JP4291034B2 - 洗浄装置および基板処理装置 - Google Patents
洗浄装置および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4291034B2 JP4291034B2 JP2003121398A JP2003121398A JP4291034B2 JP 4291034 B2 JP4291034 B2 JP 4291034B2 JP 2003121398 A JP2003121398 A JP 2003121398A JP 2003121398 A JP2003121398 A JP 2003121398A JP 4291034 B2 JP4291034 B2 JP 4291034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- cleaning
- chuck
- pure water
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 208
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 63
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 58
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 204
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 140
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 6
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を保持しつつ搬送するためのチャックを洗浄する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板、液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板など（以下、単に「基板」と称する）を製造する工程では、基板を所定の位置に移動させる搬送装置が適宜用いられる。このような搬送装置として、例えば基板を保持するチャックを備えた装置などが提案されている。チャックは、直接基板に接触するため、基板に付着している薬液などが付着するという問題がある。このようにして汚染されたチャックがそのまま他の基板を搬送すると、それらの基板を汚染させる。したがって、チャックは、常に清浄な状態に保つ必要がある。
【０００３】
従来より、チャックに対して洗浄液（液体）による洗浄処理を行うことにより、チャックを清浄な状態に保つ洗浄装置が提案されている。このような装置が、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
図８は、従来のチャックを洗浄する洗浄装置１００を示す概略図である。洗浄装置１００は、チャック１１１を洗浄するための洗浄液としての純水ＬＱを溜める洗浄槽１０１と、搬送アーム１１０のチャック１１１に対して窒素ガスを噴射する一対の噴射ノズル１０２を備えている。なお、チャック１１１は図示しない昇降機構によってＺ軸方向に昇降し、洗浄槽１０１とのＺ軸方向の相対位置が変更可能とされている。
【０００５】
洗浄槽１０１には、チャック１１１が最下方に配置された場合に、チャック１１１が純水ＬＱに浸るように、十分の量の純水ＬＱが供給されている。一対の噴射ノズル１０２は、それぞれの噴射口が所定の方向に向くように配置されており、図示しないガス供給機構から供給される窒素ガスを所定のタイミングで噴射する。
【０００６】
このような従来の洗浄装置１００では、以下のような手順でチャック１１１の洗浄が行われる。まず、チャック１１１が昇降機構によって下降し、洗浄槽１０１に浸される。そして、十分な時間が経過した後に、昇降機構がチャック１１１の上昇を開始する。
【０００７】
このとき、チャック１１１の上昇に合わせて噴射ノズル１０２が窒素ガスの噴射を開始する。すなわち、窒素ガスを噴射する噴射ノズル１０２によって、上昇するチャック１１１を走査する。このようにして、噴射ノズル１０２が窒素ガスを吹き付けることにより、チャック１１１に付着した水滴（純水ＬＱ）が除去される。
【０００８】
ここで、室温（２５℃前後）で使用される純水ＬＱは、比較的電気抵抗が高いという特性がある。したがって、洗浄槽１０１における洗浄が終了した時点で、チャック１１１を室温状態の純水ＬＱ中から引き上げると、チャック１１１と純水ＬＱとの間の摩擦によって静電気が発生し、チャック１１１が静電気によって帯電する。帯電した状態のチャック１１１を洗浄槽１０１から引き上げると、チャック１１１には比較的多くの純水ＬＱが水滴として付着するため、噴射ノズル１０２による水滴除去処理を長時間行う必要がある。
【０００９】
そこで、従来の洗浄装置１００では、噴射ノズル１０２から窒素ガスを噴射したままの状態で、チャック１１１を上下に昇降させ、噴射ノズル１０２による走査を複数回繰り返すことにより、チャック１１１に付着した水滴を除去する。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−２８６８３１公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の洗浄装置１００のように、水滴除去処理に長時間を要すると、それによってスループットが低下するという問題があった。また、その間（比較的長時間）、噴射ノズル１０２から窒素ガスを噴射するため、多量の窒素ガスを必要とするという問題があった。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チャックの洗浄処理において、水滴除去処理に要する時間を短縮することによってスループットの向上を図るとともに、噴射するガスの量を削減することを第１の目的とする。
【００１３】
また、このような洗浄装置では、チャックをより清浄に保つことが要求されている。したがって、本発明は、洗浄性能を向上させることを第２の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持するチャックを洗浄する洗浄装置であって、前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部とを備え、前記液供給機構は、純水に第１の処理を施し、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液生成手段と、純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施し、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液生成手段とを有する。
【００１６】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る洗浄装置であって、前記第１の液体生成手段は、前記第１の処理として純水に二酸化炭素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての炭酸水を生成する二酸化炭素添加手段を有し、前記第２の液体生成手段は、前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段を有する。
【００１７】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る洗浄装置であって、前記第１の液体生成手段は、前記第１の処理として純水に過酸化水素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての過酸化水素水を生成する過酸化水素添加手段を有し、前記第２の液体生成手段は、前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段を有する。
【００１８】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る洗浄装置であって、前記液供給機構が、前記第１の液体生成手段から前記洗浄槽の下部に前記第１の液体を供給する配管を備え、前記配管を介して前記第１の液体に係る新液を前記洗浄槽に供給し、前記洗浄槽の上部から前記第１の液体に係る旧液を流出させることにより、前記第１の液体について旧液を新液と置換する。
【００２１】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る洗浄装置であって、前記洗浄槽は、前記液供給機構から供給される前記第１の液体を、前記洗浄槽内で分散させる分散手段を有する。
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の洗浄装置であって、前記チャックを鉛直方向に昇降させる昇降機構をさらに備えており、前記昇降機構により前記チャックを前記洗浄槽の上方から前記洗浄槽に下降させる際に、前記吐出ノズルから吐出される第２の液体で前記チャックを洗浄してから、前記洗浄槽に貯留される第１の液体で前記チャックをさらに洗浄した後、前記昇降手段により前記チャックを前記洗浄槽から上昇させる際に、前記噴射ノズルから噴出されるガスで前記チャックに付着した前記第１の液体および前記第２の液体を除去する。
【００２２】
また、請求項７の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記所定の処理を実行するための少なくとも１つの処理ユニットと、前記基板を保持するチャックを有し、前記チャックによって保持した基板を前記処理ユニットに搬送する搬送装置と、前記チャックを液体に浸すことにより洗浄する洗浄装置とを備え、前記洗浄装置が、前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部とを有し、前記液供給機構は、純水に第１の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された当該第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液体生成手段と、純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された当該第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液体生成手段とを有する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００２４】
＜１． 第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の構成を示す概略図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００２５】
第１の実施の形態における基板処理装置１は、インデクサＩＤ、処理ユニットＰＵ１ないしＰＵ３（以下、これらを総称する場合には、「処理ユニットＰＵ」と称する）、搬送ロボットＴＲ、洗浄装置ＷＡ、および制御装置ＣＵを備えている。また、インデクサＩＤに対して、洗浄装置ＷＡ、処理ユニットＰＵ１ないしＰＵ３が一列に配置されている。
【００２６】
インデクサＩＤは、装置外の搬送機構またはオペレータによって、基板処理装置１に搬入される基板を受け取る機能を有する。また、基板処理装置１における処理が完了した基板を装置外に払い出す機能をも有している。
【００２７】
処理ユニットＰＵは、それぞれが基板に対して所定の処理を行うユニットである。本実施の形態における基板処理装置１では、処理ユニットＰＵ１は基板を乾燥する乾燥処理ユニットであり、処理ユニットＰＵ２は基板を純水に浸けることによって処理する純水処理ユニットであり、処理ユニットＰＵ３は基板を所定の薬液により洗浄する洗浄処理ユニットである。
【００２８】
このような処理ユニットＰＵを備えることにより、基板処理装置１は、基板の製造工程において、一連の洗浄・乾燥処理を実行する装置としての機能を有する。
【００２９】
搬送ロボットＴＲは、チャック２１により基板を保持する搬送アーム２０（図２参照）と、搬送アーム２０をＺ軸方向に昇降させる昇降機構（図示せず）とを備えている。搬送ロボットＴＲは、チャック２１によって基板を保持しつつ、図１に矢印で示すように、Ｘ軸方向に移動することにより、各処理ユニットＰＵ間において基板を搬送する。なお、搬送ロボットＴＲは、図２におけるＹ軸方向に沿って複数枚の基板を同時に搬送することが可能とされている。すなわち、本実施の形態における搬送ロボットＴＲは、いわゆるバッチ処理可能な搬送装置として構成されている。
【００３０】
図２は、第１の実施の形態における洗浄装置ＷＡを示す図である。なお、図２に示す洗浄槽１０、分散板１５、および配管１３２は断面図である。
【００３１】
洗浄装置ＷＡは、室温以上に加熱された純水（以下、「温水ＨＬＱ」と称する）を内部に収容する洗浄槽１０、チャック２１に対して窒素ガスを噴射する噴射ノズル１１、チャック２１に対して温水ＨＬＱを吐出する吐出ノズル１２、洗浄槽１０内に温水ＨＬＱを供給する液供給機構１３、噴射ノズル１１に窒素ガスを供給するガス供給機構１４、および分散板１５を備える。
【００３２】
これにより、洗浄装置ＷＡは、洗浄槽１０に収容された温水ＨＬＱにチャック２１を浸すことにより、チャック２１を洗浄する装置として構成されている。なお、純水は、一般的に温度の上昇とともに電気抵抗が下がるため、室温以上に加熱された純水である温水ＨＬＱは、室温における純水の電気抵抗よりも、その電気抵抗が低い液体である。
【００３３】
洗浄槽１０は、上部に蓋のない箱状の構造物であり、内部が温水ＨＬＱを溜めるための槽を形成している。洗浄槽１０の底部には、温水ＨＬＱが流入するための開口部が設けられ、その開口部には液供給機構１３の配管１３２が取り付けられる。また、洗浄槽１０に供給された温水ＨＬＱは、洗浄槽１０の上部からオーバーフローによって洗浄槽１０から流出する。なお、本実施の形態における洗浄装置ＷＡは、２つのチャック２１のそれぞれに対して１つの洗浄槽１０が設けられる二槽式となっているが、大サイズの洗浄槽を設ける一槽式であってもよい。
【００３４】
Ｙ軸方向に沿って伸びる噴射ノズル１１は、２つのチャック２１に対してそれぞれ一対ずつ設けられる。すなわち、洗浄装置ＷＡは、計４つの噴射ノズル１１を備えている。また、噴射ノズル１１は、ガス供給機構１４と連通接続されており、ガス供給機構１４から供給される窒素ガスをチャック２１に噴射することによって、チャック２１に付着した温水ＨＬＱを除去する。
【００３５】
噴射ノズル１１と同様にＹ軸方向に沿って伸びる吐出ノズル１２は、左右のチャック２１に対してそれぞれ１つずつ設けられており、液供給機構１３から供給される温水ＨＬＱをチャック２１に向けて吐出する。
【００３６】
なお、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２の数は、上記の数に限られるものではない。また、洗浄槽１０、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２のＹ軸方向の長さは、搬送アーム２０のＹ軸方向の長さに応じて規定されており、チャック２１を洗浄するために必要な長さが確保されている。なお、搬送アーム２０のＹ軸方向の長さは、搬送ロボットＴＲが同時に搬送する基板の数に応じて設計される。
【００３７】
液供給機構１３は、室温の純水の供給源となる供給タンク１３０、純水を加熱する加熱装置１３１、温水ＨＬＱ（または純水）を導く配管１３２、および温水ＨＬＱを適宜配液する配液機構１３３から構成される。液供給機構１３は、各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に対して、温水ＨＬＱを供給する機能を有している。なお、図２では図示を省略しているが、液供給機構１３は、制御装置ＣＵと信号のやり取りが可能な状態で接続されており、制御装置ＣＵによる制御が可能とされている。
【００３８】
供給タンク１３０には、各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に供給される純水が貯留される。貯留された純水は、配管１３２によって導かれて、加熱装置１３１に供給される。
【００３９】
加熱装置１３１は、供給タンク１３０から供給された純水を室温以上に加熱して温水ＨＬＱを生成し、配液機構１３３を介して各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に向けて送り出す装置である。
【００４０】
配液機構１３３は、主に制御装置ＣＵによって開閉制御される複数の開閉バルブと分岐配管とから構成される。配液機構１３３は、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて、これらの開閉バルブを所定のタイミングで開閉することにより、洗浄処理の進行状況に応じて温水ＨＬＱを配液する。
【００４１】
なお、本実施の形態における配液機構１３３は、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの量にかかわらず、洗浄槽１０内に温水ＨＬＱを配液する。したがって、洗浄槽１０の容積より多くの温水ＨＬＱが供給されると、洗浄槽１０の上部から温水ＨＬＱが流出する。これにより、液供給機構１３は、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱについて旧液を新液と置換することができる。したがって、新液との置換により洗浄槽１０内に汚染された旧液が残留することを抑制することができるため、洗浄装置ＷＡの洗浄性能を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施の形態における基板処理装置１は、液供給機構１３が、洗浄槽１０に供給する液体と同一の液体を吐出ノズル１２に供給する液体とすることにより、液供給機構１３における供給経路（供給タンク１３０と配液機構１３３との間の経路）を共通化することができるため、装置構成を複雑化させる必要がない。なお、供給タンク１３０および加熱装置１３１は、基板処理装置１の装置外に設けられていてもよい。すなわち、装置外から室温以上に加熱された純水が配液機構１３３によって各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に配液されるように構成してもよい。また、配液機構１３３が温水ＨＬＱを送液する機構（駆動ポンプなど）を備えていてもよい。
【００４３】
分散板１５はそれぞれの洗浄槽１０内に設けられる板状の部材である。分散板１５は、各洗浄槽１０の底部に設けられている開口部と対向する位置に、ＸＹ平面に対して並行となるように配置される。分散板１５の表面にはＺ軸方向に貫通する複数の孔が一様にパンチングされている。したがって、洗浄槽１０に供給される温水ＨＬＱは、まず、分散板１５に向けて吐出され、分散板１５の表面に一様に設けられた孔を通過することとなる。
【００４４】
これにより、洗浄槽１０に新たに供給される温水ＨＬＱを洗浄槽１０内に均一化した状態で供給することができる。したがって、例えば、チャック２１が浸されることにより汚染された旧液が、洗浄槽１０内の一部に滞留することを防止することができ、旧液と新液とがすみやかに置換される。これにより、洗浄装置ＷＡによる洗浄性能を向上させることができる。
【００４５】
ガス供給機構１４は、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて、洗浄処理の進行状況に応じて窒素ガスを各噴射ノズル１１に供給する。なお、ガス供給機構１４が供給するガスは窒素ガスに限られるものではないが、性質の安定した清浄な気体が適している。
【００４６】
なお、洗浄装置ＷＡは、各洗浄槽１０内に温度センサ（図示せず）を備えており、検出結果を制御装置ＣＵに出力することが可能とされている。これにより、制御装置ＣＵは、各洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの温度に応じて各構成を適切に制御することができる。例えば、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの温度が十分に上昇し、チャック２１の洗浄を行う液温での電気抵抗が室温における純水の電気抵抗よりも十分低い状態となってから、チャック２１の洗浄を開始するように制御することができる。
【００４７】
図１に戻って、制御装置ＣＵは、詳細は図示しないが、演算処理を行うＣＰＵ、設定値やプログラムなどの各種データを記憶する記憶部を備える。また、制御装置ＣＵは、オペレータが基板処理装置１に対して指示を入力するための操作部、およびオペレータにデータを出力する出力部を備えている。
【００４８】
制御装置ＣＵは、基板処理装置１の各構成と信号のやり取りが可能な状態で接続されており、予め記憶部に記憶されているプログラムに基づいて動作することによって、それらの構成を制御する。
【００４９】
以上が、本実施の形態における基板処理装置１の機能および構成の説明である。次に、基板処理装置１におけるチャック２１の洗浄処理動作について説明する。なお、基板処理装置１では、特に断らない限り、制御装置ＣＵからの制御信号に基づいて、以下の動作が実行される。また、各処理ユニットＰＵで行う処理については説明を省略する。
【００５０】
基板処理装置１は、例えば、各処理ユニットＰＵにおいて基板に対する処理が行われている間など、搬送ロボットＴＲによる基板の搬送が行われていないタイミングで、洗浄装置ＷＡによるチャック２１の洗浄を行う。なお、洗浄処理を実行するのに先立って、液供給機構１３は、配液機構１３３により所定量の温水ＨＬＱを各洗浄槽１０内に供給しておく。
