TW200837206A - Vapor deposition apparatus, device for controlling vapor deposition apparatus, method for controlling vapor deposition apparatus, and method for operating vapor deposition apparatus - Google Patents

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Description

200837206 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關蒸鍍裝置，蒸鍍裝置之控制裝置，蒸鍍 裝置之控制方法及蒸鍍裝置之使用方法。尤其是有關排氣 效率良好之蒸鍍裝置以及其控制方法。 【先前技術】 在製造平板顯示器（flat panel display)等之電子機 器時，藉由將特定的成膜材料氣化，並將由其產生的氣體 分子附著於被處理體俾在被處理體上形成薄膜之蒸鑛法被 廣泛使用著。在以此種技術製造的機器中，據說，尤其是 有機EL顯示器在自動發光，反應速度快，消耗電力小等 各點較液晶顯示器優異。因此，今後需要將遂漸增加，同 時在可預期的大型化的平板顯示器之製造業界對有機EL 顯示器的重視度提高，隨著，在製造有機EL顯示器時所 使用的上述技術成爲非常重要。 由該項社會背景受到注目的上述技術係藉由蒸鍍裝置 來實現的。在該蒸鍍裝置中，先前用於氣化成膜材料的蒸 鍍源以及將被氣化的有機分子朝被處理體吹出之吹出機構 係收容於同一容器內。因此，使收容於蒸鍍源的成膜材料 氣化，並由吹出機構吹出俾附著於被處理體之一連串的成 膜處理是在同一容器內進行（例如，參照專利文獻1。） 但是，上述一連串的成膜處理時’必須將容器內保持 於特定的真空度。何以故，因爲蒸鍍源由於要氣化成膜材 -4- 200837206 料而成爲200°C至5 00 °C左右的高溫，因此若在大氣中進 行成膜處理，則在成膜材料之分子到達被處理體之前，藉 由重複撞擊容器內的殘留氣體分子，由蒸鍍源產生之高熱 傳導至處理室內之，例如各種感測器等之零件，而使各零 件之特性惡化，或招致零件本身的損壞。 相對於此，若將容器內保持於特定的真空度以執行成 膜處理，則在成膜材料的分子到達被處理體之前，撞擊容 器內的殘留氣體分子的機率變得非常低，因此，由蒸鍍 源產生之熱不會傳導至處理室內的其他零件（真空絶熱） 。因此可以很精確地控制容器內的溫度。結果是，可以提 升成膜的可控性，並在被處理體上形成均勻而良質的薄膜 〇 [專利文獻]特開2000-2822 1 9號公報 【發明內容】 可是，在成膜時，收容於蒸鍍源的成膜材料被氣化而 由吹出機構吹出而經常被消耗。因此，必須隨時對蒸鑛源 補充成膜材料。在此情形下，從前必須每次將容器內部開 放於大氣，同時必須關閉排氣裝置的電源。因此，補充原 料後’在再開啓排氣裝置的電源時需要很大的接通能量。 另外，要對蒸鍍源補充原料時若將容器內部開放於大 氣’則同時容器內部的真空度會降低。因此，補充原料後 ’要再將容器內部減壓至特定的真空度所需要的時間與不 將容器內部開放於大氣而始終繼續保持於特定的真空度之 -5- 200837206 情形相比較長。結果是’原料的補充由於要再起動排氣裝 置時所需要的能量以及再起動後使容器內部重新減壓至特 定的真空度所需要的能量雙方面消耗能量而成爲排氣效率 惡化的原因。另外，原料的補充由於再次將容器內部減壓 至特定的真空度增加必要之時間，而降低生產量（ throughput )而降低產品的生產力之原因。 爲解決上述問題，本發明提供一種排氣效率良好，新 穎而改良過的蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置之控制裝置及其控制 方法。 亦即，爲解決上述的課題，依據本發明之某一形態， 係利用蒸鍍成膜處理被處理體的蒸鍍裝置，其特徵爲具備 :蒸鍍源，用於氣化成膜的原料之成膜材料；吹出機構， 透過連結路連結至上述蒸鍍源，以吹出被上述蒸鍍源所氣 化的成膜材料；第1處理容器，內裝上述吹出機構，並利 用由該吹出機構吹出之成膜材料在內部對被處理體實施成 膜處理；第2處理容器，與第1處理容器分開設置，以內 裝上述蒸鍍源的第2處理容器；以及排氣機構，連接到上 述第1處理容器俾將上述第1處理容器內抽真空至企望的 真空度。 在此’所謂氣化不只指將液體變化成氣體之現象，而 且也包含固體不經過液體之狀態而直接變成氣體之現象（ 即昇華）。 據此，內裝蒸鍍源的第2處理容器與對被處理體實施 成膜處理的第1處理容器係分開設置的。因此，在補充成 -6- 200837206 膜材料時，只要將第2處理容器開放於大氣即可而不需要 將第1處理容器開放於大氣。因此，在補充成膜材料後， 可以將電源投入的能量減少至比先前所需要的能量更小。 結果，可提升排氣效率。 此外，在補充成膜材料時，由於第1處理容器不開放 於大氣，因此相較於先前將容器整體開放於大氣之情形， 可以縮短將容器內部減壓至特定真空度之時間。藉此，可 以提升生產量並提升產品之生產力。 上述排氣機構也可以連接到上述第2處理容器，並將 上述第2處理容器內部抽真空至企望的真空度。因此，藉 由將第2處理容器內部減壓至企望的真空度，在被氣化的 成膜材料（氣體分子）到達被處理體之前，撞擊殘留於容 器內部的氣體分子的機率變得非常低。因此，由蒸鍍源產 生的高熱幾乎不會傳導至處理室內的其他零件。利用此種 真空絶熱效果，可以很精確地控制第2處理器內之溫度， 結果是，可以提升成膜的可控性，並提升成膜的均勻性與 膜的特性。另外’還可以迴避由蒸鍍源所產生之高熱傳導 至第2處理室內的諸如各種感測器等之零件而使各零件之 特性惡化，或招致零件本身之損壞。另外，也不需要在第 2處理容器使用絶熱材料。 上述蒸鍍源也可以配置成只有收容著上述蒸鍍源之成 膜材料部分附近與上述第2處理容器之壁面接觸。如上述 ，在第2處理容器內部爲真空狀態時，容器內部才會發生 真空絶熱之效果。因此，第2處理容器內的熱係由蒸鍍源 200837206 中與第2處理容器之壁面接觸的部分經過第2處理容器壁 面而放出第2處理容器外的大氣系統。藉此，可以使蒸鍍 源之其他部分之溫度高於或等於收容成膜材料之部分附近 的溫度。 在上述第2處理容器中，也可以在上述蒸鍍源相接的 壁面至少形成凹部或凸部之一。藉此，可以由第2處理容 器更容易向外部放出熱。 在此，根據書名爲薄膜光學（出版社九善株式会社， 發行者：村田誠四郎，平成15年3月15日發行，平成16 年4月10日第2版發行）之記載，入射於基板上之蒸發 分子（氣體分子）決非真接附著於基板堆積而成薄膜，而 是入射的分子之一部分會反射而彈回真空中。另外，吸附 在外面的分子在表面上打轉，有的再度彈出真空中，有的 抓住基板的某處（Site )形成薄膜。分子呈現吸附狀態的 平均時間（平均停留時間τ )爲，設脫離的活性化能量爲 Ea時，則以r = r 〇exp (Ea/kT)表示之。 因爲T是絶對溫度，k是波耳茲曼（Boltzmann)常數 ，r 〇是特定的常數，所以平均停留時間r應爲絶對溫度 T的函數。而且此式表示溫度越高，在輸送路上物理性上 吸附的氣體分子數越少。 由上看來，藉使蒸鍍源之其他部分的溫度高於或等於 收容著蒸鍍源的成膜材料的部分附近之溫度，即可降低成 膜材料附著於蒸鍍源或連結路之機率。藉此’可以使更多 的氣體分子由吹出機構吹出，俾附著於被處理體上。結果 -8- 200837206 是可以提升材料之使用效率，並降低生產成本。此外，藉 由如上述，減少附著於蒸鍍源與連結路的氣體分子數，即 可拉長清洗附著於蒸鍍源或連結路之堆積物的周期。如此 一來即可提升生產量並提升產品之生產力。 上述蒸鍍源也可以具備用於控制上述蒸鍍源之溫度的 溫度控制機構。藉此，可以利用設置於蒸鍍源的溫度控制 機構在成膜材料飛來吹出機構側當中，控制蒸鍍源的溫度 俾使附著於蒸鍍源與連結路之氣體分子數變得更少。結果 是可以更加提升材料之使用效率。 具體地說，上述溫度控制機構在構造上包含：第1溫 度控制機構與第2溫度控制機構，上述第1溫度控制機構 係配置於收容上述蒸鑛源的成膜材料之部分側方，以將收 容上述成膜材料之部分保持於特定溫度，而上述第2溫度 控制機構也可以設置於上述蒸鍍源的成膜材料被放出之出 口側，以保持收容於上述出口部分之溫度高於或等於收容 上述成膜材料之部分的溫度。 配置於上述蒸鍍源的成膜材料被收容的部分側方之第 1溫度控制機構之一例有：埋設於收容成膜材料之蒸鍍源 底壁之第1加熱器（參照圖3之符號400el )。另外’設 置於放出蒸鍍源的成膜材料之出口側之第2溫度控制機構 之一例有：埋設於蒸鍍源側壁之第2加熱器（參照圖3之 符號41 Oel )。利用第1加熱器與第2加熱器之溫度控制 方法有例如將由電源供應至第2加熱器之電壓控制成高於 供應予第1加熱器之電壓之方法。藉此，可以使被氣化的 -9 - 200837206 成膜材料被放出的各坩堝之出口附近（圖3中7所示之位 置）之溫度高於收容有蒸鍍源的成膜材料之部分附近（圖 3中q所示之位置）之溫度。 另外，上述溫度控制機構包含第3溫度控制機構，上 述第3溫度控制機構也可以配置於收容上述蒸鑛源之成膜 材料的部分附近以冷卻收容有上述成膜材料之部分。 形成薄膜時，蒸鍍源會成爲200至25 (TC左右之高溫 。因此，爲補充成膜材料，首先必須冷卻蒸鍍源，惟先前 要將蒸鍍源冷卻至可以補充材料之程度，約需花半天的時 間。惟藉由利用第3溫度控制機構冷卻蒸鍍源，可以縮短 爲補充成膜材料所必要之維修時間。 第3溫度控制機構之例有：例如噴出空氣等之冷媒的 冷媒供應源（參照圖7 )。利用冷媒供應源之溫度控制方 法有：例如，將由冷媒供應源所供應之空氣勁吹於收容有 成膜材料之部分附近之方法。藉此，可以空氣冷卻收容成 膜材料之部分。 上述蒸鍍源設有多個，爲了分別檢測出被收容於上述 多個蒸鍍源的成膜材料之氣化速度，也可以在第2處理容 器內部設置與上述多個蒸鍍源相對應的多個第1感測器。 先前，蒸鍍源與吹出機構係內裝於同一容器內。因此 ’在先前的構造中，雖可檢測出通過吹出機構之混合的成 膜材料之成膜速度（亦即，被混合的氣體分子之產生速度 )，但是無法分別正確地檢測出在蒸鍍源被氣化的各成膜 材料單體的氣化速度（亦即，各成膜材料單體的氣體分子 -10- 200837206 之產生速度）。 可是，本蒸鍍裝置中，蒸鍍源與吹出機構是分別內裝 於各個的容器內。藉此，可以在第2處理容器內分別設置 與多個蒸鍍源相對應之多個第1感測器，並利用各第1感 測器分別檢測收容於各蒸鍍源的各成膜材料之成膜速度。 藉此，可以根據由各感測器所輸出之各單體的成膜材 料之氣化速度有效精確控制各蒸鍍源的溫度。結果是，藉 使收容於各蒸鍍源的成膜材料之氣化速度更正確地接近目 標値，即可更精確地控制由吹出機構吹出之混合氣體分子 之混合比例。其結果是可以提升成膜之可控性，並在被處 理體形成具有更均勻且良好特性之薄膜。 爲了要根據由各感測器所輸出之各成膜材料（單體） 之氣化速度更精確地控制各蒸鍍源之溫度，可以使用例如 QCM (石英晶體微量秤，（Quartz Crystal Microbalance) )。以下說明QCM的簡單原理。 要使晶體振動器表面附著物質，並使晶體振動體之尺 寸，彈性率，密度等等效地變化時，由於振動器的壓電性 質而發生下式所表示的電性諧振頻率f之變化。 f=l/2t ( y C/ p ) t :水晶片厚度，C :彈性常數，P :密度 利用此現象，可以根據晶體振動器的諧振頻率之變化 量，定量地測定極微量的附著物。如此設計的晶體振動器 的總稱即爲QCM。如上式所示，頻率之變化被認爲係將附 著物質的彈性常數之變化與物質之附著厚度換算爲水晶密 -11 - 200837206 度時之厚度尺寸來決定者，其結果是可以將頻率之變化換 算成附著物的重量。 爲檢測由上述吹出機構所吹出之成膜材料的成膜速度 ，在第1處理容器內部也可以另具備與上述吹出機構相對 應的第2感測器。 利用上述，可以一邊利用第1感測器分別檢測收容於 各蒸鍍源之各成膜材料單體之氣化速度，一邊利用第2感 測器檢測通過吹出機構之混合成膜材料之成膜速度。藉此 ，可以知道在各氣體分子透過連結路等由蒸鍍源通過吹出 機構爲止之間，有多少附著於連結路等而損失。因此，可 以依據各種成膜材料單體之氣化速度以及該等被混合之成 膜材料之成膜速度，更精確地控制各蒸鍍源的溫度，其結 果是可以提升成膜之可控性，並在被處理體形成更均勻與 良質的薄膜。另外，若有裝設第1感測器時，即不一定需 要裝設第2感測器。 上述蒸鍍源設有多個，在上述多個蒸鍍源中分別收容 著不同種類的成膜材料，而分別連結到各蒸鍍源的連結路 在特定位置結合，而且也可以根據在上述多個蒸鍍源氣化 的各種成膜材料之每單位時間的量之大小關係，在上述特 定位置結合前之任一連結路之位置設置流路調整構件，以 調整上述連結路之流路。 例如，上述流路調整構件係根據上述多個蒸鍍源所氣 化的各種成膜材料之每單位時間的量之大小關係，設置於 每單位時間之氣化量小的成膜材料所通過的連結路。 -12- 200837206 若連結路具有相同的直徑時’則在蒸鍍源所氣化的每 單位時間之分子量多的成膜材料所通過之連結路之內部應 力比在蒸鍍源所氣化的每單位時間之分子量少的成膜材料 所通過之連結路之內部壓力爲高。因此，氣體分子會由內 部壓力高的連結路流入內部壓力低的連結路。 但是，根據上述，流路調整構件係依據在多個蒸鍍源 氣化的各種成膜材料之每單位時間的量之大小關係，設置 於使每單位時間的氣化量少的成膜材料通過之連結路上。 例如，若使用中央具有開口之孔口（隔板）做爲流路調整 構件時，設有孔口（ Orifice )的部分的流路被縮小以限制 氣體分子的通過。 如此一來，可以迴避由內部壓力高的連結路朝低的連 結路流入成膜材料的氣體分子。如上述，藉使成膜材料之 氣體分子不致逆流，即可以將各成膜材料之氣體分子分別 誘導至吹出機構側。其結果是可以將更多的氣體分子蒸鍍 至被處理體以提升材料的使用效率。 也可以在將被氣化的各成膜材料之一部分排氣至上述 多個第1感測器側與上述第2感測器側的排氣路之任一位 置設置調整上述排氣路之流路之流路調整構件。 如此一來，可以利用流路調整構件限制吹出至多個第 1感測器側與第2感測器側之成膜材料的氣體分子的數量 。藉此，可以抑制成膜材料的氣體分子之無效的排氣而更 加提高材料的使用效率。 上述吹出機構設有多個，上述第1處理容器也可以設 -13- 200837206 成內裝上述多個吹出機構，並藉由由各吹出機構吹出之成 膜材料，在上述第1處理容器內部對被處理體連續實施多 次成膜處理。 如此一來，可以在同一處理容器內連續形成多層薄膜 。藉此，可以提升生產量，並提升產品的生產力。另外， 不必如先前一樣，每當形成薄膜時必須分開設置多個處理 容器，因此，設備不會大型化，而且可以降低設備成本。 此外，上述第1處理容器也可以用有機EL成膜材料 或有機金屬成膜材料爲材料，並藉由蒸鍍法在被處理體形 成有機EL膜或有機金屬膜。 再者，爲解決上述課題，本發明的另一形態，提供一 種用於控制上述蒸鍍裝置之裝置，係根據利用上述多個第 1感測器所檢測出的每一成膜材料之氣化速度，回饋控制 設置於每一蒸鍍源之溫度控制機構之溫度之蒸鍍裝置之控 制裝置。 利用該裝置，可以依據以各第1感測器所檢測出之各 種成膜材料單體之氣化速度，很精確地實時（real time) 控制各蒸鍍源之溫度。藉此，可以使收容於各蒸鍍源之成 膜材料之氣化速度更正確地接近目標値，並更精確地控制 由吹出機構所吹出之混合氣體分子之混合比例。結果是， 可以提升成膜的可控性，並在被處理體形成更均勻且良質 的薄膜。 另外，爲解決上述課題，本發明的另一形態提供一種 蒸鍍裝置之控制裝置，係根據利用上述多個第1感測器所 -14- 200837206 檢測出之每一成膜材料之氣化速度以及利用上述第2感測 器所檢測出之成膜材料之成膜速度回饋控制設置於每一蒸 鍍源之溫度控制機構之溫度。 利用該裝置，可以根據利用各第1感測器所檢測出之 各種成膜材料單體的氣化速度，以及利用第2感測器所檢 測出之混合氣體分子之成膜速度，更精確地實時控制各蒸 鍍源之溫度。其結果是，可以提升成膜之可控性，並在被 處理體上形成更均勻且良質的薄膜。 此時，蒸鍍裝置之控制裝置也可以設成可以回饋控制 設置在每一蒸鍍源之溫度控制機構之溫度，俾使上述蒸鍍 源之成膜材料被放出之出口部分的溫度高於或等於收容上 述蒸鍍源之成膜材料之部分的溫度。 如上所述，附著係數是溫度越高變得越小。因此，藉 由回饋控制設置於每一蒸鍍源的溫度控制機構之溫度，使 蒸鍍源之成膜材料被放出之出口部分之溫度變成高於或等 於收容成膜材料之部分附近之溫度，可以減少附著於蒸鍍 源的出口部分與連結路的氣體分子的數量。藉此，可以使 更多的氣體分子附著於被處理體。其結果是，藉由提升材 料之使用效率以降低生產成本，同時延長清洗附著於蒸鍍 源與連結路的堆積物的周期。 此外，爲解決上述課題，本發明的又一形態爲控制上 述蒸鍍裝置之方法，係根據以上述多個第1感測器所檢測 出之每一成膜材料之氣化速度，回饋控制設置於每一蒸鍍 源之溫度控制機構之溫度之蒸鍍裝置之控制方法。 -15- 200837206 另外，爲解決上述課題，本發明的又一形態爲控制上 述蒸鍍裝置之方法，係根據以上述多個第1感測器所檢測 出之每一成膜材料之氣化速度以及以上述多個第2感測器 所檢測出之成膜材料之成膜速度，回饋控制設置於每一蒸 鍍源的溫度控制機構之溫度。 利用該等控制方法，即可根據由各感測器輸出之成膜 速度，很精確地控制各蒸鍍源的溫度。結果是，可以提升 成膜的可控性以在被處理體上形成更均勻且良質的薄膜。 再者，爲解決上述課題，本發明的另一形態是上述蒸 鍍裝置之使用方法，係在第2處理容器之內部將收容於蒸 鍍源之成膜材料氣化，使上述被氣化之成膜材料通過連結 路而由吹出機構吹出，並在第1處理容器內部利用上述被 吹出之成膜材料對被處理體實施成膜處理。 如上所述，利用本發明，可以提供排氣效果良好，新 穎而改良過之蒸鍍裝置，蒸鍍裝置之控制裝置，蒸鍍裝置 之控制方法以及蒸鍍裝置之使用方法。 【實施方式】 以下邊參照附圖邊詳細說明本發明之實施形態。又在 以下說明與附圖中，對於具有相同的構造與功能之構成要 件附予相同的符號而省略其重複說明。 (第1實施形態） 首先，要針對本發明的第1實施形態之蒸鍍裝置，參 -16- 200837206 照其重要部位斜視圖圖1加以說明。以下舉例說明利用第 1實施形態之蒸鍍裝置，藉由依次連續蒸鍍在玻璃基（以 下簡稱基板）上含有6層有機EL層，以製造有機EL顯 示器之方法。 (蒸鍍裝置） 蒸鍍裝置10係由第1處理容器1〇〇與第2處理容器 200所構成。以下要先說明第1處理容器100之形狀及內 部構造’然後說明第2處理容器200之形狀及內部構造。 (第1處理容器） 第1處理容器100具有長方體的形狀，內裝第1吹出 器110a，第2吹出器ll〇b，第3吹出器110c，第4吹出 器110d，第5吹出器ll〇e以及第6吹出器110f。第1處 理容器100內部係利用此6個吹出器100吹出之氣體分子 對基板G連續實施成膜處理。 6個吹出器1 1 0係配置成等間隔而互相平行俾使其長 度方向對基板G的進行方向略呈垂直。在各吹出器110之 間設有隔壁120，利用7個隔壁120區隔各吹出器1 10以 防止由各吹出器110吹出的成膜材之氣體分子混入由相鄰 的吹出器110所吹出的氣體分子中。 各吹出器110之長度方向具有與基板G的寬度大致相 當的長度，形狀與構造完全相同。因此，下面要以第5吹 出器ll〇e爲例說明其內部構造而省略其他吹出器110的 -17- 200837206 說明。 如圖1與圖1之蒸鍍裝置10以A- A剖面切斷的圖2 所示，第5吹出器11 〇e在其上部具有吹出器11 Oel，其下 部具有輸送機構110e2。吹出機構llOel之內部S爲中空 ，其上部具有吹出部liOeH與框架（frame) 110el2。 吹出部1 10el 1在其中央具有與內部S貫穿之開口（ 參照圖1 )，由該開口可以吹出被氣化之成膜材料。框架 110el2係在其中央露出吹出部UOell之開口之框體，在 其周緣以螺絲固定吹出部η 0 e 1 1。 在吹出機構1 10el中由於貫穿第1處理容器100的側 壁與吹出機構llOel之側壁，設有供應管110el3以連通 第1處理容器100外部與吹出機構llOel之內部S。供應 管ll〇el3是用於由未圖示之氣體供應源對吹出機構llOel 內部S供應惰性氣體（例如氬氣）。惰性氣體係爲提升存 在於內部S之混合氣體分子（成膜氣體）之均勻性而供應 ，但是並非必須。 此外，在吹出機構llOel中由於貫穿吹出機構100el 的側壁，因此設置有排氣管ll〇el4以連通第1處理容器 1〇〇之內部 U與吹出機構 1 10el之內部 S。在排氣管 1 1 0 e 1 4爲縮小其通路嵌入有孔口 1 1 0 e 1 5。 輸送機構11 〇e2具有由1枝分支成4枝而貫穿其內部 之輸送路110e21。由分支部分A(輸送路U〇e21之入口 )到4枝輸送路1 10e21的開口 B (輸送路1 10e21之出口 )爲止之長度大致等距離。 -18- 200837206 在第1處理容器100之內部排氣管1 10el4之開口附 近設有 QCM3 00 (晶體振動器 （Quart Crystal
Microbalance) ) 。QCM3 00係用於檢測由排氣管 ll〇el4 的開口排氣的混合氣體分子之產生速度，即成膜速度（ D/R :澱積速度）之第2感測器的一例。以下，要簡單說 明QCM的原理。 要使晶體振動器表面附著物質，並使晶體振動體尺寸 ，彈性率，密度等等效變化時，依照振動器的壓電性質， 會發生下式所表示的電性諧振頻率f之變化。 f=l/2t (，C/ p ) ，t :水晶片的厚度，c :彈性常數 ，P :密度 利用此種現象，依晶體振動器的諧振頻率之變化量可 以定量地測定極爲微量的附著物。如此設計的晶體振動器 之總稱爲QCM。如上式所示，頻率之變化認爲是附著物質 之彈性常數之變化以及將物質的附著厚度換算爲水晶密度 時之厚度尺寸來決定者，其結果是可以將頻率之變化換算 成附著物之重量。 利用此種原理，QCM3 00爲了檢測出附著於晶體振動 器的膜厚（成膜速度）而輸出頻率訊號ft。由頻率訊號ft 檢測出之成膜速度爲控制收容於各坩堝的各成膜材料之氣 化速度在回饋控制各坩堝的溫度時所使用。 (第2處理容器） 其次，要參照圖1與圖2說明第2處理容器200之形 -19- 200837206 狀與內部構造。如上述，第2處理容器200係與第 容器分開設置而具有大約長方體的形狀’底部有凹 針對此底部的凹凸與熱的傳導之關係容後說明。 第2處理容器200分別內裝第1蒸鍍源210a， 鍍源210b，第3蒸鍍源210c，第4蒸鍍源210d， 鍍源21 0e，第6蒸鍍源21 Of。 第1蒸鍍源210a，第2蒸鍍源210b，第3 210c，第4蒸鍍源210d，第5蒸鍍源210e，第6 21〇f 分別藉由連結管 220a，220b，220c，22 0d， 220f連結到第1吹出器U〇a，第2吹出器ll〇b， 出器110c，第4吹出器110d，第5吹出器ll〇e， 出器1 10f。 各蒸鍍源2 1 0的形狀與構造相同。因此，下面 5蒸鍍源21 0 e爲例，一邊參照圖1與圖2 —邊說明 構造，而省略其他蒸鍍源2 1 0的說明。 第5蒸鍍源210e具有第1坩堝210el，第 2 10e2 ’以及第3坩堝210e3做爲其蒸鍍源。在第 21〇el，第2坩堝210e2以及第3坩堝210e3中， 第1連結管220el，第2連結管220e2，以及第3 220e3相連結，而該等3枝連結管22〇ei至22〇e3 2處理容器2 00而結合於結合部分C，再貫穿第1 器100而連接到第5吹出器ll〇e。 在各坩堝210el，210e2，210e3收容不同種類 材料做爲成膜原料，並藉使各坩堝升高至例如約 1處理 凸狀。 第2蒸 第5蒸 蒸鍍源 蒸鍍源 220e， 第3吹 第6吹 舉出第 其內部 2坩渦 1坩堝 分別有 連結管 貫穿第 處理容 的成膜 2 00至 -20- 200837206 5 0 0 °C之高溫以氣化各種成膜材料。 在各連結管220el至22〇e3中，在第2處理容 大氣中）分別裝設閥230el至閥230e3，並藉由操 230e之開閉，即可控制是否對第1處理容器1〇〇供 膜材料（氣體分子）。另外，要對各坩堝補充成膜 ，不但第2處理容器200內部，而且連結管220e 開放於大氣。因此，要補充原料時，藉由關閉各閥 即可遮斷連結管220e內部與第丨處理容器1〇〇內 通’藉此’防止弟1處理谷器1〇〇內部開放於大氣 持第1處理容器1 〇〇內部於特定的減壓狀態。 在第2連結管220e2與第3連結管220e3中， 第2處理容器內設有直徑0.5mm的孔的孔口 240 e2 240e3 ° 此外，連結管220e(包括第1連結管220el， 結管22 0 e2以及第3連結管22 0e3 )藉由連結蒸鍍 與吹出器1 1 0形成用於將蒸鍍源2 1 0所氣化的成膜 送至吹出器1 1 〇側的連結路。 在各坩堝210el， 210e2， 210e3中藉由貫穿各 側壁分別設置連通第2處理容器200內部T與i甘 Rl，R2，R3 之供應管 210ell，210e21，210e31。 管210ell，210e21 ’ 210e31係用於由未圖示之氣 源將惰性氣體（例如氬氣）供應到各坩堝內部R1 R3。被供應的惰性氣體扮演著經由連結管22 0e， 110e21將存在於內部Rl，R2，R3的各成膜氣體搬 器外（ 作各閥 應各成 原料時 內部也 23 0e， 部的連 ，並保 係在嵌 與孔口 第2連 源2 1 0 材料傳 坩堝之 堝內部 各供應 體供應 ，R2， 輸送路 送至吹 -21 - 200837206 出機構ll〇el的載氣（carrier gas)的功能。 此外，在各坩堝210el，210e2，210e3中，藉由貫穿 各坩堝21 Oe之側壁分別設有連通第2處理容器200內部 T與各坩堝210e內部R1，R2，R3的排氣管210el2， 210e22， 210e32° 排氣管 210el2， 210e22， 210e32 中分 別嵌入孔口 210el3，210e23，210e33。孔口 （ Orifice) 210el3，210e23，210e33如圖所示，在其中央設有直徑 0.1mm 的開口，以窄化排氣管 210el2，21〇e22，210e32 的通路。 在第 2處理容器 200中，在其內部 T的排氣管 210el2，210e22，210e32 之開 口旁分別設有 QCM310a， 310b， 310c。 QCM310a， 310b， 310c 係由 g麵氣管 210e 12 ，210e22，210e32之開口排氣，而爲檢測出附著於晶體振 動器之薄膜厚度（成膜速度）而輸出頻率訊號fl，f2，f3 。由頻率訊號f 1，f2，f3求得的成膜速度係爲控制收容於 各坩堝的各成膜材料之氣化速度而在回饋控制各坩堝溫度 時所使用。QC M3 10是第1感測器之一例。 在各蒸鍍源21 Oe中，埋置有用於控制各蒸鍍源21 Oe 之溫度的加熱器400，410。例如，在第1坩堝210el中， 在其底壁埋置有加熱器400el，同時在其底壁埋置有加熱 器400e2，400e3，同時在其側壁埋置有加熱器410el。第 2坩堝21 0e2與第3坩堝21 0e3也相同地在其側壁埋置有 加熱器410e2，410e3。各加熱器400，410連接著交流電 源 6 0 0。 •22- 200837206 控制裝置 700 具有 ROM710，RAM720，CPU730，輸 出入I/F (介面）740。ROM710，RAM720中儲存有例如 表示頻率與膜厚之關係的資料或回饋控制加熱器的程式等 。CPU7 3 0利用儲存於該等記憶區域之各種資料或程式， 由輸入到輸出入I/F的頻率fl，f2，f3有關的訊號運算各 成膜材料之氣體分子的產生速度，並且由運算的產生速度 求出施加於加熱器400el至400e3以及加熱器410el至 4 10e3之電壓並傳輸到交流電源600做爲溫度控制訊號。 交流電源600根據控制裝置700傳輸的溫度控制訊號將企 望的電壓施加於各加熱器。 在連結管220e貫穿的第1處理容器100下面外壁側 設有〇形環5 00以遮斷大氣系統與第1處理容器100之連 通，並將第1處理容器內保持氣密。 另外，在連結管220el，220e2，220e3分別貫穿的第 2處理容器200之上面外壁側分別設有〇形環510，520， 530以遮斷大氣系統與第2處理容器200之連通，俾將第 2處理容器200內保持氣密。此外，第1處理容器100內 部與第2處理容器200內部係利用未圖示之排氣裝置減壓 至特定的真空度。 基板G係在第1處理容器1 00內的上方被靜電吸附於 具有滑動機構之載台（stage )(皆無圖示），而如圖1所 示，以7個隔壁120區隔的各吹出器ll〇a至110f之些許 上方以特定速度依第1吹出器110 a—第2吹出器1 10b — 第3吹出器110c—第4吹出器llOd-第5吹出器110e-> -23- 200837206 第6吹出器110f的順序移動。藉此，在基板G上被由各 吹出器ll〇a至11 Of分別吹出之成膜材料層合6層企望的 不同薄膜。其次，要說明該6層連續成膜處理時之蒸鍍裝 置1 〇之具體操作。 (6層連續成膜處理） 首先，參照圖4說明使用於6層連續成膜處理的成膜 材料。圖4表示利用蒸鍍裝置1 〇執行6層連續成膜處理 的結果，在基板G上層合的各層之狀態。 首先，當基板G以某種速度移動於第1吹出器110a 上方時，由第1吹出器110a吹出的成膜材料附著於基板 G，而在基板G形成第1層的霍爾（Hall )輸送層。然後 ，當基板G移動到第2吹出器110b上方時，由第2吹出 器1 1 〇b吹出之成膜材料附著於基板G而在基板G形成第 2層之非發光層（電子阻擋層）。同樣地，當基板G移動 到第3吹出器110 c—第4吹出器110 d—第5吹出器110e -第6吹出器UOf上方時，由各吹出器吹出之成膜材料 在基板G上形成第3層的青發光層，第4層的紅發光層， 第5層的綠發光層，與第6層的電子輸送層。 依據上述蒸鍍裝置10之6層連續成膜處理，係在同 一容器（即第1處理容器100)內連續形成6層薄膜。藉 此，可以提升生產量，並且提升產品的生產力。另外，可 以不必如先前對要形成的每一薄膜設置多個處理容器，設 備不必大型化，設備成本可以降低。 -24- 200837206 (維修材料的補充） 在進行上述成膜處理之間，如上所述，必須將第1處 理容器1〇〇內部保持於企望的真空度。這是藉將第1處理 容器1 00內部保持於企望的真空度可以獲得真空絶熱的效 果，藉此，可以很精確地控制第1處理容器1 00內部之溫 度之故。而此項結果可以提高成膜的可控性，並且在基板 G上形成多層的均勻而良質的薄膜。 另一方面，在對基板G實施6層成膜處理之間，收容 於各增禍的成膜材料被氣化成氣體分子而由蒸鍍源傳送至 吹出機構側而經常地被消耗掉。因此，必須隨時對各i甘渦 補充各種成膜材料。 然而，在對各蒸鍍源補充成膜材料時，若每次將容器 內部開放於大氣，並關閉當時爲保持容器內部於特定之真 空度而運轉中之排氣裝置之電源，則補充材料後，再度導 通排氣裝置的電源時，會浪費甚大的能量（Energy )而成 爲惡化排氣效率的原因。 因此，在本實施形態之蒸鍍裝置1 〇中，如上述，內 裝蒸鍍源的第2處理容器200係與對基板G實施成膜處理 的第1處理容器100設置成個別的容器。因此，要補充成 膜材料時，只要對大氣開放第2處理容器200即可，而不 必對大氣開放第1處理容器1 00。因此，補充材料後，可 以將電源投入之能量降低至比先前所需要的能量爲小。結 果是可以提升排氣效率。 -25- 200837206 此外，要補充成膜材料時，第1處理容器1 00不開放 於大氣。因此，相較於先前將容器整體開放於大氣，可以 縮短將容器內減壓至特定的真空度之時間。藉此，可以提 升生產量，並提高產品之生產力。 再者，在形成薄膜時，所以也要將第2處理容器200 內部排氣至企望的真空度是要利用將第2處理容器20 0內 部減壓至企望的真空度所產生的真空絶熱效果，很精確地 控制第2處理容器2 0 0內部之溫度所致。藉此，可以在基 板G上提升成膜之可控性，並形成更均勻而良質的薄膜。 另外，還可以避免由蒸鍍源所產生之高熱傳導至第2處理 容器2 0 0內部之例如各種感測器等零件而使各零件之特性 惡化’而招致零件本身之損壞。此外，也不需要在第2處 理容器200中使用絶熱材料。 (第2處理容器之凹凸與熱的傳導） 如前所述，第2處理容器200底面設有凹凸，而各坩 堝被配置成只有其底面（收容成膜材料的部分附近之一例 )與第2處理容器200的底壁的凹部相接觸。 如上述，若第2處理容器200內部呈真空狀態時，在 第2處理容器內會產生真空絶熱效果。因此，容器內的熱 會如圖3所示，例如：由與坩堝21〇el之第2處理容器 200之底壁接觸的部分透過第2處理容器放出到大氣系統 。如此一來，可以使各坩堝210el至210e3收容成膜材料 之部分附近的溫度低於或等於各坩堝2l0el至210e3之其 -26- 200837206 他部分之溫度。 在此，根據書名薄膜光學（出版社：九善股份公司， 發行者：村田誠四郎，發行年月日：平成15年3月15曰 ，發行：平成16年4月10日，第2版發行）之記載，入 射於基板上之蒸發分子（成膜材料之氣體分子）絶不是直 接附著於基板而堆積形成薄膜，而是入射的分子之一部分 會反射而彈回真空中。另外，吸附於表面的分子在表面打 轉，有的再度飛出真空中，有的捉住基板的某處（site ) 而形成薄膜。分子呈吸附狀態之平均時間（平均停留時間 τ )若設逃離的活化能量爲Ea時，則可以r = r nexp ( Ea/kT )表示之。 由於T是絶對溫度，k是Voltzman常數，τ。是特定 常數，可以推定平均停留時間τ爲絶對溫度Τ的函數。於 是發明人等利用此式進行確認溫度與附著係數之關係的計 算。有機材料係使用a -NPD (二苯基萘二胺（ diphenylnaph-thyldiamine))，有機材料之一例）。其計 算結果如圖5所示。由該結果確認了溫度變得越高，附著 係數變得越低的傾向。亦即，此表示溫度變得越高，物理 上吸附於輸送路等之氣體分子之數量變得越少。 因此，藉由使蒸鍍源之其他部分之溫度比收容蒸鍍源 的成膜材料的部分附近的溫度增高或相等，可以在成膜材 料氣化而成爲氣體分子而飛來吹出器1 1 0側之間，減少附 著於蒸鍍源210或連結管220與輸送路110e21的氣體分 子的數量。 -27- 200837206 藉此，可以使更多的氣體分子由吹出器110 著於基板G。其結果是可以提升材料的使用效率 產成本，同時可以延長清潔附著於蒸鍍源210 220等之堆積物的周期。 (溫度控制機構） 蒸鍍裝置1 〇具有用於控制蒸鍍源2 1 0之溫 控制機構。例如，如圖2所示，蒸鍍源210e中 分別設置有加熱器400e與加熱器410e。加熱器 於配置在各坩堝收容有成膜材料之部分（圖3中 位置）側方之第1溫度控制機構。另外，加熱器 當於配置在各坩堝所氣化之成膜材料吹出之各堪 (圖3中r所示的位置）側方之第2溫度控制機 由交流電源6 0 0施加於加熱器4 1 0 e之電壓 於施加於加熱器4 0 0 e的電壓時，各坩堝的出口 度會變成高於或等於收容成膜材料的部分附近之 如上述，藉使成膜材料通過之部分的溫度高 膜材料之部分的溫度，可以使附著於蒸鍍源2 1 0 220等之氣體分子之數量變得更少。其結果是， 材料的使用效率。 (溫度控制機構的回饋控制） 本實施形態的蒸鍍裝置1〇中，加熱器400， 度係由控制裝置7 0 0之控制進行回饋控制。爲 吹出而附 並降低生 或連結管 度的溫度 每一坩堝 400e相當 q所示的 .410e 相 堝的出口 構。 高於或等 附近的溫 溫度。 於收容成 或連結管 可以提升 4 1 0的溫 行該回饋 -28- 200837206 控制，各QCM310與QCM300分別設置成與蒸鍍源210的 各坩堝相對應。 依據本實施形態之蒸鍍裝置10，蒸鍍源210與吹出器 1 1 〇係分別內裝於各別的容器中。因此，控制裝置700根 據由分別對應於多個蒸鍍源210而設置之QCM3 10所輸出 之晶體振動器之振動數（頻率f 1，f2，f3 )，分別檢測出 分別收容於多個坩堝的各種成膜材料之氣化速度。藉此， 控制裝置700即根據氣化速度很精確地回饋控制各蒸鍍源 2 1 〇的溫度。如上所述，藉使收容於各蒸鍍源2 1 0之成膜 材料之氣化速度更正確地接近目標値，可以更精確地有效 控制由吹出器1 1 〇所吹出之混合氣體分子的量與混合比。 其結果是可以提升成膜的可控性，並在基板G上形成均勻 與良質的薄膜。 另外，在本實施形態之蒸鍍裝置10中，與吹出器110 相對應配設有 QCM3 00，而控制裝置 700係根據由 QCM3 00所輸出之晶體振動器之振動數（頻率ft)，求出 由吹出器110所吹出之混合氣體分子的成膜速度。 如上所述，控制裝置700不但檢測收容於各蒸鍍源 2 1 〇的成膜材料之氣速度，同時也檢測表其最終結果之通 過吹出器110之混合氣分子之產生速度。結果是，可以知 道各氣體分子透過連結管220由蒸鍍源210通過吹出器 1 10爲止之間，有多少附著於連結管220等而損失。因此 ，藉由根據各種成膜材料單體之氣體分子的氣化速度以及 該等混合之混合氣體分子之產生速度，更精確地控制各蒸 -29- 200837206 鍍源210的溫度，可以在被處理體形成更良質且具有良好 特性之薄膜。此外，雖設有QCM3 00較佳，但並非必需。 (孔口） 如上所述，在圖2所示之第2連結管22 0e2與第3連 結管220e3中有孔口 240e2與孔口 240e3嵌入。如上述， 連結於蒸鍍源210之任連結管220上，也可以根據以多個 蒸鍍源氣化之各種成膜材料之每單位時間之分子量之大小 關係，在結合部C之面前的任何位置裝設孔口。 例如，如圖4所示假設在第5層，使用A材料，B材 料與Alq3做爲成膜材料。而且假設例如以第1坩堝210el 氣化之A材料之每單位時間之分子量比以第2坩堝21 0e2 氣化之B材料與第3坩堝210e3氣化之Alq3 ( aluminum-tris-8-hydroxyquinoline)的每單位時間的分子量爲多。 此時，A材料通過之連結路220el的內部壓力比B材 料與Alq3通過之連結路220e2，220e3的內部壓力高。因 此，若連結路22 0e具有相同的直徑時，氣體分子傾向於 由內部壓力高的連結路220el流經結合部C而流入內部壓 力低的連結路220e2， 220e3。 可是，因爲第2連接管220e2與第3連接管220e3之 流路被孔口 240e2與孔口 240e3縮小，A材料的氣體分子 的通過受到限制。因此，A材料可以迴避朝連結路220e2 ，22 0e3流入之可能。如此一來，由於不使成膜材料之氣 體分子倒流而誘導至吹出器1 1 0側，可以使更多的氣體分 -30- 200837206 子蒸鍍於基板G上而更加提升材料之使用效率。 如上述’孔口宜根據在多個蒸鍍源（坩堝）所氣化之 各種成膜材料之每一單位時間的量之大小關係，設置於其 氣化量小的成膜材料所通過的連結管22 0 e。 但是’孔口 240e不拘各種成膜材料的每一單位時間 的量之大小關係，完全不設置，或在3枝連結管22 Oel至 220e3之任一上設置。另外，孔口 240e雖然可以比連結管 220el至220e3的結合位置更近的任何位置，但是，爲防 止被氣化的成膜材料倒流至之蒸鍍源2 1 0e，與其設置於各 坩堝2 1 0e附近不如設置於結合位置C附近爲宜。 此外，本實施形態之蒸鍍裝置1 0中，如上述，在 QCM3 00與QCM310側排出各成膜材料之一部分的排氣路 110el4 ， 210el2 ， 210e22 ， 210e32 也分別設置孔 口 1 1 Oel5 ^ 210el3，210e23，2 1 0e33 ° 依此，利用各孔口（ Orifice )限制通過各排氣路內的 氣體分子之量，即可減少排氣的分子量。其結果是可以抑 制成膜材料的氣體分子之無效排氣而進一步提升材料的使 用效率。 另外，孔口 240e2，240e3，110el5，210el3，2 1 0e23 ，21 0e33爲用於調整連結管之流路或排氣路之流路的流路 調整構件之一例。流路調整構件之其他例子有藉由改變閥 的開口度以調整管的流路之開口可變閥。 (變形例） -31 - 200837206 其次’要參照圖6說明使用第1實施形態之蒸鍍裝置 1 0之6層連續成膜處理的變形例。在該變形例中，配設有 冷媒供應源800以取代設置於蒸鍍裝置丨〇外部之圖2之 電源600。另外，在第2處理容器200的壁面埋置有圖6 所示之冷媒供應路8 1 0以取代做爲溫度控制機構之圖2之 加熱器400，410。冷媒供應源8〇〇將冷媒循環供應至冷媒 供應路8 1 0。藉此，可以冷卻蒸鍍源2 1 0收容成膜材料之 部分。 (維修） 成膜時，蒸鍍源210之溫度升高到約200至500 °C。 因此，要補充成膜材料時，必須先將蒸鍍源2 1 0冷卻至特 定的溫度，但是先前要將蒸鍍源2 1 0冷卻至特定溫度需 要花半天左右的時間。可是，在本變形例中，係利用冷媒 供應源800與冷媒供應路810冷卻蒸鍍源210。結果是可 以縮短爲補充成膜材料所花用之維修時間。 再者，冷媒供應源800與冷媒供應路810是第3溫度 控制機構之一例。利用第3溫度控制機構之溫度控制之另 一例有例如藉將冷媒供應源800所供應之空氣等冷媒直接 勁吹收容有成膜材料之部分附近，以冷卻收容成膜材料之 部分之方法。另外，也可以利用水冷，惟蒸鍍源2 1 0e的 溫度很高，若考慮到急劇的膨脹變化，以使用空冷爲理想 〇 可以在以上說明過的各實施形態之蒸鍍裝置1 0進行 -32- 200837206 成膜處理之玻璃基板之尺寸爲大於730mmx920mm。例如 ，蒸鍍裝置10可以連續成膜處理73 Ommx 92 0mm (腔室內 之尺寸：1 000mm X 1 190mm ) 之 G4.5 基板尺寸，或 1100mmxl 3 00mm(腔室內之尺寸：1 470mmxl 5 90mm)之 G5基板尺寸。另外，蒸鍍裝置1 0也可以成膜處理例如直 徑爲200mm或3 00mm的晶圓。亦即，實施成膜處理的被 處理體中包含玻璃基板或矽晶圓。 此外，在各實施形態中使用於回饋控制的第1感測器 與第2感測器之其他例子有例如將光源所輸出之光照射到 形成於被檢體之薄膜之上面與下面，並捕捉由反射之兩道 光的光路差所產生之干擾條紋，將其解析以檢測出被檢體 的膜厚之干擾儀（例如，雷射干擾儀）。 在上述實施形態中，各部分的操作互有關連，可以顧 及相互之關連而以一連串的操作來取代。然後，藉由如此 之取代，可以將蒸鍍裝置之發明的實施形態設成蒸鍍裝置 之使用方法的實施形態，將蒸鍍裝置之控制裝置之實施形 態設成蒸鍍裝置之控制方法的實施形態。 另外，藉將上述各部分的操作取代各部分之處理，可 以將蒸鍍裝置之控制方法之實施形態設成控制蒸鍍裝置之 程式的實施形態以及記錄該程式之電腦可讀取之記錄媒體 的實施形態。 以上，已參照附圖說明本發明之較佳實施形態，惟本 發明不限定於相關例子自不待言。只要是本業者，在申請 專利範圍所記載之範疇內，可以思及各種變形例或修正例 -33- 200837206 至爲明顯，該等當然也應屬於本發明之技術範圍。 例如，上述實施形態有關之蒸鍍裝置1 〇中，係使用 粉狀（固體）之有機EL材料爲成膜材料，在基板G上面 實施有機EL多層成膜處理。但是，本發明之蒸鍍裝置也 可以利用例如在成膜材料主要利用液體的有機金屬，並藉 使被氣化之成膜材料在加熱至500至7 00°C之被處理體上 分解俾在被處理體上生長薄膜之MOCVD(有機金屬氣相 生長法(Metal Organic Chemical VaporDeposition ))。 如上述，本發明之蒸鍍裝置也可以當做以有機EL成膜材 料或有機金屬成膜材料爲原料並以蒸鍍法在被處理體上形 成有機EL膜或有機金 屬膜之裝置來使用。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之第1實施形態及其變形例之蒸鍍裝置 的重要部分之斜視圖。 圖2爲第1實施形態之蒸鍍裝置之圖1之[A剖面圖 〇 圖3爲圖2所示之第1坩堝及其附近的擴大圖。 圖4爲用於說明利用第1實施形態及其變形例的6層 連續成膜處理所形成的薄膜之圖。 圖5爲表示溫度與附著係數之關係的圖表。 圖6爲第1實施形態的變形例之蒸鍍裝置之圖1之 A-A剖面圖。 -34- 200837206 【主要元件符號說明】 1 〇 :蒸鍍裝置 1 0 0 :第1處理容器 1 10 :吹出器 1 10a :第1吹出器 1 l〇b :第2吹出器 1 l〇c :第3吹出器 1 10d :第4吹出器 1 1 0 e :第5吹出器 1 10f :第6吹出器 1 1 0 e 1 :吹出機構 1 1 0 e 1 1 :吹出部 1 1 0el2 :框架 1 1 0 e 1 3 :供應管 1 10el4 :排氣管 1 1 0 e 1 5 :孑L 口 U〇e2 :輸送機構 1 10e21 :輸送路 1 2 0 :隔壁 200:第2處理容器 2 1 0 :蒸鍍源 210a :第1蒸鍍源 210b :第2蒸鍍源 2 1 0 c :第3蒸鍍源 -35 200837206 210d :第4蒸鍍源 210e :第5蒸鍍源 210el、210e2、210e3:第 1 坩堝 2 1 0 e 1 3 :孔口 210e2 ：第2坩堝 210e23 ：孑L 口 210e3:第3坩堝 2 1 0 e 3 3 :孔口 220c ^ 220d、 220e、 220f：連結管 220e :連結管 230e :閥 240e、 210el2、 210el3 ：孔口 240e2， 240e3 ：孑L 口
3 00，3 10： QCM 400、410、410el、410e2 ：力□熱器 400e ， 410e :加熱器 500、 510: O 形環 600 :交流電源 7 〇 〇 :控制裝置
710 ： ROM
720 ： RAM
730 ： CPU
740 :輸出入I/F 800 :冷媒供應源 -36- 200837206

Claims (1)

  1. 200837206 十、申請專利範圍 1 · 一種蒸鍍裝置，係利用蒸鍍成膜處理被處理體， 其特徵爲具備： 蒸鍍源’用於氣化成膜原料之成膜材料； 吹出機構，藉由連結路連結到上述蒸鍍源，以吹出被 上述蒸鍍源所氣化的成膜材料； 第1處理容器，內裝上述吹出機構，並利用由該吹出 機構所吹出之成膜材料在內部對被處理體實施成膜處理； 第2處理容器，與上述第丨處理容器分開設置以內裝 上述蒸鍍源；以及 排氣機構，連接到上述第1處理容器，俾將上述第1 處理容器內抽真空至企望的真空度。 2.如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中上述排 氣機構係連接到上述第2處理容器，俾將上述第2處理容 器內抽真空至企望的真空度。 3 ·如申請專利範圍第1或2項中任一項之蒸鍍裝置 ，其中上述蒸鍍源被配置成只有收容有上述蒸鍍源的成膜 材料之部分附近與上述第2處理容器之壁面相接觸。 4·如申請專利範圍第3項之蒸鍍裝置，其中在上述 第2處理容器中，與上述蒸鍍源相接觸的壁面至少形成凹 部或凸部之一方。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之蒸鍍裝置 ，其中上述蒸鍍源具備用於控制上述蒸鍍源之溫度的溫度 控制機構。 -38- 200837206 6. 如申請專利範圍第5項之蒸鍍裝置’其中上述溫 度控制機構之構造包括：第1溫度控制機構與第2溫度控 制機構； 上述第1溫度控制機構係配設於 收容上述蒸鍍源的成膜材料之部分側，以將收容有上 述成膜材料之部分保持於特定之溫度； 上述第2溫度控制機構係配設於 放出上述蒸鍍源的成膜材料之出口側，以將上述出口 部分之溫度保持高於或等於收容上述成膜材料之部分之溫 度。 7. 如申請專利範圍第5或6項之蒸鍍裝置，其中上 述溫度控制機構之構造含有第3溫度控制機構； 上述第3溫度控制機構係配置於： 收容上述蒸鍍源的成膜材料之部分附近，以冷卻收容 有上述成膜材料之部分。 8 ·如申請專利範圍第1至7項中任1項之蒸鍍裝置 ，其中上述蒸鍍裝置設有多個，爲分別檢測出收容於上述 多個蒸鍍源的成膜材料之氣化速度，在第2處理容器之內 部具備與上述多個蒸鍍源相對應之多個第1感測器。 9. 如申請專利範圍第8項之蒸鍍裝置，其中爲檢測 出由上述吹出機構吹出之成膜材料之成膜速度，在第1處 理容器之內部設置第2感測器俾與上述吹出機構相對應。 10. 如申§靑專利軔圍第1至9項中任一項之蒸鑛裝置 ，其中上述蒸鍍源設有多個； -39 - 200837206 在上述多個蒸鍍源中分別收容著不同種類的成膜材料 ，分別連結至各蒸鍍源之連結路在特定位置相結合； 根據上述多個蒸鍍源所氣化的各種成膜材料之每單位 時間的量之大小關係，在上述特定位置結合之前之連結路 之任何位置，設置用於調整上述連結路的流路之流路調整 構件。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之蒸鍍裝置，其中上述 流路調整構件係根據上述多個蒸鍍源所氣化的各種成膜材 料的每單位時間之量的大小關係，設置於每單位時間的氣 化量少的成膜材料通過的連結路上。 1 2 ·如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之蒸鑛裝 置，其中係在被氣化之各膜材料之一部分排氣至上述多個 第1感測器側與上述第2感測器側之排氣路之任一位置設 置流路調整構件以調整上述排氣路的流路。 1 3 .如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之蒸鍍裝 置’其中上述吹出機構設有多個； 上述第1處理容器內裝上述多個吹出機構，利用由各 吹出機構分別吹出之成膜材料，在上述第1處理容器內部 連續對被處理體實施多個成膜處理。 1 4 ·如申請專利範圍第1至1 3項中任一項之蒸鍍裝 置，其中上述第1處理容器以有機EL成膜材料或有機金 屬成膜材料做爲原料，利用蒸鍍法在被處理體上形成有機 EL膜或有機金屬膜。 15· —種上述申請專利範圍第8項所記載之蒸鍍裝置 -40- 200837206 之控制裝置，其特徵爲根據以上述多個第1感測器所檢測 出之每一成膜材料之氣化速度回饋控制（feedback control) 設置於每一蒸鍍源之溫度控制機構的溫度。 1 6· —種上述申請專利範圍第9項所記載之蒸鍍裝置 之控制裝置，其特徵爲根據利用上述多個第1感測器所檢 測出的每一成膜材料之氣化速度，以及利用上述第2感測 器所檢測出之成膜材料之成膜速度，回饋控制設置於每一 蒸鍍源之溫度控制機構的溫度。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5或1 6項之蒸鍍裝置之控制 裝置，其中將設置於每一蒸鍍源的溫度控制機構之溫度回 饋控制，俾使上述蒸鍍源的成膜材料被放出之出口部分之 溫度變成高於或等於收容上述蒸鍍源之成膜材料的部分之 溫度。 1 8 · —種上述申請專利範圍第8項所記載之蒸鍍裝置 之控制方法，其特徵爲根據利用上述多個第1感測器所檢 測出之每一成膜材料之氣化速度回饋控制設定於每一蒸鍍 源之溫度控制機構的溫度。 1 9 . 一種上述申請專利範圍第9項所記載之蒸鍍裝置 之控制方法，其特徵爲：根據利用上述多個第1感測器所 檢測出之每一成膜材料之氣化速度，以及利用上述第2感 測器所檢測出之成膜材料之成膜速度，回饋控制設定於每 一蒸鍍源之溫度控制機構的溫度。 20· —種上述申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置 之使用方法，其特徵爲： -41 - 200837206 在第2處理容器內部使收容於蒸鍍源之成膜材料氣化 ϊ 使上述被氣化之成膜材料通過連結路而由吹出機構吹 出；以及 在第1處理容器內部藉由上述被吹出之成膜材料對被 處理體實施成膜處理。 -42-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103430625A (zh) * 2011-03-15 2013-12-04 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法
TWI490355B (zh) * 2011-07-21 2015-07-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍方法與蒸鍍設備

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5063969B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100994323B1 (ko) 2008-05-21 2010-11-12 박우윤 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법
JP4551465B2 (ja) 2008-06-24 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 蒸着源、成膜装置および成膜方法
EP2168643A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials
CN102301032A (zh) * 2008-12-18 2011-12-28 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 具有加热的泻流孔的真空沉积源
KR101084275B1 (ko) * 2009-09-22 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법
US20120027921A1 (en) * 2010-12-22 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
EP2469268A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
WO2012124593A1 (ja) * 2011-03-15 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
KR101250501B1 (ko) * 2011-04-11 2013-04-03 전남대학교산학협력단 극미량 시료 흡착량 측정 장치
KR101233629B1 (ko) * 2011-04-13 2013-02-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 대용량 박막형성용 증착장치
US9064740B2 (en) 2011-04-20 2015-06-23 Koninklijke Philips N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
DE102011084996A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Robert Bosch Gmbh Anordnung zum Beschichten eines Substrats
JP2013163845A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Nitto Denko Corp 蒸着用坩堝及び蒸着装置並びに蒸着方法
JP6192894B2 (ja) * 2012-03-22 2017-09-06 株式会社アツミテック 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法
CN103668077B (zh) * 2012-09-14 2017-08-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 蒸发装置及应用该蒸发装置的真空蒸镀机
KR101467195B1 (ko) * 2013-05-14 2014-12-01 주식회사 아바코 가스 분사기 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
US20170022605A1 (en) * 2014-03-11 2017-01-26 Joled Inc. Deposition apparatus, method for controlling same, deposition method using deposition apparatus, and device manufacturing method
DE102014014970B4 (de) * 2014-10-14 2020-01-02 NICE Solar Energy GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Schichtdickenmessung für Dampfabscheideverfahren
DE102014115497A1 (de) * 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen
KR102560307B1 (ko) * 2014-12-11 2023-07-26 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 유기 증기상 증착 시스템, 저온 및 고온 증발 물질의 동시 증착에 이용하는 방법, 및 거기에서 제조된 디바이스
KR102609612B1 (ko) * 2018-07-30 2023-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59140365A (ja) * 1983-02-01 1984-08-11 Ushio Inc 光化学蒸着装置
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US5709753A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
CN1300328A (zh) * 1998-04-14 2001-06-20 Cvd***公司 薄膜淀积***
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP3734239B2 (ja) 1999-04-02 2006-01-11 キヤノン株式会社 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP4908738B2 (ja) * 2002-01-17 2012-04-04 サンデュー・テクノロジーズ・エルエルシー Ａｌｄ方法
US7003215B2 (en) * 2002-01-21 2006-02-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vapor flow controller
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US20050211172A1 (en) * 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
ES2292788T3 (es) * 2002-06-28 2008-03-16 Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. Procedimiento y dispositivo para vaporizar un reactivo liquido en la fabricacion de una preforma de vidrio.
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
JP4185015B2 (ja) * 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
US9725805B2 (en) * 2003-06-27 2017-08-08 Spts Technologies Limited Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
WO2005054537A2 (en) * 2003-12-01 2005-06-16 Structured Materials Industries, Inc. System and method for forming multi-component films
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP4454387B2 (ja) * 2004-05-20 2010-04-21 日立造船株式会社 蒸着装置
JP4458932B2 (ja) * 2004-05-26 2010-04-28 日立造船株式会社 蒸着装置
JP2006059640A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Tdk Corp 蒸着装置及び蒸着方法
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP4602054B2 (ja) * 2004-11-25 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置
US7431807B2 (en) * 2005-01-07 2008-10-07 Universal Display Corporation Evaporation method using infrared guiding heater
JP2006225757A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
US7625601B2 (en) * 2005-02-04 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs
US7625602B2 (en) * 2005-05-03 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding powdered or granular material
KR20080046267A (ko) * 2005-09-20 2008-05-26 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 성막 장치, 증발 지그, 및, 측정 방법
JP4317174B2 (ja) * 2005-09-21 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置および成膜装置
US7718030B2 (en) * 2005-09-23 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
US8603580B2 (en) * 2005-11-28 2013-12-10 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
US20070218199A1 (en) * 2006-02-13 2007-09-20 Veeco Instruments Inc. Crucible eliminating line of sight between a source material and a target
JP5063969B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
JP5073751B2 (ja) * 2006-10-10 2012-11-14 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
JP5020650B2 (ja) * 2007-02-01 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着方法および蒸着装置の製造方法
WO2008120610A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Tokyo Electron Limited 蒸着源ユニット、蒸着装置および蒸着源ユニットの温度調整装置
US20090081365A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Cok Ronald S Deposition apparatus for temperature sensitive materials
EP2168643A1 (en) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Evaporator for organic materials
KR101226518B1 (ko) * 2008-09-30 2013-01-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 증착 장치, 증착 방법 및 프로그램을 기억한 기억 매체
JP5410235B2 (ja) * 2009-10-15 2014-02-05 小島プレス工業株式会社 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103430625A (zh) * 2011-03-15 2013-12-04 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法
CN103430625B (zh) * 2011-03-15 2015-09-23 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置的制造方法
TWI490355B (zh) * 2011-07-21 2015-07-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍方法與蒸鍍設備

Also Published As

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