JP7314634B2 - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置及び塗布方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7314634B2 JP7314634B2 JP2019108972A JP2019108972A JP7314634B2 JP 7314634 B2 JP7314634 B2 JP 7314634B2 JP 2019108972 A JP2019108972 A JP 2019108972A JP 2019108972 A JP2019108972 A JP 2019108972A JP 7314634 B2 JP7314634 B2 JP 7314634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- nozzle
- processing
- holders
- treatment liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
- B05B12/04—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery for sequential operation or multiple outlets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
前記第1の待機部と第1の吐出位置との間における前記第1のノズルの上面視での第1の移動軌跡と、前記第2の待機部と第2の吐出位置との間における前記第2のノズルの上面視での第2の移動軌跡と、前記第3の待機部と第3の吐出位置との間における前記第3のノズルの上面視での第3の移動軌跡とは、
前記第1の吐出位置及び前記第2の吐出位置が上面視互いに重なる共通吐出位置とされた場合の当該共通吐出位置を除くと、互いに重ならない。
本開示の他の塗布装置は、基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第1の基板に前記連続処理が行われる期間と、前記第2の基板に前記連続処理が行われる期間とが重なるように制御信号を出力する制御部が設けられる。
本開示のさらに他の塗布装置は、基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第1の基板への前記連続処理の実行中における前記他の基板保持部への前記第2の基板の搬送予定の有無に基づいて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる。
本開示のさらに他の塗布装置は、基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
一の前記基板保持部に先に保持された前記第1の基板における前記連続処理の開始のタイミングと、他の前記基板保持部に後に保持された前記第2の基板における前記連続処理の開始のタイミングとの間隔に応じて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる。
本開示のさらに他の塗布装置は、基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
前記第2のノズルの駆動部を共用して移動可能に設けられた、当該第2のノズルを撮像する撮像部と、当該第2のノズルへ向けて照明を当てる照明部と、を備え、
前記照明部は、
第1の照明と、
前記第2のノズルに対し前記第1の照明と異なる、上方からの向きにより光照射する第2の照明と、を有する。
R レジスト
W ウエハ
1 レジスト塗布装置
34A~34C スピンチャック
44 周縁ノズル
45 待機部
54 個別ノズル
55 待機部
61 待機部
71 レジストノズル
Claims (14)
- 基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
前記第1の待機部と第1の吐出位置との間における前記第1のノズルの上面視での第1の移動軌跡と、前記第2の待機部と第2の吐出位置との間における前記第2のノズルの上面視での第2の移動軌跡と、前記第3の待機部と第3の吐出位置との間における前記第3のノズルの上面視での第3の移動軌跡とは、
前記第1の吐出位置及び前記第2の吐出位置が上面視互いに重なる共通吐出位置とされた場合の当該共通吐出位置を除くと、互いに重ならない塗布装置。 - 基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第1の基板に前記連続処理が行われる期間と、前記第2の基板に前記連続処理が行われる期間とが重なるように制御信号を出力する制御部が設けられる塗布装置。 - 基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第1の基板への前記連続処理の実行中における前記他の基板保持部への前記第2の基板の搬送予定の有無に基づいて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる塗布装置。 - 基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
一の前記基板保持部に先に保持された前記第1の基板における前記連続処理の開始のタイミングと、他の前記基板保持部に後に保持された前記第2の基板における前記連続処理の開始のタイミングとの間隔に応じて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる塗布装置。 - 基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置で当該基板に第1の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルと、
前記第1のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置で当該基板に、前記第1の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第2の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルと、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第3の吐出位置で、前記基板に前記第1の処理液及び前記第2の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第3の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第3のノズルと、
前記第1のノズル、前記第2のノズル、前記第3のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第1の待機部、第2の待機部及び第3の待機部と、
前記第1の待機部と前記第1の吐出位置との間にて上面視前記第1のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第3の待機部と前記第3の吐出位置との間にて上面視前記第3のノズルを直線移動させる直動機構と、
前記第2のノズルの駆動部を各々共用して移動可能に設けられた、当該第2のノズルを撮像する撮像部と、当該第2のノズルへ向けて照明を当てる照明部と、を備え、
前記照明部は、
第1の照明と、
前記第2のノズルに対し前記第1の照明と異なる、上方からの向きにより光照射する第2の照明と、を有する塗布装置。 - 前記基板に前記第1のノズルから前記第1の処理液が吐出される期間は、当該基板に前記第2のノズルから前記第2の処理液が吐出される期間よりも長い請求項1ないし5のいずれか一つに記載の塗布装置。
- 前記制御部は、前記第1の基板への前記連続処理の実行中に、
当該連続処理が終わるタイミングに応じて、前記第2の基板への前記連続処理の開始のタイミングを決定する請求項2記載の塗布装置。 - 前記制御部は、前記第2の基板における前記第1の処理液の吐出終了から、前記第2の処理液が吐出されるまでの間隔を、予め設定された範囲内で調整する請求項7記載の塗布装置。
- 前記第1のノズルから前記基板に前記第1の処理液を吐出中、前記第2のノズルは当該基板上で待機する請求項1ないし8のいずれか一つに記載の塗布装置。
- 前記第1の基板への前記連続処理の実行中における前記他の基板保持部への前記第2の基板の搬送予定の有無に基づいて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる請求項2記載の塗布装置。 - 一の前記基板保持部に先に保持された前記第1の基板における前記連続処理の開始のタイミングと、他の前記基板保持部に後に保持された前記第2の基板における前記連続処理の開始のタイミングとの間隔に応じて、
前記第2のノズルについて、前記第1の基板に前記第2の処理液を吐出した後、前記第2の待機部に移動させるか、当該第2の待機部に移動させずに前記第2の基板に対応する前記第2の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる請求項2記載の塗布装置。 - 前記第2のノズルの駆動部を各々共用して移動可能に設けられた、当該第2のノズルを撮像する撮像部と、当該第2のノズルへ向けて照明を当てる照明部と、を備え、
前記照明部は、
第1の照明と、
前記第2のノズルに対し前記第1の照明と異なる、上方からの向きにより光照射する第2の照明と、を有する請求項1ないし4のいずれか一つに記載の塗布装置。 - 複数の基板保持部に基板を各々保持する工程と、
前記基板保持部毎に設けられる第1のノズルを、当該各基板保持部に保持される基板上の第1の吐出位置に配置して、各基板に第1の処理液を吐出する工程と、
前記複数の基板保持部に共用される第2のノズルを前記第1のノズルとは独立して移動させ、前記各基板保持部に保持される基板上の第2の吐出位置に配置する工程と、
前記第1のノズルからの前記基板への前記第1の吐出液の吐出に遅れて、塗布膜形成用の第2の処理液を前記第2の吐出位置における前記第2のノズルから当該基板に吐出する工程と、
前記各第1のノズルを、前記各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で待機させる第1の待機部と前記第1の吐出位置との間で上面視旋回するように移動させる工程と、
を備え、
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第1の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第2の基板とし、
前記第1の待機部から前記第1のノズルが移動を開始するタイミングから前記第2のノズルが第2の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第1の基板に連続処理が行われる期間と、前記第2の基板に連続処理が行われる期間とが重なる塗布方法。 - 前記第1の基板への前記連続処理の実行中に、
当該連続処理が終わるタイミングに応じて、前記第2の基板への前記連続処理の開始のタイミングを決定する工程を含む請求項13記載の塗布方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019108972A JP7314634B2 (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 塗布装置及び塗布方法 |
TW109117806A TW202106395A (zh) | 2019-06-11 | 2020-05-28 | 塗布裝置及塗布方法 |
CN202010500958.2A CN112071771A (zh) | 2019-06-11 | 2020-06-04 | 液处理装置和液处理方法 |
CN202021007532.5U CN213124375U (zh) | 2019-06-11 | 2020-06-04 | 液处理装置 |
KR1020200068290A KR20200141938A (ko) | 2019-06-11 | 2020-06-05 | 도포 장치 및 도포 방법 |
US16/897,922 US11752515B2 (en) | 2019-06-11 | 2020-06-10 | Coating apparatus and coating method |
JP2023110505A JP2023118877A (ja) | 2019-06-11 | 2023-07-05 | 塗布装置及び塗布方法 |
US18/218,457 US20230347369A1 (en) | 2019-06-11 | 2023-07-05 | Coating apparatus and coating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019108972A JP7314634B2 (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 塗布装置及び塗布方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023110505A Division JP2023118877A (ja) | 2019-06-11 | 2023-07-05 | 塗布装置及び塗布方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202315A JP2020202315A (ja) | 2020-12-17 |
JP7314634B2 true JP7314634B2 (ja) | 2023-07-26 |
Family
ID=73656069
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019108972A Active JP7314634B2 (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP2023110505A Pending JP2023118877A (ja) | 2019-06-11 | 2023-07-05 | 塗布装置及び塗布方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023110505A Pending JP2023118877A (ja) | 2019-06-11 | 2023-07-05 | 塗布装置及び塗布方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11752515B2 (ja) |
JP (2) | JP7314634B2 (ja) |
KR (1) | KR20200141938A (ja) |
CN (2) | CN112071771A (ja) |
TW (1) | TW202106395A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11923220B2 (en) * | 2018-01-26 | 2024-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004039828A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法およびプリウェット剤 |
JP2008135679A (ja) | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2010056315A (ja) | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012009812A (ja) | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2013062330A (ja) | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5254367A (en) * | 1989-07-06 | 1993-10-19 | Tokyo Electron Limited | Coating method and apparatus |
US5037676A (en) * | 1989-12-27 | 1991-08-06 | Xerox Corporation | Method and apparatus for cleaning, coating and curing receptor substrates in an enclosed planetary array |
TW204411B (ja) * | 1991-06-05 | 1993-04-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP2870719B2 (ja) * | 1993-01-29 | 1999-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP3171807B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
DE19832038A1 (de) * | 1997-07-17 | 1999-01-28 | Tokyo Electron Ltd | Verfahren und Einrichtung zum Reinigen und Trocknen |
US6131307A (en) * | 1997-08-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Limited | Method and device for controlling pressure and flow rate |
US6248168B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit |
JP3577580B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2004-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 空気駆動式液体供給装置 |
JP2000056474A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
JP4426036B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2001210576A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Nikon Corp | 荷重キャンセル機構、真空チャンバ結合体、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP3545672B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US6647642B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-11-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and method |
JP4100466B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP4033689B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP4570008B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP3913625B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法 |
JP4129958B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 回転駆動装置 |
JP3890025B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
JP4074593B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2008-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
TWI251857B (en) * | 2004-03-09 | 2006-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device |
JP4566035B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
US7891366B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
JP4767783B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP4999415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP5084236B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4825178B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP4901650B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5122265B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5442226B2 (ja) | 2008-07-28 | 2014-03-12 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP2010087169A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
JP2010144221A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガス発生装置及び成膜装置 |
JP4862903B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体 |
KR101534357B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2015-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법 |
CN102224275B (zh) * | 2009-04-03 | 2013-09-11 | 东京毅力科创株式会社 | 蒸镀头及成膜装置 |
JP5045741B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給ノズル及び薬液供給方法 |
JP5494146B2 (ja) * | 2010-04-05 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR101590661B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2016-02-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 |
US8937014B2 (en) * | 2010-10-14 | 2015-01-20 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
JP5263284B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体 |
JP5474853B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
JP5844681B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP5742635B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置のアラーム管理方法および記憶媒体 |
JP5885989B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5667545B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
TWI550686B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-09-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體 |
TWI524456B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-03-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體 |
KR101920941B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2018-11-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 유체의 공급 방법 및 기억 매체 |
JP6026241B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6281161B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6020405B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP6020416B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP6287750B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6104836B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 分離再生装置および基板処理装置 |
JP6342343B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6392035B2 (ja) * | 2014-09-02 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6411172B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6430784B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6454629B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6441176B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6498573B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6614610B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2019-12-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN107221491B (zh) * | 2016-03-22 | 2021-10-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗装置 |
JP2019021747A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置調整方法、記憶媒体及び基板処理システム |
JP6980457B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP7253955B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7254163B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102388407B1 (ko) * | 2019-07-02 | 2022-04-21 | 세메스 주식회사 | 노즐 장치, 기판 처리 장치 및 방법 |
JP7355615B2 (ja) * | 2019-11-25 | 2023-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
US20210265177A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-08-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
JP7370277B2 (ja) * | 2020-02-26 | 2023-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2022083862A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102564512B1 (ko) * | 2020-12-28 | 2023-08-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102479590B1 (ko) * | 2020-12-30 | 2022-12-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2022174633A (ja) * | 2021-05-11 | 2022-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2022188854A (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 |
JP2022188853A (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 気体処理装置及び基板処理装置 |
-
2019
- 2019-06-11 JP JP2019108972A patent/JP7314634B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-28 TW TW109117806A patent/TW202106395A/zh unknown
- 2020-06-04 CN CN202010500958.2A patent/CN112071771A/zh active Pending
- 2020-06-04 CN CN202021007532.5U patent/CN213124375U/zh active Active
- 2020-06-05 KR KR1020200068290A patent/KR20200141938A/ko active Search and Examination
- 2020-06-10 US US16/897,922 patent/US11752515B2/en active Active
-
2023
- 2023-07-05 JP JP2023110505A patent/JP2023118877A/ja active Pending
- 2023-07-05 US US18/218,457 patent/US20230347369A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004039828A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法およびプリウェット剤 |
JP2008135679A (ja) | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2010056315A (ja) | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Sokudo Co Ltd | 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2012009812A (ja) | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2013062330A (ja) | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112071771A (zh) | 2020-12-11 |
JP2023118877A (ja) | 2023-08-25 |
TW202106395A (zh) | 2021-02-16 |
US20230347369A1 (en) | 2023-11-02 |
KR20200141938A (ko) | 2020-12-21 |
CN213124375U (zh) | 2021-05-04 |
JP2020202315A (ja) | 2020-12-17 |
US11752515B2 (en) | 2023-09-12 |
US20200391238A1 (en) | 2020-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101451442B1 (ko) | 세정 장치 및 그 방법, 도포 현상 장치 및 그 방법, 및 기억 매체 | |
JP5457384B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
US9028621B2 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning device | |
US9307653B2 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium for cleaning substrate | |
KR101716926B1 (ko) | 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 | |
US8865396B2 (en) | Developing method and developing apparatus | |
US8342761B2 (en) | Coating/developing apparatus and coating/developing method | |
JP4887310B2 (ja) | 液処理装置 | |
KR102482211B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR20150011764A (ko) | 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체 | |
KR100556012B1 (ko) | 현상처리방법 및 현상처리장치 | |
KR20170017746A (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 | |
KR101609885B1 (ko) | 액처리 장치 | |
US8522714B2 (en) | Wet processing apparatus, wet processing method and storage medium | |
JP5726686B2 (ja) | 液処理装置、及び液処理装置の制御方法 | |
KR101972225B1 (ko) | 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법 | |
JP2023118877A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
US7641406B2 (en) | Bevel inspection apparatus for substrate processing | |
US20230407482A1 (en) | Substrate processing method and storage medium | |
KR101198496B1 (ko) | 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치 | |
JP2010087323A (ja) | 現像処理装置 | |
JP5183994B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7499652B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
KR20210028788A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20210272826A1 (en) | Development processing apparatus and development processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221115 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7314634 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |