TW466826B - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device Download PDF

Info

Publication number
TW466826B
TW466826B TW088108590A TW88108590A TW466826B TW 466826 B TW466826 B TW 466826B TW 088108590 A TW088108590 A TW 088108590A TW 88108590 A TW88108590 A TW 88108590A TW 466826 B TW466826 B TW 466826B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
electrode
wave device
electrode fingers
Prior art date
Application number
TW088108590A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Kadota
Junya Ago
Hideya Horiuchi
Mamoru Ikeura
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Application granted granted Critical
Publication of TW466826B publication Critical patent/TW466826B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0038—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0042—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14552—Transducers of particular shape or position comprising split fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • H03H9/6463—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 * 4 66 82 6 A7 ' __ B7 -___ 五、發明說明（I ) 發明之背景 1. 發明之領域 本發明關於一種表面聲波裝置，其以產生表面聲波而 操作，聲波中含如 BGS 型(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)波、 樂夫（Love)波、或其他波之SH(剪切水平)型波之主成份 ，特別關於邊緣反射型表面聲波裝置。 2. 相關技藝之敘述 表面聲波裝置被應用在廣泛種類之裝置中，如共振器 、帶通濾波器、及其他電子裝置。一般之表面聲波裝置必 需在交叉換能器(IDT)之二側形成反射器，其必需增加表面 聲波裝置之大小。 爲應付上述問題，曾提議一利用一 SH型表面聲波之 邊緣反射型共振器。在邊緣反射型共振器中，一IDT係配 置在壓電基體上。由IDT激發之SH型表面聲波在壓電基 體之邊緣間反射，該邊緣位於IDT之相對側。因此，彼此 相對之二邊緣係用以反射表面聲波，而不用反射器以反射 波。因此，不必提供反射器。 .上述之邊緣反射型共振器之一例揭示於日本未審査專 利公告號碼60-41808中。此公告中，揭示一利用SH型表 面聲波之邊緣反射型共振器。圖8爲一邊緣反射型共振器 之略圖’其爲習知技藝公告中之一習用例子。 一邊緣反射型共振器51包括一矩型平板狀之壓電基體 52。在其上表面52a上，設有一對交叉電極(梳形電極)53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ------------------I! — 訂·-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46682 6 A7 B7 五、發明說明（i) 及54以限定~~ IDT。交叉電極53及54具有複數個電極指 部彼此交叉。在邊緣反射共振器51中，交叉電極53及54 之電極指部各者含***之電極對，即二***電極，但電極 指部5 3 a及5 3 c除外，因其位於表面聲波傳播方向之最外 側。例如，交叉電極53之電極指部53b含***電極53bl 及53b2。交叉電極54之電極指部54a-54c各者由二***電 極對組成，即 54al 及 54a2、54bl 及 54b2、54cl 及 54c2 ο 表面聲波傳播方向係與電極指部53a-53c及54a-54c 之長度方向垂直。激發之表面聲波在彼此相對配置之二電 極52b及52c之間反射，因此可獲得共振特性。 如上所述，利用電極指部，各由二***電極組成之一 對***電極，理想頻帶特性可以獲得，而用一般單一型電 極指部者則無法獲得此一特性。 如圖8中顯示之傳統邊緣反射型共振器中，各電極指 部與指部間之間隙比爲1:1,雖在上述之習知技藝中未述明 ，通常，***電極之寬度爲λ/8，其中之λ爲激發表面聲 波之波長。在習知技藝中，在表面聲波傳播方向之最外側 電極指部53a及53c之寬度與構成其餘電極指部之各*** 電極之寬度相等。此外，共振器51之安排可使反射末端表 面位於最外側一組二電極指部之中央，或中央與對應之反 射末端表面間之距離爲λ/2之整數倍。 但如邊緣反射型共振器係以上述之習知技藝所製成’ 會出現一問題，即***振電阻Ra與共振電阻Rr之比値， 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---------線：. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 466^26 Α7 _ Β7 五、發明說明（4) 即，“頂”與“底”之比値不足。