TW202230798A - 半導體元件 - Google Patents
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Abstract
一種半導體元件包含基材、第一氧化半導體層、第二氧化半導體層、第三氧化半導體層、頂部閘極絕緣層、頂部閘極、層間介電質以及源極/汲極結構。第一氧化半導體層位於基材上。第二氧化半導體層位於第一氧化半導體層上。第三氧化半導體層位於第二氧化半導體層上。頂部閘極絕緣層位於基材上，並覆蓋第一氧化半導體層、第二氧化半導體層以及第三氧化半導體層。頂部閘極位於頂部閘極絕緣層上。層間介電質覆蓋頂部閘極絕緣層與頂部閘極。源極/汲極結構穿過層間介電質、頂部閘極絕緣層以及第三氧化半導體層，並接觸第二氧化半導體層。
Description
本揭露係有關於一種半導體元件。
近年來薄膜電晶體（thin-film-transistor, TFT）被廣泛地應用於許多類型的平板顯示器中。為了讓面板的反應速度更快、可靠性更強、解析度更高，低溫多晶矽（low temperature poly silicon, LTPS）薄膜電晶體與氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide, IGZO）薄膜電晶體的使用率也隨之上升。然而，LTPS薄膜電晶體的製程較複雜且良率較低，導致製造成本增加。IGZO薄膜電晶體雖然可以提高面板性能、降低成本，但對製程參數相當敏感，此外，長期使用的可靠性也有待加強。
因此，在所屬領域中存在解決上述缺陷和不足的需求。
有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種解決上述問題之半導體元件。
為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種半導體元件包含基材、第一氧化半導體層、第二氧化半導體層、第三氧化半導體層、頂部閘極絕緣層、頂部閘極、層間介電質以及源極/汲極結構。第一氧化半導體層位於基材上。第二氧化半導體層位於第一氧化半導體層上。第三氧化半導體層位於第二氧化半導體層上。頂部閘極絕緣層位於基材上，並覆蓋第一氧化半導體層、第二氧化半導體層以及第三氧化半導體層。頂部閘極位於頂部閘極絕緣層上。層間介電質覆蓋頂部閘極絕緣層與頂部閘極。源極/汲極結構穿過層間介電質、頂部閘極絕緣層以及第三氧化半導體層，並接觸第二氧化半導體層。
於本揭露的一或多個實施方式中，第一氧化半導體層包括氧化銦鎵或氧化鎵。
於本揭露的一或多個實施方式中，第二氧化半導體層包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢鋅或氧化銦錫鋅。
於本揭露的一或多個實施方式中，第三氧化半導體層包括氧化銦鎵或氧化鎵。
於本揭露的一或多個實施方式中，第一氧化半導體層之厚度比第三氧化半導體層之頂部部位之厚度更大。
於本揭露的一或多個實施方式中，第三氧化半導體層覆蓋第二氧化半導體層，並接觸第一氧化半導體層。
於本揭露的一或多個實施方式中，源極/汲極結構接觸第二氧化半導體層之側壁及頂表面。
於本揭露的一或多個實施方式中，第三氧化半導體層覆蓋第二氧化半導體層，並與第一氧化半導體層分離。
於本揭露的一或多個實施方式中，源極/汲極結構接觸第二氧化半導體層之側壁。
於本揭露的一或多個實施方式中，在基材與第一氧化半導體層之間進一步包含位於基材上之底部閘極以及覆蓋底部閘極與基材之底部閘極絕緣層。
綜上所述，於本揭露中揭露了一種可以通過一個製程在有機發光二極體電路中之不同位置上同步完成三個不同實施例的氧化銦鎵鋅薄膜電晶體元件。
以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式中結合相關圖式詳細介紹，儘管在不脫離本揭露的新穎概念的精神和範圍的情況下可以進行其中的變更和修改。
現在將在下文中參考圖式更全面地描述本揭露，在圖式中繪示了本揭露的示例性實施方式。然而，本揭露可以以許多不同的形式來實施，並且不應被解釋為限於在此闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式以使得本揭露將是徹底和完整的，並且將本揭露的範圍充分傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。貫穿全文，相同的參考標號表示相同的元件。
應當理解，當元件被稱為在另一元件「上」時，該元件可以直接在另一元件上，或者中間元件可以存在於它們之間。相反，當元件被稱為「直接在」另一個元件「上」時，則不存在中間元件。如本文所使用的，術語「及/或」包含一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。
應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
本文使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包含複數形式。此外，應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」或「具有」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包含技術和科學術語）具有與所屬技術領域中具有通常知識者理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本揭露的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
將結合圖式對本揭露的實施方式進行描述。根據本揭露的目的，如本文具體體現和廣泛描述的，本揭露係有關於一種半導體元件。
如上所述，為了讓面板的反應速度更快、可靠性更強、解析度更高，低溫多晶矽（low temperature poly silicon, LTPS）薄膜電晶體與氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide, IGZO）薄膜電晶體的使用率也隨之上升。然而，LTPS薄膜電晶體的製程較複雜且良率較低，導致製造成本增加。IGZO薄膜電晶體雖然可以提高面板性能、降低成本，但對製程參數相當敏感，此外，長期使用的可靠性也有待加強。
有鑑於這種缺陷，本揭露之一目的在於提出一種解決上述問題之半導體元件。
第1圖是根據一些實施方式的半導體元件的俯視圖。第1圖中所示的半導體元件被簡化，因此，應當理解，完整的半導體元件的一或多個特徵可能未在第1圖中示出。舉例來說，第1圖中未示出通孔、頂部閘極絕緣層以及層間介電質。
如第1圖所示，半導體元件包括在基材102上之第一氧化半導體層104與在第一氧化半導體層104上之第二氧化半導體層106，其中第二氧化半導體層106用作薄膜電晶體的通道（channel）。第一氧化半導體層104與第三氧化半導體層108共同作為包覆第二氧化半導體層106之保護層。頂部閘極110設置於在第三氧化半導體層108上之頂部閘極絕緣層（參見第2圖）上。源極/汲極結構112沿著通孔（參見第2圖）延伸穿過各層，並接觸用作通道之第二氧化半導體層106。
第1圖進一步繪示後續圖式中使用的參考剖面。參考剖面A-A’沿著半導體元件的縱向切割，並且通過頂部閘極110、第二氧化半導體層106、第一氧化半導體層104、第三氧化半導體層108、基材102以及源極/汲極結構112。參考剖面B-B’垂直於參考剖面A-A’，並且通過頂部閘極110、第二氧化半導體層106、第一氧化半導體層104、第三氧化半導體層108以及基材102。為了清楚起見，後續圖式參照這些參考剖面。
第2圖至第5圖是根據各種實施方式的半導體元件之實施例的剖面圖。第2圖、第4圖以及第5圖繪示第1圖中所繪示的參考剖面A-A’。第3圖繪示第1圖中所繪示的參考剖面B-B’。
根據一些實施方式，在第2圖中，半導體元件100提供了基材102，並在基材102上方沉積第一氧化半導體層104。在一些實施方式中，第一氧化半導體層104包括氧化銦鎵（indium gallium oxide, IGaO）或氧化鎵（gallium oxide, GaO）。這類材料具有比較高的薄膜電阻和密度，可以防止來自下層基材102的水氣、氧氣和離子的影響。
進一步在第2圖中，沉積了第二氧化半導體層106。在一些實施方式中，第二氧化半導體層106可能包括氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide, IGZO）、氧化銦鎢鋅（indium tungsten zinc oxide, IWZO）或氧化銦錫鋅（indium tin zinc oxide, ITZO）。此外，將蝕刻第二氧化半導體層106。可以藉由濕式光刻製程進行蝕刻。在一些實施方式中，可以藉由蝕刻選擇比使第二氧化半導體層106的錐度比較和緩。在一些實施方式中，可以蝕刻使第二氧化半導體層106內縮1微米或濕式光阻（wet photoresist）向內產生底切（undercut）。
進一步在第2圖中，在第二氧化半導體層106上沉積了第三氧化半導體層108，並使其覆蓋第二氧化半導體層106且接觸第一氧化半導體層104。第三氧化半導體層108之頂部部位之厚度比第一氧化半導體層104之厚度更薄。接著，將蝕刻第三氧化半導體層108。可以藉由濕式或乾式光刻製程進行蝕刻。經過蝕刻製程後，第三氧化半導體層108之單邊之特徵尺寸比第二氧化半導體層106之單邊之特徵尺寸大1微米至2微米。
在一些實施方式中，第三氧化半導體層108可能包括IGaO或GaO。這類材料具有比較高的薄膜電阻和密度，可以防止水氣、氧氣和離子的影響。因此，第一氧化半導體層104與第三氧化半導體層108共同作為完全包覆第二氧化半導體層106之保護層（參照第2圖與第3圖），以阻卻水氣、氧氣和氫原子對第二氧化半導體層106的影響，從而增加可靠性。此外，因為第一氧化半導體層104與第三氧化半導體層108的薄膜電阻高，使得載子的傳導路徑可以集中在作為通道的第二氧化半導體層106中。
進一步在第2圖中，沉積頂部閘極絕緣層114於基材102上，並覆蓋第一氧化半導體層104、第二氧化半導體層106以及第三氧化半導體層108。接著，設置頂部閘極110於頂部閘極絕緣層114上。接著，沉積層間介電質116以覆蓋頂部閘極絕緣層114與頂部閘極110。
進一步在第2圖中，形成通孔118，並以頂部閘極110作為遮罩，進行自對準式摻雜（self-aligned doping）。接著，在通孔118中形成源極/汲極結構112，源極/汲極結構112沿著通孔118之側壁與第二氧化半導體層106接觸。由於自對準式摻雜提供空缺（vacancy），使得阻值降低，可以提高在高電流密度操作下的可靠性。
第4圖繪示了根據另一些實施方式之半導體元件100’的剖面圖。如第4圖所示，半導體元件100’提供了基材102，並在沉積第一氧化半導體層104之前，在基材102上設置底部閘極402。接著，沉積底部閘極絕緣層404以覆蓋底部閘極402與基材102。
進一步在第4圖中，沉積第一氧化半導體層104在底部閘極絕緣層404上，並重複半導體元件100接下來的步驟。如此一來，所形成的半導體元件100’即為雙閘極IGZO薄膜電晶體，具有更好的元件特性，可以實現更高的載子遷移率（carrier mobility），從而降低功耗。
第5圖繪示了根據另一些實施方式之半導體元件100”的剖面圖。如第5圖所示，半導體元件100”之第三氧化半導體層108覆蓋第二氧化半導體層106，並與第一氧化半導體層104分離。第一氧化半導體層104與第三氧化半導體層108作為保護層，上下包覆第二氧化半導體層106，以阻卻水氣、氧氣和氫原子對第二氧化半導體層106的影響。
由第2圖、第4圖以及第5圖之不同實施例可知，由於不同實施方式之間有大量相同的操作，故本揭露之三個不同實施例可通過一個製程在有機發光二極體（organic light-emitting diode, OLED）電路中之不同位置上同步完成。
第6圖繪示了根據一些實施方式之半導體元件置於OLED電路中的電路設計圖。此OLED電路之電路部分包括開關（switch）薄膜電晶體（例如電晶體T1、電晶體T2）、驅動（driving）薄膜電晶體（例如電晶體T3）、電容以及OLED。具體而言，各個薄膜電晶體之閘極和/或源極/汲極與電容相互電連接或接入各電源電壓，例如資料線電源電壓V
data、參考電源電壓V
ref1和參考電源電壓V
ref2、汲極電源電壓VDD或源極電源電壓VSS等。此外，此OLED電路之驅動時序部分包括開關（例如開關S1、開關S2）與發光控制線。具體而言，各個薄膜電晶體之閘極也可接入開關或發光控制線。在一些實施方式中，電晶體T1可由半導體元件100實現，電晶體T2可由半導體元件100”實現，電晶體T3可由半導體元件100’實現。
第7圖繪示了根據一些實施方式之半導體元件置於OLED電路中的電路設計圖。與第6圖相似，此OLED電路之電路部分同樣包括開關薄膜電晶體（例如電晶體T4）、驅動薄膜電晶體（例如電晶體T5）、電容（例如儲存電容C
st）以及OLED。具體而言，電晶體T4與電晶體T5之閘極和/或源極/汲極與儲存電容C
st相互電連接或接入各電源電壓。此OLED電路之驅動時序部分則包括掃描線與資料線。具體而言，電晶體T4的閘極接入掃描線，源極接入資料線。在一些實施方式中，電晶體T4可由半導體元件100或半導體元件100”實現，電晶體T5可由半導體元件100’實現。
上述概述了幾個實施方式或實施例的特徵，以便所屬技術領域中具有通常知識者更能理解本揭露的各方面。對本揭露的示例性實施方式的上述描述僅出於說明和描述的目的，而無意於窮舉本揭露或將本揭露限制為所揭露的精確形式。所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，可以容易地將本揭露作為設計或修改其他製程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的或實現相同的優點，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100,100’,100”:半導體元件
102:基材
104:第一氧化半導體層
106:第二氧化半導體層
108:第三氧化半導體層
110:頂部閘極
112:源極/汲極結構
114:頂部閘極絕緣層
116:層間介電質
118:通孔
402:底部閘極
404:底部閘極絕緣層
A-A’,B-B’:參考剖面
C
st:儲存電容
S1,S2:開關
T1,T2,T3,T4,T5:電晶體
VDD:汲極電源電壓
VSS:源極電源電壓
V
data:資料線電源電壓
V
ref1,V
ref2:參考電源電壓
當結合圖式閱讀時，得以自以下詳細描述最佳地理解本揭露。需強調的是，根據本領域之標準實務，各種特徵並未按比例繪製且僅用於說明目的。事實上，為了論述清楚起見，可任意地增大或減少各種特徵之尺寸。
第1圖繪示根據一些實施方式的半導體元件之一實施例的俯視圖。
第2圖繪示根據一些實施方式的半導體元件之一實施例的剖面圖。
第3圖繪示根據一些實施方式的半導體元件之一實施例的剖面圖。
第4圖繪示根據一些實施方式的半導體元件之一實施例的剖面圖。
第5圖繪示根據一些實施方式的半導體元件之一實施例的剖面圖。
第6圖繪示根據一些實施方式之半導體元件置於有機發光二極體電路中的電路設計圖。
第7圖繪示根據一些實施方式之半導體元件置於有機發光二極體電路中的電路設計圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:半導體元件
102:基材
104:第一氧化半導體層
106:第二氧化半導體層
108:第三氧化半導體層
110:頂部閘極
112:源極/汲極結構
114:頂部閘極絕緣層
116:層間介電質
118:通孔
A-A’:參考剖面
Claims (10)
- 一種半導體元件，包含： 一基材； 一第一氧化半導體層，位於該基材上； 一第二氧化半導體層，位於該第一氧化半導體層上； 一第三氧化半導體層，位於該第二氧化半導體層上； 一頂部閘極絕緣層，位於該基材上，並覆蓋該第一氧化半導體層、該第二氧化半導體層以及該第三氧化半導體層； 一頂部閘極，位於該頂部閘極絕緣層上； 一層間介電質，覆蓋該頂部閘極絕緣層與該頂部閘極；以及 一源極/汲極結構，穿過該層間介電質、該頂部閘極絕緣層以及該第三氧化半導體層，並接觸該第二氧化半導體層。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第一氧化半導體層包括氧化銦鎵或氧化鎵。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第二氧化半導體層包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鎢鋅或氧化銦錫鋅。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第三氧化半導體層包括氧化銦鎵或氧化鎵。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第一氧化半導體層之一厚度比該第三氧化半導體層之一頂部部位之一厚度更大。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第三氧化半導體層覆蓋該第二氧化半導體層，並接觸該第一氧化半導體層。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該源極/汲極結構接觸該第二氧化半導體層之側壁及頂表面。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該第三氧化半導體層覆蓋該第二氧化半導體層，並與該第一氧化半導體層分離。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中該源極/汲極結構接觸該第二氧化半導體層之側壁。
- 如請求項1所述之半導體元件，其中在該基材與該第一氧化半導體層之間進一步包含： 一底部閘極，位於該基材上；以及 一底部閘極絕緣層，覆蓋該底部閘極與該基材。
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| US5371026A (en) * | 1992-11-30 | 1994-12-06 | Motorola Inc. | Method for fabricating paired MOS transistors having a current-gain differential |
| JP2002076352A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
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| US6724012B2 (en) * | 2000-12-14 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display matrix with pixels having sensor and light emitting portions |
| TW595005B (en) * | 2003-08-04 | 2004-06-21 | Au Optronics Corp | Thin film transistor and pixel structure with the same |
| KR100719366B1 (ko) * | 2005-06-15 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자분리막을 갖는 반도체 소자의 형성 방법 |
| JP4220509B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-02-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP5337380B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2013-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP5294651B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | インバータの作製方法及びインバータ |
| JP5480554B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8202773B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-06-19 | Texas Instruments Incorporated | Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance PMOS devices |
| KR101529575B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터, 이를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법 |
| KR20160063402A (ko) * | 2008-09-12 | 2016-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 장치 |
| EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR101016266B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-02-25 | 한국과학기술원 | 투명 전자소자용 투명 메모리. |
| US8367486B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
| KR102011616B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2019-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101851403B1 (ko) * | 2009-07-18 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
| KR101772639B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP5727204B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8842229B2 (en) * | 2010-04-16 | 2014-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor substrate, method for producing same, and display device |
| TWI434409B (zh) * | 2010-08-04 | 2014-04-11 | Au Optronics Corp | 有機電激發光顯示單元及其製造方法 |
| KR102546888B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2023-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
| US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8952379B2 (en) * | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20130053053A (ko) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR101881895B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
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| KR101884738B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2018-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| US9006733B2 (en) * | 2012-01-26 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
| TWI498220B (zh) * | 2012-10-31 | 2015-09-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其製造方法 |
| GB2511541B (en) * | 2013-03-06 | 2015-01-28 | Toshiba Res Europ Ltd | Field effect transistor device |
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| US9806198B2 (en) * | 2013-06-05 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102281300B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2021-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 |
| CN104576381B (zh) * | 2013-10-14 | 2018-01-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种非对称超薄soimos晶体管结构及其制造方法 |
| TWI535034B (zh) * | 2014-01-29 | 2016-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製作方法 |
| US9929279B2 (en) * | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| US9859391B2 (en) * | 2015-10-27 | 2018-01-02 | Nlt Technologies, Ltd. | Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor |
| TWI579974B (zh) * | 2015-12-25 | 2017-04-21 | 國立交通大學 | 一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體 |
| WO2017163146A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
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| US10468434B2 (en) * | 2016-04-08 | 2019-11-05 | Innolux Corporation | Hybrid thin film transistor structure, display device, and method of making the same |
| CN106098784A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-11-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| US20180122833A1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | LG Display Co. , Ltd. | Thin film transistor substrate having bi-layer oxide semiconductor |
| WO2018211724A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法 |
| KR102439133B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
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| CN108538789A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | Cmos晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法 |
| TWI703735B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-09-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體基板、陣列基板、逆變器電路及開關電路 |
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| KR20200093718A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| WO2020154875A1 (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元及其制造方法和双面oled显示装置 |
| US11342392B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-05-24 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
| KR20210000605A (ko) * | 2019-06-25 | 2021-01-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 센서를 포함하는 표시장치 |
| US11594533B2 (en) * | 2019-06-27 | 2023-02-28 | Intel Corporation | Stacked trigate transistors with dielectric isolation between first and second semiconductor fins |
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| TWI715344B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件基板及其製造方法 |
| US11631671B2 (en) * | 2019-12-31 | 2023-04-18 | Tokyo Electron Limited | 3D complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and method of forming the same |
| KR20210085942A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 |
| US11663455B2 (en) * | 2020-02-12 | 2023-05-30 | Ememory Technology Inc. | Resistive random-access memory cell and associated cell array structure |
| US11410999B2 (en) * | 2020-02-21 | 2022-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Boundary design for high-voltage integration on HKMG technology |
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