JP2000311846A - レジスト現像方法およびレジスト現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板上の微小残渣を低減して、レジス
トパターンにおける不正パターンの形成を防止し、半導
体装置の製造歩留まりを向上させる。 【解決手段】 現像を行う露光済みのレジストが形成さ
れたウエハー１を真空チャック２に保持した後、真空チ
ャック２を回転させ、現像ノズル８から半導体ウエハー
１上に現像液を吐出する。現像液の吐出を停止するとと
もに、ウエハー１の回転を停止させる。任意の時間経過
後、ウエハー１を５００ｒｐｍで回転させつつ現像液を
吐出して、第２の現像処理を行う。その後、ウエハー１
上にリンスノズル１２から純水を供給しつつ１０００ｒ
ｐｍで回転させて、ウエハー１から現像液を洗い流し、
現像を停止させる。このとき、純水の温度を２０〜９０
℃とする。純水の供給を停止するとともに、真空チャッ
ク２の回転数を上げてウエハー１上の純水を振り切る。
その後、ウエハー１の回転を停止して、レジストの現像
工程を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト現像方
法およびレジスト現像装置に関し、特に、半導体製造プ
ロセスにおけるレジストの現像に適用して好適なもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、欠
陥の低減、そして歩留まりの向上は最重要課題として認
識されている。そのため、製造歩留まりをより一層の向
上させるためには、各製造プロセスにおける欠陥の早期
発見および欠陥の低減は必要不可欠である。

【０００３】このような欠陥の原因となるものは、現像
プロセスにおいて発生することが少なくない。そのた
め、欠陥の低減を図るために現像プロセスに関する見直
しは、歩留まりの向上のために非常に重要な要素であ
る。

【０００４】さて、従来の現像方法においては、まず、
露光装置による露光が終了した後、現像装置において、
レジストが形成された半導体ウエハー上に現像液を塗布
して、所定の時間、現像処理を行い、その後に純水を用
いて半導体ウエハーの洗浄処理を行う。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな現像処理によって半導体ウエハー上のレジストの現
像を行ったとしても、現像が十分に行われず、現像残り
（微小残渣）が発生する場合がある。そして、この微小
残渣が微細パターンの密集している部分に詰まってしま
うと、上述のようにして純水を用いて半導体ウエハーの
洗浄を行ったとしても、微小残渣を十分に洗い流すこと
は非常に困難である。

【０００６】また、このような微小残渣は欠陥発生の原
因ともなり、この微小残渣が、特にエッチング工程の際
にパターン形成に悪影響を及ぼし、短絡などの不正パタ
ーンの形成を招くことは十分に考えられる。これによ
り、この不正パターンの形成に起因した製造歩留まりの
著しい低下を招くことは必至である。そのため、レジス
トの現像の際に生じる微小残渣を低減する技術の開発が
強く求められている。

【０００７】したがって、この発明の目的は、レジスト
の現像において、基板に残される微小残渣を低減し、不
正パターンの形成を防止することによって、基板上に形
成される半導体装置の製造歩留まりを向上させることが
できるレジスト現像方法およびレジスト現像装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、レジストが形成された基
板上に現像液を吐出することによりレジストの現像を行
うようにした第１の現像処理と、現像処理が行われた基
板上に洗浄用液を吐出することにより基板の洗浄を行う
ようにした洗浄処理とを有するレジストの現像方法にお
いて、第１の現像処理後、洗浄処理前に、現像液を基板
に吐出することによりレジストの現像を行うようにした
第２の現像処理を有することを特徴とするものである。

【０００９】この第１の発明において、微小残渣をより
低減させるために、典型的には、現像液を基板に吐出す
るとともに、基板を毎分１００回転以上１００００回転
以下の回転数、好適には、毎分１００回転以上２０００
回転以下の回転数、より好適には、毎分３００回転以上
１０００回転以下の回転数で回転させて、第２の現像処
理を行う。

【００１０】この第１の発明において、典型的には、洗
浄処理における洗浄用液は純水であり、この純水の温度
を、典型的には２０℃以上９０℃以下、好適には２０℃
以上６０℃以下として、基板の洗浄処理を行う。