【００５１】
図３ないし図６は、洗浄装置ＷＡにおける洗浄処理を示す図である。まず、搬送ロボットＴＲが、搬送アーム２０を洗浄装置ＷＡの洗浄槽１０の上方に配置する。次に、搬送アーム２０（チャック２１）を（−Ｚ）方向に下降させる。チャック２１の下降動作が開始されると、配液機構１３３が吐出ノズル１２に温水ＨＬＱを供給し、吐出ノズル１２が温水ＨＬＱの吐出を開始する（図３）。これにより、チャック２１は、下降しながら吐出ノズル１２によって走査される。
【００５２】
このように、洗浄装置ＷＡでは、吐出ノズル１２からの温水ＨＬＱの水流をチャック２１に当てることによって付着した汚染物を除去する。したがって、図８に示す洗浄装置１００のように、単にチャック１１１を純水ＬＱに浸すだけの場合に比べて、洗浄性能が向上する。
【００５３】
チャック２１が洗浄槽１０の温水ＨＬＱに完全に浸る位置まで下降すると、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の下降動作を停止する。また、配液機構１３３が各吐出ノズル１２への配液を停止し、温水ＨＬＱの吐出が停止する。なお、温水ＨＬＱの吐出を停止させるタイミングは、これに限られるものではなく、例えば、吐出ノズル１２によるチャック２１の走査が完了した時点で停止するようにしてもよい。
【００５４】
この動作と前後して、配液機構１３３は、各洗浄槽１０に温水ＨＬＱの供給を開始する。配管１３２を介して各洗浄槽１０の底部から供給された温水ＨＬＱは、図４に矢印で示すように、分散板１５によって分散され、洗浄槽１０内にムラなく供給される。
【００５５】
このように、各洗浄槽１０では、底部のほぼ全面から均一に（＋Ｚ）方向に温水ＨＬＱの新液が供給され、旧液は洗浄槽１０の上部からオーバーフローにより外に流出する。したがって、洗浄装置ＷＡは、チャック２１から剥離した汚染物を洗浄槽１０内に滞留させることなく、旧液とともにすみやかに排出することができるため、洗浄性能が向上する。
【００５６】
また、温水ＨＬＱは、室温の純水に比べて、酸・アルカリ・金属などの汚染物の除去能力（洗浄能力）にすぐれているため、これによっても洗浄装置ＷＡの洗浄性能が向上する。
【００５７】
チャック２１を所定の時間温水ＨＬＱに浸した後、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の上昇動作を開始する（図４）。この上昇動作の開始と並行して、ガス供給機構１４が噴射ノズル１１に窒素ガスを供給する（図５）。これにより、噴射ノズル１１からチャック２１に対して窒素ガスが噴射され、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査が開始される。
【００５８】
なお、搬送ロボットＴＲが、搬送アーム２０の上昇動作を急速に行うと、引き上げられたチャック２１には比較的多くの水滴が付着する。したがって、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム２０を下降させたときに比べて十分に低速で搬送アーム２０を上昇させる。これにより、チャック２１に付着する水滴の量を低減することができる。
【００５９】
搬送ロボットＴＲによる搬送アーム２０の上昇動作によって、チャック２１が噴射ノズル１１よりも上方位置に達すると、ガス供給機構１４が窒素ガスの供給を停止して、窒素ガスの噴射を停止させる。これにより、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査が終了する（図６）。すなわち、洗浄装置ＷＡでは、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査は１回だけ実行される。
【００６０】
本実施の形態における洗浄装置ＷＡでは、チャック２１を洗浄する液体として、室温における純水よりも電気抵抗の低い温水ＨＬＱを用いているため、チャック２１に帯電する静電気の電荷量を低く抑えることができる。これにより、チャック２１を洗浄槽１０から引き上げたときに付着する水滴の量は従来の洗浄装置１００に比べて低減される（水切れ性が向上する）。
【００６１】
このように、洗浄装置ＷＡでは、チャック２１の水切れ性を向上させることによって、水滴除去処理に要する時間を短縮することができるため、前述のように、噴射ノズル１１による１回の走査だけでも、チャック２１に付着した水滴を十分に除去することができる。したがって、本実施の形態における洗浄装置ＷＡのスループットが向上するとともに、使用する窒素ガスの量を抑制することができる。
【００６２】
搬送アーム２０が所定の位置まで上昇すると、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の上昇動作を停止させる。また、配液機構１３３は、所定の時間が経過し、十分に旧液と新液との置換が行われた時点で、各洗浄槽１０に対する温水ＨＬＱの供給を停止する。これによって、基板処理装置１におけるチャック２１の洗浄処理が完了する。
【００６３】
以上により、本実施の形態における基板処理装置１では、チャック２１を浸して洗浄するための液体として、室温以上に加熱された温水ＨＬＱを用いるため、洗浄処理においてチャック２１に帯電する静電気の電荷量を減少させることができ、チャック２１に付着する水滴の量を減少させることができる。したがって、水滴除去処理の時間を短縮することができるため、スループットが向上するとともに、消費する窒素ガスの量を抑制することができる。
【００６４】
また、温水ＨＬＱは、室温の純水に比べて洗浄能力が高いため、洗浄装置ＷＡの洗浄性能が向上する。
【００６５】
また、液供給機構１３が、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱについて旧液を新液と置換することにより、洗浄効率を向上させることができる。
【００６６】
また、チャックを洗浄する温水ＨＬＱをチャック２１に対して吐出する吐出ノズル１２を備えることにより、液流を用いてチャック２１を洗浄することができるため、さらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００６７】
また、液供給機構１３が、洗浄槽に貯留された液体と同一の液体である温水ＨＬＱを吐出ノズルに供給することにより、液供給機構１３における供給経路を共通化することができるため、装置構成を簡略化することができる。
【００６８】
また、液供給機構１３から供給される温水ＨＬＱを、洗浄槽１０内で分散させる分散板１５を備えることにより、温水ＨＬＱを洗浄槽内に均一に供給することができる。
【００６９】
＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、室温における純水より電気抵抗が低い液体として、室温以上に加熱した純水（温水ＨＬＱ）を用いる例について説明した。しかし、この液体は、加熱した純水に限られるものではなく、チャックからの液切れがよく、チャックに何らの残留物（固体成分など）を残すことなく除去可能な液体であれば、他の液体が用いられてもよい。
【００７０】
図７は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置１の液供給機構１３ａを示すブロック図である。本実施の形態における基板処理装置１は、液供給機構１３ａを有する点を除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様であるため、適宜、説明を省略する。
【００７１】
液供給機構１３ａは、二酸化炭素添加装置１３４を備え、洗浄槽１０への供給経路と吐出ノズル１２への供給経路がそれぞれ別経路として設けられている。
【００７２】
二酸化炭素添加装置１３４は、通過する液体に二酸化炭素（ＣＯ２）を溶解させる機能を有する装置である。本実施の形態では、供給タンク１３０が二酸化炭素添加装置１３４に対して室温の純水を供給するため、二酸化炭素添加装置１３４では炭酸水が生成され、洗浄槽１０に対して送り出される。すなわち、本実施の形態における洗浄装置ＷＡでは、炭酸水がチャック２１洗浄用の液体となる。
【００７３】
配液機構１３３ａは、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて開閉バルブを開閉することにより、炭酸水を洗浄槽１０に配液する。また、配液機構１３３ｂは、第１の実施の形態における配液機構１３３と同様に、温水ＨＬＱを吐出ノズル１２に配液する。
【００７４】
以上のように、第２の実施の形態における洗浄装置ＷＡは、チャック２１洗浄用の液体として炭酸水を用いることができる。炭酸水は、室温の純水より電気抵抗が低く、また、汚染物の除去能力も高いため、第２の実施の形態における基板処理装置１は、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
なお、液体は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）であってもよい。その場合は、二酸化炭素添加装置１３４に替えて、供給タンク１３０から供給される純水に過酸化水素を添加する装置を用いればよい。
【００７６】
＜３． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００７７】
例えば、チャック２１を洗浄槽１０に浸す回数は２回以上であってもよい。すなわち、一旦引き上げたチャック２１を再度下降させて洗浄槽１０に浸すようにしてもよい。その場合は、最後にチャック２１を引き上げたときにのみ噴射ノズル１１による窒素ガスの噴射を行ってもよい。
【００７８】
また、配液機構１３３は、温水ＨＬＱを常に洗浄槽１０に供給するようにしてもよい。
【００７９】
また、上記実施の形態では、搬送アーム２０が昇降するように構成したが、洗浄槽１０、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２が連動して昇降するように構成してもよい。すなわち、チャック２１と洗浄槽１０との相対距離を変更することができれば、どのような構成であってもよい。
【００８０】
また、洗浄装置ＷＡに、チャック２１のＺ軸方向の位置を検出するセンサを設けて、このセンサからの出力に応じて、洗浄装置ＷＡの各構成が動作するように構成してもよい。
【００８１】
【発明の効果】
請求項１ないし７に記載の発明では、チャックを洗浄するための液体として、チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体が用いられていることにより、チャックに帯電する電荷量が抑制され、チャックに付着する液体の量が減少するため、噴射ノズルによるガスの噴射時間を短縮することができる。したがって、処理時間の短縮と、噴射するガスの量を減少させることができる。
