JP3341709B2 - 表面波装置及びそれを用いた通信装置 - Google Patents
表面波装置及びそれを用いた通信装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＢＧＳ波や
ラブ波などのＳＨ（shear horizontal）タイプを主成分
とする表面波を利用した表面波装置に関し、より詳細に
は、対向２端面間で表面波が反射されるように構成され
た端面反射型表面波装置に関する。
ラブ波などのＳＨ（shear horizontal）タイプを主成分
とする表面波を利用した表面波装置に関し、より詳細に
は、対向２端面間で表面波が反射されるように構成され
た端面反射型表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面波装置は、共振子や帯域型フィルタ
などの様々な用途に広く用いられている。通常の表面波
装置では、表面波を反射させるために、インターデジタ
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）の両側に反射器を形成す
る必要があった。従って、表面波装置が大型にならざる
を得なかった。
などの様々な用途に広く用いられている。通常の表面波
装置では、表面波を反射させるために、インターデジタ
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）の両側に反射器を形成す
る必要があった。従って、表面波装置が大型にならざる
を得なかった。
【０００３】そこで、ＳＨタイプの表面波を用いた端面
反射型共振子が提案されている。端面反射型共振子で
は、圧電基板上にＩＤＴが形成されており、ＩＤＴで励
振されたＳＨタイプの表面波が、ＩＤＴの両側の圧電基
板端面間で反射される。従って、対向２端面が反射器に
代わり用いられるため、反射器を形成する必要がない。
反射型共振子が提案されている。端面反射型共振子で
は、圧電基板上にＩＤＴが形成されており、ＩＤＴで励
振されたＳＨタイプの表面波が、ＩＤＴの両側の圧電基
板端面間で反射される。従って、対向２端面が反射器に
代わり用いられるため、反射器を形成する必要がない。
【０００４】上記端面反射型共振子の一例が、特開昭６
０−４１８０９号公報に開示されている。ここでは、Ｓ
Ｈタイプの表面波を利用した端面反射型共振子が開示さ
れている。図８は、この先行技術に従来例として記載さ
れている端面反射型共振子の略図的平面図である。
０−４１８０９号公報に開示されている。ここでは、Ｓ
Ｈタイプの表面波を利用した端面反射型共振子が開示さ
れている。図８は、この先行技術に従来例として記載さ
れている端面反射型共振子の略図的平面図である。
【０００５】端面反射型共振子５１は、矩形板状の圧電
基板５２を用いて構成されている。上面５２ａ上には、
一対のくし歯電極５３，５４が形成されており、それに
よって１つのＩＤＴが構成されている。くし歯電極５
３，５４は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有す
る。もっとも、端面反射型共振子５１では、くし歯電極
５３，５４の電極指は、表面波伝搬方向最外側の電極指
５３ａ，５３ｃを除いて、２本のスプリット電極からな
るペアの電極指により構成されている。例えば、くし歯
電極５３の電極指５３ｂは、スプリット電極５３ｂ1 ，
５３ｂ2 により構成されている。また、くし歯電極５４
の電極指５４ａ〜５４ｃは、それぞれ、２本ずつペアに
なったスプリット電極５４ａ1 ，５４ａ2 、５４ｂ1 ，
５４ｂ2 、５４ｃ1 ，５４ｃ2 により構成されている。
基板５２を用いて構成されている。上面５２ａ上には、
一対のくし歯電極５３，５４が形成されており、それに
よって１つのＩＤＴが構成されている。くし歯電極５
３，５４は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有す
る。もっとも、端面反射型共振子５１では、くし歯電極
５３，５４の電極指は、表面波伝搬方向最外側の電極指
５３ａ，５３ｃを除いて、２本のスプリット電極からな
るペアの電極指により構成されている。例えば、くし歯
電極５３の電極指５３ｂは、スプリット電極５３ｂ1 ，
５３ｂ2 により構成されている。また、くし歯電極５４
の電極指５４ａ〜５４ｃは、それぞれ、２本ずつペアに
なったスプリット電極５４ａ1 ，５４ａ2 、５４ｂ1 ，
５４ｂ2 、５４ｃ1 ，５４ｃ2 により構成されている。
【０００６】表面波伝搬方向は、上記電極指５３ａ〜５
３ｃ，５４ａ〜５４ｃの長さ方向と直交する方向であ
る。励振された表面波は、対向２端面５２ｂ，５２ｃで
反射され、それによって共振特性が得られる。
３ｃ，５４ａ〜５４ｃの長さ方向と直交する方向であ
る。励振された表面波は、対向２端面５２ｂ，５２ｃで
反射され、それによって共振特性が得られる。
【０００７】上記のように、２本ずつペアをなすスプリ
ット電極からなる電極指を用いることにより、通常のシ
ングル型の電極指を用いた場合では得られない帯域特性
を得ることができる。
ット電極からなる電極指を用いることにより、通常のシ
ングル型の電極指を用いた場合では得られない帯域特性
を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図８に示したような従
来の端面反射型共振子５１においては、上記先行技術に
は明示されていないが、電極指と電極指間のギャップが
１対１に形成され、励振される表面波の波長λとしたと
き、スプリット電極の幅は通常、λ／８とされる。ま
た、上記先行技術では、表面波伝搬方向最外側の電極指
５３ａ，５３ｃの幅は、残りの電極指を構成している各
スプリット電極の幅と同等とされており、またそのとき
の端面位置は最も外側に位置する組をなす２本の電極指
の中心あるいはその中心から反射端面の距離がλ／２の
整数倍になるように構成されている。
来の端面反射型共振子５１においては、上記先行技術に
は明示されていないが、電極指と電極指間のギャップが
１対１に形成され、励振される表面波の波長λとしたと
き、スプリット電極の幅は通常、λ／８とされる。ま
た、上記先行技術では、表面波伝搬方向最外側の電極指
５３ａ，５３ｃの幅は、残りの電極指を構成している各
スプリット電極の幅と同等とされており、またそのとき
の端面位置は最も外側に位置する組をなす２本の電極指
の中心あるいはその中心から反射端面の距離がλ／２の
整数倍になるように構成されている。
【０００９】しかしながら、上記先行技術に従って端面
反射型共振子を構成した場合、***振抵抗Ｒａの共振抵
抗Ｒｒに対する比、すなわち山谷比が十分でないという
問題があった。加えて、周波数特性上に不要リップルが
生じ、良好な帯域特性を得られないという問題もあっ
た。
反射型共振子を構成した場合、***振抵抗Ｒａの共振抵
抗Ｒｒに対する比、すなわち山谷比が十分でないという
問題があった。加えて、周波数特性上に不要リップルが
生じ、良好な帯域特性を得られないという問題もあっ
た。
【００１０】本発明の目的は、２本のスプリット電極か
らなるダブル電極型の電極指を用いた端面反射型表面波
装置において、***振抵抗の共振抵抗に対する比、すな
わち山谷比が大きく、かつ周波数特性上に発生する不要
リップルを効果的に抑制し、適度な帯域をもつ共振子や
フィルタ等の端面反射型の表面波装置を提供することに
ある。
らなるダブル電極型の電極指を用いた端面反射型表面波
装置において、***振抵抗の共振抵抗に対する比、すな
わち山谷比が大きく、かつ周波数特性上に発生する不要
リップルを効果的に抑制し、適度な帯域をもつ共振子や
フィルタ等の端面反射型の表面波装置を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＳＨタイプの表面波を利用しており対向２端面で該
表面波が反射されるように構成された表面波装置であっ
て、第１，第２の主面と、第１，第２の主面を結ぶ対向
２端面とを有する圧電基板と、前記圧電基板の第１の主
面に形成されており、互いの電極指が間挿し合うように
配置された一対のくし歯電極からなるＩＤＴとを備え、
表面波伝搬方向最外側の電極指を除いて、前記くし歯電
極の各電極指が、複数本のスプリット電極により構成さ
れており、かつ励振される表面波の波長をλとしたとき
に、前記スプリット電極の幅がλ／８であり、表面波伝
搬方向最外側の電極指の幅がλ／８よりも大きくされて
いることを特徴とする。
は、ＳＨタイプの表面波を利用しており対向２端面で該
表面波が反射されるように構成された表面波装置であっ
て、第１，第２の主面と、第１，第２の主面を結ぶ対向
２端面とを有する圧電基板と、前記圧電基板の第１の主
面に形成されており、互いの電極指が間挿し合うように
配置された一対のくし歯電極からなるＩＤＴとを備え、
表面波伝搬方向最外側の電極指を除いて、前記くし歯電
極の各電極指が、複数本のスプリット電極により構成さ
れており、かつ励振される表面波の波長をλとしたとき
に、前記スプリット電極の幅がλ／８であり、表面波伝
搬方向最外側の電極指の幅がλ／８よりも大きくされて
いることを特徴とする。
【００１２】
【００１３】請求項２に記載の発明では、表面波伝搬方
向最外側の電極指の幅は、λ／８より大きく、λ／４以
下とされている。請求項３に記載の発明では、表面波伝
搬方向最外側の電極指の幅は、（３／１６）λ±λ／３
２の範囲内とされている。
向最外側の電極指の幅は、λ／８より大きく、λ／４以
下とされている。請求項３に記載の発明では、表面波伝
搬方向最外側の電極指の幅は、（３／１６）λ±λ／３
２の範囲内とされている。
【００１４】請求項４に記載の発明では、前記インター
デジタルトランスデューサにより励振される表面波の波
長をλ、音速をｖとしたときに、共振周波数ｆ0がｆ0＝
３ｖ／λである３倍波を利用した表面波デバイスとされ
ている。
デジタルトランスデューサにより励振される表面波の波
長をλ、音速をｖとしたときに、共振周波数ｆ0がｆ0＝
３ｖ／λである３倍波を利用した表面波デバイスとされ
ている。
【００１５】本発明に係る表面波装置は、様々なフィル
タとして用いられ、本発明のある特定の局面では、縦結
合共振子型フィルタとして構成され、別の特定の局面で
は、横結合共振子型フィルタとして構成される。また、
本発明に係る表面波装置は、複数の表面波共振子を梯子
型に接続してなるラダー型フィルタとして構成されても
よい。
タとして用いられ、本発明のある特定の局面では、縦結
合共振子型フィルタとして構成され、別の特定の局面で
は、横結合共振子型フィルタとして構成される。また、
本発明に係る表面波装置は、複数の表面波共振子を梯子
型に接続してなるラダー型フィルタとして構成されても
よい。
【００１６】
【００１７】また、本発明に係る表面波装置は、アンテ
ナ共用器のような共用器として用いることができ、さら
に本発明に係る表面波装置を用いて様々な通信装置を構
成することができる。
ナ共用器のような共用器として用いることができ、さら
に本発明に係る表面波装置を用いて様々な通信装置を構
成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施例に係る端面
反射型表面波装置を示す平面図である。端面反射型表面
波装置１は、矩形板状の圧電基板２を用いて構成されて
いる。圧電基板２は、例えば、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂ
Ｏ3 などの圧電単結晶またはチタン酸ジルコン酸鉛系セ
ラミックスのような圧電セラミックスにより構成するこ
とができる。
反射型表面波装置を示す平面図である。端面反射型表面
波装置１は、矩形板状の圧電基板２を用いて構成されて
いる。圧電基板２は、例えば、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂ
Ｏ3 などの圧電単結晶またはチタン酸ジルコン酸鉛系セ
ラミックスのような圧電セラミックスにより構成するこ
とができる。
【００２０】圧電基板２が、圧電セラミックスよりなる
場合、図示の矢印Ｐ方向に分極処理されている。すなわ
ち、圧電基板２の端面２ｂと平行な方向に分極処理され
ている。圧電基板２の上面２ａ上には、くし歯電極３，
４が形成されている。くし歯電極３，４により、ＩＤＴ
が構成されている。
場合、図示の矢印Ｐ方向に分極処理されている。すなわ
ち、圧電基板２の端面２ｂと平行な方向に分極処理され
ている。圧電基板２の上面２ａ上には、くし歯電極３，
４が形成されている。くし歯電極３，４により、ＩＤＴ
が構成されている。
【００２１】くし歯電極３は、電極指３ａ，３ｂ，３ｃ
を有し、くし歯電極４は、電極指４ａ，４ｂ，４ｃを有
する。くし歯電極３の複数本の電極指３ａ〜３ｃは、く
し歯電極４の複数本の電極指４ａ〜４ｃと互いに間挿し
合うように配置されている。これらのくし歯電極３，４
は、アルミニウムなどの適宜の金属材料をパターニング
することにより形成される。
を有し、くし歯電極４は、電極指４ａ，４ｂ，４ｃを有
する。くし歯電極３の複数本の電極指３ａ〜３ｃは、く
し歯電極４の複数本の電極指４ａ〜４ｃと互いに間挿し
合うように配置されている。これらのくし歯電極３，４
は、アルミニウムなどの適宜の金属材料をパターニング
することにより形成される。
【００２２】くし歯電極３，４の電極指のうち、電極指
３ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃは、それぞれ、２本ずつのスプ
リット電極により構成されている。すなわち、電極指３
ａを代表して説明すると、電極指３ａは、２本のスプリ
ット電極３ａ1 ，３ａ2 により構成されている。スプリ
ット電極３ａ1 ，３ａ2 は、それぞれ、表面波の波長を
λとしたとき、一般にその幅寸法はλ／８とされてい
る。他の２本のスプリット電極３ｂ1 ，３ｂ2 ，４ｂ
1 ，４ｂ2 ，４ｃ1 ，４ｃ2で構成されている電極指３
ｂ，４ｂ，４ｃについても同様に構成されている。
３ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃは、それぞれ、２本ずつのスプ
リット電極により構成されている。すなわち、電極指３
ａを代表して説明すると、電極指３ａは、２本のスプリ
ット電極３ａ1 ，３ａ2 により構成されている。スプリ
ット電極３ａ1 ，３ａ2 は、それぞれ、表面波の波長を
λとしたとき、一般にその幅寸法はλ／８とされてい
る。他の２本のスプリット電極３ｂ1 ，３ｂ2 ，４ｂ
1 ，４ｂ2 ，４ｃ1 ，４ｃ2で構成されている電極指３
ｂ，４ｂ，４ｃについても同様に構成されている。
【００２３】他方、本実施例の端面反射型表面波装置の
特徴は、表面波伝搬方向最外側に位置する電極指４ａ，
３ｃの幅が、スプリット電極３ａ1 ，３ａ2 の幅と異な
らされていることにあり、最外側に位置する電極指４
ａ，３ｃの幅は、λ／８よりも大きくされている。それ
によって、***振抵抗Ｒａと共振抵抗Ｒｒとの比が大き
くされており、かつ周波数特性上の帯域外に表れるリッ
プルの抑制が図られている。この点については、具体的
な実験例に基づき後述する。
特徴は、表面波伝搬方向最外側に位置する電極指４ａ，
３ｃの幅が、スプリット電極３ａ1 ，３ａ2 の幅と異な
らされていることにあり、最外側に位置する電極指４
ａ，３ｃの幅は、λ／８よりも大きくされている。それ
によって、***振抵抗Ｒａと共振抵抗Ｒｒとの比が大き
くされており、かつ周波数特性上の帯域外に表れるリッ
プルの抑制が図られている。この点については、具体的
な実験例に基づき後述する。
【００２４】本実施例の端面反射型表面波装置では、く
し歯電極３，４間に交流電圧を印加することにより表面
波が励振され、該表面波は端面２ｂ，２ｃ間で反射さ
れ、それによって周波数特性を得ることができる。ま
た、本実施例の端面反射型表面波装置１では、電極指３
ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃが２本のスプリット電極により構
成されているので、シングル電極を用いた端面反射型表
面波装置では得られなかった帯域特性を実現することが
できる。これを、図２及び図３を参照して、より具体的
に説明する。
し歯電極３，４間に交流電圧を印加することにより表面
波が励振され、該表面波は端面２ｂ，２ｃ間で反射さ
れ、それによって周波数特性を得ることができる。ま
た、本実施例の端面反射型表面波装置１では、電極指３
ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃが２本のスプリット電極により構
成されているので、シングル電極を用いた端面反射型表
面波装置では得られなかった帯域特性を実現することが
できる。これを、図２及び図３を参照して、より具体的
に説明する。
【００２５】図２は、シングル型の電極指を用いた端面
反射型表面波装置における電極指のメタライゼーション
比と電気機械結合係数との関係を示す図であり、図３は
図１に示した端面反射型表面波装置１におけるスプリッ
ト電極のメタライゼーション比と電気機械結合係数との
関係を示す図である。
反射型表面波装置における電極指のメタライゼーション
比と電気機械結合係数との関係を示す図であり、図３は
図１に示した端面反射型表面波装置１におけるスプリッ
ト電極のメタライゼーション比と電気機械結合係数との
関係を示す図である。
【００２６】ここで、電極指のメタライゼーション比と
は、電極指の幅方向寸法をａ、隣接する電極指間の電極
のないギャップ部の距離をｂとしたとき、ａ／（ａ＋
ｂ）で表される値である。また、本実施例の端面反射型
表面波装置１では、上記メタライゼーション比はスプリ
ット電極の幅をａ、該電極指におけるスプリット電極間
の電極のないギャップ幅方向寸法をｂとしたときに、ａ
／（ａ＋ｂ）で表される値である。
は、電極指の幅方向寸法をａ、隣接する電極指間の電極
のないギャップ部の距離をｂとしたとき、ａ／（ａ＋
ｂ）で表される値である。また、本実施例の端面反射型
表面波装置１では、上記メタライゼーション比はスプリ
ット電極の幅をａ、該電極指におけるスプリット電極間
の電極のないギャップ幅方向寸法をｂとしたときに、ａ
／（ａ＋ｂ）で表される値である。
【００２７】縦軸のｋ2 ｅｆｆ／ｋ2 ｓのｋｓは圧電基
板の電気機械結合係数であり、ｋｅｆｆはすだれ状電極
で励振される実効的な電気機械結合係数である。図２及
び図３より、シングル電極とスプリット電極とでは、前
者のｋｅｆｆの方が大きい値をとることがわかる。共振
子の帯域は、このｋ2 ｅｆｆに比例するため、同一の基
板を用いても、スプリット電極を用いることによりシン
グル電極の約７０％の帯域をもつ狭帯域化が図れる。
板の電気機械結合係数であり、ｋｅｆｆはすだれ状電極
で励振される実効的な電気機械結合係数である。図２及
び図３より、シングル電極とスプリット電極とでは、前
者のｋｅｆｆの方が大きい値をとることがわかる。共振
子の帯域は、このｋ2 ｅｆｆに比例するため、同一の基
板を用いても、スプリット電極を用いることによりシン
グル電極の約７０％の帯域をもつ狭帯域化が図れる。
【００２８】図２及び図３に示されている特性は、シン
グル型の電極指を用いた圧電基板上の表面波装置で、電
極指の対数Ｎを２０対とした場合の結果である。また、
図２及び図３において、Ｍ＝１，３，７，９，１１で示
される各特性は、励振される表面波の基本波、３倍波、
５倍波、７倍波、９倍波、１１倍波の特性をそれぞれ示
す。
グル型の電極指を用いた圧電基板上の表面波装置で、電
極指の対数Ｎを２０対とした場合の結果である。また、
図２及び図３において、Ｍ＝１，３，７，９，１１で示
される各特性は、励振される表面波の基本波、３倍波、
５倍波、７倍波、９倍波、１１倍波の特性をそれぞれ示
す。
【００２９】図２から明らかなように、シングル型の電
極指を用いた表面波装置では、メタライゼーション比が
０．２５〜０．７５の範囲で、基本波において大きな電
気機械結合係数を得ることができる。しかしながら、３
倍波以上の高調波では、大きな電気機械結合係数の得ら
れないことがわかる。
極指を用いた表面波装置では、メタライゼーション比が
０．２５〜０．７５の範囲で、基本波において大きな電
気機械結合係数を得ることができる。しかしながら、３
倍波以上の高調波では、大きな電気機械結合係数の得ら
れないことがわかる。
【００３０】これに対して、図３に示すように、２本の
スプリット電極を用いた表面波装置１では、メタライゼ
ーション比が０．２５〜０．７５の範囲において、基本
波の場合だけでなく、３倍波の場合も大きな電気機械結
合係数の得られることがわかる。よって、端面反射型表
面波装置１では、励振された表面波のうち、３倍波も有
効に利用することができる。
スプリット電極を用いた表面波装置１では、メタライゼ
ーション比が０．２５〜０．７５の範囲において、基本
波の場合だけでなく、３倍波の場合も大きな電気機械結
合係数の得られることがわかる。よって、端面反射型表
面波装置１では、励振された表面波のうち、３倍波も有
効に利用することができる。
【００３１】本実施例の端面反射型表面波装置１では、
表面波伝搬方向最外側の電極指４ａ，３ｃを除いて、残
りの電極指が２本のスプリット電極により構成されたペ
アの電極とされている。本願発明者らは、このようなス
プリット電極からなる電極指を用いた端面反射型表面波
装置１において、表面波伝搬方向最外側の電極指４ａ，
３ｃの幅をどのように構成するかにつき検討した。
表面波伝搬方向最外側の電極指４ａ，３ｃを除いて、残
りの電極指が２本のスプリット電極により構成されたペ
アの電極とされている。本願発明者らは、このようなス
プリット電極からなる電極指を用いた端面反射型表面波
装置１において、表面波伝搬方向最外側の電極指４ａ，
３ｃの幅をどのように構成するかにつき検討した。
【００３２】従来のシングル電極型の端面反射型表面波
装置では、表面波伝搬方向最外側の電極指を除く残りの
電極指の幅は、λ／４とされており、表面波伝搬方向最
外側の電極指の幅はλ／８とされていた。従って、表面
波伝搬方向最外側の電極指以外の電極指を２本のスプリ
ット電極で構成し、各スプリット電極の幅をλ／８と
し、表面波伝搬方向最外側の電極指の幅をλ／１６とし
て、端面反射型表面波装置を構成した。しかしながら、
このような端面反射型表面波装置では、ＳＨタイプの表
面波を十分に励振することができないことが確かめられ
た。
装置では、表面波伝搬方向最外側の電極指を除く残りの
電極指の幅は、λ／４とされており、表面波伝搬方向最
外側の電極指の幅はλ／８とされていた。従って、表面
波伝搬方向最外側の電極指以外の電極指を２本のスプリ
ット電極で構成し、各スプリット電極の幅をλ／８と
し、表面波伝搬方向最外側の電極指の幅をλ／１６とし
て、端面反射型表面波装置を構成した。しかしながら、
このような端面反射型表面波装置では、ＳＨタイプの表
面波を十分に励振することができないことが確かめられ
た。
【００３３】そこで、さらに、表面波伝搬方向最外側の
電極指４ａ，３ｃにつき検討した結果、電極指４ａ，３
ｃの幅を、残りのスプリット電極の幅λ／８と異なら
せ、特にλ／８よりも大きくすれば、ＳＨタイプの表面
波の基本波及び３倍波を効果的に励振し得ることを見出
した。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
電極指４ａ，３ｃにつき検討した結果、電極指４ａ，３
ｃの幅を、残りのスプリット電極の幅λ／８と異なら
せ、特にλ／８よりも大きくすれば、ＳＨタイプの表面
波の基本波及び３倍波を効果的に励振し得ることを見出
した。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
【００３４】端面反射型表面波装置１として、圧電基板
２を圧電セラミックにより構成し、端面２ｂ，２ｃ間の
距離を１１９３μｍ、くし歯電極３，４の各スプリット
電極の幅方向寸法を４．２μｍ、電極指の総数を１４２
本、電極指の対数を３５．５として端面反射型表面波装
置１を作製した。この端面反射型表面波装置１におい
て、最外側の電極指４ａについては、圧電基板上に（３
／８）λよりも広い電極指を形成しておき、図４の矢印
Ａ〜Ｅの各位置で圧電基板を切断して端面２ｂを形成す
ると共に上記種々の幅の電極指を形成し、５種類の端面
反射型表面波装置を作製した。この場合、最外側の電極
４ａの外側端縁は端面２ｂに沿うことになる。他方の最
外側の電極指３ｃについても同様に構成した。
２を圧電セラミックにより構成し、端面２ｂ，２ｃ間の
距離を１１９３μｍ、くし歯電極３，４の各スプリット
電極の幅方向寸法を４．２μｍ、電極指の総数を１４２
本、電極指の対数を３５．５として端面反射型表面波装
置１を作製した。この端面反射型表面波装置１におい
て、最外側の電極指４ａについては、圧電基板上に（３
／８）λよりも広い電極指を形成しておき、図４の矢印
Ａ〜Ｅの各位置で圧電基板を切断して端面２ｂを形成す
ると共に上記種々の幅の電極指を形成し、５種類の端面
反射型表面波装置を作製した。この場合、最外側の電極
４ａの外側端縁は端面２ｂに沿うことになる。他方の最
外側の電極指３ｃについても同様に構成した。
【００３５】なお、矢印Ａ〜Ｅで示す位置で圧電基板２
を切り出した場合の各最外側の電極指４ａの幅は以下の
通りである。矢印Ａの位置の場合…λ／１６、矢印Ｂの
場合…λ／８、矢印Ｃの場合…（３／１６）λ、矢印Ｄ
の場合…（１／４）λ、矢印Ｅの場合…（５／１６）
λ。
を切り出した場合の各最外側の電極指４ａの幅は以下の
通りである。矢印Ａの位置の場合…λ／１６、矢印Ｂの
場合…λ／８、矢印Ｃの場合…（３／１６）λ、矢印Ｄ
の場合…（１／４）λ、矢印Ｅの場合…（５／１６）
λ。
【００３６】上記のようにして得られた各端面反射型表
面波装置のインピーダンス−周波数特性を図５に示す。
図５において、矢印Ａで示す一点鎖線が、最外側の電極
４ａ，３ｃの幅がλ／１６の場合の特性を示し、破線Ｂ
が最外側の電極指４ａ，３ｃの幅がλ／８の場合の特性
を示し、矢印Ｃで示す実線は、最外側の電極指４ａ，３
ｃの幅が（３／１６）λの場合の特性を、矢印Ｄで示す
破線が、最外側の電極指４ａ，３ｃの幅が（１／４）λ
の場合の特性を、矢印Ｅで示す一点鎖線が最外側の電極
指４ａ，３ｃの幅が（５／１６）λの場合の特性をそれ
ぞれ示す。
面波装置のインピーダンス−周波数特性を図５に示す。
図５において、矢印Ａで示す一点鎖線が、最外側の電極
４ａ，３ｃの幅がλ／１６の場合の特性を示し、破線Ｂ
が最外側の電極指４ａ，３ｃの幅がλ／８の場合の特性
を示し、矢印Ｃで示す実線は、最外側の電極指４ａ，３
ｃの幅が（３／１６）λの場合の特性を、矢印Ｄで示す
破線が、最外側の電極指４ａ，３ｃの幅が（１／４）λ
の場合の特性を、矢印Ｅで示す一点鎖線が最外側の電極
指４ａ，３ｃの幅が（５／１６）λの場合の特性をそれ
ぞれ示す。
【００３７】図５から明らかなように、矢印Ｃ，Ｄで示
す特性では、***振抵抗Ｒａの共振抵抗Ｒｒに対する比
が大きく、Ｑの高い表面波装置が構成できる。従って、
最外側の電極指の幅は、λ／８よりも大きくすることが
望ましいことがわかる。
す特性では、***振抵抗Ｒａの共振抵抗Ｒｒに対する比
が大きく、Ｑの高い表面波装置が構成できる。従って、
最外側の電極指の幅は、λ／８よりも大きくすることが
望ましいことがわかる。
【００３８】また、矢印Ｅで示す特性では、共振周波数
の低域側及び***振周波数の高域側に矢印Ｆ，Ｇで示す
ように大きなリップルが表れている。同様に、矢印Ｄで
示す特性においても、帯域外にリップルが表れている
が、矢印Ｅで示す特性に比べてリップルは小さくなって
いる。これに対して、矢印Ｃで示す特性では、上記リッ
プルが非常に小さくされていることがわかる。従って、
表面波伝搬方向最外側の電極指の幅については、（１／
４）λ以下とすることが、上記リップルを低減する上で
は好ましく、より好ましくは、（３／１６）λ程度とす
ることが望ましいことがわかる。なお、図中の共振、反
共振間のリップルは、横モードに起因するものであり、
端面からの反射に起因するものではない。
の低域側及び***振周波数の高域側に矢印Ｆ，Ｇで示す
ように大きなリップルが表れている。同様に、矢印Ｄで
示す特性においても、帯域外にリップルが表れている
が、矢印Ｅで示す特性に比べてリップルは小さくなって
いる。これに対して、矢印Ｃで示す特性では、上記リッ
プルが非常に小さくされていることがわかる。従って、
表面波伝搬方向最外側の電極指の幅については、（１／
４）λ以下とすることが、上記リップルを低減する上で
は好ましく、より好ましくは、（３／１６）λ程度とす
ることが望ましいことがわかる。なお、図中の共振、反
共振間のリップルは、横モードに起因するものであり、
端面からの反射に起因するものではない。
【００３９】また、本願発明者らは、上記表面波伝搬方
向最外側の電極指の幅を（３／１６）λとすれば望まし
いことに鑑み、この寸法からどの程度の範囲内とすれ
ば、同様の好ましい特性が得られるかを確かめた。その
結果、図６に示すように、表面波伝搬方向最外側の電極
指の幅を、（３／１６）λ±λ／３２の範囲内とすれ
ば、共振周波数の低域側及び***振周波数の高域側のリ
ップルを効果的に抑制することができ、図５に示した矢
印Ｄで示す特性と同等の特性の得られることが確かめら
れた。
向最外側の電極指の幅を（３／１６）λとすれば望まし
いことに鑑み、この寸法からどの程度の範囲内とすれ
ば、同様の好ましい特性が得られるかを確かめた。その
結果、図６に示すように、表面波伝搬方向最外側の電極
指の幅を、（３／１６）λ±λ／３２の範囲内とすれ
ば、共振周波数の低域側及び***振周波数の高域側のリ
ップルを効果的に抑制することができ、図５に示した矢
印Ｄで示す特性と同等の特性の得られることが確かめら
れた。
【００４０】また、上記実験例では、表面波伝搬方向最
外側の電極指４ａ，３ｃを形成するに際し、電極指４
ａ，３ｃの最終的な幅寸法よりも幅の広い電極を形成し
ておき、圧電基板２を切り出して端面２ｂ，２ｃを形成
すると共に該幅の広い電極を切断して電極指４ａ，３ｃ
の幅を決定していた。この場合、電極指４ａ，３ｃの外
側端縁は、端面２ｂ，２ｃに沿うことになる。
外側の電極指４ａ，３ｃを形成するに際し、電極指４
ａ，３ｃの最終的な幅寸法よりも幅の広い電極を形成し
ておき、圧電基板２を切り出して端面２ｂ，２ｃを形成
すると共に該幅の広い電極を切断して電極指４ａ，３ｃ
の幅を決定していた。この場合、電極指４ａ，３ｃの外
側端縁は、端面２ｂ，２ｃに沿うことになる。
【００４１】しかしながら、本発明においては、電極指
４ａ，３ｃの外側端縁は、端面２ｂ，２ｃに沿う必要は
必ずしもない。すなわち、上記切断に際し、電極膜と圧
電基板端面との間で電極膜の部分的な剥がれ等が生じる
おそれがある。このような電極膜の剥がれが生じると、
周波数特性に悪影響を与えるおそれがある。
４ａ，３ｃの外側端縁は、端面２ｂ，２ｃに沿う必要は
必ずしもない。すなわち、上記切断に際し、電極膜と圧
電基板端面との間で電極膜の部分的な剥がれ等が生じる
おそれがある。このような電極膜の剥がれが生じると、
周波数特性に悪影響を与えるおそれがある。
【００４２】従って、好ましくは、上記最外側の電極指
４ａ，３ｃよりも外側に圧電基板部分が存在するように
端面２ｂ，２ｃを切り出すことが望ましい。例えば、図
７に部分拡大正面図で示すように、電極指４ａを上述し
た実施例に従って好ましい幅寸法を有するように形成し
た後、圧電基板２を電極指４ａよりも外側で切り出すこ
とにより端面２ｂを形成してもよい。この場合、端面２
ｂの位置については、本願発明者らの実験によれば、好
ましくは、最外側の電極指４ａの電極の外端から、λ／
３２以下とすれば、周波数特性上に表れる所望でないリ
ップルを効果的に抑制し得ることが確かめられている。
４ａ，３ｃよりも外側に圧電基板部分が存在するように
端面２ｂ，２ｃを切り出すことが望ましい。例えば、図
７に部分拡大正面図で示すように、電極指４ａを上述し
た実施例に従って好ましい幅寸法を有するように形成し
た後、圧電基板２を電極指４ａよりも外側で切り出すこ
とにより端面２ｂを形成してもよい。この場合、端面２
ｂの位置については、本願発明者らの実験によれば、好
ましくは、最外側の電極指４ａの電極の外端から、λ／
３２以下とすれば、周波数特性上に表れる所望でないリ
ップルを効果的に抑制し得ることが確かめられている。
【００４３】上記実験例は端面反射型共振子についての
ものであるが、フィルタ等の他の端面反射型表面波装置
についても同様のことがいえる。従来、スプリット電極
はＩＤＴ間の多重反射を少なくするために用いられるた
め、共振子型フィルタには余り適していないと考えられ
ていた。
ものであるが、フィルタ等の他の端面反射型表面波装置
についても同様のことがいえる。従来、スプリット電極
はＩＤＴ間の多重反射を少なくするために用いられるた
め、共振子型フィルタには余り適していないと考えられ
ていた。
【００４４】しかし、ＳＨ波を主成分とする表面波の素
子端面や反射器等での反射を利用した共振子型フィルタ
やラダー型フィルタに、スプリット電極を適用すること
により、良好な定在波が励振され、挿入損失をほとんど
劣化させることなしに、フィルタを狭帯域化させること
が可能となることがわかった。
子端面や反射器等での反射を利用した共振子型フィルタ
やラダー型フィルタに、スプリット電極を適用すること
により、良好な定在波が励振され、挿入損失をほとんど
劣化させることなしに、フィルタを狭帯域化させること
が可能となることがわかった。
【００４５】以下、スプリット電極を共振子型フィルタ
に適用した場合の実施例について説明する。図９は、ス
プリット電極を用いた端面反射型横結合共振子型フィル
タの電極構造を示す平面図である。図９に示すように、
端面反射型横結合共振子型フィルタ１１は、図１に示し
たＩＤＴを表面波伝搬方向に直交する方向に２段並べた
構成となっている。すなわち、ＩＤＴ１２，１３が表面
波伝搬方向と直交する方向に配置されている。また、各
ＩＤＴ１２，１３の各電極指１４は、一対のスプリット
電極１４ａ，１４ｂを有する。
に適用した場合の実施例について説明する。図９は、ス
プリット電極を用いた端面反射型横結合共振子型フィル
タの電極構造を示す平面図である。図９に示すように、
端面反射型横結合共振子型フィルタ１１は、図１に示し
たＩＤＴを表面波伝搬方向に直交する方向に２段並べた
構成となっている。すなわち、ＩＤＴ１２，１３が表面
波伝搬方向と直交する方向に配置されている。また、各
ＩＤＴ１２，１３の各電極指１４は、一対のスプリット
電極１４ａ，１４ｂを有する。
【００４６】次に、このようなスプリット電極１４ａ，
１４ｂを用いた端面反射型横結合共振子型フィルタ１１
を、シングル電極を用いた、すなわち各電極指が一本の
電極により構成されている端面反射型横結合共振子型フ
ィルタと比較する。図１０は、スプリット電極を用いた
端面反射型横結合共振子型フィルタの周波数特性図であ
り、図１１は、シングル電極を用いたことを除いては同
様に構成された端面反射型横結合共振子型フィルタの周
波数特性図である。なお、図１０及び図１１に用いられ
た端面反射型横結合共振子型フィルタは、いずれも圧電
セラミック基板上に、波長３０μｍ、対数３５対、６段
構成のＩＤＴを構成したものとなっている。
１４ｂを用いた端面反射型横結合共振子型フィルタ１１
を、シングル電極を用いた、すなわち各電極指が一本の
電極により構成されている端面反射型横結合共振子型フ
ィルタと比較する。図１０は、スプリット電極を用いた
端面反射型横結合共振子型フィルタの周波数特性図であ
り、図１１は、シングル電極を用いたことを除いては同
様に構成された端面反射型横結合共振子型フィルタの周
波数特性図である。なお、図１０及び図１１に用いられ
た端面反射型横結合共振子型フィルタは、いずれも圧電
セラミック基板上に、波長３０μｍ、対数３５対、６段
構成のＩＤＴを構成したものとなっている。
【００４７】図１０及び図１１の比較からスプリット電
極にすることによって、他の構成が全て同じであって
も、狭帯域化し得ることが明らかである。例えば、挿入
損失が２０ｄＢの範囲を見れば、図１１では約８００ｋ
Ｈｚの帯域が、図１０では約５１０ｋＨｚの帯域とされ
ており、帯域幅は約６３％と狭くされている。
極にすることによって、他の構成が全て同じであって
も、狭帯域化し得ることが明らかである。例えば、挿入
損失が２０ｄＢの範囲を見れば、図１１では約８００ｋ
Ｈｚの帯域が、図１０では約５１０ｋＨｚの帯域とされ
ており、帯域幅は約６３％と狭くされている。
【００４８】図１２は、スプリット電極を用いた端面反
射型縦結合共振子型フィルタの電極構造を示す平面図で
ある。図１２に示すように、端面反射型縦結合共振子型
フィルタ１５は、図１に示したＩＤＴを表面波伝搬方向
に平行な方向に２段並べた構成となっている。すなわ
ち、端面反射型縦結合共振子型フィルタ１５では、２個
のＩＤＴ１６，１７が表面波伝搬方向と平行な方向に並
べられている。また、各ＩＤＴ１６，１７の各電極指１
８は、一対のスプリット電極１８ａ，１８ｂを有する。
射型縦結合共振子型フィルタの電極構造を示す平面図で
ある。図１２に示すように、端面反射型縦結合共振子型
フィルタ１５は、図１に示したＩＤＴを表面波伝搬方向
に平行な方向に２段並べた構成となっている。すなわ
ち、端面反射型縦結合共振子型フィルタ１５では、２個
のＩＤＴ１６，１７が表面波伝搬方向と平行な方向に並
べられている。また、各ＩＤＴ１６，１７の各電極指１
８は、一対のスプリット電極１８ａ，１８ｂを有する。
【００４９】次に、このようなスプリット電極を用いた
端面反射型縦結合共振子型フィルタをシングル電極を用
いた端面反射型縦結合共振子型フィルタと比較する。図
１３は、スプリット電極を用いて構成された端面反射型
縦結合共振子型フィルタの周波数特性図であり、図１４
は、シングル電極を用いたことを除いては同様に構成さ
れた端面反射型縦結合共振子型フィルタの周波数特性図
である。なお、図１３及び図１４に用いられた端面反射
型縦結合共振子型フィルタでは、いずれも３６°Ｙカッ
トＬｉＴａＯ3 基板を用いて構成されており、波長４０
μｍ、電極指の対数３６対（入力及び出力）であり、か
つ図１２に示したような端面反射型縦結合共振子型フィ
ルタを２段構成した構成となっている。
端面反射型縦結合共振子型フィルタをシングル電極を用
いた端面反射型縦結合共振子型フィルタと比較する。図
１３は、スプリット電極を用いて構成された端面反射型
縦結合共振子型フィルタの周波数特性図であり、図１４
は、シングル電極を用いたことを除いては同様に構成さ
れた端面反射型縦結合共振子型フィルタの周波数特性図
である。なお、図１３及び図１４に用いられた端面反射
型縦結合共振子型フィルタでは、いずれも３６°Ｙカッ
トＬｉＴａＯ3 基板を用いて構成されており、波長４０
μｍ、電極指の対数３６対（入力及び出力）であり、か
つ図１２に示したような端面反射型縦結合共振子型フィ
ルタを２段構成した構成となっている。
【００５０】図１３，１４に示すように、横結合共振子
型フィルタほど顕著ではないが、狭帯域化されているこ
とがわかる。例えば、挿入損失２０ｄＢの範囲を見れ
ば、図１４では約２．２ＭＨｚの帯域が、図１３では約
２．０ＭＨｚとなり、約９０％の狭帯域化が図られてい
る。また、狭帯域化に伴って低域側の帯域外減衰量が改
善されていることがわかる。
型フィルタほど顕著ではないが、狭帯域化されているこ
とがわかる。例えば、挿入損失２０ｄＢの範囲を見れ
ば、図１４では約２．２ＭＨｚの帯域が、図１３では約
２．０ＭＨｚとなり、約９０％の狭帯域化が図られてい
る。また、狭帯域化に伴って低域側の帯域外減衰量が改
善されていることがわかる。
【００５１】図１５は、スプリット電極を用いた端面反
射型ラダー型フィルタの電極構造を示す平面図である。
図１５に示すように、端面反射型ラダー型フィルタ１９
は、図１に示したような複数個のＩＤＴを直列腕と並列
腕に梯子状に配置した構成となっている。このようなラ
ダー型フィルタ１９においても、図９に示した横結合共
振子型フィルタ１１や図１２に示した縦結合共振子型フ
ィルタ１５の場合と同様に狭帯域化が図られる。
射型ラダー型フィルタの電極構造を示す平面図である。
図１５に示すように、端面反射型ラダー型フィルタ１９
は、図１に示したような複数個のＩＤＴを直列腕と並列
腕に梯子状に配置した構成となっている。このようなラ
ダー型フィルタ１９においても、図９に示した横結合共
振子型フィルタ１１や図１２に示した縦結合共振子型フ
ィルタ１５の場合と同様に狭帯域化が図られる。
【００５２】なお、端面反射型フィルタを例にとって説
明したが、反射手段として、反射端面の代わりに反射器
を用いても、挿入損失が１〜２ｄＢ程度劣化するもの
の、狭帯域化は可能であり同様の効果が得られる。
明したが、反射手段として、反射端面の代わりに反射器
を用いても、挿入損失が１〜２ｄＢ程度劣化するもの
の、狭帯域化は可能であり同様の効果が得られる。
【００５３】次に、本発明に係るラダー型フィルタを用
いて構成されたアンテナ共用器の実施例を、図１６を参
照して説明する。図１６は、本実施例のアンテナ共用器
を説明するための回路図である。本実施例のアンテナ共
用器７０は、図１５に示したラダー型フィルタと同様の
ラダー型フィルタ６１を一対用いている。すなわち、各
ラダー型フィルタ６１の入力端子６２，６２が共通接続
されて、第１のポート７１が構成されている。他方、各
ラダー型フィルタ６１，６１の出力端子６３，６３はそ
のまま用いられ、それぞれ、本実施例のアンテナ共用器
の第２，第３のポートを構成している。
いて構成されたアンテナ共用器の実施例を、図１６を参
照して説明する。図１６は、本実施例のアンテナ共用器
を説明するための回路図である。本実施例のアンテナ共
用器７０は、図１５に示したラダー型フィルタと同様の
ラダー型フィルタ６１を一対用いている。すなわち、各
ラダー型フィルタ６１の入力端子６２，６２が共通接続
されて、第１のポート７１が構成されている。他方、各
ラダー型フィルタ６１，６１の出力端子６３，６３はそ
のまま用いられ、それぞれ、本実施例のアンテナ共用器
の第２，第３のポートを構成している。
【００５４】このように、一対のラダー型フィルタ６
１，６１を用いることにより、アンテナ共用器を構成す
ることができる。また、上記アンテナ共用器を用いて、
通信機を構成することができ、このような通信機の一例
を図１７に示す。
１，６１を用いることにより、アンテナ共用器を構成す
ることができる。また、上記アンテナ共用器を用いて、
通信機を構成することができ、このような通信機の一例
を図１７に示す。
【００５５】本実施例の通信機８１では、アンテナ共用
器７０と、送信もしくは受信回路８２，８３とが備えら
れている。アンテナ共用器７０の第１のポート７１がア
ンテナ８４に接続されており、第２，第３のポートを構
成している出力端子６３，６３が、それぞれ、送信もし
くは受信回路８２，８３に接続されている。
器７０と、送信もしくは受信回路８２，８３とが備えら
れている。アンテナ共用器７０の第１のポート７１がア
ンテナ８４に接続されており、第２，第３のポートを構
成している出力端子６３，６３が、それぞれ、送信もし
くは受信回路８２，８３に接続されている。
【００５６】このアンテナ共用器７０においては、一対
のラダー型フィルタ６１，６１は、通過帯域が異なるよ
うに構成されており、それによってアンテナ８４は、送
信アンテナ及び受信アンテナとして用いられ得る。
のラダー型フィルタ６１，６１は、通過帯域が異なるよ
うに構成されており、それによってアンテナ８４は、送
信アンテナ及び受信アンテナとして用いられ得る。
【００５７】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る端面反射型
表面波装置では、表面波伝搬方向最外側の電極指を除い
て、各電極指が複数本のスプリット電極により構成され
ているので、シングル型の電極指を用いた端面反射型表
面波装置では得られなかった狭帯域特性を得ることがで
きる。また、該最外側の電極指の幅の異ならせ方を工夫
することにより、***振抵抗の共振抵抗に対する比、す
なわち山谷比を大きくすることができ、加えて、上記異
ならせ方を工夫することにより、周波数特性上に表れる
所望でないリップルの抑制を果たし得る。
表面波装置では、表面波伝搬方向最外側の電極指を除い
て、各電極指が複数本のスプリット電極により構成され
ているので、シングル型の電極指を用いた端面反射型表
面波装置では得られなかった狭帯域特性を得ることがで
きる。また、該最外側の電極指の幅の異ならせ方を工夫
することにより、***振抵抗の共振抵抗に対する比、す
なわち山谷比を大きくすることができ、加えて、上記異
ならせ方を工夫することにより、周波数特性上に表れる
所望でないリップルの抑制を果たし得る。
【００５８】よって、目的とする帯域幅を有し、かつリ
ップルの少ない良好な周波数特性を有する端面反射型表
面波装置を提供することが可能となる。特に、目的とす
る帯域に応じた電気機械結合係数を有する圧電材料が見
つからない場合においても、上記くし歯電極の構造を調
整するだけで、所望とする帯域を容易に実現することが
できる。
ップルの少ない良好な周波数特性を有する端面反射型表
面波装置を提供することが可能となる。特に、目的とす
る帯域に応じた電気機械結合係数を有する圧電材料が見
つからない場合においても、上記くし歯電極の構造を調
整するだけで、所望とする帯域を容易に実現することが
できる。
【００５９】また、表面波伝搬方向最外側の電極指の幅
がλ／８よりも大きいため、***振抵抗の共振抵抗に対
する比を大きくすることができ、帯域幅の拡大を図るこ
とができると共に、メインレスポンスの両側に表れる所
望でないリップルを効果的に抑制することができる。従
って、良好な周波数特性を有する端面反射型表面波装置
を提供することができる。
がλ／８よりも大きいため、***振抵抗の共振抵抗に対
する比を大きくすることができ、帯域幅の拡大を図るこ
とができると共に、メインレスポンスの両側に表れる所
望でないリップルを効果的に抑制することができる。従
って、良好な周波数特性を有する端面反射型表面波装置
を提供することができる。
【００６０】特に、請求項２に記載のように、表面波伝
搬方向最外側の電極指の幅を、λ／８より大きく、λ／
４より小さくした場合には、メインレスポンスの両側の
リップルをより効果的に抑制することができる。さらに
好ましくは、請求項３に記載のように、表面波伝搬方向
最外側の電極指の幅を（３／１６）λ±λ／３２の範囲
内とすることにより、より一層リップルが少なく、良好
な周波数特性を有する端面反射型表面波装置を提供する
ことが可能となる。
搬方向最外側の電極指の幅を、λ／８より大きく、λ／
４より小さくした場合には、メインレスポンスの両側の
リップルをより効果的に抑制することができる。さらに
好ましくは、請求項３に記載のように、表面波伝搬方向
最外側の電極指の幅を（３／１６）λ±λ／３２の範囲
内とすることにより、より一層リップルが少なく、良好
な周波数特性を有する端面反射型表面波装置を提供する
ことが可能となる。
【００６１】
【００６２】さらに、本発明に係る表面波装置は、前述
したように共用器や通信装置に用いることができ、本発
明に係る表面波装置が小型に構成されるので、共用器や
通信装置の小型化を図ることができる。
したように共用器や通信装置に用いることができ、本発
明に係る表面波装置が小型に構成されるので、共用器や
通信装置の小型化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る端面反射型表面波装置
を示す平面図。
を示す平面図。
【図２】シングル型電極指を用いた端面反射型表面波装
置における電極指のメタライゼーション比及び電気機械
結合係数と励振される表面波との関係を示す図。
置における電極指のメタライゼーション比及び電気機械
結合係数と励振される表面波との関係を示す図。
【図３】図１に示した実施例の端面反射型表面波装置に
おける電極指のメタライゼーション比と、電気機械結合
係数と、励振される表面波との関係を示す図。
おける電極指のメタライゼーション比と、電気機械結合
係数と、励振される表面波との関係を示す図。
【図４】端面反射型表面波装置における表面波伝搬方向
最外側の電極指の幅を異ならせるように圧電基板を切断
し端面を形成する工程を説明するための部分切欠平面
図。
最外側の電極指の幅を異ならせるように圧電基板を切断
し端面を形成する工程を説明するための部分切欠平面
図。
【図５】図４に示した各位置で端面を切り出して得られ
た、表面波伝搬方向最外側の電極指の幅を異ならせた端
面反射型表面波装置のインピーダンス−周波数特性を示
す図。
た、表面波伝搬方向最外側の電極指の幅を異ならせた端
面反射型表面波装置のインピーダンス−周波数特性を示
す図。
【図６】表面波伝搬方向最外側の電極指の幅が（３／１
６）λの場合、並びに（３／１６）λ±λ／３２の場合
の端面反射型表面波装置のインピーダンス−周波数特性
を示す図。
６）λの場合、並びに（３／１６）λ±λ／３２の場合
の端面反射型表面波装置のインピーダンス−周波数特性
を示す図。
【図７】本発明の変形例を示し、表面波伝搬方向最外側
の電極指の外側に圧電基板部分を設けるように端面が切
り出されている端面反射型表面波装置を示す部分切欠平
面図。
の電極指の外側に圧電基板部分を設けるように端面が切
り出されている端面反射型表面波装置を示す部分切欠平
面図。
【図８】従来の端面反射型表面波共振子の一例を示す平
面図。
面図。
【図９】本発明の他の実施例に係るスプリット電極を用
いた端面反射型横結合共振子型フィルタの電極構造を示
す平面図。
いた端面反射型横結合共振子型フィルタの電極構造を示
す平面図。
【図１０】スプリット電極を用いた端面反射型横結合共
振子型フィルタの周波数特性を示す図。
振子型フィルタの周波数特性を示す図。
【図１１】比較のために用意した、シングル電極を用い
た端面反射型横結合共振子型フィルタの周波数特性を示
す図。
た端面反射型横結合共振子型フィルタの周波数特性を示
す図。
【図１２】本発明のさらに他の実施例としてのスプリッ
ト電極を用いた端面反射型縦結合共振子型フィルタの電
極構造を示す平面図。
ト電極を用いた端面反射型縦結合共振子型フィルタの電
極構造を示す平面図。
【図１３】スプリット電極を用いて構成された端面反射
型縦結合共振子型フィルタの周波数特性を示す図。
型縦結合共振子型フィルタの周波数特性を示す図。
【図１４】比較のために用意した、シングル電極を用い
た端面反射型縦結合共振子型フィルタの周波数特性を示
す図。
た端面反射型縦結合共振子型フィルタの周波数特性を示
す図。
【図１５】本発明のさらに他の実施例を示し、スプリッ
ト電極を用いた端面反射型ラダー型フィルタの電極構造
を示す平面図。
ト電極を用いた端面反射型ラダー型フィルタの電極構造
を示す平面図。
【図１６】本発明に係るラダー型フィルタを用いて構成
されたアンテナ共用器の実施例を示す概略構成図。
されたアンテナ共用器の実施例を示す概略構成図。
【図１７】本発明の実施例に係るアンテナ共用器を用い
て構成された通信機の概略ブロック図。
て構成された通信機の概略ブロック図。
１…端面反射型表面波装置 ２…圧電基板 ２ａ…第１の主面としての上面 ２ｂ，２ｃ…端面 ３，４…くし歯電極 ３ａ〜３ｃ，４ａ〜４ｃ…電極指 ３ａ1 ，３ａ2 ，３ｂ1 ，３ｂ2 ，４ａ1 ，４ａ2 ，４
ｃ1 ，４ｃ2 …スプリット電極 １１…端面反射型横結合共振子型フィルタ １２，１３…ＩＤＴ １４…電極指 １４ａ，１４ｂ…スプリット電極 １５…端面反射型縦結合共振子型フィルタ １６，１７…ＩＤＴ １８…電極指 １８ａ，１８ｂ…スプリット電極 ６１…ラダー型フィルタ ７０…アンテナ共用器 ８１…通信機
ｃ1 ，４ｃ2 …スプリット電極 １１…端面反射型横結合共振子型フィルタ １２，１３…ＩＤＴ １４…電極指 １４ａ，１４ｂ…スプリット電極 １５…端面反射型縦結合共振子型フィルタ １６，１７…ＩＤＴ １８…電極指 １８ａ，１８ｂ…スプリット電極 ６１…ラダー型フィルタ ７０…アンテナ共用器 ８１…通信機
フロントページの続き (72)発明者 池浦 守 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平９−252231（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−41809（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 9/145
Claims (9)
- 【請求項１】 ＳＨタイプの表面波を利用しており対向
２端面で該表面波が反射されるように構成された表面波
装置であって、 第１，第２の主面と、第１，第２の主面を結ぶ対向２端
面とを有する圧電基板と、 前記圧電基板の第１の主面に形成されており、互いの電
極指が間挿し合うように配置された一対のくし歯電極か
らなるインターデジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝搬方向最外側の電極指を除いて、前記くし歯電
極の電極指が、複数本のスプリット電極により構成され
ており、かつ励起される表面波の波長をλとしたとき
に、スプリット電極の幅がλ／８であり、最外側の電極
指の幅が、λ／８より大きいことを特徴とする、表面波
装置。 - 【請求項２】 表面波伝搬方向最外側の電極指の幅がλ
／８より大きく、λ／４以下の範囲とされている、請求
項１に記載の表面波装置。 - 【請求項３】 表面波伝搬方向最外側の電極指の幅が、
（３／１６）λ±λ／３２の範囲内とされていることを
特徴とする、請求項２に記載の表面波装置。 - 【請求項４】 前記インターデジタルトランスデューサ
により励振される表面波の波長をλ、音速をｖとしたと
きに、共振周波数ｆ0がｆ0＝３ｖ／λである３倍波を利
用した表面波デバイスである、請求項１〜３のいずれか
に記載の表面波装置。 - 【請求項５】 縦結合共振子型フィルタであることを特
徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の表面波装置 - 【請求項６】 横結合共振子型フィルタであることを特
徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の表面波装
置。 - 【請求項７】 ラダー型フィルタであることを特徴とす
る、請求項１〜４のいずれかに記載の表面波装置。 - 【請求項８】 共用器であることを特徴とする、請求項
１〜４のいずれかに記載の表面波装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の表面波
装置を用いたことを特徴とする、通信装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12103599A JP3341709B2 (ja) | 1998-06-01 | 1999-04-28 | 表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
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| SG1999002590A SG75961A1 (en) | 1998-06-01 | 1999-05-26 | Surface acoustic wave device |
| US09/321,507 US6297713B1 (en) | 1998-06-01 | 1999-05-27 | Surface acoustic wave device with split electrodes and outermost electrodes of a different width than the split electrodes |
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|---|---|---|---|
| JP10-151725 | 1998-06-01 | ||
| JP15172598 | 1998-06-01 | ||
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Family
ID=26458504
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|---|---|---|---|
| JP12103599A Expired - Fee Related JP3341709B2 (ja) | 1998-06-01 | 1999-04-28 | 表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
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| JP3467472B2 (ja) * | 2000-11-15 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
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| JP5092490B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-12-05 | 凸版印刷株式会社 | 球状弾性表面波素子の複数周波数駆動計測装置 |
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| DE102012107049B4 (de) * | 2012-08-01 | 2017-10-05 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustischer Wandler |
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| US5521565A (en) | 1988-09-28 | 1996-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Surface wave interdigital transducer and surface wave filter with symmetric or predeterminable asymmetric transfer characteristic between input and output |
| DE3832944A1 (de) | 1988-09-28 | 1990-04-05 | Siemens Ag | Oberflaechenwellen-interdigitalwandler und oberflaechenwellen-filter mit symmetrischer oder vorgebbar unsymmetrischer uebertragungscharakteristik zwischen eingang und ausgang |
| JPH03228418A (ja) | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
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| US5528206A (en) * | 1994-11-23 | 1996-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with attenuated spurious emissions |
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| JPH0969751A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
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-
1999
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