TW200937366A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Description

200937366 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃關於例如使用於液晶裝置等之光電裝置，及 具備該光電裝置之例如液晶投影機等之電子機器之技術領 域者。 【先前技術】 Q 在此種光電裝置中，於基板上的畫素範圍形成複數之 畫素部之同時，於位置於畫素範圍之周邊的周邊範圍，放 置爲了驅動複數之畫素部的驅動電路，使用於該光電裝置 之檢查的檢查電路等之周邊電路。更加地，對於周邊範 圍，係設置有爲了從外部供給各種信號於周邊電路或將來 自周邊電路的輸出信號輸出於外部之端子（例如，參照專 利文獻1 )。 在具有如此端子之光電裝置中，在組裝光電裝置時， 〇 於檢査時或搬運時等，在光電裝置的周邊產生靜電，此等 乃藉由上述的端子而加以施加於周邊電路時，有著劣化或 破壞周邊電路（即，被靜電破壞）之虞。因此，例如如專 利文獻1所揭示地，對於相互電性連接如此之端子與周邊 電路之配線，係爲了防止周邊電路的靜電破壞，多爲形成 阻抗元件者。 [專利文獻1]日本特開2007-79541號公報 【發明內容】 -4- 200937366 [發明欲解決之課題] 但，如上述之阻抗元件係例如將配線之一部分，例如 由導電性之聚矽等比較高阻抗的材料加以構成之同時，由 在周邊範圍之端子與周邊電路之間圍上該一部分者所形 成。此情況，只因形成阻抗元件（即，成爲阻抗元件，圍 上配線之一部分）之基板上的面積乃變爲比較大，而有將 光裝置作爲小型化之情況乃變爲困難之技術上問題點。 〇 本發明係有鑑於例如上述問題點所作爲之構成，其課 題乃提供防止靜電破壞的同時，適合於小型化之光電裝 置，及具備如此光電裝置而成之電子機器者。 [爲解決課題之手段] 本發明之光電裝置乃爲了解決上述課題，具備基板， 和排列於該基板上之畫素範圍的複數之畫素部，和配置於 位置於前述基板上之前述畫素範圍的周邊之周邊範圍，於 〇 前述複數之畫素部，供給信號之周邊電路，和設置於前述 周邊範圍的端子，和從該端子圍上於前述周邊電路之同 時，具有低阻抗部分與較該低阻抗部分爲高阻抗之高阻抗 部分的引導配線，前述高阻抗部分之至少一部分乃與前述 端子藉由層間絕緣膜配置於相互不同的層之同時，加以圍 在前述周邊範圍之中形成有前述端子之範圍內。 如根據本發明之光電裝置，對於基板上的畫素範圍或 畫素陣列範圍（或亦稱作「畫像顯示範圍」），複數之畫 素部乃例如於縱橫，相互隔開間隔加以排列成矩陣狀。對 -5- 200937366 於基板上之周邊範圍，係例如配置有選擇電路（或信號分 離器），掃瞄線驅動電路，檢查電路等之周邊電路。更加 地，對於基板上之周邊範圍，例如與外部電路電性連接之 外部電路連接端子，輸入或輸出爲了檢查該光電裝置之良 否的檢査信號的檢查用端子等端子乃例如沿著基板的緣而 加以複數排列。例如，對於複數之外部電路連接端子之端 子，在光電裝置之驅動時，例如從外部電路，供給含有畫 〇 像信號，時脈信號，控制信號，電源信號等之各種信號同 時，各種信號乃藉由電性連接於端子之引導配線而供給至 周邊電路。並且，對應於各種信號的供給，經由周邊電 路，例如藉由掃瞄線或資料線而驅動畫素部，在畫素範圍 之畫像顯示動作乃以主動矩陣驅動方式而加以進行。 本發明中，引導配線係具有低阻抗部分與較該低阻抗 部分爲高阻抗之高阻抗部分。即，引導配線乃由例如含有 A1(鋁）等所形成之低阻抗部分，和由例如含有導電性之聚 Φ 矽所形成者，作爲較低阻抗部分爲高電阻之高阻抗部分所 構成。換言之，對於引導配線之低阻抗部分而言，經由高 阻抗部分而附加阻抗。因而，例如藉由端子而供給至引導 配線之信號乃藉由設置於引導配線之途中的高阻抗部分’ 供給至周邊電路者。隨之，即使在組裝光電裝置，檢查時 或搬運時等，在光電裝置之周邊產生靜電，施加於引導配 線之情況，亦可經由高阻抗部分，抑制或防止施加過剩的 電壓於與引導配線電性連接之周邊電路（更具體而言’含 於周邊電路之薄膜電晶體）。其結果，可抑制或防止經由 -6 - 200937366 施加於引導配線之靜電而靜電破壞周邊電路者。換言之， 引導配線之高阻抗部分乃經由將周邊電路作爲從靜電保護 之靜電保阻抗而發揮機能者，可使光電裝置之靜電耐壓提 昇。 本發明中，特別是引導配線所具有之高阻抗部分之至 少一部分係藉由層間絕緣膜而配置於相互不同的層之同 時’周邊範圍之中，圍在形成有端子之範圍內。典型而 © 言，高阻抗部分之至少一部分係針對在基板上之層機構 造，藉由層間絕緣膜，從端子配置於下層側，藉由開孔於 該層間絕緣膜之連接孔，與端子加以電性連接。更加地， 高阻抗部分之至少一部分係圍在形成有端子之範圍內。 即，高阻抗部分之至少一部分係在基板上平面而視，呈端 子重疊地加以圍上。也就是，高阻抗部分之至少一部分係 具有高阻抗部分之阻抗値，呈接近於特定之阻抗値地（典 型而言，具有該至少一部分之阻抗値，呈變大地）圍在形 © 成有端子之範圍內。因而，爲了將高阻抗部分，作爲呈具 有特定之阻抗値，於在基板上之周邊範圍之中，除形成有 端子之範圍的範圍，可縮小圍繞面積者。隨之，成爲可將 基板上之周圍範圍，對於畫素範圍而言進行縮小者，可不 縮小畫素範圍而減少基板的尺寸（換言之，縮小）者。其 結果，成爲可將該光電裝置作爲小型化者。 如以上說明，如根據本發明之光電裝置，可控制或防 止周邊電路被靜電破壞之同時，可將該光電裝置作爲小型 化者。並且，特別是如作爲如此之構成，針對在於含有複 200937366 數之基板的母基板上，形成複數之光電裝置之後進行切 斷，作爲個個光電裝置之汎用的製造工程，成爲可經由同 —面積內形成多個光電裝置者。於同一母基板上，將該光 電裝置，作爲數枚或數十枚，或者數十枚排列而製造之情 況，例如即使僅將基板的尺寸作爲零點數mm或數mm程 度，亦可於同一母基板上作爲一列或複數列，或者一行或 複數行，形成該光電裝置者。因而，如此即使只僅縮小基 〇 板的尺寸，亦在實用上極爲有利，可說是效果非常大。 在本發明之光電裝置用基板之一形態中，前述端子係 作爲與外部電路電性連接之外部電路連接端子而加以設 置。 