【００８２】
請求項２および請求項３に記載の発明では、第２の液体が、加熱手段によって室温以上に加熱された純水であることにより、室温における純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８３】
請求項２に記載の発明では、第１の液体が、炭酸水であることにより、純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８４】
請求項３に記載の発明では、第１の液体が、過酸化水素水であることにより、純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８５】
請求項４に記載の発明では、液供給機構が、洗浄槽内の液体について旧液を新液と置換することにより、洗浄効率を向上させることができる。
【００８６】
請求項１ないし７に記載の発明では、チャックを洗浄する液体をチャックに対して吐出する吐出ノズルをさらに備えることにより、チャックの洗浄に液流を用いることによって、さらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００８８】
請求項５に記載の発明では、前記洗浄槽が、液供給機構から供給される第１の液体を、洗浄槽内で分散させる分散手段を有することにより、液体を洗浄槽内に均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１の実施の形態における洗浄装置を示す図である。
【図３】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図４】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図５】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図６】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図７】第２の実施の形態における基板処理装置の液供給機構を示すブロック図である。
【図８】従来の洗浄装置を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
１０ 洗浄槽
１１ 噴射ノズル
１２ 吐出ノズル
１３，１３ａ 液供給機構
１３０ 供給タンク
１３１ 加熱装置
１３３，１３３ａ，１３３ｂ 配液機構
１３４ 二酸化炭素添加装置
１４ ガス供給機構
１５ 分散板
２０ 搬送アーム
２１ チャック
ＣＵ 制御装置
ＨＬＱ 温水
ＬＱ 純水
ＰＵ，ＰＵ１，ＰＵ２，ＰＵ３ 処理ユニット
ＴＲ 搬送ロボット
ＷＡ 洗浄装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を保持しつつ搬送するためのチャックを洗浄する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板、液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板など（以下、単に「基板」と称する）を製造する工程では、基板を所定の位置に移動させる搬送装置が適宜用いられる。このような搬送装置として、例えば基板を保持するチャックを備えた装置などが提案されている。チャックは、直接基板に接触するため、基板に付着している薬液などが付着するという問題がある。このようにして汚染されたチャックがそのまま他の基板を搬送すると、それらの基板を汚染させる。したがって、チャックは、常に清浄な状態に保つ必要がある。
【０００３】
従来より、チャックに対して洗浄液（液体）による洗浄処理を行うことにより、チャックを清浄な状態に保つ洗浄装置が提案されている。このような装置が、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
図８は、従来のチャックを洗浄する洗浄装置１００を示す概略図である。洗浄装置１００は、チャック１１１を洗浄するための洗浄液としての純水ＬＱを溜める洗浄槽１０１と、搬送アーム１１０のチャック１１１に対して窒素ガスを噴射する一対の噴射ノズル１０２を備えている。なお、チャック１１１は図示しない昇降機構によってＺ軸方向に昇降し、洗浄槽１０１とのＺ軸方向の相対位置が変更可能とされている。
【０００５】
洗浄槽１０１には、チャック１１１が最下方に配置された場合に、チャック１１１が純水ＬＱに浸るように、十分の量の純水ＬＱが供給されている。一対の噴射ノズル１０２は、それぞれの噴射口が所定の方向に向くように配置されており、図示しないガス供給機構から供給される窒素ガスを所定のタイミングで噴射する。
【０００６】
このような従来の洗浄装置１００では、以下のような手順でチャック１１１の洗浄が行われる。まず、チャック１１１が昇降機構によって下降し、洗浄槽１０１に浸される。そして、十分な時間が経過した後に、昇降機構がチャック１１１の上昇を開始する。
【０００７】
このとき、チャック１１１の上昇に合わせて噴射ノズル１０２が窒素ガスの噴射を開始する。すなわち、窒素ガスを噴射する噴射ノズル１０２によって、上昇するチャック１１１を走査する。このようにして、噴射ノズル１０２が窒素ガスを吹き付けることにより、チャック１１１に付着した水滴（純水ＬＱ）が除去される。
【０００８】
ここで、室温（２５℃前後）で使用される純水ＬＱは、比較的電気抵抗が高いという特性がある。したがって、洗浄槽１０１における洗浄が終了した時点で、チャック１１１を室温状態の純水ＬＱ中から引き上げると、チャック１１１と純水ＬＱとの間の摩擦によって静電気が発生し、チャック１１１が静電気によって帯電する。帯電した状態のチャック１１１を洗浄槽１０１から引き上げると、チャック１１１には比較的多くの純水ＬＱが水滴として付着するため、噴射ノズル１０２による水滴除去処理を長時間行う必要がある。
【０００９】
そこで、従来の洗浄装置１００では、噴射ノズル１０２から窒素ガスを噴射したままの状態で、チャック１１１を上下に昇降させ、噴射ノズル１０２による走査を複数回繰り返すことにより、チャック１１１に付着した水滴を除去する。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−２８６８３１公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の洗浄装置１００のように、水滴除去処理に長時間を要すると、それによってスループットが低下するという問題があった。また、その間（比較的長時間）、噴射ノズル１０２から窒素ガスを噴射するため、多量の窒素ガスを必要とするという問題があった。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チャックの洗浄処理において、水滴除去処理に要する時間を短縮することによってスループットの向上を図るとともに、噴射するガスの量を削減することを第１の目的とする。
【００１３】
また、このような洗浄装置では、チャックをより清浄に保つことが要求されている。したがって、本発明は、洗浄性能を向上させることを第２の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を保持するチャックを洗浄する洗浄装置であって、前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部とを備え、前記液供給機構は、純水に第１の処理を施し、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液生成手段と、純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施し、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液生成手段とを有する。
【００１６】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る洗浄装置であって、前記第１の液体生成手段は、前記第１の処理として純水に二酸化炭素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての炭酸水を生成する二酸化炭素添加手段を有し、前記第２の液体生成手段は、前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段を有する。
【００１７】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る洗浄装置であって、前記第１の液体生成手段は、前記第１の処理として純水に過酸化水素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての過酸化水素水を生成する過酸化水素添加手段を有し、前記第２の液体生成手段は、前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段を有する。
【００１８】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る洗浄装置であって、前記液供給機構が、前記第１の液体生成手段から前記洗浄槽の下部に前記第１の液体を供給する配管を備え、前記配管を介して前記第１の液体に係る新液を前記洗浄槽に供給し、前記洗浄槽の上部から前記第１の液体に係る旧液を流出させることにより、前記第１の液体について旧液を新液と置換する。
【００２１】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る洗浄装置であって、前記洗浄槽は、前記液供給機構から供給される前記第１の液体を、前記洗浄槽内で分散させる分散手段を有する。
また、請求項６の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の洗浄装置であって、前記チャックを鉛直方向に昇降させる昇降機構をさらに備えており、前記昇降機構により前記チャックを前記洗浄槽の上方から前記洗浄槽に下降させる際に、前記吐出ノズルから吐出される第２の液体で前記チャックを洗浄してから、前記洗浄槽に貯留される第１の液体で前記チャックをさらに洗浄した後、前記昇降手段により前記チャックを前記洗浄槽から上昇させる際に、前記噴射ノズルから噴出されるガスで前記チャックに付着した前記第１の液体および前記第２の液体を除去する。
【００２２】