【００１１】この発明の第２の発明は、レジストが形成
された基板上に現像液を吐出することによりレジストの
現像を行うようにした第１の現像処理を有するレジスト
の現像方法において、第１の現像処理後、基板を反転さ
せることにより基板のレジストが形成された面を下方に
向け、レジストが形成された面に洗浄用液を供給するこ
とにより基板の洗浄を行うようにした第１の洗浄処理を
有することを特徴とするものである。

【００１２】この第２の発明において、典型的には、第
１の現像処理後、基板を反転させる前に、基板上に洗浄
用液を吐出することにより基板の洗浄を行うようにした
第２の洗浄処理をさらに有する。

【００１３】この第２の発明において、好適には、第１
の現像処理後、基板を反転させる前に、基板上に現像液
を吐出することによりレジストの現像を行うようにした
第２の現像処理をさらに有する。そして、この第２の現
像処理は、現像液を基板に吐出するとともに、基板を、
典型的には毎分１００回転以上１００００回転以下、好
適には毎分１００回転以上２０００回転以下、より好適
には毎分３００回転以上１０００回転以下の回転数で回
転させることにより行う。

【００１４】この第２の発明において、典型的には、第
１の洗浄処理における洗浄用液は純水であり、この純水
の温度は、典型的には２０℃以上９０℃以下、好適には
２０℃以上６０℃以下である。また、この第２の発明に
おいて、典型的には、第２の洗浄処理における洗浄用液
は純水であり、この純水の温度は、典型的には２０℃以
上９０℃以下、好適には２０℃以上６０℃以下、より好
適には、２０℃以上４０℃以下である。

【００１５】この発明の第３の発明は、レジストが形成
された基板を保持可能に構成された基板保持手段と、基
板上に現像液を吐出可能に構成された現像液吐出手段と
を有するレジスト現像装置において、基板保持手段によ
り保持される基板を反転可能に構成された基板反転手段
と、基板反転手段により反転された基板のレジストが形
成された面に向けて、洗浄用液を吐出可能に構成された
洗浄用液吐出手段を有することを特徴とするものであ
る。

【００１６】この第３の発明において、好適には、洗浄
用液吐出手段は、洗浄用液を上方に吐出可能に構成され
ている。そして、より好適には、洗浄用液吐出手段は複
数の洗浄用液吐出口を有し、この複数の洗浄用液吐出口
を通じて、洗浄用液を基板に向けて吐出可能に構成され
ている。

【００１７】この第３の発明において、微小残渣を基板
上から効率よく除去するために、好適には、基板反転手
段により基板のレジストが形成された面を下方に向ける
ことができるように構成されている。

【００１８】この第３の発明において、基板上のレジス
トの現像を効率よく行うために、典型的には、基板を、
基板の面に垂直な方向の軸を回転軸として回転可能に構
成された基板回転手段をさらに有する。

【００１９】上述のように構成されたこの発明の第１の
発明によるレジスト現像方法によれば、レジストが形成
された基板上に現像液を吐出することにより第１の現像
処理を行った後、基板に洗浄用液を吐出する前に、基板
上に再度現像液を吐出して第２の現像処理を行うように
していることにより、第１の現像処理において使用され
た現像液を、第２の現像処理において使用される新しい
現像液で置換することができる。

【００２０】また、この発明の第２の発明によるレジス
ト現像方法によれば、レジストの現像が行われた基板を
反転させて、基板のレジストが形成された面を下方に向
け、この面に向けて洗浄用液を吐出して基板の洗浄処理
を行うようにしていることにより、微小残渣を重力によ
り落下させることができ、基板上を移動し広がるのを防
止することができる。