如根據此型態，可防止與外部電路連接端子電性連接 之周邊電路被靜電破壞的同時，可將與外部電路連接端子 電性連接之引導配線的高阻抗部分，縮小圍繞於基板上之 周圍範圍之中除了形成有外部電路連接端子之範圍的範圍 〇 面積者。 在本發明之光電裝置用基板之其他形態中，前述端子 係作爲輸入或輸出爲了檢查該光電裝置的良否之檢查信號 的檢查用端子而加以設置。 如根據此型態，可防止與外部電路連接端子電性連接 之周邊電路被靜電破壞的同時，可將與檢査用端子電性連 接之引導配線的高阻抗部分，縮小圍繞於基板上之周圍範 圍之中除了形成有檢查用端子之範圍的範圍面積者。 本發明之電子機器乃爲了解決上述課題，具備上述本 -8 - 200937366 發明之光電裝置（惟，包含該各種形態） 如根據本發明之電子機器時，具備才 而成之故，可實現可作爲小型化之投射 視、行動電話、電子筆記本、文字處理榜 直視型之攝錄放影機、工作站、電視電 機、觸控面板等之各種電子機器。另外， 子機器，亦可實現例如電子紙等之電泳缓 ❹ 置(Field Emission Display 及 Condu Emitter Display )、使用此等電泳裝置， 顯示裝置者。 本發明之作用及其他之利益乃可由C 之最佳形態得知。 【實施方式】 以下，對於本發明之實施形態，參兵 ❹ 以下之實施形態中，以本發明之光電裝 之主動矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 <第1實施例形態> 對於有關第1實施形態之液晶裝置 1 0加以說明。 首先，關於本實施形態之液晶裝置二 圖1及圖2，加以說明。在此，圖1乃F 之平面圖，圖2乃圖1之H-H’剖面圖。 :發明之光電裝置 型顯示裝置、電 :、觀景型或監視 話、銷售點終端 作爲本發明之電 置，電子發射裝 ；tion Electron — 電子發射裝置之 下說明之爲實施

圖面加以說明。 置之一例之 TFT ，參照圖1至圖 全體構成，參照 對向基板側所視 -9- 200937366 於圖1及圖2中，關於本實施形態之液晶裝置1〇〇, 乃具備作爲對向配置之TFT陣列基板10，和對向基板 20。TFT陣列基板10係在對向配置對向基板20及TFT 陣列基板1 〇之狀態，平面而視（即，針對在圖1 ), TFT 陣列基板10之至少一邊，呈從作爲對應之對向基板20之 一邊突出或露出地，與對向基板20做比較，以大平面尺 寸加以形成。 0 於TFT陣列基板10與對向基板20間，封入有液晶 層50，TFT陣列基板10與對向基板20乃經由設置於位 於作爲有關本發明之「畫素範圍」之一例的畫素顯示範圍 l〇a之周圍的密封範圍52a之密封材52，相互加以黏著。 由此，在TFT陣列基板10及對向基板20間，於經由密 封材52所圍住之畫素顯示範圍10a，封入液晶層50。 密封材52乃由爲貼合兩基板之例如紫外線硬化樹 脂、熱硬化樹脂等所成，於製造製程中，塗佈於TFT陣 〇 列基板1 〇上後，經由紫外線照射、加熱等而硬化者。另 外，於密封材52中，散布有爲了使TFT陣列基板10與 對向基板20之間隔（即，間隙）呈特定値之玻璃纖維或 玻璃珠等之間隔材。 於圖1中，並行於配置密封材52之密封範圍52a之 內側，規定畫素顯示範圍l〇a之邊框範圍之遮光性之邊框 遮光膜53，則設於對向基板20側。但是，如此邊框遮光 膜53之一部分或全部乃於TFT陣列基板10側’做爲內 藏遮光膜加以設置亦可。然而，針對在本實施型態，係存 -10- 200937366 在有規定畫素顯示範圍l〇a之周邊的周邊範圍。換言之， 在本實施型態中，從TFT陣列基板1 〇之中心而視，較邊 框遮光膜53往前乃作爲周邊範圍而加以規定。 在於位於配置周邊範圍中之密封材52之密封範圍 5 2a之外側之範圍，含有供給畫像信之畫像信號端子等之 外部電路連接端子1 02，則沿TFT陣列基板1 〇之從對向 基板2 0突出之一邊加以設置。即，在圖1中，於沿著 ❹ TFT陣列基板10之下緣，延伸成長邊狀於橫向之突出範 圍，排列有複數之外部電路連接端子102。 於較沿著其一邊（即，排列在TFT陣列基板10之複 數之外部電路連接端子102的一邊）的密封範圍52a爲內 側，信號分離器7乃作爲呈由邊框遮光膜53所被覆而加 以設置。另外，掃描線驅動電路104乃沿鄰接於此一邊的 2邊之密封範圍52a的內側，作爲呈由邊框遮光膜53所 被覆而加以設置。另外，檢查電路160乃於較沿著對向於 ❹ 此一邊的邊之密封範圍5 2a的內側，作爲呈由邊框遮光膜 53所被覆而加以設置。加上，與檢查電路160電性連接 之檢查用端子103乃沿著配置有掃瞄線驅動電路1〇4之 TFT陣列基板10的2邊之雙方，於較沿著該2邊之各自 的密封範圍5 2 a圍外側，加以設置。即，在圖1中，於沿 著TFT陣列基板10之右緣及左緣，延伸於縱向之帶狀範 圍，排列有複數之檢査用端子1 03。 對於TFT陣列基板10上，係於對向於對向基板20 之4個角部的範圍，配置有以上下導通材1〇7爲了連接兩 -11 - 200937366 基板間之上下導通端子1 06。經由此等，於TFT陣列基板 1 〇和對向基板20間，可得電性導通。對於TFT陣列基板 10上，形成有爲了電性連接外部電路連接端子102，和信 號分離器7，掃描線驅動電路104、上下導通端子1〇6等 之引導配線90，以及爲了電性連接檢查用端子1〇3，和檢 查電路160，掃描線驅動電路104等之引導配線91» 於圖2中，在TFT陣列基板10上，形成製作驅動元 〇 件之畫素開關用之TFT或掃描線、資料線等之配線的層 積構造。於畫像顯示範圍l〇a中，於畫素開關用之TFT 或掃描線、資料線等之配線上層，設置畫素電極9a。於 畫素電極9a上，形成配向膜。另一方，於與對向基板20 之TFT基板10之對向面上，形成遮光層23。於遮光膜 23上，ITO ( Indium Tin Oxide )等之透明材料所成對向 電極21與複數之畫素電極9a對向所形成。於對向電極 21上，形成配向膜。液晶層50乃例如由混合一種或數種 φ 之向列液晶之液晶所成，於此等一對之配向膜間，得特定 之配向狀態。 然而，對於對向基板20之投射光所射入側及TFT陣 列基板1 〇之射出光所射出側，係對應於各例如TN(扭轉 向列）模式，STN(超TN)模式，D-STN(雙STN)模式等之動 作模式，或標準白膜是/標準黑模式別，以特定的方向配 置偏光薄膜，相位差薄膜，偏光板等。 