KR100429474B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄성 표면파 장치에 관한 것으로서, 신호 통과 대역에서의 전달 기능 특성이 양호한 특성을 나타내고, 또 삽입 손실도 적은 장치를 얻는다. 복수의 페어의 전극지는 제 1 스프릿 전극 그룹(5a1, 5b1, 5a2, 5b2, 5a3, 5b3, …)을 구성하고, 또한, 복수의 페어의 전극지는 제 2 스프릿 전극 그룹(6a1, 6b1, 6a2, 6b2, 6a3, 6b3, …)을 구성한다. 서로의 그룹의 복수의 페어의 전극지는 페어끼리 교대로 인터리브되어 있으며, 페어의 전극지는 λ /8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성표면파의 파장)의 폭보다 폭이 좁은 전극지와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지를 포함하며, 인접하는 상기 전극지의 중심간의 거리는 λ/4와 다른 거리이다.

Description

탄성 표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}

탄성 표면파 장치는 주로 전자기기의 중간 주파수 필터로서 이용되고 있다. 전자기기로서는 텔레비젼수상기, 통신기기, 휴대전화기(CDMA방식 등)가 있다. 탄성 표면파 장치는 소형이고 경량이라는 특징이 있으며, 휴대전화기에 채용되어 그 특징을 살릴 수 있다.

그러나 휴대전화기에 채용되는 중간 주파수 필터에는 저손실, 협대역 그리고 급준한 컷오프를 갖는 주파수 특성이 요구되고 있다. 이 종류의 중간 주파수 필터를 실현하는 필터로서 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 기본 구성으로 한 탄성 표면파 장치가 개발되어 있다.

이 탄성 표면파 장치에서는 협대역, 급준한 컷오프를 갖는 주파수 특성의 요구를 만족하기 위해 수정 등과 같이 온도 변화에 의한 진동 특성 변동이 적은 재료를 이용한 압전 기판이 사용된다.

탄성 표면파 장치에서는 탄성표면파(SAW)라는 기계적인 진동을 이용하기 때문에 내부 반사파(음향적 반사파, 전기적 반사파)가 생긴다고 알려져 있다. 내부 반사파는 탄성표면파의 기본파에 대해 진폭의 감쇠, 위상 변형 등의 악영향을 끼치게 된다. 따라서, 반사파가 기본파에 끼치는 영향을 경감하고, 기본파의 전달방향이 소정의 방향이 되도록 탄성 표면파 장치의 IDT부에서 전극지(電極指, electrode finger)의 폭을 조정, 또는 트리밍하는 기술이 개발되어 있다. 이 기술은 예를 들면 일본 특개소54-17647호 공보에 개시되어 있다.

그러나, 상기 장치에서는 내부 반사파가 기본파에 대해 끼치는 악영향을 완전히 없앤 것은 아니다. 이 악영향은 탄성 표면파 장치의 신호 통과 대역의 전달 기능 특성을 본 경우, 그 특성 커브가 기본 주파수를 중심으로 하여 비대칭이 되어 나타나거나 또 변형되어 나타난다.

여기서, 탄성 표면파 장치에 있어서, 본 발명자가 특히 착안한 여진파(勵振波)와 반사파의 위상 관계에 대해 설명한다.

도 1a와 도 1c는 탄성 표면파 장치의 주요부의 단면도를 도시하고 있다. 이 탄성 표면파 장치의 전극지는 λ/16의 폭이 좁은 전극지와 3λ/16의 폭이 넓은 전극지가 페어로 되어 있다. 그리고, 제 1 공통전극으로부터 돌출된 복수의 전극지 페어와 제 2 공통전극으로부터 돌출된 복수의 전극지 페어가 교대로 배열되어 있다. 또, 각각의 전극지 사이는 λ/8로 선정되어 있다.

도 1b는 여진파와 도면 중 좌측방향으로 진행하는 내부 반사파의 위상 관계를 나타내며, 도 1d는 여진파와 도면 중 우측방향으로 진행하는 내부 반사파의 관계를 도시하고 있다. 이제, 도면에서는 여진파의 위상을 기본으로 하고, 이 여진파의 벡터의 위상으로부터 시계회전 방향이 반사파의 위상 지연량인 것으로 한다.

우선, 도 1a와 도 1b를 참조하여 도면 중 좌측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P1)을 기준으로 하여, 이 여진점에 가장 근접해 있는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EA)로부터 반사된 반사파를 “A”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EB)로부터 반사된 반사파를 “B”라고 한다. 또, 여진점을 기준으로 하여 전극지를 통과하고 이에 인접하는 폭(3λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EC)로부터 반사된 반사파를 “C”, 마찬가지로 전극지의 다른 쪽의 엣지(ED)로부터 반사된 반사파를 “D”라고 한다.

반사파(A)의 위상은 여진점에서의 여진파의 위상에 대해 0.125λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 45°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면,

((0.125/2)×2)λ:X=λ:360°에서 X=45°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이다.

또, 반사파(B)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.125+(1/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연요소가 생기고, 또 엣지(EB)에서의 위상 반전((1/2)λ)이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 270°의 위상 지연이 생긴다. 즉 지연량=X로 하면

{((0.125/2)×2)+((1/16)×2)+(1/2)}λ:X=λ:360에서

X=360×(0.125+(1/8)+(1/2))=270°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이며, (1/2)는엣지(EB)에서의 위상 반전분이다.

또 반사파(C)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.125+(1/8)+(1/4))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 180°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면,

{((0.125/2)×2)+((1/16)×2)+((1/8)×2)}λ:X=λ:360에서

X=360×(0.125+(1/8)+(1/4))=180°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이다.

또, 반사파(D)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.125+(1/8)+(1/4)+(3/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(ED)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 135°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면,

{((0.125/2)×2)+((1/16)×2)+((1/8)×2)+(3/16)×2+(1/2)}λ:X=λ:360에서

X=360×((1/8)+(1/8)+(1/4)+(3/8)+(1/2))=495°=135°

가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이며, (1/2)는 엣지(ED)에서의 위상 반전분이다.

상기 반사파(A, B, C, D)의 벡터를 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 1b에 도시한 바와 같이 내부 반사파(A, B, C, D)의 벡터의 합성 벡터의 위상은 157.5°가 된다. 이 값은 여진파를 제거하는 방향의 위상(180°)에서 22.5° 어긋나 있게 된다.

합성 벡터는 반사파(A, B, C, D)의 벡터의 직교 좌표계의 x성분과 y성분을 합성한 결과 얻어지는 것이다.

계속해서, 도 1c, 도 1d를 참조하여 도면 중 우측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P2)을 기준으로 하여, 이 여진점에 가장 근접해 있는 폭(3λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EE)에서 반사된 반사파를 “E”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EF)로부터 반사된 반사파를 “F”라고 한다. 또, 여진점을 기준으로 하여 전극지를 통과하고 이에 인접하는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EG)로부터 반사된 반사파를 “G”, 같은 전극지의 다른 쪽의 엣지(EH)로부터 반사된 반사파를 “ H”라고 한다.

반사파(E)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 0.125λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 45°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(F)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.125+(3/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EF)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 0°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(G)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.125+(3/8)+0.25)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 270°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(H)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해(0.125+(3/8)+0.25+(1/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또, 엣지(EH)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 190°의 위상 지연이 생긴다.

상기한 각 위상 지연은 도 1a, 도 1b의 설명시에 나타낸 식과 같은 방식의 식으로 도출할 수 있다.

상기의 반사파(E, F, G, H)의 벡터를 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 1d에 도시한 바와 같이 내부 반사파(E, F, G, H)의 벡터의 합성 벡터의 위상은 22.5°가 된다. 이 위상은 여진파와 같은 방향의 위상(0°)에서 22.5°어긋나 있게 된다.

상기 결과에 의해 반사파의 영향에 의해 여진파(기본파)가 원하는 방향으로 전반(傳搬)하는 효율이 충분히 얻어지지 않음을 알 수 있다.

따라서, 본 발명은 신호 통과 대역에서의 전달 기능 특성이 한층 양호한 특성을 나타내고, 또 삽입 손실도 적은 탄성 표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 압전성 기판상에 형성된 인터디지털 트랜스듀서를 갖는 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.

도 1A 내지 도 1D는 본 발명의 발명자가 착안한 탄성 표면파 장치의 동작 및 특성을 설명하기 위해 도시한 도면,

도 2는 본 발명의 탄성 표면파 장치의 한 실시형태를 도시한 설명도,

도 3A 내지 도 3D는 도 2의 탄성 표면파 장치의 동작 원리를 설명하기 위해 도시한 도면,

도 4A, 도 4B는 도 2의 탄성 표면파 장치의 주파수 특성을 나타내는 도면,

도 5는 본 발명의 탄성 표면파 장치의 다른 실시형태를 도시한 도면,

도 6A 내지 도 6D는 도 5의 탄성 표면파 장치의 동작 원리를 설명하기 위해 도시한 도면 및

도 7은 도 5의 탄성 표면파 장치의 주파수 특성을 나타내는 도면이다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해,

(A) 압전성 기판 상에 평행이 되도록 형성된 제 1 및 제 2 공통전극과, 상기 제 1 공통전극에 접속되고 상기 제 2 공통전극 방향으로 뻗은 제 1 스프릿 전극 그룹과 상기 제 2 공통 전극에 접속되고, 상기 제 1 공통전극 방향으로 뻗은 제 2 스프릿 전극 그룹을 갖는 인터디지털 트랜스듀서를 구비한 탄성 표면파 장치에 있어서,

상기 제 1 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어는 페어끼리 λ/2 주기로 교대로 인터리브되어 있으며,

상기 전극지 페어는 λ /8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성표면파의 파장)의 폭보다 폭이 좁은 전극지와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지로 이루어지며,

상기 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되는 여진파의 위상에 대해 임의의 여진원으로부터 표면파 전반 방향을 따라서 λ/2이내의 거리에 포함되는 전극지에 의해 생기는 반사파의 합성 벡터의 위상이 nπ―5°≤φ≤nπ+5°(n은 자연수)로 표시되는 위상(φ)을 갖는 구성으로 한 것이다.

(B) 또, 본 발명에서는 상기 (A)의 장치에 있어서, 임의의 전극지와 이 전극지를 끼워 배치된 한 쪽의 전극지와의 중심간 거리(t1)와 다른 쪽의 전극지와의 중심간 거리(t2)가 다르도록 구성하고 있다.

(C) 또 본 발명에서는 상기 (A)의 장치에 있어서, 상기 전극지 페어는 λ/16의 폭을 갖는 폭이 좁은 전극지와 0.1465λ≤w ≤1605λ의 폭(w)을 갖는 폭이 넓은 전극지로 구성되는 것을 특징으로 한다.

(D) 또, 본 발명은 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 제 1 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어는 페어끼리 교대로 인터리브되어 있으며, 상기 전극지 페어는 λ/8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성 표면파의 파장)의 폭보다 폭이 좁은 전극지와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지를 포함하며, 상기 폭이 좁은 전극지와 폭이 넓은 전극지의 폭의 합은 λ/4보다 작고, 상기 폭이 좁은 전극지와 폭이 넓은 전극지의 폭 및 이 2개의 전극지의 인접하는 엣지사이의 거리의 합은 3λ/8인 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.

도 2에 있어서, 도면부호 “11”은 수정을 재질로 한 압전성 기판이며, 인터디지털 트랜스듀서부(12)가 그 한 쪽 면에 형성되어 있다.

인터디지털 트랜스듀서부(12)에서는 제 1 공통전극(13)과 제 2 공통전극(14)은 간격을 두고 병렬로 배치되어 있다. 제 1 공통전극(13)에는 제 2 공통전극(14)방향으로 뻗은 제 1 스프릿 전극 그룹(전극지(5a1, 5b1, 5a2, 5b2, 5a3, 5b3, …))이 접속되어 있다. 또, 제 2 공통전극(14)에는 제 1 공통전극(13)방향으로 뻗은 제 2 스프릿 전극 그룹(전극지(6a1, 6b1, 6a2, 6b2, 6a3, 6b3, …))이 접속되어 있다.

제 1 스프릿 전극 그룹은 폭이 좁은 전극지(첨자(a)가 붙어 있는 전극지)와 폭이 넓은 전극지(첨자(b)가 붙어 있는 전극지)가 페어가 되고, 이 페어가 간격을 두고 반복 배열되어 있다. 또, 제 2 스프릿 전극 그룹도 폭이 좁은 전극지(서픽스(a)가 붙어 있는 전극지)와 폭이 넓은 전극지(서픽스(b)가 붙어 있는 전극지)가 페어가 되고, 이 페어가 간격을 두고 반복 배열되어 있다.

그리고, 제 1 스프릿 전극 그룹을 구성하는 전극지 페어((5a1, 5b1), (5a2, 5b2), (5a3, 5b3), …)와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 전극지 페어((6a1, 6b1), (6a2, 6b2), (6a3, 6b3), …)가 교대로 인터리브되어 있다. 전체로서는 폭이 넓은 전극지와 폭이 좁은 전극지가 교대로 배열된다.

상기 공통전극(13, 14) 및 스프릿 전극 그룹은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)합금을 주체로 하는 전극막에 의해 구성되어 있다.

또, 이 실시예에서 전극지 페어는 λ/8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성 표면파의 파장)의 폭보다 폭이 좁은 전극지(5a1, 5a2, 5a3, …6a1, 6a2, 6a3, …)와 λ/8 보다 폭이 넓거나 같은 전극지(5b1, 5b2, 5b3, …, 6b1, 6b2, 6b3, …)로 구성된다. 또, 이 실시예에서는 폭이 좁은 전극지의 폭이 λ/16이고, 폭이 넓은 전극지의 폭이 3λ/16이다.

또 인접하는 전극지의 중심간의 거리(t1, t2, t1, t2, …)는 λ/4(여기서는 이 값을 기준값으로 하는)와 다른 거리이다. 중심간의 거리(t1)는 기준값에 대해 양의 편차(기준값보다도 크다)를 갖고, 중심간의 거리(t2)는 기준값에 대해 음의 편차(기준값보다도 작다)를 갖는다. 그리고, 이 거리(t1, t2)가 반복 배열된다.

즉, 인접하는 전극지의 중심간의 거리가 기준값 λ/4에 대해 교대로 양음의 편차로 배열된다. 이 편차에 의해 IDT내에서의 반사파는 여진파에 대한 위상 지연량이 조정된다. 그리고, 이 조정은 후술하는 바와 같이 내부 반사파의 진행방향을 탄성 표면파의 기본파의 진행방향에 가장 가까이 있는 방향으로 설정할 수 있다.

이 실시예에서는,

t1=((0.152+(1/8))λ

t2=((0.098+(1/8))λ

이며, t1+t2=λ/2이다. 또, 이들 식에 있어서, 0.152λ 및 0.098λ는 전극지의 대향하는 엣지사이의 거리, λ/8은 인접하는 전극지 폭의 절반의 합계이다. 따라서, 임의의 1개의 전극지를 끼우는 양 측의 전극지의 중심간의 거리는 λ/2이다.

상기 전극지의 중심간의 거리(t1, t2)는 발명자들의 검토 결과, 탄성 표면파의 기본파의 한쪽 방향성이 가장 우수한 상태로 발휘할 수 있는 값으로서 발견된 것이다. 상기 t1, t2의 값을 정할 때의 방식을 일반화한 식으로 나타내면 이하와 같이 된다.

전극지 페어 중, 한 쪽의 전극지의 폭을 “w”, 다른 쪽의 전극지의 폭을 ((λ/4)-w)로 하고, 이들 2개의 전극지의 중심간 거리를 “x1”로 하면,

tan{k(x1-(λ/8))}

=1/cos{k((3λ/4)+2w)}

(단, k는 파수(波數, number of waves)이며, k=2π/λ를 나타낸다.)

를 거의 만족하도록, x1이 선택된다. 이 상태일 때, 탄성 표면파의 기본파의 한쪽 방향성이 가장 우수한 상태가 된다.

상기 조건을 한 쪽의 전극지의 폭이 λ/16, 다른 쪽의 전극지의 폭이 3λ/16인 경우에 적용시키면 2개의 전극지의 중심간의 거리(x2)가

tan{k(x2-λ/8)}=2

를 거의 만족하도록 구성하면 좋다.

도 3A 내지 도 3D를 참조하여 본 실시예의 탄성 표면파 장치의 내부 반사파와 여진파(기본파)의 위상 관계를 설명한다.

도 3A 와 도 3C는 도 2의 탄성 표면파 장치의 주요부의 단면도를 나타내며, 도 3B는 여진파와 도면 중 좌측 방향으로 진행하는 내부 반사파와의 위상 관계를 나타내며, 도 3D는 여진파와 도면 중 우측방향으로 진행하는 내부 반사파의 관계를 나타내고 있다. 또, 도면에서는 여진파의 위상을 기본으로 하고, 이 여진파의 벡터의 위상에서 시계 회전 방향이 반사파의 위상 지연량인 것으로 한다.

우선, 도 3A와 도 3B를 참조하여 도면 중 좌측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P1)을 기준으로 하여, 이 여진점에 가장 근접해 있는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EA)로부터 반사된 반사파를 “A”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EB)로부터 반사된 반사파를 “B”라고 한다. 또, 여진점을 기준으로 하여 전극지를 통과하고 이에 인접하는 폭(3λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EC)로부터 반사된 반사파를 “C”, 같은 전극지의 다른 쪽의 엣지(ED)로부터 반사된 반사파를 “D”라고 한다.

반사파(A)의 위상은 여진점에서의 여진파의 위상에 대해 0.098λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 35.28°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면

((0.098/2)×2)λ:X=λ:360°에서 X=35.28°가 얻어진다.

이 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이다.

또, 반사파(B)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.098+(1/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EB)에서의 위상 반전((1/2)λ)이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 260.28°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면,

{((0.098/2)×2)+((1/16)×2)+(1/2)}λ:X=λ:360에서

X=360×(0.098+(1/8)+(1/2))=260.28°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이며, (1/2)은 엣지(EB)에서의 위상 반전분이다.

또 반사파(C)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해,(0.098+(1/8)+0.304)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 189.72°의 위상 지연이 생긴다. 즉 지연량=X로 하면,

{((0.098/2)×2)+((1/16)×2)+(0.152×2)}λ:X=λ:360에서

X=360×(0.098+(1/8)+0.304)=189.72°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이다.

또, 반사파(D)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.098+(1/8)+3/8)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(ED)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 144.72°의 위상 지연이 생긴다. 즉, 지연량=X로 하면,

{((0.098/2)×2)+((1/16)×2)+(0.152×2)+(3/16)×2+(1/2)}λ:X=λ:360에서

X=360×(0.098+(1/8)+0.304+(3/8)+(1/2))=504.72°=144.72°가 얻어진다.

상기 식에 있어서 (×2)는 왕복 행로 길이를 얻기 위한 계수이며, (1/2)는 엣지(ED)에서의 위상 반전분이다.

상기 반사파(A, B, C, D)의 벡터를 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 3B에 도시한 바와 같이, 내부 반사파(A, B, C, D)의 벡터의 합성 벡터의 위상은 179.97°가 되며, 여진파의 위상에 대해 거의 역상의 관계가 된다.

합성 벡터는 반사파(A, B, C, D)의 벡터의 직교 좌표계의 x성분과 y성분을 합성한 결과로 얻어지는 것이다.

계속해서, 도 3C, 도 3D를 참조하여 도면 중 우측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P2)을 기준으로 하여 이 여진점에 가장 근접하는 폭(3λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EE)로부터 반사된 반사파를 “E”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EF)로부터 반사된 반사파를 “F”라고 한다. 또, 여진점을 기준으로 하여 전극지를 통과하고, 이에 인접하는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EG)로부터 반사된 반사파를 “G”, 같은 전극지의 다른 쪽의 엣지(EH)로부터 반사된 반사파를 “H”라고 한다.

반사파(E)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 0.098λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 35.28°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(F)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.098+(3/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EF)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 350.28°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(G)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.098+(3/8)+0.304)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 279.72°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(H)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (0.098+(3/8)+0.304+(1/8))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EH)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 144.72°의 위상 지연이 생긴다.

상기한 각 위상 지연은 도 3A, 도 3B의 설명시에 나타낸 식과 같은 방식의 식으로 도출할 수 있다.

상기 반사파(E, F, G, H)의 벡터를 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 3D에 도시한 바와 같이, 내부 반사파(E, F, G, H)의 벡터의 합성 벡터는 +0.03°가 되고, 여진파의 위상에 대해 거의 동상(同相)의 관계가 된다.

상기 발명은 λ/8보다 폭이 좁은 전극지와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지가 페어로 된 전극지 페어를 공통 전극(13, 14)의 각각에 복수 그룹 설치하고 있다. 여기서, 공통전극(13)에 설치된 전극지 페어의 복수 그룹을 제 1 그룹, 공통 전극(14)에 설치된 전극지 페어의 복수 그룹을 제 2 그룹으로 한다. 그리고, 제 1 그룹과 제 2 그룹의 복수의 페어 전극이 서로 인터리브되어 있다.

이 결과, 전체에서는 λ/8보다 폭이 좁은 전극지와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지가 교대로 배열된다. 여기서, 상기 발명에서는 λ/16의 폭의 전극지와 3λ/16의 폭의 전극지를 전극지 페어로 하고 있다. 그리고 전극지 페어의 간격을 선정함으로써 도 3B, 도 3D에 도시한 벡터 특성을 얻고 있다.

이 도 3B, 도 3D의 벡터 특성으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 실시예에서는 탄성 표면파의 이상(理想) 전반 방향에 대해 합성 벡터의 방향은 nπ±0.03°의 범위이다. 여기서, n은 자연수이고, 여진파와 반사파가 동상인 경우는 n이 짝수(0을 포함함), 역상(逆相)인 경우는 n이 홀수이다.

그러나, 본 발명은 상기 수치에 한정되지 않는다.

상기 실시예에서는 λ/16의 폭의 전극지와 3λ/16의 폭의 전극지의 페어 전극중, 한 쪽의 전극지의 위치를 선택(예를 들면 3λ/16의 폭의 전극지를 시프트)하고, 전극 간격의 0.098λ과 0.152λ를 최종적으로 선택한 예이다. 이 결과, 탄성 표면파의 이상 전반 방향에 대해 반사파의 합성 벡터의 방향은 ±0.03°의 범위가 되었다.

그러나, 탄성 표면파의 이상 전반 방향에 대해 반사파의 합성 벡터의 방향은 ±5°의 범위라도 충분한 효과를 얻을 수 있다.

이 경우에는 λ/16의 폭의 전극지와 3λ/16의 폭의 전극지의 페어 전극 중, 한 쪽의 전극지의 위치를 시프트하고, 전극 간격을 0.152λ±0.007λ와 0.098λ-/+0.007λ의 범위로 선택하면 좋다.

또, 상기 부호 -/+는 마이너스 플러스의 의미이며, 앞의 ±에 대해 복호 동순으로 나타내고 있다.

도 4A는 상기 탄성 표면파 장치를 외부 회로와 매칭시켜 전달 특성 및 군 지연 특성을 측정한 결과를 도시하고 있다. 이 특성도로 알 수 있는 바와 같이, 전달 특성 및 군 지연 특성 모두 기본 주파수(f0)를 중심으로 하여 거의 대칭이 되는 특성을 갖고 있다.

도 4B는 본 발명을 적용하여 구성한 탄성 표면파 장치를 외부회로와 매칭시킨 상태를 도시하고 있다. 탄성 표면파 장치(FA)의 전체는 실제로는 도 2에 도시한 탄성 표면파를 생성하는 트랜스듀서와, 전반되어 온 탄성표면파를 받아 진동을 전기로 변환하는 트랜스듀서로 구성된다.

외부 매칭 회로는 탄성 표면파 장치의 입력측과 출력측에 접속된 소자에 의해 구성되어 있다. 입력측에서는 신호 입력단자와 그라운드 접속단자 사이에 접속된 인덕터(L12), 신호입력단자에 한 쪽이 접속된 커패시터(C11)가 존재한다. 또, 출력측에서는 신호출력단자와 그라운드 접속단자사이에 접속된 인덕터(L22), 신호출력단자에 한 쪽이 접속된 커패시터(C21)가 존재한다. 이 예에서는 L과 C로 구성된 정합회로를 이용하고 있는데 다른 수단으로서 탄성 표면파 장치의 임피던스를 조정하여 정합(整合)을 취해도 관계없다.

또, 상기 실시예에서는 탄성표면파의 기본파의 전달방향성으로서 가장 좋은 방향성이 얻어지도록 엄밀히 전극지의 중심간의 거리(t1, t2)를 구했다. 그러나, 본 발명은 이 방식에 한정되지 않는다. 즉, 탄성 표면파 장치에 요구되는 특성에 따라서, t1, t2의 편차값을 증감해도 좋은 것은 물론이다.

또, 상기 실시예에서는 도면 중 λ/16의 폭의 전극지와 그 좌측의 전극지의 간격을 좁게 하고, 도면 중 λ/16의 폭의 전극지와 그 우측의 전극지의 간격을 넓게 하고 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 전반 특성이 상기 압전성 기판과는 다른 압전성 기판을 이용한 경우는 상기 간격의 좁은 간격과 넓은 간격의 위치 관계가 상기 실시예와는 역이 되는 경우가 있다.

본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다.

도 5는 본 발명의 다른 실시형태를 나타낸다.

도면부호 “11”은 수정을 재질로 한 압전성 기판이며, 인터디지털 트랜스 듀서부(12)가 그 한 쪽면에 형성되어 있다.

인터디지털 트랜스듀서부(12)에서는 제 1 공통전극(23)과 제 2 공통전극(24)이 간격을 두고 병렬로 배치되어 있다. 제 1 공통전극(23)에는 제 2 공통전극(24)방향으로 뻗은 제 1 스프릿 전극 그룹(전극지(3a1, 3b1, 3a2, 3b2, 3a3, 3b3, …)이 접속되어 있다. 3a3, 3b3, …은 도시하지 않는다. 또한 제 2 공통전극(24)에는 제 1 공통전극(23)방향으로 뻗은 제 2 스프릿 전극 그룹(전극지(4a1, 4b1, 4a2, 4b2, 4a3, 4b3, …)이 접속되어 있다. 4a2, 4b2, 4a3, 4b3, …은 도시하지 않는다.

제 1 스프릿 전극 그룹은 폭이 좁은 전극지(첨자(a)가 붙어 있는 전극지)와 폭이 넓은 전극지(첨자(b)가 붙어 있는 전극지)가 페어가 되고, 이 페어가 간격을 두고 반복 배열되어 있다. 이 반복 주기는 λ이다. 또 제 2 스프릿 전극 그룹도 폭이 좁은 전극지(첨자(a)가 붙어 있는 전극지)와 폭이 넓은 전극지(첨자(b)가 붙어 있는 전극지)가 페어가 되고, 이 페어가 간격을 두고 반복 배열되어 있다. 이 반복주기는 λ이다.

그리고, 제 1 스프릿전극 그룹을 구성하는 전극지 페어(3a1, 3b1), (3a2, 3b2), (3a3, 3b3), …와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 전극지 페어(4a1, 4b1), (4a2, 4b2), (4a3, 4b3), …가 교대로 인터리브되어 있다. 전체로서는 폭이 넓은 전극지와 폭이 좁은 전극지가 교대로 배열된다.

상기 공통전극(13, 14) 및 스프릿 전극 그룹은 알루미늄(A1) 또는 알루미늄(Al) 합금을 주체로 하는 전극막에 의해 구성되어 있다.

또, 이 실시예에서 전극지 페어는 λ/8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성표면파의 파장)의 폭보다 폭이 좁은 전극지(3a1, 3a2, 3a3, …, 4a1, 4a2, 4a3, …)와 λ/8보다 폭이 넓은 전극지(3b1, 3b2, 3b3, …, 4b1, 4b2, 4b3, …)로 구성된다.

또, 이 실시예에서는 폭이 좁은 전극지의 폭(W1)이 λ/16이며, 폭이 넓은 전극지의 폭(W2)이 0.1535λ이다.

이 실시예에 있어서, 이 전극지의 폭의 값은 기준값(λ/8) 보다 폭이 좁은 전극지의 폭을 “W1”, 기준값(λ/8)보다 폭이 넓은 전극지의 폭을 “W2로 했을 때,

cos(k·2W2)+sin(k·2W2)

=2-cos(k·2W1)-sin(k·2W1)

(단, k는 파수(k)=2π/λ를 나타낸다)

를 거의 만족하도록 선택된다. 발명자들은 검토 결과, 이 식이 만족될 때 탄성 표면파의 기본파가 가장 양호한 일방향성을 나타내는 것을 발견하였다.

앞의 실시예에서는 전극지 페어의 폭이 λ/16과 3λ/16로 선택되어 IDT가 설계되었다.

그러나, 이 실시예에서는 전극지 페어의 폭의 합이 λ/4와 다른 경우이며, 상기 관계식에 기초하여 폭이 넓은 쪽의 전극지의 폭이 결정된다.

도 6A 내지 도 6D를 참조하여 본 실시예의 탄성 표면파 장치의 내부 반사파와 여진파(기본파)의 위상 관계를 설명한다.

도 6A와 도 6C는 도 5의 탄성 표면파 장치의 주요부의 단면도를 나타내며,도 6B는 여진파와 도면 중 좌측 방향으로 진행하는 내부 반사파의 위상 관계를 나타내며, 도 6D는 여진파와 도면 중 우측방향으로 진행하는 내부 반사파의 관계를 나타내고 있다. 또, 도면에서는 여진파의 위상을 기본으로 하여, 이 여진파의 벡터로부터 시계방향으로 반사파의 위상 지연량을 나타내고 있다.

우선, 도 6A와 도 6B를 참조하여 도면 중 좌측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P1)을 기준으로 하여 이 여진점에 가장 근접하는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EA)로부터 반사된 반사파를 “A”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EB)로부터 반사된 반사파를 “B”라고 한다. 또, 여진점을 기준으로 하여 전극지를 통과하고 이에 인접하는 폭(0.1535λ)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EC)로부터 반사된 반사파를 “C”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(ED)로부터 반사된 반사파를 “D”라고 한다.

반사파(A)의 위상은 여진점에서의 여진파의 위상에 대해 (λ/16)×2의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 45°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(B)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해,

(λ/16)×2+(λ/16)×2의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EB)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 270°, 즉 (-90°)의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(C)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해,

((1/16)×2+(1/16)×2+0.159×2)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 204.48°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(D)의 위상은 여진점(P1)에서의 여진파의 위상에 대해,

((1/8)+(1/8)+0.318+0.307)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(ED)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 135°의 위상 지연이 생긴다.

상기 반사파(A, B, C, D)의 벡터를 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 6b에 도시한 바와 같이, 내부 반사파(A, B, C, D)의 벡터의 합성 벡터는 179.99°가 되고, 여진파의 위상에 대해 거의 역상의 관계가 된다. 즉, 도면 중 우측방향으로 진동이 전반하게 된다.

계속해서, 도 6C, 도 6D를 참조하여 도면 중 우측으로 진행하는 반사파와 여진파의 관계를 설명한다.

임의의 탄성 표면파 여진점(P2)을 기준으로 하여 이 여진점(P2)에 가장 근접한 폭(3λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EE)로부터 반사된 반사파를 “E”, 마찬가지로 이 전극지의 다른 쪽의 엣지(EF)로부터 반사된 반사파를 “F”라고 한다. 또, 여진점(P2)을 기준으로 하여 전극지를 통과하고, 이에 인접하는 폭(λ/16)의 전극지의 한 쪽의 엣지(EG)로부터 반사된 반사파를 “G”, 같은 전극지의 다른 쪽의 엣지(EH)로부터 반사된 반사파를 “H”라고 한다.

반사파(E)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해 (λ/16)×2의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 45°이 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(F)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해,

((1/16)×2+(0.1535×2))λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EF)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 335.52°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(G)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해,

((1/16)×2+0.1535×2+0.159×2)λ의 행로 길이분이 위상 지연 요소가 생기고, 여진파의 위상에 대해 270°의 위상 지연이 생긴다.

또, 반사파(H)의 위상은 여진점(P2)에서의 여진파의 위상에 대해,

((1/16)×2+0.1535×2+0.159×2+(1/16)×2)λ의 행로 길이분의 위상 지연 요소가 생기고, 또 엣지(EH)에서의 위상 반전이 생기기 때문에 여진파의 위상에 대해 135°의 위상 지연이 생긴다.

상기 반사파(E, F, G, H)의 벡터를 벡터 합성한 결과가 여진파에 대한 내부 반사파의 위상 지연량이 된다. 도 6D에 도시한 바와 같이 내부 반사파(E, F, G, H)의 벡터의 합성 벡터는 0.001°가 되고, 여진파의 위상에 대해 거의 동상의 관계가 된다.

이 도 6B, 도 6D의 벡터 특성으로 알 수 있는 바와 같이 상기 실시예에서는 탄성 표면파의 이상 전반 방향(도면에서는 우측방향)에 대해 합성 벡터의 방향은 ±0.001°의 범위이다.

그러나, 본 발명은 상기 수치에 한정되지 않는다.

상기 실시예에서는 전극지 페어 중, λ/16의 폭의 전극지를 고정으로 하고, 폭이 넓은 전극지의 폭을 0.1535λ로 하여, 이들 전극지의 간격을 0.159λ로 선택했다. 이 결과, 탄성표면파의 이상 전반 방향에 대해 반사파의 합성 벡터의 방향은 ±0.001°의 범위가 되었다.

그러나, 탄성표면파의 이상 전반 방향에 대해 반사파의 합성 벡터의 방향은 ±5°의 범위라도 충분한 효과를 얻을 수 있다.

이 경우에는 λ/16의 폭의 전극지를 고정으로 하고, 폭이 넓은 전극지의 폭을 (0.1535λ±0.007λ)의 범위의 값으로 선정하면 좋다. 또, 전극지 페어의 각각 외측의 전극지의 엣지의 위치는 고정이다.

도 7은 상기 탄성 표면파 장치를 앞의 실시예와 마찬가지로 외부 회로와 매칭시켜 전달 특성 및 군 지연 특성을 측정한 결과를 도시하고 있다. 이 특성도로 알 수 있는 바와 같이, 전달 특성 및 군 지연 특성 모두 기본 주파수(f0)를 중심으로 하여 거의 대칭이 되는 특성을 갖고 있다.

또, 상기 각 실시예에서는 폭이 넓은 전극지와 폭이 좁은 전극지가 교대로 배열된 구성을 예시하고 있지만, 트랜스듀서의 일부에 있어서, 배열이 달라도 좋다(예를 들면 폭이 넓은 전극끼리 인접하는 구성). 이에 의해 여진파, 반사파를 요구 특성에 따라서 중첩할 수 있다.

이상 설명한 본 발명의 탄성 표면파 장치에 의하면 신호 통과 대역에서의 전달 기능 특성이 한층 양호한 특성을 나타내며, 또 삽입 손실도 적다.

본 발명의 탄성 표면파 장치는 주로 전자기기의 중간 주파수 필터로서 이용된다. 전자기기로서는 텔레비젼수신기, 통신기기, 휴대전화기(CDMA방식 등)가 있다. 본 발명의 탄성 표면파 장치는 소형이고 경량이라는 특징이 있으며, 휴대전화기에 채용되어 그 특징을 살릴 수 있다.

Claims (12)

1. 압전성 기판 상에 평행이 되도록 형성된 제 1 및 제 2 공통전극과, 상기 제 1 공통전극에 접속되고 상기 제 2 공통전극 방향으로 뻗어난 제 1 스프릿 전극 그룹과, 상기 제 2 공통 전극에 접속되고 상기 제 1 공통전극 방향으로 뻗어난 제 2 스프릿 전극 그룹을 갖는 인터디지털 트랜스듀서를 구비한 탄성 표면파 장치에 있어서,

   상기 제 1 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어는 페어끼리 λ/2 주기로 교대로 인터리브되어 있으며,

   상기 각 전극지 페어는 다음식,

   0 < A < λ/8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성표면파의 파장) 으로 나타내어지는 폭 A를 갖는 좁은 폭 전극지와 다음식,

   λ/8 < B < λ/4 으로 나타내어지는 폭 B를 갖는 넓은 폭 전극지로 구성되며,

   상기 인터디지털 트랜스듀서에 의해 여진되는 여진파의 위상에 대해 임의의 여진원으로부터 표면파 전반 방향을 따라서 λ/2이내의 거리에 포함되는 전극지에 의해 생기는 반사파의 합성 벡터의 위상이 nπ―5°≤φ≤nπ+5°(n은 자연수)로 표시되는 위상(φ)을 갖으며,

   임의의 전극지와 상기 임의의 전극지의 반대편에 배치된 전극지 중 하나와의 중심간 거리(t1)와, 상기 임의의 전극지와 상기 임의의 전극지의 반대편에 배치된 전극지 중 다른 하나와의 중심간 거리(t2)가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 각 전극지 페어는 λ/16의 폭을 갖는 폭이 좁은 전극지와 0.1465λ≤w ≤0.1605λ의 폭(w)을 갖는 폭이 넓은 전극지로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 폭이 좁은 전극지와 상기 폭이 넓은 전극지가 교대로 배열되고, 상기 서로 다른 중심간 거리(t1, t2)가 교대로 나타나며, t1은 기준값(λ/4)에 대해 양의 편차를 갖고, t2는 기준값(λ/4)에 대해 음의 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 각 전극지 페어의 폭의 총합이 λ/4인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 각 전극지 페어를 구성하는 전극지 중, 한 쪽의 전극지는 폭이 λ/16, 다른 쪽의 전극지는 폭이 3λ/16인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 각 전극지 페어를 구성하는 적즉지 중 한 쪽의 전극지의 폭을 “w”, 다른 쪽의 전극지의 폭을 “(λ/4)-w”로 하고, 이들 2개의 전극지의 중심간 거리를 “x1”으로 하면, x1은 다음식

   tan{k(x1-(λ/8))}=1/(cos{k((3λ/4)+2w)}

   (단, k는 파수이며, k=2π/λ를 나타냄)

   을 실질적으로 만족하도록 선정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
8. 제 5 항에 있어서,

   상기 각 전극지 페어를 구성하는 전극지 중 한 쪽의 전극지의 폭이 λ/16, 다른 쪽의 전극지의 폭이 3λ/16이며, 이들 2개의 전극지의 중심간 거리(x2)는 다음식

   tan{k(x2-λ/8)}=2

   을 실질적으로 만족하도록 선정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
9. 압전성 기판 상에 평행하게 형성된 제 1 및 제 2 공통전극과,

   상기 제 1 공통전극에 접속되고 상기 제 2 공통전극 방향으로 뻗은 제 1 스프릿 전극 그룹과, 상기 제 2 공통전극에 접속되고 상기 제 1 공통전극 방향으로 뻗은 제 2 스프릿 전극 그룹을 갖는 인터디지털 트랜스듀서를 구비한 탄성 표면파 장치에 있어서,

   상기 제 1 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어와 상기 제 2 스프릿 전극 그룹을 구성하는 복수의 전극지 페어는 페어끼리 교대로 인터리브되어 있고,

   상기 각 전극지 페어는 다음식,

   0 < A < λ/8(단, λ는 동작 중심 주파수가 되는 탄성표면파의 파장) 으로 나타내어지는 폭 A를 갖는 좁은 폭 전극지와 다음식,

   λ/8 < B < 3λ/16 으로 나타내어지는 폭 B를 갖는 넓은 폭 전극지로 구성되며,

   상기 폭이 좁은 전극지와 폭이 넓은 전극지의 폭의 합은 λ/4보다 작고,

   상기 폭이 좁은 전극지와 폭이 넓은 전극지의 폭 및 이 2개의 전극지의 인접하는 엣지사이의 거리의 합은 3λ/8이며,

   상기 각 전극지 페어를 구성하는 전극지 중 한 쪽의 전극지의 폭을 “w1”, 다른 쪽 전극지의 폭을 “w2”로 했을 때, 상기 w1, w2는 다음식

   cos(k·2w2)+sin(k·2w2)

   =2-cos(k·2w1)-sin(k·2w1)

   (단, k는 파수이고, k=2π/λ를 나타냄)

   를 실질적으로 만족하도록 선정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 폭이 좁은 전극지의 폭이 λ/16인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
11. 삭제
12. 제 9 항에 있어서,

    상기 각 전극지 페어를 구성하는 전극지 중 한 쪽의 전극지의 폭을 λ/16, 다른 쪽의 전극지의 폭을 0.1535λ로 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.