TW406330B - Apparatus for and method of cleaning object to be processed - Google Patents

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TW406330B
TW406330B TW087100948A TW87100948A TW406330B TW 406330 B TW406330 B TW 406330B TW 087100948 A TW087100948 A TW 087100948A TW 87100948 A TW87100948 A TW 87100948A TW 406330 B TW406330 B TW 406330B
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inert gas
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TW087100948A
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Yuji Kamikawa
Kinya Ueno
Satoshi Nakashima
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Tokyo Electron Ltd
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Description

406330 a?
發明背景 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明係關於—種清潔裝置及清潔方法,藉此待清潔 物件如半導體晶圓及LCD(液晶顯示器)單元等之玻璃基材 浸沒於化學品及於化學m而隨後乾燥。 例如於半導體裝置如LSI等製程之清潔處理中,使用 多種清潔裝置來由半導體晶圓表面去除污染物,例如顆粒 ,有機污染物,金屬雜質等,及餘刻晶圓*。注意本說明 窃中於後文將半導體晶圓簡稱為晶圓。尤其,,濕,,式清潔 裝置廣泛使用,原因為可有.效去除前述污染物,可進行姓 刻及可達成批次式處理而增進清潔過程的通過料量。 此種濕式清潔裝置中,待清潔的晶圓接受化學清潔過 程(例如氨處理,氟化氫處理,硫酸處理等),使用純水等 之洗滌清潔過程及使用異丙醇[(CH3)2CH〇H]等之乾燥過 程。注意後文中異丙醇稱作IPA。又清潔裝置之構造可以 處理順序供應化學品、純水及IpA至加工浴及乾燥室。如 此使用前述配置’一塊例如5〇片晶圓成功地浸沒於加工浴 内及於乾燥室乾燥之批次方法可付諸廣泛使用。 但對各製程設置加工浴及乾燥室造成裝置尺寸非押望 的變大。此外由於晶圓須於裝置内多次轉運,換言之暴露 於空氣,故極可能有顆粒沾黏至晶圓。 因此例如曰本專利公開案第64_81230號及第6-326073 號等提示清潔裝置,其中各加工浴及乾燥室成形為一體, 故前述化學處理及乾燥處理係於單一腔室内進行。第1圖 顯示該等公開案之清潔裝置範例。 本紙張尺度適用中國國家標车(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------¾衣------1T------J· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 經濟部中央標隼局員工消費合作社印繁 406330 at ______B7 五、發明説明(2 ) 所示清潔裝置包括一個腔室2〇〇及儲存於腔室2〇〇下部 201的化學品(液體)202。處理中晶圓貿首先浸沒於化學品 202内。隨後晶圓w由化學品2〇2中去除,然後於腔室2〇〇 上部203使用IPA等接受乾燥過程。 但前述加熱之乾燥過程中,可能殘留於腔室2〇〇上部 的化學品氣氛對乾燥過程之晶圓w造成不良影響。此外由 於需要同時滿足化學過程及乾燥過程的需求,清潔裝置設 計的自由度有限制。因此難以採用多種構型來實現高速清 潔過程,縮小的腔室尺寸等。同時使用前述IpA等之乾燥 過程中,通常係使用真空泵等解除腔室壓力。但於前述構 造之清潔裝置之腔室令化學處理等及隨後的乾燥過程係一 起執行,故必須具有較大容積至某種程度,可能出現需要 增加腔室壁厚度俾確保壓密性以及需要高功率真空泵等問 題。 發明概述 如此本發明之目的係提供一種清潔裝置及清潔方法, 藉此待加工物件不會於乾燥過程受到化學處理的不良影響 〇 本發明之另一目的係提供一種清潔裝置其具有設計上 的尚度自由度藉此快速清潔物件及縮小裝置本身,及使用 清潔裝置實現清潔方法。 本發明之又一目的係提供一種清潔Μ其可縮小腔室 容積,因此減小腔室壁厚度及真空泵的要求輸出功率,及 使用該清潔裝置實現一種清潔方法。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I*'_ „t------ΐτ------4. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 406330 A7 ----;_ B7_ -五、發明説明(3 ) 本發明之另一目的係提供清潔裝置及清潔方法藉此可 更有效執行乾燥過程。 本發明之另一目的係提供一種清潔裝置其可防止物件 表面出現水潰。 本發明之另一目的係提供一種清潔裝置,其中處理择 .與乾燥區段彼此隔開,因此可防止處理液體之霧氣等進入 乾燥腔室藉此達成裝置的穩定乾燥性能,及使用該清潔裝 置實現一種清潔方法。 至於本發明之第一態樣,前述目的可藉下述達成,一 種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴,其係供儲存加工液,該物件係浸沒於加 工浴内; 一個乾燥腔室,其係設置於加工浴上方及設置有開口 其位於乾燥腔室本體與處理浴間,經由該開口轉運物件, 該開口可封閉; 轉運裝置,其係供經由開口介於處理浴與乾燥腔室間 轉運物件; 引進裝置,其係供引進惰性氣體進入乾燥腔室内俾防 止處理洛之氣氛移動至乾燥腔室;及 填充裝置,其係供填充乾燥腔室以有機溶劑氣氛。 至於本發明之第二態樣,前述目的也可如下達成,— 種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 一個加工浴,其係供儲存加工液,該物件係浸沒於加 工浴内;
-6 - 經濟部中央標丰局員工消費合作社印製 406330 A7 五、發明綱(4 ) " "~^ '~ -- 個乾燥腔室,其係設置於加工浴上方及設置有開口 其位於乾燥腔室本體與處理浴間’經由該開口轉運物件, 該開口可封閉; 轉運裝置’其係供經由開口介於處理浴與乾燥腔室間 轉運物件; 遮蔽裝置,其係供藉惰性氣流遮蔽該開口;及 填充裝置,其係供填充乾燥腔室以有機溶劑氣氛。 至於本發明之第三態樣,前述目的也可如下達成― 種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴,其係供儲存加工液,該物件係浸沒於加 工浴内; —個乾燥腔室,其係設置於加工浴上方及設置有開口 其位於乾燥腔室本體與處理浴間經由該開口轉運物件, 該開口可封閉; 轉運裝置,其係供經由開口介於處理浴與乾燥腔室間 轉運物件; 填充裝置,其係供填充乾燥腔室以有機溶劑氣氛;及 遮蔽裝置,其係供藉惰性氣流遮蔽該開口; 其中該遮蔽裝置包含一對第一門及第二鬥設置成可開 閤該開口,第一門具有前端成形為與第二門相對及設置有 通風口供排放惰性氣體,第二門具有前端,成形為與第_ 門相對及設置有惰性氣體的進氣口,藉此介於第一門前端 與第二門前端間形成惰性氣流供屏壁該開口,原因為由第 ~門的進氣口排放的惰性氣體係於第一門及第二門關閉狀 本紙張尺度適用中國®家標準(CNS ) A4祕(21 〇 X 297公釐) --------ά------、玎------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j -7- 經濟部中央標準局負工消費合作社印顰 406330 A7____B7五、發明説明(5 ) 態經由第二門的進氣口抽取。 本發明之第四態樣係有關一種根據第一態樣至第三態 樣之清潔裝置,其又包括開閉裝置供交替開閉該開口。 本發明之第五態樣係有關根據第一態樣至第三態樣之 清潔裝置’其又包括開閉裝置供交替開閉該開口,呈關閉 狀態的第一開閉裝置也密封第一開閉装置的乾燥件。 本發明之第六態樣係有關根據第五態樣之清潔裝置, 其中該填充裝置包含一個將含有機溶劑氣體喷射入乾燥腔 室,喷嘴包含至少兩根直徑不同的内管及外管,其彼此餐 合使其周面彼此隔開;及 其中該内管於其轴向以預定間距設置有多個氣體出口 ’而外管於其轴向以比較該預定間距更短的間距設置有多 個氣體出口。 至於本發明之第七態樣前述目的可藉下述方法達成, 一種清潔待加工物件之清潔方法,該清潔方法包含下列步 驟: (a) 於加工前轉運物件由乾燥腔室通過成形於乾燥腔 室的下方開口進入加工浴内,同時藉載運於乾燥腔室旁側 的固持件固持物件; (b) 於未加工物件由乾燥腔室轉運至加工浴之前或之 後,儲存加工液於加工浴;及隨後浸沒該物件於加工液; (0將加工後的物件由加工浴轉運至乾燥腔室;及 (d)將乾燥腔室填充以有機溶劑氣氛,及於乾燥腔室 加工後乾燥該物件。
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.
、1T J- 406330 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 五、發明説明(6) 本發明之第八態樣包括根據第七態樣之清潔方法,其 又包括於加工後物件轉運至乾燥腔室後關閉該開口之步驟 〇 本發明之第九態樣在於根據第七或第八態樣之清潔方 法,其又包括於轉運加工前物件由外侧進入乾燥腔室前以 惰性氣體置換乾燥腔室氣氛之步驟。 本發明之第十態樣在於根據第七或第八態樣之清潔方 法,其又包括於轉運加工前物件由外側進入乾燥腔室前, 以惰性亂體置換乾燥腔室氣氛同時排放乾燥腔室氣氛之步 驟。 本發明之第十一態樣在於根據第七或第八態樣之清潔 方法,其又包括於有機溶劑氣氛填充乾燥腔室前,以惰性 氣體置換乾燥腔室氣氛同時排放乾燥腔室氣氛之步驟。 纟發明之第十二態樣在於根據第七或第人態樣之清潔 方法,於執行步驟⑷後,X包括將惰性氣體引進乾燥腔 室之步驟’供恢復乾燥腔室之大氣壓同時解除乾燥腔室壓 力,其中於乾燥腔室恢復大氣壓期間控制惰性氣體之供應 ,故每單位時氣體供應容積隨料狀經過而增 加0 本發明之第十三態樣在於根據第七或第八態樣之清潔 方法,其中步驟(b)包括下列步驟: 執行物件之化學清潔; 執行物件之水清潔,·及 於水清潔後執行物件之臭氧清潔。 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS )八视^ ( 2丨以加公慶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝·
、1T " •9- A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -----40^30-~^--- 五、發明説明(7 ) 本發明之第十四態樣在於根據第十三態樣之清潔方法 ,其中步驟(b)又包括於臭氧清潔後執行物件之額外水清 潔之步驟。 根據本發明之第一態樣,由於惰性氣流由乾燥腔室導 引朝向開口,故可防止化學品由加工浴進入乾燥腔室。又 因於執行乾燥過程之同時可準備下一加工浴製程,故可改 良清潔裝置通過料量。此外,因該配置可使清潔腔室及加 工浴於個別獨立條件下設計,故可獲得最佳清潔過程;及 又因加工設計的自由度增高,故可縮小加工裝置大小。此 外,因前述配置可使加工腔室容積縮小,故當須要解除加 工腔至壓力同時以有機溶劑氣氛填充腔室時可減小乾燥腔 室及加工浴壁厚《。此外可使用肖低功率真空系解除壓縮 〇 根據本發明之第二態樣至第四態樣,由於設置有藉惰 性氣流層遮蔽開口之遮蔽裝置故可於物件之化學加工時 遮蔽加工浴的接觸乾燥腔室,故可防止化學品由加工浴進 入乾燥腔室内》 根據本發明之第三態樣,當藉第一門及第二門關閉開 口時’第門及第二門間之間隙可藉惰性氣流遮蔽。如此 可防止化學品氣氛由加工浴注進乾燥腔室。 根據本發明之第四態樣,藉由開閉乾燥腔室開口的開 閉裝置,可於乾燥物件時遮蔽乾燥腔室不接觸加工浴,使 乾燥過程中物件幾乎未受到加工浴之化學品造成的不良影 響。 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裴 -訂- --^· -10- A7 B7 103330 五、發明説明(8 根據本發明之第五態樣,經由於物件乾燥時藉防漏方 式隔開«腔室與加工浴,於乾燥過程物件未受到來自加 工浴之化學品之不良影響。 同時,若氣體係通過末端引進管路内,然後,經由沿 管路之轴向方向設置的氣趙出***入乾燥腔室内,則可能 造絲體出π愈靠近管路之另U由氣趙出〇射出的 氣體办積愈少。又,以射出熱氣體為例,可能氣體出口愈 接近管路另-端’貝由氣體出***出的氣體溫度愈低。根 據本發明之第六態樣,由料過内管的少數氣體射出的個 別氣流-旦_管與外管„定的”組Μ後經由外管 的氣趙出Π供應人乾燥腔室時,纟可縮小各氣趙出***出 氣體之容積與溫度間之差異。 根據本發明第七態樣之清潔方法,與加工浴隔開,故 當執行乾燥過程時可準備次—加卫洛,故可改良清潔裝置 的通過料量。此外應該配置可使乾燥腔室及處理浴於個別 獨立條件下設計’故可獲得最佳清潔過程,及因製程設計 的自由度增高故可進一步縮小清潔裝置大小。此外因前述 配置可使乾躁腔室容積縮小,故當須要㈣乾燥腔室壓力 同時以有機溶劑氣氛填充腔室時,可減小乾燥腔室及加工 洛之壁厚度》此外可以低功率真空泵解除壓縮。 根據本發明之第八態樣,可於乾燥物件時遮蔽乾燥腔 室不接觸加工浴,故物件於乾燥過程幾乎未受到來自加工 浴之化學品之不良影響。 根據本發明之第九態樣,若於物件載負入乾燥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210χ297公釐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f) .裝.
、1T 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 -11 - A7
-裝. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作.社印製
406330 五、發明説明(9 ) -- ’乾燥腔室氣氛以預定惰性氣體置換,則可於物件由前一 處理腔室移動至本清潔裝置過程中減少氧氣與物件接觸, 及限制氧化物膜之天然増長。此外因於物件清潔過程中再 -度執f惰性氣體置換,可始於比較外侧空氣之氧濃度更低 的狀態,故可顯著縮短降低氧漢度至容許值需要的時間。 根據本發明之第十及第十一態樣,經由供應惰性氣體 至乾燥腔室時同時排放之,可促進以惰性氣體置換乾燥腔 室氣氛的效率。 根據本發明之第十二態樣,可防止乾燥腔室内壁上的 顆粒藉引進其中的惰性氣流飛揚,並於清潔或乾燥後沾枯 於物件上。 〃根據本發明之第十三態樣,經由於化學清潔及水清潔 後使用臭氧清潔而於物件上形成薄氧化物膜,彳防止於物 件表面出現水潰。 本發明之前述及其它特點&優點經由參照附圖顯示本 發明之較佳具㈣,研讀後文說明及隨附之申請專利範圍 將更顯然易明。 圖式之簡單說明 第1圖為習知清潔裝置之示意圖; 第2囷為根據本發明之具體例之半導體晶圓清潔裝置 之透視圖; 第3圖為第2圖清潔裝置之平面圖;
第4圖為第2圖清潔裝置之清潔單元之縱剖面前視圖; 第5圖為第4圖清潔單元之另—幅縱剖面側視圖;
本紙張 X 297公釐) -12- 經濟部中央標隼局員工消费合作杜印製 406330 A7 —· B7 五、發明説明(10 ) 第6圖為第4圖清潔單元之透視圖; 第7圖為顯示第4圖清潔單元之上蓋附近之透視圖; 第8圖為顯示第4圖清潔單元之蓋驅動區段之示意結構 圖; 第9圖為透視圖顯示第4圖清潔單元之氮氣簾遮蔽配置 , 第10圖為透視圖顯示第4圖清潔單元之滑動門配置; 第11圖為縱剖面圖顯示第丨〇圖之滑動門配置; 第12圖為透視圖顯示第4圖清潔單元之晶圓導件; 第13圖為透視圖顯示第4圖清潔單元之喷嘴及通風口 » 第14圖為說明第4圖清潔單元精餾板之操作圖; 第15圖為第4圖清潔單元之操作之流程圖; 第16圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟14〇1之第斗圖 清潔單元作業; 第17圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟14〇2之第4圖 清潔單元作業; 第18圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟14〇3之第4圖 清潔單元作業; 第19圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟14〇4之第4圖 清潔單元作業; 第20圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟14〇5之第4圖 清潔單元作業; 第21圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟14〇6之第4圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公楚) n I- -- - -» - II » ! -I. 4 士^-- - - I- In n a^— m -. ji (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- -五、 406330 —一- 發明説明(II ) 清潔單元作業; 第22圖為示意圖 第4圖清潔單元作業; Α7 Β7 _示對應於第15圖步驟1407-1411 之 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第23圖為不意圖_示對應於第15®步驟1412之第4圖 清潔單元作業; 第24圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟1413之第4圖 清潔單元作業; 第25圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟1414之第4圖 清潔單元作業; 第26圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟1415-1417之 第4圖清潔單元作業; 第27圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟1418之第4圖 清潔單元作業; 第28圖為不意圖顯示對應於第15圖步驟1419之第4圖 清潔單元作業; 第29圖為示意圖顯示對應於第15圖步驟142〇之第4圖 清潔單元作業; 第30圖為於第15圖步驟1417,恢復乾燥腔室之氣氛壓 力須要的氮氣喷入容積與經過時間間之關係;及 第31圖為第9圖之氮氣簾遮配置之修改例之透視圖。 較佳具鱧例之說明 將參照附圖說明本發明之具體例。 首先敘述一種清潔半導體晶圓之清潔裝置作為本發明 之應用實例。注意於說明中半導體晶圓將亦稱為,,晶圓”。 I n n il n n n I. t 0^^ 丁.表 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 406330 A7 B7 經濟部4-央梯準局貞工消費合作衽印^
五、發明説明(12 ) 如第2及3圖所示,整個清潔裝置丨包括一個載荷區段2供容 納清潔前的晶圓於載具方塊上,清潔區段3供清潔晶圓, 及卸載區段4供拾取於清潔區段3清潔及乾燥後的晶圓至載 具C,於卡£方塊内個別有預定數目之冑具。如此由三個 處理區段構成本具體例之清潔裝置1。 於載荷區段2内設置一個轉運備用部件6,其使具有預 定數目(例如25片)預先清潔之待轉運且容納於其中的晶圓 的載具5備用,及載荷部件7其進行晶圓由載具5之拾取作 業,個別扁平取向晶圓之對正作業及晶圓數目計數作業。 又載荷區段2設置有轉運臂配置,及轉運載具5,及藉轉運 機器人由外側載荷至轉運備用部件6也載運介於轉運備用 部件6與載荷部件7間。 清潔區段3中,三個晶圓轉運單心、ϊ2、13設置於 清潔區段3之前側(第2圖該側),❿管路區㈣界定於清潔 區段3背側貫穿分隔壁供罩住多個槽而保有加工液如化學 液及多根管。 它方面卸載區段4包含-個却載部件15供盛裝於清潔 區段3清潔的晶圓於載具外,轉運備用部件16使載具連同 備用晶圓由此處轉運,及轉運臂17供介於卸載部件Η與轉 運備用部件16間轉運載具5。 注意清潔裝置1又包含載具轉運區段18,其可轉 載荷區段2排空的載具5。載具轉運區段觀備有載具輸送 器19設置於清潔區段3上方,載具儲存區段20供接納利用 轉運臂8來自載荷區段2及載荷部件7的空載具5及儲存 ---------t! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--
i ^--------L I HI In I I · 本紙張尺度朝巾 -15- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 406330 ΑΊ __Β7 五、發明説明(13 ) ~' 未含晶圓的載具5,及-個未顯示的輸送部件其接納於卸 載區段利用轉運臂17來自載具輸送器19的空載具5及將空 載具輸送至卸載部件15 » ' &潔區段3由荷載部件17旁側依序配傷有下列浴清 紅乾燥晶圓轉運單元u之晶圓卡盤21之卡盤清潔/乾燥 浴22;使用化學品如銨過氧氫师瓜哪⑼去除晶圓表 面之雜質如有機污染物、金屬雜質顆粒等之化學清潔浴23; 例如使用純水清潔於浴23清潔的晶圓之洗務清潔浴24; 一’ 個藉化學品如HCl/H2〇2/H20混合物去除晶圓上之金屬污 染物之化學清潔浴25;—個例如藉純水清潔於浴25清潔的 甜圓之洗滌清潔浴26;及本發明之清潔單元27供藉化學品( 例如HF/He混合物)去除晶圓上的氧化物,藉清洗(例如純 水)及乾燥清潔妥的晶圓而清潔洗滌後的晶圓;及一個清 潔及乾燥未顯示的轉運單元丨3之晶圓卡盤之卡盤清潔與乾 燥浴28。 注意隔板29、30、31、32係設置於載荷部件7與卡盤 清潔/乾燥浴22間,介於洗滌清潔浴24與化學清潔液25間 ,介於洗滌清潔浴26與清潔單元27間,及介於卡盤清潔與 乾燥浴28與卸載部件15間。隔板29、30、31、32適合於藉 附圖未顯示的驅動機制接納及輸送晶圓時上開及下關。由 於設置隔板29、30、31、32,故可防止化學品氣氛擴散入 鄰近空間。 現在參照第4圖至14說明清潔單元27之構造。清潔單 兀27包含清潔浴41作為接納化學品加工液(例如HF/H20混 本紙張尺度適用中國gj家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公竣) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
•II -16- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 406330 A7 ____. B7 五、發明説明(I4 ) 合物)及清洗液(例如純水)及浸沒待加工晶圓於液體之加 工/谷,及一個筒形乾燥腔室42設置於清潔液41上方而乾燥 由清潔浴41轉運的晶圓W。 清潔浴41容納晶圓導件43及例如30片由晶圓導件43載 運的晶圓W。又清潔浴41於其底部兩側設置有嗔嘴44、45 供設置容納於其中之晶圓W加工液。噴嘴44、45可由多根 管路組成,各管個別有射出孔口以等於毗鄰晶圓w沿晶圓 配置方向間駔的孔口成形。於喷嘴44、45内部,藉開關閥 46a、46b的開關作業而由第2圖及3所示之管路區14供應任 一種清洗液,例如化學品(HF/H20之混合物),臭氧水,純 水(DIW :去離子水)等。開關閥46a、46b之開關作業係於 預定時間藉未顯示之控制器控制。注意欲防止晶圓W的氧 化,較佳使用除氣DIW作為清洗液。 此外於清潔液41周邊設置有收集浴47供收集清潔液41 溢流的加工液。由收集浴47收集的加工液適合於喷嘴44、 45循環通過開關閥48、泵49、過濾器50及開關閥51。開關 閥48中,閥的改變可決定循環是否以前述方式由收集浴47 收集的加工液或排放液體。於開關閥51之改變可決定由收 集浴47收集之加工液是否循環或供應DIW至噴嘴44 ' 45, 該DIW已經藉冷卻器冷卻至〇°C至常溫溫度範圍,更佳5 °C。注意阻擋器52設置於泵42與過濾器50間。於清潔浴41 之最下方,設置排放口 53而排放加工液。於開關閥54其改 變而決定加工液是否經由排放口 53排放。 乾燥腔室42於其上部及下部分別設置有矩形上開口及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -17- --.---r----.裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 406330 經濟部中央標隼局員工消費合作社印掣 五、發明説明(l5 ) 下開口 61、62供接收及輸送晶圓W。閉合蓋63蓋於上開口 61,而氮氣簾遮蔽配置60及滑動門配置64設置於下開口 62 〇 盍63為樹脂如pvc(聚乙稀基氣)及pp(聚丙烯)等,製造 ’如第ό圖所示’於其内部及外部成形為半筒形。如此, 此種蓋63之形成可使乾燥腔室42内部被蓋63封閉而成形為 筒形,同時防止吹送至晶圓W之氮氣流等形成渦流。結果 氮氣流等可均勻吹送至個別晶圓W。此外如第7圖所示,〇 形環65設置於上開口 61周邊,此外一對蓋固定機制μ設置 於上開口 61兩侧供壓迫蓋牢固關閉上開口 6〗。使用此種配 置’可於上開口 61藉蓋63關閉的條件下增進腔室41的密封 能力。設置於固定機制59之各旋轉桿56之兩個位置者為接 合板57,其與蓋63餐合關閉上開口 61。工作中,當個別旋 轉驅動單元58作動而分別旋轉桿56,接合板57接觸蓋63, 故被牢固迫牴開口 61之周邊。 設置於乾燥腔室42附近者為蓋引動件66其可驅動蓋63 的開關β如第8圖所示,蓋引動件66包含一個汽缸68供旋 轉樞軸臂67,樞輛臂之一端固定於蓋63,及另一個汽缸69 供上下移動蓋63及此等旋轉配置(汽缸68臂67)。開啟蓋63 之作業中,蓋引動件66首先向上移動蓋63關閉上開口 61( 參見第8圖之1)。隨後蓋引動件66又旋轉蓋63至於開口 61 隔開的位置(參見第8圖之2)及向下移動蓋63(參見第8圖之 3)。藉此方式開啟上開口 61 »相反地,當須要藉蓋63關閉 上開口 61時,前述作業係以反向順序執行(亦即第8圖之3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210x297公釐) —-----------裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 . A7__4D 鍋 ~Q_^__五、發明説明(i6) 2一 1) ° 如第9圖所示,氮氣簾配置60包括氮氣通風口 59a及氮 氣進氣口 59b其彼此相對位於乾燥腔室42開口 62的左端及 右端。如此由於設置部件排放部件59a、攝取部件59b ,該 配置60適合形成氮氣流層59c俾遮蔽開口 62。注意於說明 書中氮氣流層59c於後文亦稱作’’氮氣簾59c”。 如第10圖所示,滑動門配置64包括一個矩形凸緣70設 置於清潔浴41與乾燥腔室42間,一個滑動門72嵌合入成形 於凸緣70的開口 71而開閉凸緣70内部,及一個汽缸73供驅 動滑動門72。類似蓋63,滑動門72係由樹脂如PVC(聚乙 烯基氯)及PP(聚丙烯)等製造,且具有類似下開口 62的矩 形。又如第11圖所示,個別氣密封72a、72b沿滑動門72兩 侧的外周邊設置,而Ο形環72c設置於乾燥腔室42底面上 而沿氣密封72a之内侧延伸。修改例中,Ο形環72c可沿氣 .密封72a外側設置。工作中,於滑動門72容納於凸緣70之 條件下,氣密封72a、72b膨大故緊密接觸乾燥腔室42底面 積凸緣70底面。結果Ο形環72c緊密接觸滑動門。藉此方 式緊密關閉下開口 62。 如第12圖所示,晶圓導件43於載運件72下端設置有晶 圓支座75供支撐多個晶圓W(例如50片)。晶圓支座75係由 中間支撐桿76及兩根外側支撐桿77、78彼此平行設置於桿 76兩側支撐。桿76、77、78之各端固定載運件74下端,而 桿76、77、78之另一端固定於固定件79。各桿76、77 ' 78 具有多個固持切槽80、80、…、80(例如50個切槽)以預定 ---------.裝------訂------α (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -19- 經濟部中央榡準局負工消費合作杜印製 __406330 」77 _ 五、發明説明(17 ) 間隔成形於縱向方向。晶圓導件43係由具有優異防蝕、耐 熱及耐久特性的材料製造,例如PEEK(聚醚醚酮),Qz(石 英)等。 導件昇降桿81固定於晶圓導件43上端。如第5至7圖所 示,導件昇降桿81適合上下移動,經由設置於乾燥腔室42 頂部的抓握機制82突出外側。抓握機制82包含環繞導件昇 降桿81之氣密封82a.〇當上下傳動導件昇降桿81時,空氣 由氣密封82a釋放。相反地,當需要關閉乾燥腔室42時, 氣密封82a脹大。 導件昇降桿81上端連結有設置於乾燥腔室42後方的晶 圓導件Z軸機制83。因晶圓導件z軸機制83作動可上下移 動導件昇降桿81,故由晶圓導件43載運的晶圓冒經由下方 開口 62介於清潔浴41與乾燥腔室42間轉運。又如第5圖所 示,晶圓轉運單元13(參考第3圖)設置於清潔單元27前方 。工作中,設置於晶圓轉運單元設定上方的晶圓卡盤84 ’ 例如由鄰近洗滌清潔浴26接收5〇片晶圓w及運送至乾燥腔 室42的晶圓導件43。又晶圓卡盤料例如於乾燥腔室由晶 圓導件43接枚50片晶圓W及輸送至卸載區段4的卸載部件 15 〇 如第4及13圖所示,於乾燥腔室42之上部件兩側設 置兩個喷嘴85、86而吹送氮氣及氮與IpA之混合氣體以向 下流動方式至由晶圓導件43載運的晶圓w上。 *各噴嘴85、86係由-根内管88a及其中嵌合内管88a的 卜s 88b組成。内官88a沿晶圓w之設置方向以預定間隔距 政------1T------,-/ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁}
-20- 406330 A7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(l8 ) 離設置有多個氣體出口 87a。它方面外管88b沿晶圓W之配 置方向以固定間隔距離設置有多個氣體出口 87b,出口 87b 的間隔距離比較兩毗鄰氣體出口 87a之預定距離更小,且 例如為毗鄰晶圓W的節距。換言之,喷嘴85、86之構造方 式為由内管88a之少數氣體出口 87a射出的氣體通過介於内 管88a周面與外管88b周面間之空間,及隨後通過外管88b 大量氣體出口 87b流入乾燥腔室42。採用前述配置,可減 少由喷嘴85、86之氣體出口 87b射出的氣體容積(流速)與 溫度的起伏波動,由内管88a—端供應氣體之情況可能造 成起伏波動。 於喷嘴85、86内部,由IPA及熱氮氣組成混合氣體由 IPA蒸發器89通過控制閥90及過濾器91供應。於IPA蒸發 器89内部,熱氮氣由氮加熱器92通過控制閥93供應,而IPA 也由IPA槽94通過控制閥95供應。同理氮氣通過控制閥96 供應至IPA槽94,而IPA也經由控制閥97供應至IPA槽94。 它方面,如第4及13圖所示,乾燥腔室42於下部件兩 側配備有通風口 98、99供排放由喷嘴85、86吹出的氮氣等 。通風口 98、99係與排放泵110連通。通風口 98、99也與 作為精餾裝置的個別精餾板101、102連通,精餾板具有多 個入口 100、100、100......供抽取已經均勻通過乾燥腔室42 下部的個別部件而吹出喷嘴85、86的氮氣等。採用此種配 置,如第14圖虛線所示,已經由喷嘴85、86之射出孔87吹 出的氮氣等流至晶圓W表面上,隨後由精餾板101、102的 入口 100抽取。如此由於前述氮氣流等,可防止於氮氣流 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 406330 五、發明説明(19 ) 等出現渴流。注意乾燥腔室42也於下部配備有排放液體的 排放口(未顯示)。 再度於第4圖,一對加熱板1〇3、1〇4設置於乾燥腔室42 中心兩側。加熱板103、1〇4電連接至加熱板控制器1〇5供 控制腔室42溫度。藉此方式腔室42溫度例如可維持於IPA 沸騰的程度。 如第4圖所示,介於清潔浴41與乾燥腔室42間於浴41 表面上方空間兩側設置有喷嘴1〇6、1〇7,喷嘴於晶圓…由 浴41轉運至腔室42期間吹送氮氣至晶圓W。喷嘴1〇6、ι〇7 的構造大髏類似前述噴嘴85' 86構造。喷嘴1〇6、1〇7内冷 氮氣通過冷卻器108供應供冷卻氮氣至〇。〇至常溫範圍, 更加5°C,及一個控制閥1〇9。 現在根據第15圖之流程圖敘述具有如上構造之清潔裝 置27之作業。注意後述作業控制係藉未顯示的控制器執行 〇 首先於將晶圓W由外側帶入乾燥腔室42前於關閉腔室 42底之蓋63及滑動門72(或甚至開啟)之條件下,乾燥腔室 42之氣氛(或乾燥腔室42及處理浴41之氣氛)以由喷嘴85、 86喷出的氮氣置換,同時排放乾燥腔室42之氣氛(參考第16 圖步驟1401) »其次開啟乾燥腔室42頂部之蓋63(第17圖步 驟1402),然後,晶圓卡盤84下降至腔室42内,晶圓w輸 送至腔室42之晶圓導件43(第18圖步驟1403) » 第19圖之隨後步驟14〇4中,關閉腔室42頂蓋63及開啟 腔室42底部的滑動門72(參見第19圖)。然後載有晶圓w的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公瘦) -裝------訂------乂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 __406330 ;; 五、發明説明(20 ) 晶圓導件43下降而移轉晶圓至清潔浴41(第2〇圖步驟14〇5) ,及作動氮氣簾遮蔽配置6〇而藉氮氣流層59c關閉乾燥腔 室42底部的開口 62(第21圖步驟1406)。 隨後於清潔浴41經由喷嘴44、45注入HF/H20混合物 ,隨後將晶圓W浸沒於HF/H2〇之反相混合物供化學清潔( 第22圖步驟1407)。此步驟中,也適合於晶圓轉運至清潔 /谷41則事先與清潔浴41混合。由喷嘴44、45喷出的ϊ1Ρ/Η20 混合物於清潔浴41形成導引晶圓w之流藉此促進化學清潔 。其次排放HF/H;2〇混合物,及隨後DIW由喷嘴44、45喷出 而清洗晶圓W(第22圖步驟1408)。如同HF/H20混合物,由 喷嘴44、45射出距離之水形成於清潔浴41中導引晶圓w之 流藉此促進清洗過程。注意於修改例中,可開始供應DIW 而未排放HF/HJ混合物,故混合物密度逐漸變稀。隨後臭 氧水由喷嘴44、45射出而於晶圓W之矽面上形成純氧化矽 薄膜(第22周步驟1409)。若有所需隨後DIW可由喷嘴44、 45射出而去除沾黏於晶圓w表面的臭氣水。 它方面,進行前述清潔過程時,交換氮氣經由喷嘴85 、86供應入乾燥腔室42(第22圖步驟1412)。隨後IPA或IPA 與氮之混合物由喷嘴85、86吹出,故乾燥腔室42内填滿IPA 氣氛(步驟1411)。 其次停止氮氣簾遮蔽配置60作業而開啟氮氣簾59c(第 23圖步驟1412),載有晶圓W之晶圓導件43升高而成功的 將晶圓轉運入乾燥腔室42(第24圖步驟1413)。注意修改例 中,晶圓W可輸送至乾燥腔室42同時關閉氮氣簾59(:而未 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) n —1 In —J— n n I n f n n I I— n I T - I__ ___ 、*·# ^― I I - n ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 406330 五、發明説明(21 ) 中止氮氣簾遮蔽配置60的作業。晶圓w轉運過程中,氮氣 藉喷嘴106、107吹至由清潔浴41轉運至乾燥腔室42的晶圓 W。 — 隨後當於乾燥腔室底部關閉滑動門7 2時(第2 5圖步驟 1414),IPA或IPA與氮之混合物42經噴嘴85、86向下吹送 至乾燥腔室42的晶圓W(第26圖步驟1415)。隨後乾燥腔室 42通風而解除加壓(第26圖步驟1416)。乾燥腔室42停止通 風後氮氣經喷嘴85、86引進乾燥腔室42而恢復腔室42之大 氣壓(第26圖步驟1417)。然後例如第30圖所示,控制閥9〇 控制成恢復吹氣氮氣之容積相當小,及隨後逐漸或以步進 方式增加。 於第27圖之隨後步驟1418,執行開啟乾燥腔室42頂部 之蓋63及隨後晶圓卡盤84下降至腔室42而接納來自晶圓導 件43之晶圓W(第28圖步驟1419)。然後晶圓卡盤84升高而 將晶圓W卸載至乾燥腔室42外側(第29圊步驟1420)。 如此根據本具體例之清潔裝置27,乾燥腔室42與清潔 浴41彼此上下隔開,和乾燥腔室42開口 68於乾燥過程於清 潔浴41藉氮氣簾59c遮蔽,同時乾燥腔室42之開口 62於乾 燥腔室42之乾燥過程藉滑動門72關閉。因此可防止清潔浴 41之化學品對晶圓w之乾燥過程造成不良影響β此外因該 配置可使乾燥腔室4 2及清潔浴41可於個別獨立條件下設計 ,故可使清潔過程更為快速且進一步縮小清潔裝置27,原 因為製程設計之自由度增高之故β例如愈快速完成加熱過 程,乾燥腔室42可配備有加熱器板1〇3、104供加熱腔室42 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4現格(210X297公釐) I If n If I n I I < - - - n _ n Γ--- ——Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -24· A7 B7
4MaaxL 五、發明説明(22 内。p或再度由於乾燥過程快逮,乾燥腔室42内部氣氛可 於晶圓W與清潔純清潔之同時謂A置換。 又因乾燥腔室42可構造成比較習知清潔裝置更小,習 知清潔裝置之加卫浴及乾燥腔㈣容納於—健室内,故 本發明可更有效進行乾㈣程β此外由於可縮小乾燥腔室 42谷積至極至,故無須以高度壓密性形成乾燥腔室&如 此可縮小乾燥腔室42之壁厚及減少真空泵11〇解除壓縮需 要的功率。 該具體例之清潔裝置27中,由於使用hf/H20混合物 之化學清潔及水清潔後可進行臭氧清潔而於晶圓w之矽表 面上形成純矽氧化物膜,故可防止晶圓|表面出現水潰。 又因以氮氣置換乾燥腔室42氣氛之個別過中,氮氣由 喷嘴85、86吹送出同時使乾燥腔室42通風,故可增進置換 效率。 此外因乾墚腔室42之氣氛係於晶圓w載荷入乾燥腔室 42前以氮氣置換,故可縮小晶圓评清潔過程之前述待加工 氮氣置換過程所需時間《此外,因於晶圓W清潔過程置換 待加工氮氣可使於含氧濃度比外侧空氣更低的狀態,故可 顯著縮短降低氧濃度之容許值需要的時間。 根據該具體例之清潔裝置27,當由解除壓縮狀態引進 氮氣進入腔室42内而恢復乾燥腔室42之大氣壓力時,於恢 復之時氮氣喷出的容積相當小,隨後緩慢或以步進方式增 加。結果可防止乾燥腔室42内壁上的顆粒被引進腔室42的 氮氣流向上飛揚而於清潔或乾燥後沾黏於晶圓W上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. -訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印繁 -25- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 406330 a? _ B7 五、發明説明(23 ) 現在需注意本發明非僅限於前述具體例,可於業界之 構想範圍内做出多種變化及修改。 例如雖然氮氣簾遮蔽配置60之構造可使氣流層(氮氣 簾)59c當晶圓W於清潔洛41清潔過程中遮蔽乾燥腔室42的 開口 62,但可使配置60由化學霧氣從清潔浴41進入乾燥腔 室42造成不良影響的許可範圍移開。 注意欲防止化學霧氣由清潔浴41進入乾燥腔室42,氮 氣可經喷嘴85、86引進乾燥腔室42因而使乾燥腔室42的氣 氛處於比較清潔浴41更高壓條件。 又如第31圖所示,作為晶圓W於清潔浴41清潔過程時 乾燥腔室42的開口 62之遮蔽裝置,旋轉門配置與氮氣簾遮 蔽配置的組合可運用於裝置。旋轉門配置係由一對旋轉門 121及一對旋轉旋轉門121用之驅動單元122組成。個別旋 轉門121可呈氮氣排放部件59a及氮氣攝取部件59b之結構 ,介於其間形成氣流層(氮氣簾)59p供遮蔽關閉的旋轉門 121末端間之間隙。注意個別旋轉門121及氮氣簾59c適合 同時開啟或關閉。 再度雖然氣氣用作前述具體例的惰性氣體,但其他惰 性氣艘如氬氣(Ar)、氦氣(He)等可用來替代氮氣。顯然於 乾燥步驟加熱惰性氣體可更有效進行乾燥過程。無庸待言 惰性氣體需經加熱。 雖然IPA用作水溶性有機溶劑,其功能係縮小具體例 中純水相對於待處理物件間之表面張力,但IPA可以其他 有機溶劑替代例如一價醇(如甲醇)、酮類型(例如丙酮)、 I紙張尺度適用tsiil家縣(CNS ) A4· ( _21GX297公釐) :~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 406330 A7 ——--— _B7 .•五、發明説明(24) 醚類(例如甲醚)、多價醇(例如伸乙基二醇)等。 雖然使用HF/HjO混合物之化學處理及使用純水之清 洗與乾燥過程於前述具體例係於清潔裝置27執行,但需了 解執行至少乾燥過程及一種或多種其他過程的清潔裝置之 方法且包含於本發明之範圍内。例如使用HF/H2〇混合物 之化學處理,使用純水的清洗過程,使用NH4/H2〇2/H2〇混 合物之化學處理及使用HCl/H2〇2/H2〇混合物之化學處理 等皆適用於前述方法。如此當然本發明之清潔裝置構造可 進行例如使用NH4/H2〇2/H2〇混合物之化學處理,使用 HCl/H2〇2/H2〇混合物之化學處理,使用純水之清洗過程及 乾燥過程。 雖然前述具體例為本發明之清潔裝置結合具有加工順 序之加工洛的清潔配備範例,但可單獨使用本清潔裝置作 為獨立型裝置。此種情況下例如可藉連結具有本清潔裝置 之載荷部件及卸載部件的轉運區段而構成獨立裝置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 此外須了解加工標的非僅限於本具體例之半導體晶圓 ,LCD基材,玻璃基材,CD基材,光罩,印刷基材陶瓷基材 等也適用作為本裝置及方法之加工標的。 如前述根據本發明之清潔裝置,因惰性氣體引進乾燥 腔室内故乾燥腔室之氣氛處於比較處理浴更高壓條件下, 故可防止化學品由處理浴進入乾燥腔室。又因次一加工浴 之加工過程可於乾燥過程中準備,故可改良清潔裝置的通 過料量。此外也因該配置可使乾燥腔室及加工浴於彼此獨 立條件下設計,故可獲得最佳清潔處理及進一步縮小清潔 本紙張尺度適财國ϋ家辟(CNS ) ( 210X297公董) -27- 406330 A7 ~~~ ________B7_ 五、發明説明(25) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝置,原因為製程設計之自由度增高之故。此外因前述配 置可使乾燥腔室容積縮小,故當需要解除乾燥腔室之壓縮 同時填充有機溶織氛時,可減小乾燥腔室及加工浴之壁 厚度。此外,可使用低功率真空泵解除壓縮。 此外根據本發明之清潔裝置,由於設置有可藉惰性氣 流層遮蔽開口的遮蔽裝置,故可於化學加工物件使遮蔽加 工浴不接近乾燥腔室,故可防止化學品由加工浴進入乾燥 腔室。 此外根據本發明之清潔裝置,當藉第一門及第二門開 或閉時,第一門及第二門間之餘隙可以惰性氣流遮蔽。如 此可防止化學氣武由加工浴注進乾燥腔室。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 再度根據本發明之清潔方法,因乾燥腔室係與加工浴 隔開,故執行乾燥過程時可準備次一加工浴之過程,故清 潔裝置之通過料量改良。此外因該配置可使乾燥腔室及加 工浴於彼此獨立條件下設計,故可獲得最佳清潔過程及進 一步縮小清潔裝置,原因為製程設計之自由度増高之故。 此外因前述配置可使乾燥腔室之容積縮小,故當需要解除 乾燥腔室之壓縮同時填液有機溶劑氣氛時,可減小乾燥腔 室及加工浴之壁厚度。此外可以低功率真空泵解除壓縮。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210XW7公釐) -28- 406330 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(26 ) 元件標號對照 1...清潔裝置 46,48,51,54·.·開關閥 2...載荷區段 47...收集浴 3...清潔區段 23,25...化學品清潔浴 4...卸載區段 49…泵 5...載具 .22,28…卡盤清潔/乾燥浴 6...備用部件 24,26…洗滌清潔浴 7...載荷部件 50·.·過濾器 8,17...轉運臂 52...阻擋器 11-13···晶圓轉運單元 5 3...排放口 14...管路區段 56...旋轉桿 15...卸載部件 57...接合板 16...備用部件 58···旋轉驅動單元 18...載具轉運區段 59...固定機制 19...載具輸送器 59a...通風口 20...載具儲存區段 59b...進氣口 21...晶圓卡盤 59c...氮氣簾 27…清潔單元 61-62."開口 29-32...隔板 63...蓋 41...清潔浴 64...滑動門配置 42...乾燥腔室 65...0形環 43...晶圓導件 66...蓋引動器 44-45...喷嘴 67...枢轴臂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29- A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(27 ) 68,69…汽缸 70.. .凸緣 71··•開口 72.. .滑動門 72a,72b...氣密封 72c...O形環 73.. .汽缸 74.. .載運件 75.. .晶圓支座 76-78...支撐桿 79.. .固定件 80.. .切槽 81.. .導件升降桿 82.. .抓握機制 82a...氣密封 83.. .晶圓導件Z轴機制 84.. .晶圓卡盤 85,86 喷嘴 87.. .氣體出口 88a·.·内管 88b...外管 89.. .異丙醇蒸發器 90,93,95-97...控制閥 91.. .過濾器 92…氮加熱器 94…異丙醇槽 98-99...排放口 100···入口 101-102...精餾板 103-104···加熱板 105.. .加熱板控制器 106-107...喷嘴 108···冷卻器 109.··控制閥 110.. .排放泵 121.. .旋轉門 122.··驅動單元 -------------;衣------1T------乂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -30-

Claims (1)

  1. 須請委興明示日所提之 -^'〇£-本.省無後更實質内容是否准予修^.0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ‘申請專利範圍 第奶_48號專射請”請專利範圍修 正本 修正曰期:88年〇9月 u-種清潔待加工物件之清潔裝置該&置包括: 個加工/谷,其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内,該加工浴具有一上部部分界定一個上部 開口; —個乾燥腔室,其被包在一設置於加工浴上方的 箱至内,該箱室具有一下部部分界定一下部開口,該 下部開口被連接至位於該乾燥腔室的箱室與該加工浴 之間的上部開口; 轉運裝置’其係用以經由該上部開口及下部開口 開口,於該加工浴及乾燥腔室之間轉運物件; 引進裝置’其係供引進惰性氣體進入乾燥腔室内 俾防止處理浴内之大氣移動至乾燥腔室,該引進裝 包括用以控制被提供至該乾燥腔室内該惰性氣體之 速的裝置;及 ,填充裝置’其係供以一有機溶劑氣氛來填充乾燥 腔室》 2·如申請專利範圍第i項之清潔裝置,其進一步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 3.如申請專利範圍第i項之清潔裝置,其進一步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態 可密封乾燥腔室。 4·如申請專利範圍第1項之清潔裝置,其中該填充裝置 置 流 也 包 --^------iT (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 尽紙张;適用中國國家樣準(CNS ) A4^ ( 21QX297公董)
    須請委興明示日所提之 -^'〇£-本.省無後更實質内容是否准予修^.0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ‘申請專利範圍 第奶_48號專射請”請專利範圍修 正本 修正曰期:88年〇9月 u-種清潔待加工物件之清潔裝置該&置包括: 個加工/谷,其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内,該加工浴具有一上部部分界定一個上部 開口; —個乾燥腔室,其被包在一設置於加工浴上方的 箱至内,該箱室具有一下部部分界定一下部開口,該 下部開口被連接至位於該乾燥腔室的箱室與該加工浴 之間的上部開口; 轉運裝置’其係用以經由該上部開口及下部開口 開口,於該加工浴及乾燥腔室之間轉運物件; 引進裝置’其係供引進惰性氣體進入乾燥腔室内 俾防止處理浴内之大氣移動至乾燥腔室,該引進裝 包括用以控制被提供至該乾燥腔室内該惰性氣體之 速的裝置;及 ,填充裝置’其係供以一有機溶劑氣氛來填充乾燥 腔室》 2·如申請專利範圍第i項之清潔裝置,其進一步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 3.如申請專利範圍第i項之清潔裝置,其進一步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態 可密封乾燥腔室。 4·如申請專利範圍第1項之清潔裝置,其中該填充裝置 置 流 也 包 --^------iT (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 尽紙张;適用中國國家樣準(CNS ) A4^ ( 21QX297公董) 々、申請專利範圍 含一個喷嘴供喷射含有機溶劑之氣體進入乾燥腔室内 ’該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該等 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中内 管於其軸向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開口 ,而外管在於其轴向方向比内管之預定距離更短之距 離間隔處設置有複數個氣體開口。 '5. —種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴,其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内,該加工浴具有一上部部分界定一個上部 開口; 一個乾燥腔室,其被包在一設置於加工浴上方的 箱室内,該箱室於其下部部分具有一下部開口,該下 部開口被連接至位於該乾燥腔室的箱室與該加工浴之 間的上部開口,該物件經由該下部開口及該上部開口 被轉運; 轉運裝置’其係用以經由該上部開口及下部開口 開口,於該加工浴及乾燥腔室之間轉運物件,俾將之 浸浴在加工浴之加工液體内; 填充裝置,其係供以有機溶劑氣氛來填充乾燥腔 室;及 遮蔽裝置,其係用以遮蔽該箱室的下部開口,其 具有一個位於該下部開口之一側並用以排放惰性氣體 之喷出口’以及一個位於該下部開口之另一側並用以 吸收自該喷出口排放的惰性氣體的吸入口,以便形 々、申請專利範圍 含一個喷嘴供喷射含有機溶劑之氣體進入乾燥腔室内 ’該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該等 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中内 管於其軸向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開口 ,而外管在於其轴向方向比内管之預定距離更短之距 離間隔處設置有複數個氣體開口。 '5. —種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴,其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内,該加工浴具有一上部部分界定一個上部 開口; 一個乾燥腔室,其被包在一設置於加工浴上方的 箱室内,該箱室於其下部部分具有一下部開口,該下 部開口被連接至位於該乾燥腔室的箱室與該加工浴之 間的上部開口,該物件經由該下部開口及該上部開口 被轉運; 轉運裝置’其係用以經由該上部開口及下部開口 開口,於該加工浴及乾燥腔室之間轉運物件,俾將之 浸浴在加工浴之加工液體内; 填充裝置,其係供以有機溶劑氣氛來填充乾燥腔 室;及 遮蔽裝置,其係用以遮蔽該箱室的下部開口,其 具有一個位於該下部開口之一側並用以排放惰性氣體 之喷出口’以及一個位於該下部開口之另一側並用以 吸收自該喷出口排放的惰性氣體的吸入口,以便形 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 申請專利範圍 自該喷出口至該吸入口的惰性氣體流來藉此遮蔽該 下部開口。 6. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其進—步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 7. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其進—步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態也 可密封乾燥腔室。 8. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其中該填充裝置包 含一個喷嘴供噴射含有機溶劑之氣體進入乾燥腔室内 該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該等 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中内 管於其軸向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開口 ,而外管於其轴向方向距離間隔在比内管之預定距離 更短之設置有複數個氣體開口處。 t——種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴’其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内; 一個乾燥腔室,其係設置於加工浴上方及設置有, 開口其被置於乾燥腔室本體與處理浴之間,該物件經 由該開口被轉運; 轉運裝置,其係供經由該開口於加工浴與乾燥腔 室之間轉運物件; 填充裝置,其係供以有機溶劑氣氛來填充乾燥腔 室;及 本紙張尺度適用中國國家棣準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ά------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 申請專利範圍 自該喷出口至該吸入口的惰性氣體流來藉此遮蔽該 下部開口。 6. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其進—步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 7. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其進—步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態也 可密封乾燥腔室。 8. 如申請專利範圍第5項之清潔裝置,其中該填充裝置包 含一個喷嘴供噴射含有機溶劑之氣體進入乾燥腔室内 該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該等 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中内 管於其軸向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開口 ,而外管於其轴向方向距離間隔在比内管之預定距離 更短之設置有複數個氣體開口處。 t——種清潔待加工物件之清潔裝置,該裝置包括: 一個加工浴’其係供儲存加工液,該物件被浸沒 於加工浴内; 一個乾燥腔室,其係設置於加工浴上方及設置有, 開口其被置於乾燥腔室本體與處理浴之間,該物件經 由該開口被轉運; 轉運裝置,其係供經由該開口於加工浴與乾燥腔 室之間轉運物件; 填充裝置,其係供以有機溶劑氣氛來填充乾燥腔 室;及 本紙張尺度適用中國國家棣準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ά------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    包 等 Α8 Β8 C8 D8 申凊專利範固 遮蔽袭置,其係供藉惰性氣流來遮蔽該開口; 其中該遮蔽裝置包含一對第一門和第二門被設置 成可開啟與關閉該開口’該第一門具有一前端被成形 為面對第二門且設置有一個排放口以供排放惰性氣體 該第一門具有一前端被成形為面對第一門且設置有 一惰性氣體的進氣口,藉此一惰性氣體流形成於該第 一門的前端與該第二門的前端之間以供遮蔽該開口, 因為於第一和第二門的關閉態下,由第一門的排放口 排放的惰性氣體被抽取通過第二門的進氣口。 10. 如申請專利範圍第9項之清潔裝置,其進一步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 11. 如申請專利範圍第·9項之清潔裝置,其進一步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態也 可密封乾燥腔室。 12. 如申請專利範圍第9項之清潔裝置,其中該填充裝置 含一個喷嘴供喷射含有機溶劑之氣趙進入乾燥腔室 該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中 管於其轴向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開 ’而外管於其轴向方向在比内管之預定距離更短之間 隔距離處設置有複數個氣體開口。 13. —種清潔方法,其係用以清潔一位於裝置内之待加工 物件’該裝置包括:一加工浴,其具有一上部部份界 定一上部開口;與一乾燥腔室,其被包在一被安置於 -^------tr------^ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 内 Π
    包 等 Α8 Β8 C8 D8 申凊專利範固 遮蔽袭置,其係供藉惰性氣流來遮蔽該開口; 其中該遮蔽裝置包含一對第一門和第二門被設置 成可開啟與關閉該開口’該第一門具有一前端被成形 為面對第二門且設置有一個排放口以供排放惰性氣體 該第一門具有一前端被成形為面對第一門且設置有 一惰性氣體的進氣口,藉此一惰性氣體流形成於該第 一門的前端與該第二門的前端之間以供遮蔽該開口, 因為於第一和第二門的關閉態下,由第一門的排放口 排放的惰性氣體被抽取通過第二門的進氣口。 10. 如申請專利範圍第9項之清潔裝置,其進一步包括供交 替開啟及關閉開口的開關裝置。 11. 如申請專利範圍第·9項之清潔裝置,其進一步包括供開 啟及關閉開口的開關裝置,該開關裝置於其關閉態也 可密封乾燥腔室。 12. 如申請專利範圍第9項之清潔裝置,其中該填充裝置 含一個喷嘴供喷射含有機溶劑之氣趙進入乾燥腔室 該喷嘴至少有兩根具不同直徑的内管和外管,該 管彼此齧合而使得其等之外周面彼此隔開;及其中 管於其轴向在預定距離間隔處設置有複數個氣體開 ’而外管於其轴向方向在比内管之預定距離更短之間 隔距離處設置有複數個氣體開口。 13. —種清潔方法,其係用以清潔一位於裝置内之待加工 物件’該裝置包括:一加工浴,其具有一上部部份界 定一上部開口;與一乾燥腔室,其被包在一被安置於 -^------tr------^ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 内 Π AS fi8 C8 D8 申請專利範圍 該加工浴上的箱室内,該等室具有一下部部分界定一 下部開口’其中該下部開口與介於該乾燥腔室和加工 浴之間的上部開口相連接,· 該清潔方法包含下列步稀: (a) 在該物件由外面被帶入該乾燥腔室内之前, 以惰性氣體取代該乾燥腔室中的氣氛; (b) 由該乾燥腔室經由該下部開口與上部開口轉 運該物件進入乾燥腔室,同時由一由該乾燥腔室之側 邊所支承的固持裝置來固持該物件; (c) 於該物件由乾燥腔室轉運至加工浴之前或之 後,儲存加工液於加工浴内並且隨之浸沒該物件於加 工液中, 訂 於浸沒該物件於該加工液體之期間,提供惰 性氣趙至該乾燥腔室申,· (d)經由該上部開口與該下部開口,將該物件由 加工浴轉運至乾燥腔室;以及 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 ,(e)將乾燥腔室填充以有機溶劑氣氛,並乾燥該 物件。 14. 如申請專利範圍第13項之清潔方法,其進—步包括於 轉運加工後的物件至乾燥腔室後關閉該開口的步驟。 15. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其進一步包 括於將加工前的物件由外側轉運至乾燥腔室内部 ,以惰性氣體來置換乾燥腔室之大氣並同時排放乾燥 腔室之大氣之步驟。 '
    本紙張从遑用中Η因家標车(CNS)从胁(21Qx297公董 AS fi8 C8 D8 申請專利範圍 該加工浴上的箱室内,該等室具有一下部部分界定一 下部開口’其中該下部開口與介於該乾燥腔室和加工 浴之間的上部開口相連接,· 該清潔方法包含下列步稀: (a) 在該物件由外面被帶入該乾燥腔室内之前, 以惰性氣體取代該乾燥腔室中的氣氛; (b) 由該乾燥腔室經由該下部開口與上部開口轉 運該物件進入乾燥腔室,同時由一由該乾燥腔室之側 邊所支承的固持裝置來固持該物件; (c) 於該物件由乾燥腔室轉運至加工浴之前或之 後,儲存加工液於加工浴内並且隨之浸沒該物件於加 工液中, 訂 於浸沒該物件於該加工液體之期間,提供惰 性氣趙至該乾燥腔室申,· (d)經由該上部開口與該下部開口,將該物件由 加工浴轉運至乾燥腔室;以及 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 ,(e)將乾燥腔室填充以有機溶劑氣氛,並乾燥該 物件。 14. 如申請專利範圍第13項之清潔方法,其進—步包括於 轉運加工後的物件至乾燥腔室後關閉該開口的步驟。 15. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其進一步包 括於將加工前的物件由外側轉運至乾燥腔室内部 ,以惰性氣體來置換乾燥腔室之大氣並同時排放乾燥 腔室之大氣之步驟。 '
    本紙張从遑用中Η因家標车(CNS)从胁(21Qx297公董
    406330 '申請專利範圍 16. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其進—步包 括於乾燥腔室被填充以有機溶劑氣氛之前,提供惰性 氣體至乾燥腔室以惰性氣體置換乾燥腔室之氣氛同時 排放乾燥腔室之氣氛之步驟。 17. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其中當惰性 氣體被引進乾燥腔室以供於乾燥腔室解除壓縮後恢復 乾燥腔室之大氣壓時,於乾燥腔室恢復大氣壓之期間 惰性氣體之供應經控制而使每單位時間之惰性氣體供 應容積隨時間之經過而增加。 18. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,纟中步驟⑻ 包含下列步驟: 執行物件之化學清潔; 執行物件之水清潔;及 於水清潔後執行物件之臭氧清潔。 •如申請專利範圍第19項之清潔方法,其中該步帅)又 包含於臭氧清潔後執行物件之額外水清潔步驟。 --------^------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
    406330 '申請專利範圍 16. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其進—步包 括於乾燥腔室被填充以有機溶劑氣氛之前,提供惰性 氣體至乾燥腔室以惰性氣體置換乾燥腔室之氣氛同時 排放乾燥腔室之氣氛之步驟。 17. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,其中當惰性 氣體被引進乾燥腔室以供於乾燥腔室解除壓縮後恢復 乾燥腔室之大氣壓時,於乾燥腔室恢復大氣壓之期間 惰性氣體之供應經控制而使每單位時間之惰性氣體供 應容積隨時間之經過而增加。 18. 如申請專利範圍第13或14項之清潔方法,纟中步驟⑻ 包含下列步驟: 執行物件之化學清潔; 執行物件之水清潔;及 於水清潔後執行物件之臭氧清潔。 •如申請專利範圍第19項之清潔方法,其中該步帅)又 包含於臭氧清潔後執行物件之額外水清潔步驟。 --------^------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
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