接著，對於有關本實施形態之液晶裝置之電性構成’ 參照圖3及圖4，加以說明。在此，圖3乃顯示關於本實 -12- 200937366 施形態之液晶裝置之電性構成的方塊圖。圖4乃關於本實 施形態之液晶裝置之畫素部之等校電路圖。 於圖3’液晶裝置1〇〇係於TFT陣列基板1〇上，具 備信號分離器7，掃描線驅動電路1〇4及檢查電路160。 TFT陣列基板10之外部電路連接端子丨〇2之中，於畫素 信號端子l〇2v’電性連接作爲外部電路之畫像信號供給 電路400。 〇 對於TFT陣列基板10上之畫像顯示範圍10a，係 1088行之掃瞄線11a呈延伸存在於行方向（即，X方向） 地加以設置，另外，對於每8條加以組群畫之1 984( = 248 X 8)列之資料線6 a，乃呈延伸存在於列方向（即，γ方 向）地，且保持與各掃瞄線11a相互電性絕緣地加以設 置。然而’掃猫線11a及資料線6a的條數係並非局限於 各1 08 8條及1 984條者。構成1組群之資料線數係在本實 施型態中，作爲「8」，但如爲「2」以上即可。 © 畫素部600係對應於1 088條之掃瞄線1 la與1 984條 之資料線6a的交叉，各自加以排列。隨之，在本實施型 態中，畫素部600係爲縱1088行X橫1984列，以特定的 畫素間距，配列成矩陣狀者。 如圖4所示，畫素部600係具備畫素開關用TFT30， 液晶元件72及儲存電容器70。 畫素開關用TFT30係源極乃電性連接於資料線6a， 閘極乃電性連接於掃瞄線11a，汲極乃電性連接於後述之 液晶元件72之畫素電極9a。畫素開關用TFT30係經由從 -13- 200937366 掃描線驅動電路104所供給之掃描信號，切換開啓關閉。 液晶元件72係由畫素電極9a，對向電極21以及夾 持於畫素電極9a及對向電極21間的液晶所構成。在液晶 元件72 ’藉由資料線6a及畫素電極9a而寫入於液晶之 特定位準的資料信號乃在與對向電極21之間加以一定期 間保持。液晶乃經由施加之電壓位準，藉由改變分子集合 之配向或秩序，調變光線，使可進行色階顯示。正常白模 © 式之時，對應於各畫素之單位施加之電壓，減少對於入射 光之透過率，爲正常黑模式之時，對應於各畫素之單位施 加之電壓，增加對於入射光之透過率，就整體而言，從液 晶裝置1 〇〇則對應於畫像信號，射出具有對比之光線。 儲存電容器70乃保持之畫像信號爲了防止泄放，並 列附加於形在畫素電極9 a和對向電極間的液晶電容。 如以上之畫素部600乃因於畫像顯示範圍l〇a，排列 呈矩陣狀，故成爲可主動矩陣驅動。 ❹ 再針對在圖3,在本實施型態中，爲了區別構成1組 群之 8列的資 料線 6 a ，有著從右 依 序: 各稱作ϊ i、 b 、c、 d、e 、f、g、h 系列的情況。 更詳細爲£ 1系列 乃 第 1 、9、 17、 ...、1977 列 之 資 料 線 6a， b 系 列 乃 第 2 、 10、 18、 ...、1978 列 之 資 料 線 6a， c 系 列 乃 第 3 11' 19、 ...、1979 列 之 資 料 線 6a， d 系 列 乃 第 4 、 12、 20、 ...、1980 列 之 資 料 線 6a， e 系 列 乃 第 5 、 13' 21、 ...' 198 1 列 之 資 料 線 6a， f 系 列 乃 第 6 、 14、 22、 ...、1982 列 之 資 料 線 6a， g 系 列 乃 第 7 \ 15、 -14- 200937366 23、 …、1 983列之資料線 6a，h系列乃第 8、16、 24、 …、1984列之資料線6a。 掃描線驅動電路104乃具有位移暫存器，對於第1、 2、3、…、1088行之掃瞄線lla，供給掃描信號G1、 G2、G3、…、G 1 08 8。詳細而言，掃描線驅動電路1〇4係 跨越1圖框的期間，依序選擇第1、2、3、…、1088行之 掃瞄線11a的同時，將對於作爲選擇之掃瞄線的掃描信 〇 號’作爲相當於選擇電壓之Η位準，將對於除此之外之 掃瞄線的掃描信號，作爲相當於非選擇電壓之L位準。 畫像信號供給電路400乃與TFT陣列基板1 0個別構 成’對於進行顯示動作時，藉由畫像信號端子l〇2v而與 TFT陣列基板10加以連接。畫像信號供給電路400係對 於對應於經由掃描線驅動電路104所選擇之掃瞄線11a， 和在屬於各組群之8列的資料線6a之中，經由信號分離 器7所選擇之資料線6a的畫素電極9a而言，輸出對應於 ® 含有該畫素電極9a之畫素的色階之電壓的畫像信號。從 畫像信號供給電路400供給至畫像信號端子l〇2v之畫像 信號乃藉由含於引導配線9 0(參照圖1)之畫像信號線 3〇〇，供給至信號分離器7。在本實施型態中，畫像信號 線300係如之後詳述地，具有低阻抗部310，和較低阻抗 部310爲高阻抗之高阻抗部3 20，可降低或防止信號分離 器7被靜電破壞者。 另一方面，在檢查時，對於畫像信號端子102v，係 取代畫像信號供給電路400，連接檢查用畫像信號供給電 -15- 200937366 路，供給配合檢查動作之檢查用的畫像信號。 然而’在本實施型態中，如上述，資料線6a的列數 乃「1 984」’此等因對於各8列作爲組群化，故畫像信號 端子102v的個數乃「248」。 信號分離器7乃含有設置於各資料線6a之TFT71所 構成。在此，TFT71乃η通道型，各級極乃連接於資料線 6a之一端。對應於屬於同一組群之資料線6a的8個之 〇 TFT71的源極’係與對應於該組群之畫像信號線3〇〇加以 作爲共通連接。 即，第m (但’ m乃1以上248以下的整數）之組群 係因由a系列之第（8 m - 7 )列，b系列之第（8 m - 6 )列， c系列之第（8m-5 )列，d系列之第（8m-4 )列，e系列 之第（8 m - 3 )歹！j ’ f系列之第（8 m - 2 )列，g系列之第 (8 m -1 )列及h系列之第（8 m )列之資料線6 a所構成， 故對應於此等8列之資料線6a的TFT71之源極係加以共 © 通連接，供給畫像信號VID(m)。對於對應於第（8m-7) 列之資料線6a的TFT71之源極，係藉由控制信號700而 供給控制信號Sell，同樣地，對於對應於第（8rn_ 7 ) 列’第（8 m - 5 )歹IJ ’第（8 m _ 4 )列，第（8 m - 3 )列，第 (8m-2 )列’第（8m-l )列及第（8m)列之資料線6a的 TFT71之閘極，係藉由韓瑜引導配線90(參照圖1)之控制 信號 700而供給控制信號 Sel2，Sel3，Sel4，Sel5， Sel6，Sel7 及 Sel8。控制信號 Sell，Sel2，…，Sel8 係從 作爲未圖示之外部電路之時間控制電路，藉由外部電路連 -16- 200937366 接端子102之中控制信號端子i〇2s而供給至控制信號 7 00。在本實施型態中，畫像信號線700係如之後詳述 地’大致與畫像信號線300同樣地，具有低阻抗部710, 和較低阻抗部710爲高阻抗之高阻抗部720，可降低或防 止信號分離器7被靜電破壞者。 在圖3’檢查電路160乃含有控制電路162，及設置 於各資料線6a之TFT 164所構成。 〇 控制電路1 62係含有位移暫存器所構成。對於控制電 路162，在檢查時，傳送開始脈衝DX，時脈信號CLX， 反轉時脈信號CLXB，傳送方向控制信號DIRX，電源電 位VDD乃從設置於外部之檢査控制電路（省略圖示）， 藉由檢查用端子1〇3(參照圖1)之中檢查用端子103i，及 含於引導配線91(參照圖1)之檢查用信號線810而加以供 給。控制電路1 62係在檢查時，將傳送開始脈衝DX，依 照傳送方向控制信號DIRX以及時脈信號CLX，反轉時脈 G 信號CLXB依序進行位移，將傳送脈衝XI，X2，...， X248 >對應於後述之TFT164之各組群而進行輸出。在本 實施型態中，檢查用信號線810係如之後詳述地，具有低 阻抗部8 1 1，和較低阻抗部8 1 1爲高阻抗之高阻抗部 812，可降低或防止檢査電路16〇(更具體而言，含於控制 電路162之TFT)被靜電破壞者。 TFT164乃η通道型之TFT，各源極乃連接於資料線 6a之另一端（即，與連接在資料線6a之信號分離器7的 一端相反側之另一端）。對應於屬於同一組群之資料線 -17- 200937366 6a的8個之TFT 164的閘極，係加以作爲共通連接，從控 制電路1 62供給對應於該組群之傳送脈衝Xm。 即，對應於構成第m之組群的第（8m-7 )列，第 (8m-6)列，第（8m-5)列，第（8m-4)列，第（8m-3 )列，第（8m-2 )列，第（8m-l )列及第（8m )列之資 料線6a的TFT164之閘極，係共通地供給經由控制電路 162之傳送脈衝Xm。 〇 在從第1至第248之組群，對應於a系列之資料線 6a的TFT 164之汲極乃共通連接於與構成組群之資料線6a 數量相同條數之8條檢查用信號線820之中，作爲檢查信 號Cxi而讀出之檢查用信號線820。同樣地，在個組群， 對應於b、c、d、e、f、g& h系列之資料線 6a的 TFT164之汲極乃共通連接於8條檢査用信號線820之 中’作爲檢查信號 Cxi 、 Cx2 、 Cx3 、 Cx4 、 Cx5 、 Cx6 、 Cx7及Cx 18而讀出之檢査用信號線820。檢查用信號線 ❹ 820乃含於引導配線91 (參照圖1 )，電性連接於檢查用 端子103 (參照圖1)之中檢查用端子1〇3〇。在本實施型 態中，畫像信號線820係如之後詳述地，大致與檢査用信 號線810同樣地，具有低阻抗部821，和較低阻抗部821 爲高阻抗之高阻抗部822，可降低或防止檢查電路160 (更具體而言乃TFT 164 )被靜電破壞者。 經由上述之檢查電路160，在檢查時’例如由對於各 資料線6a的組群，從控制電路162輸出傳送脈衝XI、 X2、...、X120，開啓對應於個組群之TFT164之狀態，將 18- 200937366 預先供給特定電壓之檢查用的畫像信號之資料線6a的電 位，輸出至8條之檢査用信號線820。並且，由經由電性 連接於8條之檢查用信號線820之外部的判定手段，判定 8條之檢查用信號線820是否爲特定之電位者，進行檢查 信號分離器7或各資料線6a的良否之檢査。然而，如此 之檢查係雖在後進行說明，但在於母基板上，形成在TFT 陣列基板1 〇側之各種的構成要素之狀態（即，將母基 〇 板，分斷爲各液晶裝置100之前）加以進行。 檢查用端子103 (參照圖1)之中，檢査用端子103y係 在檢查時，爲了將從掃描線驅動電路104所輸出之檢查用 的輸出信號，作爲檢查信號YEP而讀出之檢查用端子， 藉由含於引導配線91(參照圖1)之檢查用信號線830,與 掃描線驅動電路104 (更具體而言，具有掃描線驅動電路 104之位移暫存器的最終段的輸出線）電性連接。在檢查 時，由將檢查用端子103 y作爲探針者，可檢査掃描線驅 Ο 動電路104。在本實施型態中，檢查用信號線83 0係如之 後詳述地，具有低阻抗部831，和較低阻抗部831爲高阻 抗之高阻抗部832，可降低或防止掃描線驅動電路104(更 具體而言，含於掃描線驅動電路104之TFT)被靜電破壞 者。 然而，檢查用端子1〇3(參照圖1)之中檢查用端子 103nc乃未使用端子。檢查用端子l〇3nc係與檢查用端子 l〇3i同樣地，藉由外部連接端子810而與控制電路162電 性連接。 -19- 200937366 在此，對於如上述所構成之液晶裝置之動作，參照圖 3加以說明。 掃描線驅動電路104乃跨越某1圖框（第η圖框）之 期間，將掃描信號G1、G2、G3、…、G 1 08 8，於各1水 平期間，依序排他性地作爲Η位準（即，選擇電壓）。 在此，在1水平期間中，從時間控制電路所供給之控 制信號Sell、Sel2、…、Sel8係尤其順序排他性地成爲Η © 位準，配合其供給，畫像信號供給電路400係供給畫像信 號 VID1 ， VID2 ， VID3 ，…，VID248 。 更詳細而言，畫像信號供給電路400係在第i行之掃 描信號Gi成爲Η位準之期間，控制信號Sell成爲Η位 準時，唯因應於對應第i行之掃描線11a與a系列之資料 線 6a的交叉之畫素色階的電壓，對於對向電極電位 LCCOM而言，對應於高位或低位之畫像信號 VID1， VID2，VID3，…，VID248的組群而一倂輸出。此時，因 Ο 唯控制信號Sell爲Η位準，故選擇a系列之資料線6a (即，唯對應於a系列之資料線6a之TFT71則作爲開 啓）之結果，畫像信號VID1，VID2，VID3，…，VID248 係供給於各a系列（第1，9，17，…，1 977列）之資料 線6a。另一方面，掃描信號Gi乃Η位準時，在位置於第 i行之畫素的所有，因畫素開關用TFT30成爲開啓（導 通）狀態，故供給至a系列之資料線6a之畫像信號 VID1，VID2，VID3，…，VID248乃成爲施加於各i行1 列，i行9列，i行17列，...，i行1 977列之畫素電極9a -20- 200937366 者。 接著，畫像信號供給電路400係在控制信號Sel2成 爲Η位準時，接下來將因應於對應第i行之掃描線11a與 b系列之資料線6a的交叉之畫素色階的電壓的畫像信號 VID1，VID2，VID3，…，VID248，對應於第 1，2， 3，…，248的組群而一倂輸出。此時，因唯控制信號 Sel2爲Η位準，故選擇b系列之資料線6a之結果，畫像 〇 信號VID1，VID2，VID3，...，VID248係供給於各b系列 (第2，10，18，…，1978列）之資料線6a，成爲施加於 各i行2列，i行1 0列，i行1 8列，…，i行1 978列之畫 素電極9a者。 同樣地，畫像信號供給電路400係在第i行之掃描信 號Gi成爲Η位準之期間，將對應於對於控制信號Sel3成 爲Η位準時，對應於第i行之掃描線11a與c系列之資料 線6a的交叉之畫素，對於控制信號Sel4成爲Η位準時， © 對應於第i行之掃描線Ha與d系列之資料線6a的交叉 之畫素，對於控制信號Sel5成爲Η位準時，對應於第i 行之掃描線11a與e系列之資料線6a的交叉之畫素’對 於控制信號Sel 6成爲Η位準時’對應於第i行之掃描線 11a與f系列之資料線6a的交叉之畫素，對於控制信號 Sel7成爲Η位準時，對應於第i行之掃描線11a與g系列 之資料線6a的交叉之畫素，對於控制信號Sel8成爲Η位 準時，對應於第i行之掃描線11a與h系列之資料線6a 的交叉之畫素之色階的電壓之電壓的畫像信號 VID1， -21 - 200937366 VID2，VID3，…，VID248，對應於各第 1，2 ’ 3 ’ …， 248的組群而一倂輸出。由此，對應於第i行之各畫素的 色階之畫像信號VID1，VID2 ’ VID3 ’…’ VID248乃供給 至c系列（第3 ’ 1 1 ’ 19 ’…’ 1 9 7 9列）之資料線6 a ’施 加於各i行3列，i行1 1列，i行19列，…’ i行1 979列 之畫素電極 9a，接著，供給至 d系列（第 4，12, 2 0，...，1 9 8 0列）之資料線6 a，施加於各i行4列，i行 ❹ 12列，i行20列，…，i行1 980列之畫素電極9a，接 著，供給至e系列（第5，13，21，…，198 1列）之資料 線6a，施加於各i行4列，i行12列，i行20歹[|，...，i 行1 980列之畫素電極9a，接著，供給至f系列（第6， 14，22 ’…’ 1 982列）之資料線6a，施加於各i行4 列，i行12列’ i行20列，…，i行1 980列之畫素電極 9a，接著，供給至g系列（第7，15，23，…，19839 列）之資料線6a，施加於各i行4列，i行12列，i行20 ❹ 列，…’ i行1 980列之畫素電極9a，接著，供給至h系 列（第8，16，24，…，1 984列）之資料線6a，施加於各 i行4列’ i行12列，i行20列，…，i行1 980列之畫素 電極9 a。 由此’對於第i行之畫素而言，寫入對應於色階之畫 像信號的電壓動作結束。然而，施加於畫素電極9a之電 壓乃即使掃描信號Gi成爲L位準，亦經由液晶電容器而 保持至接下來之第（n+1)圖框的寫入者。 接著1 ’有關本實施形態之液晶裝置，對於與外部電路 -22- 200937366 連接端子電性連接之引導配線的具體構成，加上圖3，參 照圖5及圖6’加以說明。然而，在此，主要對於外部電 路連接端子102之中，與畫像信號端子i〇2v電性連接之 含於引導配線90的畫像信號線3 00，進行說明。含於引 導配線90的其他配線（例如，上述之控制信號線700 等）亦與畫像信號線3 0 0大致同樣地加以構成。 在此，圖5乃顯示畫像信號線之配置的平面圖。圖6 〇 乃圖5之A — A’線剖面圖。然而，在圖5中，特別擴大顯 示畫像信號線之配置之中，本發明之特徵的構成之高阻抗 部之配置。 如圖3及圖5所示，在本實施型態中，複數之畫像信 號線300乃各具有低阻抗部310及高阻抗部320。然而， 低阻抗部310乃關於本發明之「低阻抗部份」之一例，高 阻抗部320乃關於本發明之「高阻抗部份」之一例。 如圖3及圖5所示，低阻抗部310乃做爲在畫像信號 ❹ 線300之後述的高阻抗部320以外之部分加以形成。 在圖5及圖6，低阻抗部310係由與鋁膜所成之畫像 信號端子102 v同一膜所形成之配線層310a，和與畫像信 號端子102 v與藉由層間絕緣膜42而形成於下層側之鋁膜 所成之中繼層910同一膜所形成之配線層310b所成。配 線層310a與配線層310b乃藉由開孔於層間絕緣膜42之 連接孔8 1，相互加以電性連接。即，低阻抗部3 1 0係作 爲相互電性連接之2個之配線層3 1 0a及配線層3 1 Ob所成 之二重配線加以形成。低阻抗部3 1 0係形成於TFT陣列 -23- 200937366 基板ίο上之周邊範圍之中’未形成有畫素信號端子102v 之範圍。即，低阻抗部3 1 0係在TFT陣列基板1 0上平面 而視，呈未與畫像信號端子1〇2v重疊地加以設置。 然而，在此，「同一膜」係指於在製造工程之同一機 會加以成膜的膜，爲同一種類的膜。另外，「爲同一膜」 係指並非要求至做爲一片的膜而連續之內容’基本上’同 一膜之中，如爲相互加以分斷之膜部分即足夠之內容。 © 畫像信號端子l〇2v係由配置於層間絕緣膜42上之鋁 膜所成，呈從開口於配置於該鋁膜之上層側的層間絕緣膜 4 3之開口部1 5 1 0露出地加以形成。 然而，控制信號端子l〇2s，檢査用端子l〇3i， 103〇，103nc及103y係與畫像信號端子102v大致同樣地 加以構成。即，控制信號端子l〇2s，檢查用端子103i， 103〇，103nc及103y係由配置於層間絕緣膜42上之鋁膜 所成，呈從開口於配置於該鋁膜之上層側的層間絕緣膜 〇 43之開口部露出地加以形成。 另一方面，高阻抗部320係由較中繼層910，藉由層 基絕緣膜41於下層側（換句話，於TFT陣列基板10上 之基底絕緣膜12上）加以配置之導電性聚矽膜所構成。 高阻抗部320乃與低阻抗部3 10，藉由開孔於於層間絕緣 膜41之連接孔82(參照圖5)，加以電性連接。另外， 高阻抗部3 20乃與畫像信號端子102 V，藉由連接孔83, 84及中繼層910，加以電性連接。更詳細爲高阻抗部320 乃與中繼層910，藉由開孔於於層間絕緣膜41之連接孔 -24- 200937366 84,加以電性連接。更加地，中繼層910乃與畫像信號端 子102v，藉由開孔於於層間絕緣膜42之連接孔83，加以 電性連接。換言之，中繼層910係電性中繼連接高阻抗部 320與畫像信號端子l〇2v。 然而，對於形成有畫像信號端子l〇2v之範圍內之一 部分，係設置有與高阻抗部3 20同一膜所成之模擬膜 920，模擬膜920乃與中繼層910，藉由開孔於於層間絕 © 緣膜4 1之連接孔85，加以電性連接。 因而，導電性聚矽膜所成之高阻抗部32 0係較做爲由 鋁膜所成之二重配線的低阻抗部310，電阻値爲高。即， 對於畫像信號線3 00之低阻抗部分而言，經由高阻抗部分 而附加阻抗。因而，藉由畫像信號端子1 〇2v而供給至畫 像信號線3 00之畫像信號乃藉由設置於畫像信號線300之 途中的高阻抗部分3 20，供給至信號分離器7者。隨之， 即使在組裝光電裝置100,檢查時或搬運時等，在液晶裝 Ο 置100之周邊產生靜電，施加於畫像信號線3 00之情況， 亦可經由高阻抗部320，抑制或防止施加過剩的電壓於與 畫像信號線300電性連接之信號分離器7(更具體而言， 含於信號分離器7之TFT7 1)。其結果，可抑制或防止經 由施加於畫像信號線3 00之靜電而靜電破壞信號分離器7 者。換言之，畫像信號線3 00之高阻抗部3 20乃經由將信 號分離器7作爲從靜電保護之靜電保護阻抗而發揮機能 者’可使液晶裝置100之靜電耐壓提昇。 在圖5，在本實施型態中，特別是畫像信號線3 00所 -25- 200937366 具有之高阻抗部3 20的一部分係引導在周邊範圍之中，形 成有畫像信號端子102v之範圍內。即，高阻抗部320之 中，引導部分321係引導在周邊範圍之中，形成有畫像信 號端子10 2v之範圍內。高阻抗部320之引導部分321係 在TFT陣列基板10上平面而視，呈與畫像信號端子1〇2v 重疊地加以圍住。也就是，高阻抗部320之引導部分321 係具有高阻抗部分之阻抗値，呈接近於特定之阻抗値地 ❹ (也就是，具有該高阻抗部3 20之阻抗値，呈變大地）圍 在形成有畫像信號端子102v之範圍內。因而，爲了將高 阻抗部320，作爲呈具有特定之阻抗値，於在TFT陣列基 板10上之周邊範圍之中，除形成有畫像信號端子102v之 範圍的範圍，可縮小圍繞面積者。即，可縮小形成於在高 阻抗部320之周邊範圍之中，除形成有畫像信號端子 l〇2v之範圍的範圍的引導部分322者（換言之，可縮小 引導部分322之配置面積者）。隨之，成爲可將TFT陣 〇 列基板10上之周圍範圍，對於畫素顯示範圍l〇a而言進 行縮小者，可不縮小畫素顯示範圍1 0 a而減少T F T陣列 基板1〇(換言之，縮小）者。其結果，成爲可將該液晶 裝置100作爲小型化者。 然而，參照圖3，上述之控制信號線70 0乃與上述之 畫像信號線3 00大致同樣地加以構成。即，複數之控制信 號線700，係各具有低阻抗部710及高阻抗部720。低阻 抗部710乃做爲由與配線層310a同一膜所形成之配線 層，和由與配線層310b同一膜所形成之配線層，藉由開 -26- 200937366 孔於於層間絕緣膜42之連接孔’相互加以電性連接所成 之二重配線所形成。另一方面，高阻抗部720係由與高阻 抗部320同一膜所構成。高阻抗部720係電性連接低阻抗 部710及控制信號端子102s。在此，在本實施型態中， 特別是畫像信號線700所具有之高阻抗部720的一部分係 引導在周邊範圍之中，形成有控制信號端子l〇2s之範圍 內。因而，成爲可將TFT陣列基板10上之周圍範圍，對 ❹ 於畫素顯示範圍l〇a而言進行縮小者，可不縮小畫素顯示 範圍l〇a而減少TFT陣列基板10者。 接著，有關本實施形態之液晶裝置，對於與檢查用端 子電性連接之引導配線的具體構成，加上圖3，參照圖7 至圖1〇，加以說明。然而，在此，主要對於檢查用端子 103之中，與檢查用端子103i電性連接之含於引導配線 91的檢查用信號線810，進行說明。含於引導配線91的 其他配線（上述之檢查用信號線820及830)亦與檢查用 G 信號線8 1 0大致同樣地加以構成。 在此首先，關於本實施形態之液晶裝置之檢查用端子 的配置，參照圖7及圖8，加以說明。在此，圖7乃爲了 說明關於本實施形態之液晶裝置，在母基板上加以製造之 部分平面圖。圖8乃顯示經由圖7之點線A0所爲著之一 部分的構成之部分擴大平面圖。 如圖7所示關於本實施形態之液晶裝置1〇〇係針對在 製造處理，做爲採取在母基板S上加以一舉複數形成之型 態者。即，針對在母基板S之上方，液晶裝置100乃於各 -27- 200937366 縱橫’呈排列爲矩陣狀地加以形成，在各液晶裝置1 〇 ο， 形成各如參照圖1至圖4所說明之各種構成要素（畫素開 關用TFT3 0或掃瞄線lla，資料線6a等，或掃描線驅動 電路104或信號分離器7，檢查電路160等）。 順帶說明，在圖7所示之母基板S係由複數包含圖1 及圖2所示之TFT陣列基板10而成。即，對於圖7所示 之母基板S上，係形成有在TFT陣列基板1 〇側之各種構 〇 成要素’與此不同，對於圖7係於未圖示之玻璃基板的上 方’形成有對向電極21，配向膜等，複數形成有對向基 板20’個別分斷個對向基板20。並且，於各形成於母基 板S之TFT陣列基板1 0，使對向基板20個別地做爲對 向，對於一對之TFT陣列基板10及對向基板20，個別地 經由密封材52而貼合之後，將液晶封入於TFT陣列基板 10及對向基板20間。之後，經由分斷母基板s者，製造 如圖1及圖2所示之個別之液晶裝置1〇〇者。

Ο 在此，如圖7及圖8所示，在母基板s，沿著各TFT 陣列基板10之外周，設置有切斷範圍Ct。並且，母基板 s係對於切斷範圍Ct而言，經由施以切塊或溝加工之時 而加以分斷。 在圖8，複數之檢查用端子1〇3(即，檢查用端子 103i，103〇，103nc及103y)係於TFT陣列基板1〇上之周 邊範圍之中，較密封範圍5 2 a爲外側，沿著T F T陣列基 板1 〇之一邊而加以排列。檢査用端子1 0 3係參照圖1而 如上述，配置於在TFT陣列基板1〇之畫素顯示範圍i〇a -28- 200937366 兩側各自，故在母基板S，形成於相互鄰接之TFT陣列基 板10各自之檢査用端子1〇3係夾持切斷範圍Ct而相互鄰 接。 然而，在圖8中，配置於在左側之TFT陣列基板10 的畫素顯示範圍l〇a側之8個檢查用端子103，和配置於 在右側之TFT陣列基板1 0的畫素顯示範圍1 0a之左側之 8個檢査用端子103，係夾持切斷範圍Ct而相互鄰接。 〇 接著，對於有關本實施形態之液晶裝置之檢查用信號 線810之具體構成，加上圖3參照圖9及圖10，加以說 明。在此，圖9乃顯示以圖8之點線A1所圍著之一部分 的構成之部分擴大平面圖，圖10乃圖9之B-B’剖面圖。 如圖3，圖9及圖10所示，在本實施型態中，檢查 用信號線810乃具有低阻抗部811及高阻抗部812。然 而，在圖9及圖10中，將電性連接於左側之TFT陣列基 板10上之檢查用端子l〇3i的高阻抗部812，做爲高阻抗 G 部812-1而顯示，將電性連接於右側之TFT陣列基板10 上之檢查用端子l〇3i的高阻抗部 812，做爲高阻抗部 8 1 2-2而顯示。 然而，低阻抗部8 1 1乃關於本發明之「低阻抗部份」 之一例，髙阻抗部812乃關於本發明之「高阻抗部份」之 一例。 在圖3及圖9，低阻抗部811乃做爲在檢查用信號線 810之後述的高阻抗部812以外之部分加以形成。 在圖9及圖10，低阻抗部811係由與鋁膜所成之檢 -29- 200937366 査用端子l〇3i同一膜所形成之配線層811a’和與檢查用 端子1 03 i與藉由層間絕緣膜42而形成於下層側之鋁膜所 成之中繼層913同一膜所形成之配線層811b所成。配線 層811a與配線層811b乃藉由開孔於於層間絕緣膜42之 連接孔8 1 b，相互加以電性連接。即，低阻抗部8 1 1係作 爲相互電性連接之2個之配線層811a及811b所成之二重 配線加以形成。低阻抗部811係形成於TFT陣列基板10 Q 上之周邊範圍之中，未形成有檢查用端子l〇3i之範圍。 即，低阻抗部8 1 1係在TFT陣列基板1 0上平面而視，呈 未與檢査用端子l〇3i重疊地加以設置。 檢查用端子l〇3i係由配置於層間絕緣膜42上之鋁膜 所成，呈從開口於配置於該鋁膜之上層側的層間絕緣膜 43之開口部1 5 3 0露出地加以形成。 另一方面，高阻抗部812(即，高阻抗部812-1及 812-2)係由較中繼層913，藉由層基絕緣膜41於下層側 〇 (換句話，於TFT陣列基板10上之基底絕緣膜12上） 加以配置之導電性聚矽膜所構成。高阻抗部8 1 2乃與低阻 抗部811，藉由開孔於於層間絕緣膜41之連接孔82b (參 照圖9 )，加以電性連接。另外，高阻抗部8 1 2乃與檢查 用端子103i，藉由連接孔83b，84b及中繼層913，加以 電性連接。更詳細爲高阻抗部812乃與中繼層913，藉由 開孔於於層間絕緣膜4 1之連接孔84b，加以電性連接。 更加地，中繼層913乃與檢查用端子103i，藉由開孔於於 層間絕緣膜42之連接孔83b，加以電性連接。換言之， -30- 200937366 中繼層913係電性中繼連接高阻抗部812與檢查用端子 103卜 然而，對於形成檢查用端子l〇3i之範圍內之一部 分，係設置有與高阻抗部812同一膜所成之模擬膜923, 模擬膜923乃與中繼層913，藉由開孔於於層間絕緣膜41 之連接孔85b，加以電性連接。 因而，-導電性聚矽膜所成之高阻抗部812係較做爲 ❹ 由鋁膜所成之二重配線的低阻抗部811，電阻値爲高。 即，對於畫像信號線810之低阻抗部分而言，經由高阻抗 部分而附加阻抗。隨之，例如，對於形成於母基板S之複 數的液晶裝置100而言，進行檢查時等，在液晶裝置1〇〇 之周邊產生靜電，施加於檢查用信號線810之情況，亦可 經由高阻抗部812，抑制或防止施加過剩的電壓於與檢查 用信號線810電性連接之檢查電路160 (更具體而言，含 於控電路1 62之TFT )。其結果，可抑制或防止經由施加 〇 於檢査用信號線810之靜電而靜電破壞檢查電路160者。 在此，如圖9所示，在本實施型態中，檢查用信號線 810係將其一部分加以形成於切斷範圍Ct，將母基板S分 斷於各TFT陣列基板10時，在其途中加以切斷。因而， 由將母基板S分斷者而製造個別之液晶裝置100之後，可 防止施加於檢查用端子l〇3i之靜電乃藉由檢査用信號線 810而施加於檢查電路160者。 在圖9，在本實施型態中，特別是檢查用信號線810 所具有之高阻抗部812的一部分係引導在周邊範圍之中， -31 - 200937366 形成有檢查用端子103i之範圍內。 更詳細爲，圖9中，如著眼於電性連接於左側之TFT 陣列基板10上的檢查用端子1〇3 i側之檢查用信號線 810，檢査用信號線810所具有之高阻抗部812-1之一部 分乃引導在形成有電性連接該高阻抗^ 812-1之檢查用端 子103i的範圍內同時，高阻抗部812-1之其他的一部分 係引導在形成有右側之TFT陣列基板10上的檢查用端子 〇 103 i(換言之，未電性連接該高阻抗部812-1之檢査用端 子103i，也就是電性連接高阻抗部812-2之檢查用端子 103 )。即，高阻抗部812-1係呈其一部分812-la與電性 連接該高阻抗部812-1之檢查用端子103i重疊地加以形 成之同時，呈其他一部分81 2-lb與形成電性連接該高阻 抗部812-1之檢查用端子103i之TFT陣列基板10與形成 於在母基板S上相互鄰接之TFT陣列基板10上之檢查用 端子l〇3i重疊地加以形成。換言之，高阻抗部812-1係 〇 具有各自形成於在母基板S上相互鄰接之TFT陣列基板 10之同時，藉由切斷範圍Ct，與相互鄰接之2個檢查用 端子103i各自重叠而引導的部份。也就是，高阻抗部 820- 1係具有高阻抗部820-1之阻抗値，呈接近於特定之 阻抗値地，其一部分812-la及其他一部分81 2-lb乃圍在 形成有檢查用端子l〇3i之範圍內。因而，爲了將高阻抗 部820-1，作爲呈具有特定之阻抗値，於在TFT陣列基板 10上之周邊範圍之中，除形成有檢查用端子103i之範圍 的範圍，可縮小圍繞面積者。隨之，成爲可將TFT陣列 -32- 200937366 基板ι〇上之周圍範圍，對於畫素顯示範圍10a而言進行 縮小者’可不縮小畫素顯示範圍1〇a而減少TFT陣列基 板10(換言之，縮小）者。其結果，成爲可將該液晶裝 置100作爲小型化者。 如以上說明’如根據本發明之液晶裝置，可控制或防 止信號分離器7’掃描線驅動電路104及檢查電路16〇被 靜電破壞之同時’可將該液晶裝置1 〇〇作爲小型化者。 ❹ [電子機器] 接著’對於將上述光電裝置之液晶裝置適用於各種電 子機器之情形’加以說明。在此，對於將此液晶裝置做爲 光閥使用之投影機加以說明。在此，圖11乃顯示投影機 之構成例的平面圖。 如圖11所示，於投影機1100內部，設置鹵素燈等之 白色光源所成燈單元部1102。從此燈單元1102所射出之 Ο 投射光乃經由配置於光導引1104內之4枚鏡子1106及2 枚分色鏡1108，分離成RGB 3原色，入射至做爲對應於 各原色之光閥之液晶面板1110R、110B及1110G。 液晶面板1110R、1110B及1110G之構成乃具有與上 述液晶裝置同等的構成，以從畫像信號處理電路供給之 R、G、B原色信號，各別加以驅動者。然後，經由此等 液晶面板調變之光乃向分色鏡Π12’從3方向入射。於 此分色鏡112中，R及B之光則折射成90度’另一方 面，G之光則直行。因此’合成各色之畫像的結果’藉由 -33- 200937366 投射透鏡1114，於螢幕等投射彩色畫像。 在此，著眼於各液晶面板1110R、1110B及1 110G所 成顯示像時，液晶面板1110R，1110B所成顯示像乃對於 液晶面板1110R，1110B所成顯示像而言，需左右反轉。 然而，液晶面板1110R、1110B及1110G中，經由分 色鏡1108，入射對應於R、G、B各原色之光之故，無需 設置彩色濾光片。 〇 然而，參照圖11說明之電子機器之外，可列舉可攜 型個人電腦、或行動電話、液晶電視、觀景型、監視直視 型之攝錄放影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本、 電算機、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、具 備觸控面板之裝置等。然後，當然可適用於此等之各種電 子機器。 又，本發明除了上述實施形態說明之液晶裝置之外， 亦可適用於在砂基板上形成元件之反射型液晶裝置 © (LCOS)、電漿顯示器（PDP)、電場放射型顯示器（FED、 SED)、有機EL顯示器、數位微鏡裝置（DMD)、電泳裝置 等。 本發明乃不限於上述實施形態，在不違反申請專利範 圍及說明書整體所讀取之發明要旨或思想之範圍下，可適 切加以變更，伴隨此等變更之光電裝置及具備該光電裝置 之電子機器亦包含於本發明之技術範圍。 【圖式簡單說明】 -34- 200937366 圖1乃顯示關於第1實施形態之液晶裝置之整體構成 的平面圖。 圖2乃圖1之Η— H’線剖面圖。 圖3乃顯示關於第1實施形態之發光裝置之電性構成 的方塊圖。 圖4乃關於第1實施形態之液晶裝置之畫素部之等效 電路圖。 ❹ 圖5乃顯示關於第1實施形態之液晶裝置之畫像信號 線之配置的平面圖。 圖6乃圖5之A— A’剖面圖。 圖7乃爲了說明關於第1實施形態之液晶裝置’在母 基板上加以製造之部分平面圖。 圖8乃顯示經由圖7之點線A0所圍住之一部分的構 成之部分擴大平面圖。 圖9乃顯示經由圖8之點線A1所圍住之一部分的構 © 成之部分擴大平面圖。 圖10乃圖9之B— B’剖面圖。 圖11乃顯示適用光電裝置之電子機器之一例之投影 機之構成的平面圖。 【主要元件符號說明】 6a :資料線 7 :信號分離器 9a :畫素電極 -35- 200937366 10 : TFT陣列基板 10a:畫像顯示範圍 1 1 a :掃猫線 2 0 :對向基板 2 1 :對向電極 30 :畫素開關用TFT 5 0 :液晶層 〇 52 :密封材 5 2 a :密封範圍 53 :邊緣遮光膜 90，91 :引導配線 102:外部電路連接端子 102v:畫像信號端子 103、 103i、 1030、 103y、 103nc:檢查用端子 104:掃描線驅動電路 Ο 160 :檢查電路 3 0 0 :畫像信號線 3 1 0 :低阻抗部 ' 320 :高阻抗部 400 :畫像信號供給電路 600 :畫素部 810、820、8 3 0 :檢查用信號線 8 1 1 :低阻抗部 8 1 2 :高阻抗部 -36-

Claims (1)

1. 200937366 十、申請專利範圍 h —種光電裝置，其特徵乃具備：基板、 和排列於該基板上之畫素範圍的複數之畫素部’ 和配置於位置於前述基板上之前述畫素範圍的周邊之 周邊範圍，於前述複數之畫素部，供給信號之周邊電路， 和設置於前述周邊範圍的端子， 和從該端子圍上於前述周邊電路之同時，具有低阻抗 〇 部分與較該低阻抗部分爲高阻抗之高阻抗部分的引導配 線， 前述高阻抗部分之至少一部分乃與前述端子藉由層間 絕緣膜配置於相互不同的層之同時，加以圍在前述周邊範 圍之中，形成有前述端子之範圍內者。 2.如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中， 前述端子乃做爲與外部電路電性連接之外部電路連接端子 而加以設置者。 〇 3.如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中， 前述端子乃作爲輸入或輸出爲了檢查該光電裝置的良莠之 檢查信號的檢查用端子而加以設置者。 4. 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第 1項至第3項任一項所記載之光電裝置所成者。 -37- 200937366 七、指定代表圖： (一）、本案指定代表圖為：第（5)圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 〇 8 1 :連接孔 82 :連接孔 8 3 :連接孔 l〇2v :畫像信號端子 3〇〇 :畫像信號線 3 1 0 :低阻抗部 310a、310b:配線層 3 20 :高阻抗部 321 :引導部分 322 :引導部分 1 5 1 0 :開口部 A 、 A，：線 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無 -3-