此外’存在一問題，頻率特 性中產生不必要之漣波，而無法獲得良好之頻帶特性。 發明之槪要 爲克服上述之問題，本發明之較佳實施例提供邊緣反 射型表面聲波裝置，如共振器、濾波器或其他組件，包括 具有二***電極之電極指部（雙電極型電極），其***振電 阻與共振電阻之比値，即，“頂”與“底”比値甚高，頻率特 性之不必要漣波已被防止，故帶寬甚窄。 根據本發明較佳實施例，一邊緣反射型表面聲波裝置 之製造係以產生SH型表面聲波而操作，俾表面聲波被二 相對邊緣所反射，該裝置包括一壓電基體，其具有第一及 第二主表面，及二末端表面彼此相對，其分別與第一與第 二主表面連接，該裝置並包括一 IDT，其包括一對交叉電 極配置在壓電基體之第一主表面上，如此安排可使其電極 指部彼此交叉。交叉電極之電極指部各者包括複數個*** 電極，但位於表面聲波傳播方向相反側之交叉電極除外。 位於最外側之交叉電極之寬度係與各***電極之寬度不同 〇 根據本發明之較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置 ，以往在包括單一型電極指部之邊緣反射型表面聲波裝置 無法獲得之窄帶特性，可在本發明之較佳實施例之邊緣反 射型表面聲波裝置中獲得β此外，提供最外側之電極指部 之不同寬度，***振電阻與共振電阻之比値，即“頂”與“底 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂----------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 Χ 297公« ) ，一A66 82 6 A7 B7 五、發明說明（士） ，，之比値可大增。此外’提供上述之差異，頻率特性中之不 佳的漣波可以避免。 因此，根據本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波 裝置，可達成一理想之帶寬及極佳之共振特性，並幾乎無 漣波。即使具有與理想頻帶對應之電機械耦合因數之壓電 材料係不可得，經由調整上述之交叉電極之結構亦可達成 理想之帶寬。 ' 在表面聲波傳播方向之最外側之電極指部之寬度宜爲 大於λ/8，俾***振電阻與共振電阻之比値可大幅增加， 及帶寬亦大幅加大。此外，可能出現於主響應二側之不理 想之漣波亦可有效避免。因此，具有良好頻率特性之邊緣 反射型表面聲波裝置可以獲得。 以調整表面聲波傳播方向最外側之電極指部寬度至約 λ/8至λ/4之範圍之方式，通帶二側之漣波均可避免。最 好是調整在表面聲波傳播方向最外側之電極指部之寬度爲 約(3/16) λ ±λ/32之範圍，可獲得幾乎無漣波並有良好頻 率特性之邊緣反射型表面聲波裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，利用***電極作爲表面聲波裝置之交叉電極之 電極指部，如該裝置有濾波特性及產生SH型表面波，則 其頻帶可大幅變窄，並且實際上無插λ損失之退化。 此外，根據本發明較佳實施例之表面聲波裝置，可用 於雙工器中及通信裝置中，如上所述。由於本發明較佳實 施例之表面聲波裝置具有一極爲緊密之尺寸，雙工器及通 信裝置可進一步迷你化。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ίίΝ4 66 8 2 6 Α7 .Β7 11 — _ 五、發明說明（< ) 爲說明本發明，圖式以數種形式顯示較佳實施例，吾 人了解，本發明並不僅限於揭示之配賃及機構。 圖式簡略說明 圖1爲本發明一較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝 置之平面圖。 圖2爲一曲線圖’顯不在邊緣反射型表面聲波裝置中 包括單一型電極指部之電極指部之金屬化比値、其電機械 耦合因數、及激發表面聲波間之關係。 圖3爲一曲線圖，顯示圖1中較佳實例之邊緣反射型 表面聲波裝置中之電極指部之金屬化比値、其電機械轉合 因數、及激發表面聲波間之關係。 圖4爲部份斷面圖，說明邊緣反射型表面聲波裝置其 壓電基體之切割程序，俾在表面聲波傳播方/向中之最外側 之電極指部形成具有不同之寬度。. 圖5爲一曲線圖，說明經由切割圖4中所示之各別位 置中之末端表面，而獲得之邊緣反射型表面聲波裝置之阻 抗-頻率特性，俾在表面聲波傳播方向中最外側產生具有不 同寬度之電極指部。 圖6爲一曲線圖，顯示邊緣反射型表面聲波裝置之阻 抗-頻率特性，此特性係當表面聲波傳播方向中最外側之電 .極指部寬度約爲(3/16)λ及(3/16)λ 士 λ/32時所得。 圖7爲一部份斷面圖，顯示本發明之修改例’其中邊 緣反射型表面聲波裝置之末端表面已被切割，俾壓電基體 _________ 7_____ 紙張尺度適用中國^家標準（CNS)A4規格（210 X 297公^1 綠 . !'装--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項#ί填寫本頁) IW4 66 8 2 6 A7 ~^____— B7__；_；_ i、發明說明（b ) 之〜部份在表面聲波傳播方向中最外側上之電極指部之外。 圖8爲一平面圖，顯示傳統邊緣反射型表面聲波共振 器之一例。 圖9爲一平面圖，顯示根據本發明另一較佳實施例包 括***電極之邊緣反射型橫向耦合共振器濾波器之電極安 排。 圖10爲一曲線圖’顯示包括***電極之邊緣反射型橫 向耦合共振器濾波器之頻率特性。 圖11爲一曲線圖’顯示包括單一電極之邊緣反射型橫 向親合共振器濾波器之頻率特性，此曲線係供與本發明較 佳實施例之比較。 圖12爲一平面圖，顯示利用本發明另一較佳實施例之 ***電極之末端表面反射型縱向耦合共振器型濾波器之電 極安排。 圖13爲曲線圖，說明包括***電極之邊緣反射型縱向 耦合共振器型濾波器之頻率特性。 圖14爲一曲線圖，說明包括單一電極之邊緣反射型縱 向耦合共振器型濾波器之頻率特性，此曲線係供與本發明 較佳實施例作一比較。 圖I5爲一平面圖，顯示包括本發明另一較佳實施例之 ***電極之邊緣反射型梯型濾波器之電極安排。 