化二鈽不含在揽拌下不會再分散且尺寸大於5微米之凝 結塊。 7. 根據中請專利範圍第5項之三氧化二錦泥漿,其中三氧 化一飾基本上沒有凝結塊。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂·------—線一
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