また、請求項７の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、前記所定の処理を実行するための少なくとも１つの処理ユニットと、前記基板を保持するチャックを有し、前記チャックによって保持した基板を前記処理ユニットに搬送する搬送装置と、前記チャックを液体に浸すことにより洗浄する洗浄装置とを備え、前記洗浄装置が、前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部とを有し、前記液供給機構は、純水に第１の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された当該第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液体生成手段と、純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された当該第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液体生成手段とを有する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００２４】
＜１． 第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の構成を示す概略図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００２５】
第１の実施の形態における基板処理装置１は、インデクサＩＤ、処理ユニットＰＵ１ないしＰＵ３（以下、これらを総称する場合には、「処理ユニットＰＵ」と称する）、搬送ロボットＴＲ、洗浄装置ＷＡ、および制御装置ＣＵを備えている。また、インデクサＩＤに対して、洗浄装置ＷＡ、処理ユニットＰＵ１ないしＰＵ３が一列に配置されている。
【００２６】
インデクサＩＤは、装置外の搬送機構またはオペレータによって、基板処理装置１に搬入される基板を受け取る機能を有する。また、基板処理装置１における処理が完了した基板を装置外に払い出す機能をも有している。
【００２７】
処理ユニットＰＵは、それぞれが基板に対して所定の処理を行うユニットである。本実施の形態における基板処理装置１では、処理ユニットＰＵ１は基板を乾燥する乾燥処理ユニットであり、処理ユニットＰＵ２は基板を純水に浸けることによって処理する純水処理ユニットであり、処理ユニットＰＵ３は基板を所定の薬液により洗浄する洗浄処理ユニットである。
【００２８】
このような処理ユニットＰＵを備えることにより、基板処理装置１は、基板の製造工程において、一連の洗浄・乾燥処理を実行する装置としての機能を有する。
【００２９】
搬送ロボットＴＲは、チャック２１により基板を保持する搬送アーム２０（図２参照）と、搬送アーム２０をＺ軸方向に昇降させる昇降機構（図示せず）とを備えている。搬送ロボットＴＲは、チャック２１によって基板を保持しつつ、図１に矢印で示すように、Ｘ軸方向に移動することにより、各処理ユニットＰＵ間において基板を搬送する。なお、搬送ロボットＴＲは、図２におけるＹ軸方向に沿って複数枚の基板を同時に搬送することが可能とされている。すなわち、本実施の形態における搬送ロボットＴＲは、いわゆるバッチ処理可能な搬送装置として構成されている。
【００３０】
図２は、第１の実施の形態における洗浄装置ＷＡを示す図である。なお、図２に示す洗浄槽１０、分散板１５、および配管１３２は断面図である。
【００３１】
洗浄装置ＷＡは、室温以上に加熱された純水（以下、「温水ＨＬＱ」と称する）を内部に収容する洗浄槽１０、チャック２１に対して窒素ガスを噴射する噴射ノズル１１、チャック２１に対して温水ＨＬＱを吐出する吐出ノズル１２、洗浄槽１０内に温水ＨＬＱを供給する液供給機構１３、噴射ノズル１１に窒素ガスを供給するガス供給機構１４、および分散板１５を備える。
【００３２】
これにより、洗浄装置ＷＡは、洗浄槽１０に収容された温水ＨＬＱにチャック２１を浸すことにより、チャック２１を洗浄する装置として構成されている。なお、純水は、一般的に温度の上昇とともに電気抵抗が下がるため、室温以上に加熱された純水である温水ＨＬＱは、室温における純水の電気抵抗よりも、その電気抵抗が低い液体である。
【００３３】
洗浄槽１０は、上部に蓋のない箱状の構造物であり、内部が温水ＨＬＱを溜めるための槽を形成している。洗浄槽１０の底部には、温水ＨＬＱが流入するための開口部が設けられ、その開口部には液供給機構１３の配管１３２が取り付けられる。また、洗浄槽１０に供給された温水ＨＬＱは、洗浄槽１０の上部からオーバーフローによって洗浄槽１０から流出する。なお、本実施の形態における洗浄装置ＷＡは、２つのチャック２１のそれぞれに対して１つの洗浄槽１０が設けられる二槽式となっているが、大サイズの洗浄槽を設ける一槽式であってもよい。
【００３４】
Ｙ軸方向に沿って伸びる噴射ノズル１１は、２つのチャック２１に対してそれぞれ一対ずつ設けられる。すなわち、洗浄装置ＷＡは、計４つの噴射ノズル１１を備えている。また、噴射ノズル１１は、ガス供給機構１４と連通接続されており、ガス供給機構１４から供給される窒素ガスをチャック２１に噴射することによって、チャック２１に付着した温水ＨＬＱを除去する。
【００３５】
噴射ノズル１１と同様にＹ軸方向に沿って伸びる吐出ノズル１２は、左右のチャック２１に対してそれぞれ１つずつ設けられており、液供給機構１３から供給される温水ＨＬＱをチャック２１に向けて吐出する。
【００３６】
なお、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２の数は、上記の数に限られるものではない。また、洗浄槽１０、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２のＹ軸方向の長さは、搬送アーム２０のＹ軸方向の長さに応じて規定されており、チャック２１を洗浄するために必要な長さが確保されている。なお、搬送アーム２０のＹ軸方向の長さは、搬送ロボットＴＲが同時に搬送する基板の数に応じて設計される。
【００３７】
液供給機構１３は、室温の純水の供給源となる供給タンク１３０、純水を加熱する加熱装置１３１、温水ＨＬＱ（または純水）を導く配管１３２、および温水ＨＬＱを適宜配液する配液機構１３３から構成される。液供給機構１３は、各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に対して、温水ＨＬＱを供給する機能を有している。なお、図２では図示を省略しているが、液供給機構１３は、制御装置ＣＵと信号のやり取りが可能な状態で接続されており、制御装置ＣＵによる制御が可能とされている。
【００３８】
供給タンク１３０には、各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に供給される純水が貯留される。貯留された純水は、配管１３２によって導かれて、加熱装置１３１に供給される。
【００３９】
加熱装置１３１は、供給タンク１３０から供給された純水を室温以上に加熱して温水ＨＬＱを生成し、配液機構１３３を介して各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に向けて送り出す装置である。
【００４０】
配液機構１３３は、主に制御装置ＣＵによって開閉制御される複数の開閉バルブと分岐配管とから構成される。配液機構１３３は、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて、これらの開閉バルブを所定のタイミングで開閉することにより、洗浄処理の進行状況に応じて温水ＨＬＱを配液する。
【００４１】
なお、本実施の形態における配液機構１３３は、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの量にかかわらず、洗浄槽１０内に温水ＨＬＱを配液する。したがって、洗浄槽１０の容積より多くの温水ＨＬＱが供給されると、洗浄槽１０の上部から温水ＨＬＱが流出する。これにより、液供給機構１３は、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱについて旧液を新液と置換することができる。したがって、新液との置換により洗浄槽１０内に汚染された旧液が残留することを抑制することができるため、洗浄装置ＷＡの洗浄性能を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施の形態における基板処理装置１は、液供給機構１３が、洗浄槽１０に供給する液体と同一の液体を吐出ノズル１２に供給する液体とすることにより、液供給機構１３における供給経路（供給タンク１３０と配液機構１３３との間の経路）を共通化することができるため、装置構成を複雑化させる必要がない。なお、供給タンク１３０および加熱装置１３１は、基板処理装置１の装置外に設けられていてもよい。すなわち、装置外から室温以上に加熱された純水が配液機構１３３によって各洗浄槽１０および各吐出ノズル１２に配液されるように構成してもよい。また、配液機構１３３が温水ＨＬＱを送液する機構（駆動ポンプなど）を備えていてもよい。
【００４３】
分散板１５はそれぞれの洗浄槽１０内に設けられる板状の部材である。分散板１５は、各洗浄槽１０の底部に設けられている開口部と対向する位置に、ＸＹ平面に対して並行となるように配置される。分散板１５の表面にはＺ軸方向に貫通する複数の孔が一様にパンチングされている。したがって、洗浄槽１０に供給される温水ＨＬＱは、まず、分散板１５に向けて吐出され、分散板１５の表面に一様に設けられた孔を通過することとなる。
【００４４】
これにより、洗浄槽１０に新たに供給される温水ＨＬＱを洗浄槽１０内に均一化した状態で供給することができる。したがって、例えば、チャック２１が浸されることにより汚染された旧液が、洗浄槽１０内の一部に滞留することを防止することができ、旧液と新液とがすみやかに置換される。これにより、洗浄装置ＷＡによる洗浄性能を向上させることができる。
【００４５】
ガス供給機構１４は、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて、洗浄処理の進行状況に応じて窒素ガスを各噴射ノズル１１に供給する。なお、ガス供給機構１４が供給するガスは窒素ガスに限られるものではないが、性質の安定した清浄な気体が適している。
【００４６】
なお、洗浄装置ＷＡは、各洗浄槽１０内に温度センサ（図示せず）を備えており、検出結果を制御装置ＣＵに出力することが可能とされている。これにより、制御装置ＣＵは、各洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの温度に応じて各構成を適切に制御することができる。例えば、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱの温度が十分に上昇し、チャック２１の洗浄を行う液温での電気抵抗が室温における純水の電気抵抗よりも十分低い状態となってから、チャック２１の洗浄を開始するように制御することができる。
【００４７】
図１に戻って、制御装置ＣＵは、詳細は図示しないが、演算処理を行うＣＰＵ、設定値やプログラムなどの各種データを記憶する記憶部を備える。また、制御装置ＣＵは、オペレータが基板処理装置１に対して指示を入力するための操作部、およびオペレータにデータを出力する出力部を備えている。
