DE112007002293T5 - Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung - Google Patents

Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE112007002293T5
DE112007002293T5 DE112007002293T DE112007002293T DE112007002293T5 DE 112007002293 T5 DE112007002293 T5 DE 112007002293T5 DE 112007002293 T DE112007002293 T DE 112007002293T DE 112007002293 T DE112007002293 T DE 112007002293T DE 112007002293 T5 DE112007002293 T5 DE 112007002293T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vapor deposition
film
deposition source
forming material
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112007002293T
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Amagasaki-shi Sudou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of DE112007002293T5 publication Critical patent/DE112007002293T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Bedampfungsvorrichtung zum Durchführen einer Filmbildung auf einem Zielobjekt durch Dampfabscheidung, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für die Filmbildung ist;
einen Blasmechanismus, der mit der Dampfabscheidungsquelle durch eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird;
eine erste Prozesskammer, die den Blasmechanismus darin aufnimmt, zum Durchführen der Filmbildung darin auf dem Zielobjekt mit dem Filmbildungsmaterial, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird;
eine zweite Prozesskammer, die getrennt von der ersten Prozesskammer eingebaut ist, zum Aufnehmen der Dampfabscheidungsquelle darin; und
einen Auslassmechanismus, der mit der ersten Prozesskammer verbunden ist, zum Evakuieren des Inneren der ersten Prozesskammer auf ein vorgegebenes Vakuumniveau.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bedampfungsvorrichtung, eine Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, ein Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und ein Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung eine Bedampfungsvorrichtung, die sich durch eine hohe Auslasseffizienz auszeichnet, und ein Steuerungsverfahren dafür.
  • [Technischer Hintergrund]
  • Bei einem Herstellungsprozess einer elektronischen Einrichtung, wie etwa eines Flachbildschirms oder dergleichen, wird weitläufig ein Bedampfungsverfahren zum Bilden eines Films auf einem Zielobjekt durch Anlagern von Gasmolekülen, die infolge einer Verdampfung eines vorgegebenen Filmbildungsmaterials erzeugt werden, an dem Zielobjekt angewandt. Es ist im Besonderen bekannt, dass unter verschiedenen Typen von Einrichtungen, die unter Verwendung einer derartigen Bedampfungstechnologie hergestellt werden, ein organisches EL-Display einem Flüssigkristalldisplay aus dem Grund seiner Eigenlumineszenz, seiner hohen Reaktionsgeschwindigkeit, seines niedrigen Stromverbrauchs usw. überlegen ist. Dementsprechend wird von nun an eine zunehmende Nachfrage nach dem organischen EL-Display erwartet, und im Besonderen zieht es eine hohe Aufmerksamkeit auf dem Gebiet der Herstellung von flachen Display-Paneels auf sich, von dem erwartet wird, dass es größer wird. Somit wird die bei der Herstellung des organischen EL-Displays angewandte Bedampfungstechnologie als sehr wichtig angesehen.
  • Die Bedampfungstechnologie, die unter einem solchen technischen Hintergrund Aufmerksamkeit erweckt, wird durch eine Bedampfungsvorrichtung durchgeführt. Herkömmlich sind in der Bedampfungsvorrichtung eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen des Filmbildungsmaterials und ein Blasmechanismus zum Ausblasen der verdampften organischen Moleküle in Richtung des Zielobjekts in einem einzigen Behälter aufgenommen gewesen. Dementsprechend ist eine Reihe von Filmbildungsprozessen, die die Schritte des Verdampfens des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle enthalten ist; und das Anlagern des verdampften Filmbildungsmaterials an dem Zielobjekt durch sein Ausblasen von dem Blasmechanismus umfassen, in dem gleichen Behälter durchgeführt worden (siehe beispielsweise Patentdruckschrift 1).
  • In der oben erwähnten Reihe von Filmbildungsprozessen muss jedoch das Innere des Behälters auf einem vorgegebenen Vakuumniveau gehalten werden. Im Einzelnen nimmt die Temperatur der Dampfabscheidungsquellen auf bis zu etwa 200°C bis 500°C zu, um das Filmbildungsmaterial darin zu verdampfen. Wenn somit der Filmbildungsprozess in der Atmosphäre durchgeführt wird, würden die Moleküle des Filmbildungsmaterials wiederholt mit Restgasmolekülen im Inneren des Behälters kollidieren, bevor sie das Zielobjekt erreichen, wodurch die Hochtemperaturwärme, die von der Dampfabscheidungsquelle erzeugt wird, auf Teile, z. B. verschiedene Sensoren im Inneren der Prozesskammer, über tragen werden würde, was zu einer Verschlechterung der Eigenschaften jedes Teils oder zu einer Beschädigung des Teils selbst führt.
  • Wenn im Gegensatz dazu der Filmbildungsprozess durchgeführt wird, während das Innere des Behälters auf dem vorgegebenen Vakuumniveau gehalten wird, wird die Wahrscheinlichkeit der Kollision der Moleküle des Filmbildungsmaterials mit den Restgasmolekülen im Inneren des Behälters vor deren Ankunft an dem Zielobjekt sehr niedrig, so dass die Übertragung der Wärme, die von der Dampfabscheidungsquelle erzeugt wird, auf andere Teile im Inneren der Prozesskammer unterdrückt werden kann (d. h. durch Vakuum wird eine Wärmeisolation erreicht). Somit kann die Temperatur im Inneren des Behälters mit hoher Genauigkeit gesteuert werden, und die Steuerbarkeit der Filmbildung kann verbessert werden. Infolgedessen kann ein gleichmäßiger Film mit einer hohen Qualität auf dem Zielobjekt gebildet werden.
    Patentdruckschrift 1: Japanisches offengelegtes Patent Veröffentlichungsnummer 2000-282219
  • [Offenbarung der Erfindung]
  • [Durch die Erfindung zu lösende Probleme]
  • Während der Filmbildung wird jedoch das Filmbildungsmaterial, das in der Dampfabscheidungsquelle gespeichert ist, andauernd verbraucht, wenn es verdampft und von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird. Somit muss die Dampfabscheidungsquelle mit dem Filmbildungsmaterial, wann immer es notwendig ist, nachgefüllt werden. Herkömmlich muss das Innere des Behälters zur Atmosphäre hin geöffnet werden und der Strom eines Auslasssystems muss jedes Mal dann abge schaltet werden, wenn die Ergänzung vorgenommen wird. Somit wird jedes Mal dann ein große Menge an Energie benötigt, wenn der Strom des Auslasssystems wieder eingeschaltet wird, nachdem die Ergänzung des Ausgangsmaterials abgeschlossen worden ist.
  • Darüber hinaus nimmt jedes Mal dann, wenn das Innere des Behälters zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, um das Ausgangsmaterial in die Dampfabscheidungsquelle hinein zu ergänzen, das Vakuumniveau im Inneren des Behälters ab. Somit wird die Zeitdauer, die notwendig ist, um das Innere des Behälters nach der Ergänzung des Ausgangsmaterials wieder auf das vorgegebene Vakuumniveau unter Druck zu setzen, länger als die in dem Fall, in dem das Innere des Behälters immer auf dem vorgegebenen Vakuumniveau gehalten wird, ohne ihn zu der Atmosphäre hin zu öffnen. Infolgedessen war die Ergänzung des Ausgangsmaterials eine Ursache für die Verschlechterung der Auslasseffizienz gewesen, indem sie sowohl die Energie zum Wideranfahren des Auslasssystems als auch die Energie zum erneuten Unterdrucksetzen des Inneren des Behälters auf das vorgegebene Vakuumniveau nach dem Wiederanfahren des Auslasssystems verbraucht. Da ferner das Ergänzen des Ausgangsmaterials die Zeit zum Wiedereinstellen des Inneren des Behälters auf das vorgegebene Vakuumniveau erhöht hat, ist eine Verringerung des Durchsatzes bewirkt worden, was zu einer Verschlechterung der Produktivität führte.
  • [Mittel zum Lösen des Problems]
  • Im Hinblick auf das Vorstehende stellt die vorliegende Erfindung eine neuartige und fortschrittliche Bedampfungsvorrichtung mit einer guten Auslasseffizienz und eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung bereit.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Bedampfungsvorrichtung zum Durchführen einer Filmbildung auf einem Zielobjekt durch Dampfabscheidung vorgesehen, wobei die Vorrichtung umfasst: eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für die Filmbildung ist, einen Blasmechanismus, der mit der Dampfabscheidungsquelle durch eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird; eine erste Prozesskammer, die den Blasmechanismus darin aufnimmt, zum Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt darin mit dem Filmbildungsmaterial, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird; eine zweite Prozesskammer, die getrennt von der ersten Prozesskammer eingebaut ist, zum Aufnehmen der Dampfabscheidungsquelle darin; und einen Auslassmechanismus, der mit der ersten Prozesskammer verbunden ist, zum Evakuieren des Inneren der ersten Prozesskammer auf ein vorgegebenes Vakuumniveau.
  • Hier impliziert der Ausdruck ”Verdampfung” oder ”Bedampfung” nicht nur das Phänomen, dass eine Flüssigkeit in ein Gas umgewandelt wird, sondern auch ein Phänomen, dass ein Feststoff direkt in ein Gas umgewandelt wird, ohne eine Flüssigkeit zu werden (d. h. Sublimation).
  • In der oben beschriebenen Ausgestaltung ist die zweite Prozesskammer, die die Dampfabscheidungsquelle darin aufnimmt, getrennt von der ersten Prozesskammer eingebaut, in der der Filmbildungsprozess an dem Zielobjekt durchgeführt wird. Somit muss nur die zweite Prozesskammer zu der Atmosphäre hin geöffnet werden, wenn das Filmbildungsmaterial ergänzt wird, ohne die erste Prozesskammer zu der Atmosphäre hin öffnen zu müssen. Dementsprechend kann die Energie, die von einer Stromversorgung nach der Ergänzung des Filmbildungsmaterials eingebracht wird, im Vergleich mit herkömmlichen Fällen verringert werden. Infolgedessen kann die Auslasseffizienz verbessert werden.
  • Da ferner die erste Prozesskammer nicht zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, selbst wenn das Filmbildungsmaterial ergänzt wird, kann die Zeit, die es dauert, das Innere der Kammer auf das vorgegebene Vakuumniveau unter Druck zu setzen, im Vergleich mit den herkömmlichen Fällen verkürzt werden, in denen die gesamte Kammer zu der Atmosphäre hin geöffnet wird. Infolgedessen kann der Durchsatz verbessert werden, was zu einer Steigerung der Produktivität führt.
  • Der Auslassmechanismus kann mit der zweiten Prozesskammer verbunden sein und kann das Innere der zweiten Prozesskammer auf ein vorbestimmtes Vakuumniveau evakuieren. Bei dieser Ausgestaltung ist es durch Unterdrucksetzen des Inneren der zweiten Prozesskammer auf ein gewünschtes Vakuumniveau möglich, die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass das verdampfte Filmbildungsmaterial (Gasmoleküle) mit Restgasmolekülen im Inneren der Kammer kollidiert, bevor sie das Zielobjekt erreichen. Dementsprechend wird Hochtemperaturwärme, die von der Dampfabscheidungsquelle erzeugt wird, kaum auf andere Teile im Inneren der Prozesskammer übertragen. Aufgrund eines solchen Wärmeisolationseffektes durch Vakuum kann die Innentemperatur der zweiten Prozesskammer mit hoher Genauigkeit gesteuert werden, so dass die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden kann und die Gleichmäßigkeit und die Eigenschaften eines Films verbessert werden können. Außerdem kann eine Verschlechterung der Eigenschaften solcher Teile, wie etwa verschiedener Sensoren im Inneren der zweiten Prozesskammer, oder eine Beschädigung der Teile selbst, die durch die Übertragung der Hochtemperaturwärme, die von der Dampfabscheidungsquelle erzeugt wird, auf die Teile hervorgerufen wird, vermieden werden. Darüber hinaus wird die Verwendung eines Wärmeisolators in der zweiten Prozesskammer unnötig.
