JP2008075095A - 真空蒸着装置および真空蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜室4に、基板Bに対向して配置された材料放出部11に、材料を放出する放出口を有する第1〜第3分散容器12A〜12Cを設け、材料を蒸発させる第1,第3蒸発セル32A,32Cと第1,第3分散容器12A,12Cとを第1,第3開閉弁34A〜34Cを介して接続するとともに、材料の蒸発温度と熱分解温度の間の温度範囲が共通する材料を蒸発する複数の第2−1〜第2−3蒸発セル32Ba〜32Bcと、第2分散容器12Bとをそれぞれ第2−1〜第2−3開閉弁34Ba〜34Bcを介して接続し、第1〜第3分散容器12A〜12Cに、放出する材料の蒸発温度と熱分解温度の間の所定温度に加熱する容器加熱装置17A〜17Cをそれぞれ設け、第1〜第3放出口を選択的に開閉するシャッター装置20を設けた。
【選択図】図1
Description
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の構成において、ホスト材料を放出する分散容器と、ドーパント材料を放出する分散容器とを設け、2つの前記分散容器からホスト材料とドーパント材料とを同時に放出するように構成したものである。
請求項5記載の発明によれば、開閉用開口部を有するシャッター板をスライドさせることにより、放出口を選択的に開閉して、選択された材料を放出することができる。
[実施の形態1]
この真空蒸着装置は、図1に示すように、材料を下部から上方に放出し、上部に配置されたたとえばガラス製の基板(被蒸着部材)Bに蒸着するアップデポジションタイプのもので、1つの成膜室4で、たとえば図2に示すように有機EL素子Aの複数の有機EL層を順次形成するものである。有機EL素子Aは、基板Bに形成された透明電極Cと背面電極Eとの間に、複数の有機EL層D1〜D4を形成したもので、有機EL層D1〜D4は、たとえば透明電極C側からホール注入層D1とホール輸送層D2と発光層D3と電子輸送層D4が積層形成されている。なお、電子輸送層D4と背面電極Eの間に電子注入層が形成されることもある。
1.(蒸着準備工程)蒸着面に透明電極Cが形成された基板Bを、搬送ロボット6により成膜室4に搬入して、基板ホルダー7に固定する。さらに基板Bの蒸着面にマスク8を取り付け、成膜室4を閉じる。
次に搬送ロボット6により、基板Bを成膜室4から真空輸送室1を介して電極形成室5に移送し、電極形成室5で電子輸送層D4上に背面電極Eを形成する(背面電極形成工程)。そして、洗浄や検査(仕上げ工程)を行った後、有機EL素子Aの製造が完了する。
実施の形態2を図8(b)および図10を参照して説明する。この実施の形態2は、実施の形態1において、第3分散容器12Cに供給していた材料eのCuPcを2TNATAに変更し、第2−4蒸発セル32Bdから第4枝管35dおよび第2−4開閉弁34Bdならびに第2材料導入管33Bを介して第2分散容器12Bに供給するように構成し、さらに第3分散容器12Cを削除したものである。また、前記材料eである2TNATAの適正な加熱温度範囲は300℃〜360℃である。ここで、実施の形態1と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
実施の形態3を図11および図12を参照して説明する。
上記実施の形態1,2では、第1〜第3分散容器12A〜12Cを重ねて配置したが、この実施の形態3では、ダクト状の第1〜第3分散容器52A〜52Cを複数組(図では4組)並設したものである。なお、実施の形態1と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
なお、上記各実施の形態では、基板ホルダー7に基板Bを固定した状態で保持したが、基板Bを垂直軸心周りに回転させたり、あるいは基板Bを直線方向に移動させる基板ホルダーを設けてもよい。
B 基板
C 透明電極
D1 ホール注入層
D2 ホール輸送層
D3 発光層
D4 電子輸送層
E 背面電極
1 真空輸送室
2 搬入室
3 搬出室
4 成膜室
5 電極形成室
6 搬送ロボット
7 基板ホルダー
8 マスク
11,51 材料放出部
12A〜12C,52A〜52C 第1A〜第3分散容器
12a〜12c 第1〜第3検出管
13A〜13C,53A〜53C 第1A〜第3放出ノズル
13a〜13c 第1〜第3放出口
14A,14B 貫通部
15 放出口群
16 断熱部材
17A〜17C 容器加熱装置
18 断熱板
20 シャッター装置
21 シャッター板
21a 開閉用開口部
22 シャッター作動装置
31 材料供給部
32A 第1蒸発セル
32Ba 第2−1蒸発セル
32Bb 第2−2蒸発セル
32Bc 第2−3蒸発セル
32Bd 第2−4蒸発セル
32C 第3蒸発セル
33A〜33C 第1〜第3材料導入管
34A 第1開閉弁(開閉手段)
34Ba〜34Bd 第2−1〜第2−4開閉弁(開閉手段)
34C 第3開閉弁(開閉手段)
35a〜35d 第1〜第4枝管
41A 水晶振動子
41B〜41D 第1〜第3水晶振動子
42 膜厚センサ
43 蒸着制御装置
Claims (6)
- 1つの成膜室内で、複数の材料を被蒸着部材に蒸着して複数層の膜を形成する真空蒸着装置であって、
成膜室に、被蒸着部材の蒸着面に対向して配置されて材料を放出する材料放出部を設け、
前記材料放出部に、材料を放出する放出口を有する複数の分散容器を設け、
材料を蒸発させる蒸発セルと分散容器とを開閉手段を介して接続するとともに、少なくとも前記分散容器のうちの1つに、材料の蒸発温度と熱分解温度の間の温度範囲が共通する材料を蒸発する複数の蒸発セルをそれぞれ開閉手段を介して接続し、
各分散容器に、放出する材料の蒸発温度と熱分解温度の間の所定温度に加熱する容器加熱装置をそれぞれ設けた
真空蒸着装置。 - 被蒸着部材をホルダーに固定して配置し、
複数の分散容器を、被蒸着部材の蒸着面に対して接近離間する方向に重ねて配置し、
被蒸着部材に最も接近する最前段の分散容器で被蒸着部材の蒸着面に対向する表面側に、当該最前段の分散容器の材料を放出する複数の放出口を所定間隔をあけて開口するとともに、前記最前段の分散容器よりも離間する側の分散容器に、前段側の分散容器を貫通して前記最前段の分散容器の表面側に放出口を開口する複数の放出ノズルを設けた
請求項1記載の真空蒸着装置。 - 容器加熱装置の加熱温度が低い分散容器ほど前段側に配置した
請求項1または2記載の真空蒸着装置。 - ホスト材料を放出する分散容器と、ドーパント材料を放出する分散容器とを設け、
2つの前記分散容器からホスト材料とドーパント材料とを同時に放出するように構成した
請求項1乃至3のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 各分散容器の放出口を選択的に開閉自在なシャッター装置を設け、
前記シャッター装置に、最前段の分散容器の表面で放出口の蒸着面側に、分散容器の表面に沿ってスライド自在で、かつ放出口を選択的に開放可能な開閉用開口部が形成されたシャッター板を設けた
請求項1乃至4のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 複数の分散容器を具備した1つの成膜室で、単数または複数の前記分散容器の放出口から材料を放出して被蒸着部材に蒸着させる複数の蒸着工程を行い、被蒸着部材に複数層の膜を形成するに際し、
少なくとも1つの前記分散容器から、蒸発温度と分解温度の間で共通する温度範囲を有する複数の材料を複数の蒸着工程で放出させ、
前記分散容器を、放出する材料の蒸発温度と熱分解温度の間の所定温度に加熱する
真空蒸着方法。
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
JP2010242202A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
JP2011117073A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 蒸着源、それを備えた蒸着装置及び薄膜形成方法 |
JP2011179073A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2011225940A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置及び蒸着方法 |
CN102373434A (zh) * | 2010-08-20 | 2012-03-14 | 日立造船株式会社 | 蒸镀装置 |
JP2012087387A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2012169128A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
WO2012141151A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN102877031A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 四川大学 | 一种大面积共蒸发源的阵列设计 |
JP2013519788A (ja) * | 2010-02-16 | 2013-05-30 | アストロン フィアム セーフティー | 気相蒸着供給源のための一定体積閉止バルブ |
WO2013125598A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 旭硝子株式会社 | フッ素含有有機ケイ素化合物薄膜の製造装置、及び、製造方法 |
JP2013204073A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着装置におけるるつぼ交換方法 |
JP2014031581A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-20 | Samsung Display Co Ltd | 蒸着装置およびこれを用いた蒸着量測定方法 |
WO2014027578A1 (ja) | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 株式会社カネカ | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
JP2014037564A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Kaneka Corp | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
JP2014037565A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Kaneka Corp | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
CN112877646A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-01 | 嘉讯科技(深圳)有限公司 | 一种具有混镀的高效真空电镀装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006009107A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi Zosen Corp | 蒸発装置、蒸着装置および蒸着装置における蒸発装置の切替方法 |
JP2006057173A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法 |
JP2006111926A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
JP2006225725A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
-
2006
- 2006-09-19 JP JP2006251981A patent/JP5036264B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006009107A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi Zosen Corp | 蒸発装置、蒸着装置および蒸着装置における蒸発装置の切替方法 |
JP2006057173A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法 |
JP2006111926A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
JP2006225725A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
JP2010242202A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
JP2011117073A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 蒸着源、それを備えた蒸着装置及び薄膜形成方法 |
US8986783B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of forming thin film from multiple deposition sources |
JP2013519788A (ja) * | 2010-02-16 | 2013-05-30 | アストロン フィアム セーフティー | 気相蒸着供給源のための一定体積閉止バルブ |
JP2011179073A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置 |
JP2011225940A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置及び蒸着方法 |
CN102373434A (zh) * | 2010-08-20 | 2012-03-14 | 日立造船株式会社 | 蒸镀装置 |
JP2012087387A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2012169128A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
WO2012141151A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2013125598A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 旭硝子株式会社 | フッ素含有有機ケイ素化合物薄膜の製造装置、及び、製造方法 |
JP2013204073A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着装置におけるるつぼ交換方法 |
KR20130110015A (ko) * | 2012-03-28 | 2013-10-08 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | 진공증착장치 및 진공증착장치에 있어서의 도가니 교환방법 |
KR101971033B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2019-04-22 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | 진공증착장치 및 진공증착장치에 있어서의 도가니 교환방법 |
JP2014031581A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-20 | Samsung Display Co Ltd | 蒸着装置およびこれを用いた蒸着量測定方法 |
US10596582B2 (en) | 2012-07-31 | 2020-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Depositing apparatus and method for measuring deposition quantity using the same |
US9724715B2 (en) | 2012-07-31 | 2017-08-08 | Samsung Display Co., Ltd | Depositing apparatus and method for measuring deposition quantity using the same |
JP2014037565A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Kaneka Corp | 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 |
CN104540975A (zh) * | 2012-08-13 | 2015-04-22 | 株式会社钟化 | 真空蒸镀装置以及有机el装置的制造方法 |
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