【００４８】
制御装置ＣＵは、基板処理装置１の各構成と信号のやり取りが可能な状態で接続されており、予め記憶部に記憶されているプログラムに基づいて動作することによって、それらの構成を制御する。
【００４９】
以上が、本実施の形態における基板処理装置１の機能および構成の説明である。次に、基板処理装置１におけるチャック２１の洗浄処理動作について説明する。なお、基板処理装置１では、特に断らない限り、制御装置ＣＵからの制御信号に基づいて、以下の動作が実行される。また、各処理ユニットＰＵで行う処理については説明を省略する。
【００５０】
基板処理装置１は、例えば、各処理ユニットＰＵにおいて基板に対する処理が行われている間など、搬送ロボットＴＲによる基板の搬送が行われていないタイミングで、洗浄装置ＷＡによるチャック２１の洗浄を行う。なお、洗浄処理を実行するのに先立って、液供給機構１３は、配液機構１３３により所定量の温水ＨＬＱを各洗浄槽１０内に供給しておく。
【００５１】
図３ないし図６は、洗浄装置ＷＡにおける洗浄処理を示す図である。まず、搬送ロボットＴＲが、搬送アーム２０を洗浄装置ＷＡの洗浄槽１０の上方に配置する。次に、搬送アーム２０（チャック２１）を（−Ｚ）方向に下降させる。チャック２１の下降動作が開始されると、配液機構１３３が吐出ノズル１２に温水ＨＬＱを供給し、吐出ノズル１２が温水ＨＬＱの吐出を開始する（図３）。これにより、チャック２１は、下降しながら吐出ノズル１２によって走査される。
【００５２】
このように、洗浄装置ＷＡでは、吐出ノズル１２からの温水ＨＬＱの水流をチャック２１に当てることによって付着した汚染物を除去する。したがって、図８に示す洗浄装置１００のように、単にチャック１１１を純水ＬＱに浸すだけの場合に比べて、洗浄性能が向上する。
【００５３】
チャック２１が洗浄槽１０の温水ＨＬＱに完全に浸る位置まで下降すると、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の下降動作を停止する。また、配液機構１３３が各吐出ノズル１２への配液を停止し、温水ＨＬＱの吐出が停止する。なお、温水ＨＬＱの吐出を停止させるタイミングは、これに限られるものではなく、例えば、吐出ノズル１２によるチャック２１の走査が完了した時点で停止するようにしてもよい。
【００５４】
この動作と前後して、配液機構１３３は、各洗浄槽１０に温水ＨＬＱの供給を開始する。配管１３２を介して各洗浄槽１０の底部から供給された温水ＨＬＱは、図４に矢印で示すように、分散板１５によって分散され、洗浄槽１０内にムラなく供給される。
【００５５】
このように、各洗浄槽１０では、底部のほぼ全面から均一に（＋Ｚ）方向に温水ＨＬＱの新液が供給され、旧液は洗浄槽１０の上部からオーバーフローにより外に流出する。したがって、洗浄装置ＷＡは、チャック２１から剥離した汚染物を洗浄槽１０内に滞留させることなく、旧液とともにすみやかに排出することができるため、洗浄性能が向上する。
【００５６】
また、温水ＨＬＱは、室温の純水に比べて、酸・アルカリ・金属などの汚染物の除去能力（洗浄能力）にすぐれているため、これによっても洗浄装置ＷＡの洗浄性能が向上する。
【００５７】
チャック２１を所定の時間温水ＨＬＱに浸した後、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の上昇動作を開始する（図４）。この上昇動作の開始と並行して、ガス供給機構１４が噴射ノズル１１に窒素ガスを供給する（図５）。これにより、噴射ノズル１１からチャック２１に対して窒素ガスが噴射され、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査が開始される。
【００５８】
なお、搬送ロボットＴＲが、搬送アーム２０の上昇動作を急速に行うと、引き上げられたチャック２１には比較的多くの水滴が付着する。したがって、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム２０を下降させたときに比べて十分に低速で搬送アーム２０を上昇させる。これにより、チャック２１に付着する水滴の量を低減することができる。
【００５９】
搬送ロボットＴＲによる搬送アーム２０の上昇動作によって、チャック２１が噴射ノズル１１よりも上方位置に達すると、ガス供給機構１４が窒素ガスの供給を停止して、窒素ガスの噴射を停止させる。これにより、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査が終了する（図６）。すなわち、洗浄装置ＷＡでは、噴射ノズル１１によるチャック２１の走査は１回だけ実行される。
【００６０】
本実施の形態における洗浄装置ＷＡでは、チャック２１を洗浄する液体として、室温における純水よりも電気抵抗の低い温水ＨＬＱを用いているため、チャック２１に帯電する静電気の電荷量を低く抑えることができる。これにより、チャック２１を洗浄槽１０から引き上げたときに付着する水滴の量は従来の洗浄装置１００に比べて低減される（水切れ性が向上する）。
【００６１】
このように、洗浄装置ＷＡでは、チャック２１の水切れ性を向上させることによって、水滴除去処理に要する時間を短縮することができるため、前述のように、噴射ノズル１１による１回の走査だけでも、チャック２１に付着した水滴を十分に除去することができる。したがって、本実施の形態における洗浄装置ＷＡのスループットが向上するとともに、使用する窒素ガスの量を抑制することができる。
【００６２】
搬送アーム２０が所定の位置まで上昇すると、搬送ロボットＴＲは搬送アーム２０の上昇動作を停止させる。また、配液機構１３３は、所定の時間が経過し、十分に旧液と新液との置換が行われた時点で、各洗浄槽１０に対する温水ＨＬＱの供給を停止する。これによって、基板処理装置１におけるチャック２１の洗浄処理が完了する。
【００６３】
以上により、本実施の形態における基板処理装置１では、チャック２１を浸して洗浄するための液体として、室温以上に加熱された温水ＨＬＱを用いるため、洗浄処理においてチャック２１に帯電する静電気の電荷量を減少させることができ、チャック２１に付着する水滴の量を減少させることができる。したがって、水滴除去処理の時間を短縮することができるため、スループットが向上するとともに、消費する窒素ガスの量を抑制することができる。
【００６４】
また、温水ＨＬＱは、室温の純水に比べて洗浄能力が高いため、洗浄装置ＷＡの洗浄性能が向上する。
【００６５】
また、液供給機構１３が、洗浄槽１０内の温水ＨＬＱについて旧液を新液と置換することにより、洗浄効率を向上させることができる。
【００６６】
また、チャックを洗浄する温水ＨＬＱをチャック２１に対して吐出する吐出ノズル１２を備えることにより、液流を用いてチャック２１を洗浄することができるため、さらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００６７】
また、液供給機構１３が、洗浄槽に貯留された液体と同一の液体である温水ＨＬＱを吐出ノズルに供給することにより、液供給機構１３における供給経路を共通化することができるため、装置構成を簡略化することができる。
【００６８】
また、液供給機構１３から供給される温水ＨＬＱを、洗浄槽１０内で分散させる分散板１５を備えることにより、温水ＨＬＱを洗浄槽内に均一に供給することができる。
【００６９】
＜２． 第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、室温における純水より電気抵抗が低い液体として、室温以上に加熱した純水（温水ＨＬＱ）を用いる例について説明した。しかし、この液体は、加熱した純水に限られるものではなく、チャックからの液切れがよく、チャックに何らの残留物（固体成分など）を残すことなく除去可能な液体であれば、他の液体が用いられてもよい。
【００７０】
図７は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置１の液供給機構１３ａを示すブロック図である。本実施の形態における基板処理装置１は、液供給機構１３ａを有する点を除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様であるため、適宜、説明を省略する。
【００７１】
液供給機構１３ａは、二酸化炭素添加装置１３４を備え、洗浄槽１０への供給経路と吐出ノズル１２への供給経路がそれぞれ別経路として設けられている。
【００７２】
二酸化炭素添加装置１３４は、通過する液体に二酸化炭素（ＣＯ２）を溶解させる機能を有する装置である。本実施の形態では、供給タンク１３０が二酸化炭素添加装置１３４に対して室温の純水を供給するため、二酸化炭素添加装置１３４では炭酸水が生成され、洗浄槽１０に対して送り出される。すなわち、本実施の形態における洗浄装置ＷＡでは、炭酸水がチャック２１洗浄用の液体となる。
【００７３】
配液機構１３３ａは、制御装置ＣＵからの制御信号に応じて開閉バルブを開閉することにより、炭酸水を洗浄槽１０に配液する。また、配液機構１３３ｂは、第１の実施の形態における配液機構１３３と同様に、温水ＨＬＱを吐出ノズル１２に配液する。
【００７４】
以上のように、第２の実施の形態における洗浄装置ＷＡは、チャック２１洗浄用の液体として炭酸水を用いることができる。炭酸水は、室温の純水より電気抵抗が低く、また、汚染物の除去能力も高いため、第２の実施の形態における基板処理装置１は、第１の実施の形態における基板処理装置１と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
なお、液体は、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）であってもよい。その場合は、二酸化炭素添加装置１３４に替えて、供給タンク１３０から供給される純水に過酸化水素を添加する装置を用いればよい。
【００７６】
＜３． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【００７７】
例えば、チャック２１を洗浄槽１０に浸す回数は２回以上であってもよい。すなわち、一旦引き上げたチャック２１を再度下降させて洗浄槽１０に浸すようにしてもよい。その場合は、最後にチャック２１を引き上げたときにのみ噴射ノズル１１による窒素ガスの噴射を行ってもよい。
【００７８】
また、配液機構１３３は、温水ＨＬＱを常に洗浄槽１０に供給するようにしてもよい。
【００７９】
また、上記実施の形態では、搬送アーム２０が昇降するように構成したが、洗浄槽１０、噴射ノズル１１および吐出ノズル１２が連動して昇降するように構成してもよい。すなわち、チャック２１と洗浄槽１０との相対距離を変更することができれば、どのような構成であってもよい。
【００８０】
また、洗浄装置ＷＡに、チャック２１のＺ軸方向の位置を検出するセンサを設けて、このセンサからの出力に応じて、洗浄装置ＷＡの各構成が動作するように構成してもよい。
【００８１】
【発明の効果】
請求項１ないし７に記載の発明では、チャックを洗浄するための液体として、チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体が用いられていることにより、チャックに帯電する電荷量が抑制され、チャックに付着する液体の量が減少するため、噴射ノズルによるガスの噴射時間を短縮することができる。したがって、処理時間の短縮と、噴射するガスの量を減少させることができる。
【００８２】
請求項２および請求項３に記載の発明では、第２の液体が、加熱手段によって室温以上に加熱された純水であることにより、室温における純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８３】
請求項２に記載の発明では、第１の液体が、炭酸水であることにより、純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８４】
請求項３に記載の発明では、第１の液体が、過酸化水素水であることにより、純水に比べて洗浄力が高い液体を用いるため、チャックを効率よく洗浄することができる。
【００８５】
請求項４に記載の発明では、液供給機構が、洗浄槽内の液体について旧液を新液と置換することにより、洗浄効率を向上させることができる。
【００８６】
請求項１ないし７に記載の発明では、チャックを洗浄する液体をチャックに対して吐出する吐出ノズルをさらに備えることにより、チャックの洗浄に液流を用いることによって、さらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００８８】
請求項５に記載の発明では、前記洗浄槽が、液供給機構から供給される第１の液体を、洗浄槽内で分散させる分散手段を有することにより、液体を洗浄槽内に均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１の実施の形態における洗浄装置を示す図である。
【図３】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図４】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図５】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図６】洗浄装置における洗浄処理を示す図である。
【図７】第２の実施の形態における基板処理装置の液供給機構を示すブロック図である。
【図８】従来の洗浄装置を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板処理装置
１０ 洗浄槽
１１ 噴射ノズル
１２ 吐出ノズル
１３，１３ａ 液供給機構
１３０ 供給タンク
１３１ 加熱装置
１３３，１３３ａ，１３３ｂ 配液機構
１３４ 二酸化炭素添加装置
１４ ガス供給機構
１５ 分散板
２０ 搬送アーム
２１ チャック
ＣＵ 制御装置
ＨＬＱ 温水
ＬＱ 純水
ＰＵ，ＰＵ１，ＰＵ２，ＰＵ３ 処理ユニット
ＴＲ 搬送ロボット
ＷＡ 洗浄装置
Claims (7)
- 基板を保持するチャックを洗浄する洗浄装置であって、
前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、
前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、
前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、
前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、
前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部と、
を備え、
前記液供給機構は、
純水に第１の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された当該第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液体生成手段と、
純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された当該第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液体生成手段と、
を有することを特徴とする洗浄装置。 - 請求項１に記載の洗浄装置であって、
前記第１の液体生成手段は、
前記第１の処理として純水に二酸化炭素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての炭酸水を生成する二酸化炭素添加手段、
を有し、
前記第２の液体生成手段は、
前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段、
を有することを特徴とする洗浄装置。 - 請求項１に記載の洗浄装置であって、
前記第１の液体生成手段は、
前記第１の処理として純水に過酸化水素を添加する処理を行うことにより、前記第１の液体としての過酸化水素水を生成する過酸化水素添加手段、
を有し、
前記第２の液体生成手段は、
前記第２の処理として純水を室温以上に加熱する処理を行うことにより、前記第２の液体を生成する加熱手段、
を有することを特徴とする洗浄装置。 - 請求項１ないし３のいずれかに記載の洗浄装置であって、
前記液供給機構は、前記第１の液体生成手段から前記洗浄槽の下部に前記第１の液体を供給する配管を備え、
前記配管を介して前記第１の液体に係る新液を前記洗浄槽に供給し、前記洗浄槽の上部から前記第１の液体に係る旧液を流出させることにより、前記第１の液体について旧液を新液と置換することを特徴とする洗浄装置。 - 請求項１ないし４のいずれかに記載の洗浄装置であって、
前記洗浄槽は、前記液供給機構から供給される前記第１の液体を、前記洗浄槽内で分散させる分散手段を有することを特徴とする洗浄装置。 - 請求項１ないし５のいずれかに記載の洗浄装置であって、
前記チャックを鉛直方向に昇降させる昇降機構をさらに備えており、
前記昇降機構により前記チャックを前記洗浄槽の上方から前記洗浄槽に下降させる際に、前記吐出ノズルから吐出される第２の液体で前記チャックを洗浄してから、
前記洗浄槽に貯留される第１の液体で前記チャックをさらに洗浄した後、
前記昇降手段により前記チャックを前記洗浄槽から上昇させる際に、前記噴射ノズルから噴出されるガスで前記チャックに付着した前記第１の液体および前記第２の液体を除去することを特徴とする洗浄装置。 - 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記所定の処理を実行するための少なくとも１つの処理ユニットと、
前記基板を保持するチャックを有し、前記チャックによって保持した基板を前記処理ユニットに搬送する搬送装置と、
前記チャックを液体に浸すことにより洗浄する洗浄装置と、
を備え、
前記洗浄装置が、
前記チャックの洗浄を行う液温での電気抵抗が、室温における純水の電気抵抗よりも低い液体を貯留し、当該液体によって前記チャックを洗浄する洗浄槽と、
前記チャックを洗浄する液体を前記チャックに対して吐出する吐出ノズルと、
前記洗浄槽および前記吐出ノズルに前記液体を供給する液供給機構と、
前記チャックに対してガスを噴射することにより、前記チャックに付着した前記液体を除去する噴射ノズルと、
前記噴射ノズルに前記ガスを供給するガス供給部と、
を有し、
前記液供給機構は、
純水に第１の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低い第１の液体を生成するとともに、生成された当該第１の液体を前記洗浄槽に供給する第１の液体生成手段と、
純水に前記第１の処理と異なる第２の処理を施して、室温における純水の電気抵抗よりも低く、かつ前記第１の液体と異なる第２の液体を生成するとともに、生成された当該第２の液体を前記吐出ノズルに供給する第２の液体生成手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003121398A JP4291034B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 洗浄装置および基板処理装置 |
| KR1020040028488A KR100579536B1 (ko) | 2003-04-25 | 2004-04-24 | 세정 장치 및 기판 처리 장치 |
| US10/832,127 US20040211449A1 (en) | 2003-04-25 | 2004-04-26 | Cleaning apparatus and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003121398A JP4291034B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 洗浄装置および基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004321971A JP2004321971A (ja) | 2004-11-18 |
| JP4291034B2 true JP4291034B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=33296560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003121398A Expired - Fee Related JP4291034B2 (ja) | 2003-04-25 | 2003-04-25 | 洗浄装置および基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040211449A1 (ja) |
| JP (1) | JP4291034B2 (ja) |
| KR (1) | KR100579536B1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI282586B (en) * | 2004-02-24 | 2007-06-11 | Innolux Display Corp | Etching system and de-ion water adding set |
| DE102007012859B4 (de) * | 2007-03-17 | 2009-01-02 | Josef Albrecht Bohrfutterfabrik Gmbh & Co. Kg | Spülbares Futter |
| TWI479559B (zh) * | 2007-06-28 | 2015-04-01 | Quantum Global Tech Llc | 以選擇性噴灑蝕刻來清潔腔室部件的方法和設備 |
| CN102658271B (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-25 | 山东美医林电子仪器有限公司 | 悬丝式血流变仪测量机构自动清洗方法及装置 |
| CN103506345B (zh) * | 2012-06-25 | 2015-11-25 | 路克捷国际股份有限公司 | 除胶机及除胶方法 |
| WO2014082212A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer |
| TWI546878B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-08-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| JP6262430B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2018-01-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9178370B2 (en) * | 2012-12-28 | 2015-11-03 | Irobot Corporation | Coverage robot docking station |
| JP6262431B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2018-01-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN103447252A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-18 | 安徽宝辉清洗设备制造有限公司 | 阀体清洗机 |
| JP6473353B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2019-02-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法 |
| CN106112764B (zh) * | 2016-07-04 | 2018-05-15 | 天津拾起卖科技有限公司 | 一种废旧金属回收除锈装置 |
| CN106984584A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-07-28 | 禹州市银星专用磨料有限公司 | 一种磨料水洗机 |
| CN206935948U (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-30 | 河南裕展精密科技有限公司 | 清理装置 |
| CN107755334B (zh) * | 2017-12-07 | 2020-10-13 | 江苏玖玖嘉一超声科技有限公司 | 一种单臂输送清洗机 |
| DE102018121708A1 (de) * | 2018-09-05 | 2020-03-05 | Vaf Gmbh | Reinigungsvorrichtung und Verfahren zum Reinigen eines im Tauchverfahren beschichteten Körpers |
| CN110186091B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-07-16 | 华帝股份有限公司 | 一种用于吸油烟机的自动清洗控制方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3884435T2 (de) * | 1987-03-25 | 1994-02-17 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Erzeugung hochreinen Wassers und Verfahren zur Verwendung dieses Wassers. |
| US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
| US5379784A (en) * | 1993-01-23 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning conveyor chuck |
| JP3308091B2 (ja) * | 1994-02-03 | 2002-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| US5962384A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning semiconductor devices |
| TW503458B (en) * | 2000-07-11 | 2002-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning method and cleaning apparatus for substrate |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
-
2003
- 2003-04-25 JP JP2003121398A patent/JP4291034B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-24 KR KR1020040028488A patent/KR100579536B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-26 US US10/832,127 patent/US20040211449A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040103767A (ko) | 2004-12-09 |
| US20040211449A1 (en) | 2004-10-28 |
| JP2004321971A (ja) | 2004-11-18 |
| KR100579536B1 (ko) | 2006-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4291034B2 (ja) | 洗浄装置および基板処理装置 | |
| TWI709169B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| KR101593651B1 (ko) | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 그리고 기판 액처리 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
| US6746544B2 (en) | Apparatus for cleaning and drying substrates | |
| KR100271772B1 (ko) | 반도체 습식 식각설비 | |
| US20080035182A1 (en) | Substrate Treatment Apparatus | |
| JP2007165833A (ja) | 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム | |
| JP6876570B2 (ja) | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム | |
| KR101055465B1 (ko) | 기판 처리법 및 기판 처리 장치 | |
| KR101329319B1 (ko) | 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치 | |
| KR20090012703A (ko) | 기판 세정 장치 및 방법 | |
| KR101736851B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| CN117438336A (zh) | 基板处理装置 | |
| JP5016417B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP7066471B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20040008059A (ko) | 기판 세정 방법 및 이를 이용한 기판 세정 장치 | |
| JP6473353B2 (ja) | 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法 | |
| JP2005166847A (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
| KR102081710B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
| JP2000005710A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| KR20100094153A (ko) | 기판 처리 장치 및 그 방법 | |
| KR101842120B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP3628879B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| KR20170025792A (ko) | 약액 혼합 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR100885240B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051122 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080804 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081107 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090331 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4291034 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |