JP2002541541A - 真空チャンバ内の圧力を調整するためのシステム、このシステムを装備した真空ポンピングユニット - Google Patents

真空チャンバ内の圧力を調整するためのシステム、このシステムを装備した真空ポンピングユニット

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、自己潤滑型の機械式一次ポンプ４と少なくとも１つの二次ポンプ５とからなるポンプユニット３に配管２によって接続された、排出物を含んでいるチャンバ１内の圧力を調整するためのシステムに関する。本発明は、このシステムが、自己潤滑型の機械式一次ポンプ４と二次ポンプ５との回転速度を同時に制御する速度調整器６を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、半導体部品、マイクロテクノロジーデバイスまたはナノテクノロジ
ーデバイスに関係する製造および処理プロセスのための、真空ポンプユニットに
よってポンピングされるプロセスエンクロージャまたはチャンバ内の圧力を調整
するためのシステムに関する。
【０００２】 非常に低い圧力で処理ガスを導入したプロセスチャンバまたはエンクロージャ
の中で、このような製品を製造および処理する工業プロセスにおいて、エンクロ
ージャ内部の圧力を調整することが必要である。１Ｐａから２０Ｐａの程度の非
常に低い圧力は、一般的に（一次ポンプおよび二次ポンプから成る）ポンプユニ
ットと、プロセスチャンバをこのポンプユニットに接続する配管とを有する真空
システムによって得られ、維持される。
【０００３】 半導体デバイス、マイクロテクノロジーデバイスまたはナノテクノロジーデバ
イスを製造するための種々のプロセスにおいて、数多くの汚染の問題がある。い
くつかは、プロセスチャンバからガスを排出する真空システムに関わるものであ
り、さらに正確に言うと、それらはポンピング条件に関わっている。製造する基
板を収容したエンクロージャ（プロセスチャンバ）内部の圧力を調整するシステ
ムは、この汚染の問題のいくつかを解決しなければならない。
【０００４】 チャンバをポンピングするとき、チャンバ内のガスは膨張し、それによりガス
は冷却される。あまりにも急速に圧力が低下した場合、ガスの温度は低下して、
相変化（気体から液体へ、気体から固体へ）が始まる。配管内部およびチャンバ
内部（基板上）では、液滴または粒子が形成される。それらは配管からチャンバ
に拡散してもどり、こうしてチャンバの汚染が増加する。
【０００５】 圧力を急激に低下させると、乱流運動が発生する。このような乱流は、配管お
よびチャンバに堆積した粒子を引きはがし、それらを運んで重大な区域（集積回
路が形成される基板上）に再分散させる。
【０００６】 真空ポンプによりポンピングされるエンクロージャの圧力を調整する知られて
いる方法は、ポンプの吸引に対して直列な可変コンダクタンスバルブを使用し、
これにより、ポンピングされる流量を変えてエンクロージャ内の圧力を変化させ
ることを可能にするものである。バルブの開口している広さは、基準圧力および
エンクロージャ内で計測した圧力に基づいて動作する制御回路から伝達される制
御信号により調節される。
【０００７】 可変コンダクタンスバルブを使用する構成は、大型となり費用も高くつく。
【０００８】 さらに付け加えて、チャンバ出口のすぐ下に配置されて、所定のガス流量でチ
ャンバ内の圧力を調整する調節バルブもやはり、プロセスによりまた何らかの脱
ガスおよび脱離により発生する粒子の堆積を受ける大きな表面エリアを生じる。
逆拡散により、脱離した粒子は次にプロセスチャンバを汚染し、プロセスの信頼
性を低下させる。バルブの存在は、プロセスによって発生した粒子の堆積を除去
するために、定期的に必要となる真空システムのクリーニングというメンテナン
ス操作を増やし、複雑化する。
【０００９】 可変コンダクタンスバルブはまた、避けることのできない機械的な慣性を有し
、これが真空システムの反応時間を増加させる。実際のところ、可変コンダクタ
ンスバルブを有する真空システムは、１Ｐａから２０Ｐａの通常の圧力範囲にお
いて、プロセスの２つのステップの間で、プロセスチャンバ内の圧力を１つの値
から次の値にさせるのに少なくとも約５秒の反応時間を有する。
【００１０】 別の知られている方法は、回転速度を変えることができ、圧力ゲージに対して
サーボ制御可能な機械式一次ポンプを使用するものである。しかしながら、制御
可能なポンピング流量の範囲は、半導体応用にとってあまりにも制限されている
。結果として、高真空においては圧力調整は有効ではなく、汚染も発生し得る。
【００１１】 半導体製造の分野において、ＤＤ２６２０６５Ａの文献に、一次ポンプに続く
直列の２つのルーツタイプの二次ポンプからなる真空システムの使用が教示され
ている。一次ポンプは、一定速度で回転するよう駆動されるロータリーベーンポ
ンプである。ルーツ二次ポンプは、マイクロコントローラにより可変周波数電源
を介して、回転速度を変えるように制御され、こうしてプロセスチャンバ内部の
圧力が変えられる。これにより、圧力を１０Ｐａから１００Ｐａの範囲にわたっ
て変化させることが可能であると、この文献に述べられている。このシステムは
、圧力変動範囲が大気圧に到るような圧力にわたって効果的に制御するには適合
しておらず、可変コンダクタンスバルブを有する真空システムで得られるよりも
短い反応時間を得ることができない。
【００１２】 本発明の目的の１つは、半導体応用、およびマイクロテクノロジー応用または
ナノテクノロジー応用における、すべてのプロセスの段階にわたって圧力調整が
可能となるよう、制御可能なポンピング流量の範囲を著しく増大させることであ
る。
【００１３】 本発明の別の目的は、連続したプロセスの段階間の移行中におけるポンプシス
テムの反応速度を増大させることである。とりわけ、可変コンダクタンスバルブ
を有する真空システムの反応時間よりも明らかに短い反応時間を得ることが望ま
れる。
【００１４】 このために、本発明は、半導体部品、マイクロテクノロジーデバイまたはナノ
テクノロジーデバイスの製造用のプロセスガスを入れるためのエンクロージャ内
の圧力を調整するためのシステムであって、エンクロージャは、乾式機械式一次
ポンプと少なくとも１つの二次ポンプとからなるポンプユニットに配管によって
接続され、 本発明によれば、このシステムは、乾式機械式一次ポンプおよび少なくとも１
つの二次ポンプとの両方の回転速度を同時に制御する速度調整器を有する、エン
クロージャ内の圧力を調整するためのシステムに関する。
【００１５】 本発明による実施形態では、速度調整器は、エンクロージャおよび配管中に含
まれている排出物の凝縮曲線に基づいて計算された、ポンプの所定の回転速度プ
ロファイルにサーボ制御される。
【００１６】 速度調整器は、それ自身または凝縮曲線との組み合わせにより、エンクロージ
ャおよび配管内における排出物の非乱流の流れについての空気力学特性に基づい
て計算された、ポンプの所定の回転速度プロファイルにサーボ制御されることも
可能であることが有利である。
【００１７】 本発明による別の実施形態では、このシステムは、 制御された二次ポンプの上流側に圧力を監視するために取り付けられた圧力ゲ
ージと、 監視された圧力に比例する入力値、および可変の基準圧力に比例する入力値を
受け取り、速度調整器に制御信号を出力して、ポンプの回転速度を入力値に応じ
て増減させる観測器とを含んでいる。
【００１８】 有利には、このシステムは、制御された二次ポンプの上流側に温度を監視する
ために装備された温度プローブを備え、観測器が、監視された温度に比例する入
力値を受け取ることができる。
【００１９】 さらに、この装置は、制御された二次ポンプの上流側に乱流の程度を定量化す
るために装備された乱流センサと備え、観測器が、定量化された乱流の程度に比
例する入力値を有することができる。
【００２０】 本発明はまた、乾式機械式一次ポンプと少なくとも１つの二次ポンプとを有す
るポンプユニット、真空エンクロージャ、および真空エンクロージャをポンプユ
ニットに接続する配管からなる真空ポンピング装置にも関する。
【００２１】 本発明によれば、このポンプ装置は上述した圧力調整器システムを含んでいる
。
【００２２】 乾式一次ポンプと同時に制御される二次ポンプは、ターボ分子ポンプでもよい
。
【００２３】 乾式一次ポンプと同時に制御される二次ポンプは、ルーツタイプのポンプでも
よい。その場合、ターボ分子ポンプを、制御されたルーツタイプの二次ポンプと
調整された圧力エンクロージャまたはプロセスチャンバとの間に介在させること
もできる。
【００２４】 本発明の利点の１つは、ポンプユニットにおいて、一次ポンプおよび少なくと
も１つの二次ポンプが同時にサーボ制御される結果として生じる。これにより、
半導体応用における要求をカバーする１０ｓｃｃｍから１０，０００ｓｃｃｍ（
０．１６ミリバールリッター毎秒（ｍｂａｒ ｌ／ｓｅｃ）から１６６ｍｂａｒ
ｌ／ｓ）の制御可能なポンピング流量範囲を得ることが可能となる。また、真
空システムの反応時間も著しく低下させることができる。
【００２５】 とりわけ有利な実施形態では、観測器が、基準におけるステップを受けたこと
に応答して、エンクロージャ中での半導体デバイス、マイクロテクノロジーデバ
イスまたはナノテクノロジーデバイスの処理の段階中に、５秒未満の反応時間と
５％未満のオーバーシュートを与える可変速度制御信号を生み出すようにプログ
ラムされている。
【００２６】 例えば、観測器は、プロセスの移行段階中に開ループで動作し、プロセスの定
常状態中に閉ループで動作で動作するようにプログラムされる。
【００２７】 これによりシステムの反応時間が大幅に短縮され、可変コンダクタンスバルブ
を含む真空システムで可能なよりもかなり速く反応することが可能となる。
【００２８】 本発明の他の利点および特徴は添付の図面を参照して行う以下の説明から分か
るであろう。
【００２９】 本発明は、乾式機械式一次ポンプ４と少なくとも１つの二次ポンプ５とを有す
るポンプユニット３に、配管２によって接続されたプロセスチャンバまたはエン
クロージャ１内の圧力を調整するためのシステムに関する。プロセスチャンバま
たはエンクロージャ１は、半導体部品、マイクロテクノロジーデバイスまたはナ
ノテクノロジーデバイスの製造および処理に適した、低圧で処理ガスを供給され
るように構成されている。
【００３０】 このシステムは、乾式機械式一次ポンプ４および二次ポンプ５の両方の回転速