  • Die Dampfabscheidungsquelle kann derart eingebaut sein, dass nur die Nachbarschaft ihres das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts in Kontakt mit einer Wandfläche der zweiten Prozesskammer steht. Wenn das Innere der zweiten Prozesskammer im Vakuumzustand ist, wird, wie es oben beschrieben ist, der Wärmeisolationseffekt durch Vakuum im Inneren der Kammer erhalten. Dementsprechend wird die Wärme im Inneren der zweiten Prozesskammer zu der Atmosphäre hin außerhalb der zweiten Prozesskammer über die Wandfläche der zweiten Prozesskammer von dem Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle, der mit der Wandfläche der zweiten Prozesskammer in Kontakt steht, ausgetragen. Infolgedessen kann die Temperatur der anderen Abschnitte der Dampfabscheidungsquelle als ihr das Filmbildungsmaterial aufnehmender Abschnitt derart eingerichtet werden, dass sie höher oder gleich der Temperatur der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ist.
  • Die zweite Prozesskammer kann mit einem Vorsprungabschnitt und/oder einem Vertiefungsabschnitt in der Wandfläche, der mit der Dampfabscheidungsquelle in Kontakt steht, versehen sein. Mit dieser Ausgestaltung kann die Wärme leichter aus der zweiten Prozesskammer ausgetragen werden.
  • Gemäß der Offenbarung eines Buches mit dem Titel "Thin Film Optics" (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 veröffentlicht wurde) werden hier verdampfte Moleküle (Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien), die das Substrat erreicht haben, nicht an dem Sub strat angelagert und darauf angesammelt werden, und zwar gerade wie sie sind auf eine solche Weise, dass sie herunterfallen und gestapelt werden, um einen Film zu bilden, sondern ein Teil von ihnen wird reflektiert und in das Vakuum zurückgeworfen. Ferner bewegen sich einige der Moleküle, die auf der Oberfläche des Substrats angelagert sind, weiter auf der Oberfläche, wobei einige von ihnen wieder zurück in das Vakuum geworfen werden, und einige von ihnen an Stellen auf dem Substrat gefangen werden, um einen Film zu bilden. Eine durchschnittliche Zeit, die die Moleküle in einem Adsorptionszustand gehalten werden (durchschnittliche Verweilzeit τ) wird durch eine Gleichung τ = τ0exp(Ea/kT) angegeben, wobei Ea eine Aktivierungsenergie für das Entweichen darstellt.
  • Da T eine absolute Temperatur ist; k eine Boltzmann-Konstante ist; und τ0 eine vorbestimmte Konstante ist, geht man davon aus, dass die durchschnittliche Verweilzeit τ eine Funktion der absoluten Temperatur T ist. Diese Gleichung gibt an, dass die Zahl der Gasmoleküle, die physikalisch an einer Transportstrecke angelagert werden, mit zunehmender Temperatur abnimmt.
  • Wie es oben festgestellt wurde, kann durch Einstellen der Temperatur der anderen Abschnitte der Dampfabscheidungsquelle auf höher als oder gleich der Temperatur der Nachbarschaft des Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle, wo das Filmbildungsmaterial angesammelt wird, die Wahrscheinlichkeit der Anlagerung des Filmbildungsmaterials an der Dampfabscheidungsquelle oder einer Verbindungsstrecke verringert werden. Dementsprechend kann eine größere Menge von Gasmolekülen von dem Blasmechanismus ausgeblasen und an dem Zielobjekt angelagert werden. Infolgedessen kann die Ausnutzungseffizienz des Materials verbessert werden, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten führt. Darüber hinaus kann durch Verringern der Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, ein Reinigungszyklus für die Beseitigung der Ablagerungen, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert sind, verlängert werden. Folglich kann der Durchsatz erhöht werden und die Produktivität kann verbessert werden.
  • Die Dampfabscheidungsquelle kann einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern einer Temperatur der Dampfabscheidungsquelle umfassen. In dieser Ausgestaltung kann die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle unter Verwendung des Temperatursteuerungsmechanismus gesteuert werden, der an der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, um die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, weiter verringert werden, während die Filmbildungsmaterialien in Richtung des Blasmechanismus strömen gelassen werden. Infolgedessen kann die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden.
  • Genauer kann der Temperatursteuerungsmechanismus einen ersten Temperatursteuerungsmechanismus und einen zweiten Temperatursteuerungsmechanismus umfassen, wobei der erste Temperatursteuerungsmechanismus auf der Seite des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle angeordnet sein kann, um eine Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts auf einer vorbestimmten Temperatur zu halten, und der zweite Temperatursteuerungsmechanismus kann an einem Auslassabschnitt der Dampfabscheidungsquelle angeordnet sein, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, um eine Temperatur des Auslassabschnitts derart zu halten, dass sie höher als oder gleich der Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ist.
  • Ein Beispiel des ersten Temperatursteuerungsmechanismus, der an dem das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, kann eine erste Heizung sein, die in einer Unterseitenwand der Dampfabscheidungsquelle, wo das Filmbildungsmaterial gespeichert ist, eingelassen ist (siehe beispielsweise 400e1 in 3). Ferner kann ein Beispiel des zweiten Temperatursteuerungsmechanismus, der an der Auslassseite der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, von welcher das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, eine zweite Heizung sein (siehe beispielsweise 410e1 in 3), die in der Seitenwand der Dampfabscheidungsquelle eingelassen ist. Als ein Beispiel einer Temperatursteuerung unter Verwendung der ersten und zweiten Heizung kann eine Spannung, die von einer Stromversorgung an die zweite Heizung angelegt wird, auf höher als die eingestellt werden, die an die erste Heizung angelegt wird. Auf diese Weise kann die Temperatur der Nachbarschaft (durch r in 3 angegeben) eines Auslasses jedes Tiegels, von welchem das verdampfte Filmbildungsmaterial ausgeblasen wird, auf höher als die Temperatur der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle (durch q in 3 angegeben) erhöht werden.
  • Der Temperatursteuerungsmechanismus kann einen dritten Temperatursteuerungsmechanismus umfassen, und der dritte Temperatursteuerungsmechanismus kann in der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle angeordnet sein, um den das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt zu kühlen.
  • Während der Filmbildung nimmt die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle bis zu einem hohen Temperaturniveau von etwa 200 bis 500°C zu. Wenn somit die Dampfabscheidungsquelle zunächst gekühlt werden muss, um das Filmbildungsmaterial zu ergänzen, hat es etwa einen halben Tag gedauert, um die herkömmliche Dampfabscheidungsquelle auf ein Temperaturniveau abzukühlen, an dem die Ergänzung des Ausgangsmaterials möglich ist. Durch Steuern der Dampfabscheidungsquelle durch die Verwendung des dritten Temperatursteuerungsmechanismus kann jedoch die Wartungszeit, die für die Ergänzung des Filmbildungsmaterials notwendig ist, verkürzt werden.
  • Als ein Beispiel des dritten Temperatursteuerungsmechanismus kann beispielsweise eine Kühlmittelversorgungsquelle zum Ausblasen eines Kühlmittels, wie etwa Luft, verwendet werden (siehe z. B. 7). Als ein Beispiel einer Temperatursteuerung unter Verwendung der Kühlmittelversorgungsquelle kann die Luft, die von der Kühlmittelversorgungsquelle zugeführt wird, in die Nachbarschaft des Abschnitts, an dem das Filmbildungsmaterial aufgenommen ist, ausgeblasen werden. Dementsprechend kann der das Filmbildungsmaterial aufnehmende Abschnitt durch die Luft gekühlt werden.
  • Es kann mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut sein, und mehrere erste Sensoren, die den Dampfabscheidungsquellen entsprechen, können im Inneren der zweiten Prozesskammer angeordnet sein, um jeweilige Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind, zu detektieren.
  • Herkömmlich sind die Dampfabscheidungsquellen und der Blasmechanismus in der gleichen Kammer aufgenommen gewesen. Obwohl die Filmbildungsrate eines Gemisches von Filmbildungsmaterialien (d. h. eine Erzeugungsrate eines Gemisches von Gasmolekülen), die durch den Blasmechanismus hindurchtreten, detektiert werden konnte, war es daher unmöglich, die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), die von jeder Dampfabscheidungsquelle verdampft wird (d. h. eine Erzeugungsrate von Gasmolekülen wie des Filmbildungsmaterials einer einfachen Substanz), genau zu detektieren.
  • Jedoch sind in der Bedampfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die Dampfabscheidungsquellen und der Blasmechanismus in den getrennten Kammern aufgenommen. Bei dieser Ausgestaltung kann durch die Verwendung der mehreren ersten Sensoren, die im Inneren der zweiten Prozesskammer eingebaut sind, so dass sie den mehreren Dampfabscheidungsquellen entsprechen, die Filmbildungsrate jedes Filmbildungsmaterials, das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, unter Verwendung jedes ersten Sensors detektiert werden.
  • Dementsprechend kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle mit hoher Genauigkeit auf der Basis der Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), die von jedem Sensor ausgegeben wird, gesteuert werden. Infolgedessen kann durch Zulassen, dass die Verdampfungsrate des Filmbildungsmaterials, das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, sich einem Zielwert genauer annähert, ein Mischungsverhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird, mit höherer Genauigkeit gesteuert werden. Infolgedessen kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden und ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit besseren Eigenschaften kann auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Um eine Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle auf der Basis der Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), die von jedem Sensor ausgegeben wird, zu steuern, wird beispiels weise eine Quarzmikowaage (QCM von Quartz Crystal Microbalance) verwendet. Nachstehend wird das einfache Prinzip der QCM erläutert.
  • In dem Fall, dass eine Dichte, ein Elastizitätsmodul, eine Größe oder dergleichen eines Quarzschwingkörpers äquivalent verändert werden, indem eine Substanz an der Oberfläche eines Quarzschwingelements angelagert wird, tritt eine Schwankung einer elektrischen Resonanzfrequenz f, die durch die folgende Gleichung angegeben wird, aufgrund der piezoelektrischen Eigenschaft des Schwingelements auf. f = 1/2t(√C/ρ)(t: Dicke eines Quarzstücks, C: Elastizitätskonstante, ρ: Dichte).
  • Unter Verwendung dieses Phänomens wird eine infinitesimale Quantität von Abscheidungen quantitativ auf der Basis der Schwankung der Resonanzfrequenz des Quarzschwingelements gemessen. Ein allgemeiner Ausdruck für das Quarzschwingelement, das wie beschrieben konstruiert ist, ist QCM. Es ist aus der Gleichung zu sehen, dass eine Änderung der Frequenz so betrachtet werden kann, dass sie auf der Basis einer Änderung der Elastizitätskonstante in Abhängigkeit von der angelagerten Substanz und eines Dickenmaßes der angelagerten Substanz, das vermittels der Quarzdichte berechnet wird, bestimmt wird. Somit kann die Änderung der Frequenz vermittels des Gewichts der Abscheidungen berechnet werden.
  • Ein zweiter Sensor, der dem Blasmechanismus entspricht, kann zusätzlich im Inneren der ersten Prozesskammer angeordnet sein, um die Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird, zu detektieren.
  • Mit dieser Ausgestaltung ist es möglich, die Filmbildungsrate des Gemisches von Filmbildungsmaterialien, die durch den Blasmechanismus hindurchtreten, unter Verwendung des zweiten Sensors zu detektieren, während gleichzeitig die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, unter Verwendung der ersten Sensoren detektiert wird. Dementsprechend ist es möglich, die Verlustmenge der Gasmoleküle jedes Filmbildungsmaterials infolge ihrer Anlagerung an der Verbindungsstrecke oder dergleichen zu messen, während sie sich von der Dampfabscheidungsquelle zu dem Blasmechanismus durch die Verbindungsstrecke oder dergleichen bewegen. Somit kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle auf der Basis der Verdampfungsraten der verschiedenen Arten von Filmbildungsmaterialien und der Filmbildungsrate des Gemisches von Filmbildungsmaterialien genauer gesteuert werden. Dementsprechend kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, und ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit besseren Eigenschaften kann auf dem Zielobjekt gebildet werden. Ferner ist der Einbau des zweiten Sensors optional, solange die ersten Sensoren vorgesehen sind.
  • Es kann mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut sein; unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien können jeweils in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sein; Verbindungsstrecken können jeweils mit den Dampfabscheidungsquellen an einer vorgegebenen Vereinigungsposition gekoppelt sein; und auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, kann ein Strömungsstrecken-Anpassungselement an einer der Verbindungsstrecken oberstromig der vorgegebenen Vereinigungsposition eingebaut sein, um eine Strömungsstrecke einer Verbindungsstrecke zu steuern.
  • Beispielsweise kann auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, das Strömungsstrecken-Anpassungselement an der Verbindungsstrecke eingebaut sein, durch das das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt.
  • In dem Fall, dass die Verbindungsstrecken gleiche Durchmesser aufweisen, wird der Innendruck einer Verbindungsstrecke, durch die ein Filmbildungsmaterial mit einer hohen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt, nach der Verdampfung von der Dampfabscheidungsquelle höher als der Innendruck einer Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt. Dementsprechend besteht die Tendenz, dass Gasmoleküle in die Verbindungsstrecke mit dem niedrigeren Innendruck von der Verbindungsstrecke mit dem höheren Innendruck eingeleitet werden.
  • Jedoch ist gemäß der vorliegenden Erfindung das Strömungsstrecken-Anpassungselement an der Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit der niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt, auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den mehreren Dampfabscheidungseinheiten pro Zeiteinheit verdampft werden, eingebaut. Wenn beispielsweise eine Blende (Trennplatte) mit einem zentralen Loch als das Strömungsstrecken-Anpassungselement verwendet wird, ist die Strömungsstrecke an einem Abschnitt, an dem die Blende eingebaut ist, verengt, so dass ein Durchgang der Gasmoleküle eingeschränkt ist.
  • Dementsprechend kann verhindert werden, dass die Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials von der Verbindungsstrecke mit dem höheren Innendruck in die Verbindungsstrecke mit dem niedrigeren Innendruck eintreten. Indem der Rückstrom der Gasmoleküle der jeweiligen Filmbildungsmaterialien verhindert wird, können sie somit zu dem Blasmechanismus geschickt werden. Infolgedessen kann eine größere Menge von Gasmolekülen auf dem Zielobjekt abgeschieden werden, was zu einer Verbesserung der Ausnutzungseffizienz des Materials führt.
  • Das Strömungsstrecken-Anpassungselement kann an einer der Auslassstrecken zum Auslassen eines Teils jedes verdampften Filmbildungsmaterials in Richtung der ersten Sensoren und des zweiten Sensors eingebaut sein, um eine Strömungsstrecke einer Auslassstrecke zu steuern.
  • In dieser Ausgestaltung kann die Menge der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien, die in Richtung des ersten Sensors und des zweiten Sensors ausgeblasen wird, durch die Verwendung des Strömungsstrecken-Anpassungselements eingeschränkt werden. Dementsprechend kann ein unnötiges Auslassen der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien verhindert werden, so dass die Ausnutzungseffizienz des Materials weiter verbessert werden kann.
  • Es kann mehr als ein Blasmechanismus eingebaut sein, und die erste Prozesskammer kann die Blasmechanismen darin aufnehmen, und mehrere Filmbildungsprozesse können fortlaufend an dem Zielobjekt durchgeführt werden, wobei das Filmbildungsmaterial von jedem Blasmechanismus in der ersten Prozesskammer ausgeblasen wird.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden mehrere Filme fortlaufend in der gleichen Prozesskammer gebildet. Somit kann der Durchsatz gesteigert werden und die Produktivität kann verbessert wer den. Da darüber hinaus nicht mehrere Prozesskammern getrennt für jeden der zu bildenden Filme wie in herkömmlichen Fällen eingebaut werden müssen, wird eine Vergrößerung der Anlage verhindert, und die Kosten dafür können vermindert werden.
  • Die erste Prozesskammer kann einen organischen EL-Film oder einen organischen Metallfilm auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial bilden.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung zur Regelung einer Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, vorgesehen.
  • Unter Verwendung dieser Steuerungsvorrichtung kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle mit hoher Genauigkeit in Echtzeit auf der Basis der Verdampfungsraten der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien (einfache Substanzen), die von jeweiligen ersten Sensoren detektiert werden, gesteuert werden. Infolgedessen kann durch Zulassen, dass die Verdampfungsrate des Filmbildungsmaterials, das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, sich einem Zielwert genauer annähert, das Mischungsverhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, die von dem Blasmechanismus ausgeblasen werden, mit höherer Genauigkeit gesteuert werden. Folglich kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, und es kann ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit besseren Eigenschaften auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Ferner ist gemäß einem nochmals anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung zur Regelung einer Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, und der Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, die von dem zweiten Sensor detektiert wird, vorgesehen.
  • Unter Verwendung dieser Steuerungsvorrichtung kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle in Echtzeit auf der Basis der Verdampfungsraten der unterschiedlichen Filmbildungsmaterialien (einfache Substanz), die von jeweiligen ersten Sensoren detektiert werden, und der Filmbildungsrate des Gemisches der Gasmoleküle, die von dem zweiten Sensor detektiert wird, genauer gesteuert werden. Folglich kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, und es kann ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit besseren Eigenschaften auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Zu dieser Zeit kann die Steuerungsvorrichtung der Bedampfungsvorrichtung die Temperatur des Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, derart regeln, dass eine Temperatur eines Auslassabschnitts einer Dampfabscheidungsquelle, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, derart eingestellt wird, dass sie höher als oder gleich einer Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle ist.
  • Wie es oben beschrieben ist, nimmt der Adhäsionskoeffizient mit zunehmender Temperatur ab. Durch Regeln der Temperatur des Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, so dass die Temperatur des Auslassabschnitts der Dampfabscheidungsquelle, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, derart eingestellt wird, dass sie höher als oder gleich der Temperatur der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ist, kann die Zahl von Gasmolekülen, die an dem Auslassabschnitt der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, verringert werden. Infolgedessen kann eine größere Menge von Gasmolekülen an dem Zielobjekt angelagert werden. Somit kann die Ausnutzungseffizienz des Materials verbessert werden, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten führt. Außerdem kann ein Reinigungszyklus für die Beseitigung von Abscheidungen, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, verlängert werden.
  • Gemäß noch einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, durch das eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten von Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, geregelt wird.
  • Gemäß einem nochmals anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, durch das eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, und der Filmbil dungsrate des Filmbildungsmaterials, die von dem zweiten Sensor detektiert wird, geregelt wird.
  • Gemäß diesen Steuerungsverfahren ist es möglich, die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle auf der Basis der Filmbildungsrate, die von jedem Sensor ausgegeben wird, mit hoher Genauigkeit zu steuern. Infolgedessen kann die Steuerbarkeit der Filmbildung weiter verbessert werden, und es kann ein gleichmäßigerer Film mit besseren Eigenschaften auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Gemäß einem nochmals anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung zum Verdampfen des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle im Inneren der zweiten Prozesskammer aufgenommen ist; zum Ausblasen des verdampften Filmbildungsmaterials von dem Blasmechanismus durch die Verbindungsstrecke; und zum Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt mit dem geblasenen Filmbildungsmaterial im Inneren der ersten Prozesskammer vorgesehen.
  • Soweit es festgestellt wurde, ist die vorliegende Erfindung in der Lage, die neuartige und fortschrittliche Bedampfungsvorrichtung mit hoher Auslasseffizienz; die Steuerungsvorrichtung für die Bedampfungsvorrichtung; das Steuerungsverfahren für die Bedampfungsvorrichtung und das Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung vorzusehen.
  • [Kurzbeschreibung der Zeichnungen]
  • 1 liefert eine Perspektivansicht von Hauptkomponenten einer Bedampfungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Abwandlungsbeispiel davon;
  • 2 führt eine Querschnittsansicht der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, genommen entlang der Linie A-A von 1, aus;
  • 3 stellt eine vergrößerte Ansicht dar, die einen ersten Tiegel und seine Nachbarschaft, die in 2 gezeigt sind, zeigt;
  • 4 zeigt ein Diagramm zum Beschreiben eines Films, der durch einen 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess gemäß der ersten Ausführungsform und des Abwandlungsbeispiels davon gebildet wird;
  • 5 bietet einen Graphen, der eine Beziehung zwischen Temperatur und Adhäsionskoeffizient zeigt; und
  • 6 stellt eine Querschnittsansicht einer Bedampfungsvorrichtung gemäß dem Abwandlungsbeispiel der ersten Ausführungsform, genommen entlang der Linie A-A von 1, dar.
  • [Beste Ausführungsart der Erfindung]
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ausführlich anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen überall in der gesamten Druckschrift gleiche Teile, und eine redundante Beschreibung wird weggelassen.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Zunächst wird eine Bedampfungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 1 beschrieben, die eine Perspektivansicht liefert, die Hauptkomponenten der Bedampfungsvorrichtung zeigt. Die folgende Beschreibung ist für den Beispielfall der Herstellung eines organischen EL-Displays durch fortlaufende Abscheidung von 6 Schichten, die eine organische EL-Schicht umfassen, in einer Folge auf einem Glassubstrat (nachstehend einfach als ”Substrat” bezeichnet) durch die Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehen.
  • [Bedampfungsvorrichtung]
  • Die Bedampfungsvorrichtung 10 umfasst eine erste Prozesskammer 100 und eine zweite Prozesskammer 200. Nachstehend wird zunächst die Form und innere Ausgestaltung der ersten Prozesskammer 100 erläutert, und die Form und innere Ausgestaltung der zweiten Prozesskammer 200 wird später beschrieben.
  • Die Prozesskammer 100 weist eine rechteckige parallelepipedische Form auf und umfasst eine erste Blaseinrichtung 110a, eine zweite Blaseinrichtung 110b, eine dritte Blaseinrichtung 110c, eine vierte Blaseinrichtung 110d, eine fünfte Blaseinrichtung 110e und eine sechste Blaseinrichtung 110f. Im Inneren der ersten Prozesskammer 100 werden fortlaufend Filmbildungsprozesse auf dem Substrat G durch Gasmoleküle, die von den sechs Blaseinrichtungen 110 ausgeblasen werden, durchgeführt.
  • Die sechs Blaseinrichtungen 110 sind parallel zueinander mit einem gleichen Abstand dazwischen derart angeordnet, dass ihre Längsrichtungen im Wesentlichen senkrecht zu der Vorschubrichtung des Substrats G werden. Trennwände 120 sind zwischen den jeweiligen Blaseinrichtungen 110 angeordnet. Durch Trennen der Blaseinrichtungen 110 mit den sieben Trennwänden 120 kann verhindert werden, dass Gasmoleküle eines Filmbildungsmaterials, die von jeder Blaseinrichtung 110 ausgeblasen werden, sich mit Gasmolekülen vermischen, die von benachbarten Blaseinrichtungen 110 ausgeblasen werden.
  • Jede Blaseinrichtung 110 weist eine Länge auf, die annähernd gleich der Breite des Substrats G ist, und sie weisen die gleiche Form und Ausgestaltung auf. Somit wird nur die innere Ausgestaltung der fünften Blaseinrichtung 110e als Beispiel erläutert, während die Beschreibung der anderen Blaseinrichtungen 110 weggelassen wird.
  • Wie es aus 1 und 2 zu sehen ist, welche eine Querschnittsansicht der Bedampfungsvorrichtung 10, genommen entlang der Linie A-A von 1, ist, umfasst die fünfte Blaseinrichtung 110e einen Blasmechanismus 110e1 in ihrem oberen Abschnitt und einen Transportmechanismus 110e2 in ihrem unteren Abschnitt. Der Blasmechanismus 110e1, dessen Inneres S hohl ist, weist einen Blasabschnitt 110e11 und einen Rahmen 110e12 an seinem oberen Abschnitt auf.
  • Der Blasabschnitt 110e11 ist mit einer zentralen Öffnung (siehe 1) versehen, die mit dem Inneren S kommuniziert, und ein verdampftes Filmbildungsmaterial wird von der Öffnung ausgeblasen. Der Rahmen 110e12 ist ein Rahmenkörper, der die Öffnung des Blasabschnitts 110e11 in seinem zentralen Abschnitt aufweist und den Blasabschnitt 110e11 an seinem Umfangsabschnitt mit Schrauben fixiert.
  • Der Blasmechanismus 110e1 ist mit einem Versorgungsrohr 110e13 versehen, das durch die Seitenwände der ersten Prozesskammer 100 und des Blasmechanismus 110e1 eingesetzt ist, um dadurch zuzulassen, dass das Äußere der ersten Prozesskammer 100 und das Innere S des Blasmechanismus 110e1 miteinander kommunizieren können. Das Versorgungsrohr 110e13 wird verwendet, um ein nicht reaktives Gas (z. B. ein Ar-Gas) von einer nicht dargestellten Gasversorgungsquelle in das Innere S des Blasmechanismus 110e1 zuzuführen. Obwohl es erwünscht ist, das nicht reaktive Gas derart zuzuführen, dass es die Gleichmäßigkeit des Gemisches der Gasmoleküle (Filmbildungsgas), das im Inneren S vorhanden ist, zu verbessern, ist es nicht unverzichtbar.
  • Darüber hinaus ist der Blasmechanismus 110e1 auch mit einem Auslassrohr 110e14 versehen, das durch die Seitenwand des Blasmechanismus 110e1 eingesetzt ist, um dadurch zuzulassen, dass das Innere U der ersten Prozesskammer 100 und das Innere S des Blasmechanismus 110e1 miteinander kommunizieren können. Ferner ist eine Blende 110e15 in dem Auslassrohr 110e14 eingesetzt, um den Durchgang zu verengen.
  • Der Transportmechanismus 110e2 weist vier Transportstrecken 110e21 auf, die durch sein Inneres hindurch gebildet sind, nachdem sie sich von einer Strömungsstrecke verzweigt haben. Die Abstände von einem Verzweigungsabschnitt A (Einlass der Transportstrecken 110e21) zu Öffnungen B der vier Transportstrecken 110e21 (Auslässe der Transportstrecken 110e21) sind beinahe gleich.
  • Eine QCM (Quarzmikrowaage oder Quartz Crystal Microbalance: Quarzschwingelement) 300 ist in der Nachbarschaft der Öffnung des Auslassrohrs 110e14 im Inneren der ersten Prozesskammer 100 eingebaut. Die QCM 300 ist ein Beispiel eines zweiten Sensors zum Detektieren einer Erzeugungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, das von der Öffnung des Auslassrohrs 110e14 ausgelassen wird, d. h. einer Filmbildungsrate (D/R: Abscheidungsrate). Nachstehend wird das Prinzip der QCM einfach erläutert.
  • In dem Fall, dass eine Dichte, ein Elastizitätsmodul, eine Größe oder dergleichen eines Quarzschwingkörpers äquivalent verändert werden, indem eine Substanz an der Oberfläche eines Quarzschwingelements angelagert wird, tritt eine Schwankung einer elektrischen Resonanzfrequenz f, die durch die folgende Gleichung angegeben ist, aufgrund der piezoelektrischen Eigenschaft des Schwingelements auf. f = 1/2t(√C/ρ)(t: Dicke eines Quarzstücks, C: Elastizitätskonstante, ρ: Dichte)
  • Unter Verwendung dieses Phänomens kann eine infinitesimale Quantität von Abscheidungen quantitativ auf der Basis der Schwankung der Resonanzfrequenz des Quarzschwingelements gemessen werden. Ein allgemeiner Ausdruck für das Quarzschwingelement, das auf diese Weise konstruiert ist, ist QCM. Wie es aus der Gleichung zu sehen ist, geht man davon aus, dass eine Änderung der Frequenz auf der Basis einer Änderung der Elastizitätskonstante in Abhängigkeit von der angelagerten Substanz und einer Dickenabmessung der angelagerten Substanz, die vermittels der Quarzdichte berechnet wird, bestimmt wird. Somit kann die Änderung der Frequenz vermittels des Gewichts der Abscheidungen berechnet werden.
  • Durch die Verwendung eines derartigen Prinzips gibt die QCM 300 ein Frequenzsignal ft zum Detektieren einer Filmdicke, die an dem Quarzschwingelement angelagert ist (Filmbildungsrate), aus. Die Filmbildungsrate, die aus dem Frequenzsignal ft detektiert wird, wird für eine Regelung der Temperatur jedes Tiegels verwendet, um die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials, das in dem Tiegel enthalten ist, zu steuern.
  • [Zweite Prozesskammer]
  • Nun wird die Form und innere Ausgestaltung der zweiten Prozesskammer 200 anhand der 1 und 2 beschrieben. Die zweite Prozesskammer 200 ist getrennt von der ersten Prozesskammer 200 eingebaut, wie es oben erwähnt wurde, und weist eine im Wesentlichen rechteckige parallelepipedische Form auf und ist auch mit Vorsprungabschnitten und Vertiefungsabschnitten an ihrem Unterseitenabschnitt versehen. Eine Beziehung zwischen diesen Vorsprungabschnitten und Vertiefungsabschnitten an dem Unterseitenabschnitt und einer Wärmeübertragung wird später erläutert.
  • Die zweite Prozesskammer 200 umfasst eine erste Dampfabscheidungsquelle 210a, eine zweite Dampfabscheidungsquelle 210b, eine dritte Dampfabscheidungsquelle 210c, eine vierte Dampfabscheidungsquelle 210d, eine fünfte Dampfabscheidungsquelle 210e und eine sechste Dampfabscheidungsquelle 210f.
  • Die erste bis sechste Dampfabscheidungsquelle 210a bis 210f sind jeweils mit der ersten bis sechsten Blaseinrichtung 110a bis 110f über entsprechende Verbindungsrohre 220a bis 220f verbunden.
  • Jede Dampfabscheidungsquelle 210 weist die gleiche Form und Ausgestaltung auf. Somit wird nur die innere Ausgestaltung der fünften Dampfabscheidungsquelle 210e als Beispiel anhand der 1 und 2 erläutert, während die Beschreibung der anderen Dampfabscheidungsquellen 210 weggelassen wird.
  • Die fünfte Dampfabscheidungsquelle 210e umfasst einen ersten Tiegel 210e1, einen zweiten Tiegel 210e2 und einen dritten Tiegel 210e3 als drei Dampfabscheidungsquellen. Der erste Tiegel 210e1, der zweite Tiegel 210e2 und der dritte Tiegel 210e3 sind jeweils mit einem ersten Verbindungsrohr 220e1, einem zweiten Verbindungsrohr 220e2 bzw. einem dritten Verbindungsrohr 220e3 verbunden, und diese drei Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 sind miteinander an einem Vereinigungsabschnitt C verbunden, nachdem sie die Prozesskammer 200 durchdrungen haben, und sind mit der fünften Blaseinrichtung 110e verbunden, nachdem sie die in die Prozesskammer 100 eingedrungen sind.
  • Die Tiegel 210e1 bis 210e3 enthalten darin unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien als ein Filmbildungsausgangsmaterial, und durch Einstellen der Temperatur jedes Tiegels auf ein hohes Temperaturniveau von z. B. etwa 200 bis 500°C werden die verschiedenen Arten von Filmbildungsmaterialien verdampft.
  • An den Verbindungsrohren 220e1 bis 220e3 außerhalb der zweiten Prozesskammer (in der Atmosphäre) sind jeweils Ventile 230e1 bis 230e3 eingebaut. Durch Manipulieren des Öffnens/Schließens jedes Ventils 230e wird gesteuert, ob jedes Filmbildungsmaterial (Gasmoleküle) in die erste Prozesskammer 100 zugeführt wird oder nicht. Wenn ferner jeder Tiegel mit dem Filmbildungsausgangsmaterial nachgefüllt wird, wird nicht nur das Innere der zweiten Prozesskammer 200 sondern auch das Innere des Verbindungsrohrs 220e zu der Atmosphäre hin geöffnet. Dem entsprechend wird durch Schließen jedes Ventils 230e während des Ergänzens des Filmbildungsausgangsmaterials eine Kommunikation mit dem Inneren des Verbindungsrohrs 220e und dem Inneren der ersten Prozesskammer 100 unterbrochen, so dass verhindert werden kann, dass das Innere der ersten Prozesskammer 100 zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, und somit kann das Innere der ersten Prozesskammer 100 in einem vorgegebenen druckgeminderten Zustand gehalten werden.
  • Blenden 240e2 und 240e3, die jeweils mit einem Loch mit einem Durchmesser von etwa 0,5 mm versehen sind, sind jeweils in das zweite und dritte Verbindungsrohr 220e2 bzw. 220e3 im Inneren der zweiten Prozesskammer eingesetzt.
  • Ferner verbindet das Verbindungsrohr 220e (das das erste Verbindungsrohr 220e1, das zweite Verbindungsrohr 220e2 und das dritte Verbindungsrohr 220e3 umfasst) die Dampfabscheidungsquelle 210 mit der Blaseinrichtung 110, wobei es als eine Verbindungsstrecke zum Transportieren des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle 210 verdampft wird, in Richtung der Blaseinrichtung 110 fungiert.
  • Versorgungsrohre 210e11, 210e21 und 210e31 sind jeweils an den Tiegeln 210e1, 210e2 bzw. 210e3 auf eine Weise eingebaut, dass sie durch die Seitenwand jedes Tiegels eingesetzt sind, wodurch zugelassen wird, dass das Innere T der zweiten Prozesskammer 200 mit dem Inneren R1, R2 und R3 der Tiegel kommunizieren kann. Die Versorgungsrohre 210e11, 210e21 und 210e31 werden verwendet, um ein nicht reaktives Gas (z. B. ein Ar-Gas) in das Innere jedes Tiegels von einer nicht dargestellten Gasversorgungsquelle zuzuführen. Das zugeführte nicht reaktive Gas fungiert als ein Trägergas, das jedes Filmbildungsgas, das im Inneren R1, R2 und R3 vorgesehen ist, durch das Verbindungsrohr 220e und die Transportstrecke 110e21 zu dem Blasmechanismus 110e1 transportiert.
  • Ferner sind Auslassrohre 210e12, 210e22 und 210e32 jeweils an den Tiegeln 210e1, 210e2 bzw. 210e3 auf eine Weise eingebaut, dass sie durch die Seitenwand jedes Tiegels 210e eingesetzt sind, wodurch zugelassen wird, dass das Innere T der Prozesskammer 200 mit dem Inneren R1, R2 und R3 jedes Tiegels 210e kommunizieren kann. Blenden 210e13, 210e23 und 210e33 sind jeweils in die Auslassrohre 210e12, 210e22 bzw. 210e32 eingesetzt. Wie es in 3 gezeigt ist, ist jede der Blenden 210e13 bis 210e33 mit einer zentralen Öffnung mit einem Durchmesser von etwa 0,1 mm versehen, und sie fungieren, um einen Durchtritt der Auslassrohre 210e12 bis 210e32 zu verengen.
  • Im Inneren T der zweiten Prozesskammer 200 sind QCMs 310a bis 310c jeweils in der Nachbarschaft der jeweiligen Auslassrohre 210e12 bis 210e32 eingebaut. Die QCMs 310a bis 310c geben Frequenzsignale f1 bis f3 aus, um die Dicke (Filmbildungsrate) von Filmen, die an den Quarzschwingelementen angelagert sind, nachdem die Gasmoleküle von den Öffnungen der Auslassrohre 210e12 bis 210e32 ausgestoßen worden sind, zu detektieren. Die Filmbildungsraten, die somit aus den Frequenzsignalen f1 bis f3 berechnet worden sind, werden dazu verwendet, die Temperatur jedes Tiegels zu regeln und somit die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials, das in jedem Tiegel enthalten ist, zu steuern. Das QCM 310 ist ein Beispiel eines ersten Sensors.
  • Heizungen 400 und 410 sind in jeder Dampfabscheidungsquelle 210e eingebettet, um die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210e zu steuern. Beispielsweise ist in dem ersten Tiegel 210e1 eine Heizung 400e1 in seiner Unterseitenwand eingelassen, und eine Heizung 410e1 ist in seiner Seitenwand eingebaut. Gleichermaßen sind in dem zweiten und dritten Tiegel 210e2 und 210e3 Heizungen 400e2 und 400e3 jeweils in ihren Unterseitenwänden eingelassen und Heizungen 410e2 und 410e3 jeweils in ihren Seitenwänden eingebaut. Jede der Heizungen 400 und 410 ist mit einer Wechselstromversorgung 600 verbunden.
  • Ein Controller 700 umfasst einen ROM 710, einen RAM 720, eine CPU 730 und eine Eingabe/Ausgabe-Schnittstelle (E/A) 740. Der ROM 710 und der RAM 720 speichern darin beispielsweise Daten, die eine Beziehung zwischen der Frequenz und der Filmdicke angeben, Programme zur Regelung der Heizungen oder dergleichen. Durch die Verwendung derartiger verschiedener Daten oder Programme, die in diesen Speicherbereichen gespeichert sind, berechnet die CPU 730 eine Erzeugungsrate von Gasmolekülen jedes Filmbildungsmaterials aus den Frequenzsignalen ft, f1, f2, f3, die von der Eingabe/Ausgabe E/A eingegeben werden; berechnet Spannungen, die an die Heizungen 400e1 bis 400e3 und die Heizungen 410e1 bis 410e3 angelegt werden sollen, auf der Basis der berechneten Erzeugungsrate; und überträgt die Ergebnisse zu der Wechselstromversorgung 600 als Temperatursteuerungssignale. Die Wechselstromversorgung 600 legt eine Spannung an die jeweiligen Heizungen auf der Basis der Temperatursteuerungssignale, die von dem Controller 700 übertragen werden, an.
  • Ein O-Ring 500 ist an der Unterseitenfläche der Außenwand der ersten Prozesskammer 100 angeordnet, durch die das Verbindungsrohr 220e eingesetzt ist, wodurch die Kommunikation zwischen der Atmosphäre und der ersten Prozesskammer 100 unterbrochen wird, und somit das Innere der ersten Prozesskammer hermetisch gehalten werden kann.
  • Weitere O-Ringe 510 bis 530 sind an einer oberen Fläche der Außenwand der zweiten Prozesskammer 200 eingebaut, durch die jeweils die Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 eingesetzt sind, wodurch die Kommunikation zwischen der Atmosphäre und der zweiten Prozesskammer 200 unterbrochen wird, und das Innere der zweiten Prozesskammer 200 hermetisch gehalten werden kann. Außerdem können die Innenräume der ersten und zweiten Prozesskammern 100 und 200 auf vorgegebene Vakuumniveaus durch ein nicht dargestelltes Auslasssystem druckgemindert werden.
  • Das Substrat G wird elektrostatisch angezogen und auf einer Plattform (nicht gezeigt), die einen Verschiebemechanismus aufweist, in einem oberen Bereich der ersten Prozesskammer 100 gehalten. Wie es in 1 gezeigt ist, wird das Substrat G von der ersten Blaseinrichtung 110a zu der zweiten Blaseinrichtung 110b, der dritten Blaseinrichtung 110c, der vierten Blaseinrichtung 110d, der fünften Blaseinrichtung 110e und zu der sechsten Blaseinrichtung 110f (110a → 110b → 110c → 110d → 110e → 110f) mit einer vorgegebenen Geschwindigkeit bewegt, während es geringfügig oberhalb einer jeden der Blaseinrichtungen 110a bis 110f, die durch sieben Trennwände 120 getrennt sind, angeordnet ist. Infolgedessen werden unterschiedliche Filme auf dem Substrat G in sechs Schichten in Abhängigkeit von den Filmbildungsmaterialien, die von den jeweiligen Blaseinrichtungen 110a bis 110f ausgeblasen werden, gebildet. Nachstehend wird die spezifische Arbeitsweise der Bedampfungsvorrichtung 10 während dieses 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozesses erläutert.
  • (6 Schichten umfassender fortlaufender Filmbildungsprozess)
  • Zunächst werden Filmbildungsmaterialien, die bei dem 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess verwendet werden, anhand von 4 beschrieben. 4 veranschaulicht den Zustand jeder Schicht, die auf dem Substrat G abgeschieden wird, infolge der Durchführung des 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozesses unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung 10.
  • Zunächst wird, während das Substrat G oberhalb der ersten Blaseinrichtung 110a mit einer bestimmten Geschwindigkeit bewegt wird, ein Filmbildungsmaterial, das von der ersten Blaseinrichtung 110a ausgeblasen wird, an dem Substrat G angelagert, so dass eine Lochtransportschicht als eine erste Schicht auf dem Substrat G gebildet wird. Während das Substrat G oberhalb der zweiten Blaseinrichtung 110b bewegt wird, wird dann ein Filmbildungsmaterial, das von der zweiten Blaseinrichtung 110b ausgeblasen wird, an dem Substrat G angelagert, so dass eine nicht Licht emittierende Schicht (Elektronensperrschicht) als eine zweite Schicht auf dem Substrat G gebildet wird. Während das Substrat G oberhalb der dritten Blaseinrichtung 110c, der vierten Blaseinrichtung 110d, der fünften Blaseinrichtung 110e und der sechsten Blaseinrichtung 110f (110c → 110d → 110e → 110f) in dieser Reihenfolge bewegt wird, werden eine blaues Licht emittierende Schicht als eine dritte Schicht, eine rotes Licht emittierende Schicht als eine vierte Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht als eine fünfte Schicht und eine Elektronentransportschicht als eine sechste Schicht auf dem Substrat G in Abhängigkeit von den Filmbildungsmaterialien, die von den Blaseinrichtungen ausgeblasen werden, gebildet.
  • Durch den oben beschriebenen 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess der Bedampfungsvorrichtung 10 werden die sechs Filme fortlaufend im Inneren der gleichen Kammer (d. h. der ersten Prozesskammer 100) gebildet. Dementsprechend kann der Durchsatz verbessert werden, was zu einer Steigung der Produktivität führt. Da ferner ein herkömmlicher Einbau mehrerer Prozesskammern für die zu bildenden unterschiedlichen Filmtypen unnötig wird, kann eine Vergrößerung der Vorrichtung verhindert werden, und die Kosten können vermindert werden.
  • (Wartung: Ergänzung von Material)
  • Während der oben beschriebene Filmbildungsprozess durchgeführt wird, muss das Innere der ersten Prozesskammer 100 auf einem gewünschten Vakuumniveau gehalten werden, wie es oben erläutert wurde. Da das Halten des Inneren der ersten Prozesskammer 100 auf einem gewünschten Vakuumniveau zulässt, dass ein Wärmeisolationseffekt durch Vakuum erhalten werden kann, wird somit eine genaue Steuerung der Innentemperatur der ersten Prozesskammer 100 ermöglicht. Infolgedessen ist die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert, so dass auf dem Substrat G mehrschichtige gleichmäßige Dünnfilme mit hohen Qualitäten gebildet werden können.
  • Während indessen der 6 Schichten umfassende fortlaufende Filmbildungsprozess auf dem Substrat G durchgeführt wird, wird das in jedem Tiegel enthaltene Filmbildungsmaterial verdampft und in Gasmoleküle umgewandelt und anschließend verbraucht gehalten, nachdem es von der Dampfabscheidungsquelle zu dem Blasmechanismus geschickt worden ist. Es ist somit erforderlich, jeden Tiegel, wann immer es nötig ist, mit dem Filmbildungsmaterial nachzufüllen.
  • Wenn jedoch das Innere der Kammer zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, und das Auslasssystem im Betrieb, um das Innere der Prozesskammer auf einem vorgegebenen Vakuumniveau zu halten, wann immer jede Dampfabscheidungsquelle mit dem Filmbildungsmaterial nachgefüllt wird, ausgeschaltet wird, wird jedes Mal dann eine große Menge an Energie verbraucht, wenn das Auslasssystem nach dem Ergänzen des Filmbildungsmaterials wieder eingeschaltet wird, was zu einer Verschlechterung der Auslasseffizienz führt.
  • Dementsprechend ist in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Erfindung die zweite Prozesskammer 200 zum Aufnehmen der Dampfabscheidungsquellen getrennt von der ersten Prozesskammer 100 zum Durchführen des Filmbildungsprozesses auf dem Substrat G eingebaut. Wenn somit die Ergänzung des Filmbildungsmaterials durchgeführt wird, muss nur die zweite Prozesskammer 200 zu der Atmosphäre hin geöffnet werden, ohne dass die erste Prozesskammer 100 zu der Atmosphäre hin geöffnet werden muss. Daher kann die Energie, die von der Stromversorgung nach dem Ergänzen des Materials eingebracht wird, im Vergleich mit der herkömmlich erforderlichen Menge vermindert werden. Infolgedessen kann die Auslasseffizienz verbessert werden.
  • Wie es festgestellt wurde, wird die erste Prozesskammer 100 nicht zu der Atmosphäre hin geöffnet, wenn das Filmbildungsmaterial ergänzt wird. Im Vergleich mit herkömmlichen Fällen, in denen die gesamte Kammer zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, kann somit die Zeit, die erforderlich ist, um das Innere der Kammer auf ein vorgegebenes Vakuumniveau druckzumindern, verkürzt werden. Folglich kann der Durchsatz verbessert werden, was zu einer Steigerung der Produktivität führt.
  • Außerdem wird das Innere der zweiten Prozesskammer während des Filmbildungsprozesses ebenfalls auf ein vorbestimmtes Vakuumniveau evakuiert. Durch Druckminderung des Inneren der zweiten Prozesskammer 200 auf ein vorbestimmtes Vakuumniveau kann ein Wärmeisolationseffekt durch Vakuum erhalten werden, so dass die Innentemperatur der zweiten Prozesskammer 200 mit hoher Genauigkeit gesteuert werden kann. Somit kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, so dass gleichmäßigere Dünnfilme mit besseren Qualitäten auf dem Substrat G gebildet werden können. Darüber hinaus kann eine Verschlechterung der Eigenschaften jedes Teils im Inneren der zweiten Prozesskammer 200, z. B. verschiedene Sensoren darin, oder eine Beschädigung der Teile selbst aufgrund der Übertragung von Hochtemperaturwärme, die von den Dampfabscheidungsquellen erzeugt wird, vermieden werden. Ferner wird die Verwendung eines wärmeisolierenden Materials in der zweiten Prozesskammer 200 unnötig.
  • (Vorsprungabschnitte und Vertiefungsabschnitte der zweiten Prozesskammer und Wärmeübertragung)
  • Wie es oben erwähnt wurde, sind die Vorsprungabschnitte und Vertiefungsabschnitte an der Unterseitenfläche der zweiten Prozesskammer 200 vorgesehen, und jeder Tiegel ist derart angeordnet, dass nur seine Unterseitenfläche (ein Beispiel der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts) in Kontakt mit einem Vertiefungsabschnitt der Unterseitenwand der zweiten Prozesskammer 200 steht.
  • Wie es oben festgestellt wurde, wird der Wärmeisolationseffekt durch Vakuum in der zweiten Prozesskammer erhalten, wenn das Innere der zweiten Prozesskammer 200 in einem Vakuumzustand ist. Dementsprechend wird die Wärme im Inneren der Kammer zu der Atmosphäre hindurch die zweite Prozesskammer von dem Abschnitt des Tiegels 210e1, der mit der Unterseitenwand der zweiten Prozesskammer 200 in Kontakt steht, zu der Atmosphäre hin ausgetragen, wie es beispielsweise in 3 dargestellt ist. Auf diese Weise kann die Temperatur der Nachbarschaft der jeweiligen das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitte der jeweiligen Tiegel 210e1 bis 210e3 derart eingestellt werden, dass sie niedriger als oder gleich wie bei den anderen Abschnitten der Tiegel 210e1 bis 210e3 ist.
  • Gemäß der Offenbarung eines Buches mit dem Titel "Thin Film Optics" (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 veröffentlicht wurde) werden hier verdampfte Moleküle (Gasmoleküle der Dünnfilmmaterialien), die das Substrat erreicht haben, nicht an dem Substrat angelagert und darauf angesammelt werden, und zwar gerade wie sie sind auf eine solche Weise, dass sie herunterfallen und gestapelt werden, um einen Film zu bilden, sondern ein Teil von ihnen wird reflektiert und in das Vakuum zurückgeworfen. Ferner bewegen sich einige der Moleküle, die auf der Oberfläche des Substrats angelagert sind, weiter auf seiner Oberfläche, wobei einige von ihnen in das Vakuum zurückgeworfen werden; und einige von ihnen an Stellen auf dem Substrat gefangen werden, um einen Film zu bilden. Eine durchschnittliche Zeit, die die Moleküle in einem Absorptionszustand gehalten werden (durchschnittliche Verweilzeit τ), wird durch eine Gleichung τ = τ0exp(Ea/kT) ausgedrückt, wobei Ea eine Aktivierungsenergie für das Entweichen darstellt.
  • Da T eine absolute Temperatur ist; k eine Boltzmann-Konstante ist; und τ0 eine vorbestimmte Konstante ist, geht man davon aus, dass die durchschnittliche Verweilzeit τ eine Funktion der absoluten Temperatur T ist. Die Erfinder führten Berechnungen durch, um die Beziehung zwischen der Temperatur und dem Adhäsionskoeffizienten zu untersuchen. Hier wurde α-NPD (Diphenylnaphthyldiamin: ein Beispiel eines organischen Materials) als ein organisches Material verwendet, und das Berechnungsergebnis ist in 5 angegeben. Wie es aus dem Ergebnis zu sehen ist, ist festzustellen, dass der Adhäsionskoeffizient mit zunehmender Temperatur (°C) abnimmt. Das heißt das Ergebnis zeigt an, dass die Zahl von Gasmolekülen, die physikalisch an der Transportstrecke oder dergleichen angelagert werden, mit zunehmender Temperatur abnimmt.
  • Wie es oben festgestellt wurde, kann durch Einstellen der Temperatur der anderen Abschnitte der Dampfabscheidungsquelle als die, wo das Filmbildungsmaterial aufgenommen ist, auf höher als oder gleich der Temperatur der Nachbarschaft eines solchen das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle 210, dem Verbindungsrohr 220 oder der Transportstrecke 110e21 angelagert werden, reduziert werden, während die Gasmoleküle in Richtung der Blaseinrichtung 110 strömen gelassen werden, nachdem das Filmbildungsmaterial verdampft worden ist.
  • Dementsprechend kann eine größere Menge von Gasmolekülen von der Blaseinrichtung 110 ausgeblasen und an dem Substrat G angelagert werden. Folglich kann die Ausnutzungseffizienz des Materials verbessert werden, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten führt. Außerdem kann der Reinigungszyklus für die Beseitigung von Abscheidungen, die an der Dampfabscheidungsquelle 210 oder dem Verbindungsrohr 220 angelagert sind, verlängert werden.
  • (Temperatursteuerungsmechanismus)
  • Die Bedampfungsvorrichtung 10 umfasst einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern einer Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210. Wie es in 2 gezeigt ist, umfasst die Dampfabscheidungsquelle 210e die Heizungen 400e und 410e, die für jeden Tiegel darin vorgesehen sind. Die Heizung 400e entspricht einem ersten Temperatursteuerungsmechanismus, der an jedem das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt eines jeden Tiegels (durch q in 3 markiert) angeordnet ist, und die Heizung 410e entspricht einem zweiten Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Auslassseite eines jeden Tiegels (durch r in 3 markiert), von welchem das verdampfte Filmbildungsmaterial von jedem Tiegel ausgetragen wird, angeordnet ist.
  • In dem Fall, dass eine Spannung, die an die Heizung 410e von der Wechselstromversorgung 600 angelegt wird, größer als oder gleich der ist, die an die Heizung 400e angelegt wird, kann die Temperatur in der Nachbarschaft des Auslasses jedes Tiegels auf höher als oder gleich der der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts eingerichtet werden.
  • Auf diese Weise kann durch Einstellen der Temperatur des Abschnitts, durch den das Filmbildungsmaterial hindurchtritt, auf höher als die des Abschnitts, wo das Filmbildungsmaterial gespeichert wird, die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle 210, dem Verbindungsrohr 210 oder dergleichen angelagert werden, weiter verringert werden. Infolgedessen kann die Ausnützungseffizienz des Materials gesteigert werden.
  • (Regelung durch den Temperatursteuerungsmechanismus)
  • In der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die Temperaturen der Heizungen 400 und 410 durch den Controller 700 geregelt. Für diese Regelung sind die QCMs 310 und 300 für jeden Tiegel der Dampfabscheidungsquelle 210 eingebaut.
  • In der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Dampfabscheidungsquelle 210 und die Blaseinrichtung 110 in den getrennten Kammern eingearbeitet. Deshalb detektiert der Controller 700 die Verdampfungsrate von jedem der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die in den mehreren Tiegeln gespeichert sind, auf der Basis von Schwingungszahlen (Frequenzen f1 bis f3) des Quarzschwingelements, die von der QCM 310 ausgegeben werden, die derart eingebaut ist, dass sie jeder Dampfabscheidungsquelle 210 entspricht. Der Controller 700 regelt die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle 210 mit hoher Genauigkeit auf der Basis der somit erhaltenen Verdampfungsraten. Indem zugelassen wird, dass die Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in den mehreren Dampfabscheidungsquellen 210 gespeichert sind, sich den Zielwerten genauer annähern, kann auf diese Weise die Menge und das Mischungsverhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, die von der Blaseinrichtung 210 ausgeblasen werden, genauer gesteuert werden. Infolgedessen kann die Steuerbarkeit der Filmbildung erhöht werden, und es können gleichmäßige Dünnfilme mit hohen Qualitäten auf dem Substrat G gebildet werden.
  • Darüber hinaus ist in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die QCM 300 derart eingebaut, dass sie der Blaseinrichtung 110 entspricht, und der Controller 700 berechnet die Filmbildungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, die von der Blas einrichtung 110 ausgeblasen werden, auf der Basis der Schwingungszahl (Frequenz ft) des Quarzschwingelements, die von der QCM 300 ausgegeben wird.
  • Auf die oben erwähnte Weise berechnet der Controller 700 die Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in jeder Dampfabscheidungsquelle 210 aufgenommen sind, und die resultierende Erzeugungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, die durch die Blaseinrichtung 110 hindurchtreten. Infolgedessen ist es möglich, die Verlustmenge von Gasmolekülen aufgrund ihrer Anlagerung an dem Verbindungsrohr 220 oder dergleichen zu detektieren, während sie sich von der Dampfabscheidungsquelle 210 zu der Blaseinrichtung 110 durch das Verbindungsrohr 220 oder dergleichen bewegen. Mit dieser Ausgestaltung können durch Steuern der Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle 210 auf genauere Weise auf der Basis der Verdampfungsrate der Gasmoleküle der verschiedenen Filmbildungsmaterialien (einfache Substanzen) und der Erzeugungsrate des Gemisches der Gasmoleküle gleichmäßigere Dünnfilme mit besseren Qualitäten auf dem Zielobjekt gebildet werden. Obwohl es erwünscht ist, die QCM 300 einzubauen, ist sie aber nicht unverzichtbar.
  • (Blende)
  • Wie es oben erwähnt wurde, sind die Blenden 240e2 und 240e3 in dem zweiten und dritten Verbindungsrohr 220e2 bzw. 220e3 eingesetzt. Auf diese Weise kann es möglich sein, eine Blende an einer Position benachbart zu dem Vereinigungsabschnitt C an jedem Verbindungsrohr 200, das mit der Dampfabscheidungsquelle verbunden ist, auf der Basis von Molekülmengen der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die von den meh reren Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, einzubauen.
  • Es sei beispielsweise angenommen, dass ein Material A, ein Material B und Alq3 als Filmbildungsmaterialien für die fünfte Schicht verwendet werden, wie es in 4 dargestellt ist. Ferner sei angenommen, dass die Molekülmenge des Materials A, die von dem ersten Tiegel 210e1 pro Zeiteinheit verdampft wird, größer als die Molekülmengen des Materials B und des Alq3 (Aluminium-tris-8-hydroxychinolin), das von dem zweiten und dritten Tiegel 210e2 bzw. 210e3 pro Zeiteinheit verdampft wird, ist.
  • In einem solchen Fall wird ein Innendruck der Verbindungsstrecke 210e1, durch die das Material A strömt, höher als die Innendrücke der Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3, durch die das Material B und das Alq3 strömen. In dem Fall, dass die Verbindungsstrecken 220e die gleichen Durchmesser aufweisen, besteht dementsprechend die Tendenz, dass die Gasmoleküle von der Verbindungsstrecke 220e1 mit dem höheren Innendruck in die Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3 mit den niedrigeren Innendrücken über den Vereinigungsabschnitt C eingeleitet werden.
  • Da jedoch Strömungsstrecken der zweiten und dritten Verbindungsrohre 220e2 und 220e3 jeweils durch die Blenden 240e2 bzw. 204e3 verengt sind, wird ein Durchtritt der Gasmoleküle des Materials A eingeschränkt. Dementsprechend kann ein Einströmen des Materials A in Richtung der Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3 verhindert werden. Auf diese Weise kann durch Einleiten der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien in Richtung der Blaseinrichtung 110, während deren Rückströmung verhindert wird, eine größere Menge von Gasmolekülen auf dem Substrat G abgeschieden werden, so dass die Ausnutzungseffizienz des Materials weiter verbessert werden kann.
  • Wie es festgestellt wurde, ist es auf der Basis der Molekülmengen der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die von den mehreren Dampfabscheidungsquellen (Tiegeln) pro Zeiteinheit verdampft werden, erwünscht, die Blenden an dem Verbindungsrohr 220e, durch die das Filmbildungsmaterial mit den geringeren verdampften Mengen strömt, einzubauen.
  • Es kann jedoch auch möglich sein, keinerlei Blende 240e ungeachtet der Mengen der Filmbildungsmaterialien pro Zeiteinheit einzubauen, oder es kann auch möglich sein, eine Blende an einem der drei Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 einzubauen. Obwohl die Blende 240e an jeder Position benachbart zu dem Vereinigungsabschnitt C der Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 eingebaut sein kann, ist es ferner erwünscht, sie näher bei dem Vereinigungsabschnitt C als in der Nachbarschaft jedes Tiegels 210e einzubauen, um die Rückströmung des verdampften Filmbildungsmaterials in die Dampfabscheidungsquelle 210e zu verhindern.
  • Ferner sind in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Blenden 110e15, 210e13, 210e23 und 210e33 an den Auslassstrecken 110e14, 210e12, 210e22 und 210e32 zum Auslassen eines Teils jedes Filmbildungsmaterials, die an der Seite der QCM 300 und der QCM 310 vorgesehen sind, eingebaut.
  • Mit dieser Ausgestaltung kann durch Begrenzen der Menge von Gasmolekülen, die durch jede Auslassstrecke hindurchtreten, unter Verwendung jeder Blende, die Menge von ausgelassenen Gasmolekülen verringert werden. Folglich kann das unnötige Auslassen der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien verhindert werden, so dass die Ausnützungseffizienz des Materials weiter gesteigert werden kann.
  • Ferner sind die Blenden 240e2, 240e3, 110e15, 210e13, 210e23 und 21e33 ein Beispiel eines Strömungsstrecken-Anpassungselements zum Einstellen der Strömungsstrecken der Verbindungsrohre oder der Auslassstrecken. Ein anderes Beispiel des Strömungsstrecken-Anpassungselements kann ein Ventil mit variabler Öffnung zum Anpassen einer Strömungsstrecke eines Rohrs durch Verändern eines Öffnungsgrades eines Ventils sein.
  • (Abwandlungsbeispiel)
  • Nun wird ein Abwandlungsbeispiel des 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozesses unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 6 erläutert. In diesem Abwandlungsbeispiel ist eine Kühlmittelversorgungsquelle 800, die in 6 gezeigt ist, anstelle der Stromversorgung 600 vorgesehen, die außerhalb der Bedampfungsvorrichtung 10 eingebaut ist, wie es in 2 gezeigt ist. Ferner sind als ein Temperatursteuerungsmechanismus Kühlmittelversorgungsstrecken 810, die in 6 gezeigt sind, in der Wandfläche der zweiten Prozesskammer 200 anstelle der Heizungen 400 und 410 in 2 eingelassen. Die Kühlmittelversorgungsquelle 800 führt ein Kühlmittel durch die Kühlmittelversorgungsstrecken 810 zu und lässt dieses zirkulieren. Mit dieser Ausgestaltung kann ein das Filmbildungsmaterial aufnehmender Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle 210 gekühlt werden.
  • (Wartung)
  • Während der Filmbildung nimmt die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210 bis zu einem hohen Temperaturniveau von etwa 200 bis 500°C zu. Um ein Filmbildungsmaterial zu ergänzen, muss somit die Dampfabscheidungsquelle 210 zunächst auf eine vorgegebene Temperatur gekühlt werden. Es hat jedoch etwa einen halben Tag gedauert, um die herkömmliche Dampfabscheidungsquelle 210 auf die vorgegebene Temperatur herunterzukühlen. In diesem Abwandlungsbeispiel jedoch wird die Dampfabscheidungsquelle 210 unter Verwendung der Kühlmittelversorgungsquelle 800 und der Kühlmittelversorgungsstrecken 810 gekühlt. Infolgedessen kann die Wartungszeit, die für das Ergänzen des Filmbildungsmaterials benötigt wird, verkürzt werden.
  • Darüber hinaus sind die Kühlmittelversorgungsquelle 800 und die Kühlmittelversorgungsstrecken 810 ein Beispiel eines dritten Temperatursteuerungsmechanismus. Als ein anderes Beispiel unter Verwendung des dritten Temperatursteuerungsmechanismus kann ein Verfahren zum Kühlen des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts genommen werden, indem das Kühlmittel, wie etwa Luft, die von der Kühlmittelversorgungsquelle 800 zugeführt wird, direkt in Richtung der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts geblasen wird. Obwohl das Kühlmittel Wasser sein kann, ist es ferner erwünscht, da die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210 hoch ist, unter Berücksichtigung einer schnellen Ausdehnungsänderung die Luft als das Kühlmittel zu verwenden.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Größe des Glassubstrats, das durch die Bedampfungsvorrichtung 10 verarbeitet werden kann, etwa 730 mm × 920 mm oder größer. Beispielsweise ist die Bedampfungsvorrichtung 10 in der Lage, fortlaufend die Filmbildung auf G4.5-Substraten mit einer Größe von etwa 730 mm × 920 mm (Größe in der Kammer: etwa 1000 mm × 1190 mm) oder G5-Substraten mit einer Größe von etwa 1100 mm × 1300 mm (Größe in der Kammer: etwa 1470 mm × 1590 mm) auszuführen. Ferner ist die Bedampfungsvorrichtung 10 auch in der Lage, die Filmbildung auf einem Wafer mit einem Durchmesser von etwa z. B. 200 mm oder 300 mm auszuführen. Das heißt ein Zielobjekt, auf dem die Filmbildung durchgeführt wird, umfasst ein Glassubstrat und einen Silizium-Wafer.
  • Ferner kann als ein anderes Beispiel der ersten und zweiten Sensoren, die von jeder Ausführungsform bei der Regelung verwendet werden, ein Interferometer (z. B. ein Laserinterferometer) zum Detektieren einer Filmdicke eines Zielobjekts durch z. B. Bestrahlen mit Licht, das von einer Lichtquelle ausgegeben wird, auf eine obere Fläche und eine untere Fläche eines Films, der auf dem Zielobjekt gebildet wird, und Beobachten und Analysieren eines Interferenzrings, der durch einen Unterschied der optischen Strecken der beiden reflektierten Strahlen erzeugt wird, angewandt werden.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform stehen die Arbeitsabläufe der jeweiligen Komponenten miteinander in Beziehung und können durch eine Reihe von Arbeitsabläufen unter Berücksichtigung einer derartigen Beziehung miteinander ersetzt werden. Durch dieses Ersetzen kann die Ausführungsform der Bedampfungsvorrichtung als eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung verwendet werden, und die Ausführungsform der Steuerungsvorrichtung des Bedampfungsverfahrens kann als eine Ausführungsform eines Steuerungsverfahrens für die Bedampfungsvorrichtung verwendet werden.
  • Ferner kann durch Substituieren des Betriebs jeder Komponente mit dem Prozess jeder Komponente die Ausführungsform des Steuerungsverfahrens der Bedampfungsvorrichtung als eine Ausführungsform eines Programms zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und eine Ausführungsform eines computerlesbaren Speichermediums, das das Programm darin speichert, verwendet werden.
  • Die obige Beschreibung der vorliegenden Erfindung ist zum Zweck der Darstellung vorgesehen, und Fachleute auf dem Gebiet werden verstehen, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen daran vorgenommen werden können, ohne die technische Konzeption und wesentliche Merkmale der vorliegenden Erfindung zu verändern. Es ist zu verstehen, dass alle Abwandlungen und Ausführungsformen, die von der Bedeutung und dem Schutzumfang der Ansprüche eingeschlossen werden, sowie deren Äquivalente im Schutzumfang der vorliegenden Erfindung enthalten sind.
  • Beispielsweise wird in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ein organisches EL-Material in der Form eines Pulvers (Feststoffs) als das Filmbildungsmaterial verwendet, und ein organischer EL-Mehrschichtfilmbildungsprozess wird auf dem Substrat G durchgeführt. Jedoch kann die Bedampfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung auch in einem MOCVD-Verfahren (Metal Organic Chemical Vapor Deposition Verfahren) zum Abscheiden eines Dünnfilms auf einem Zielobjekt durch Zersetzen eines Filmbildungsmaterials, das von z. B. einem flüssigen organischen Metall verdampft wird, auf dem Zielobjekt, das auf bis zu etwa 500 bis 700°C erwärmt worden ist, angewandt werden. Wie beschrieben kann die Bedampfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung als eine Vorrichtung zum Bilden eines organischen EL-Films oder eines organischen Metallfilms auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial verwendet werden.
  • Zusammenfassung
  • Eine Bedampfungsvorrichtung (10) umfasst eine erste Prozesskammer (100) und eine zweite Prozesskammer (200), und eine Blaseinrichtung (110), die in der ersten Prozesskammer (100) aufgenommen ist, und eine Dampfabscheidungsquelle (210), die in der zweiten Prozesskammer (200) aufgenommen ist, sind miteinander über ein Verbindungsrohr (220) verbunden. Ein Auslassmechanismus zum Evakuieren des Inneren der ersten Prozesskammer (100) auf ein vorgegebenes Vakuumniveau ist mit der ersten Prozesskammer (100) verbunden. Organische Moleküle, die von der Dampfabscheidungsquelle (210) verdampft werden, werden von der Blaseinrichtung (110) über das Verbindungsrohr (220) ausgeblasen und auf einem Substrat (G) angelagert, wodurch auf dem Substrat (G) ein Dünnfilm gebildet wird. Durch getrenntes Einbauen der ersten Prozesskammer (100) und der zweiten Prozesskammer (200) wird die erste Prozesskammer (100) nicht zur Atmosphäre hin geöffnet, wenn ein Filmbildungsmaterial nachgefüllt wird, so dass die Auslasseffizienz verbessert werden kann.
    • 10
    Bedampfungsvorrichtung
    100
    Erste Prozesskammer
    110
    Blaseinrichtung
    110e1
    Blasmechanismus
    110e11
    Blasabschnitt
    110e12
    Rahmen
    110e15
    Blende
    110e2
    Transportmechanismus
    110e21
    Transportstrecke
    200
    Zweite Prozesskammer
    210
    Dampfabscheidungsquelle
    210e1
    Erster Tiegel
    210e13
    Blende
    210e2
    Zweiter Tiegel
    210e23
    Blende
    210e3
    Dritter Tiegel
    210e33
    Blende
    220e
    Verbindungsrohr
    230e
    Ventil
    240e2, 240e3
    Blenden
    300, 310
    QCMs
    400e, 410e
    Heizungen
    700
    Controller
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2000-282219 [0005]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - ”Thin Film Optics” (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 [0016]
    • - ”Thin Film Optics” (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 [0104]

Claims (20)

  1. Bedampfungsvorrichtung zum Durchführen einer Filmbildung auf einem Zielobjekt durch Dampfabscheidung, wobei die Vorrichtung umfasst: eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für die Filmbildung ist; einen Blasmechanismus, der mit der Dampfabscheidungsquelle durch eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird; eine erste Prozesskammer, die den Blasmechanismus darin aufnimmt, zum Durchführen der Filmbildung darin auf dem Zielobjekt mit dem Filmbildungsmaterial, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird; eine zweite Prozesskammer, die getrennt von der ersten Prozesskammer eingebaut ist, zum Aufnehmen der Dampfabscheidungsquelle darin; und einen Auslassmechanismus, der mit der ersten Prozesskammer verbunden ist, zum Evakuieren des Inneren der ersten Prozesskammer auf ein vorgegebenes Vakuumniveau.
  2. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Auslassmechanismus mit der zweiten Prozesskammer verbunden ist und das Innere der zweiten Prozesskammer auf ein vorbestimmtes Vakuumniveau evakuiert.
  3. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Dampfabscheidungsquelle derart eingebaut ist, dass nur die Nachbarschaft ihres das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts in Kontakt mit einer Wandfläche der zweiten Prozesskammer steht.
  4. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die zweite Prozesskammer mit einem Vorsprungabschnitt und/oder einem Vertiefungsabschnitt in der Wandfläche, die mit der Dampfabscheidungsquelle in Kontakt steht, versehen ist.
  5. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Dampfabscheidungsquelle einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern der Temperatur der Dampfabscheidungsquelle umfasst.
  6. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Temperatursteuerungsmechanismus einen ersten Temperatursteuerungsmechanismus und einen zweiten Temperatursteuerungsmechanismus umfasst, wobei der erste Temperatursteuerungsmechanismus auf der Seite des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle angeordnet ist, um eine Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts auf einer vorbestimmten Temperatur zu halten, und wobei der zweite Temperatursteuerungsmechanismus an dem Auslassabschnitt der Dampfabscheidungsquelle angeordnet ist, von dem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, um eine Temperatur des Auslassabschnitts auf höher als oder gleich der Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts zu halten.
  7. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei der Temperatursteuerungsmechanismus einen dritten Temperatursteuerungsmechanismus umfasst, und wobei der dritte Temperatursteuerungsmechanismus in der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle angeordnet ist, um den das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt zu kühlen.
  8. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, und wobei mehrere erste Sensoren, die den Dampfabscheidungsquellen entsprechen, im Inneren der zweiten Prozesskammer angeordnet sind, um jeweilige Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind, zu detektieren.
  9. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein zweiter Sensor, der dem Blasmechanismus entspricht, im Inneren der ersten Prozesskammer angeordnet ist, um eine Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird, zu detektieren.
  10. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist; wobei jeweils unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind; wobei Verbindungsstrecken, die jeweils mit den Dampfabscheidungsquellen verbunden sind, an einer vorgegebenen Vereinigungsposition gekoppelt sind; und auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von der Dampfabscheidungsquelle pro Zeiteinheit verdampft werden, ein Strömungsstrecken-Anpassungselement an einer der Verbindungsstrecken oberstromig der vorgegebenen Vereinigungsposition eingebaut ist, um eine Strömungsstrecke der einen Verbindungsstrecke zu steuern.
  11. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 10, wobei auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, das Strömungsstrecken-Anpassungselement an der Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt, eingebaut ist.
  12. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei das Strömungsstrecken-Anpassungselement an einer der Auslassstrecken zum Auslassen eines Teils jedes verdampften Filmbildungsmaterials in Richtung der ersten Sensoren und des zweiten Sensors eingebaut ist, um eine Strömungsstrecke der einen Auslassstrecke zu steuern.
  13. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei mehr als ein Blasmechanismus eingebaut ist, und wobei die erste Prozesskammer den Blasmechanismus darin aufnimmt, und mehrere Filmbildungsprozesse fortlaufend an dem Zielobjekt mit dem Filmbildungsmaterial, das von jedem Blasmechanismus ausgeblasen wird, in der ersten Prozesskammer durchgeführt werden.
  14. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die erste Prozesskammer einen organischen EL-Film oder einen or ganischen Metallfilm auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial bildet.
  15. Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Steuerungsvorrichtung eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, regelt.
  16. Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Steuerungsvorrichtung eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, und der Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, die von dem zweiten Sensor detektiert wird, regelt.
  17. Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Temperatur des Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, geregelt wird, so dass eine Temperatur des Auslassabschnitts der Dampfabscheidungsquelle, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, auf höher als oder gleich einer Temperatur eines das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle eingestellt ist.
  18. Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten von Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, geregelt wird.
  19. Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 9, wobei eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, und der Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, die von dem zweiten Sensor detektiert wird, geregelt wird.
  20. Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Verfahren umfasst: Verdampfen des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle im Inneren der zweiten Prozesskammer aufgenommen ist; Ausblasen des verdampften Filmbildungsmaterials von dem Blasmechanismus durch die Verbindungsstrecke; und Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt mit dem geblasenen Filmbildungsmaterial im Inneren der ersten Prozesskammer.
DE112007002293T 2006-09-27 2007-09-25 Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung Withdrawn DE112007002293T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006262008A JP5179739B2 (ja) 2006-09-27 2006-09-27 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
JP2006-262008 2006-09-27
PCT/JP2007/068567 WO2008041558A1 (fr) 2006-09-27 2007-09-25 Dispositif de dÉpÔt en phase vapeur, dispositif de commande du dispositif de dÉpÔt en phase vapeur, procÉdÉ de commande du dispositif de dÉpÔt en phase vapeur et procÉdÉ d'utilisation du dispositif de dÉpÔt en phase vapeur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112007002293T5 true DE112007002293T5 (de) 2009-11-05

Family

ID=39268420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112007002293T Withdrawn DE112007002293T5 (de) 2006-09-27 2007-09-25 Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100092665A1 (de)
JP (1) JP5179739B2 (de)
KR (2) KR101230931B1 (de)
DE (1) DE112007002293T5 (de)
TW (1) TW200837206A (de)
WO (1) WO2008041558A1 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5063969B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100994323B1 (ko) 2008-05-21 2010-11-12 박우윤 대면적 기판용 증착장치 및 그를 이용한 증착방법
JP4551465B2 (ja) 2008-06-24 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 蒸着源、成膜装置および成膜方法
EP2168643A1 (de) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Verdampfer für organische Materialien
WO2010080109A1 (en) * 2008-12-18 2010-07-15 Veeco Instruments Inc. Vacuum deposition sources having heated effusion orifices
KR101084275B1 (ko) * 2009-09-22 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법
US20120027921A1 (en) * 2010-12-22 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
EP2469268A1 (de) * 2010-12-23 2012-06-27 Applied Materials, Inc. Verdampfungssystem mit Messeinheit
JP5384770B2 (ja) * 2011-03-15 2014-01-08 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
WO2012124629A1 (ja) * 2011-03-15 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101250501B1 (ko) * 2011-04-11 2013-04-03 전남대학교산학협력단 극미량 시료 흡착량 측정 장치
KR101233629B1 (ko) * 2011-04-13 2013-02-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 대용량 박막형성용 증착장치
WO2012143840A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
TWI490355B (zh) * 2011-07-21 2015-07-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍方法與蒸鍍設備
DE102011084996A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Robert Bosch Gmbh Anordnung zum Beschichten eines Substrats
JP2013163845A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Nitto Denko Corp 蒸着用坩堝及び蒸着装置並びに蒸着方法
JP6192894B2 (ja) * 2012-03-22 2017-09-06 株式会社アツミテック 多元系のナノ粒子膜形成装置及びこれを用いたナノ粒子膜形成方法
CN103668077B (zh) * 2012-09-14 2017-08-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 蒸发装置及应用该蒸发装置的真空蒸镀机
KR101467195B1 (ko) * 2013-05-14 2014-12-01 주식회사 아바코 가스 분사기 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
WO2015136857A1 (ja) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 蒸着装置及びその制御方法、蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法
DE102014014970B4 (de) * 2014-10-14 2020-01-02 NICE Solar Energy GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Schichtdickenmessung für Dampfabscheideverfahren
DE102014115497A1 (de) 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen
KR102560307B1 (ko) * 2014-12-11 2023-07-26 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 유기 증기상 증착 시스템, 저온 및 고온 증발 물질의 동시 증착에 이용하는 방법, 및 거기에서 제조된 디바이스
KR102609612B1 (ko) 2018-07-30 2023-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000282219A (ja) 1999-04-02 2000-10-10 Canon Inc 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59140365A (ja) * 1983-02-01 1984-08-11 Ushio Inc 光化学蒸着装置
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US5709753A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
CN1300328A (zh) * 1998-04-14 2001-06-20 Cvd***公司 薄膜淀积***
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
CN101818334B (zh) * 2002-01-17 2012-12-12 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US7003215B2 (en) * 2002-01-21 2006-02-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vapor flow controller
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US20050211172A1 (en) * 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
WO2004002909A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-08 Pirelli & C. S.P.A. Method and device for vaporizing a liquid reactant in manufacturing a glass preform
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
JP4185015B2 (ja) * 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
US9725805B2 (en) * 2003-06-27 2017-08-08 Spts Technologies Limited Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
US20070248515A1 (en) * 2003-12-01 2007-10-25 Tompa Gary S System and Method for Forming Multi-Component Films
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP4454387B2 (ja) * 2004-05-20 2010-04-21 日立造船株式会社 蒸着装置
JP4458932B2 (ja) * 2004-05-26 2010-04-28 日立造船株式会社 蒸着装置
JP2006059640A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Tdk Corp 蒸着装置及び蒸着方法
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP4602054B2 (ja) * 2004-11-25 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置
US7431807B2 (en) * 2005-01-07 2008-10-07 Universal Display Corporation Evaporation method using infrared guiding heater
JP2006225757A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
US7625601B2 (en) * 2005-02-04 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs
US7625602B2 (en) * 2005-05-03 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding powdered or granular material
WO2007034790A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Tohoku University 成膜装置、蒸発治具、及び、測定方法
JP4317174B2 (ja) * 2005-09-21 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 原料供給装置および成膜装置
US7718030B2 (en) * 2005-09-23 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
WO2007062242A2 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
US20070190235A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
US20070218199A1 (en) * 2006-02-13 2007-09-20 Veeco Instruments Inc. Crucible eliminating line of sight between a source material and a target
JP5063969B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
CN101522943B (zh) * 2006-10-10 2013-04-24 Asm美国公司 前体输送***
JP5020650B2 (ja) * 2007-02-01 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着方法および蒸着装置の製造方法
DE112008000803T5 (de) * 2007-03-30 2010-04-08 Tokyo Electron Limited Abscheidungsquelleneinheit, Abscheidungsvorrichtung und Temperatursteuereinrichtung einer Abscheidungsquelleneinheit
US20090081365A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Cok Ronald S Deposition apparatus for temperature sensitive materials
EP2168643A1 (de) * 2008-09-29 2010-03-31 Applied Materials, Inc. Verdampfer für organische Materialien
CN102171377A (zh) * 2008-09-30 2011-08-31 东京毅力科创株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质
JP5410235B2 (ja) * 2009-10-15 2014-02-05 小島プレス工業株式会社 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000282219A (ja) 1999-04-02 2000-10-10 Canon Inc 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Thin Film Optics" (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090045386A (ko) 2009-05-07
US20100092665A1 (en) 2010-04-15
JP2008081778A (ja) 2008-04-10
WO2008041558A1 (fr) 2008-04-10
JP5179739B2 (ja) 2013-04-10
TW200837206A (en) 2008-09-16
KR20120033354A (ko) 2012-04-06
KR101230931B1 (ko) 2013-02-07
KR101199241B1 (ko) 2012-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112007002293T5 (de) Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung
DE112007002294T5 (de) Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern einer Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern einer Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zur Verwendung einer Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Blasausganges
DE112008000604T5 (de) Steuereinrichtung einer Bedampfungsvorrichtung und Steuerverfahren einer Bedampfungsvorrichtung
DE69827293T2 (de) Dampfphasenabscheidung von organischen dünnen schichten bei niederem druck
DE3923390C2 (de)
DE112008000313T5 (de) Bedampfungseinrichtung, Bedampfungsverfahren sowie Herstellverfahren für die Bedampfungseinrichtung
DE3644652A1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit einer vielschichtigen struktur und eine dadurch erhaltene elektronische vorrichtung
DE112011102327T5 (de) Schichtbildungsvorrichtung
DE102008057909A1 (de) Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung
DE112008000669T5 (de) Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren
EP2521804B1 (de) Inline-beschichtungsanlage
DE112008000803T5 (de) Abscheidungsquelleneinheit, Abscheidungsvorrichtung und Temperatursteuereinrichtung einer Abscheidungsquelleneinheit
DE102015118438A1 (de) System und Methode zum Regeln der Oberflächentemperatur der Halbleiterkristallscheibe und der Dünnschicht
DE112007002217T5 (de) Bedampfungsvorrichtung
DE102014105294A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung an einem CVD-Reaktor
DE102009007587A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase
DE102008026001B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre und Heizelement
DE102008015078B4 (de) Vakuumverdampfer
DE112009002374T5 (de) Abscheidevorrichtung, Abscheideverfahren sowie Speichermedium mit hierin gespeichertem Programm
EP3610050A1 (de) Beschichtungsvorrichtung und verfahren zur reaktiven dampfphasenabscheidung unter vakuum auf einem substrat
DE60027935T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Wolframnitridschicht
DE102010002839B4 (de) Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
DE3644654C2 (de)
DE102017208289A1 (de) Schichterzeugungsverfahren
DE102017106967A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Konzentration eines Dampfes

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee