KR100427008B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100427008B1 KR100427008B1 KR10-2001-0008825A KR20010008825A KR100427008B1 KR 100427008 B1 KR100427008 B1 KR 100427008B1 KR 20010008825 A KR20010008825 A KR 20010008825A KR 100427008 B1 KR100427008 B1 KR 100427008B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- reaction vessel
- gas
- pure water
- liquid reaction
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 습식 공정 후에 기판 표면에 존재하는 오염물 및 파티클을 세정 공정을 통해 용이하게 제거하면서 세정 공정으로 기판의 표면에 존재하는 순수나 습기를 용이하게 제거하기 위하여, 습식 공정이 완료된 기판을 업-다운 유닛에 로딩한 후 액체반응용기에서 세정하고, 업-다운 유닛을 상승시켜 가스반응용기에서 기판을 건조시키고, 건조가 완료되면 가스반응용기에 구비된 회전축에 기판을 구속시키고, 기판이 구속된 가스반응용기를 이송로봇유닛에 의해 로딩/언로딩 스테이지로 이송시키는 기판 처리 장치에 관하여 기재된다. 본 발명은 업-다운 유닛에 의해 기판의 세정 및 건조 공정을 수행하고, 가스반응용기 내의 회전축에 의해 기판을 구속한 후, 이송로봇유닛에 의해 기판을 로딩/언로딩 스테이지로 이송시키므로, 공정 시간 단축 및 기판의 파손 위험을 줄인다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 습식 공정 후에 기판 표면에 존재하는 오염물 및 파티클을 세정 공정을 통해 용이하게 제거하면서 세정 공정으로 기판의 표면에 존재하는 순수나 습기를 용이하게 제거할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정, LCD 제조 공정, 웨이퍼 제조 공정에 있어서, 여러번의 습식 공정이 수행되는데, 습식 공정이 완료된 기판은 세정 및 건조 처리를 하여야 한다. 기판의 세정 및 건조는 다양한 장비를 이용하여 수행되고 있다. 반도체 제조 공정에서 기판을 건조시키기 위하여, 스핀 건조기(spin dryer)와 키몬 건조기(Kimmon dryer)가 주로 사용되어져 왔다. 스핀 건조기(spin dryer)는 원심력을 이용하여 기판을 건조시키기 때문에 기판이 파손될 염려가 있을 뿐만 아니라, 회전부에서 파티클이 발생하여 기판을 재오염시킬 문제가 있다. 키몬 건조기는 유기용제(organic solvent)인 이소프로필알콜(Isopropyl Alcohol; IPA)을 200℃ 이상가열하여 발생되는 증기를 이용하여 기판의 표면에 흡착되어져 있는 순수를 치환시키므로 기판을 건조시킨다. 그러나, 키몬 건조기는 인화성 물질인 이소프로필알콜을 고온으로 가열하여 기판을 건조시키기 때문에 화재의 위험이 있으며, 기판상에 포토레지스트(photoresist) 패턴이 존재할 경우 고온의 증기로 인한 포토레지스트패턴의 손상(attack)과 동시에 건조기를 오염시키는 문제가 있다.
최근 발표된 'Mattson'사의 건조기는 기판이 고정되는 캐리어(carrier)와, 기판을 건조시키기 위한 나이프 형(knife shape)의 상승 장치가 별도로 구성되어 있어 구조가 복잡하고, 장비의 유지 관리상 번거로움이 많다. 그리고 기판 건조시 에 기판을 지지하기 위한 후드(hood)는 그 내벽에 부가적인 가이드가 설치되어져 있다. 이것은 장비를 정렬할 때 부가적인 변수로 작용하며 반응 기체 흐름을 나쁘게 한다. 