【００２１】また、この発明の第３の発明によるレジス
ト現像装置によれば、基板を反転させる基板反転手段
と、この反転された基板に向けて洗浄用液を吐出する洗
浄用液吐出手段とを有していることにより、レジストが
形成された基板の洗浄を行う際にこの基板を反転させ、
この反転された基板に対して洗浄用液吐出手段から洗浄
用液を吐出して基板の洗浄処理を行うことができるの
で、微小残渣が基板上を移動し広がるのを防止すること
ができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００２３】まず、この発明の第１の実施形態によるレ
ジスト現像装置およびレジスト現像方法について説明す
る。図１にこの第１の実施形態によるレジスト現像装置
を示す。

【００２４】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるレジスト現像装置においては、露光済みのレジスト
（図示せず）が形成された半導体ウエハー１を保持する
真空チャック２が現像カップ３内に設けられている。こ
の真空チャック２は、モーター４により、その中心軸の
周りに回転可能になっている。モーター４の回転数およ
び回転角度は、このモーター４の回転軸４ａの中心に設
けられた回転センサー５により検出することができるよ
うになっている。この回転センサー５の出力は制御部６
に入力され、この入力に応じて制御部６によりモーター
４の回転を制御することができるようになっている。

【００２５】真空チャック２の上方には、現像ノズルア
ーム７が設けられている。この現像ノズルアーム７の先
端には、現像液を供給するための現像ノズル８が設けら
れている。この現像ノズルは、例えば、先端に現像液吐
出用の穴（図示せず）が設けられている。

【００２６】現像ノズルアーム７は、装置本体に取り付
けられた駆動装置９により、真空チャック２に保持され
た半導体ウエハー１に平行な面内でその一端の回転軸を
中心として回転可能になっている。駆動装置９は制御部
６と接続され、この制御部６により駆動装置９を制御す
ることによって現像ノズルアーム７の動作を制御するこ
とができるようになっている。これによって、現像ノズ
ルアーム７の先端に取り付けられた現像ノズル８を、現
像ノズルアーム７の回転により、この現像ノズルアーム
７の回転軸を中心として円弧状に移動させることができ
るようになっている。

【００２７】駆動装置９には現像ノズル高さコントロー
ラ１０が取り付けられ、この現像ノズル高さコントロー
ラ１０により現像ノズルアーム７を上下させることによ
って現像ノズル８の高さを制御することができるように
なっている。また、現像ノズルアーム７には流量コント
ローラ１１が取り付けられており、この流量コントロー
ラ１１により、現像ノズル８からの現像液の吐出量を制
御することができるようになっている。

【００２８】また、現像ノズル８とは別に、リンス用純
水供給用ノズル（以下、リンスノズル）１２が設けられ
ている。

【００２９】次に、この発明の第１の実施形態によるレ
ジストの現像方法について説明する。この第１の実施形
態によるレジストの現像方法においては、図１に示すレ
ジスト現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現
像を行う。

【００３０】すなわち、まず、所定の露光装置において
露光を行う。そして現像を行うべき露光済みのレジスト
（図示せず）が形成された半導体ウエハー１を真空チャ
ック２に保持する。

【００３１】次に、駆動装置９により現像ノズルアーム
７を回転させることによって、その先端の現像ノズル８
を半導体ウエハー１の中心付近に移動させるとともに、
モーター４により真空チャック２を、５００〜１０００
ｒｐｍの範囲から選ばれる回転数、例えば５００ｒｐｍ
の回転数で回転させ、半導体ウエハー１を同様の回転数
で回転させる。

【００３２】次に、現像ノズル８から半導体ウエハー１
上に現像液（図示せず）を例えば１０ｃｃ／秒の速度で
吐出する。これによって、半導体ウエハー１上に塗布さ
れた現像液は遠心力により半導体ウエハー１の全面に広
がり、現像が行われる。

【００３３】以上のようにして半導体ウエハー１の全面
に現像液を供給した後、現像ノズル８からの現像液の吐
出を停止するとともに、半導体ウエハー１の回転を停止
する。