圖I6爲一略圖，說明包括本發明較佳實施例之梯型濾 波器之天線雙工器之安排。 圖π爲包括本發明另一較佳實施例之天線雙工器之通 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) ---- 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A7 46682 6 ----_ B7 五、發明說明（1 ) 信裝置之方塊圖。 較佳實施例之詳細敘述 以下’將參考圖式詳細說明本發明之較佳實施例。 圖1爲一平面圖，顯示本發明第一較佳實施例之邊緣 反射型表面聲波裝置。 一邊緣反射型表面聲波裝置1包括壓電基體2，其具 有矩型平板形狀。壓電基體2係由LiTao3、UNb03之壓電 單晶體或其他適合材料製成，或由壓電陶瓷（如锆鈦酸鉛 陶瓷）製成。 如基體2係由壓電陶瓷所製，壓電基體2應予極化處 理，以便在圖1之箭頭P方向極化，即在與基體2之邊緣 2a及2c成平行之方向被極化。 在壓電基體2之上表面2a上備有交叉電極(梳形電極 )3及4。電極3及4限定一IDT。 交叉電極3包括電極指部3a、3b及3c。交叉電極4 包括電極指部4a、4b及4c。父叉電極3之複數個電極指 部3a-3c之如此安排’俾可插λ交叉電極4之複數個電極 指部4a-4c之間。此等交叉電極3及4係以適當之金屬材 料（如鋁或其他電極材料）構成圖案而形成。 交叉電極3及4之電極指部3a、3b、4b及k各者包 括二***電極。參考電極指部3a爲例，電極指部3a最好 由二***電極3al及3a2構成。通常’***電極3al及 3a2之寬度宜爲λ/8，其中之λ代表表面聲波之波長。 電極指部3b、4b及4c由二***電極構成，即3bl及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--'裝-------- 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. ；1^466 8 2 6 A7 B7 五、發明說明u) 3b2，4bl及4b2、4cl及4c2 ’係與電極指部3al及3a2之 構造相似。 . .本較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置之結構使位 於表面聲波傳播方向中之電極指部4a及3c之寬度與*** 電極3al及3a2之寬度不同。位於最外側之電極指部4a及 3c之寬度最好大於λ/8，由此，***振電阻Ra與共振電阻 Rr-之比値可大幅增加。在頻率特性帶以外之頻率範圍出現 之不理想漣波即可避免。稍後將參考特定實驗例再予說明、 〇 在本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置中， 以交流電壓加在交叉電極3及4之間，表面聲波即被激發 。表面聲波自末端表面2b及2c反射，因此可獲得理想頻 率特性。此外，本較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置 1中，電極指部3a、3b、4b及4c最好均由二***電極構 成。因此，以前無法由利用包含單一電極之邊緣反射型表 面聲波裝置達成之理想頻帶特性，如今可由本發明較佳實 施例達成。此點將參考圖2及3詳細說明。' 圖2爲曲線圖，說明包括單一型電極指部之邊緣反射 型表面聲波裝置之電極指部金屬化比値，與其視激發表面 聲波之模式有關之電機械耦合因數間之關係。圖3爲曲線 圖，說明圖1所示本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲 波裝置1之***電極之金屬化比値，與其視激發表面聲波 之模式有關之電機械耦合因數間之關係。 電極指部之金屬化比値由a/(a+b) —値表示，其中“a” 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------' ---1---1 I 訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 4.66 82 6 A7 _WI__ 五、發明說明（ί) 代表電極指部寬度方向之尺寸，及“b”代表電極指部與相鄰 指部間之距離，即不包括電極之電極指部間之間隙。在本 發明較佳實施例中之邊緣反射型表面聲波裝置1中，金屬 化比値由一値a/(a+b)所表示，其中“a”代表***電極之寬 度，“b”代表電極指部之不包括電極之***電極間寬度方向 之間隙大小。 圖2及圖3中之座標繪成之Keff2/Ks2代表壓電基體之 電機械耦合因數。Keff代表由交叉電極所激發之有效電機 械耦合因數。如圖2及3所示，單一電極之Keff値較*** 電極之値爲高。共振器之頻帶係與Keff2成正比。因此， .經由利用***電極，共振器較窄之頻帶，及約爲包括單一 電極之共振器頻帶之70%之頻帶寬可以獲得。 圖2說明之特性係在含壓電基體之表面聲波裝置及包 括單一型電極指部具有等於20之N個電極指部對時獲得 〇 .在圖2及3中，由M=l，3,5,7,9及11所指之特性爲基 本波、三倍波、五倍波、七倍波、九倍波及^一倍波之特 性。 如圖2所示，在表面聲波裝置包括單一型電極指部之 情況下，基本波可獲得一高電機械耦合因數，其金屬化比 値範圍約爲0.25至0.75。但，在較高諧波情況下，如三倍 或較高倍波，則無法獲得高電機械耦合因數。 在另一方面，如圖3所示，在包括二***電極之表面 聲波裝置1中，可獲得高電機械耦合因數，其金屬化比値 η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------' 装--------訂---------J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 #^4-66 8 2 6 A7 _B7_ 五、發明說明（V0) 範圍約爲0.25至0.75，不僅基本波，尙且三倍波亦可達此 範圍。 因此，在邊緣反射型表面聲波裝置1中，包括三倍波 之所有激發表面聲波均可有效利用。 在本發明較佳實施例之邊緣反射型表面聲波裝置1中 ，除位於表面傳播方向之最外側之電極指部4a及3c外， 其餘電極指部均爲成對電極，各者均有二***電極組成。 本發明之發明人已調查位於包括由***電極組成之電極指 部之邊緣反射型表面聲波裝置1之表面聲波傳播方向中最 外側之電極指部4a及3c之結構。 在傳統單一電極式邊緣反射型表面聲波裝置中，除位 於表面聲波傳播方向最外側之電極指部之外，電極指部之 寬度爲λ/4，在表面聲波傳播方向中之最外側電極指部之 寬度爲λ/8。因此，電極指部各者除位於表面聲波傳播方 .向中之最外側之電極指部外，均有二***電極構成，*** 電極各者之寬度設定爲λ/8，在表面聲波傳播方向中最外 側之電極指部各者之寬度設定爲λ/16。但，吾人證實以上 述之邊緣反射型表面聲波裝置，SH型表面聲波不會被有效 激發。 因此，發明人已進一步調查在表面聲波傳播方向中最 外側之電極指部4a及3c。結果發現，如電極指部4a及3c 之寬度與其餘***電極之寬度不同，即非λ/8，特別是大 於;1/8，SH型表面聲波之基本波及三倍波可被有效激發。 現將參考一特定實驗例予以說明。 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項#,填寫本頁) 4 66 82 6 A7 _B7_ 五、發明說明（Γ1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據圖1中之較佳實施例，邊緣反射型表面聲波裝置 1之例中包括壓電基體2，由壓電陶磁製成，其構造可使末 端表面2b及2c間之距離約爲1193um，交叉電極3及4之 ***電極各者之寬度方向之尺寸約爲4.2um，電極指部之 總數爲142,電極指部對之數目爲35.5。在邊緣反射型表 面聲波裝置1中，以在最外側之電極指部4a而言，較3/8 λ爲寬之電極係配置在壓電基體上。 在此例中，壓電基體係在圖4之A、Β、C、D及Ε線 所示之位置被切割，俾形成邊緣表面2b，同時，具有不同 寬度之電極指部亦形成。因此，產生了 5種邊緣反射型表 面聲波裝置。在此情況下，在最外側上之電極4a之外邊緣 係與邊緣2b對齊。另一最外邊緣上之電極指部3c亦類似 構成。 經由沿線A-E之位置而切割壓電基體2所產生在最外 側之電極指部4a之寬度如下。在線A、B、C、D、及E位 置所切割之電極指部之寬度約爲λ/16、λ/8、3/16λ、1/4 λ 及 5/16 λ。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖5爲一曲線圖，顯示上述形成之各別邊緣反射型表 面聲波裝置之阻抗頻率特性。 圖5中，交互長短虛線Α爲當最外側之電極4a及3.c 之寬度爲λ/16時之特性，點線B爲當電極4a及3c之寬度 爲;1/8時所得之特性，實線C爲當電極4a及3c之寬度爲 3/16 λ時之特性，點線D爲當電極4a及3c之寬度爲λ/4 時之特性，長短虛線Ε爲當電極4a及3c之寬度爲5/16 λ 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公1 ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（丨〆） 時之特性。 由圖5可見，關於線c及D所指之特性而言’***振 電阻Ra與共振電阻Rr之比値很高’故可獲得高Q因數之 表面聲波裝置。此外，當在最外側之電極指部之寬度大於 λ/8時，可獲得更爲理想之特性。 關於線Ε所指之特性’由F及G所指出之大漣波爲在 共振頻率之較低頻率範圍側及在***振頻率之較高頻率側 出現漣波。同理，在線D所指之特性下’漣波亦在頻帶之 外側出現。但漣波與線Ε所指之特性相比’則已降低。另 一方面，由C所指出之特性而言’漣波已大幅降低，甚至 已消除。因此，吾人了解，爲降低及消除上述之漣波’在 表面聲波傳播方向中之最外側之電極指部之寬度宜爲高至 λ/4之値，最好約爲3/16又。 圖5中，在共振與***振間之漣波係由於橫模式’而 非自末端表面之反射。 本發明之發明人認爲在表面聲波傳播方向中之最外側 之電極指部之寬度最好約爲3/16 λ ’本發明人調查過與上 述寬度有關之範圍，在該範圍內亦可獲得相似之理想特性 。結果如圖6所示，獲得證實，在共振頻率之較低頻率側 及***振頻率之較高頻率側出現之漣波，可利用表面聲波 傳播方向中最外側之電極指部寬度而予以降至最低，其寬 度範圍約爲(3/16)又±( λ/32)，因此，圖5之D所指之理想 特性因而獲得。 在上述之實驗例中，爲在表面聲波傳播方向之最外側 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---------------震--------訂·--------I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .， A7 B7 466 82 6 五、發明說明（G) 形成電極指部4a及3c，分別形成具有較電極指部如及3c 之最後寬度爲大之電極。於是’壓電基體2被切割以形成 邊緣表面2b及2c，同時經由寬電極之切割，電極指部如 及3c之寬度得以決定。在此情況下，電極指部4a及3c之 外緣係與邊緣表面2b及2c分別對齊。 但根據本發明之較佳實施例，電極指部4a及3c之外 緣不必與邊緣表面2b及2c對齊。例如，當上述切割實施 後，在電極薄膜與壓電基體之邊緣間可能發生電極薄膜之 部份剝落或類似者。如電極薄膜發生此種剝落，可能造成 對頻率特性之不良影響。 是以，最好邊緣2b及2c切割後可使壓電基體之一部 份位於在最外側之電極指部4a及3c之外部。例如，如圖 7之部份放大正面圖所不，電極指部4 a被安排有一根據上 述較佳實施例之理想尺寸。此後，壓電基體2在電極指部 4a之外部切割以形成邊緣表面2b。關於末端表面2b之位 置，根據本發明之發明人所作之較佳實施例之特殊例子， 已證實末端表面2b之位置最好設定爲自最外側上之電極指 '部4a之外緣高至λ/32，因此，上述之頻率特性中之不理 想漣波得以有效抑制。 上述實驗例與邊緣反射型共振器有關。此一敘述亦可 應用在.如濾波器及其他適當組件之邊緣反射型表面聲波裝 置。 傳統上，曾利用***電極以降低IDT間之多重反射。 以前曾認爲***電極並不適合用於共振器型濾波器中。 * 44J、 • n ϋ it n n n a^i n ^^1 , I 1 « n ^1· HR .i . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線ί 經濟部.智慧財產局貝，工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ^'466826 _ B7 五、發明說明（V(J^) 但發明人發現應用***電極於共振器型濾波器及梯型 濾波器中，其利用表面聲波之反射，而該聲波具有自一裝 置之末端表面之SH波爲主要成份時，一理想駐波被激發 ，濾波器之頻帶可大幅變窄而不會使插λ損失更壞。 以下將說明另一較佳實施例，其中，***電極應用在 共振器型濾波器上。 圖9爲一平面圖，顯示本發明之較佳實施例包括一安 排，其中之邊緣反射型橫向耦合共振器濾波器之電極包括 ***電極。如圖9所示，一邊緣反射型橫向耦合共振器濾 波器之共振器濾波器11包括IDT，其結構與圖1之結構相 似，其安排可限定二級單元並以表面聲波傳播方向成垂直 延伸。即IDT12及13安排成與表面聲波傳播方向成垂直 。各別IDT12及13之各電極指部14具有一對***電極 14a 及 14b。 此後，包括以上***電極14a及14b之邊緣反射型橫 向耦合共振器型濾波器11，將與包括由一電極組成之單一 電極之邊緣反射型橫向耦合共振器型濾波器加以比較。圖 10爲一曲線圖，顯示包括圖9中之較佳實施例之***電極 之邊緣反射型橫向耦合共振器型濾波器之頻率特性。圖11 爲一曲線，顯示邊緣反射型橫向耦合共振器型濾波器之頻 率特性，其結構與圖9之較佳實施例相似，但利用單一電 極以作比較例子。關於圖10與圖11所示之邊緣反射型橫 向耦合共振器型濾波器之特定結構，一具有波長約爲30um 、35對、共6級之IDT在壓電基體上形成。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨|----1-------t-------—訂---------線 V • /... (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
466826 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明（d) 圖10與圖11比較可以瞭解.，利用***電極，即使濾 波器之其餘結構相同，帶寬亦可大幅變窄。例如，在插λ 損失2〇dB範圍時，帶寬爲800ΚΗΖ如圖11所示，而圖10 之帶寬爲510KHZ。因此，圖9中本發明較佳實施例之帶 寬爲窄約63%. 圖I2爲一平面圖，顯示另一較佳實施例，包括一邊緣 反射型縱向耦合共振器濾波器之電極裝置，包括***電極 。如圖12所示，邊緣反射型縱向耦合共振器型濾波器15 具有與圖1中相似之IDT，其安排後可限定二級單元以與 表面聲波傳播方向成平行之方向延伸。即，在邊緣反射型 縱向耦合之共振器型濾波器中，二IDT之安排與表面聲波 傳播方向成平行。IDT16及17之各電極指部最好有一對電 極 18a 及 18b 〇 此後，包括本發明之較佳實施例之***電極之邊緣反 射型縱向耦合共振器型濾波器，將與一比較結構之包括單 .一電極之邊緣反射型縱向耦合共振器型濾波器加以比較。 圖13爲一曲線圖，顯示根據圖12之較佳實施例之包括分 裂電極之邊緣反射型縱向耦合共振器型濾波器之頻率特性 。圖I4爲一曲線圖，顯示一邊緣反射型縱向耦合共振器型 濾波器之頻率特性，但該濾波器係根據一比較例’其中除 利用單一電極外，與較佳實施例相似。圖I3及圖14中所 顯示之邊緣反射型縱向耦合共振器型濾波器’各者均由36 度Y切割之LiTa03基體製成，其波.長爲40um，電極對數 爲3·6(輸λ及輸出）〇此外，各邊緣反射型縱向稱合共振器 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -h HI 11 — ^^1 1^1 n —1 n n I i n ^^1 n n I n n 1 HI 1 ^^1 I (.請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -*-&
^ 466.82 6 Α7 r--_ Β7 五、發明說明（比） 型濾波器均有二級單元配置如圖..12所示。 由圖Π及圖I·4可見，帶寬已大幅變窄。特別是，在 2〇dB插λ損失範圍內，圖14中之帶寬2.2MHz已變窄爲 2.0MHz如圖13所示。即帶寬窄大約90%。此外，以此窄 帶寬，帶外之衰減亦大幅改進。 圖I5爲一平面圖，顯示另一較佳實施例之配置，其中 之邊緣反射型梯型濾波器之電極包括***電極。如圖15所 示，邊緣反射型梯型濾波器19有複數個10丁，各者均具有 與圖1相似之結構，其安排後限定串聯臂19a及19c及並 聯臂19b及19d以產生一梯型電路。在梯型濾波器19中， 其頻帶已大幅變窄’如同圖9中之橫向耦合共振器型濾波 器U及圖12之縱向耦合共振器型濾波器15。 以上已說明一邊緣反射型濾波器作爲一例。但即使利 用一反射器爲反射裝置，不用反射末端表面，帶寬之變窄 亦可實現’相似之效應亦可獲得，雖然蒱;I損失會退化約 l-2dB。 以下將參考圖16說明包括本發明較佳實施例之梯型濾 波器之天線雙工器。 圖16爲一電路圖，說明本較佳實施例之天線雙工器。 一天線雙工器70包括一對梯型濾波器61，至少其中之一 者爲與圖15之梯型濾波器相似。即各梯型濾波器61之輸 λ端點62及62共同連接以限定一第一埠ή。另一方面， 各梯型濾波器61及61之輸出端點63及63被利用以形成 較佳實施例之天線雙工器之第二及第三埠。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以在6 6 8 2 a A7 _B7_._ 五、發明說明（U) 如上所述，天線雙工器可較佳包括一對梯型濾波器61 及61。 此外，一通信裝置利用上述之天線雙工器可被限定。 圖17爲一通信裝置之一例。. 較佳實施例之通信裝置81備有一天線雙工器70，及 發射與接收電路82及83。天線雙工器70之第一埠71連 接至一天線84。輸出端點63及63限定第二及第三埠，分 別連接至接收電路82及83。 在天線雙工器70中，一對梯型濾波器61及61之構 造可使通帶彼此不同，因此天線84可用以作爲發射天線及 接收天線。 以上已敘述本發明之較佳實施例，實施上述原理之各 種模式均在以下申請專利範圍之範疇內。因此，吾人了解 本發明之範疇除界定於申請專利範圍外不受限制。 ------------ *-------訂 — 丨丨 — 丨— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. ^46682 6