또한, 이 건조기는 기판을 건조시킨 후에 기판이 아래로 내려가고, 후드가 열린 다음 기판이 업-다운 유닛에 의하여 리프트 되는데, 이때 로봇 암이 기판을 언로딩하기 때문에 공정시간이 오래 걸리며 , 웨이퍼가 파손되는 등의 기구적인 위험과 장비 가격이 상승하는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 습식 공정 후에 기판 표면에 존재하는 오염물 및 파티클을 세정 공정을 통해 용이하게 제거하면서 세정 공정으로 기판의 표면에 존재하는 순수나 습기를 용이하게 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판을 세정 및 건조함에 있어 그 공정 시간을 단축 시킬 수 있고, 기판의 파손 위험을 줄일 수 있는 기판 처리 장치을 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 순수에 의해 기판을 세정하는 액체반응용기; 건조 가스 및 캐리어 가스에 의해 기판을 건조시키는 가스반응용기; 상기 액체반응용기에 채워진 순수의 수면 위에 위치시킨 후, 기판을 하강시켜 상기 액체반응용기 내에서 기판의 세정이 이루어지게하고, 기판을 상승시켜 상기 가스반응용기 내에서 기판의 건조가 이루어지게하는 업-다운 유닛; 및 상기 액체반응용기에서 기판의 세정이 진행되는 동안 로딩/언로딩 스테이지로부터 상기 가스반응용기를 상기 액체반응용기로 이송시켜 결합시키고, 기판의 건조가 완료되면 기판이 구속된 상기 가스반응용기를 상기 로딩/언로딩 스테이지로 이송시키는 이송로봇 유닛을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10: 액체반응용기 11: 순수 공급/배출 유닛
12: 원 웨이 스트림 유닛 13: 포켓
14: 드레인 배관 15: 갭
20: 가스반응용기 21: 가스공급 유닛
22: 회전축 23: 콘넥터
30: 업-다운 유닛 40: 이송로봇 유닛
50: 로딩/언로딩 스테이지 100: 기판
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 습식 공정 후에 기판(100) 표면에 존재하는 유기물 및 무기물과 같은 파티클을 제거하기 위한 액체반응용기(10)와; 액체반응용기(10)에서의 세정으로 기판(100)에 존재하는 순수나 습기를 제거하기 위한 가스반응용기(20)와; 습식 공정이 완료된 기판(100)을 로딩(loading)하여 액체반응용기(10)에서 세정 공정을 실시하고, 가스반응용기(20)에서 건조 공정을 실시할 수 있도록 하는 업-다운 유닛(30)과; 기판(100)의 건조가 완료되면 기판(100)을 로딩/언로딩 스테이지(50)로 이송하기 위한 이송로봇 유닛(40)을 포함하여 구성된다.
상기에서, 액체반응용기(10)는 기판(100)의 출입이 가능하도록 상부가 개방된다. 액체반응용기(10)의 저면에는 세정용 순수를 공급 및 배출하는 순수 공급/배출 유닛(11)이 구비된다. 액체반응용기(10)에 채워지는 순수를 일 방향으로 흐르게 하여 기판(100)의 세정 효과를 극대화시키기 위해, 액체반응용기(10)의 상부 일 측벽에 원 웨이 스트림 유닛(12)이 구비된다. 원 웨이 스트림 유닛(12)은 그 위치가 수면 바로 아래에 위치되는 것이 바람직하다. 액체반응용기(10)의 상부 다른 측벽, 즉 원 웨이 스트림 유닛(12)에 대향되는 측벽의 외곽부분에 포켓(13)이 구비된다. 포켓(13)은 액체반응용기(10)로부터 오버 플로우되는 순수를 저장하여 드레인 배관(14)을 통해 배출하는 기능을 한다.
가스반응용기(20)는 기판(100)의 출입이 가능하도록 하부가 개방된다. 가스반응용기(20)의 개방부분은 액체반응용기(10)의 개방부분과 동일하다. 가스반응용기(20)는 기판(100)을 건조하기 위한 건조 가스 및 캐리어 가스를 내부에 공급하기 위한 다수의 가스공급 유닛(21)이 구비된다. 기판(100)을 건조시키기 위한 건조 가스는 상온의 이소프로필알콜(Isopropyl alcohol)을 주로 사용하며, 캐리어 가스는 질소를 주로 사용한다. 가스공급 유닛(21)은 가스반응용기(20)의 상부에 위치되는 것이 바람직하지만, 기판(100)에 가스를 균일하게 분사시킬 수 있는 위치라면 어느위치라도 무방하다. 가스반응용기(20)의 양측벽 각각에는 회전축(22)이 구비된다. 기판(100)을 용이하게 구속하기 위하여, 회전축(22)에는 다수의 슬릿(slit) 형성되어 있으며, 슬릿 하나의 공간은 웨이퍼의 두께보다 조금 넓다. 다수의 슬릿이 형성된 회전축(22)은 다양한 모양으로 만들 수 있으며, 기판(100)이 재오염 되는 것을 방지하기 위해 피크(PEEK)나 테프론(Teflon) 같은 재질로 만드는 것이 바람직하다. 회전축(22)은 시계 방향과 반시계 방향으로 회전 가능하며, 구동방법은 도시하지 않았지만 모터 또는 에어 실린더로 구동되어진다. 회전축(22)은 가스반응용기(20)의 내부에 기판(100)이 완전히 투입된 위치를 기준으로 기판(100)의 중심 바로 아래 부분에 위치한다.
업-다운 유닛(30)은 도면에 나타나 있지 않지만, 기판(100)을 지지하고 고정하기 위한 다수의 슬릿이 형성된 지지대와, 기판(100)을 액체반응용기(10) 및 가스반응용기(20)에 자유로이 이송하기 위한 이송 암과, 이 이송 암을 구동시키는 구동장치를 포함하여 이루어진다. 이송 암은 지지대에 로딩된 기판(100)을 액체반응용기(10)의 상면 중 개구 이외의 부분에 형성된 갭(15)을 통해 액체반응용기(10)내로 이송한 후, 하강 및 상승 운동으로 기판(100)이 세정 및 건조되도록 한다.
이송로봇 유닛(40)은 상하좌우 운동을 할 수 있으며, 가스반응용기(20)에 설치된 다수의 콘넥터(23)에 결착하여 세정 공정 동안 가스반응용기(20)를 로딩/언로딩 스테이지(50)로부터 이송시켜 액체반응용기(10)와 결합시키고, 건조 공정이 완료되면 기판(100)이 구속된 상태로 가스반응용기(20)를 로딩/언로딩 스테이지(50)로 옮긴다.
상기한 장치를 이용하여 기판을 세정 및 건조시키는 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
액체반응용기(10)는 순수 공급/배출 유닛(11)을 통해 순수가 채워지고, 원 웨이 스트림 유닛(12)에 의해 순수의 수면은 일 방향으로 흐름이 진행되어 포켓(13)을 통해 순수가 배출된다. 업-다운 유닛(30)은 다수의 기판(100)을 로딩한상태로 순수의 수면 바로 위에 위치된다. 업-다운 유닛(30)의 이송 암의 하강 운동으로 기판(100)은 순수 수면 아래로 잠겨 세정 공정이 진행된다.
세정 공정이 진행되는 동안 가스반응용기(20)는 이송로봇 유닛(40)에 의해 로딩/언로딩 스테이지(50)로부터 액체반응용기(10)로 이동되어 액체반응용기(10) 위로 정렬되며, 서로 마주보는 면이 일치하게 맞추어진다.
액체반응용기(10)와 가스반응용기(20)가 정렬된 상태에서, 액체반응용기(10)에서는 세정 공정이 계속 진행되며, 가스반응용기(20)에서는 가스공급 유닛(21)을 통해 건조 가스 및 캐리어 가스가 공급된다. 건조 가스는 이소프로필알콜을 주로 사용하며, 캐리어 가스는 질소를 주로 사용한다.
일정 시간동안 세정 공정의 진행되면 업-다운 유닛(30)의 이송 암은 상승 운동을 시작하게 된다. 세정 공정 동안 가스반응용기(20) 내부는 건조 가스 및 캐리어 가스로 포화상태를 이루게된다.
업-다운 유닛(30)의 이송 암이 계속 상승하여 순수의 수면을 통과하게되는데, 이때 원 웨이 스트림 유닛(12)에 의한 순수의 흐름으로 기판(100)의 표면에 존재하는 오염물 및 파티클의 제거가 극대화되면서 기판(100)의 건조가 시작된다.
순수의 수면을 통과한 기판(100)은 업-다운 유닛(30)의 이송 암에 의해 가스반응용기(20) 내부로 완전히 들어가게 되고, 업-다운 유닛(30)의 이송 암의 상승 운동은 멈추게된다. 이 상태에서 일정 시간동안 건조 공정이 진행된다. 건조 공정이 완료되면 업-다운 유닛(30)의 이송 암이 다시 상승하여 가스반응용기(20)의 내측벽에 설치된 회전축(22)에 의하여 기판(100)이 지지되고 구속되어진다.
건조 가스 및 캐리어 가스의 공급은 중단되고, 가스반응용기(20)는 기판(100)을 구속한 상태로 이송로봇 유닛(40)에 의해 로딩/언로딩 스테이지로 이송된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 업-다운 유닛에 의해 기판의 세정 및 건조 공정을 수행하고, 가스반응용기 내의 회전축과 고정축에 의해 기판을 구속한 후, 이송로봇유닛에 의해 기판을 로딩/언로딩 스테이지로 이송시키므로, 세정 및 건조 공정을 용이하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 공정 시간 단축 및 기판의 파손 위험을 줄인다.
Claims (4)
- 저면에 구비되어 순수를 공급 및 배출하는 순수 공급/배출 유닛과, 상부 일측벽에 구비되며 순수의 수면 아래에 위치되어 순수를 일 방향으로 흐르게 하는 원웨이 스트림 유닛과, 상기 원 웨이 스트림 유닛에 대향하는 다른 측벽의 외곽부분에 구비되어 오버 플로우되는 순수를 저장하여 드레인 배관을 통해 배출하는 포켓을 포함하며, 기판의 출입이 가능하도록 상부가 개방되며, 순수에 의해 기판을 세정하는 액체반응용기;건조 가스 및 캐리어 가스를 공급하는 다수의 가스공급 유닛과, 내측벽에 설치되어 다수의 슬릿에 의해 기판을 지지 및 구속하며, 시계 방향과 반시계 방향으로 회전하는 회전축을 포함하며, 기판의 출입이 가능하도록 하부가 개방되며, 상기 건조 가스 및 상기 캐리어 가스에 의해 기판을 건조시키는 가스반응용기;상기 액체반응용기 내에서 기판이 세정되고 상기 가스반응용기 내에서 기판이 건조되도록 하강 및 상승 운동을 하는 업-다운 유닛; 및상기 액체반응용기에서 기판의 세정이 진행되는 동안 상기 가스반응용기를 로딩/언로딩 스테이지로부터 상기 액체반응용기로 이송시켜 결합시키고, 상기 업-다운 유닛에 의해 상기 액체반응용기로부터 상기 가스반응용기로 이송된 기판의 건조가 완료되면 기판이 수용된 상기 가스반응용기를 상기 로딩/언로딩 스테이지로 이송시키는 이송로봇 유닛을 포함하여 구성되는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0008825A KR100427008B1 (ko) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0008825A KR100427008B1 (ko) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020068659A KR20020068659A (ko) | 2002-08-28 |
KR100427008B1 true KR100427008B1 (ko) | 2004-04-13 |
Family
ID=27695131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0008825A KR100427008B1 (ko) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100427008B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100885236B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2009-02-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102118A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽 |
JPH10154689A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-06-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
KR19980070821A (ko) * | 1997-01-24 | 1998-10-26 | 히가시데쯔로우 | 세정장치 및 세정방법 |
KR19990013975A (ko) * | 1997-07-17 | 1999-02-25 | 히가시 테쯔로우 | 세정·건조처리방법 및 장치 |
JPH11307507A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ乾燥装置 |
JP2000002234A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Daihatsu Motor Co Ltd | カム軸の軸受装置 |
KR20000032502A (ko) * | 1998-11-14 | 2000-06-15 | 남성호 | 탈기수를 이용한 웨이퍼 건조장치 |
KR20020009351A (ko) * | 2000-07-26 | 2002-02-01 | 한봉섭 | 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법 |
-
2001
- 2001-02-21 KR KR10-2001-0008825A patent/KR100427008B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102118A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの水洗方法および水洗槽 |
JPH10154689A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-06-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
KR19980070821A (ko) * | 1997-01-24 | 1998-10-26 | 히가시데쯔로우 | 세정장치 및 세정방법 |
KR19990013975A (ko) * | 1997-07-17 | 1999-02-25 | 히가시 테쯔로우 | 세정·건조처리방법 및 장치 |
JPH11307507A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ乾燥装置 |
JP2000002234A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Daihatsu Motor Co Ltd | カム軸の軸受装置 |
KR20000032502A (ko) * | 1998-11-14 | 2000-06-15 | 남성호 | 탈기수를 이용한 웨이퍼 건조장치 |
KR20020009351A (ko) * | 2000-07-26 | 2002-02-01 | 한봉섭 | 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020068659A (ko) | 2002-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6395101B1 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
JP3967677B2 (ja) | 乾燥処理装置および基板処理装置 | |
KR100929809B1 (ko) | 기판처리장치 | |
KR102037906B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN103456665B (zh) | 一种基板处理装置及基板处理方法 | |
KR20120033220A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR101536724B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2003168668A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100915645B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2002219424A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102064552B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN112071784B (zh) | 用于处理基板的装置及方法 | |
JP2003224100A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3984004B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100427008B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR100440892B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR101979604B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP2003197718A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100715984B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102414577B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP3892687B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2003077808A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101100275B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP2003031537A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3540550B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130402 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140305 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170329 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180403 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190402 Year of fee payment: 16 |