度を同時に制御する可変速度調整器６を含んでいる。
【００３１】 第１の実施形態では、図１に示したように、速度調整器６は、ポンプの所定の
回転速度プロファイル２０にサーボ制御されており、このプロファイルは、エン
クロージャ１および配管２中に含まれている排出物の凝縮曲線に基づいて決定さ
れている。
【００３２】 図４Ａおよび４Ｂは、２つの排出物（Ｈ２ＯおよびＡｌＣｌ３）に関するもの
であり、これら２つの排出物について、それぞれの凝縮曲線および前記排出物の
凝縮を避けるための予め決められたポンプの回転速度プロファイルを示している
。排出物Ｈ２ＯおよびＡｌＣｌ３は、ここでは、本発明による第１の実施形態の
中の例として記載されたものであり、何らこれらに限定されるわけではない。図
４Ｂに示した所定の速度プロファイルは単純化されたもので、これらのそれぞれ
が単一の排出物に関係している。エンクロージャ１が、異なる凝縮曲線をもつ複
数の排出物を含んでいるとき、これらの速度プロファイルは、はるかに複雑なも
のになり得ることが理解されよう。
【００３３】 エンクロージャ１および／または配管２の壁面から放出される汚染する堆積物
を防ぐために、エンクロージャ１および配管２の中にある排出物の非乱流の空気
力学的流れ特性を考慮にいれるように、ポンプの所定の回転速度プロファイルが
計算可能である。このようにして、所定の回転速度プロファイルは、ポンピング
の結果として生じる排出物の流れを、可能な限り層流の範囲に留めなければなら
ないことを考慮してある。
【００３４】 一次ポンプと同時に制御される二次ポンプは、分子ポンプまたは「ターボ分子
」ポンプとすることも可能である。
【００３５】 一次ポンプと同時に制御される二次ポンプを、ルーツタイプのポンプとするこ
ともまた可能である。このような状況下では、制御されたルーツタイプの二次ポ
ンプと圧力制御されたエンクロージャとの間に、ターボ分子ポンプを介在させる
ことがあり得る。
【００３６】 図２に示した第２の実施形態では、システムは、制御された二次ポンプ５の上
流側に取り付けられて圧力を検知する圧力ゲージ７、および検知した圧力に比例
する数値９と可変の基準圧力１７に比例する数値１０とを受け取る入力部を有し
、速度調整器６に制御信号１５を出力してポンプの回転速度を入力値９および１
０に応じて増減させる観測器８を有する。
【００３７】 エンクロージャ１および配管２中に含まれている排出物の凝縮による汚染を制
限する最適の条件にポンプの回転速度の制御を改良するために、このシステムは
さらに、制御された二次ポンプ５の上流側に取り付けられて温度を監視する温度
プローブ１１を含んでいる。観測器８は、追加の入力値１２を受け取り、前記入
力値１２は監視された温度に比例している。
【００３８】 ポンピングされる排出物の流れが過度に乱流になることで、放出される汚染す
る堆積物による汚染を制限するようなサーボ制御ループを可能にするために、こ
のシステムは、制御された二次ポンプ５の上流側に取り付けられて乱流の程度を
定量化する乱流センサ１３を含んでいる。観測器８は、この定量化された乱流の
程度に比例する追加の入力値１４を受け取る。
【００３９】 このシステムはまた、制御された二次ポンプ５の上流側および／または下流側
に取り付けられて粒子のレベルを測定する粒子センサ１８を含んでおり、観測器
８が、配管２内部の粒子の数に比例する入力値１９を受け取る。
【００４０】 本発明の別の実施形態では、図３に示したように、観測器８が速度調整器６を
制御し、この速度調整器６が、乾式一次ポンプ４および少なくとも１つの二次ポ
ンプ５の両方に別々にかつ可変周波数で電力供給している。このシステムは、二
次ポンプ５の上流側に取り付けられた圧力ゲージ７に加えて、乾式一次ポンプ４
の上流側に取り付けられた圧力ゲージ７’を含んでいる。観測器８は、第１のア
ルゴリズム８１、例えば乾式一次ポンプ４の吸気口における圧力９’を調整し、
二次ポンプ５の吸気口における圧力９の応答時間を最適化するためのＰＩＤアル
ゴリズム、および第２のアルゴリズム８２、例えば二次ポンプ５の吸気口におけ
る圧力９を調節して、定常状態における静誤差および不安定さを最適化する第２
のＰＩＤアルゴリズムを有する。初期圧力状態および最終圧力状態についての基
準１０の間の移行時間を減少させるために、制御器ループは、最終的な基準速度
（安定プロセス）近くに設定された基準２１を加え、これが、ＰＩＤアルゴリズ
ムの積分部分における遅延効果を減少させることを可能にする。
【００４１】 本発明による別の実施形態（図示せず）では、このシステムは、制御された一
次ポンプの上流側に取り付けられた圧力ゲージ、および／または二次ポンプの上
流側に取り付けられた圧力ゲージを有する。速度調整器または観測器は、チャン
バの初期圧力状態（したがってポンプの回転速度）とチャンバにおける最終的な
圧力状態との間の最適な移行（可能な限り短い）を確実にするオートメーション
カードを含んでいる。
【００４２】 このオートメーションカードは、ファジー論理タイプのアルゴリズムを有する
ことが可能であり、数学的法則は、圧力（相対値および絶対値）、プロセスガス
流、コンダクタンス、および瞬間の速度プロファイルを支配するパラメータの間
で規定される。
【００４３】 図５はとりわけ有利な実施形態であり、これにより本発明は、システムの反応
時間をさらに短くすることができる。この図は、乾式一次ポンプ４の吸気口に接
続された二次ポンプ５の吸気口に接続されたプロセスチャンバ１を含む、プロセ
スおよび真空発生アセンブリ２２を有している。二次ポンプ５および乾式一次ポ
ンプ４は、両方ともに観測器８で制御される速度調整器６により別々に可変周波
数で電力供給される。
【００４４】 プロセスチャンバ内で実行されるプロセスにおいて、プロセスチャンバ１内部
のガス圧は監視され、処理ガスは導入装置２３を介して導入され、プロセスの段
階を決定する制御器（図示せず）によって、特に基準圧力２４および基準ガス流
量２５を定めることによってプロセスは制御される。基準圧力２４および基準ガ
ス流量２５は、他の情報、とりわけプロセスチャンバ１に接続された圧力センサ
７により通信される圧力に関する情報を受け取る観測器８に送られる。
【００４５】 観測器８は、速度調整器６のための制御信号１５を生成するようにプログラム
されており、速度調整器６は、圧力基準２４および／またはガス流量基準２５（
または、例えばプロセスチャンバ内部でのＲＦパワーのような観測器８によって
監視される他の何らかのパラメータに関する基準）における参照においてステッ
プを受けたときに、５秒未満の反応時間Ｔおよび５％未満のオーバーシュートを
与える。この反応時間は図６に描かれており、ここで圧力基準２４は、約１．３
３Ｐａ（１０ｍｔｏｒｒ）の圧力Ｐ１から約１２Ｐａ（９０ｍｔｏｒｒ）の圧力
Ｐ２へのステップの形で一点鎖線で示され、速度調整器に加えられた制御信号１
５もまた、この基準２４のステップに迅速に追随して５秒未満の反応時間Ｔの後
で安定化する。例えば、本発明は、反応時間Ｔを１秒の程度までにすることが可
能である。
【００４６】 このように迅速な反応時間を達成するために、図５に観測器８の可能な実施形
態を示した。すなわち、定常状態における調節については、観測器８は、連続的
比例積分の数値制御器タイプのプログラム２６によって動作し、該プログラム２
６では、利得および時間定数が調節される。双一次近似により、デジタルコント
ローラ２６の漸化式を見付けることが可能となる。この構成は、プロセスの精度
、速度、および安定性を向上させる。
【００４７】 基準値のステップに応答して、観測器８は、線形システムにとって計算を単純
化させるのに有利な時間多項式の形での計算を使用して、開ループモードで計算
するプログラム２７により動作する。これは、時間に応じて速度調整器６に加え
られる制御信号１５の変化を最適化させ、プロセスチャンバ１中での２つの連続
したプロセス状態の間の移行中のすべての制約に従うことができる。
【００４８】 このようにして、観測器８は、プロセスの移行段階の間は開ループモードで動
作し、プロセスの定常状態の間は閉ループモードで動作するようにプログラムさ
れている。
【００４９】 図５に示した実施形態において、流量基準は、圧力基準が変化したとき、最適
化された応答時間を維持しながらオーバーシュートまたはアンダーシュートを制
限するためにモジュール２８に作用する。モジュール２８は、特に、パージ流量
、ポンプのタイプ、システムのコンダクタンス、およびプロセスチャンバ１の容
積を与える圧力および流量に応じて、真空およびプロセス発生システム２２の反
応定数を考慮に入れてプログラム可能になっている。
【００５０】 いずれの実施形態でも、一次ポンプと同時に制御される二次ポンプは、ターボ
分子ポンプとすることが可能である。
【００５１】 一次ポンプと同時に制御される二次ポンプはまた、ルーツタイプのポンプとす
ることも可能である。そのような条件では、制御されたルーツタイプの二次ポン
プと調整された圧力エンクロージャとの間に、ターボ分子ポンプを介在させるこ
とがあり得る。ゲージ、プローブ、およびセンサは、介在させたターボ分子ポン
プの吸気口でも排気口でも、どちらにでも配置することができる。
【００５２】 本発明はまた、乾式機械式一次ポンプ４と少なくとも１つの二次ポンプ５とを
有するポンプユニット３、真空エンクロージャ１、およびこの真空エンクロージ
ャ１をポンプユニット３に接続する配管２を有する真空ポンピング装置に関する
。
【００５３】 ポンプの中に存在する液体またはオイルによるガスの汚染、およびガス中への
逆拡散を避けるように、一次ポンプ４を乾式機械式ポンプにすることは重要なこ
とである。結果として、本発明の装置は、半導体デバイス、および他のマイクロ
テクノロジーデバイスまたはナノテクノロジーデバイスの製造に応用可能となる
。
【００５４】 本発明において、ポンピング装置は、上述したような圧力調節システムを含ん
でいる。
【００５５】 当然のことであるが、本発明が説明した実施形態に限定されることはなく、当
業者であれば本発明から逸脱することなく数多くの変形を達成することは可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態を構成するシステムの図である。
【図２】 本発明の他の実施形態を構成するシステムの図である。
【図３】 本発明の他の実施形態を構成するシステムの図である。
【図４Ａ】 可能性のある２つの排出物（Ｈ２ＯおよびＡｌＣｌ３）の凝縮曲線を表わした
グラフである。
【図４Ｂ】 可能性のある２つの排出物（Ｈ２ＯおよびＡｌＣｌ３）の結果としての所定の
ポンプ回転速度プロファイルを表わしたグラフである。
【図５】 本発明の他の有利な実施形態を構成するシステムの図である。
【図６】 本発明のシステムの反応時間を表わしたタイミング図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マカン，フイリツプ フランス国、エフ−74450・サン・ジヤ ン・ドウ・シス、ル・プラン・ドウ・フオ ルジス（番地なし) Ｆターム(参考） 3H029 AA06 AA18 AB02 AB06 BB53 CC02 CC07 CC27 CC53 CC58 CC62 CC91 3H045 AA05 AA09 AA14 AA26 AA38 BA02 BA20 CA02 CA09 DA05 DA35 DA42 EA13 EA17 EA34 EA42 5H316 AA20 BB01 CC07 DD04 DD07 DD20 EE22 ES05 FF06 FF21 FF23 FF38 GG06 GG12 HH04 HH08 HH12

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体部品、マイクロテクノロジーデバイスまたはナノテク
    ノロジーデバイスの製造用のプロセスガスを入れるためのエンクロージャ（１）
    内の圧力を調整するためのシステムであって、エンクロージャは、乾式機械式一
    次ポンプ（４）と少なくとも１つの二次ポンプ（５）とからなるポンプユニット
    （３）に配管（２）で接続され、 乾式機械式一次ポンプ（４）と前記少なくとも１つの二次ポンプ（５）との両
    方の回転速度を同時に制御する速度調整器（６）を含むことを特徴とする、エン
    クロージャ（１）内の圧力を調整するためのシステム。
  2. 【請求項２】 速度調整器（６）が、エンクロージャ（１）および配管（２
    ）中に含まれている排出物の凝縮曲線に基づいて計算された、ポンプの所定の回
    転速度プロファイル（２０）にサーボ制御されていることを特徴とする請求項１
    に記載のシステム。
  3. 【請求項３】 速度調整器（６）が、エンクロージャ（１）および配管（２
    ）中の排出物の非乱流の空気力学特性に基づいて計算された、ポンプの所定の回
    転速度プロファイル（２０）にサーボ制御されていることを特徴とする請求項１
    または２に記載のシステム。
  4. 【請求項４】 制御された二次ポンプ（５）の上流側に取り付けられて圧力
    を監視する圧力ゲージ（７）と、監視された圧力に比例する入力値（９）および
    可変の基準圧力（１７）に比例する入力値（１０）を受け取り、制御信号（１７
    ）を速度調整器（６）に出力して、ポンプ（４、５）の回転速度を入力値に応じ
    て増減させる観測器（８）とを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム
    。
  5. 【請求項５】 制御された乾式機械式一次ポンプ（４）の上流側に取り付け
    られて圧力を監視する圧力ゲージ（７’）を備え、観測器（８）が、監視された
    圧力に比例する入力値（９’）を受け取ることを特徴とする請求項４に記載のシ
    ステム。
  6. 【請求項６】 制御された二次ポンプ（５）の上流側に取り付けられて温度
    を監視する温度プローブ（１１）を備え、観測器（８）が、監視された温度に比
    例する入力値（１２）を有することを特徴とする請求項４または５に記載のシス
    テム。
  7. 【請求項７】 制御された二次ポンプ（５）の上流側に取り付けられて乱流
    の程度を定量化する乱流センサ（１３）を備え、観測器（８）が、定量化された
    乱流の程度に比例する入力値（１４）を有することを特徴とする請求項４から６
    のいずれか一項に記載のシステム。
  8. 【請求項８】 制御された二次ポンプの上流側および／または下流側に取り
    付けられて粒子のレベルを測定する粒子センサ（１３）を備え、観測器（８）が
    、配管中の粒子の数に比例する入力値（１９）を有することを特徴とする請求項
    ４から７のいずれか一項に記載のシステム。
  9. 【請求項９】 観測器（８）が、エンクロージャ（１）中の半導体デバイス
    、マイクロテクノロジーデバイスまたはナノテクノロジーデバイスの処理におけ
    る段階中に、基準（２４、２５）におけるステップを受けたことに応答して、５
    秒未満の反応時間（Ｔ）および５％未満のオーバーシュートを与える、速度調整
    器（６）のための制御信号（１５）を生成するようにプログラムされていること
    を特徴とする請求項４から８のいずれか一項に記載のシステム。
  10. 【請求項１０】 観測器（８）が、プロセスの移行段階中には開ループモー
    ドで動作し、プロセスの定常状態中には閉ループモードで動作するようにプログ
    ラムされていることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  11. 【請求項１１】 乾式機械式一次ポンプ（４）と少なくとも１つの二次ポン
    プ（５）とを有するポンプユニット（３）、真空エンクロージャ（１）、および
    真空エンクロージャ（１）をポンプユニット（３）に接続する配管（２）からな
    り、請求項１から１０のいずれか一項に記載の圧力調整器システムを含むことを
    特徴とするポンピング装置。
  12. 【請求項１２】 乾式機械式一次ポンプ（４）と同時に制御される二次ポン
    プ（５）が、ターボ分子ポンプであることを特徴とする請求項１１に記載のポン
    ピング装置。
  13. 【請求項１３】 乾式機械式一次ポンプ（４）と同時に制御される二次ポン
    プ（５）が、ルーツタイプのポンプであることを特徴とする請求項１１に記載の
    ポンピング装置。
  14. 【請求項１４】 ルーツタイプの制御された二次ポンプ（５）と真空エンク
    ロージャ（１）との間にターボ分子ポンプを含むことを特徴とする請求項１３に
    記載のポンピング装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009501869A (ja) * 2005-07-20 2009-01-22 アルカテル−ルーセント 急速省エネルギーチャンバポンピング
JP2009530819A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムにおける圧力制御方法及び装置
JP2015079876A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2807951B1 (fr) * 2000-04-20 2003-05-16 Cit Alcatel Procede et systeme de pompage des chambres de transfert d'equipement de semi-conducteur
US6916397B2 (en) * 2000-06-14 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber
JP2002168192A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Seiko Instruments Inc 真空ポンプ
US6589023B2 (en) * 2001-10-09 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Device and method for reducing vacuum pump energy consumption
US6739840B2 (en) * 2002-05-22 2004-05-25 Applied Materials Inc Speed control of variable speed pump
WO2003100259A1 (en) * 2002-05-22 2003-12-04 Applied Materials, Inc. Variable speed vacuum pump control method and apparatus
JP2004263635A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Tadahiro Omi 真空装置および真空ポンプ
FR2854667B1 (fr) * 2003-05-09 2006-07-28 Cit Alcatel Controle de pression dans la chambre de procedes par variation de vitesse de pompes, vanne de regulation et injection de gaz neutre
JP4533614B2 (ja) * 2003-10-10 2010-09-01 株式会社イーアールシー 真空制御システム
DE10354205A1 (de) * 2003-11-20 2005-06-23 Leybold Vakuum Gmbh Verfahren zur Steuerung eines Antriebsmotors einer Vakuum-Verdrängerpumpe
US7021903B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-04 The Boc Group, Inc. Fore-line preconditioning for vacuum pumps
US7278831B2 (en) * 2003-12-31 2007-10-09 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for control, pumping and abatement for vacuum process chambers
GB0401396D0 (en) * 2004-01-22 2004-02-25 Boc Group Plc Pressure control method
EP1768484B2 (en) * 2004-07-13 2021-04-21 DeLaval Holding AB Controllable vacuum source
US8095240B2 (en) * 2004-11-18 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for starting and operating a thermal abatement system
US7682574B2 (en) * 2004-11-18 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Safety, monitoring and control features for thermal abatement reactor
US20070020115A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-25 The Boc Group, Inc. Integrated pump apparatus for semiconductor processing
DE102005040661B3 (de) * 2005-08-26 2006-12-28 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Koordinatenmessvorrichtung
US20090175771A1 (en) * 2006-03-16 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Abatement of effluent gas
SE531046C2 (sv) * 2007-04-03 2008-12-02 Delaval Holding Ab En metod i ett mjölkningssystem för att skapa en erfordrad vakumnivå och datorprogramprodukter
EP2153363A4 (en) * 2007-05-25 2013-02-27 Applied Materials Inc METHODS AND APPARATUS FOR ASSEMBLING AND OPERATING ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING SYSTEMS
WO2008147524A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for efficient operation of an abatement system
US20090018688A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems
US8003067B2 (en) * 2007-09-20 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ambient air abatement of electronic manufacturing effluent
JP2011501102A (ja) * 2007-10-26 2011-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された燃料回路を使用した高性能な除害の方法及び装置
KR100832696B1 (ko) * 2008-01-18 2008-05-28 임권현 진공척
US10428807B2 (en) * 2011-12-09 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Pump power consumption enhancement
GB2502134B (en) * 2012-05-18 2015-09-09 Edwards Ltd Method and apparatus for adjusting operating parameters of a vacuum pump arrangement
DE102012010522A1 (de) * 2012-05-25 2013-11-28 Hydac Fluidtechnik Gmbh Ventil für Ventilanordnung
US9096934B1 (en) 2012-10-31 2015-08-04 WD Media, LLC Load lock with variable conductance valve
JP6615663B2 (ja) * 2016-03-22 2019-12-04 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ、クライオポンプ吸蔵ガス量推測装置及びクライオポンプ吸蔵ガス量推測方法
MX2019013090A (es) * 2017-05-03 2020-01-30 Basf Coatings Gmbh Mecanismo de bomba para transportar un medio viscoso, un aparato que comprende este ultimo y un proceso para producir composiciones de recubrimiento de superficie, y uso de un mecanismo de bomba.
TW202035873A (zh) * 2019-03-29 2020-10-01 亞台富士精機股份有限公司 控制方法及真空系統
JP7218706B2 (ja) * 2019-10-18 2023-02-07 株式会社島津製作所 真空排気装置および真空排気装置の起動方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59142621A (ja) * 1983-02-02 1984-08-15 Canon Inc 真空装置の圧力調整方法
JPS63134186U (ja) * 1987-02-24 1988-09-02
JPH0267472A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Nippon Soken Inc 真空装置の圧力制御方法
JPH0321579U (ja) * 1989-07-10 1991-03-04
JPH0325873U (ja) * 1989-07-24 1991-03-18
JPH05240181A (ja) * 1991-07-09 1993-09-17 Ebara Corp 多段真空ポンプ装置
JPH07217537A (ja) * 1994-02-01 1995-08-15 Fujitsu Ltd 排気装置及び排気方法
JPH0842487A (ja) * 1994-08-02 1996-02-13 Hitachi Ltd 真空ポンプ
JPH0874768A (ja) * 1994-06-28 1996-03-19 Ebara Corp 真空系の排気方法
JPH09317641A (ja) * 1996-05-30 1997-12-09 Daikin Ind Ltd 真空排気装置
JPH10159775A (ja) * 1996-11-30 1998-06-16 Aisin Seiki Co Ltd 多段式真空ポンプ

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE262065C (ja)
JPS61116081A (ja) * 1984-11-12 1986-06-03 Toshiba Corp ポンプ制御装置
US4699570A (en) * 1986-03-07 1987-10-13 Itt Industries, Inc Vacuum pump system
DD262065A1 (de) * 1987-07-07 1988-11-16 Univ Dresden Tech Vorrichtung zur druckregelung im feinvakuumbereich
JPS6429700A (en) * 1987-07-23 1989-01-31 Hitachi Ltd Multistage fluidic machine
FR2621141B1 (fr) * 1987-09-25 1989-12-01 Cit Alcatel Procede de demarrage de pompes a vide couplees en serie, et dispositif permettant la mise en oeuvre de ce procede
US6022195A (en) * 1988-09-13 2000-02-08 Helix Technology Corporation Electronically controlled vacuum pump with control module
FR2640697B1 (fr) * 1988-12-16 1993-01-08 Cit Alcatel Ensemble de pompage pour l'obtention de vides eleves
FR2652390B1 (fr) * 1989-09-27 1991-11-29 Cit Alcatel Groupe de pompage a vide.
JP3208000B2 (ja) * 1994-03-28 2001-09-10 キヤノン株式会社 基板保持システム
US5849135A (en) * 1996-03-12 1998-12-15 The Regents Of The University Of California Particulate contamination removal from wafers using plasmas and mechanical agitation
US5971711A (en) * 1996-05-21 1999-10-26 Ebara Corporation Vacuum pump control system
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US5944049A (en) * 1997-07-15 1999-08-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for regulating a pressure in a chamber
US6045332A (en) * 1998-05-08 2000-04-04 Celanese International Corporation Control system for multi-pump operation

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59142621A (ja) * 1983-02-02 1984-08-15 Canon Inc 真空装置の圧力調整方法
JPS63134186U (ja) * 1987-02-24 1988-09-02
JPH0267472A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Nippon Soken Inc 真空装置の圧力制御方法
JPH0321579U (ja) * 1989-07-10 1991-03-04
JPH0325873U (ja) * 1989-07-24 1991-03-18
JPH05240181A (ja) * 1991-07-09 1993-09-17 Ebara Corp 多段真空ポンプ装置
JPH07217537A (ja) * 1994-02-01 1995-08-15 Fujitsu Ltd 排気装置及び排気方法
JPH0874768A (ja) * 1994-06-28 1996-03-19 Ebara Corp 真空系の排気方法
JPH0842487A (ja) * 1994-08-02 1996-02-13 Hitachi Ltd 真空ポンプ
JPH09317641A (ja) * 1996-05-30 1997-12-09 Daikin Ind Ltd 真空排気装置
JPH10159775A (ja) * 1996-11-30 1998-06-16 Aisin Seiki Co Ltd 多段式真空ポンプ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009501869A (ja) * 2005-07-20 2009-01-22 アルカテル−ルーセント 急速省エネルギーチャンバポンピング
JP2009530819A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造システムにおける圧力制御方法及び装置
JP2015079876A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

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