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第88108590號申請案，申請專利範圍修正本 1. 一種表面聲波裝置，其包含： 一壓電基體，具有第一及第二主表面與二相反邊緣， 該二邊緣係連接第一及第二主表面；及 一交叉換能器，包括一對交叉電極，其具有電極指部 並配置在壓電基體之第一主表面上，如此安排可使電極指 部彼此交叉；其中 交叉電極之電極指部包括複數個***電極，除位於基 體之最外側沿基體產生之表面聲波之傳播方向之電極指部 外，在最外側之電極指部具有與***電極不同之寬度。 2. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中*** 電極各者寬度約爲λ /8，位於最外側之電極指部各者寬度 大於λ/8，其中之λ爲表面聲波之波長。 3. 如申請專利範圍第2項之表面聲波裝廑，其中在最 外側之電極指部之寬度在大於λ/8至約λ/4之範圍，其中 之λ爲表面聲波之波長。 4. 如申請專利範圍第3項之表面聲波裝置，其中在最 外側之電極指部之寬度在(3/16)λ ±(λ/32)之範圍，其中之 λ爲表面聲波之波長。 5. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中之表 面聲波裝置係構成以利用具有一共振頻率爲f〇=3V/λ之三 倍波，其中之；I爲裝置產生之表面聲波之波長，V爲音速 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裳--------訂-------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ή 4· 6 6 8 2 6 as Β8 gl '~— 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中之表 面聲波裝置爲一縱向耦合之共振器型濾波器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中之表 面聲波裝置爲一橫向耦合之共振器型濾波器。 8. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中之表 面聲波裝置爲一梯型濾波器。 9. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中之壓 電基體係由壓電單晶材料或壓電陶瓷材料製成。 10. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中最外 電極指部之外緣係與基體之相反邊緣之末端表面對齊。 11. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，其中最外 電極指部之外緣係與基體之相反邊緣之末端表面隔開。 12. 如申請專利範圍第11項之表面聲波裝置，其中最 外電極指部之外緣與基體之相反邊緣之個別末端表面間之 距離約爲λ/32或更少，其中之λ爲裝置產生之表面聲波之 波長。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，尙含二或 更多之交叉換能器，在壓電基體上限定二或更多級單元， 並安排爲以實質上與表面聲波之傳播方向成垂直之方向延 伸。 14. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，尙含二或 更多之交叉換能器，在壓電基體上限定二或更多級單元， 並安排爲以實質上與表面聲波之傳播方向成平行之方向延 伸。 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^466826 § 六、申請專利範圍 15. 如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，尙含複數 個交叉換能器，其在壓電基體上限定一梯型電路。 16. 如申請專利範圍第15項之表面聲波裝置，其中之 複數個交叉換能器限定複數個串聯臂及複數個並聯臂。 Π.如申請專利範圍第1項之表面聲波裝置，尙含至少 一個在基體之相對末端一者之反射器。 18. —種雙工器，包含： 第1、第2與第3端子； 一第1表面聲波裝置連接於該第1端子第2端子間； 一第2表面聲波裝置與該第1端子及第3端子相連； 其中，前述第1及第2表面聲波裝置之至少一者，係 包含： 一壓電基體，具有第一及第二主表面與二相反邊緣， 該二邊緣係連接第一及第二主表面；及 一交叉換能器，包括一對交叉電極，其具有電極指部 並配置在壓電基體之第一主表面上，如此安排可使電極指 部彼此交叉；其中 交叉電極之電極指部包括複數個***電極，除位於基 體之最外側沿基體產生之表面聲波之傳播方向之電極指部 外，在最外側之電極指部具有與***電極不同之寬度。 19. 