【００３４】任意の時間経過後、例えば６０秒経過後、
モーター４により真空チャック２を、１００〜１０００
０ｒｐｍ、好適には１００〜２０００ｒｐｍ、より好適
には、３００〜１０００ｒｐｍの回転数の範囲から選択
される回転数、例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ
て、半導体ウエハー１を同様の回転数で回転させるとと
もに、現像ノズル８から半導体ウエハー１に向けて現像
液を吐出する。ここで、現像液の吐出時間は例えば５秒
間である。この半導体ウエハー１の回転により、最初に
塗布された現像液が回転の遠心力により振るい落とされ
つつ、２回目に塗布された現像液が半導体ウエハー１の
表面に広がる。これによって、最初に吐出し半導体ウエ
ハー１上に塗布された現像液が、２回目に吐出し塗布さ
れた現像液によって置換される。

【００３５】その後、現像ノズルアーム７により現像ノ
ズル８を半導体ウエハー１から外れた位置に移動させ、
代わりに半導体ウエハー１上に純水を供給するととも
に、半導体ウエハー１を例えば１０００ｒｐｍの回転数
で回転させる。このとき、純水の温度は、２０〜９０℃
の範囲、好適には２０〜６０℃の範囲から選ばれ、この
第１の実施形態においては、例えば３０℃に選ばれる。
この純水の供給によって、半導体ウエハー１から現像液
が洗い流され、現像が停止する。

【００３６】次に、リンスノズル１２からの純水の供給
を停止するとともに、半導体ウエハー１の回転数を例え
ば４０００ｒｐｍに上げて半導体ウエハー１上の純水を
振り切る。その後、半導体ウエハー１の回転を停止す
る。

【００３７】以上により、レジストの現像工程が終了す
る。

【００３８】以上のようにしてレジストの現像を行った
半導体ウエハー１当たりの欠陥の個数を、欠陥検査装置
を用いて測定した結果を図２に示す。図２より、従来１
００個程度であった欠陥が純水の温度を上昇させるに従
って減少し、特に、純水の温度を５０℃としたときに８
個になり、６０℃としたときに５個になることが分か
る。すなわち、半導体ウエハー１当たりの欠陥は、従来
１００個程度であったものが５個にまで減少したことが
確認された。

【００３９】以上説明したように、この第１の実施形態
によるレジスト現像方法およびレジスト現像装置によれ
ば、露光済みのレジストが形成された半導体ウエハー１
表面に現像ノズル８から現像液を吐出して現像を行った
後、純水を吐出することによる洗浄処理を行う直前に、
半導体ウエハー１を１００〜１００００ｒｐｍの回転数
で回転させつつ、新たな現像液を吐出して再度現像を行
っていることにより、最初の現像の際に使用された現像
液を、洗浄処理を行う直前の、２回目の現像において使
用される新しい現像液で置換することができるので、最
初の現像において現像しきれなかった残渣を現像するこ
とができ、残渣の低減を図ることができる。また、純水
による洗浄処理の際に、純水の温度を２０〜９０℃に設
定していることにより、半導体ウエハー１上のほとんど
の微小残渣を除去することができる。したがって、この
半導体ウエハー１を用いて製造される半導体装置、例え
ばＬＳＩの製造歩留まりを大幅に向上させることができ
る。

【００４０】次に、この発明の第２の実施形態によるレ
ジスト現像装置およびレジスト現像方法について説明す
る。図３にこの第２の実施形態によるレジスト現像装置
を示す。

【００４１】図３に示すように、この第２の実施形態に
よるレジスト現像装置においては、現像を行うべき露光
済みのレジスト（図示せず）が形成された半導体ウエハ
ー２１を保持する真空チャック２２が真空チャックアー
ム２３に接続されて設けられている。この真空チャック
２２はモーター（図示せず）により、その中心軸の周り
に回転可能になっている。また、真空チャックアーム２
３は、装置本体に取り付けられたアーム制御部２４によ
り、真空チャック２２に保持された半導体ウエハー２１
の現像時の状態と平行な面内で、その一端を回転軸の中
心として回転可能になっている。これにより、真空チャ
ックアーム２３の先端の真空チャック２２に保持された
半導体ウエハー２１を、真空チャックアーム２３の回転
により、この真空チャックアーム２３の回転軸を中心と
して円弧状に移動させることができるようになってい
る。

【００４２】また、真空チャックアーム２３の真空チャ
ック２２とアーム制御部２４との間の水平の部分には、
真空チャックアーム２３の真空チャック２２側の部分２
３ａとアーム制御部２４側の部分２３ｂとをつなぐよう
にして回転駆動部２５が設けられている。そして、この
回転駆動部２５によって、真空チャックアーム２３の真
空チャック側の部分２３ａを反転させ、真空チャック２
２に保持された半導体ウエハー２１を反転させることが
できるようになっている。

【００４３】また、現像ノズルアーム２６は、装置本体
に取り付けられた駆動装置２７により、現像時における
半導体ウエハー２１に平行な面内でその一端の回転軸を
中心として、回転可能になっている。駆動装置２７はコ
ンピュータ（図示せず）と接続されて、このコンピュー
タにより駆動装置２７を制御することができるようにな
っている。これによって、現像ノズルアーム２６の先端
に取り付けられた現像ノズル２７を、現像ノズルアーム
２６の回転によりこの現像ノズルアーム２６の回転軸を
中心として円弧状に移動させることができるようになっ
ている。

【００４４】また、駆動装置２７には現像ノズル高さコ
ントローラ（図示せず）が設けられており、この現像ノ
ズル高さコントローラにより現像ノズルアーム２６を上
下させることによって現像ノズル２８の高さを制御する
ことができるようになっている。

【００４５】また、現像ノズルアーム２６には流量コン
トローラ（図示せず）が取り付けられており、この流量
コントローラにより、現像ノズル２７からの現像液の吐
出量を制御することができるようになっている。

【００４６】また、真空チャック２２より高い高さから
半導体ウエハー２１上に純水を供給することにより半導
体ウエハー２１の洗浄を行うリンスノズル２９が純水供
給管３０に接続されて設けられている。

【００４７】また、真空チャック２２より低い高さから
後述する反転された半導体ウエハー２１のレジストが形
成された面に純水を供給するための、洗浄処理部３１が
設けられている。

【００４８】図４にこの純水処理部３１の詳細を示す。
図４に示すように、この洗浄処理部３１は、下方に盛り
上がったドーム状の部分と円筒状の部分とから構成され
るカップ３２を有している。このカップ３２のドーム状
の部分における円のほぼ中心、かつもっとも低い位置に
は、排液口３３が設けられており、この排液口３３に接
続されてドレイン管３４が設けられている。これらの排
液口３３およびドレイン管３４は、現像後の排液や洗浄
後の排液を外部に排出するためのものである。

【００４９】また、排液口３３の高さより高い位置に、
純水を上方に向けて噴射させるための純水噴射口３５
ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆが設けら
れている。これらの純水噴射口３５ａ〜３５ｆのうち
の、純水噴射口３５ａ〜３５ｃは、カップ３２のドーム
状の部分における円の内側で、排液口３３の中心をその
中心とした円周上に配置されている。また、純水噴射口
３５ｄ〜３５ｆは、純水噴射口３５ａ〜３５ｃが配置さ
れている円周よりさらに内側で、排液口３３の中心をそ
の中心とした円周上に配置されている。

【００５０】また、これらの純水噴射口３５ａ〜３５ｆ
にはそれぞれ純水供給管３６（一部図示せず）が接続さ
れて設けられている。そして、所定の圧力が加えられた
純水を、純水供給管３６を通じてそれぞれの純水噴射口
３５ａ〜３５ｆに供給することにより、純水を上方に向
けて噴射させることができるようになっている。

【００５１】以上のようにしてこの第２の実施形態によ
るレジスト現像装置が構成されている。

【００５２】次に、この第２の実施形態によるレジスト
現像方法について説明する。この第２の実施形態による
レジスト現像装置においては、図３に示すレジスト現像
装置を用いて、次のようにしてレジストの現像を行う。

【００５３】すなわち、まず、現像を行うべき露光済み
のレジスト（図示せず）が形成された半導体ウエハー２
１を、レジストが形成された表面を上方に向けつつ真空
チャック２２に保持する。その後、真空チャックアーム
２３をアーム制御部２４の回転軸を中心に円弧状に回転
させることにより、半導体ウエハー２１をカップ３２の
上方に位置させる。次に、駆動装置２７の現像ノズル高
さコントローラにより現像ノズル２８の高さを調節した
後、駆動装置２７により現像ノズルアーム２６を回転さ
せることによってその先端の現像ノズル２８を半導体ウ
エハー２１の中心付近に移動させるとともに、真空チャ
ック２２に接続されたモーターにより真空チャック２２
を５００〜１０００ｒｐｍから選ばれる回転数、例えば
５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半導体ウエハー２１
を同様の回転数で回転させる。

【００５４】次に、現像ノズル２８から半導体ウエハー
２１上に現像液（図示せず）を例えば１０ｃｃ／秒の速
度で吐出する。これによって、半導体ウエハー２１上に
塗布された現像液は遠心力により半導体ウエハー２１の
全面に広がり、現像が行われる。

【００５５】以上のようにして半導体ウエハー２１の全
面に現像液を供給した後、現像ノズル２８からの現像液
の吐出を停止するとともに、半導体ウエハー２１の回転
を停止する。

【００５６】任意の時間経過後、例えば６０秒経過後、
モーターにより真空チャック２２を、１００〜１０００
０ｒｐｍ、好適には１００〜２０００ｒｐｍ、より好適
には、３００〜１０００ｒｐｍの回転数の範囲から選択
される回転数、例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ
て、半導体ウエハー２１を同様の回転数で回転させると
ともに、現像ノズル２８から半導体ウエハー２１に向け
て新しい現像液を吐出する。ここで、この現像液の吐出
時間は例えば５秒間である。これにより、半導体ウエハ
ー２１の回転による遠心力によって、最初に塗布された
現像液が振るい落とされつつ、２回目に塗布された新し
い現像液が半導体ウエハー２１の表面に広がるので、最
初に塗布された現像液は２回目に塗布された現像液によ
って置換される。

【００５７】その後、駆動装置２７によって現像ノズル
アーム２６を回転させることにより、現像ノズル２８を
半導体ウエハー２１から外れた位置に移動させる。そし
て、純水を純水供給管３０を通じてリンスノズル２９か
ら半導体ウエハー２１上に供給するとともに、半導体ウ
エハー２１を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させ
る。これによって、半導体ウエハー１から現像液が洗い
流され、現像が停止する。

【００５８】次に、リンスノズル２９からの純水の供給
を停止するとともに、半導体ウエハー２１の回転数を例
えば４０００ｒｐｍに上げて半導体ウエハー２１上の純
水を振り切る。その後、半導体ウエハー２１の回転を停
止する。

【００５９】次に、回転駆動部２５により真空チャック
アーム２３の真空チャック側の部分２３ａを、この真空
チャックアーム２３の水平方向の部分に平行で、回転駆
動部２５の垂直な面に沿った断面の中心を回転軸として
回転させる。これによって、半導体ウエハー２１をその
表面が下方に向くようにして反転させる。その後、アー
ム制御部２４の真空チャック高さコントローラにより、
半導体ウエハー２１がカップ３２の円筒状の部分とドー
ム状の部分との接続部の高さになるまで真空チャック２
２を下降させる。

【００６０】次に、純水を、純水供給管３６と純水吐出
口３５ａ〜３５ｆとを順次通じて上方に向けて噴射し、
半導体ウエハー２１の表面に純水を供給する。これとと
もに、半導体ウエハー２１を例えば５００ｒｐｍの回転
数で回転させる。ここで、この純水の噴射における噴射
量は、１０〜５０ｃｃ／秒から選ばれ、この第２の実施
形態においては、例えば２５ｃｃ／秒に選ばれる。これ
により、半導体ウエハー２１上の最初の洗浄において表
面に残された現像液は純水とともに洗い流され、排液口
３３とドレイン管３４とを順次通じて排出される。そし
て、半導体ウエハー２１の洗浄が終了した後、半導体ウ
エハー２１の回転を停止する。

【００６１】以上により、レジストの現像工程が終了す
る。

【００６２】以上説明したように、この第２の実施形態
によるレジスト現像装置およびレジスト現像方法によれ
ば、第１の実施形態と同様にしてレジストの現像を行
い、純水による洗浄を行った後、さらにこの半導体ウエ
ハー２１を反転させて、純水による洗浄を行っているこ
とにより、半導体ウエハー２１表面のレジストの微細パ
ターンに引っ掛かって洗い流すことができなかった微小
残渣を、半導体ウエハー２１のレジストが形成された面
から直接除去し、重力により落下させることができるの
で、半導体ウエハー２１表面のほとんどの微小残渣を除
去することができる。これにより、この微小残渣の存在
に起因したエッチングへの悪影響を防止することがで
き、短絡（ショート）などの不正パターンの形成を防止
することができるので、この半導体ウエハー２１を用い
て製造される半導体装置、例えばＬＳＩの製造歩留まり
を大幅に向上させることができる。

【００６３】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【００６４】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる
数値を用いてもよい。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明によれば、基板に現像液を吐出することにより第１
の現像処理を行った後、基板の洗浄処理を行う前に、基
板に現像液を吐出して第２の現像処理を行うようにして
いることにより、第１の現像処理における現像液を第２
の現像処理における現像液によって置換することがで
き、基板表面に残された現像残りや微小残渣を除去する
ことができるので、レジストパターンにおける不正パタ
ーンの形成を防止することができ、この基板を用いて半
導体装置を製造する場合には、その製造歩留まりを大幅
に向上させることができる。

【００６６】また、この発明の第２の発明および第３の
発明によれば、基板保持手段により保持される基板を反
転可能に構成された基板反転手段と、基板反転手段によ
り反転された基板のレジストが形成された面に、洗浄用
液を吐出可能に構成された洗浄用液吐出手段とを有する
レジスト現像装置を用いて、現像後のレジストを有する
基板を反転させてから、この基板の洗浄処理を行うよう
にしていることにより、レジストが形成された基板表面
の微小残渣を低減することができるので、レジストパタ
ーンにおける不正パターンの形成を防止することがで
き、これにより、この基板を用いて半導体装置を製造す
る場合に、その製造歩留まりを大幅に向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態において用いられる
レジスト現像装置を示す略線図である。

【図２】この発明の第１の実施形態によるレジスト現像
方法により現像した際の半導体ウエハー表面の欠陥の個
数の洗浄用の純水温度依存性を示す表である。

【図３】この発明の第２の実施形態によるレジスト現像
装置を示す略線図である。

【図４】この発明の第２の実施形態によるレジスト現像
装置の洗浄処理部の詳細を示す略線図である。

【符号の説明】

１、２１・・・半導体ウエハー、２、２２・・・真空チ
ャック、４・・・モーター、７、２６・・・現像ノズル
アーム、８、２８・・・現像ノズル、９、２７・・・駆
動装置、３３・・・排液口、３４・・・ドレイン管、３
５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆ・・・
純水噴射口、３６・・・純水供給管

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが形成された基板上に現像液を
   吐出することにより上記レジストの現像を行うようにし
   た第１の現像処理と、 上記現像処理が行われた上記基板上に洗浄用液を吐出す
   ることにより上記基板の洗浄を行うようにした洗浄処理
   とを有するレジストの現像方法において、 上記第１の現像処理後、上記洗浄処理前に、上記現像液
   を上記基板に吐出することにより上記レジストの現像を
   行うようにした第２の現像処理を有することを特徴とす
   るレジスト現像方法。
2. 【請求項２】 上記現像液を上記基板に吐出するととも
   に、上記基板を毎分１００回転以上１００００回転以下
   の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
   を行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジ
   スト現像方法。
3. 【請求項３】 上記現像液を上記基板に吐出するととも
   に、上記基板を毎分１００回転以上２０００回転以下の
   回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理を
   行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジス
   ト現像方法。
4. 【請求項４】 上記現像液を上記基板に吐出するととも
   に、上記基板を毎分３００回転以上１０００回転以下の
   回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理を
   行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジス
   ト現像方法。
5. 【請求項５】 上記洗浄処理における上記洗浄用液が純
   水であり、上記純水の温度が２０℃以上９０℃以下であ
   ることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像方法。
6. 【請求項６】 上記洗浄処理における上記洗浄用液が純
   水であり、上記純水の温度が２０℃以上６０℃以下であ
   ることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像方法。
7. 【請求項７】 レジストが形成された基板上に現像液を
   吐出することにより上記レジストの現像を行うようにし
   た第１の現像処理を有するレジストの現像方法におい
   て、 上記第１の現像処理後、上記基板を反転させることによ
   り上記基板の上記レジストが形成された面を下方に向
   け、上記レジストが形成された面に洗浄用液を供給する
   ことにより上記基板の洗浄を行うようにした第１の洗浄
   処理を有することを特徴とするレジスト現像方法。
8. 【請求項８】 上記第１の現像処理後、上記基板を反転
   させる前に、上記基板上に上記洗浄用液を吐出すること
   により上記基板の洗浄を行うようにした第２の洗浄処理
   をさらに有することを特徴とする請求項７記載のレジス
   ト現像方法。
9. 【請求項９】 上記第１の現像処理後、上記洗浄用液を
   吐出する前に、上記基板上に上記現像液を吐出すること
   により上記レジストの現像を行うようにした第２の現像
   処理をさらに有することを特徴とする請求項８記載のレ
   ジスト現像方法。
10. 【請求項１０】 上記現像液を上記基板に吐出するとと
    もに、上記基板を毎分１００回転以上１００００回転以
    下の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処
    理を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレ
    ジスト現像方法。
11. 【請求項１１】 上記現像液を上記基板に吐出するとと
    もに、上記基板を毎分１００回転以上２０００回転以下
    の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
    を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレジ
    スト現像方法。
12. 【請求項１２】 上記現像液を上記基板に吐出するとと
    もに、上記基板を毎分３００回転以上１０００回転以下
    の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
    を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレジ
    スト現像方法。
13. 【請求項１３】 上記洗浄用液が純水であり、上記純水
    の温度が２０℃以上９０℃以下であることを特徴とする
    請求項７記載のレジスト現像方法。
14. 【請求項１４】 上記洗浄用液が純水であり、上記純水
    の温度が２０℃以上６０℃以下であることを特徴とする
    請求項７記載のレジスト現像方法。
15. 【請求項１５】 レジストが形成された基板を保持可能
    に構成された基板保持手段と、 上記基板上に現像液を吐出可能に構成された現像液吐出
    手段とを有するレジスト現像装置において、 上記基板保持手段により保持される上記基板を反転可能
    に構成された基板反転手段と、 上記基板反転手段により反転された上記基板の上記レジ
    ストが形成された面に向けて、上記洗浄用液を吐出可能
    に構成された洗浄用液吐出手段を有することを特徴とす
    るレジスト現像装置。
16. 【請求項１６】 上記洗浄用液吐出手段が、上記洗浄用
    液を上方に吐出可能に構成されていることを特徴とする
    請求項１５記載のレジスト現像装置。
17. 【請求項１７】 上記洗浄用液吐出手段が複数の洗浄用
    液吐出口を有し、上記複数の洗浄用液吐出口を通じて、
    上記洗浄用液を上記基板に向けて吐出可能に構成されて
    いることを特徴とする請求項１５記載のレジスト現像装
    置。
18. 【請求項１８】 上記基板反転手段により上記基板の上
    記レジストが形成された面を下方に向けることができる
    ように構成されていることを特徴とする請求項１５記載
    のレジスト現像装置。
19. 【請求項１９】 上記基板を上記基板の面に垂直な方向
    を回転軸として回転可能に構成された基板回転手段をさ
    らに有することを特徴とする請求項１５記載のレジスト
    現像装置。