一種通信裝置，其包含： 一天線； 一雙工器連接於該天線；及 一發射電路及一接收電路分別連接於該雙工器； ------------' --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中，前述雙工器包含： 第1、第2與第3端子； 一第1表面聲波裝置連接於該第1端子第2端子間； 一第2表面聲波裝置與該第1端子及第3端子相連； 其中，前述第1及第2表面聲波裝置之至少一者，係 包含‘· 一壓電基體，具有第一及第二主表面與二相反邊緣， 該二邊緣係連接第一及第二主表面；及 一交叉換能器，包括一對交叉電極，其具有電極指部 並配置在壓電基體之第一主表面上，如此安排可使電極指 部彼此交叉；其中 交叉電極之電極指部包括複數個***電極，除位於基 體之最外側沿基體產生之表面聲波之傳播方向之電極指部 外，在最外側之電極指部具有與***電極不同之寬度。 20.—種表面聲波裝置，其包含： 一基體，具有第一及第二主表面與二相對邊緣，該二 邊緣連接第一及二主表面；及 至少一交叉換能器，包括至少一對具有電極指部之交 叉電極，並配置在壓電基體之第一主表面上，如此安排可 使電極指部彼此交叉；其中 至少一交叉電極之電極指部包括複數個***電極，及 至少一單一電極配置在基體之各最外側沿基體產生之表面 聲波之傳播方向，在最外側之電極指部之寬度係與***電 極之寬度不同。 4 -------------Γ裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
TW088108590A 1998-06-01 1999-05-25 Surface acoustic wave device TW466826B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15172598 1998-06-01
JP12103599A JP3341709B2 (ja) 1998-06-01 1999-04-28 表面波装置及びそれを用いた通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW466826B true TW466826B (en) 2001-12-01

Family

ID=26458504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088108590A TW466826B (en) 1998-06-01 1999-05-25 Surface acoustic wave device

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6297713B1 (zh)
JP (1) JP3341709B2 (zh)
KR (1) KR100352393B1 (zh)
DE (1) DE19924933B4 (zh)
GB (1) GB2338129B (zh)
SG (1) SG75961A1 (zh)
TW (1) TW466826B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100429474B1 (ko) * 1999-10-18 2004-05-03 가부시끼가이샤 도시바 탄성 표면파 장치
JP3397195B2 (ja) * 2000-02-28 2003-04-14 株式会社村田製作所 端面反射型表面波フィルタ
JP3797155B2 (ja) 2000-09-06 2006-07-12 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置の周波数調整方法
JP3432492B2 (ja) * 2000-09-28 2003-08-04 富士通株式会社 弾性表面波共振器及びこれを用いた弾性表面波フィルタ
JP3467472B2 (ja) * 2000-11-15 2003-11-17 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
US6873226B2 (en) * 2001-03-19 2005-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Edge-reflection surface acoustic wave filter
JP2004040636A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JP4868124B2 (ja) * 2006-02-22 2012-02-01 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子
JP5092490B2 (ja) * 2007-03-28 2012-12-05 凸版印刷株式会社 球状弾性表面波素子の複数周波数駆動計測装置
US8797123B2 (en) 2011-09-14 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonator having electrode edge alignments providing improved quality factor or electromechanical coupling coefficient
DE102012107049B4 (de) * 2012-08-01 2017-10-05 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Wandler
JP6335492B2 (ja) 2013-11-29 2018-05-30 太陽誘電株式会社 弾性波素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6041809A (ja) 1983-08-17 1985-03-05 Fujitsu Ltd 弾性表面波共振子
DE3832944A1 (de) 1988-09-28 1990-04-05 Siemens Ag Oberflaechenwellen-interdigitalwandler und oberflaechenwellen-filter mit symmetrischer oder vorgebbar unsymmetrischer uebertragungscharakteristik zwischen eingang und ausgang
US5521565A (en) 1988-09-28 1996-05-28 Siemens Aktiengesellschaft Surface wave interdigital transducer and surface wave filter with symmetric or predeterminable asymmetric transfer characteristic between input and output
JPH03228418A (ja) 1990-02-02 1991-10-09 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPH0426211A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
TW256966B (zh) 1994-03-04 1995-09-11 Murata Manufacturing Co
US5528206A (en) * 1994-11-23 1996-06-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter with attenuated spurious emissions
JP3106912B2 (ja) 1995-06-30 2000-11-06 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置の製造方法
JPH0969751A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US6137380A (en) * 1996-08-14 2000-10-24 Murata Manufacturing, Co., Ltd Surface acoustic wave filter utilizing a particularly placed spurious component of a parallel resonator
TW404091B (en) * 1997-05-16 2000-09-01 Murata Manufacturing Co Ladder filter having edge-reflection type resonators
JP3171144B2 (ja) * 1997-07-07 2001-05-28 株式会社村田製作所 表面波装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3341709B2 (ja) 2002-11-05
DE19924933B4 (de) 2008-03-27
GB2338129B (en) 2000-08-23
US6297713B1 (en) 2001-10-02
KR20000005736A (ko) 2000-01-25
GB2338129A (en) 1999-12-08
SG75961A1 (en) 2000-10-24
GB9912656D0 (en) 1999-07-28
JP2000059175A (ja) 2000-02-25
KR100352393B1 (ko) 2002-09-11
DE19924933A1 (de) 1999-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3191473B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JP3281569B2 (ja) 音波フィルタ
JP3233087B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JPH1075154A (ja) 音波フィルタ
JPH0730367A (ja) 弾性表面波フィルタ
JPH0969751A (ja) 弾性表面波フィルタ
TW466826B (en) Surface acoustic wave device
JP3255128B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
EP1569334A2 (en) Surface acoustic wave device
TW437166B (en) Surface acoustic wave filter
JP3161439B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JP3385169B2 (ja) 弾性表面波多重モードフィルタ
JP3918433B2 (ja) 横２重モードｓａｗフィルタ
JP3253568B2 (ja) 多段接続型弾性表面波フィルタ
JPH11340774A (ja) 弾性表面波フィルタ
JPH1188112A (ja) 弾性表面波素子
JP3425394B2 (ja) 弾性表面波共振子および弾性表面波フィルタ
TW587367B (en) Edge reflection type surface acoustic wave filter
JP2000312125A (ja) 弾性表面波装置
JP3654920B2 (ja) 多段接続弾性表面波多重モードフィルタ
JP2927107B2 (ja) 横結合２重モード弾性表面波フィルタ
JP7132841B2 (ja) 弾性表面波素子、分波器および通信装置
JP2003347895A (ja) Ｓａｗフィルタ
JPH06291600A (ja) 弾性表面波フィルタ
JP3290164B2 (ja) 弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees